KR880009444A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 (가) 내지 (라)는 본 발명을 설명하기 위한 공정 단면도.
제 2 도 (가) 내지 (마)는 본 발명을 설명하기 위한 확대 저항을 표시하는 특성도.
Claims (1)
- 일도전형 반도체기판 표면에 역전도형의 불순물을 함유하는 퇴적층을 형성하고 전면에 역도전형인 에피택셜층을 적층한 후에 전술한 퇴적층을 쌓아 넣어서 고농도 매입층을 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서 전술한 퇴적층은 역도전형인 제1의 불순물을 주체로 하는 용액중에 전술한 제1의 불순물을 주체로 하는 용액중에 전술한 제1의 불순물로부터 확산 계수가 큰 역도전형인 제2의 불순물을 혼입한 용액을 사용하여 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
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1987
- 1987-01-12 KR KR1019870000162A patent/KR900003836B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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