KR920010646A - Eeprom셀 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

EEPROM 셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 EEPROM 디바이스의 단면도.

Claims (9)

  1. 반도체 바디와, 상기 바디내의 트랜치에 형성된 절연 제어 게이트 및 절연 플로팅 게이트와, 상기 트랜치의 측벽의 상부 부분 옆의 표면-인접 드레인 영역과, 상기 트랜치의 상기 측벽의 적어도 하부 부분 옆의 소스 영역과, 상기 소스와 드레인 영역간의 상기 트랜치의 측벽을 따라 확장된 채널 영역을 포함하는 EEPROM 셀에 있어서, 코너 영역을 통해 상기 셀을 소거하는 동작동안 상기 트랜치의 바닥의 상기 코너 영역에 국소화된 고 전계 밀도를 야기시키기 위한 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  2. 제1항에 있어서, 국소화된 고 전계 밀도를 야기시키는 상기 수단이 상기 코너 영역에 감소된 두께의 국소화된 부분을 가진 상기 게이트 유전체를 제공하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트 유전체의 상기 국소화된 부분이 상기 게이트 유전체의 잔여 부분의 두께의 약 30% 내지 90%의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 게이트 유전체의 상기 국소화된 부분의 두께가 약 30옹스트롬과 약 180옹스트롬 사이인 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  5. 제2항에 있어서, 감소된 두께의 상기 국소화된 게이트 유전체 부분이 상기 코너 영역에서 반원형 외부 에지를 포함하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  6. 제2항에 있어서, 감소된 두께의 상기 국소화된 게이트 유전체 부분이 상기 코너 영역에서 V형 내부 에지를 포함하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  7. 제2항에 있어서, 감소된 두께의 상기 국소화된 게이트 유전체 부분이 상기 코너 영역에서 반원형 외부 에지와 V형 내부 에지 양자를 포함하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  8. 제1항에 있어서, 제1도전형이고 높게 도핑된 레벨을 가진 제1반도체층과, 상기 제1층과 함께 상기 EEPROM 셀의 소스 영역에 형성되며, 상기 제1층상에 형성되고, 상기 제1도전형이며, 상기 제1층보다 낮은 도핑레벨을 가진 제2반도체층과, 상기 제2층의 상기 제1층과는 반대로 제2도전형이고 상기 EEPROM 셀의 표면으로 확장하는 제3반도체층과, 상기 제3층에 극부적으로 제공된 상기 제1도전형이고 상기 EEPROM 셀의 드레인 영역을 형성하는 높게 도핑된 제4표면-인접 반도체층과, 상기 제3 및 제4층을 통해 확장하나 부분적으로는 상기 제2층을 통해서는 확장하지 못하는 트랜치와, 상기 트랜지치의 측벽 부분에 인접한 상기 제3층의 일부에 위치되고 상기 제2영역에서의 상기 제4영역으로 확장하는 채널 영역과, 상기 트랜치의 측벽과 밑바닥을 커버하는 게이트 유전체와, 상기 게이트 유전체상에 있으며 상기 트랜치의 상기 측벽 및 밑바닥에 인접하여 확장되는 플로팅 게이트 및, 상기 플로팅 게이트의 적어도 내부 측벽과 밑바닥을 커버하는 상호 게이트 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
  9. 제1항에 있어서, 이러한 셀의 어레이로 형성되며, 상기 셀의 상기 표면-인접 드레인 영역이 적어도 하나의 인접한 셀의 측벽과 접촉하도록 축방향으로 확장되며, 상기 인접한 셀의 드레인 영역을 형성하고 상기 셀과 상기 인접한 셀간의 상호 접속을 형성하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004050A (ko) * 2017-07-03 2019-01-11 (주)엘지하우시스 자동차 내장재용 열가소성 수지 조성물 및 자동차 내장재용 성형품

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081449A (en) * 1987-05-12 2000-06-27 Altera Corporation High-density nonvolatile memory cell
JPH0613627A (ja) * 1991-10-08 1994-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5196722A (en) * 1992-03-12 1993-03-23 International Business Machines Corporation Shadow ram cell having a shallow trench eeprom
US5229312A (en) * 1992-04-13 1993-07-20 North American Philips Corp. Nonvolatile trench memory device and self-aligned method for making such a device
JP2889061B2 (ja) * 1992-09-25 1999-05-10 ローム株式会社 半導体記憶装置およびその製法
US5386132A (en) * 1992-11-02 1995-01-31 Wong; Chun C. D. Multimedia storage system with highly compact memory device
JPH06318680A (ja) * 1993-05-10 1994-11-15 Nec Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US6201277B1 (en) * 1993-08-31 2001-03-13 Texas Instruments Incorporated Slot trench isolation for flash EPROM
US5506431A (en) * 1994-05-16 1996-04-09 Thomas; Mammen Double poly trenched channel accelerated tunneling electron (DPT-CATE) cell, for memory applications
US5606521A (en) * 1995-06-28 1997-02-25 Philips Electronics North America Corp. Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness
JP3403877B2 (ja) * 1995-10-25 2003-05-06 三菱電機株式会社 半導体記憶装置とその製造方法
US6362504B1 (en) * 1995-11-22 2002-03-26 Philips Electronics North America Corporation Contoured nonvolatile memory cell
US5998263A (en) * 1996-05-16 1999-12-07 Altera Corporation High-density nonvolatile memory cell
US5751038A (en) * 1996-11-26 1998-05-12 Philips Electronics North America Corporation Electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM) having multiple overlapping metallization layers
US5780341A (en) * 1996-12-06 1998-07-14 Halo Lsi Design & Device Technology, Inc. Low voltage EEPROM/NVRAM transistors and making method
JP2964969B2 (ja) * 1996-12-20 1999-10-18 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR100218260B1 (ko) * 1997-01-14 1999-09-01 김덕중 트랜치 게이트형 모스트랜지스터의 제조방법
US5929477A (en) * 1997-01-22 1999-07-27 International Business Machines Corporation Self-aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4F-square memory cell array
US5990509A (en) * 1997-01-22 1999-11-23 International Business Machines Corporation 2F-square memory cell for gigabit memory applications
US5874760A (en) * 1997-01-22 1999-02-23 International Business Machines Corporation 4F-square memory cell having vertical floating-gate transistors with self-aligned shallow trench isolation
US6034389A (en) * 1997-01-22 2000-03-07 International Business Machines Corporation Self-aligned diffused source vertical transistors with deep trench capacitors in a 4F-square memory cell array
US6717179B1 (en) 1997-08-19 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor display device
US6667494B1 (en) 1997-08-19 2003-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor display device
JPH11143379A (ja) 1997-09-03 1999-05-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置補正システムおよび半導体表示装置の補正方法
US6124608A (en) * 1997-12-18 2000-09-26 Advanced Micro Devices, Inc. Non-volatile trench semiconductor device having a shallow drain region
US6087222A (en) * 1998-03-05 2000-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of manufacture of vertical split gate flash memory device
US6147378A (en) * 1998-03-30 2000-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Fully recessed semiconductor device and method for low power applications with single wrap around buried drain region
US6147377A (en) * 1998-03-30 2000-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Fully recessed semiconductor device
US6614074B2 (en) 1998-06-05 2003-09-02 International Business Machines Corporation Grooved planar DRAM transfer device using buried pocket
US6137128A (en) * 1998-06-09 2000-10-24 International Business Machines Corporation Self-isolated and self-aligned 4F-square vertical fet-trench dram cells
JP3303789B2 (ja) * 1998-09-01 2002-07-22 日本電気株式会社 フラッシュメモリ、その書き込み・消去方法
TW518650B (en) 1999-04-15 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and electronic equipment
TW442972B (en) * 1999-10-01 2001-06-23 Anpec Electronics Corp Fabricating method of trench-type gate power metal oxide semiconductor field effect transistor
US6800899B2 (en) * 2001-08-30 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Vertical transistors, electrical devices containing a vertical transistor, and computer systems containing a vertical transistor
US6486028B1 (en) * 2001-11-20 2002-11-26 Macronix International Co., Ltd. Method of fabricating a nitride read-only-memory cell vertical structure
US6661053B2 (en) * 2001-12-18 2003-12-09 Infineon Technologies Ag Memory cell with trench transistor
US20040004863A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-08 Chih-Hsin Wang Nonvolatile electrically alterable memory device and array made thereby
US6873003B2 (en) * 2003-03-06 2005-03-29 Infineon Technologies Aktiengesellschaft Nonvolatile memory cell
US7115942B2 (en) * 2004-07-01 2006-10-03 Chih-Hsin Wang Method and apparatus for nonvolatile memory
US7613041B2 (en) * 2003-06-06 2009-11-03 Chih-Hsin Wang Methods for operating semiconductor device and semiconductor memory device
US6958513B2 (en) * 2003-06-06 2005-10-25 Chih-Hsin Wang Floating-gate memory cell having trench structure with ballistic-charge injector, and the array of memory cells
US7550800B2 (en) 2003-06-06 2009-06-23 Chih-Hsin Wang Method and apparatus transporting charges in semiconductor device and semiconductor memory device
US7297634B2 (en) * 2003-06-06 2007-11-20 Marvell World Trade Ltd. Method and apparatus for semiconductor device and semiconductor memory device
US7759719B2 (en) * 2004-07-01 2010-07-20 Chih-Hsin Wang Electrically alterable memory cell
US7095075B2 (en) * 2003-07-01 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance
US6977412B2 (en) * 2003-09-05 2005-12-20 Micron Technology, Inc. Trench corner effect bidirectional flash memory cell
US7148538B2 (en) 2003-12-17 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Vertical NAND flash memory array
US20080203464A1 (en) * 2004-07-01 2008-08-28 Chih-Hsin Wang Electrically alterable non-volatile memory and array
CN100373625C (zh) * 2004-12-03 2008-03-05 马维尔世界贸易股份有限公司 可擦除与可编程的只读存储器元件和制造及操作方法
KR100654341B1 (ko) * 2004-12-08 2006-12-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US7312490B2 (en) * 2005-03-31 2007-12-25 Intel Corporation Vertical memory device and method
US7411244B2 (en) * 2005-06-28 2008-08-12 Chih-Hsin Wang Low power electrically alterable nonvolatile memory cells and arrays
US7342272B2 (en) 2005-08-31 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Flash memory with recessed floating gate
KR100707217B1 (ko) 2006-05-26 2007-04-13 삼성전자주식회사 리세스-타입 제어 게이트 전극을 구비하는 반도체 메모리소자 및 그 제조 방법
KR20080035211A (ko) 2006-10-18 2008-04-23 삼성전자주식회사 리세스-타입 제어 게이트 전극을 구비하는 반도체 메모리소자
US8072023B1 (en) 2007-11-12 2011-12-06 Marvell International Ltd. Isolation for non-volatile memory cell array
US8120088B1 (en) 2007-12-07 2012-02-21 Marvell International Ltd. Non-volatile memory cell and array
FR2953643B1 (fr) * 2009-12-08 2012-07-27 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
US10103226B2 (en) * 2012-04-30 2018-10-16 International Business Machines Corporation Method of fabricating tunnel transistors with abrupt junctions
US9105667B2 (en) * 2013-03-14 2015-08-11 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor device having polysilicon mask layer
US9293533B2 (en) 2014-06-20 2016-03-22 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor switching devices with different local transconductance
US9231049B1 (en) * 2014-06-20 2016-01-05 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor switching device with different local cell geometry
US9349795B2 (en) * 2014-06-20 2016-05-24 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor switching device with different local threshold voltage
CN106486529A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 联华电子股份有限公司 存储器元件及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE33261E (en) * 1984-07-03 1990-07-10 Texas Instruments, Incorporated Trench capacitor for high density dynamic RAM
JPS6276563A (ja) * 1985-09-28 1987-04-08 Nippon Denso Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US4796228A (en) * 1986-06-02 1989-01-03 Texas Instruments Incorporated Erasable electrically programmable read only memory cell using trench edge tunnelling
JPH01227477A (ja) * 1988-03-08 1989-09-11 Sony Corp 不揮発性メモリ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004050A (ko) * 2017-07-03 2019-01-11 (주)엘지하우시스 자동차 내장재용 열가소성 수지 조성물 및 자동차 내장재용 성형품

Also Published As

Publication number Publication date
DE69116099T2 (de) 1996-08-08
EP0485018A3 (en) 1993-05-12
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JP3255666B2 (ja) 2002-02-12
JPH04267374A (ja) 1992-09-22
EP0485018A2 (en) 1992-05-13
DE69116099D1 (de) 1996-02-15

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