KR101167355B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 표면에 형성된 기판에 대하여 실행되는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정에 있어서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정에 있어서, 상기 기판을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 기판에 대하여 예컨대 플라즈마 처리를 실행하는 것에 의해 해당 기판상에 생성되는, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 불소계의 유기물의 혼합물 또는 적층체를 효과적으로 제거하는 기술에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조공정 중, 플라즈마를 이용하여 기판의 에칭을 실행하는 처리가 있다. 이 처리 시에, 에칭 가스가 피에칭층이나 기초층과 반응하여, 기판상에 복합 생성물이 생성하고, 그것이 기판 표면에 잔류하는 경우가 있다.
예컨대, MOS 트랜지스터의 소스 혹은 드레인 영역에 전극을 접속하기 위한 콘택트 홀은, 실리콘 기판상의 산화 실리콘층에 있어서, CF계의 에칭 가스와 산소 가스를 이용한 에칭에 의해서 형성된다.
도 16은, 콘택트 홀(208)의 저면에 복합 생성물(208a)이 생성된 상태를 모식적으로 나타낸 도이다. 복합 생성물(208a)의 성분도 함께 표시되어 있다. 기판(200)의 실리콘층(201) 상에 형성된 산화 실리콘막(202)이 CF계의 에칭 가스 및 산소 가스를 이용하여 에칭 되면, 콘택트 홀(208)의 하면에, 탄소 및 불소를 포함하는 CF 폴리머(205)와 산화 실리콘층(204)으로 이루어지는 복합 생성물(208a) 및 어모퍼스 실리콘층(203)이 위로부터 순서대로 생성된다. 이것은, 다음 프로세스에 의해 형성된다고 생각된다.
산화 실리콘막(202)이 에칭 되어, 표면에 실리콘층(201)이 노출하면, 도 17b에 도시하는 바와 같이 플라즈마의 에너지에 의해 실리콘층(201)의 표층이 변질되고, 어모퍼스 실리콘층(203)이 된다. 또한, 이 어모퍼스 실리콘층(203)의 상층이, 산소 가스의 플라즈마에 의해 산화 되어, 산화 실리콘층(204)이 생성된다(도 17c). 그 후, 이 산화 실리콘층(204)의 상층에, 탄소 및 불소를 포함하는 CF 폴리머(205)가 퇴적되어, 복합 생성물(208a)이 형성된다(도 17d). 이 복합 생성물(208a)은, 콘택트 저항을 증대시켜, 양품률을 저하시키는 요인이 된다. 따라서 이 복합 생성물(208a)은, 제거할 필요가 있다.
CF계의 에칭 가스를 이용하여 에칭이 실행된 후에는, CF계의 잔사물을 제거하기 위해서, 산소 플라즈마에 의한 애싱 처리가 실행되는 것이, 종래부터 알려져 있다. 그러나 상기 기판(200)에 있어서는, 산소 플라즈마를 이용하면, 실리콘층(201)의 산화가 더욱 진행해버리기 때문에, 산소 플라즈마를 이용할 수는 없다.
또한, 여러가지 실험을 실행한 결과, 복합 생성물(208a)은, 도 17d에 개략적으로 나타내는 바와 같은 단순한 적층체가 아닌 것을 알 수 있었다. 즉 산화 실리콘층(204)내는, 도 18a에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘(207)과 CF계 화합물(206)의 혼합물로 되거나, 도 18b에 도시하는 바와 같이 실리콘, 산소, 탄소 및 불소 등이 화학적으로 결합한 화합물로 되어 있어서, 매우 안정된 상태인 것을 알 수 있었다. 이 때문에 에칭 후에 일반적으로 실행되는 유기용제나 산용액 등에 의한 세정 프로세스에 의해서는, 복합 생성물(208a)을 충분히 제거할 수가 없다. 특히, 반도체 디바이스의 디자인 룰의 축소화나 어스펙트비의 증대화가 진행되면, 세정액이 홀이나 트렌치내에 충분히 널리 퍼지지 않기 때문에, 이 점에서도 충분한 세정을 기대할 수 없다.
복합 생성물(208a)은, 유기물 및 무기물의 복합물이므로，무기물을 제거하려고 하면 유기물을 제거할 수 없고, 또한, 유기물을 제거하려고 하면 무기물을 제거할 수 없다. 즉, 복합 생성물(208a)은, 극히 번거로운 잔사물이라고 말할 수 있다. 이 때문에，이러한 잔사물을 디바이스로부터 제거하는 수법을 개발하는 것이 급선무이다.
또한, 어떤 종류의 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 도 19a에 도시하는 바와 같이 실리콘막(209) 상에 산화 실리콘막(210)과 폴리 실리콘막(211)이 교대로 예컨대, 2층씩 적층된 기판(200)에 대하여, 레지스트 막(215)을 거쳐서 에칭을 실행하고, 오목부(220)를 형성하는 것이 검토되어 있다.
이 경우에 있어서, 폴리 실리콘막(211) 및 산화 실리콘막(210)을 에칭하기 위해서는, 각각 할로겐계의 가스의 플라즈마 및 탄소와 불소를 포함하는 가스의 플라즈마가 이용된다. 폴리 실리콘막(211)의 에칭에 있어서는, 할로겐, 실리콘 및 산소를 포함하는 할로겐화 산화 실리콘(213)이, 오목부(220)의 측벽에 퇴적된다. 한편，산화 실리콘막(210)의 에칭에 있어서는, 탄소와 불소를 포함하는 폴리 머(212)가, 오목부(220)의 측벽에 퇴적된다. 이 결과, 도 19b에 도시하는 바와 같이 오목부(220)의 측벽에는, 할로겐화 산화 실리콘(213)과 폴리머(212)가 적층된 적층 생성물(214)이 퇴적해버린다.
이 적층 생성물(214)에 대해서도, 디바이스의 양품률 저하의 요인이 되기 때문에, 제거할 필요가 있다. 그런데, 적층 생성물(214)은 안정된 물질이기 때문에, 확실하게 제거 하는 것이 곤란하다.
일본 특허 공개 평성 제4-83340(특히, 2페이지 오른쪽란 23행～44행, 7페이지 왼쪽란 10행～15행)에는, 알코올의 증기로 기판의 표면을 세정한 후에, HF 증기를 이용하여 기판을 에칭 할 때에 생성되는 파티클의 제거 방법에 대해서 기재되어 있지만, 상기와 같은 무기/유기 복합 생성물에 관한 언급은 없다.
본 발명은, 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이것을 유효하게 해결하고자 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 플라즈마 처리에 의해 기판상에 생성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을 확실하게 제거할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 상기와 같은 복합 생성물이 생성된 처리 용기 또는 처리 용기내의 부재의 세정 방법에 발전적으로 응용하는 것이 가능하다.
본 발명은, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 표면에 형성된 기판에 대하여 실행되는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판을 가열함으로써，아직 제거되어있지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명에 의하면, 자외선 처리 공정과, 불화수소 처리 공정과, 가열 처리 공정의 조합에 의해, 기판의 표면상에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거할 수 있다.
예컨대, 상기 불화수소 처리 공정은, 상기 가열 처리 공정 전에 적어도 1회 실시됨과 함께, 상기 가열 처리 공정 후에도 적어도 1회 실시된다.
또한, 바람직하게는, 상기 가열 처리 공정에서는, 상기 기판이 100℃ 이상으로 가열된다.
혹은, 본 발명은, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 표면에 형성된 기판에 대하여 실행되는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하고, 상기 자외선 처리 공정과 상기 불화수소 처리 공정으로 이루어지는 공정군이, 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명에 의하면，자외선 처리 공정과 불화수소 처리 공정으로 이루어지는 공정군이 복수회 반복되는 것에 의해, 기판의 표면상에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거할 수 있다.
이 경우도, 바람직하게는, 상기 기판을 가열하는 것에 의해 아직 제거되어있지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 또한 구비한다. 그 경우, 바람직하게는, 상기 가열 처리 공정에서는, 상기 기판이 100℃ 이상으로 가열된다.
혹은, 본 발명은, 기판의 표면에 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성되는 처리를 기판에 대하여 실행하는 복합 생성물 형성 공정과, 상기 복합 생성물 형성 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하고, 상기 복합 생성물 형성 공정, 상기 자외선 처리 공정 및 상기 불화수소 처리 공정은, 모두 진공분위기하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명에 의하면，진공분위기 하에서 실행되는 자외선 처리 공정과 불화수소 처리 공정에 의해, 기판의 표면상에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거할 수 있다.
이 경우, 바람직하게는, 상기 복합 생성물 형성 공정, 상기 자외선 처리 공정 및 상기 불화수소 처리 공정은, 동일한 진공분위기하에서, 연속적으로 실행된다.
예컨대, 상기 복합 생성물 형성 공정은, 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층 상에 형성된 산화 실리콘막에 대하여, 소정의 패턴으로 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭함으로써 오목부를 형성하는 공정이다.
혹은, 예컨대, 상기 복합 생성물 형성 공정은, 기판상에 산화 실리콘막과 폴리 실리콘막을 아래서부터 이 순서대로 적층한 적층체에 대하여, 소정의 패턴으로 에칭을 실행하는 것에 의해 오목부를 형성하는 공정으로서, 할로겐을 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 상기 폴리 실리콘막을 에칭하는 공정과, 탄소 및 불소를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 상기 산화 실리콘막을 에칭하는 공정을 포함하고 있다.
혹은, 본 발명은, 처리 용기 내에 있어서, 기판의 표면에 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성되는 처리를 기판에 대해 실행한 후에, 상기 처리 용기내 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재를 세정하는 방법으로서, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면에, 자외선을 조사하고, 상기 처리 용기내 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재에 형성된 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 처리 용기내 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재에 형성된 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 처리 용기의 세정 방법이다.
본 발명에 의하면，자외선 처리 공정과, 불화수소 처리 공정과, 가열 처리 공정의 조합에 의해, 처리 용기의 내면 및/또는 처리 용기내의 구성 부재의 표면에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거하여 세정할 수 있다.
예컨대, 상기 불화수소 처리 공정은, 상기 가열 처리 공정 전에 적어도 1회 실시됨과 함께, 상기 가열 처리 공정 후에도 적어도 1회 실시된다.
또한, 바람직하게는, 상기 가열 처리 공정에서는, 상기 기판이 100℃ 이상으로 가열된다.
혹은, 본 발명은, 처리 용기내에 있어서, 기판의 표면에 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성되는 처리를 기판에 대해 실행한 후에, 상기 처리 용기내 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재를 세정하는 방법으로서, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면에, 자외선을 조사하고, 상기 처리 용기내 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재에 형성된 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 처리 용기내 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재에 형성된 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하여, 상기 자외선 처리 공정과 상기 불화수소 처리 공정으로 이루어지는 공정군이, 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는 세정 방법이다.
본 발명에 의하면，자외선 처리 공정과 불화수소 처리 공정으로 이루어지는 공정군이 복수회 반복되는 것에 의해, 처리 용기의 내면 및/또는 처리 용기내의 구성 부재의 표면에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거하여 세정할 수 있다.
이 경우도, 바람직하게는, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면을 가열하는 것에 의해, 아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 또한 구비한다. 그 경우, 바람직하게는, 상기 가열 처리 공정에서는, 상기 처리 용기의 내면 및/또는 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면이 100℃ 이상으로 가열된다.
또한, 본 발명은, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 표면에 형성된 기판에 대하여 처리를 실행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 모듈과, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 모듈과, 상기 기판을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 모듈과, 자외선 처리 모듈, 불화수소 처리 모듈 및 가열 처리 모듈에 접속되어 있어서, 이것들을 제어할 수 있는 제어부를 구비하고, 제어부는, 자외선 처리 모듈에 의한 처리가 실행된 후에, 불화수소 처리 모듈에 의한 처리와 가열 처리 모듈에 의한 처리가 서로 임의의 순서로 실행되도록 각 모듈을 제어하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명에 의하면，자외선 처리 모듈과, 불화수소 처리 모듈과, 가열 처리 모듈의 조합에 의해, 기판의 표면상에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거할 수 있다.
예컨대, 제어부는, 불화수소 처리 모듈에 의한 처리가, 가열 처리 모듈에 의한 처리 전에 적어도 1회 실시됨과 함께, 해당 가열 처리 모듈에 의한 처리 후에도 적어도 1회 실시되도록, 각 모듈을 제어하게 되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 가열 처리 모듈은, 상기 기판을 100℃ 이상으로 가열하게 되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 가열 처리 모듈은, 상기 자외선 처리 모듈에 가열 수단을 마련하는 것에 의해, 상기 자외선 처리 모듈과 중첩적으로 형성되어 있다.
또한, 본 발명은, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 표면에 형성된 기판에 대하여 처리를 실행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하고, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 모듈과, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 모듈과, 자외선 처리 모듈 및 불화수소 처리 모듈에 접속되어 있어, 이들을 제어할 수 있는 제어부를 구비하고, 제어부는, 자외선 처리 모듈에 의한 처리와 불화수소 처리 모듈에 의한 처리로 이루어지는 처리군이 복수회 반복되도록, 각 모듈을 제어하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명에 의하면，자외선 처리 모듈에 의한 처리와 불화수소 처리 모듈에 의한 처리로 이루어지는 처리군이 복수회 반복되는 것에 의해, 기판의 표면상에 형성된 무기물 및 유기물의 복합 생성물을, 극히 효과적으로 제거할 수 있다.
이 경우도, 바람직하게는, 상기 기판을 가열하는 것에 의해, 아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 모듈을 또한 구비하고, 제어부는, 가열 처리 모듈에도 접속되어 있어, 해당 가열 처리 모듈도 제어할 수 있게 되어 있다. 이 경우, 바람직하게는, 상기 가열 처리 모듈은, 상기 기판을 100℃ 이상으로 가열하게 되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 가열 처리 모듈은, 상기 자외선 처리 모듈에 가열 수단을 마련하는 것에 의해, 상기 자외선 처리 모듈과 중첩적으로 형성되어 있다.
또한, 바람직하게는, 기판의 표면에 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성되는 처리를 기판에 대하여 실행하는 프로세스 모듈이, 또한 마련되어 있다.
또한, 바람직하게는, 기판이 반입되는 챔버와, 해당 챔버 내에 마련된 기판 반송 수단을 가지는 기판 반송 모듈이, 또한 마련되어 있다. 이 경우, 예컨대, 기판 반송 모듈의 챔버 내는 진공분위기이다. 그 경우, 바람직하게는, 기판 반송 모듈, 자외선 처리 모듈 및 불화수소 처리 모듈은, 서로 기밀히 접속된다.
또한, 본 발명은, 기판의 처리를 실행하는 기판 처리 장치에 이용되고, 컴퓨터상에서 동작하는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 중 어느 하나의 특징을 구비한 기판 처리 방법을 실시하도록 스텝이 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
또한, 본 발명은, 기판의 처리를 실행하는 기판 처리 장치에 이용되고, 컴퓨터상에서 동작하는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 어느 하나의 특징을 구비한 세정 방법을 실시하도록 스텝이 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시의 형태의 공정 플로우를 나타내는 설명도이다.
도 2a는 제 1 실시의 형태에 있어서의 에칭전의 기판의 단면도이다.
도 2b는 제 1 실시의 형태에 있어서의 에칭후의 기판의 단면도이다.
도 3a ~ 도 3e는 제 1 실시의 형태에 있어서 각 공정이 실행될 때의 기판의 콘택트 홀의 저면에 있어서의 단면의 개략도이다.
도 4a ~ 도 4c는 제 1 실시의 형태에 있어서 각 공정이 실행될 때의 기판의 단면의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시의 형태의 공정 플로우를 나타내는 설명도이다.
도 6a~ 도 6e는 제 2 실시의 형태에 있어서 각 공정이 실행될 때의 기판의 콘택트 홀의 저면에 있어서의 단면의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시의 형태의 공정 플로우를 나타내는 설명도이다.
도 8a ~ 도 8f는 제 3 실시의 형태에 있어서 각 공정이 실행될 때의 기판의 콘택트 홀의 저면에 있어서의 단면의 개략도이다.
도 9는 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시의 형태를 나타내는 수평단면도이다.
도 10은 본 발명의 플라즈마 처리에 이용되는 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 11은 본 발명의 UV 조사 공정에 이용되는 UV 조사 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 12는 본 발명의 HF 증기 세정 공정에 이용되는 HF 세정 장치의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 13은 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 수평단면도이다.
도 14는 본 발명의 기판 처리 장치의 또한 다른 실시의 형태를 나타내는 수평단면도이다.
도 15a ~ 도 15c는 본 발명의 실시예에 있어서의 기판의 단면의 TEM사진을 나타내는 개략도이다.
도 16은 에칭에 의해 생성되는 복합 생성물의 설명도이다.
도 17의 (a) ~ (d)는, 도 16의 복합 생성물이 생성되는 모양을 설명하는 설명도이다.
도 18a 및 도 18b는 도 16의 복합 생성물내의 조성예를 나타내는 개념도이다.
도 19a 및 도 19b는 에칭에 의해 생성되는 적층 생성물의 설명도이다.
[제 1 실시의 형태]
본 발명의 기판 처리 방법의 실시의 형태로서, 에칭에 의해 콘택트 홀을 형성한 후의 복합 생성물의 제거 프로세스인 제 1 실시의 형태에 대해서 설명한다.
도 1은, 이 제 1 실시의 형태에 있어서, 복합 생성물이 생성되어 제거되기까지의 플로우를 나타내고 있다. 스텝 S11에서는, 표면에 도 2a의 구조를 구비하는 웨이퍼(W)에 대하여, 에칭이 실행된다. 도 2a 및 도 2b에 있어서, 100은 실리콘 기판, 101은 예컨대 절연막인 산화 실리콘막, 102는 레지스트 마스크이다. 또한, 103은 게이트 전극, 104는 게이트 산화막, 105는 불순물 확산층, 106은 소자 분리막이다.
(스텝 S11: 산화 실리콘막(101)의 에칭 공정)
예컨대 후술하는 플라즈마 처리 장치(51)에 있어서, 예컨대 CF4 가스와 O2 가스로 이루어지는 처리 가스가 플라즈마화 되어서, 이 플라즈마에 의해 산화 실리 콘막(101)이 에칭 된다. 이에 의해, 도 2b에 도시하는 바와 같이 오목부인 콘택트 홀(107)이 형성된다. 이 에칭에 의해, 콘택트 홀(107)의 저면(실리콘 기판(100)의 표면부)에, 기술한 바와 같이, 복합 생성물(111)이 생성된다. 이 때, 콘택트 홀(107)의 저면에 노출된 실리콘 기판(100)의 표층은, 기술한 바와 같이, 플라즈마의 에너지에 의해 어모퍼스 실리콘층(108)으로 변질된다. 또한, 그 어모퍼스 실리콘층(108)의 표층이, 산소 가스의 플라즈마에 의해 산화 되어서, 산화 실리콘층(109)이 생성된다.
여기서, 각 처리 공정과 복합 생성물(111)의 상태의 대응 관계를 직감적으로 파악할 수 있게 하기 위해서, 콘택트 홀(107)의 저면의 모양이, 도 3a 내지 도 3e에 모식적으로 표시된다. 산화 실리콘층(109)의 표면에는, 탄소와 불소를 포함하는 폴리머(110)가 생성되어 있다. 이 폴리머(110)는, 실제로는, 기술한 도 18에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)내에, 입자형상 혹은 분자형상의 폴리머가 되어서 들어가, 산화 실리콘(112)과 복잡하게 서로 섞여 있다. 이들 폴리머(110)와 산화 실리콘층(109)이, 복합 생성물(111)을 이루고 있다.
또한, 거시적으로는, 산화 실리콘층(109)상에 폴리머(110)가 적층되어 있지만, 모식도의 설명을 진행하는데 있어서, 산화 실리콘층(109)이 산화 실리콘(112)과 폴리머(110a)로 구성되는 것으로서, 부호를 가려 쓰는 것으로 한다.
(스텝 S12: UV 조사 공정)
다음으로, 웨이퍼(W)에 대하여, 예컨대 파장 172nm의 UV가 소정 시간 조사됨과 동시에, 웨이퍼(W)가 예컨대 200℃가 되도록, 도시하지 않는 할로겐 램프 등의 가열 수단에 의해 웨이퍼(W)가 가열된다.
이 UV 조사에 의해, 예컨대 탄소와 불소의 결합이나 탄소간에 있어서의 결합이 끊어져, 도 4a에 도시하는 바와 같이 폴리머(110)가 예컨대 가스화 되어 제거된다. 그리고, 폴리머(110)가 제거되는 것에 의해 표면에 노출된 산화 실리콘층(109)에 대해서도, UV가 조사되어, 산화 실리콘층(109)의 표면의 폴리머(110a)가 제거된다. 또한, 웨이퍼(W)의 가열에 의해, 이 공정에 있어서의 폴리머(110) 및 폴리머(110a)의 제거가 촉진된다.
이 결과, 산화 실리콘층(109)내의 산화 실리콘(112)이 노출되어, 도(3b)에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)의 표면에 있어서의 산화 실리콘(112)의 비율이 증가한다. 또한，산화 실리콘층(109)의 상층의 폴리머(110)는, 기술한 도 3a에 나타낸 바와 같이, 산화 실리콘층(109)내의 폴리머(110a)에 비해 두꺼운 막이다. 그러나, 폴리머(110)는, 상술한 바와 같이 UV의 조사와 함께 웨이퍼(W)가 가열됨으로써, 조속히 제거된다.
(스텝 S13: HF 증기 세정 공정)
다음으로, 웨이퍼(W)에 대하여 HF(불화수소)의 증기가, 예컨대 600초간 공급된다. 웨이퍼(W)가 이 HF 증기에 노출되면, 도 4b에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면의 산화 실리콘(112)이 HF 증기에 용해되어, 웨이퍼(W)로부터 HF 증기와 함께 제거된다. 이 결과, 산화 실리콘층(109)내의 폴리머(110a)가 노출되어서, 도 3c에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)의 표면에 있어서의 폴리머(110a)의 비율이 증가한다.
또한, HF 증기에 의해 산화 실리콘막(101)의 표면(콘택트 홀(107)의 상면 및 측벽)도 에칭 되지만, 그 양은 매우 적기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
(스텝 S14:가열 공정)
다음으로, 웨이퍼(W)가 예컨대 300℃로 가열된다.
이 가열에 의해, 도 4c에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)내에 분산되어 있었던 폴리머(110a), 또는, 산화 실리콘층(109)내의 산화 실리콘(112)과 결합하고 있었던 폴리머(110a)는, 결합력이 약한 부분의 결합이 끊어져 유리하고, 가스화 된다. 이 가스는, 예컨대 폴리머(110a)와 산화 실리콘(112)의 사이의 간격 등을 지나, 웨이퍼(W)의 표면으로 확산되어, 웨이퍼(W)에서 제거된다.
이 결과, 폴리머(110a)는, 결합력이 강한 부분만이 주로 산화 실리콘층(109)내에 남아, 도 3d에 도시하는 바와 같이 부피가 수축된다. 이 폴리머(110a)의 수축에 의해, 폴리머(110a)와 산화 실리콘(112)의 간격이 넓어져서, 상술한 가스가 웨이퍼(W)의 표면으로 빠져 나오기 쉬워진다. 이 때문에，폴리머(110a)의 수축이 조속히 진행되어, 그 수축이 또한 가속된다.
(스텝 S15:HF 증기 세정 공정)
다음으로, 재차 웨이퍼(W)에 대하여, HF의 증기가 예컨대 600초간 공급된다. 스텝 S14의 가열 공정에 의해, 폴리머(110a)와 산화 실리콘(112)의 간격이 넓어져 있기 때문에, HF 증기는 그 간격으로부터 산화 실리콘층(109)의 내부까지 확산할 수 있다. 이에 의해, 산화 실리콘층(109)내의 산화 실리콘(112)이 거의 제거된다. 이 때, 산화 실리콘층(109)내에 폴리머(110a)가 약간 남아 있어도, 폴리머(110a)의 주위의 산화 실리콘(112)이 거의 없어지므로, 폴리머(110a)를 물리적으로 보지하는 힘이 약해진다. 이 때문에，폴리머(110a)는, 산화 실리콘층(109)으로부터 탈락 혹은 유리된다. 그에 따라, 폴리머(110a)에 약간 부착되어 있었던 산화 실리콘(112)도 탈락 혹은 유리된다. 결과적으로, 도 3e에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)이 제거된다. 그 후, 웨이퍼(W)의 세정 등의 공정을 거쳐, 콘택트 홀(107)에 전극이 매설된다.
상술한 제 1 실시의 형태에 의하면，폴리머(110)와 산화 실리콘층(109)으로 이루어지는 복합 생성물(111)에 대하여, 우선 UV 조사하고, 계속해서 HF 증기에 의한 세정을 행함으로써，폴리머(110) 및 산화 실리콘층(109)을 어느 정도 제거하고, 그 후 웨이퍼(W)를 가열해서 잔존하는 폴리머(110a)를 가스화하여 수축시키고 있다. 그리고, 이 상태에서 재차 HF 증기에 의한 세정을 실행하고 있기 때문에, HF 증기가 산화 실리콘층(109)의 내부까지 침투하기 쉬워, 그 때문에 상술한 바와 같이 산화 실리콘(112)와 폴리머(110a)도 제거되어, 결과적으로 산화 실리콘층(109)이 쉽게 제거된다. 따라서, 그 후에 콘택트 홀(107)에 전극이 매설될 때에, 콘택트 저항의 증대를 억제할 수 있고, 양품률의 향상을 도모할 수 있다.
상술한 일련의 공정을 실행함으로써 복합 생성물(111)은 충분히 제거되지만, 후술한 실시의 형태에서도 명확한 바와 같이, 이들 공정 후에 또한 가열 공정을 실행하고, 계속해서 HF 세정을 실행하도록 해도 좋다.
또한, UV 조사 공정(스텝 S12)과 HF 증기 세정 공정(스텝 S13)을 복수회 되풀이하도록 해도 좋다.
그리고 또한, UV 조사 공정 후, 스텝(13)의 HF 증기 세정 공정을 실행하지 않고 가열 공정을 실행해도 좋다. 이 경우에 있어서도, 가열에 의해 폴리머(110a)가 수축하기 때문에, 계속되는 HF 증기 세정 공정(스텝 S15)을 효과적으로 실행할 수 있다는 이점이 있다.
또한 UV 조사 공정을 복수회 실행할 경우에는, 1회째의 UV 조사 공정에 있어서 두꺼운 막인 폴리머(110)가 이미 제거되어 있으므로, 2회째 이후의 UV 조사 공정에서는 웨이퍼(W)의 가열을 실행하지 않아도 좋다.
[제 2 실시의 형태]
다음으로, 본 발명의 기판 처리 방법의 제 2 실시의 형태에 대해서 설명한다.
본 실시의 형태에서는, 표면에 도 2a의 구조를 구비하는 웨이퍼(W)에 대하여, 이하의 공정이 실행된다. 본 실시의 형태에 있어서의 공정의 흐름도를 도 5에 나타내고, 각 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 콘택트 홀(107)의 저면에 있어서의 단면의 모식도를 도 6에 나타낸다.
(스텝 S51: 산화 실리콘막(101)의 에칭 공정)
상술한 스텝 S11과 같이, 에칭이 실행된다. 이에 의해, 콘택트 홀(107)의 저면에, 복합 생성물(111)이 생성된다.
(스텝 S52: UV 조사 공정)
상술한 스텝 S12와 같이, 웨이퍼(W)에 대하여 UV가 조사됨과 동시에, 웨이퍼(W)가 가열된다. 그 결과, 도 6b에 도시하는 바와 같이 폴리머(110)와 산화 실 리콘층(109)의 표층에 노출된 폴리머(110a)가 제거되어, 산화 실리콘층(109)의 표면에 있어서의 산화 실리콘(112)의 비율이 증가한다.
(스텝 S53: HF 증기 세정 공정)
상술한 스텝 S13과 같이, 웨이퍼(W)에 대하여 HF 증기를 공급함으로써，산화 실리콘층(109)의 표면에 노출된 산화 실리콘(112)이 제거된다. 그 결과, 도 6c에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)의 표면에 있어서의 폴리머(110a)의 비율이 증가한다.
(스텝 S54: 반복 공정)
상술한 스텝 S52와 스텝 S53이, 미리 설정된 반복 횟수만큼 반복 실행된다. 본 실시의 형태에서는, 기술한 스텝 S14에 상당하는 가열 공정은 실행되지 않지만, 도 6d 및 도 6e에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘(112)과 폴리머(110a)가 순차적으로 제거되어, 복합 생성물(111)을 쉽게 제거할 수 있어, 콘택트 저항의 증대를 억제할 수 있다. 또한，본 실시의 형태에 있어서도, 2회째 이후에 있어서의 UV 조사 공정에서는 웨이퍼(W)의 가열을 실행하지 않아도 좋다.
[제 3 실시의 형태]
다음으로, 본 발명의 기판 처리 방법의 제 3 실시의 형태에 대해서 설명한다.
도 7은, 본 실시의 형태에 있어서의 공정 플로우를 도시하는 도이다. 도 8a는, 실리콘 기판(120) 상에, 산화 실리콘막(121), 폴리 실리콘막(122), 산화 실리콘막(123) 및 폴리 실리콘막(124)이, 아래로부터 이 순서대로 적층된 웨이퍼(W)를 나타내고 있다. 이 웨이퍼(W)에 대하여, 이하의 공정이 실행된다.
본 실시의 형태에서는, 이하의 각 스텝은, 모두 진공분위기하에서 실행된다. 또한, 각 스텝 간(웨이퍼(W)의 반송중)에 있어서도, 웨이퍼(W)는 진공분위기에 놓여져, 대기에는 노출되지 않게 되어 있다.
(스텝 S71: 폴리 실리콘막(124)의 에칭 공정)
기술한 스텝 S11과 대략 동일하게, 할로겐계 가스를 포함하는 가스 예컨대, HBr(취화수소) 가스가 플라즈마화 되어, 도 8b에 도시하는 바와 같이 폴리 실리콘막(124)이 에칭 되고, 오목부(125)가 형성된다. 이 에칭에 의해, 오목부(125)의 측벽에는, 산화 실리콘 내에 취소가 확산된 무기계의 생성물인 할로겐화 산화 실리콘(126)이 생성된다.
(스텝 S72: 산화 실리콘막(123)의 에칭 공정)
다음으로, 상술한 스텝 S71과 대략 동일하게 하여, 탄소와 불소를 포함하는 가스 예컨대 CF4 가스가 플라즈마화 되어, 도 8c에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘막(123)이 에칭 된다. 이 에칭에 의해, 오목부(125)의 측벽에는, 상술한 할로겐화 산화 실리콘(126)의 외측에, 탄소와 불소를 포함하는 유기계의 생성물인 폴리머(127)가 생성된다.
(스텝 S73: 폴리 실리콘막(122)의 에칭 공정)
상술한 스텝 S71과 동일하게, 도 8d에 도시하는 바와 같이 폴리 실리콘막(122)이 에칭 된다. 이 에칭에 의해, 오목부(125)의 측벽에는, 재차 할로겐화 산화 실리콘(126)이 생성된다.
(스텝 S74: 산화 실리콘막(121)의 에칭 공정)
상술한 스텝 S72와 동일하게 하여, 도 8e에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘막(121)이 에칭된다. 이 에칭에 의해, 오목부(125)의 측벽에는, 재차 폴리머(127)가 생성된다.
이렇게 하여, 오목부(125)의 측벽에는, 할로겐화 산화 실리콘(126)과 폴리머(127)의 적층체인 적층 생성물(128)이 생성된다.
(스텝 S75: UV 조사 공정)
다음으로, 웨이퍼(W)에 대하여, 제 2 실시의 형태의 스텝 S52의 UV 조사 공정과 같은 처리가 실행되어, 오목부(125)의 표면의 폴리머(127)가 제거된다. 또한，이 공정에 있어서는, 웨이퍼(W)의 가열을 실행하지 않아도 좋다.
(스텝 S76: HF 증기 세정 공정)
계속해서, 제 2 실시의 형태에 있어서의 스텝 S53과 동일하게, 웨이퍼(W)에 HF 증기를 공급함으로써，오목부(125)의 표면의 할로겐화 산화 실리콘(126)이 제거된다.
(스텝 S77: 반복 공정)
그리고, 제 2 실시의 형태에 있어서의 스텝 S54와 동일하게, 스텝 S75와 스텝 S76이 미리 설정된 반복 횟수 만큼 반복 실행된다. 이 결과, 도 8F에 도시하는 바와 같이 오목부(125)의 측벽에 생성된 적층 생성물(128)이 제거된다. 또한，본 실시의 형태에 있어서는, 스텝 S75와 스텝 S76의 반복 횟수는, 2회로 하고 있다. 그 후, 웨이퍼(W)의 세정 등의 공정을 거쳐, 오목부(125)에 전극 혹은 금속 배선이 매설된다.
상술한 제 3 실시의 형태에 의하면, 할로겐화 산화 실리콘(126)과 폴리머(127)가 교대로 다층화 된 복합 생성물인 적층 생성물(128)의 제거 처리를 실행하는데 있어서，웨이퍼(W)가 대기분위기에 노출되지 않도록, 웨이퍼(W)의 반송이나 각 처리가 진공분위기에서 실행된다. 이 때문에，할로겐화 산화 실리콘(126)의 산화가 진행되어 안정적인 물질이 되기 전에, 그 제거 처리를 실행할 수 있다. 또한, 할로겐의 흡습에 의해 오목부(125)에 매설되는 금속막이 산화되는 것 등을 막을 수 있다. 또한, UV 조사 공정과 HF 증기의 세정 공정이 반복 실행되는 것에 의해, 간편하게 확실히 적층 생성물(128)을 제거할 수 있다. 이 경우 UV 조사 공정과 HF 증기의 세정 공정의 반복 횟수는, 피 에칭 부분인 산화 실리콘막(121)(123) 및 폴리 실리콘막(122)(124)의 적층수에 따라 결정하면 좋다. 상기 적층수가 한층인 경우에는, 각 공정을 반복하지 않아도 좋다.
상술한 각 실시의 형태에 의하면, 각각 기술한 효과를 얻을 수 있다. 공통의 이점으로서는, 복합 생성물(111) 및 적층 생성물(128)을 제거하기 위해서, 유기용제나 산용액 등의 액체가 아니라, UV 및 HF의 증기를 이용하고 있음으로써, 콘택트 홀(107)(125)의 개구경이 작을 경우라도, 콘택트 홀(107)(125)내에 UV 및 HF의 증기가 들어갈 수 있으므로, 복합 생성물(111) 및 적층 생성물(128)을 신속히 제거할 수 있다는 점을 들 수 있다. 또한, 산소 가스의 플라즈마를 사용하고 있지 않으므로, 실리콘 기판(100)(120)의 산화를 억제할 수 있고, 또한, 저유전율막으로써 최근 주목받고 있는 실리콘, 탄소, 불소 및 수소를 포함하는 SiOCH막이 포함되어 있을 경우라도, 이 SiOCH막이 산소에 의해 애싱 된다고 하는 불편이 없다.
또한, 적층 생성물(128)의 제거 공정으로서, 제 1 실시의 형태의 수법을 적용하는 것도 물론 가능하다.
[장치구성]
다음으로, 상술한 본 발명에 있어서의 기판 처리 방법을 실시하기 위한 기판 처리 장치의 일례에 대해서, 도 9를 참조하여 간단히 설명한다.
도 9에 나타낸 기판 처리 장치(11)는, 기술한 기판 처리를 실행하기 위한 멀티 챔버 시스템이며, 캐리어실(12a～12c), 로더 모듈인 제 1 반송실(13), 로드록실(14, 15) 및 기판 반송 모듈인 제 2 반송실(16)을 구비하고 있다. 제 2 반송실(16)에는, 프로세스 모듈인 플라즈마 처리 장치(51～54), UV 처리 모듈 및 가열 모듈인 UV 조사 장치(55) 및 불화수소 모듈인 HF 세정 장치(56)가 기밀히 접속되어 있다. 또한, 제 1 반송실(13)의 측면에는, 얼라이먼트실(19)이 마련되어 있다. 로드록실(14, 15)에는, 도시하지 않는 진공 펌프와 리크밸브가 마련되어 있고, 대기분위기와 진공분위기가 전환되도록 구성되어 있다. 즉 제 1 반송실(13) 및 제 2 반송실(16)의 분위기가, 각각, 대기분위기 및 진공분위기로 유지될 수 있다. 이 때문에，로드록실(14, 15)은, 각각의 반송실 간에 있어서, 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 웨이퍼(W)가 노출되는 분위기를 조정할 수 있다.
제 1 반송실(13) 및 제 2 반송실(16)에는, 각각, 제 1 반송 수단(17) 및 제 2 반송 수단(18)이 마련되어 있다. 제 1 반송 수단(17)은, 캐리어실(12a～12c)과 로드록실(14, 15)의 사이 및 제 1 반송실(13)과 얼라인먼트실(19)의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 실행하기 위한 반송 아암이다. 제 2 반송 수단(18)은, 로드록실(14, 15)과 플라즈마 처리 장치(51～54), UV 조사 장치(55) 및 HF 세정 장치(56)의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 실행하기 위한 반송 아암이다.
플라즈마 처리 장치(51)(52～54)로서는, 예컨대, 공지된 평행 평판형 플라즈마 처리 장치를 이용할 수 있다. 그 구성 예를, 도 10에 나타낸다. 이 플라즈마 처리 장치(51)는, 내부를 진공으로 보지 가능한 처리 용기(21)를 구비하고 있다. 처리 용기(21)내에 있어서, 해당 처리 용기(21)내의 저면중앙에 배치된 하부 전극을 이루는 탑재대(3)와, 해당 처리 용기(21)의 상면부에 마련된 가스 샤워헤드를 이루는 상부 전극(4)이 서로 대향하고 있다. 또한, 처리 가스 도입관(41)으로부터 상부 전극(4)을 거쳐서 처리 용기(21)내에 처리 가스가 도입되게 되어 있어, 탑재대(3)와 상부 전극(4)의 사이에 고주파 전원(31)으로부터의 고주파 전압이 인가되는 것에 의해, 처리 가스가 플라즈마화 되게 되어 있다. 또한, 바이어스 전원(32)으로부터의 고주파전압을 인가해서 플라즈마중의 이온을 웨이퍼(W)에 인입하는 것에 의해, 탑재대(3)에 정전 흡착된 웨이퍼(W)에 대하여, 에칭이 실행되도록 구성되어 있다. 또한，도 10 중에 있어서, 24는 배기관, 23은 진공 펌프, 25는 웨이퍼의 반송구, G는 게이트이다.
이러한 플라즈마 처리 장치(51)에 있어서, 웨이퍼(W)가 제 2 반송 수단(18)에 의해 반송구(25)로부터 반입되어서 탑재대(3)에 탑재되면, 진공 펌프(23)에 의해 배기관(24)을 거쳐서 처리 용기(21)내가 진공배기된다. 그 후, 처리 가스의 플 라즈마에 의해, 상술한 플라즈마 처리(에칭)가 실행된다. 또한，처리 가스에는, 희석 가스로서 Ar(아르곤) 가스 등이 혼합되어도 좋다.
다음으로, UV 조사 장치(55)에 대해서, 도 11을 참조하여 설명한다. UV 조사 장치(55)는, 진공으로 보지 가능한 처리 용기(62)내에, 투명한 재료 예컨대 석영으로 이루어져 웨이퍼(W)를 흡착하는 것이 가능한 탑재대(61), 탑재대(61)의 하방에 마련된 웨이퍼(W)의 가열 수단을 이루는 할로겐 램프(63) 및 탑재대(61)의 상방에 마련된 UV 램프 유닛(64)을 구비하고 있다. 이 UV 조사 장치(55)는, 가열 수단을 구비하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 가열 처리(예컨대 도 1의 스텝 S14 등)하기 위한 가열 장치를 겸하고 있다.
탑재대(61)는, 지지대(61a)에 의해 처리 용기(62)의 저면에 지지되고, 예컨대, 지지대(61a)에 접속된 모터(60)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다. 할로겐 램프(63)는, 동심원형상으로 예컨대 5주(周) 마련된 링 형상의 램프로 이루어지고, 도시하지 않는 전원에 접속되어, 상방이 개구된 대략 원통형상의 리플렉터(63a)내에 고정되어 있다. 또한, 처리 용기(62)내에는, 탑재대(61) 상의 웨이퍼(W)의 온도를 측정하기 위한 도시하지 않는 측정기가 마련되어 있다. 이 측정기의 측정 결과에 근거하여, 할로겐 램프(63)의 출력을 제어할 수 있게 구성되어 있다.
UV 램프 유닛(64)은, 도시하지 않는 전원에 접속되어 있고, 그 내부에는, 예컨대 다수의 도시하지 않는 UV 조사관이 저장되어 있다. 처리 용기(62)의 측면에는 가스 공급구(66)가 마련되어 있고, 해당 가스 공급구(66)를 거쳐서 가스 공급원(67)으로부터 예컨대 질소 가스가 처리 용기(62)내에 공급된다. 처리 용기(62) 의 저면에는, 배기구(68)가 형성되어 있고, 진공 펌프(69)에 의해 처리 용기(62)내의 분위기가 배기 가능하게 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(62)의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반송구(65)가 형성되어 있어, 게이트(G)에 의해 개폐 가능하다. 또한 UV 램프 유닛(64)내에는, 예컨대 직경이 다른 복수의 링 형상의 방사관이 마련되어도 좋다.
이러한 UV 조사 장치(55)에 있어서, 웨이퍼(W)가 반송구(65)로부터 반입되어서 탑재대(61)에 탑재되면, 모터(60)에 의해 탑재대(61)가 회전하고, 진공 펌프(69)에 의해 처리 용기(62)내가 진공배기 됨과 동시에, 가스 공급원(67)으로부터 예컨대 질소 가스가 공급된 상태에서, 기술한 UV 조사 공정 또는 가열 공정이 실행된다. 즉, UV 조사 공정에서는 웨이퍼(W)에 대하여 UV 램프 유닛(64)으로부터 UV가 조사되고, 가열 공정에서는 할로겐 램프(63)에 의해 웨이퍼(W)가 가열된다.
다음으로, HF 세정 장치(56)에 대해서, 도 12를 참조해서 설명한다. HF 세정 장치(56)는, 처리 용기(72)와 지지대(71a)에 의해 처리 용기(72)의 저면에 고정된 탑재대(71)를 구비하고 있다. 처리 용기(72)의 상면에는, 탑재대(71)에 대향하도록 HF 증기의 공급구(76)가 형성되어 있다. 해당 공급구(76)는, 밸브(80a)를 거쳐서, HF의 증기를 공급하기 위한 HF 공급원(77)에 접속되어 있다. HF 공급원(77)은, 예컨대 HF 용액이 저류된 저류조(73)를 구비하고 있다. 이 저류조(73)내에는, HF 용액을 증발시키기 위한 히터(74)가 마련되어 있다. 또한, 저류조(73)에는, 캐리어 가스를 공급하기 위한 가스 공급구(80)가 접속되어 있고, 예컨대 질소 가스 등의 캐리어 가스가 저류조(73)내에 공급되어서, 상기 히터(74)에 의해 증발된 HF 증기를 처리 용기(72)내에 공급할 수 있게 구성되어 있다. 처리 용기(72)의 저면에는, 배기구(78)가 형성되어 있어, 진공 펌프(79)에 의해 처리 용기(72)내의 분위기를 배기 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(72)의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반송구(75)가 형성되어 있어, 게이트(G)에 의해 개폐가 가능하다.
이 HF 세정 장치(56)에 있어서, 웨이퍼(W)가 반송구(75)로부터 반입되어서 탑재대(71)에 탑재되면, 진공 펌프(79)에 의해 처리 용기(72)내가 진공 배기된다. 이어서, 저류조(73)내의 HF 용액이 히터(74)의 가열에 의해 HF 증기가 되고, 캐리어 가스인 질소 가스의 공급에 수반하여 HF 공급원(77)으로부터 처리 용기(72)내에 소정시간 공급된다. 이에 의해, 기술한 HF 증기 세정 공정이 실행된다.
이상의 기판 처리 장치(11)에는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 예컨대, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(2A)가 마련되어 있다. 이 제어부(2A)는, 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있고, 상기 프로그램에는, 제어부(2A)로부터 기판 처리 장치(11)의 각부에 제어 신호를 보내어, 기술한 각 스텝을 진행시키도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 또한, 예컨대 메모리에는, 처리 압력, 처리 온도, 처리 시간, 가스 유량 또는 전력값 등의 처리 파라메타의 값이 기입되는 영역이 마련되어 있어, CPU가 프로그램의 각 명령을 실행할 때에, 이들 처리 파라메타가 읽혀져, 그 파라메타값에 따른 제어 신호가 기판 처리 장치(11)의 각 부위에 보내지게 되어 있다. 예컨대, 이 프로그램(처리 파라메타의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함)은, 컴퓨터 기억 매체인 예컨대, 플렉시블디스크, 컴팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억부(2B)에 저장되어 서, 제어부(2A)에 인스톨된다.
[웨이퍼(W)의 흐름]
다음으로, 이 기판 처리 장치(11)에 있어서, 상술한 각 처리(스텝)가 실행될 때의 웨이퍼(W)의 흐름(이동)을 설명한다. 우선, 웨이퍼(W)의 반송 용기인 캐리어가, 게이트 도어(GT)를 거쳐서, 대기측으로부터 캐리어실(12a～12c) 중 어느 한 곳에 반입된다. 다음으로, 웨이퍼(W)가, 제 1 반송 수단(17)에 의해 캐리어로부터 제 1 반송실(13)내에 반입(로드)된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 얼라이먼트실(19)에 반송되어, 웨이퍼(W)의 방향이나 편심의 조정이 실행된 후, 로드록실(14)(또는 (15))에 반송된다. 로드록실(14)내의 압력이 조정된 후, 웨이퍼(W)는, 제 2 반송 수단(18)에 의해 로드록실(14)로부터 제 2 반송실(16)을 거쳐서 플라즈마 처리 장치(51)에 반송된다. 플라즈마 처리 장치(51)에 있어서, 상술한 플라즈마 처리가 실행된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 제 2 반송 수단(18)에 의해 플라즈마 처리 장치(51)로부터 반출되어서, 상술한 각 실시의 형태에 있어서의 각 스텝에 따라 UV 조사 장치(55)나 HF 세정 장치(56)에 반송되어, 상술한 각 공정이 실행된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 반입된 경로와 반대의 경로로, 캐리어로 되돌려진다(언로드).
상술한 UV 조사 공정 및 HF 증기 세정 공정은, 플라즈마 처리 후, 웨이퍼(W)를 진공분위기 중에서 반송하고, 처리 용기(62)내 및 처리 용기(72)내도 진공배기 하여 실행되고 있다. 그러나 상술한 제 1 실시의 형태 및 제 2 실시의 형태에 있어서는, 플라즈마 처리 후, 웨이퍼(W)가 대기분위기에 노출되어도 좋다. 그러한 장치의 구성 예에 대해서, 도 13을 참조하여 설명한다.
도 13은, 상술한 제 1 실시의 형태 및 제 2 실시의 형태에 이용 가능한 장치의 일례인 기판 처리 장치(300)를 나타내고 있다. 이 기판 처리 장치(300)는, 기술한 HF 세정 장치(56)가 제 1 반송실(13)에 접속되고, 제 2 반송실(16)에는 예컨대 새롭게 플라즈마 처리 장치(57)가 접속되어 있다. 그 이외는, 도 9에 나타낸 기판 처리 장치(11)와 동일한 구성이다. 또한，기판 처리 장치(300)에 있어서, 기판 처리 장치(11)와 동일한 구성 부위에는, 같은 도면 번호를 붙여서 나타내고 있다.
HF 세정 장치(56)는, 게이트(G)를 거쳐서, 제 1 반송실(13)에 접속되어 있다. 또한, 이 HF 세정 장치(56)에는, 도시하지 않는 리크밸브가 마련되어 있다. 이 리크밸브와 기술한 진공 펌프(79)에 의해, 처리 용기(72)내를 대기 분위기와 진공 분위기로 전환될 수 있도록 구성되어 있다.
이 기판 처리 장치(300)의 작용에 대해서 간단히 설명한다. HF 증기 세정 공정이외는, 상술한 제 1 실시의 형태 및 제 2 실시의 형태에 있어서의 각 스텝과 같지만, HF 증기 세정 공정에 있어서는, 웨이퍼(W)는 이하에 도시하는 바와 같이 처리된다.
(HF 증기 세정 공정)
웨이퍼(W)는, 기술한 기판 처리 장치(11)내에 반송될 때의 경로와 반대의 경로로, 기판 처리 장치(300)내의 제 2 반송실(16)로부터 대기분위기인 제 1 반송실(13)까지 되돌려진다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 수단(17)에 의해, HF 세정 장치(56)내의 탑재대(71)에 탑재된다. 그리고 처리 용기(72)내의 압력이 대기 분위기가 되도록 진공 펌프(79)의 출력과 질소 가스의 유량이 조정되면서, 기술한 HF 증기 세정 공정과 같은 처리가 실행된다. 소정의 시간만큼 HF 증기가 공급된 후, 밸브(80a)가 닫혀져, HF 증기의 공급이 정지하고, 처리 용기(72)내의 가스가 진공 펌프(79)에 의해 배기된다. 그리고 도시하지 않는 리크밸브에 의해 처리 용기(72)내를 대기분위기로 되돌린 후, 제 1 반송 수단(17)에 의해 웨이퍼(W)가 반출되어, 계속해서 다음 공정이 실행된다.
상기 한 바와 같은 기판 처리 장치(300)에 있어서는, HF 증기 세정 공정이 대기분위기에서 실행되지만, UV 조사 장치(55)를 제 1 반송실(13)에 접속하여 UV 조사 공정을 대기분위기에서 실행해도 좋다. 또한, 이들 쌍방의 공정을 대기분위기에서 실행해도 좋다.
상술한 기판 처리 장치(11) 및 기판 처리 장치(300)에서는 UV 조사 장치(55)내에 가열 수단인 할로겐 램프(63)를 마련하여, 가열 공정을 UV 조사 공정이 실행되는 UV 조사 장치(55)내에서 실행하고 있다. 이 때문에 각각의 처리를 실행하는 장치를 별개로 마련할 필요가 없고, 기판 처리 장치(11), (300)의 설치 면적을 작게 억제할 수 있다. 물론, 별도로 각각의 장치를 마련하도록 해도 좋다.
또한, UV 조사 장치(55) 및 HF 세정 장치(56)를, 각각 1대씩 설치했으나, 각각 2대 이상 마련해도 좋다. 또한, UV 조사 장치(55)와 HF 세정 장치(56)를 별도로 마련했으나, 같은 장치 내에서 쌍방의 처리를 실행하는 구성이 채용되어도 좋다. 이 때, 장치내의 각 부재에 대해서는, UV 및 HF 증기에 의해 열화나 부식 등이 일어나지 않는 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 플라즈마 처리 장치(51)의 처리 용기(21)내의 부재 등에는, 에칭에 의해, 웨이퍼(W)의 표면과 동일하게, 산화 실리콘(112)(또는 할로겐화 산화 실리콘(126)) 및 폴리머(110)(또는 폴리머(127))가 부착된다. 그 경우, 그들 부재를 분리하여, 상기의 UV 조사 장치(55) 및 HF 세정 장치(56)에 반입하여, 상술한 각 실시의 형태에 있어서의 각 스텝과 같은 공정을 실행하여 세정을 실행하도록 해도 좋다. 이 경우, HF 증기 세정을 실행할 때에는, 각 부재에 부착된 부착물만을 제거하여 각 부재가 부식되지 않도록, 처리 시간이나 처리횟수를 적절히 변경하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 상술한 멀티 챔버 시스템에 내장하는 형태에 한정되지 않는다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(51)와는 분리되어, 진공분위기하에서 처리하는 스탠드 얼론 타입의 장치로서 구성해도 좋다. 그 일례인 기판 처리 장치(400)를 도 14에 나타낸다. 여기에서, 91은 캐리어 스테이지, 92는 장치 본체를 이루는 하우징이며, 해당 하우징(92)내에 가열 모듈을 겸용한 UV 처리 모듈(93) 및 HF 처리 모듈(94)이 마련되고, 또한 반송 아암(95)이 마련되어 있다. 이 예에서는, 캐리어 스테이지(91)에 반입된 후프(밀폐형 캐리어)(96)내의 웨이퍼(W)가, 반송 아암(95)에 의해 반출되어, 제어부(97)의 제어 신호에 근거하여, 기술한 스텝을 실행하도록, 각 모듈(93, 94)에 대하여 순차적으로 반송되어서 각 처리가 실행된다. 처리 후, 웨이퍼(W)는 후프(96)로 되돌려진다. 또한，이 기판 처리 장치(400)내의 분위기는, 상술한 제 1 실시의 형태 및 제 2 실시의 형태에 대응하여, 대기분위기로서도 좋다.
(실험예1)
본 발명에 대해서 실행한 실험을 이하에 설명한다. 실험에는, 실험용의 기판 처리 장치가 이용되고, 실리콘 기판(100) 상에 산화 실리콘막(101)이 형성된 실험용의 웨이퍼(W)가 이용되었다. 이 웨이퍼(W)에 대하여, 기술한 제 1 실시의 형태의 스텝 S11에 대응하는 산화 실리콘막(101)의 에칭 공정이 실행되어, 콘택트 홀(107)이 형성되었다. 다음으로, 이 웨이퍼(W)에 대하여, 이하의 표에 나타내는 처리가 실행되었다. 여기에서, 처음의 UV 조사 공정에서는, UV가 360초 조사됨과 동시에, 웨이퍼(W)가 200℃로 가열되었다. 한편，그 후의 UV 조사 공정에서는 UV는 300초 조사되었다. 또한, HF 증기 세정 공정에서는 HF 증기가 1시간 공급되고, 가열 공정에서는 공기 중에서 300℃의 열처리가 1시간 실행되었다.
각 처리가 실행된 후, 접촉각계를 이용하여, 산화 실리콘층(109)의 표면에 있어서의 물의 접촉각이 측정되었다. 산화 실리콘(112)은 친수성을 나타내는 한편, 탄소 및 불소를 포함하는 폴리머(110a)는 소수성을 나타내므로, 물의 접촉각을 측정함으로써, 산화 실리콘층(109)의 표면에 있어서의 양자의 비율을 평가할 수 있다고 생각된다. 또한, 산화 실리콘층(109)의 하층의 어모퍼스 실리콘층(108)은 소수성을 나타내기 때문에, 산화 실리콘층(109)이 제거되었을 때에는, 물의 접촉각은 가장 큰 값을 나타낸다고 생각된다. 즉 소수성의 물질(폴리머(110a))과 친수성의 물질(산화 실리콘(112))이 혼합된 산화 실리콘층(109)에 있어서는, 물의 접촉각은, 양자 각각이 나타내는 값의 중간값을 나타낸다고 생각되지만, 산화 실리콘층(109)이 제거되어 버리면, 발수성을 나타내는 물질(어모퍼스 실리콘층(108))의 단층이 되므로, 물의 접촉각이 가장 커진다고 생각된다. 표 1에, 해당 실험에 있어서 실행된 각 처리와, 그 때의 물의 접촉각의 계측 결과를 나타낸다.
[표 1]
물의 접촉각의 추이 단위 : 도
처리순서 1 2 3 4 5 6
실시예1- UV 조사 HF 세정 가열 HF 세정
21 53 21 70
실시예1- UV 조사 HF 세정 UV 조사 HF 세정 가열 HF 세정
21 53 6 56 35 65
실시예1- UV 조사 HF 세정 UV 조사 HF 세정 UV 조사 HF 세정
21 53 6 56 - 62
실시예1- UV 조사 가열 HF 세정




21 3 52
비교예1- UV 조사 HF 세정 가열
21 53 21
비교예1- UV 조사 HF 세정 UV 조사
21 53 6
표 1에 도시하는 바와 같이 산화 실리콘층(109)의 표면은 UV 조사 공정 및 HF 증기 세정 공정에 의해, 물의 접촉각이 크게 변화되었다. 이것은, 기술한 바와 같이 UV의 조사에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 폴리머(110a)가 제거되면, 산화 실리콘(112)의 비율이 증가하여 친수성을 나타내는(물의 접촉각이 작아진다)한편, HF 증기 세정에 의해 산화 실리콘(112)이 제거되면, 폴리머(110a)의 비율이 증가하여 소수성을 나타내는(물의 접촉각이 커진다) 것을 나타내고 있다고 생각된다. 또한, HF 증기 세정 공정을 실행할 때마다, 물의 접촉각이 커져 있으므로, 서서히 산화 실리콘층(109)이 제거되고 있는 것을 알 수 있다. 그리고 실시예1-1에 있어서는, 4회째에 실행한 HF 증기 세정 공정에서, 물의 접촉각이 70도까지 커져 있다. 이것은, 산화 실리콘층(109)이 거의 제거되어 있는 상태라고 생각된다.
실시예1-2, 실시예1-3 및 비교예에서는, 표1에 도시하는 바와 같이 물의 접촉각이 실시예1-1의 결과보다도 작은 값을 나타내고 있다. 이들은, UV 조사 공정과 HF 증기 세정 공정을 이후에 복수회 되풀이함으로써, 산화 실리콘층(109)을 또한 제거할 수 있다고(물의 접촉각이 70도 정도까지 커지는 것) 생각된다. 또한，실시예1-1에 있어서 처리가 실행된 웨이퍼(W)를 대기 중에 방치한 결과, 그 2일 후 및 13일 후에, 물의 접촉각이 50도 및 46도로 작아졌다. 이것은, 대기 중의 수분의 영향에 의한 것이라 생각된다.
(실험예2)
실험예1과 같은 구성의 웨이퍼(W)에 대하여, 산화 실리콘막(101)의 에칭이 실행되었다. 이 때의 콘택트 홀(107)의 저면의 TEM 사진(×100만배)의 개략도를, 도 15a에 간단히 나타낸다. 산화 실리콘층(109)에는, 산화 실리콘층(109)의 상층의 폴리머(110)가 폴리머(110a)로서 들어가 있어, 폴리머(110)와 산화 실리콘층(109)으로 이루어지는 복합 생성물(111)이 생성되어 있는 것이 인정되었다.
다음으로, 이 웨이퍼(W)에 대하여, 표 2에 나타내는 각 처리가 실행되었다. [표2]
처리순서 1 2 3 4 5
실시예2 공정 UV조사 HF세정 가열 HF세정
처리내용 360초, 200℃ 2h 1h, 300℃ 2h
비교예2 공정 UV조사 HF세정 UV조사
처리내용 360초, 200℃ 2h 300초
이상의 처리가 실행된 후의 실시예2 및 비교예2의 웨이퍼(W)의 콘택트 홀(10
실시예2와 거의 같은 정도의 처리를 실행한 실시예1-1에 대해서도, 산화 실리콘층(109)이 거의 제거되어 있다고 생각된다. 한편，비교예2에 있어서는, 산화 실리콘층(109)의 두께가 초기의 절반 정도 남아 있는 것이 확인되었다.

Claims (30)

  1. 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭하여 오목부를 형성하는 공정과,
    상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 오목부를 형성하는 공정에 의해 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성된 기판의 표면으로부터 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 불화수소 처리 공정은, 상기 가열 처리 공정 전에 적어도 1회 실시됨과 동시에, 상기 가열 처리 공정 후에도 적어도 1회 실시되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 처리 공정에서는, 상기 기판이 100℃ 이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  4. 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭하여 오목부를 형성하는 공정과,
    상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 오목부를 형성하는 공정에 의해 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성된 기판의 표면으로부터 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하고,
    상기 자외선 처리 공정과 상기 불화수소 처리 공정으로 이루어지는 공정군이 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 것에 의해, 아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가열 처리 공정에서는, 상기 기판이 100℃ 이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  7. 기판의 표면에 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성되는 처리를 기판에 대하여 실행하는 복합 생성물 형성 공정과,
    상기 복합 생성물 형성 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하고,
    상기 복합 생성물 형성 공정, 상기 자외선 처리 공정 및 상기 불화수소 처리 공정은, 모두 진공분위기하에서 실행되며,
    상기 복합 생성물 형성 공정은, 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭함으로써 오목부를 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복합 생성물 형성 공정, 상기 자외선 처리 공정 및 상기 불화수소 처리 공정은, 동일한 진공분위기하에서, 연속적으로 실행되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  9. 삭제
  10. 기판의 표면에 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성되는 처리를 기판에 대하여 실행하는 복합 생성물 형성 공정과,
    상기 복합 생성물 형성 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하고,
    상기 복합 생성물 형성 공정, 상기 자외선 처리 공정 및 상기 불화수소 처리 공정은, 모두 진공분위기하에서 실행되며,
    상기 복합 생성물 형성 공정은, 기판상에 산화 실리콘막과 폴리 실리콘막을 아래로부터 이 순서대로 적층한 적층체에 대하여, 소정의 패턴으로 에칭을 실행하는 것에 의해 오목부를 형성하는 공정으로서,
    할로겐을 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 상기 폴리 실리콘막을 에칭하는 공정과,
    탄소 및 불소를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 상기 산화 실리콘막을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 방법.
  11. 처리 용기내에 있어서, 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭하여 오목부를 형성한 후에, 상기 처리 용기내 및 상기 처리 용기내의 구성 부재 중 적어도 하나를 세정하는 방법에 있어서,
    상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나에 자외선을 조사하여, 상기 처리 용기내 및 상기 처리 용기내의 구성 부재 중 적어도 하나에 형성된 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 처리 용기내 및 상기 처리 용기내의 구성 부재 중 적어도 하나에 형성된 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정으로서, 상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나를 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는
    세정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 불화수소 처리 공정은, 상기 가열 처리 공정 전에 적어도 1회 실시됨과 동시에, 상기 가열 처리 공정 후에도 적어도 1회 실시되는 것을 특징으로 하는
    세정 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 가열 처리 공정에서는, 상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나가 100℃ 이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는
    세정 방법.
  14. 처리 용기내에 있어서, 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭하여 오목부를 형성한 후에, 상기 처리 용기내 및 상기 처리 용기내의 구성 부재 중 적어도 하나를 세정하는 방법에 있어서,
    상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나에 자외선을 조사하여, 상기 처리 용기내 및 상기 처리 용기내의 구성 부재 중 적어도 하나에 형성된 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과,
    상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정에 있어서, 상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 처리 용기내 및 상기 처리 용기내의 구성 부재 중 적어도 하나에 형성된 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정을 구비하고,
    상기 자외선 처리 공정과 상기 불화수소 처리 공정으로 이루어지는 공정군이 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는
    세정 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나를 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    세정 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 가열 처리 공정에서는, 상기 처리 용기의 내면 및 상기 처리 용기내의 구성 부재의 표면 중 적어도 하나가 100℃ 이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는
    세정 방법.
  17. 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭하여 오목부를 형성하는 처리를 기판에 대하여 실행하는 프로세스 모듈과,
    상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 오목부를 형성하는 처리에 의해 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성된 기판의 표면으로부터 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 모듈과,
    상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 모듈과,
    상기 기판을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 모듈과,
    자외선 처리 모듈, 불화수소 처리 모듈 및 가열 처리 모듈에 접속되어 있어, 이들을 제어할 수 있는 제어부를 구비하고,
    제어부는, 자외선 처리 모듈에 의한 처리가 실행된 후에, 불화수소 처리 모듈에 의한 처리와 가열 처리 모듈에 의한 처리가 서로 임의의 순서로 실행되도록 각 모듈을 제어하게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    제어부는, 불화수소 처리 모듈에 의한 처리가 가열 처리 모듈에 의한 처리전에 적어도 1회 실시됨과 동시에, 상기 가열 처리 모듈에 의한 처리 후에도 적어도 1회 실시되도록 각 모듈을 제어하게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 가열 처리 모듈은, 상기 기판을 100℃ 이상으로 가열하게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  20. 삭제
  21. 탄소 및 불소를 포함하는 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 플라즈마화해서 얻은 플라즈마에 의해, 기판상의 실리콘층상에 형성된 산화 실리콘막을 상기 실리콘층의 표면부까지 에칭하여 오목부를 형성하는 처리를 기판에 대하여 실행하는 프로세스 모듈과,
    상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 오목부를 형성하는 처리에 의해 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 형성된 기판의 표면으로부터 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 모듈과,
    상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 모듈과,
    자외선 처리 모듈 및 불화수소 처리 모듈에 접속되어 있고, 이들을 제어할 수 있는 제어부를 구비하고,
    제어부는, 자외선 처리 모듈에 의한 처리와 불화수소 처리 모듈에 의한 처리로 이루어지는 처리군이 복수회 반복되도록, 각 모듈을 제어하게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 모듈을 더 구비하고,
    제어부는 가열 처리 모듈에도 접속되어 있고, 상기 가열 처리 모듈도 제어할 수 있게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 가열 처리 모듈은 상기 기판을 100℃ 이상으로 가열하게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  24. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 가열 처리 모듈은, 상기 자외선 처리 모듈에 가열 수단을 마련함으로써, 상기 자외선 처리 모듈과 중첩적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2166564B1 (en) * 2008-09-19 2017-04-12 Imec Method for removing a hardened photoresist from a semiconductor substrate
US8528224B2 (en) * 2009-11-12 2013-09-10 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia
JP5859262B2 (ja) * 2011-09-29 2016-02-10 東京エレクトロン株式会社 堆積物除去方法
JP5996857B2 (ja) * 2011-09-30 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 駆動装置及び基板処理システム
JP6024272B2 (ja) * 2011-12-22 2016-11-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5837829B2 (ja) * 2012-01-11 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6017170B2 (ja) * 2012-04-18 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 堆積物除去方法及びガス処理装置
JP6381332B2 (ja) * 2013-09-19 2018-08-29 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
CN104576305A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 中微半导体设备(上海)有限公司 自清洁真空处理腔室
JP6428466B2 (ja) * 2014-06-23 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体
CN105448760A (zh) * 2014-08-20 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种提高晶圆测试稳定性的方法
US10872760B2 (en) * 2016-07-26 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cluster tool and manufacuturing method of semiconductor structure using the same
CN106847745A (zh) * 2017-03-03 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板
JP7126468B2 (ja) 2019-03-20 2022-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102633148B1 (ko) 2019-05-28 2024-02-06 삼성전자주식회사 관통 비아를 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법
CN114496737A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005052967A (ja) 2004-10-15 2005-03-03 Sumitomo Precision Prod Co Ltd エッチング表面の洗浄方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2708462B2 (ja) * 1988-04-28 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体基板の表面処理方法、半導体基板の表面処理装置及び半導体基板表面処理膜
JP3133054B2 (ja) * 1990-07-26 2001-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄処理方法及び洗浄処理装置
US6465374B1 (en) * 1997-10-21 2002-10-15 Fsi International, Inc. Method of surface preparation
JP2000173965A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Japan Science & Technology Corp 高速剪断流による洗浄方法
JP4083340B2 (ja) * 1999-03-30 2008-04-30 カルソニックカンセイ株式会社 斜板式可変容量圧縮機の軸受部構造
US6831018B2 (en) * 2001-08-21 2004-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
US7374696B2 (en) * 2003-02-14 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing a halogen-containing residue
JP2005228790A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Mitsubishi Electric Corp レジスト除去方法およびレジスト除去装置ならびに半導体ウエハ
JP4675127B2 (ja) * 2004-04-23 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム
TWI325150B (en) * 2004-11-04 2010-05-21 Nec Corp Method of processing substrate and chemical used in the same (2)
JP4349273B2 (ja) * 2004-12-17 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 成膜方法、液体供給ヘッドおよび液体供給装置
JP4308806B2 (ja) * 2004-12-21 2009-08-05 セイコーエプソン株式会社 半導体基板の処理方法、半導体部品および電子機器
US8057153B2 (en) * 2006-09-05 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005052967A (ja) 2004-10-15 2005-03-03 Sumitomo Precision Prod Co Ltd エッチング表面の洗浄方法

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Publication number Publication date
JP4661753B2 (ja) 2011-03-30
KR20090057065A (ko) 2009-06-03
CN101421828B (zh) 2011-03-30
CN101958233A (zh) 2011-01-26
TW200832535A (en) 2008-08-01
JP2008091534A (ja) 2008-04-17
US20100043820A1 (en) 2010-02-25
TWI497577B (zh) 2015-08-21
WO2008038823A1 (fr) 2008-04-03
US8647440B2 (en) 2014-02-11
CN101421828A (zh) 2009-04-29
CN101958233B (zh) 2013-01-02

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