KR910010640A - 연속처리 에칭방법 및 그 장치 - Google Patents

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오사무 마쓰모도
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가즈오 사사다
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Abstract

내용 없음

Description

연속처리 에칭방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실시하는 장치의 일예를 도시한 구성도.
제2도는 제1도의 다른 구성도.

Claims (10)

  1. 에칭을 할 박막의 상층에 다층의 레지스트막을 형성하고, 최상층의 레지스트를 광, 레이저, X선 혹은 전자선 묘화에 의하여 패터닝한 피처리물을 제1처리 유니트에 반송하여 방전을 행하기 위한 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시켜, 다층레지스트를 드라이 에칭 가공하여 그후 진공내에서 반송하여 제2처리 유니트에서 피에칭박막을 소정의 깊이까지 드라이 에칭하여 다음에 제3처리 유니트까지 진공반송을 행하고, 마스크 패턴의 레지스트의 제거와 소정의 플라즈마 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭방법.
  2. 제1항에 있어서, 피에칭박막이 복수의 층으로 형성되어 있고, 각각이 플루오르계의 가스 혹은 염소계의 가스가 아니면 에칭 할 수 없는 막의 경우에 각 에칭을 개별의 유니트로 행하도록 한 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭방법.
  3. 제1항에 있어서, 제3처리 유니트로 레지스트 제거를 행할때에 가열처리를 동시에 행하고, 이어서 보호 피막을 형성하는 플라즈마 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 연속 처리 에칭방법.
  4. 제3항에 있어서, 보호피막 생성을 위한 반응가스를 하이드로카아본계로 한 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭방법.
  5. 게이트 밸브를 통하여 로드, 언로드 유니트가 기밀하게 설치된 진공반송실에 레지스트 에칭 유니트, 에칭유니트, 후처리 유니트를 게이트밸브를 통하여 기밀하게 설치, 진공반송실 내부에 웨이퍼를 반송하는 반송유니트를 설치한 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭장치.
  6. 제5항에 있어서, 레지스트 에칭유니트, 에칭유니트에 각각 냉각수단을 설치, 후처리 유니트에는 가열 수단을 설치한 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭장치
  7. 제6항에 있어서, 냉각수단으로서 액체질소와 가열히터의 조합한 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭장치.
  8. 제6항에 있어서, 냉각수단으로서 냉동기와 가열히터의 조합을 사용한 것을 특징으로 하는 연속처리 에칭장치.
  9. 복수의 에칭 유니트를 가지는 연속처리 에칭장치.
  10. 제5항에 있어서, 진공 반송실 내부에 웨이퍼의 대기유니트를 설치한 것을 특징으로 하는 연소처리 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2674488B2 (ja) * 1993-12-01 1997-11-12 日本電気株式会社 ドライエッチング室のクリーニング方法
JP2655474B2 (ja) * 1993-12-17 1997-09-17 日本電気株式会社 電子線直接描画方法及びその装置
JPH07221075A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Fujitsu Ltd アッシング処理方法
TW295677B (ko) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5950106A (en) * 1996-05-14 1999-09-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method of patterning a metal substrate using spin-on glass as a hard mask
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
EP1082755A1 (en) * 1998-05-18 2001-03-14 Applied Materials, Inc. A wafer buffer station and a method for a per-wafer transfer between work stations
TW379447B (en) * 1998-09-22 2000-01-11 United Silicon Inc Method of manufacturing DRAM cylindrical capacitor
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6246706B1 (en) 1999-05-27 2001-06-12 Spectra Physics Lasers, Inc. Laser writing method and apparatus
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
WO2003038153A1 (en) * 2001-10-31 2003-05-08 Nagraj Kulkarni Process for low temperature, dry etching, and dry planarization of copper
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
CA3116787C (en) 2010-06-16 2023-07-11 Mueller International, Llc Infrastructure monitoring devices, systems, and methods
CN102569011A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片处理系统和晶片处理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390595A (en) * 1979-10-25 1983-06-28 Hughes Aircraft Company Environmentally protected IR windows
JPH0666298B2 (ja) * 1983-02-03 1994-08-24 日電アネルバ株式会社 ドライエッチング装置
JPS59186326A (ja) * 1983-04-06 1984-10-23 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
JPS6362233A (ja) * 1986-09-03 1988-03-18 Mitsubishi Electric Corp 反応性イオンエツチング装置
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置
DD267515A1 (de) * 1987-10-15 1989-05-03 Ardenne Forschungsinst Einrichtung zur bearbeitung von substraten im vakuum in mehreren prozessstationen
WO1989007285A1 (en) * 1988-01-29 1989-08-10 Massachusetts Institute Of Technology Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes
KR920004176B1 (ko) * 1988-03-16 1992-05-30 후지쓰 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 형성 공정

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JP2926798B2 (ja) 1999-07-28
JPH03161929A (ja) 1991-07-11

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