KR900008522A - 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 기억장치 Download PDF

Info

Publication number
KR900008522A
KR900008522A KR1019890016964A KR890016964A KR900008522A KR 900008522 A KR900008522 A KR 900008522A KR 1019890016964 A KR1019890016964 A KR 1019890016964A KR 890016964 A KR890016964 A KR 890016964A KR 900008522 A KR900008522 A KR 900008522A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
row
section
signal
address
cycle
Prior art date
Application number
KR1019890016964A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930000767B1 (ko
Inventor
가즈다카 노가미
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR900008522A publication Critical patent/KR900008522A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930000767B1 publication Critical patent/KR930000767B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10—Decoders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 블럭도,
제2도는 제1도의 래치의 동작을 나타낸 타이밍차트,
제3도는 제1실시예의 동작을 나타낸 타이밍차트,
제6도는 제1도의 래치회로의 구체적인 회로도.

Claims (4)

  1. 메모리셀어레이(14)에 입력되는 행어드레스에 따라 워드선을 구동시키도록 된 반도체 기억장치에 있어서, 상기 행어드레스를 받아 행디코드신호를 출력시키는 행디코더(11)와, 이 행디코더(11)로 부터 출력되는 행디코드신호를 동기신호(Ø)에 동기해서 래치시켜 워드선을 구동시키는 래치회로(12)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 메모리셀어레이(14)에 입력되는 행어드레스에 따라 워드선을 구동시키도록 된 반도체기억장치에 있어서, 상기 행어드레스를 받아 동기신호(Ø)의 1사이클의 전반에 있어서는 그 행어드레스를 래치시키고 상기 동기신호(Ø)의 1사이클의 후반에 있어서는 그 행어드레스를 그대로 출력시키는 마스터래치회로(12A)와, 이 마스터래치회로(12A)로 부터 출력되는 행어드레스신호른 받아 행디코드신호로 디코드해서 출력시키는 행디코더(11) 및, 이 행디코더(11)로 부터 출력되는 행디코드신호를 받아 상기 동기신호(Ø)의 1사이클의 후반에 있어서는 그 행디코드신호를 래치시키고 상기 동기신호(Ø)의 1사이클의 전반에 있어서는 그 행디코드신호를 그대로 출력시키는 슬레이브래치회로(12B)를 구비히여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 행어드레스에 의해 주워드선을 선택하고 섹션어드레스에 의해 섹션선택선을 선택하며 상기 선택된 주워드선과 상기 선택된 섹션선택선에 의해 메모리셀어레이(14)의 2중워드선을 구동시키도록 된 반도체 기억장치에 있어서, 행어드레스를 받아 행디코드신호를 출력시키는 행디코더(11)와, 이 행디코더(11)로 부터 출력되는 행디코드신호를 동기신호(Ø)에 동개해서 래치시켜 워드선을 구동시키는 래치회로(12), 섹션어드레스를 받아 섹션디코드신호를 출력시키는 섹션디코더(25) 및, 이 섹션디코더(25)로 부터 출력되는 섹션디코드신호를 상기 동기신호(Ø)에 동기해서 래치시켜 섹션선택선을 구동시키는 래치회로(26)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
  4. 행어드레스에 의해 주워드선을 선택하고 섹션어드레스에 의해 섹션선택선을 선택하며 상기 선택된 주워드선과 상기 선택된 섹션선택선에 의해 메모리셀어레이(14)의 워드선을 구동시키도록 된 반도체 기억장치에 있어서, 행어드레스를 받아 동기신호(Ø)의 1사이클의 전반에 있어서는 그 행어드레스를 래치시키고 상기 동기신호(Ø)의 1사이클의 후반에 있어서는 그 행어드레스를 그대로 출력시키는 마스터래치최핀(12A)와, 이 마스터래치회로(12A)로 부터 출력되는 행어드레스를 받아 행디코드신호로 디코드시켜 출력시키는 행디코더(11), 이 행디코더(11)로 부터 출력되는 행디코드신호를 받아 상기 동기신호(7)의 1사이클의 후반에 있어서는 그 행디코드신호를 래치시키고 상기 동기 신호(Ø)의 1사이클의 전반에 있어서는 그 행디코드신호를 그대로 출력시키는 슬레이브래치회로(12B), 섹션어드레스를 받아 동기신호(Ø)의 1사이클의 전반에 있어서는 그 섹션어드레스를 래치시키고 상기 동기신호(ψ)의 1사이클의 후반에 있어서는 그 섹션어드레스를 그대로 출력시키는 마스터래치회로(26A), 이 마스터래치회로(26A)로 부터 출력되는 섹션어드레스를 받아 섹션디코드신호를 출력시키는 섹션디코더(25) 및, 이 섹션디코더(25)로 부터 출력되는 섹션디코드신호를 받아 상기 동기신호(Ø)의 1사이클의 후반에 있어서는 그 섹션디코드신호를 래치시키고 상기 동기신호(Ø)의 1사이클의 전반에 있어서는 그 섹션디코드신호를 그대로 출력시키는 슬레이브래치회로(26B)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890016964A 1988-11-21 1989-11-21 반도체 기억장치 KR930000767B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-294401 1988-11-21
JP88-294401 1988-11-21
JP63294401A JPH02141993A (ja) 1988-11-21 1988-11-21 半導体記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900008522A true KR900008522A (ko) 1990-06-04
KR930000767B1 KR930000767B1 (ko) 1993-02-01

Family

ID=17807261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890016964A KR930000767B1 (ko) 1988-11-21 1989-11-21 반도체 기억장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5073873A (ko)
EP (1) EP0370460A3 (ko)
JP (1) JPH02141993A (ko)
KR (1) KR930000767B1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5398206A (en) * 1990-03-02 1995-03-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device with data error compensation
DE69130210T2 (de) * 1990-11-16 1999-01-21 Fujitsu Ltd Halbleiterspeicher mit hochgeschwindigkeitsadressendekodierer
US5799186A (en) * 1990-12-20 1998-08-25 Eastman Kodak Company Method and apparatus for programming a peripheral processor with a serial output memory device
JP3408552B2 (ja) * 1991-02-11 2003-05-19 インテル・コーポレーション 不揮発性半導体メモリをプログラム及び消去する回路とその方法
US5546561A (en) * 1991-02-11 1996-08-13 Intel Corporation Circuitry and method for selectively protecting the integrity of data stored within a range of addresses within a non-volatile semiconductor memory
TW294861B (ko) * 1992-02-21 1997-01-01 Siemens Ag
JPH05266654A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Mitsubishi Electric Corp マルチポートメモリ装置
JP3424262B2 (ja) * 1993-04-21 2003-07-07 ヤマハ株式会社 オンライン型カラオケシステム
JP2739809B2 (ja) * 1993-07-30 1998-04-15 日本電気株式会社 半導体集積回路
JPH07235193A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH0916468A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Nec Corp メモリアクセス方式
JP3630847B2 (ja) * 1996-05-16 2005-03-23 株式会社ルネサステクノロジ ラッチ回路
US6154056A (en) 1997-06-09 2000-11-28 Micron Technology, Inc. Tri-stating address input circuit
DE19928454B4 (de) * 1998-06-29 2010-01-21 Fujitsu Microelectronics Ltd. Speichervorrichtung mit Reihendecodierer
JP2004288225A (ja) 2001-03-29 2004-10-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Ｄｒａｍ及びアクセス方法
US7796464B1 (en) 2003-06-27 2010-09-14 Cypress Semiconductor Corporation Synchronous memory with a shadow-cycle counter

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58211393A (ja) * 1982-06-02 1983-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
JPS5960792A (ja) * 1982-09-30 1984-04-06 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
JPS5972698A (ja) * 1982-10-18 1984-04-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
JPS59155954A (ja) * 1983-02-24 1984-09-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
US4685088A (en) * 1985-04-15 1987-08-04 International Business Machines Corporation High performance memory system utilizing pipelining techniques
JPS62248195A (ja) * 1986-04-21 1987-10-29 Seiko Epson Corp 半導体記憶装置
JPH0821231B2 (ja) * 1986-08-13 1996-03-04 株式会社日立製作所 半導体メモリ
JPS63122089A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Nec Corp 半導体記憶装置
JPS63225991A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP2934444B2 (ja) * 1988-03-16 1999-08-16 株式会社日立製作所 半導体メモリ装置
JPH0291877A (ja) * 1988-09-27 1990-03-30 Nec Corp 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR930000767B1 (ko) 1993-02-01
EP0370460A2 (en) 1990-05-30
JPH02141993A (ja) 1990-05-31
US5073873A (en) 1991-12-17
EP0370460A3 (en) 1991-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900008522A (ko) 반도체 기억장치
KR920003305A (ko) 동기식 버스트 액세스메모리
TW335492B (en) Method and circuit for driving semiconductor memory device
KR880011794A (ko) 다이나믹형 디코우더 회로
KR890007504A (ko) 논리 연산회로
KR950009279A (ko) 메모리 시험을 실시하는 반도체 메모리 장치
KR880000966A (ko) 메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리 장치
KR970029836A (ko) 반도체기억장치 및 그의 액세스방법
KR960036749A (ko) 가변길이 복호화 장치
KR970017641A (ko) 프리페치방식의 컬럼디코더 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치
KR840002780A (ko) 페이지수 리시버(Receiver)
US5796675A (en) Synchronous memory device having dual input registers of pipeline structure in data path
US6356504B1 (en) Address generating and decoding circuit for use in a burst-type and high-speed random access memory device which has a single data rate and a double data rate scheme
KR960039001A (ko) 반도체 메모리 장치
KR920007187A (ko) 반도체 기억장치
KR0184464B1 (ko) 동기형 반도체 메모리장치의 디코딩 회로
KR970051151A (ko) 외부 데이타의 입력없이 라이트 동작을 수행하는 기능을 갖는 반도체 기억 장치
KR100274749B1 (ko) 싱크로너스 메모리
KR950015371A (ko) 디램소자의 로오 어드레스 패스 회로
KR910003510A (ko) 마이크로 채널 구조용 버스진행 감지 테스트지그
KR100294344B1 (ko) 디디알에스디램에서의칼럼디코딩장치
KR970051280A (ko) 동기 메모리를 위한 클럭 샘플링 장치
KR930006540A (ko) 승산 회로의 부분 승수 선택 회로
KR920003714A (ko) 공간 분할 교환의 출력 경로 점유 지시 장치
KR950035406A (ko) 가변길이부호 복호장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee