JP6024272B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6024272B2 JP6024272B2 JP2012177220A JP2012177220A JP6024272B2 JP 6024272 B2 JP6024272 B2 JP 6024272B2 JP 2012177220 A JP2012177220 A JP 2012177220A JP 2012177220 A JP2012177220 A JP 2012177220A JP 6024272 B2 JP6024272 B2 JP 6024272B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- sealed space
- etching
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 310
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 269
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 172
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 160
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 143
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 120
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 30
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 28
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
- B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
- B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
- B44C1/227—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前述の前処理工程、エッチング工程、および後処理工程では、密閉空間から気体が排出される。エッチング工程での排気流量(体積流量)は、前処理工程および後処理工程での排気流量よりも小さい。排気流量が大きいと、密閉空間の気体が高速で流動するので、基板上での気体の流動速度のばらつきが大きい場合がある。これに対し、エッチング工程では、排気流量が小さいので、基板上での気体の流動速度のばらつきが小さい。そのため、処理蒸気が基板の表面全域に均一に供給される。これにより、基板の表面全域を均一に処理できる。
さらに、この方法によれば、密閉空間の気体を積極的に排出しながら、処理蒸気を密閉空間に供給する。その後、密閉空間からの排気流量を低下させた状態で、処理蒸気を密閉空間に供給する。密閉空間からの気体の積極的な排出と、密閉空間への処理蒸気の供給とが並行して行われるので、密閉空間の気体は、短時間で処理蒸気に置換される。そのため、基板と処理蒸気との反応を即座に開始させることができる。さらに、密閉空間の気体が処理蒸気に置換された後は、排気流量が低下した状態で、処理蒸気が密閉空間に供給されるので、基板の表面全域を均一に処理できる。
この方法によれば、密閉空間の気体を積極的に排出しながら、処理蒸気を密閉空間に供給する。その後、密閉空間からの排気流量を低下させた状態で、処理蒸気を密閉空間に供給する。そして、再びこれらの工程を行う。これにより、密閉空間の処理蒸気を新たな処理蒸気に置換できる。したがって、活性が低下した処理蒸気を活性の高い処理蒸気に置換できる。そのため、処理の効率性を高めることができる。
この方法によれば、環状の防護壁によって基板が取り囲まれている状態で、処理蒸気が、密閉空間に供給される。基板に供給された処理蒸気は、基板の表面に沿って流れる。防護壁によって基板が取り囲まれているので、基板の周縁部から外方への気体の流動が防護壁によって阻害される。そのため、基板上での気体の流動速度がさらに低下し、基板上での気体の流動速度のばらつきがさらに低下する。したがって、基板の表面全域をさらに均一に処理できる。
また、前記基板処理方法は、前記エッチング工程と並行して、基板の表面を通る回転軸線まわりに当該基板を回転させる基板回転工程を含んでいてもよい。この方法によれば、処理蒸気をさらに均一に基板に供給できる。これにより、処理の均一性をさらに高めることができる。
請求項10に記載の発明は、内部空間と外部空間との間で流体を流通させる流通孔(231)が形成されており、前記密閉空間に配置されており、前記基板保持手段に保持されている基板を覆う処理容器(229)をさらに含み、前記制御手段は、前記処理容器の前記外部空間から前記排気手段に気体を排出させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記処理容器の前記内部空間に処理蒸気を供給させる工程を含む前記エッチング工程を実行する、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項5の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の一部を水平方向から見た模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハ等の円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを処理する処理ユニット2と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置3(制御手段)とを備えている。
図2は、基板処理装置1によって行われる第1処理例について説明するための模式図である。以下では、図1および図2を参照する。
第1処理例と第2処理例との主な相違点は、エッチング工程が行われる前に、前処理工程と同じ排気圧でチャンバー5内を排気しながら、チャンバー5内にHFベーパを供給して、チャンバー5の雰囲気を短時間でHFベーパに置換する置換工程(図3参照)が行われることである。
前処理工程では、チャンバー5内の気体が排出されると共に、結露防止のため温度管理もなされる。結露防止は、チャンバー5の内面やチャンバー5内の部材が濡れたり、エッチング工程のエッチングレートのばらつき防止のために行われる。前処理工程では、前処理工程の時間を短縮するために、たとえば−500Pa〜−300Paの排気圧で排気が行われる。
一点鎖線で示す測定値は、実施例に係る測定値であり、二点鎖線で示す測定値は、比較例に係る測定値である。2つの測定値は、いずれも前述の第1処理例に従って基板Wを処理したときの測定値である。処理条件は、エッチング工程での排気装置26の排気圧を除き、同一である。すなわち、一点鎖線で示す測定値は、エッチング工程のときだけ排気を弱めた場合(排気圧が0Pa)の測定値であり、二点鎖線で示す測定値は、前処理工程から後処理工程まで一定の排気圧(−300Pa)で排気し続けた場合の測定値である。
図4Bの左の欄に示すように、チャンバー内の気体を排出する吸引力が強いと、基板の周縁部でのHFベーパの流速が、その内側の領域での流速よりも大きいので、基板の周縁部での凝縮相の厚みが、周縁部の内側の領域での凝縮相の厚みよりも薄い。すなわち、HFと水とを含む凝縮相の厚みが均一でない。そのため、基板の周縁部でのHFの濃度が、周縁部の内側の領域でのHFの濃度よりも低い。しかし、図4Bの右の欄に示すように、排気流量が少ないと、チャンバー内での気体の流速が低下するので、基板の周縁部での凝縮相の厚みと、周縁部の内側の領域での凝縮相の厚みとの差が小さくなり、均一な厚みの凝縮相が形成される。これにより、基板上でのHF濃度のばらつきが低下し、エッチングの均一性が高まる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
以下の図5〜図6において、前述の図1〜図4に示された各部と同等の構成部分については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図5は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置201の一部を水平方向から見た模式図である。
処理ユニット202によって基板Wが処理されるときには、処理ユニット202に基板Wを搬入する搬入工程が行われる。具体的には、制御装置3は、処理容器229を退避位置に位置させ、シャッタ13を開位置に位置させている状態で、搬送ロボットによって基板Wを処理ユニット202内に搬入させる。そして、制御装置3は、搬送ロボットをチャンバー5内から退避させた後、処理容器229を処理位置に移動させ、シャッタ13を閉位置に移動させる。これにより、ホットプレート8に保持されている基板Wが処理容器229によって覆われ、密閉された処理容器229の内部に配置される。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
以下の図7において、前述の図1〜図6に示された各部と同等の構成部分については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図7は、本発明の第3実施形態に係る基板処理装置301の一部を水平方向から見た模式図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
以下の図8において、前述の図1〜図7に示された各部と同等の構成部分については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図8は、本発明の第4実施形態に係る基板処理装置401の一部を水平方向から見た模式図である。
本発明の第1〜第4実施形態の説明は以上であるが、本発明は前述の第1〜第4実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、第1および第2処理例では、回転状態の基板にHFベーパを供給する場合について説明したが、非回転状態の基板にHFベーパを供給してもよい。第3および第4実施形態で説明した処理例についても同様である。
また、第1〜第4実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明した。しかし、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
3 :制御装置(制御手段)
4 :HFベーパ発生容器(処理蒸気供給手段、不活性ガス供給手段)
5 :チャンバー(処理室)
8 :ホットプレート(基板保持手段)
24 :排気ユニット(排気手段)
201 :基板処理装置
229 :処理容器
231 :流通孔
233 :周壁(防護壁)
301 :基板処理装置
401 :基板処理装置
434 :防護壁
S1 :密閉空間
W :基板
Claims (11)
- 基板が配置された密閉空間から前処理排気流量で気体を吸引しながら、前記密閉空間に不活性ガスを供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後に、前記前処理排気流量よりも小さいエッチング排気流量で前記密閉空間から気体を排出させながら、前記密閉空間に処理蒸気を供給し、前記基板上での処理蒸気の凝縮によって前記基板上に形成された液膜で前記基板をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記エッチング排気流量よりも大きい後処理排気流量で前記密閉空間から気体を吸引しながら、前記密閉空間に不活性ガスを供給する後処理工程と、
前記前処理工程の後であって、前記エッチング工程の前に、前記エッチング排気流量よりも大きい置換排気流量で前記密閉空間から気体を吸引しながら、前記密閉空間に処理蒸気を供給する置換工程とを含む、基板処理方法。 - 前記エッチング工程は、前記エッチング排気流量で前記密閉空間から気体を吸引しながら、前記密閉空間に処理蒸気を供給する弱排気工程と、前記密閉空間からの気体の吸引を停止した状態で、前記エッチング排気流量で前記密閉空間から気体を排出させながら、前記密閉空間に処理蒸気を供給する吸引停止工程とのうちの少なくとも一方を含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記置換工程と前記エッチング工程とを前記後処理工程の前に交互に複数回行う繰り返し工程を含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程は、内部空間と外部空間との間で流体を流通させる流通孔が形成されており、前記密閉空間に配置された処理容器によって基板が覆われている状態で、前記処理容器の前記外部空間から気体を排出させながら、前記処理容器の前記内部空間に処理蒸気を供給する工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程は、環状の防護壁によって基板が取り囲まれている状態で、前記密閉空間から気体を排出させながら、前記密閉空間に処理蒸気を供給する工程を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板は、窒化膜が表面に形成された基板である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 密閉空間が内部に設けられた処理室と、
前記密閉空間で基板を保持する基板保持手段と、
前記密閉空間に処理蒸気を供給する処理蒸気供給手段と、
前記密閉空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記密閉空間から気体を吸引する排気手段と、
前記処理蒸気供給手段、不活性ガス供給手段、および排気手段を制御する制御手段とを含み、
前記制御手段は、
前処理排気流量で前記排気手段によって前記密閉空間から気体を吸引させながら、前記不活性ガス供給手段によって前記密閉空間に不活性ガスを供給させる前処理工程と、
前記前処理工程の後に、前記前処理排気流量よりも小さいエッチング排気流量で前記密閉空間から前記排気手段に気体を排出させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記密閉空間に処理蒸気を供給させ、前記基板上での処理蒸気の凝縮によって前記基板上に形成された液膜で前記基板をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記エッチング排気流量よりも大きい後処理排気流量で前記排気手段によって前記密閉空間から気体を吸引させながら、前記不活性ガス供給手段によって前記密閉空間に不活性ガスを供給させる後処理工程と、
前記前処理工程の後であって、前記エッチング工程の前に、前記エッチング排気流量よりも大きい置換排気流量で前記排気手段によって前記密閉空間から気体を吸引させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記密閉空間に処理蒸気を供給させる置換工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記エッチング排気流量で前記排気手段によって前記密閉空間から気体を吸引させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記密閉空間に処理蒸気を供給させる弱排気工程と、前記排気手段による気体の吸引を停止させた状態で、前記エッチング排気流量で前記密閉空間から前記排気手段に気体を排出させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記密閉空間に処理蒸気を供給させる吸引停止工程とのうちの少なくとも一方を含む前記エッチング工程を実行する、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記置換工程と前記エッチング工程とを前記後処理工程の前に交互に複数回行う繰り返し工程を実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置。
- 内部空間と外部空間との間で流体を流通させる流通孔が形成されており、前記密閉空間に配置されており、前記基板保持手段に保持されている基板を覆う処理容器をさらに含み、
前記制御手段は、前記処理容器の前記外部空間から前記排気手段に気体を排出させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記処理容器の前記内部空間に処理蒸気を供給させる工程を含む前記エッチング工程を実行する、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲む環状の防護壁をさらに含み、
前記制御手段は、前記防護壁によって基板が取り囲まれている状態で、前記密閉空間から前記排気手段に気体を排出させながら、前記処理蒸気供給手段によって前記密閉空間に処理蒸気を供給させる工程を含む前記エッチング工程を実行する、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012177220A JP6024272B2 (ja) | 2011-12-22 | 2012-08-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US13/687,503 US8821741B2 (en) | 2011-12-22 | 2012-11-28 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
TW101146570A TWI462173B (zh) | 2011-12-22 | 2012-12-11 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
KR1020120149435A KR101432388B1 (ko) | 2011-12-22 | 2012-12-20 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN201210557222.4A CN103177953B (zh) | 2011-12-22 | 2012-12-20 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011281688 | 2011-12-22 | ||
JP2011281688 | 2011-12-22 | ||
JP2012177220A JP6024272B2 (ja) | 2011-12-22 | 2012-08-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149934A JP2013149934A (ja) | 2013-08-01 |
JP6024272B2 true JP6024272B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=48637730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012177220A Active JP6024272B2 (ja) | 2011-12-22 | 2012-08-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8821741B2 (ja) |
JP (1) | JP6024272B2 (ja) |
KR (1) | KR101432388B1 (ja) |
CN (1) | CN103177953B (ja) |
TW (1) | TWI462173B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106133880B (zh) * | 2014-03-28 | 2019-03-22 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
KR101877112B1 (ko) | 2015-01-23 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐 |
JP6689179B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-04-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
CN106783692B (zh) * | 2017-01-12 | 2018-01-12 | 广东工业大学 | 一种微结构刻蚀的加工装置 |
CN109081595A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-25 | 江苏耀兴安全玻璃有限公司 | 一种微晶玻璃的制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5413778A (en) * | 1977-07-01 | 1979-02-01 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
JPS54108579A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Fujitsu Ltd | Method and device for plasma etching |
JPH0226026A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン基板の表面処理方法及びその装置 |
JPH04245431A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の酸化膜除去方法とその装置 |
TW371775B (en) * | 1995-04-28 | 1999-10-11 | Siemens Ag | Method for the selective removal of silicon dioxide |
JP3401585B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2003-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の洗浄方法 |
US6143063A (en) * | 1996-03-04 | 2000-11-07 | Symetrix Corporation | Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow |
JP4217929B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2009-02-04 | 株式会社ジーエス・ユアサコーポレーション | オゾン処理装置 |
JP2001015481A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング装置 |
EP1083593A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-14 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Etching of silicon nitride by anhydrous halogen gas |
JP3811602B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2006-08-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板表面処理方法および基板表面処理装置 |
US6534413B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-03-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method to remove metal and silicon oxide during gas-phase sacrificial oxide etch |
JP3592233B2 (ja) | 2000-12-14 | 2004-11-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板表面処理装置および基板表面処理方法 |
US6676760B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-01-13 | Appiled Materials, Inc. | Process chamber having multiple gas distributors and method |
JP2005150332A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Sony Corp | エッチング方法 |
JP4661753B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、洗浄方法及び記憶媒体 |
KR101282714B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2013-07-05 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 수증기 또는 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 방법 |
JP2009188411A (ja) | 2009-03-06 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177220A patent/JP6024272B2/ja active Active
- 2012-11-28 US US13/687,503 patent/US8821741B2/en active Active
- 2012-12-11 TW TW101146570A patent/TWI462173B/zh active
- 2012-12-20 CN CN201210557222.4A patent/CN103177953B/zh active Active
- 2012-12-20 KR KR1020120149435A patent/KR101432388B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013149934A (ja) | 2013-08-01 |
US8821741B2 (en) | 2014-09-02 |
CN103177953B (zh) | 2016-01-20 |
TWI462173B (zh) | 2014-11-21 |
KR20130079179A (ko) | 2013-07-10 |
TW201338033A (zh) | 2013-09-16 |
KR101432388B1 (ko) | 2014-08-20 |
US20130161287A1 (en) | 2013-06-27 |
CN103177953A (zh) | 2013-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102377869B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기억 매체 | |
JP5889691B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6024272B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI656570B (zh) | Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium | |
JP5958950B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US9997378B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5190215B2 (ja) | ターボ分子ポンプの洗浄方法 | |
JP5837829B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6199155B2 (ja) | 犠牲膜除去方法および基板処理装置 | |
JP6487574B2 (ja) | 貯留装置、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20180075388A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 장치, 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 기판 | |
JP5048552B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板処理装置 | |
JP2010118498A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI734876B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的製造方法及半導體基板 | |
KR102010267B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102113931B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5901419B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP2014187253A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6673432B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 | |
JP3989355B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
JP2008141146A (ja) | 基材処理装置および基材処理方法 | |
JP2006190737A (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2023133102A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2005175053A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006156665A (ja) | 基板洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6024272 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |