KR20210104072A - 포지티브형 드라이 필름 레지스트 및 에칭 방법 - Google Patents
포지티브형 드라이 필름 레지스트 및 에칭 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210104072A KR20210104072A KR1020217021059A KR20217021059A KR20210104072A KR 20210104072 A KR20210104072 A KR 20210104072A KR 1020217021059 A KR1020217021059 A KR 1020217021059A KR 20217021059 A KR20217021059 A KR 20217021059A KR 20210104072 A KR20210104072 A KR 20210104072A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- positive
- resist
- film
- photosensitive resist
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 63
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 50
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 claims description 26
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 25
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 23
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 20
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 14
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 12
- -1 quinonediazide sulfonic acid ester Chemical class 0.000 abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 401
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 52
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 41
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 35
- 239000002585 base Substances 0.000 description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 19
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 18
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 10
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 9
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 7
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 5
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 5
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(O)=C1 OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PETRWTHZSKVLRE-UHFFFAOYSA-N 2-Methoxy-4-methylphenol Chemical compound COC1=CC(C)=CC=C1O PETRWTHZSKVLRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C)=C1C FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 3,5-xylenol Chemical compound CC1=CC(C)=CC(O)=C1 TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPWGZBWDLMDIHO-UHFFFAOYSA-N 3-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=CC(O)=C1 MPWGZBWDLMDIHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 2
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N oxidanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound O.CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- GGHDAUPFEBTORZ-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diamine Chemical compound CCC(N)N GGHDAUPFEBTORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 2
- RJHSCCZVRVXSEF-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl) benzoate Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC(=O)C1=CC=CC=C1 RJHSCCZVRVXSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005207 1,3-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1 KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJWNFAKWHDOUKL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-yl)phenol Chemical compound C=1C=CC=C(O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 CJWNFAKWHDOUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCCILVSKPBXVIP-UHFFFAOYSA-N 2-(4-hydroxyphenyl)ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(O)C=C1 YCCILVSKPBXVIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 2-allylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC=C QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDMGNVWZXRKJNS-UHFFFAOYSA-N 2-benzylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1 CDMGNVWZXRKJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIGHPXPUHJFRHG-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-2-phenylacetaldehyde Chemical compound O=CC(Cl)C1=CC=CC=C1 RIGHPXPUHJFRHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSKPIOLLBIHNAC-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-acetaldehyde Chemical compound ClCC=O QSKPIOLLBIHNAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCISRQNKHZNVHJ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-phenylacetaldehyde Chemical compound O=CC(O)C1=CC=CC=C1 JCISRQNKHZNVHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIUPEMZFEIYROV-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-2-phenylacetaldehyde Chemical compound COC(C=O)C1=CC=CC=C1 YIUPEMZFEIYROV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 2-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1O LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 236TMPh Natural products CC1=CC=C(C)C(O)=C1C QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQYPVEKEHDLOBS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-hydroxypropoxy)propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)COCC(O)CO WQYPVEKEHDLOBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJCVPQRHRKYSAZ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-Hydroxyphenyl)-1-propanol Chemical compound OCCCC1=CC=C(O)C=C1 NJCVPQRHRKYSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQSXUKPGWMJYBT-UHFFFAOYSA-N 3-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC(O)=C1 MQSXUKPGWMJYBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAKURXIZZOAYBC-UHFFFAOYSA-N 3-oxopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CC=O OAKURXIZZOAYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWEDBUUPMLVCDP-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxybutyl)phenol Chemical compound OCCCCC1=CC=C(O)C=C1 QWEDBUUPMLVCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 4-Propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=C(O)C=C1 KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 4-n-Butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(O)C=C1 CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXXLCMPSLFIEEH-UHFFFAOYSA-N 4h-naphthalene-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2CC(=O)CC(=O)C2=C1 KXXLCMPSLFIEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 6-[(E)-C-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-N-hydroxycarbonimidoyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C/C(=N/O)/C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 0.000 description 1
- DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 6-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]acetyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 6-[5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-4,5-dihydro-1,2-oxazol-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC1CC(=NO1)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MNQZXJOMYWMBOU-VKHMYHEASA-N D-glyceraldehyde Chemical compound OC[C@@H](O)C=O MNQZXJOMYWMBOU-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N Isopropylaldehyde Chemical compound CC(C)C=O AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-M Pyruvate Chemical compound CC(=O)C([O-])=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 102000011759 adducin Human genes 0.000 description 1
- 108010076723 adducin Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- HRBFQSUTUDRTSV-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-triol;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.OC1=CC=CC(O)=C1O HRBFQSUTUDRTSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N crotonaldehyde Chemical compound C\C=C\C=O MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N crotonaldehyde Natural products CC=CC=O MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- AGADEVQOWQDDFX-UHFFFAOYSA-N methyl 3-oxopropanoate Chemical compound COC(=O)CC=O AGADEVQOWQDDFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N methyl salicylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1O OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N phenylglyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229940057847 polyethylene glycol 600 Drugs 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 150000003232 pyrogallols Chemical class 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 description 1
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 1
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
본 발명의 과제는, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재에 첩부한 후에, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (b) 박리층의 계면으로부터 용이하게 떼어낼 수 있고, 또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿할 때에 균열이 잘 발생하지 않는 포지티브형 드라이 필름 레지스트와 그 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 사용한 에칭 방법을 제공하는 것이며, 적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 이 순서로 적층하여 이루어지고, (b) 박리층이, 폴리비닐알코올을 포함하고, 또한, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르를 주성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트, 및, 그 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 사용한 에칭 방법에 의해 상기 과제를 해결하였다.
Description
본 발명은 포지티브형 드라이 필름 레지스트 및 에칭 방법에 관한 것이다.
프린트 배선판, 리드 프레임, 메탈 마스크, 쉐도우 마스크, 반도체 패키지, 전극 부재, 전자파 실드 등의 제조에 있어서, 금속 에칭이나 금속 도금 등의 금속 가공을 실시할 때에, 레지스트가 사용되고 있다. 예를 들어, 메탈 마스크, 리드 프레임, 쉐도우 마스크, 프린트 기판 등의 제조에 있어서, 각종 기재의 금속을 에칭하는 방법이 실시되고 있다. 이 에칭에 사용되는 레지스트로는, 폴리비닐알코올 (PVA), 젤라틴, 카세인 등의 수용성 고분자에, 중크롬산암모늄 등의 광 가교 시약을 혼합하는 것에 의한 광 가교를 이용한 감광성 수지 조성물이 사용되어 왔다. 그러나, 이 감광성 수지 조성물은, 크롬 폐액의 처리가 어려운 등의 문제를 가지고 있어, 현재는, 그 대부분이 알칼리 수용액 현상형 감광성 수지 조성물을 사용한 드라이 필름 레지스트로 치환되어 있다.
현재, 이 드라이 필름 레지스트로는 네거티브형 감광성 레지스트가 이용되고 있으며, 알칼리 가용성 수지와 광 중합성 가교제와 광 중합 개시제를 조합한 조성물이 일반적이다. 기재에 드라이 필름 레지스트를 열 압착하고, 화상 형성한 포토마스크를 통한 자외선 노광에 의해 화상 형상으로 감광성 수지층을 경화, 난용성으로 한 후, 1 질량％ 탄산나트륨 수용액 등의 알칼리성 현상액으로 미노광부를 현상액에 용출시켜 레지스트 패턴이 형성된다.
그러나, 네거티브형 감광성 레지스트에는, 시간 경과적 변화에 의해 감도 변화가 생기는 문제 및 현상 후에 기재의 표면에 레지스트 성분의 잔류물이 생기는 문제가 있다. 또, 금속 에칭 가공 후에 레지스트를 박리시킬 때에는, 강알칼리성 또는 유기 아민을 함유하는 특수한 박리액을 사용할 필요가 있다.
한편, 포지티브형 감광성 레지스트는, 광 중합을 저해하는 공기 중의 산소의 영향을 잘 받지 않아, 시간 경과적 변화에 의한 감도 변화도 작고, 나아가서는 금속 에칭 가공 후에는 레지스트를 전체면 노광하여 현상액 등으로 처리함으로써, 레지스트 패턴을 용이하게 용해 박리할 수 있는 등의 이점이 있다. 또, 네거티브형 감광성 레지스트와 비교하여, 레지스트가 현상액에 잘 팽윤하지 않기 때문에, 미세 패턴에 유리하다.
포지티브형 감광성 레지스트에 있어서는, 최근, 액상 레지스트가 널리 사용 되고 있으며, 기재에 대한 레지스트층의 형성 방법으로는, 스핀 코트나 롤 코트 등으로, 직접 기재에 도공하는 방법이 적용되고 있다. 그러나, 액상 레지스트에 있어서는, 액의 로스가 많아, 도공 시간이 걸린다. 포지티브형 감광성 레지스트는 고가이기 때문에, 액 로스는 바람직하지 않다. 또, 액상 레지스트에 있어서는, 양면 동시에 레지스트층을 형성하거나, 레지스트층을 균일하게 형성하거나 하는 것도 어렵다. 그 때문에, 포지티브형 감광성 레지스트를 드라이 필름 레지스트로 하고, 열 압착하여 라미네이트하는 방법이 강하게 요망되고 있다.
한편, 종래부터 널리 이용되어 온 포지티브형 감광성 레지스트로는, 퀴논디아지드계의 재료와 노볼락 수지를 주성분으로 하는 재료를 들 수 있다. 이 포지티브형 감광성 레지스트를 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 지지체에 도공하고, 포지티브형 드라이 필름 레지스트로 하면, 지지체 필름과 포지티브형 감광성 레지스트층의 접착력이 높아, 라미네이트법으로 기재 상에 열 압착한 후, 지지체 필름을 떼어내는 공정에 있어서, 지지체 필름이 벗겨지지 않는 문제가 있었다 (예를 들어, 특허문헌 1).
또, 포지티브형 감광성 레지스트층을 기재에 첩부 (貼付) 할 수 있었다고 해도, 노볼락 수지는 구리 피복 적층판 등의 기재에 대하여 밀착력이 부족하기 때문에, 에칭 가공에 있어서의 사이드 에칭량이 커져 버려, 선폭의 편차가 발생한다는 문제가 있었다.
또, 노볼락 수지는 단단하고, 막질이 부서지기 쉽고, 유연성이 부족하기 때문에, 라미네이트법에 의해 기재 상에 열 압착했을 때에, 기재에 잘 첩부되지 않는다는 문제가 있었다. 라미네이터의 열 롤의 온도를 높게 하거나, 반송 속도를 느리게 하는 등의 수단에 의해, 충분한 열과 압력을 공급하면, 라미네이트하는 것도 가능하지만, 130 ℃ 이상의 온도를 가하면, 지지체가 연화하여, 신축이 일어나 버리는 문제가 발생한다. 또, 포지티브형 감광성 레지스트층이 충분히 연화하기 어렵기 때문에, 기재와 포지티브형 감광성 레지스트층의 사이에 기포가 들어가는 문제가 발생하는 경우도 있었다.
또, 라미네이트법에 의해 열 압착할 수 있도록, 포지티브형 감광성 레지스트층에 가소제를 넣거나, 노볼락 수지의 연화점을 낮게 하거나 함으로써, 포지티브형 감광성 레지스트층의 연화점을 낮게 하여, 라미네이트 특성을 부여하는 경우가 있다.
그러나, 이와 같이 했을 경우, 지지체 필름에 포지티브형 감광성 레지스트층용의 도액을 도공하고, 건조시킨 후에 권취하여, 롤상으로 보관하면, 실온 장기간 보관으로 포지티브형 감광성 레지스트층이, 반대측의 지지체 필름에 달라붙는 「블로킹」 이라 불리는 문제가 발생한다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 예를 들어, 네거티브형 감광성 레지스트이면, 폴리에틸렌 필름이나 폴리프로필렌 필름을 보호 필름으로 하여 감광성 레지스트층에 첩부하는 대책이 채택된다.
그러나, 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 있어서, 폴리에틸렌 필름이나 폴리프로필렌 필름을 보호 필름으로 사용하는 경우, 충분한 밀착력이 없어, 실온에서의 보호 필름의 첩부가 곤란하고, 또, 열을 가하여 보호 필름을 첩부한 경우, 폴리에틸렌 필름이나 폴리프로필렌 필름에 주름이 발생하여 문제였다.
또, 블로킹하지 않도록 포지티브형 감광성 레지스트층을 단단하게 하는 것도 가능하다. 그러나, 원래, 포지티브형 감광성 레지스트층은 유연성이 부족하기 때문에, 상기 서술한 과제가 보다 발생하기 쉬워진다. 또한, 포지티브형 감광성 레지스트층이 유연성이 부족하여, 부서지기 쉽기 때문에, 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡된 경우, 균열 (크랙) 이 발생하는 경우가 있다. 또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 롤상으로 하는 것에 난점이 있다. 즉, 통상적으로, 광폭의 롤로부터 원하는 폭의 롤 제품으로 슬릿 가공하지만, 부서지기 쉬운 포지티브형 감광성 레지스트층에 균열이 발생하여, 단부 (端部) 로부터 절삭 부스러기가 발생하기 쉽다.
또, 통상적으로, 롤상의 포지티브형 드라이 필름 레지스트를, 매엽 (枚葉) 기재에 연속으로 열 압착하지만, 각 기재 사이에서 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷할 필요가 있고, 그 때에도 포지티브형 감광성 레지스트층이 깨져, 절삭 부스러기가 발생하기 쉽다. 그리고, 절삭 부스러기가 기재 상에 부착되어 결함이 되는 문제가 발생하는 경우가 있었다 (예를 들어, 특허문헌 2).
이들 문제에 대해, 지지체 필름과 포지티브형 감광성 레지스트층의 사이에 박리층을 형성한다는 해결책이 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 및 4).
특허문헌 3 에는, 이형층을 갖는 가박성 (可剝性) 지지체층 (지지체 필름), 포토레지스트층의 제 1 층 및 첩부 가능한 가교 또는 가교성 유기 중합체의 제 2 층의 순서로 구성되어 있는 다층 드라이 필름 포토레지스트가 개시되어 있다. 또, 특허문헌 4 에는, 지지 필름 (지지체 필름) 과, 레지스트막의 기계적 강도를 보강하기 위한 드라이 필름 레지스트막과, 패턴 형성에 제공되는 레지스트막을 포함하는 레지스트 필름이 개시되어 있다. 박리층에 의해, 열 압착 후의 지지체 필름의 박리를 용이하게 할 수 있다. 또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡되었다고 해도, 포지티브형 감광성 레지스트층의 균열이 발생하지 않도록, 또, 박리층이나 포지티브형 감광성 레지스트층이 벗겨지지 않도록, 또한, 컷 또는 슬릿한 경우에 균열이 발생하지 않도록, 박리층과 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력을 높일 필요가 있다. 그러나, 박리층과 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력이 강해질수록, 열 압착 후의 박리에 있어서, 지지체 필름만이 벗겨져, 박리층이 포지티브형 감광성 레지스트층 상에 남기 쉬워지는 경향이 있다. 포지티브형 감광성 레지스트층 상에 박리층이 남아 있으면, 노광 시에, 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광 부분으로부터 발생하는 가스가, 포지티브형 감광성 레지스트층과 박리층의 사이에 축적되기 때문에, 현상 후의 화선 (畵線) 에 결함이 생겨 버리는 문제가 발생하는 경우가 있었다. 특허문헌 3 에서는, 포토레지스트층의 지지체 필름과는 첩부 가능한 제 2 층을 가지고 있기 때문에, 포토레지스트층의 벗겨짐이나 박리가 억제되어 있다. 그러나, 미세 패턴을 형성하기 위해서는, 제 2 층이 없는 것이 바람직하다.
특허문헌 4 에서는, 기계적 강도를 보강하기 위한 드라이 필름 레지스트막을 화학 처리에 의해 제거한 후에, 레지스트막으로 패턴 형성을 하고 있기 때문에, 가스에 의한 화상 결함의 문제는 발생하지 않지만, 화학 처리라는 공정을 늘릴 필요가 있다. 그 때문에, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재에 열 압착한 후에 지지체 필름 및 박리층을, 포지티브형 감광성 레지스트층과 박리층의 계면으로부터 용이하게 떼어낼 수 있는 것이 요구되고 있다.
또, 지지체 필름과 포지티브형 감광성 레지스트층의 사이에 박리층을 형성한 경우, 기포나 이물질이 들어간 박리층 상에 형성된 포지티브형 감광성 레지스트층에 핀홀 결함이 발생하는 문제가 있었다.
본 발명의 과제는, 하기 특성 중 적어도 하나를 갖는 포지티브형 드라이 필름 레지스트와, 그 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 사용한 에칭 방법을 제공하는 것이다.
＜A＞ 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재에 열 압착한 후에, 지지체 필름 및 박리층을, 포지티브형 감광성 레지스트층과 박리층의 계면으로부터 용이하게 떼어낼 수 있다.
＜B＞ 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿하는 경우나 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡된 경우에, 벗겨짐 또는 균열 (크랙) 이 잘 발생하지 않는다.
＜C＞ 라미네이터를 사용하여 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재에 첩부할 때, 포지티브형 감광성 레지스트층과 기재 사이에 있어서, 기포가 잘 들어가지 않고, 양호하게 첩부 가능하다.
＜D＞ 사이드 에칭량이 적고, 선폭의 편차가 적고, 미세한 패턴의 형성이 가능하다.
＜E＞ 핀홀 결함이 잘 발생하지 않는다.
＜F＞ 지지체 필름과 포지티브형 감광성 레지스트층의 사이에서 블로킹이 잘 발생하지 않는다.
상기 과제는 하기 수단에 의해 해결된다.
＜1＞
적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 이 순서로 적층하여 이루어지고, (b) 박리층이, 폴리비닐알코올을 포함하고, 또한, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르를 주성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜2＞
(b) 박리층의 전체 불휘발분량에 대하여, 폴리비닐알코올의 함유율이 80 질량％ 이상인 ＜1＞ 기재의 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜3＞
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유하는 ＜1＞ 또는 ＜2＞ 기재의 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜4＞
상기 노볼락 수지가 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함하고, 상기 퀴논디아지드술폰산에스테르가 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를 포함하는 ＜1＞ ∼ ＜3＞ 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜5＞
상기 폴리비닐알코올이, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올을 포함하는 ＜1＞ ∼ ＜4＞ 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜6＞
(a) 지지체 필름의 (b) 박리층 측에 코로나 방전 처리가 실시되어 있고, 또한 (b) 박리층의 두께가 1 ∼ 4 ㎛ 이고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께가 3 ∼ 8 ㎛ 인 ＜1＞ ∼ ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜7＞
적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (d) 보호 필름이 이 순서로 적층하여 이루어지고, (d) 보호 필름이 자기 점착성 수지 필름으로 이루어지는 ＜1＞ ∼ ＜6＞ 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
＜8＞
기재의 적어도 편면에, ＜1＞ ∼ ＜6＞ 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 라미네이트법으로 첩부하고, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 동시에 제거하고, 다음으로 원하는 패턴을 노광하고, 다음으로 현상액에 의해 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고, 다음으로 기재를 에칭 처리하고, 다음으로 박리액에 의해 레지스트 박리를 실시하는 에칭 방법.
＜9＞
＜7＞ 기재의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (d) 보호 필름을 떼어낸 후, 기재의 적어도 편면에, 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 라미네이트법으로 첩부하고, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 동시에 제거하고, 다음으로 원하는 패턴을 노광하고, 다음으로 현상액에 의해 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고, 다음으로 기재를 에칭 처리하고, 다음으로 박리액에 의해 레지스트 박리를 실시하는 에칭 방법.
본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 일 양태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 이 순서로 적층하여 이루어진다. 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 상기한 과제를 해결하는 것이 가능하다.
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층은, 단단하고, 유연성이 낮은 노볼락 수지를 포함하고 있지만, (b) 박리층에 의해, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력이 높아져, 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡된 경우나 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿한 경우에도, 균열이 잘 발생하지 않는다.
또, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층 사이의 밀착력도 강고하여, 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡된 경우에도, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층 사이에서의 벗겨짐, 및, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 사이에서의 벗겨짐이 잘 발생하지 않는다.
(b) 박리층의 전체 불휘발분량에 대하여, 폴리비닐알코올의 함유율이 80 질량％ 이상임으로써, 상기 어느 밀착력이더라도 보다 강고해진다.
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층 내의 성분 중, 주성분인 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르에 의해, 감광 특성이 발현한다.
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유하는 경우, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 연화시켜, 라미네이트 특성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유함으로써, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 감도, 알칼리 현상성, 레지스트 형상 등의, 감광 특성이나 현상 특성을 저해하는 일 없이, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 연화할 수 있고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 기재의 사이에 기포가 들어가는 것을 억제할 수 있어, 양호하게 첩부 가능해진다.
또, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 함유되는 노볼락 수지가 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함하는 경우, 폴리비닐알코올을 포함하는 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력이 높고, 또, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층 사이도 강고하게 밀착되어 있기 때문에, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿한 경우에도, 균열이 잘 발생하지 않는다.
또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 절곡한 경우에 있어서도, (b) 박리층이나 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 박리가 잘 발생하지 않는다. 또한, 그 노볼락 수지가 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함함으로써, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 기재의 밀착력이 우수하고, 에칭 후의 선폭의 편차가 작아진다.
그리고, 기재에 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 열 압착 후, (a) 지지체 필름을 박리할 필요가 있지만, (b) 박리층이, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올을 포함함으로써, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 용이하게 떼어낼 수 있다.
또, 노볼락 수지로서 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 사용함으로써, 기재와의 밀착력이 우수하고, 에칭 후의 선폭의 편차가 작아진다.
또, (a) 지지체 필름의 (b) 박리층 측에 코로나 방전 처리가 실시되어 있음으로써, (b) 박리층과의 밀착력이 높아져, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층으로부터 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을 동시에 떼어내기 쉬워진다.
또, (b) 박리층의 두께가 1 ∼ 4 ㎛ 인 경우, 도공 시에 레벨링이 진행되어, 기포 등이 원인인 핀홀 결함이 적어지는 효과가 얻어진다. 또한, (b) 박리층의 두께가 4 ㎛ 이하로 얇아도, (a) 지지체 필름에 코로나 방전 처리가 실시되어 있으면, 기재에 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 첩부한 후, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 계면으로부터 잘 벗겨지지 않아, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 동시에 제거하기 쉬워진다.
또, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층은, 단단하고, 유연성이 낮은 경우가 많지만, 두께가 3 ∼ 8 ㎛ 임으로써, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿할 때에 단부로부터 절삭 부스러기가 잘 발생하지 않고, 또, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 용이하게 떼어낼 수 있다.
본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 다른 양태에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (d) 보호 필름이 이 순서로 적층하여 이루어진다.
(d) 보호 필름이 자기 점착성 수지 필름임으로써, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 열을 가하여 (d) 보호 필름을 첩부할 필요가 없고, 또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿해도, 균열이나 절삭 부스러기가 잘 발생하지 않고, 블로킹도 잘 발생하지 않는다.
도 1 은, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 일 양태를 나타내는 단면 (斷面) 개략도이다.
도 2 는, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 다른 양태를 나타내는 단면 개략도이다.
도 2 는, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 다른 양태를 나타내는 단면 개략도이다.
＜포지티브형 드라이 필름 레지스트＞
본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 일 양태에서는, 적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 이 순서로 적층하여 이루어진다. 또, 다른 양태에서는, 적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (d) 보호 필름이 이 순서로 적층하여 이루어진다.
그리고, (b) 박리층이, 폴리비닐알코올을 포함하고, 또한, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르를 주성분으로서 포함하는 것을 특징으로 한다.
＜(a) 지지체 필름＞
(a) 지지체 필름으로는, (b) 박리층을 형성할 수 있고, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를, 라미네이트법으로 기재에 첩부한 후에 박리할 수 있으면, 어떠한 필름이어도 된다. 광을 투과하는 투명 필름, 또는, 광을 차광하는 백색 필름 혹은 유색 필름이어도 된다.
예를 들어, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 ; 폴리이미드 ; 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 난연 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르의 필름 ; 폴리카보네이트, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에테르이미드, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리우레탄 등의 필름을 사용할 수 있다. 그 중에서도 특히, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하면, 라미네이트 적성, 박리 적성, 평활성에 대해 유리하고, 또, 저렴하고, 취화 (脆化) 하지 않고, 내용제성이 우수하고, 높은 인장 강도를 갖는 등의 이점에서, 매우 이용하기 쉽다.
(a) 지지체 필름의 두께는, 1 ∼ 100 ㎛ 인 것이 바람직하고, 12 ∼ 50 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서는, (a) 지지체 필름의 (b) 박리층 측에, (b) 박리층을 형성하기 전에 코로나 방전 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 코로나 방전 처리는, 전극으로부터 지지체 필름 표면을 향해서 코로나 방전을 조사한다. (a) 지지체 필름의 표면에 코로나 방전 처리를 실시함으로써, 표면 장력을 저하시켜, (b) 박리층과의 밀착력을 높일 수 있고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층으로부터 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을 동시에 떼어내기 쉬워진다. 바람직한 코로나 방전량은, 10 ∼ 200 W·min/㎡ 이다.
＜(b) 박리층＞
(b) 박리층은, 폴리비닐알코올을 포함한다.
박리층용 도액인 폴리비닐알코올 수용액을, (a) 지지체 필름 상에 도공함으로써, (b) 박리층을 형성할 수 있다.
(a) 지지체 필름의 (b) 박리층 측에, (b) 박리층을 형성하기 전에 코로나 방전 처리가 실시되어 있는 경우에는, 폴리비닐알코올 수용액을, (a) 지지체 필름의 코로나 방전 처리가 실시된 면 (코로나 방전 처리면) 상에 도공하여, 건조시킴으로써, (b) 박리층을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, (b) 박리층은, (b) 박리층 상에 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 불균일 없이 균일하게 형성할 수 있는 특성을 가지고 있다. 또, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 밀착력이 우수하고, 또한 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 밀착력도 우수하다.
(b) 박리층에 있어서, 폴리비닐알코올의 함유율은, (b) 박리층의 전체 불휘발분량에 대하여, 80 ∼ 100 질량％ 인 것이 바람직하고, 90 ∼ 100 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 95 ∼ 100 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다.
그 함유율이 80 질량％ 미만인 경우, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력이 높아짐으로써, (b) 박리층과 (a) 지지체 필름을 함께 떼어내는 것이 어려워지는 경우가 있으며, (a) 지지체 필름을 떼어내면, (b) 박리층이 (c) 포지티브형 감광성 레지스트 상에 남을 우려, 또는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층마다 부분적으로 벗겨질 우려가 있다.
또한, 상기 「전체 불휘발분량」 이란, 박리층용 도액을 (a) 지지체 필름 상에 도공하고, 충분히 건조시켜 (b) 박리층을 형성시킨 경우에는, (b) 박리층 전체의 질량을 말한다.
또한, 폴리비닐알코올의 함유율이 100 질량％ 미만인 경우, 나머지 성분으로는, 가소제 등의 저분자 화합물 또는 고분자 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물로는, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리(메트)아크릴산, 폴리(메트)아크릴산에스테르, 카르복시메틸셀룰로오스 (CMC), 아교, 카세인, 알긴산나트륨, 아세트산비닐 수지, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴로일모르폴린 등의 수용성 수지를 들 수 있다.
(b) 박리층에 사용되는 폴리비닐알코올은, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올을 포함하는 것이 바람직하고, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올인 것이 특히 바람직하다.
그 폴리비닐알코올로는, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층 사이의 밀착력이 높고, 또한 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력에 의해, 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡된 경우에도, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 벗겨짐이 억제되고, 또한, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층으로부터 박리할 때에, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 응집 파괴가 잘 발생하지 않는 폴리비닐알코올이 바람직하다.
상기 폴리비닐알코올의 비누화도는, 82 ∼ 99.5 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 83 ∼ 98 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다. 사용하는 폴리비닐알코올은, 미변성의 것이어도, 부분적으로 변성기를 도입하여, 내수성, 내용제성, 내열성, 배리어성, 유연성 등의 기능성을 부여한 것을 사용할 수도 있다. 또, 합성품을 사용해도 되고, 시판품을 사용해도 된다.
시판품으로는, 한정되지는 않지만, 예를 들어, 주식회사 쿠라레 제조의 쿠라레 포발 (등록상표) 3-98, 4-98 HV, 5-98, 11-98, 28-98, 60-98, (이상, 비누화도 = 98 ∼ 99 ㏖％), 3-88, 5-88, 9-88, 22-88, 30-88, 44-88, 95-88 (이상, 비누화도 = 86 ∼ 89 ㏖％), 29-99, 25-100 (이상, 비누화도 = 99 ㏖％ 이상) ; 니혼 사쿠비·포발 주식회사 제조의 JC-25, JC-33 (이상, 비누화도 = 99 ㏖％ 이상), JF-03, JF-04, JF-05 (이상, 비누화도 = 98 ∼ 99 ㏖％), JP-03, JP-04 (이상, 비누화도 = 86 ∼ 90 ㏖％), JP-05 (비누화도 = 87 ∼ 89 ㏖％), JP-45 (비누화도 = 86.5 ∼ 89.5 ㏖％), JL-18E (비누화도 = 83 ∼ 86 ㏖％) ; 미츠비시 케미컬 주식회사 제조의 고세넥스 (등록상표) 시리즈 Z-100, Z-200, Z-205 (이상, 비누화도 = 98 ㏖％ 이상), Z-300, Z-410 (이상, 비누화도 = 97.5 ∼ 99 ㏖％), Z-210 (비누화도 = 95 ∼ 97 ㏖％), Z-220, Z-320 (이상, 비누화도 = 90.5 ∼ 94 ㏖％) 등을 들 수 있다.
(b) 박리층에 있어서, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올의 함유율은 (b) 박리층의 전체 불휘발분량에 대하여, 80 ∼ 100 질량％ 인 것이 바람직하고, 90 ∼ 100 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 95 ∼ 100 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다.
그 함유율이 80 질량％ 미만인 경우, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 사이의 밀착력이 지나치게 높아짐으로써, (b) 박리층과 (a) 지지체 필름을 함께 떼어내는 것이 어려워지는 경우가 있으며, (a) 지지체 필름을 떼어낼 때에, (b) 박리층이 (c) 포지티브형 감광성 레지스트 상에 남는 경우, 또는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층마다 부분적으로 벗겨지는 경우가 있다.
또한, 그 함유율이 100 질량％ 미만인 경우, 나머지 성분으로는, 특별히 한정은 없지만, 상기 서술한, 가소제 등의 저분자 화합물 또는 고분자 화합물 등을 들 수 있다. 또, 비누화도 82 ㏖％ 미만의 폴리비닐알코올을 들 수 있다.
(b) 박리층의 두께는, 1 ∼ 20 ㎛ 가 바람직하고, 1 ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 ㎛ 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 2 ㎛ 가 특히 바람직하다. 1 ㎛ 보다 얇으면, 피막 형성했을 때에 두께 불균일이나 핀홀의 문제가 발생하기 쉬운 경우가 있다. 20 ㎛ 보다 두꺼우면, (b) 박리층용 도액이 수계이기 때문에 잘 건조되지 않아, 도공 후의 건조 공정이 길어지는 경향이 있다.
또, (b) 박리층용 도액 중의 기포가 잔존하여, 그에 따른 핀홀 결함이 발생하는 과제를 해결하기 위해서는, (b) 박리층의 두께가 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. (b) 박리층의 두께는, 건조 후의 두께이다.
＜(c) 포지티브형 감광성 레지스트층＞
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층은, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르를 주성분으로서 포함한다. 「주성분으로서 포함한다」 는 것은, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 전체 불휘발분량에 대한, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르의 합계의 함유율이, 60 질량％ 이상인 것을 말한다. 그 함유율은, 70 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 75 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 상한값은 100 질량％ 이다.
또한, 상기 「전체 불휘발분량」 이란, 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 (b) 박리층 상에 도공하고, 충분히 건조시켜 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 형성시킨 경우에는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 전체의 질량을 말한다.
상기 노볼락 수지는, 페놀류 혹은 나프톨류와 알데히드류 혹은 케톤류를, 산 촉매를 사용하여 축합하여 얻어지는 수지이다. 또한, 여기서의 「페놀류」 란, 크레졸류, 자일레놀류, 레조르시놀류, 카테콜류, 피로갈롤류 등의 「벤젠 고리 등의 방향 고리에 페놀성 수산기가 결합한 것 전체」 도 포함하는 것이다.
그 노볼락 수지로는, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 자일레놀 노볼락 수지, 레조르시놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지 등을 들 수 있다.
노볼락 수지의 원료가 되는 페놀류 혹은 나프톨류로는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들어, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-프로필페놀, m-프로필페놀, p-프로필페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 옥틸페놀, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 메톡시페놀, 2-메톡시-4-메틸페놀, 비닐페놀, 알릴페놀, 벤질페놀, 메톡시카르보닐페놀, 벤조일옥시페놀, 클로로페놀, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, 비스페놀 A, 비스페놀 F, β-나프톨, p-하이드록시페닐-2-에탄올, p-하이드록시페닐-3-프로판올, p-하이드록시페닐-4-부탄올, 하이드록시에틸크레졸 등을 들 수 있다. 이들 페놀류는, 단독 또는 2 종류 이상 조합하여 사용할 수 있다.
노볼락 수지를 얻기 위해서 사용되는 알데히드류 혹은 케톤류로는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들어, 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 부틸 알데히드, 이소부틸알데히드, 푸르푸랄, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 메톡시벤즈알데히드, 하이드록시페닐아세트알데히드, 메톡시페닐아세트알데히드, 크로톤알데히드, 클로로아세트알데히드, 클로로페닐아세트알데히드, 아세톤, 글리세르알데히드, 글리옥실산, 글리옥실산메틸, 글리옥실산페닐, 글리옥실산하이드록시페닐, 포르밀아세트산, 포르밀아세트산메틸 등을 들 수 있다. 이들 알데히드류 혹은 케톤류는 단독 또는 2 종류 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또, 이들 축합물을 사용해도 된다.
상기 노볼락 수지는, o-크레졸 노볼락 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
여기서, 「o-크레졸 노볼락 수지」 란, 노볼락 수지의 원료가 되는 페놀류 혹은 나프톨류의 전체에 대하여, o-크레졸을 50 ∼ 100 ㏖％ 포함하고, 노볼락 수지의 원료가 되는 알데히드류 혹은 케톤류의 전체에 대하여, 포름알데히드 또는 포름알데히드의 축합물을 50 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 수지를 말한다.
o-크레졸을, 60 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 보다 바람직하고, 70 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 더욱 바람직하고, 80 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 그 이상으로 바람직하고, 90 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 한층 바람직하고, 96 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 특히 바람직하다. 또, 포름알데히드 또는 포름알데히드의 축합물을, 60 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 보다 바람직하고, 70 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 더욱 바람직하고, 80 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 그 이상으로 바람직하고, 90 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 한층 바람직하고, 96 ∼ 100 ㏖％ 포함하는 것이 특히 바람직하다.
o-크레졸이 100 ㏖％ 미만인 경우, 나머지 성분으로는, 특별히 한정은 없지만, 상기한 「페놀류 혹은 나프톨류」 등을 들 수 있다.
포름알데히드 또는 포름알데히드의 축합물이 100 ㏖％ 미만인 경우, 나머지 성분으로는, 특별히 한정은 없지만, 상기한 「알데히드류 혹은 케톤류」 등을 들 수 있다.
상기 o-크레졸 노볼락 수지의 질량 평균 분자량이 16000 이상임으로써, 내산성 및 기재와의 밀착력을 높일 수 있고, 에칭 가공에 있어서 사이드 에칭량이 작아진다는 효과가 얻어지기 쉽다. 한편, 질량 평균 분자량이 75000 이하이면, 감도가 향상됨과 함께, 기재와의 밀착력이 매우 높아져, 에칭 가공에 있어서 사이드 에칭량이 작아진다는 효과가 얻어지기 쉽다.
보다 바람직한 질량 평균 분자량은, 22000 ∼ 51000 이고, 더욱 바람직한 질량 평균 분자량은 26000 ∼ 43000 이다. 여기서, 질량 평균 분자량은, 고속 액체 크로마토그래프에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 말한다.
상기한 「질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지」 의, 「(c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 함유되는 노볼락 수지」 전체에 대한 함유율은, 60 ∼ 100 질량％ 가 바람직하고, 70 ∼ 100 질량％ 가 보다 바람직하고, 80 ∼ 100 질량％ 가 더욱 바람직하고, 90 ∼ 100 질량％ 가 특히 바람직하다.
상기 범위 내로 함으로써, 상기한 효과가 특히 얻어진다.
상기 함유율이 100 질량％ 가 아닌 경우에는, 그 밖의 노볼락 수지로는, 상기한 바와 같은 노볼락 수지, 상기한 원료로부터 얻어지는 노볼락 수지, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 16000 ∼ 75000 의 범위에 들어가 있지 않은 o-크레졸 노볼락 수지 등을 들 수 있다.
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 함유되는 퀴논디아지드술폰산에스테르로는, 구체적으로는, 예를 들어, 2,4-디하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어, 페놀 수지의 퀴논디아지드술폰산에스테르, 쿠밀페놀의 퀴논디아지드술폰산에스테르, 피로갈롤·아세톤 수지의 퀴논디아지드술폰산에스테르 등을 들 수 있다.
본 발명에서는, 상기 퀴논디아지드술폰산에스테르가, 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 퀴논디아지드술폰산에스테르의 배합량은, 노볼락 수지 100 질량부에 대하여, 10 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 15 ∼ 40 질량부인 것이 보다 바람직하다. 이 배합량으로 함으로써, 내산성이나 기재와의 밀착력이 현저하게 우수하고, 금속이나 금속 산화막 등의 각종 소재의 에칭 가공에 적합하다.
본 발명에 있어서의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 있어서는, 상기한 「질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함하는 노볼락 수지」 를 포함하고, 또한, 상기 퀴논디아지드술폰산에스테르가 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를 포함하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유하는 것이 바람직하다. 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르는 일반식 (i) 로 나타내는 화합물이며, m＋n＋o = 3 ∼ 50 인 것이 바람직하다.
그 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르의 평균 분자량은, 300 ∼ 3500 이 바람직하고, 500 ∼ 1500 이 보다 바람직하다. 평균 분자량이 300 보다 작으면, 비노광부가 현상액에 용출하는 경우가 있고, 평균 분자량이 3500 보다 크면, 노광부가 현상액에 용출하기 어려워지는 경향이 있다.
폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유함으로써, 감도, 알칼리 현상성, 레지스트 형상 등의 감광 특성이나 현상 특성을 저해하는 일 없이, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 연화할 수 있고, 또, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 기재의 사이에 기포가 들어가는 일 없이, 기재에 양호하게 첩부할 수 있어, 유용하다.
일반식 (i) 에 있어서의 m 과 n 과 o 는, 모두 일반식 (i) 에 있어서의 반복 단위수이며, 모두 0 또는 자연수이다.
[화학식 1]
폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르의 함유율은, 노볼락 수지, 퀴논디아지드술폰산에스테르 및 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르의 총량에 대하여, 1 ∼ 30 질량％ 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 질량％ 가 보다 바람직하다. 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르의 함유율이 1 질량％ 미만에서는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 연화가 불충분해져, 기재에 대한 라미네이트가 곤란해지는 경우가 있고, 30 질량％ 보다 많아지면, 미노광부의 레지스트 패턴이더라도 현상액으로 팽윤하여 기재로부터 탈리해 버리는 경우가 있다.
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층에는, 노볼락 수지, 퀴논디아지드술폰산에스테르 및 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르 이외에도, 필요에 따라 다른 성분을 함유시켜도 된다. 예를 들어, 카르복실기 함유 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리우레탄, 아세트산비닐 수지, 폴리아미드 등의 수지를 함유해도 된다. 이들 수지 등의 「다른 성분」 의 배합에 의해, 가요성, 내에칭액성, 현상성, 밀착력이 향상되는 경우가 있다.
또, 용제, 착색제 (염료, 안료), 광 발색제, 광 감색제, 열 발색 방지제, 충전제, 소포제, 난연제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리 촉진제, 산화 방지제, 향료, 열 경화제, 발수제, 발유제 등의 첨가제를 함유해도 된다.
상기한 「다른 성분」 이나 「첨가제」 는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 전체 불휘발분량에 대하여, 각각 0.01 ∼ 20 질량％ 정도 함유할 수 있다. 이들 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는, 1 ∼ 20 ㎛ 가 바람직하고, 2 ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하고, 3 ∼ 8 ㎛ 가 더욱 바람직하고, 4 ∼ 6 ㎛ 가 특히 바람직하다. 1 ㎛ 미만이면, 기재에 열 압착할 때에 기포가 들어가기 쉬워지는 경우가 있다. 또, 피막 형성했을 때에 두께 불균일이나 핀홀의 문제가 발생하기 쉬워진다. 한편, 20 ㎛ 보다 두꺼우면, 노광 시에 광이 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 저부까지 닿지 않아, 레지스트 패턴의 보텀이 굵어져, 세선 (細線) 을 형성할 수 없는 경우가 있다.
정확한 세선을 형성하기 위해서는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는 8 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 세선이란, 폭 50 ㎛ 이하의 라인을 말한다. 또한, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는 8 ㎛ 이하인 경우, 폭 5 ㎛ 이하의 라인도 형성할 수 있다. 또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿할 때에 단부로부터 절삭 부스러기가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 절곡되었을 때에, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 균열이나 벗겨짐이 잘 발생하지 않게 된다. (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는, 건조 후의 두께이다.
(a) 지지체 필름 상에 (b) 박리층을 형성하는 방법, 및, (b) 박리층 상에 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 형성하는 방법으로는, 롤 코터, 콤마 코터 (등록상표), 그라비아 코터, 에어 나이프, 다이 코터, 바 코터 등을 사용한 도공 방법을 들 수 있다.
＜(d) 보호 필름＞
본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트는, 필요에 따라 (d) 보호 필름으로 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 피복해도 된다. 보호 필름은, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 감아 돌렸을 때 등에, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 (a) 지지체 필름에 대한 블로킹을 방지하기 위해서 형성되는 것으로, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층과는 반대측의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 상에 형성된다. (d) 보호 필름으로는, 피시 아이가 작은 것이 선호된다. 예를 들어, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에스테르 필름 등을 들 수 있다.
(d) 보호 필름으로는, 자기 점착성 수지 필름을 사용하는 것이 바람직하다.
그 자기 점착성 수지 필름은, 기재층과 점착층이 공압출로 형성되는 필름이다. 이와 같은 자기 점착성 수지 필름은, 아웃 가스 성분에 의한 제품의 오염이나 풀 잔류나 성분 이행 등의 우려가 적어 적합하다. 또, 가열하는 일 없이, (d) 보호 필름에 의해, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 피복할 수 있다.
자기 점착성 수지 필름은, 적어도 기재층과 점착층으로 이루어지고, 그 기재층은 자기 점착성을 갖지 않고, 재질로는, 상기한 것 등을 들 수 있다.
또, 그 점착층으로는, PMMA (폴리메타크릴레이트) 판과 23 ℃ 에서 접합하는 것이 가능하고, 그 때의 점착력이 0.01 N/50 ㎜ 폭 이상, 0.30 N/50 ㎜ 폭 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그 점착층의 예로는, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 ; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 ; 폴리아미드 ; 합성 고무 ; 폴리아크릴레이트 ; 폴리우레탄 ; 등을 들 수 있다.
점착층의 재료는, 분자량의 조정이나 가소제를 첨가함으로써, 자기 점착성의 특성을 갖도록 설계된다. 시중에서 입수 가능한 것으로는, 예를 들어, 토레텍 (등록상표, 도레이 필름 가공 주식회사 제조), FSA (등록상표, 후타무라 화학 주식회사 제조), 서니텍트 (등록상표, 주식회사 선 에이 카켄 제조) 등을 들 수 있다.
자기 점착성 수지 필름의 두께는, 5 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하다. 자기 점착성 수지 필름의 두께가 5 ㎛ 보다 얇으면, 핸들링성이 어려운 경우가 있고, 100 ㎛ 보다 두꺼우면, 비용이 비싸고, 롤상체에 있어서의 벌크, 질량 증가가 되는 경우가 있다.
＜에칭 방법＞
다음으로, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 사용한 에칭 방법에 대해서 상세히 설명한다. 먼저, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재의 적어도 편면에, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 기재에 접촉하도록 하여, 라미네이트법에 의해 첩부하지만, 라미네이트법에 의해 열 압착하여 첩부하는 것이 바람직하다.
본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 (d) 보호 필름을 갖는 것인 경우는, (d) 보호 필름을 떼어낸 후에, 기재의 적어도 편면에 첩부한다.
본 발명에 관련된 기재란, 에칭 가공을 실시하는 기재이며, 제조물에 의해 결정된다. 프린트 배선판, 리드 프레임, 메탈 마스크, 쉐도우 마스크, 반도체 패키지, 전극 부재, 전자파 실드 등의 제조에 있어서는, 금속을 함유하는 기재가 선택된다.
예를 들어, 구리, 구리계 합금 (티탄구리 합금, 구리니켈 합금 등), 니켈, 크롬, 철, 텅스텐, 스테인리스, 42 알로이 등의 철계 합금, 알루미늄, 아모르퍼스 합금 등의 「금속을 함유하는 기재」 를 사용할 수 있다. 또, ITO, FTO 등의 금속 산화막을 사용할 수 있다. 또한, 프린트 배선판 제조 등에 사용되는, 구리 피복 적층판, (무)전해 도금이 끝난 기판, 플렉시블 구리 피복 적층판, 플렉시블 스테인리스판, 적층체 등을 사용할 수 있다.
기재의 적어도 편면에, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 첩부하는 방법은, 라미네이트법이 사용된다. 일반적인, 프린트 기판용 열 라미네이터, 또, 진공 라미네이터를 사용할 수 있다. 닙 압력, 반송 속도, 롤 온도는, 사용하는 기재에 따라 상이하지만, 기포나 불균일 없고, 열 압착에 의해 첩부할 수 있으면, 어느 조건이어도 된다.
포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재에 첩부한 후, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 상으로부터 제거한다. 이 경우, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 동시에 제거하는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 이와 같이, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을, 동시에 박리 등으로 제거할 수 있다.
단, (a) 지지체 필름만을 제거하는 양태를 배제하는 것이 아니라, 그 경우에도, 잔존하는 (b) 박리층은, 그 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성할 때에, 현상액에 의해 동시에 제거할 수 있다.
다음으로, 원하는 패턴을 노광한다. 노광에는 자외선을 사용하는 것이 바람직하다. 노광 방법은, 레이저 직접 묘화, 포토마스크를 개재한 밀착 노광, 투영 노광 등에 의해 실시된다. 노광의 광원으로는, 초고압 수은등, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, 레이저, LED 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 현상을 실시한다. 현상에 의해, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광부를 제거한다. 현상에 사용하는 현상액으로는, 알칼리 수용액이 유용하게 사용된다. 현상액에 사용되는 염기성 화합물로는, 예를 들어, 규산 알칼리 금속염, 알칼리 금속 수산화물, 인산 알칼리 금속염, 탄산 알칼리 금속염, 인산암모늄, 탄산암모늄염 등의 무기 염기성 화합물 ; 에탄올아민, 에틸렌디아민, 프로판디아민, 트리에틸렌테트라민, 모르폴린, 수산화테트라메틸암모늄 등의 유기 염기성 화합물 ; 등을 들 수 있다.
노광부의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 대한 현상성을 조정하기 위해서, 현상액의 농도, 온도, 스프레이압 등을 조정할 필요가 있다. 현상액의 온도가 높을수록, 현상 속도가 빨라져, 40 ℃ 이상의 온도가 바람직하다. 현상액에 있어서의 염기성 화합물의 농도로는, 수산화칼륨의 경우, 1 ∼ 4 질량％ 인 것이 바람직하다. 장치로는, 딥 처리 장치, 샤워 스프레이 장치 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 기재의 에칭 처리를 실시한다. 본 발명에 있어서, 사용되는 기재를 용해 제거할 수 있는 것이면, 어떠한 에칭액, 장치, 방법이어도 된다.
에칭액으로는, 예를 들어, 알칼리성 암모니아, 황산-과산화수소, 염화 제2구리, 과황산염, 염화 제2철, 왕수 (王水) 등을 들 수 있다. 또, 장치나 방법으로는, 예를 들어, 수평 스프레이 에칭, 침지 에칭 등의 장치나 방법을 사용할 수 있다. 이들의 상세한 내용은, 「프린트 회로 기술 편람」 (사단법인 일본 프린트 회로 공업회편, 1987 년 간행, 닛칸 공업 신문사 발행) 에 기재되어 있다.
다음으로, 박리액에 의해 레지스트 박리를 실시하지만, 그 전에, 레지스트 패턴에 자외선을 조사하는 노광을 해도 된다. 노광을 함으로써, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층은, 박리액에 의해 제거하기 쉬워진다.
그 박리액으로는, 알칼리 수용액이 유용하게 사용된다. 박리액에 사용되는 염기성 화합물로는, 예를 들어, 규산 알칼리 금속염, 알칼리 금속 수산화물, 인산 알칼리 금속염, 탄산 알칼리 금속염, 인산암모늄, 탄산암모늄염 등의 무기 염기성 화합물 ; 에탄올아민, 에틸렌디아민, 프로판디아민, 트리에틸렌테트라민, 모르폴린, 수산화테트라메틸암모늄 등의 유기 염기성 화합물 ; 등을 들 수 있다.
레지스트 박리 공정에 있어서, 박리액의 농도, 온도, 스프레이압, 초음파 조건 등을 조정할 필요가 있다. 그 박리액의 온도가 높을수록, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 용해하는 속도가 빨라져, 40 ℃ 이상의 온도가 바람직하다. 박리액에 있어서의 염기성 화합물의 농도로는, 용해성에 적합한 농도가 좋고, 염기성 화합물이 수산화나트륨 또는 수산화칼륨인 경우, 1 ∼ 4 질량％ 인 것이 바람직하다. 장치로는, 딥 처리 장치, 초음파 장치, 샤워 스프레이 장치 등을 이용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1-1 ∼ 1-8]
폴리비닐알코올 (상품명 : 쿠라레 포발 44-88, 주식회사 쿠라레 제조, 비누화도 87.0 ∼ 89.0 ㏖％) 5 질량부에 대하여 95 질량부의 물을 첨가하고, 온수로 교반함으로써 용해시켜, 5 질량％ 의 폴리비닐알코올 수용액 (박리층용 도액) 을 얻었다.
다음으로, 와이어 바를 사용하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 상에 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 수분을 제거하고, PET 필름 상에 폴리비닐알코올을 포함하는 (b) 박리층을 두께 3 ㎛ 로 형성하여, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 적층 필름을 얻었다.
다음으로, o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44000) 100 질량부, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 24 질량부, 및, 「성분 G」 14 질량부를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 용액을, 멤브레인 필터 (공경 (孔徑) 1 ㎛) 로 여과하여, 실시예 1-1 ∼ 1-7 의 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 얻었다.
「성분 G」
(실시예 1-1) 유니올 (등록상표) Tg-330 (폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르, 평균 분자량 330, 니치유 주식회사 제조)
(실시예 1-2) 유니올 Tg-1000R (폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르, 평균 분자량 1000, 니치유 주식회사 제조)
(실시예 1-3) 유니올 Tg-3000 (폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르, 평균 분자량 3000, 니치유 주식회사 제조)
(실시예 1-4) 유니올 D-1000 (폴리프로필렌글리콜, 평균 분자량 1000, 니치유 주식회사 제조)
(실시예 1-5) 유니올 D-4000 (폴리프로필렌글리콜, 평균 분자량 4000, 니치유 주식회사 제조)
(실시예 1-6) 유니옥스 (등록상표) M-1000 (폴리에틸렌글리콜, 평균 분자량 1000, 니치유 주식회사 제조)
(실시예 1-7) PEG＃600 (폴리에틸렌글리콜, 평균 분자량 600, 니치유 주식회사 제조)
또, 「성분 G」 를 함유하지 않고, o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44000) 100 질량부, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 24 질량부를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 후, 이 용액을 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여, 실시예 1-8 의 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 얻었다.
다음으로, 상기에서 준비한 적층 필름의 (b) 박리층 면에, 상기 각 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을, 와이어 바로 도공하여, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시키고, 용제를 제거하고, 실시예 1-1 ∼ 1-8 의 3 층의 구조 ((a) 지지체 필름/(b) 박리층/(c) 포지티브형 감광성 레지스트층) 로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 제조하였다. (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는 7 ㎛ 였다.
다음으로, 연마, 탈지한 구리 피복 적층판 (기재) 의 구리층 표면에, 상기 실시예 1-1 ∼ 1-8 의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 구리층 표면에 접촉하도록 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은, 롤 온도 100 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 로 실시하였다.
그 때, 실시예 1-1 ∼ 1-7 은, 구리층 표면에, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 첩부할 수 있었다. 실시예 1-8 에서는, 구리층 표면에 확실히 첩부되지 않아, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 기재의 사이에 기포가 들어갔지만, 롤 온도 120 ℃ 에 있어서는, 첩부할 수 있었다. 그러나, (a) 지지체 필름의 단부에 주름이 발생하였다.
다음으로, 구리 피복 적층판으로부터 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 떼어내었다.
실시예 1-1 ∼ 1-8 에 관해서, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 떼어낼 수 있었다.
다음으로, 초고압 수은등 자외선 조사 장치를 사용하여, 30 ㎛ 및 60 ㎛ 의 라인 ＆ 스페이스를 갖는 테스트 차트 마스크를, (c) 포지티브형 감광성 레지스트 상에 씌우고, 흡인 밀착시켜 노광하였다. 다음으로, 30 ℃ 의 현상액 (1 질량％ 의 수산화칼륨 수용액) 에 80 초간 침지시키고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광부를 제거하여, 현상을 실시하였다. 그 후, 물 세정을 실시하고, 말렸다. 형성한 레지스트 패턴을 현미경으로 관찰을 실시하였다.
관찰한 결과, 실시예 1-1 ∼ 1-3 중 어느 것에 있어서도, 30 ㎛ 의 라인 ＆ 스페이스가 형성되어 있고, 또 노광부에 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 잔류가 없고, 양호한 레지스트 패턴이 형성되어 있었다.
실시예 1-4, 1-6, 1-7, 1-8 에서는, 60 ㎛ 의 라인 ＆ 스페이스의 레지스트 패턴은 형성할 수 있었지만, 30 ㎛ 의 라인은 잔존하지 않았다. 또, 실시예 1-5 에서는, 노광부에 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 남았지만, 현상액의 온도를 50 ℃ 로 높게 함으로써, 잔존한 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 제거할 수 있었다. 60 ㎛ 의 라인 ＆ 스페이스의 레지스트 패턴은 형성할 수 있었지만, 30 ㎛ 의 라인은 잔존하지 않았다.
다음으로, 60 ℃ 의 염화 제2철 용액을 준비하고, 0.2 ㎫ 의 압력으로 스프레이 처리를 약 5 분간 실시하고, 구리층의 에칭을 실시하였다. 그 후, 신속하게 물 세정-건조를 실시하였다. 다음으로, 300 mJ/㎠ 의 자외선을 전체면에 조사하고, 계속해서, 40 ℃ 의 박리액 (1 질량％ 의 수산화칼륨 수용액) 에 3 분간 침지하여, 레지스트 박리를 실시하였다.
실시예 1-1 ∼ 1-3 의 구리층의 30 ㎛ 및 60 ㎛ 의 라인 패턴을 관찰한 결과, 사이드 에칭이 적은 양호한 에칭이 되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 또, 실시예 1-4 ∼ 1-8 에 있어서, 구리층의 60 ㎛ 의 라인 패턴을 관찰한 결과, 마찬가지로 사이드 에칭이 적은 에칭이 되어 있는 것을 확인하였다.
이상의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 양호한 레지스트 패턴 형성과 양호한 에칭을 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 특히, 포지티브형 감광성 레지스트층과 기재의 사이에 기포가 들어가지 않고, 또 미세한 레지스트 패턴이 형성 가능한 것을 알 수 있었다.
[실시예 2-1 ∼ 2-7]
표 1 에 나타내는 폴리비닐알코올을 준비하고, 폴리비닐알코올 5 질량부에 대하여 80 질량부의 물을 첨가하고, 온수로 교반함으로써 용해시켜, 폴리비닐알코올 수용액을 얻었다. 다음으로, 15 질량부의 에탄올을 첨가하여, 고형분 5 질량％ 의 박리층용 도액을 제조하였다.
와이어 바를 사용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 의 편면에, 실시예 2-1 ∼ 2-7 의 박리층용 도액을 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 수분을 제거하고, PET 필름 상에 (b) 박리층 (두께 8 ㎛) 을 형성하였다.
다음으로, 100 질량부의 o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44,000) 와, 30 질량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 후, 이 용액을 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여, 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 얻었다.
다음으로, (b) 박리층을 형성한 (a) 지지체 필름의 (b) 박리층 면에, 상기 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을, 와이어 바로 도공하여, 80 ℃ 에서 10 분간 건조시키고, 용제를 제거하고, 3 층의 구조 ((a) 지지체 필름/(b) 박리층/(c) 포지티브형 감광성 레지스트층) 로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 제조하였다.
(컷 시험)
제조한 포지티브형 드라이 필름 레지스트를, 10 ㎝ × 10 ㎝ 의 크기로, 커터 매트 상에서 커터를 사용하여 컷하였다. 컷한 곳을 현미경으로 관찰한 결과, 실시예 2-1 ∼ 2-7 중 어느 것에 있어서도, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에는 균열이 발생되어 있지 않았다.
다음으로, 연마 및 탈지한 구리 피복 적층판의 구리층 표면에, 상기 실시예 2-1 ∼ 2-7 의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 구리층 표면에 접촉하도록 열 압착에 의해 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은, 롤 온도 110 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 로 실시하였다.
(박리 시험)
다음으로, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 첩부한 구리 피복 적층판으로부터 (a) 지지체 필름을 떼어내었다. 실시예 2-1 ∼ 2-5 에 관해서는, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 떼어낼 수 있었다.
한편, 실시예 2-6 ∼ 2-7 에 관해서는, (a) 지지체 필름을 떼어내면, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 계면으로부터 벗겨지고, (b) 박리층이 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 상에 남았다.
(레지스트 패턴 재현성)
다음으로, 초고압 수은등 자외선 조사 장치를 사용하여, 50 ㎛ 의 라인과 스페이스를 갖는 테스트 차트 마스크를, 실시예 2-1 ∼ 2-5 에서는 (c) 포지티브형 감광성 레지스트 상에, 실시예 2-6 ∼ 2-7 에서는 (b) 박리층 상에 씌우고, 흡인 밀착시켜 노광하였다.
다음으로, 1 질량％ 의 수산화칼륨 수용액 (현상액) 에, 40 ℃ 에서, 80 초간 침지시키고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광부를 제거하여, 현상을 실시하였다. 또한, 실시예 2-6 ∼ 2-7 에서는, (b) 박리층도 상기 현상 시에 제거할 수 있었기 때문에, (b) 박리층도 동시에 제거하였다.
그 후, 물 세정을 실시하고, 말렸다. 테스트 차트 마스크와 동등한 라인과 스페이스를 재현할 수 있는지 여부를 확인한 결과, 실시예 2-1 ∼ 2-5 에서는, 재현성은 양호하고, 화선 상에 결함이 존재하지 않았다. 실시예 2-6 ∼ 2-7 에서는, 노광 시의 가스 발생이 원인인 것으로 생각되는, 화선의 에지 부분의 상측에 있어서의 원형의 결손 결함이 다발하고 있었지만, 그 이외는 양호하였다.
(에칭 패턴 재현성)
다음으로, 60 ℃ 의 염화 제2철 용액을 준비하고, 0.2 ㎫ 의 압력으로 스프레이 처리를 약 5 분간 실시하고, 구리의 에칭을 실시하였다. 그 후, 신속하게 물 세정-건조를 실시하였다. 다음으로, 300 mJ/㎠ 의 자외선을 전체면에 조사한 후, 40 ℃ 의 1 질량％ 수산화칼륨 수용액 (박리액) 에 3 분간 침지하여, 레지스트 박리를 실시하였다.
구리층의 50 ㎛ 의 라인 패턴을 관찰한 결과, 실시예 2-1 ∼ 2-5 에 대해서는 패턴의 결손도 없고, 재현성은 양호하였다. 한편, 실시예 2-6 ∼ 2-7 에 대해서는, 라인 패턴의 선폭에 편차가 보였다.
이상의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 양호한 레지스트 패턴 형성과 양호한 에칭을 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 특히, 폴리비닐알코올이, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올을 포함하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 기재에 열 압착한 후에, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (b) 박리층의 계면으로부터 용이하게 떼어낼 수 있고, 또, 균열이 잘 발생하지 않는 것을 알 수 있었다.
[실시예 3-1 ∼ 3-14]
제조예 : o-크레졸 노볼락 수지의 제조
교반기 및 환류 냉각기를 구비한 2 리터 4 구 플라스크에, o-크레졸 756 질량부, 37 질량％ 포르말린 369 질량부, 및, 반응 촉매로서 p-톨루엔술폰산 1수화물 7.52 질량부를 투입하고, 이들을 교반 혼합하면서 환류 온도까지 승온하고, 환류하에 12 시간 반응을 계속하였다.
다음으로 탈액을 개시하고, 230 ℃ 까지 승온하여 농축을 실시하고, 추가로 2 ㎪ 의 감압도로 240 ℃ 까지 승온하여 농축을 실시하였다. 유분 (留分) 을 증류 제거하고, 연화점 150 ℃ 의 고형의 o-크레졸 노볼락 수지 600 g 을 얻었다. 얻어진 o-크레졸 노볼락 수지의 질량 평균 분자량은 12000 이었다.
한편, 37 질량％ 포르말린의 양을 변경하는 것 이외에는, 동일하게 하여, o-크레졸 노볼락 수지를 제조하였다. 37 질량％ 포르말린의 양을, 397 질량부, 510 질량부, 624 질량부, 681 질량부, 695 질량부, 709 질량부로 변화시켜 합성을 실시하고, 각각 얻어진 o-크레졸 노볼락 수지의 질량 평균 분자량을 측정한 결과, 18000, 25000, 44000, 58000, 71000, 80000 이었다.
다음으로, 폴리비닐알코올 (상품명 : 쿠라레 포발 44-88, 주식회사 쿠라레 제조, 비누화도 87.0 ∼ 89.0 ㏖％) 5 질량부에 대하여 95 질량부의 물을 첨가하고, 온수로 교반함으로써 용해시켜, 5 질량％ 의 폴리비닐알코올 수용액 (박리층용 도액) 을 얻었다. 다음으로, 와이어 바를 사용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 상에 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 수분을 제거하고, PET 필름 상에 폴리비닐알코올을 포함하는 (b) 박리층을 3 ㎛ 의 두께로 형성하고, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 적층 필름을 얻었다 (적층 필름 1).
또, 상기, 5 질량％ 의 폴리비닐알코올 수용액 100 질량부에 대하여, 폴리에틸렌글리콜 ＃600 을 0.7 질량부 첨가한 박리층용 도액을 제조하였다. 다음으로, 와이어 바를 사용하여 PET 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 상에 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 수분을 제거하고, PET 필름 상에 폴리비닐알코올과 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 (b) 박리층을 3 ㎛ 의 두께로 형성하고, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 적층 필름을 얻었다 (적층 필름 2).
다음으로, 상기의 각 질량 평균 분자량의 o-크레졸 노볼락 수지 100 질량부 및 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 30 질량부를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 후, 이 용액을 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여, 각 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 얻었다.
다음으로, 상기에서 준비한 적층 필름 1 및 적층 필름 2 의 (b) 박리층 면에, 상기 각 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을, 와이어 바로 도공하여, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시키고, 용제를 제거하고, 3 층의 구조 ((a) 지지체 필름/(b) 박리층/(c) 포지티브형 감광성 레지스트층) 로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 제조하였다. 각 실시예의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 있어서의, 적층 필름 및 o-크레졸 노볼락 수지의 관계를 표 2 에 기재하였다.
다음으로, 제조한 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 커터로, 10 ㎝ × 10 ㎝ 의 크기로, 커터 매트 상에서 컷하였다. 컷한 곳을 현미경으로 관찰한 결과, 실시예 3-1 ∼ 3-10 에 관해서는 균열이 발생되어 있지 않았지만, 실시예 3-11 ∼ 3-14 에 관해서는, 단부로부터 500 ㎛ 의 범위 내에서, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 균열이 발생되어 있었다.
다음으로, 연마, 탈지한 구리 피복 적층판의 구리층 표면에, 상기 실시예 3-1 ∼ 3-14 의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 구리층 표면에 접촉하도록 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은 롤 온도 110 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 로 실시하였다. 다음으로, 구리 피복 적층판으로부터 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 떼어내었다. 모두 양호하게 떼어낼 수 있었다.
다음으로, 초고압 수은등 자외선 조사 장치를 사용하여, 50 ㎛ 의 라인과 스페이스를 갖는 테스트 차트 마스크를 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 상에 씌우고, 흡인 밀착시켜 노광하였다.
다음으로, 현상액 (1 질량％ 의 수산화칼륨 수용액) 을, 30 ℃ 에서, 80 초간 침지시키고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광부를 제거하여, 현상을 실시하였다. 그 후, 물 세정을 실시하고, 말렸다.
테스트 차트 마스크와 동등한 라인과 스페이스를 재현할 수 있는지 여부 (레지스트 패턴 재현성) 를 확인한 결과, 실시예 3-1 ∼ 3-14 중 어느 것에 있어서도, 재현성이 양호하였다.
다음으로, 60 ℃ 의 염화 제2철 용액을 준비하고, 0.2 ㎫ 의 압력으로 스프레이 처리를 약 5 분간 실시하고, 구리층의 에칭을 실시하였다. 그 후, 신속하게 물 세정-건조를 실시하였다. 다음으로, 300 mJ/㎠ 의 자외선을 전체면에 조사하고, 다음으로, 40 ℃ 의 알칼리 박리액 (1 질량％ 수산화칼륨 수용액) 에 3 분간 침지하여, 레지스트 박리를 실시하였다. 구리층의 50 ㎛ 의 라인 패턴을 관찰하고, 에칭 후의 라인 폭을 측정하였다.
표 3 은, 에칭 후의 패턴의 라인 폭을 4 점 측정한 결과이다. 실시예 3-1 ∼ 3-10 은, 라인 폭이 45 ∼ 48 ㎛ 의 범위 내이고, 사이드 에칭이 적은 양호한 에칭이 되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 실시예 3-11 ∼ 3-14 는, 라인 폭이 41 ∼ 47 ㎛ 이고, 선폭의 편차가 크고, 사이드 에칭이 컸다.
이상의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 양호한 레지스트 패턴 형성을 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 특히, 노볼락 수지가 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함하고, 퀴논디아지드술폰산에스테르가 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를 포함하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트에서는, 컷할 때에 단부로부터 절삭 부스러기가 잘 발생하지 않고, 또, 에칭했을 때에 선폭의 편차가 적은 양호한 에칭이 가능한 것을 알 수 있었다.
[실시예 4-1 ∼ 4-12]
폴리비닐알코올 (상품명 : 쿠라레 포발 44-88, 비누화도 87.0 ∼ 89.0 ㏖％) 을 준비하고, 5 질량부에 대하여 95 질량부의 물을 첨가하고, 온수로 교반함으로써 용해시켜 폴리비닐알코올 수용액 (박리층용 도액) 을 얻었다.
폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 의 편면에, 실시예 4-8 이외에 대해, 코로나 방전 처리를 실시하였다 (실시예 4-1 ∼ 4-12). 코로나 방전량은, 15 W·min/㎡ 였다.
다음으로, (a) 지지체 필름의 코로나 방전 처리면에, 와이어 바를 사용하여, 상기 폴리비닐알코올 수용액을 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 수분을 제거하고, (a) 지지체 필름 상에 (b) 박리층을 형성하였다. (b) 박리층의 막두께를 표 4 에 나타냈다.
(b) 박리층을 현미경으로 관찰한 결과, 실시예 4-9 의 (b) 박리층의 일부에 핀홀 결함이 발생되어 있었다. 또, 실시예 4-10 의 (b) 박리층의 일부에 기포가 들어가 있었다.
다음으로, 100 질량부의 o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44,000) 와 30 질량부의 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 후, 이 용액을 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여, 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 얻었다.
다음으로, (b) 박리층을 형성한 (a) 지지체 필름의 (b) 박리층 면에, 상기 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을, 와이어 바로 도공하여, 80 ℃ 에서 10 분간 건조시키고, 용제를 제거하고, 3 층의 구조 ((a) 지지체 필름/(b) 박리층/(c) 포지티브형 감광성 레지스트층) 로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 제조하였다. (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 막두께를 표 4 에 나타냈다.
(컷 시험)
제조한 포지티브형 드라이 필름 레지스트를, 10 ㎝ × 10 ㎝ 의 크기로, 커터 매트 상에서 커터를 사용하여 컷하였다. 컷한 곳을 현미경으로 관찰한 결과, 실시예 4-1 ∼ 4-11 중 어느 것에 있어서도, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에는 균열이 발생되어 있지 않았다. 실시예 4-12 에 있어서는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 큰 균열이 발생되어 있는 것이 있고, 절삭 부스러기가 발생하여, 오염 등의 문제가 될 가능성이 있었다.
다음으로, 연마 및 탈지한 구리 피복 적층판의 구리층 표면에, 상기 실시예 4-1 ∼ 4-12 의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 구리층 표면에 접촉하도록, 라미네이트법에 의해 열 압착하여 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은 롤 온도 110 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 로 실시하였다.
다음으로, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 첩부한 구리 피복 적층판으로부터 (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 떼어내었다. 실시예 4-1 ∼ 4-7 에 있어서는, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 동시에 떼어낼 수 있었다.
한편, 실시예 4-8 에 있어서는, (a) 지지체 필름을 떼어내면, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 계면으로부터 벗겨지고, (b) 박리층이 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 상에 남았다. 또, 실시예 4-9 및 4-10 에 있어서는, 핀홀이나 기포가 들어간 (b) 박리층 상의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에, 핀홀 결함이 발생하였다. 또, 실시예 4-11 에 있어서는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트가 구리 피복 적층판에 충분히 압착하고 있지 않아, 구리 피복 적층판으로부터 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 일부 박리되었다.
(레지스트 패턴 재현성)
다음으로, 초고압 수은등 자외선 조사 장치를 사용하여, 50 ㎛ 의 라인과 스페이스를 갖는 테스트 차트 마스크를, 실시예 4-1 ∼ 4-7, 4-9 및 4-10 에서는 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 상에, 실시예 4-8 에서는 (b) 박리층 상에 씌우고, 흡인 밀착시켜 노광하였다.
다음으로, 1 질량％ 의 수산화칼륨 수용액 (현상액) 에 40 ℃ 에서, 80 초간 침지시키고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광부를 제거하여, 현상을 실시하고, 레지스트 패턴을 형성하였다. 또한, 실시예 4-8 에서는, 현상 시에 (b) 박리층도 동시에 제거하였다. 그 후, 물 세정을 실시하고, 말렸다.
테스트 차트 마스크와 동등한 라인과 스페이스를 재현할 수 있는지 여부를 확인한 결과, 실시예 4-1 ∼ 4-7 에서는, 재현성은 양호하고, 화선 상에 결함이 존재하지 않았다. 실시예 4-8 에서는, 노광 시의 가스 발생이 원인인 것으로 생각되는, 화선의 에지 부분의 상측에 있어서의 원형의 결손 결함이 발생되어 있는 것이 있었다. 또, 실시예 4-9 및 4-10 에서는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층에 핀홀 결함이 발생되어 있는 것이 있었다.
(에칭 패턴 재현성)
다음으로, 60 ℃ 의 염화 제2철 용액을 준비하고, 0.2 ㎫ 의 압력으로 스프레이 처리를 약 5 분간 실시하고, 구리의 에칭을 실시하였다. 그 후, 신속하게 물 세정과 건조를 실시하였다. 다음으로, 300 mJ/㎠ 의 자외선을 전체면에 조사한 후, 40 ℃ 의 1 질량％ 수산화칼륨 수용액 (박리액) 에 3 분간 침지하여, 레지스트 박리를 실시하였다.
구리층의 50 ㎛ 의 라인 패턴을 관찰한 결과, 실시예 4-1 ∼ 4-7 에 대해서는 패턴의 결손도 없고, 재현성은 양호하였다.
이상의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 의하면, 모두 레지스트 패턴 형성과 에칭을 할 수 있는 것을 알 수 있었다.
특히, (a) 지지체 필름의 (b) 박리층 측에 코로나 방전 처리가 실시되어 있고, 또한 (b) 박리층의 두께가 1 ∼ 4 ㎛ 이고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께가 3 ∼ 8 ㎛ 인 포지티브형 드라이 필름 레지스트에서는, 기재에 열 압착한 후에 지지체 필름 및 박리층을, 포지티브형 감광성 레지스트층과 박리층의 계면으로부터, 보다 용이하게 동시에 떼어낼 수 있었다. 또, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 컷 또는 슬릿할 때에, 단부로부터 절삭 부스러기가 특히 발생하기 어려웠다. 또한, 핀홀 결함이 특히 발생하기 어려웠다.
[실시예 5-1 ∼ 5-6]
폴리비닐알코올 (상품명 : 쿠라레 포발 44-88, 주식회사 쿠라레 제조, 비누화도 87.0 ∼ 89.0 ㏖％) 5 질량부에 대하여 95 질량부의 물을 첨가하고, 온수로 교반함으로써 용해시켜, 5 질량％ 의 폴리비닐알코올 수용액 (박리층용 도액) 을 얻었다.
다음으로, 와이어 바를 사용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 상에 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 수분을 제거하고, PET 필름 상에 폴리비닐알코올을 포함하는 (b) 박리층을 3 ㎛ 의 두께로 형성하고, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 적층 필름을 얻었다.
다음으로, o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44000) 를 100 질량부, 및, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 30 질량부를, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 후, 이 용액을 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층용 도액을 얻었다.
다음으로, 상기에서 준비한 적층 필름의 (b) 박리층 면에, 상기 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층용의 도액을, 와이어 바로 도공하여, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시키고, 용제를 제거하였다. 형성한 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 면에, (d) 보호 필름을 형성하기 위해서, 하기의 (d) 보호 필름을 준비하였다.
「(d) 보호 필름」
(실시예 5-1) 토레텍 (등록상표) 7332 (자기 점착성 수지 필름, 도레이 필름 가공 주식회사 제조)
(실시예 5-2) 토레텍 7832C (자기 점착성 수지 필름, 도레이 필름 가공 주식회사 제조)
(실시예 5-3) 토레텍 7H52 (자기 점착성 수지 필름, 도레이 필름 가공 주식회사 제조)
(실시예 5-4) FSA (등록상표) 010M (자기 점착성 수지 필름, 후타무라 화학 주식회사 제조)
(실시예 5-5) GF1 (등록상표) (폴리에틸렌 필름, 타마폴리 주식회사 제조)
(실시예 5-6) 알판 (등록상표) FG-201 (폴리프로필렌 필름, 오지 에프텍스 주식회사 제조)
상기 (d) 보호 필름을, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 면에 고무 롤러를 사용하여 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은, 롤 온도 25 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 였다.
실시예 5-1 ∼ 5-4 의 (d) 보호 필름은, 기포나 주름의 혼입이 없고, 깔끔하게 첩부할 수 있었다. 한편, 실시예 5-5 및 5-6 에 대해서는, 실온에서 첩부할 수 없었다. 그 때문에, 라미네이트 온도를 80 ℃ 까지 올림으로써 첩부할 수 있었지만, 열 수축에 의해, (d) 보호 필름에 주름이 발생하여, 깔끔하게 첩부할 수 없었다.
실시예 5-1 ∼ 5-4 의 (d) 보호 필름을 첩부한 포지티브형 드라이 필름 레지스트를, 10 매 겹쳐 실온에서 3 개월간 보관했지만, 블로킹이 발생하지 않았다. 또, (d) 보호 필름을 떼어내어도, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (b) 박리층 사이에서 박리되는 일 없이, 깔끔하게 (c) 보호 필름을 떼어낼 수 있었다. 또, (d) 보호 필름을 떼어낸 후의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 표면을 관찰했지만, 풀 잔류는 발생되어 있지 않았다.
또, 커터를 사용하여, 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 10 ㎝ × 10 ㎝ 로 컷하였다. 컷 면을 관찰한 결과, 실시예 5-1 ∼ 5-4 의 포지티브형 드라이 필름 레지스트에는 절삭 부스러기가 발생되어 있지 않았다. 한편, (d) 보호 필름을 첩부하지 않은 상태에서 컷한 경우에는, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층 유래의 절삭 부스러기가 발생하기 쉬웠다.
다음으로, 연마, 탈지한 구리 피복 적층판의 구리층 표면에, 상기 실시예 5-1 ∼ 5-4 의 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (d) 보호 필름을 박리한 후, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 구리층 표면에 접촉하도록 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은 롤 온도 100 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 이고, 구리층 표면에 첩부할 수 있었다.
다음으로, 구리 피복 적층판으로부터 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층을, (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 계면으로부터 떼어내었다. 실시예 5-1 ∼ 5-6 중 어느 것에 관해서도, (a) 지지체 필름을 (b) 박리층의 계면으로부터 떼어낼 수 있었다.
다음으로, 초고압 수은등 자외선 조사 장치를 사용하여, 30 ㎛ 의 라인과 스페이스를 갖는 테스트 차트 마스크를 (b) 박리층 상에 씌우고, 흡인 밀착시켜 노광하였다.
다음으로, 현상액 (1 질량％ 의 수산화칼륨 수용액) 을 30 ℃ 에서, 80 초간 침지시키고, (b) 박리층을 제거함과 동시에 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 노광부를 제거하여, 현상을 실시하였다. 그 후, 물 세정을 실시하고, 말렸다. 형성한 레지스트 패턴을 현미경으로 관찰을 실시하였다.
관찰한 결과, 실시예 5-1 ∼ 5-4 중 어느 것에 있어서도, 30 ㎛ 의 라인 ＆ 스페이스가 형성되어 있고, 또 노광부에 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 잔류가 없고 양호하였다.
다음으로, 60 ℃ 의 염화 제2철 용액을 준비하고, 0.2 ㎫ 의 압력으로 스프레이 처리를 약 5 분간 실시하고, 구리층의 에칭을 실시하였다. 그 후, 신속하게 물 세정-건조를 실시하였다. 다음으로, 300 mJ/㎠ 의 자외선을 전체면에 조사하고, 다음으로, 40 ℃ 의 알칼리 박리액 (1 질량％ 수산화칼륨 수용액) 에 3 분간 침지하여, 레지스트 박리를 실시하였다.
구리층의 50 ㎛ 의 라인 패턴을 관찰한 결과, 실시예 5-1 ∼ 5-4 중 어느 것에 있어서도, 사이드 에칭이 적은 양호한 에칭이 되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
이상의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트가 (d) 보호 필름을 갖고, (d) 보호 필름이 자기 점착성 수지 필름으로 이루어지는 경우, 부서지기 쉬운 막질의 포지티브형 감광성 레지스트층이더라도, 슬릿이나 컷했을 때에 절삭 부스러기가 잘 발생하지 않고, 또한, 지지체 필름과 포지티브형 감광성 레지스트층의 사이에서 블로킹이 잘 발생하지 않는 것을 알 수 있었다.
[비교예 1]
＜(b) 박리층이 적층되어 있지 않은 포지티브형 드라이 필름 레지스트＞
o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44000) 100 질량부, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 24 질량부, 및, 유니올 Tg-1000R (폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르, 평균 분자량 1000, 니치유 주식회사 제조) 14 질량부를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 용액을, 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층용의 도공액을 얻었다.
다음으로, 와이어 바를 사용하여 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 상에, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층용의 도공액을 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 용제 성분을 제거하고, 2 층의 구조 ((a) 지지체 필름/(c) 포지티브형 감광성 레지스트층) 로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 제조하였다. (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는 7 ㎛ 였다.
다음으로, 연마, 탈지한 구리 피복 적층판 (기재) 의 구리층 표면에, 상기 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 구리층 표면에 접촉하도록 첩부하였다. 그 때, 일반적인 프린트 기판용 라미네이터를 사용하였다. 라미네이트 조건은 롤 온도 100 ℃, 반송 속도 0.5 m/min, 압력 0.2 ㎫ 로 실시하였다.
(a) 지지체 필름을 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층으로부터 떼어내는 것을 시도했지만, 강고하게 밀착되어 있어, 떼어낼 수 없었다. 억지로 떼어내려고 하면, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 층 내에서 응집 파괴가 발생하여, 다음 노광 공정으로 진행되지 않았다. (b) 박리층이 적층되어 있지 않은 포지티브형 드라이 필름 레지스트에서는, (a) 지지체 필름의 박리성이 나빠 사용할 수 없는 것을 알 수 있었다.
[비교예 2]
＜폴리비닐알코올을 포함하지 않는 (b) 박리층이 적층되어 있는 포지티브형 드라이 필름 레지스트＞
메틸메타크릴레이트/n-부틸아크릴레이트/메타크릴산을, 질량비 63/15/22 로 공중합시킨, 카르복실기를 함유하는 아크릴 공중합체 (질량 평균 분자량 100000) 40 질량부, 10 질량부의 폴리에틸렌글리콜 600, 및, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 50 질량부를 교반 혼합함으로써 용해시켜, 아크릴 수지층용 용액을 얻었다.
다음으로, 얻어진 아크릴 수지층용 용액을, 와이어 바를 사용하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 ((a) 지지체 필름, 상품명 : 다이아호일 (등록상표) T100, 25 ㎛ 두께, 미츠비시 케미컬 주식회사 제조) 상에 도공하고, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시켜, 용제 성분을 제거하고, PET 필름 상에, 아크릴 수지로 이루어지는 (b) 박리층을 두께 3 ㎛ 로 형성하고, (a) 지지체 필름과 (b) 박리층의 적층 필름을 얻었다.
다음으로, o-크레졸 노볼락 수지 (질량 평균 분자량 44000) 100 질량부, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 o-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르 24 질량부, 및, 유니올 Tg-1000R (폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르, 평균 분자량 1000, 니치유 주식회사 제조) 14 질량부를, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 300 질량부에 용해한 용액을, 멤브레인 필터 (공경 1 ㎛) 로 여과하여, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층용의 도공액을 얻었다.
다음으로, 상기에서 준비한 적층 필름의 (b) 박리층 면에, 상기 각 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층용의 도공액을, 와이어 바로 도공하여, 90 ℃ 에서 10 분간 건조시키고, 용제를 제거하고, 3 층의 구조 ((a) 지지체 필름/(b) 박리층/(c) 포지티브형 감광성 레지스트층) 로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트를 제조하였다. (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께는 7 ㎛ 였다.
구리 피복 적층판에 첩부하기 전에 손으로 들었을 때, 약간의 절곡에 대해서도 포지티브형 드라이 필름 레지스트에 균열 (크랙) 이 발생하였다. 그리고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, (b) 박리층으로부터 대면적으로 탈리하여, 사용할 수 없었다.
산업상 이용가능성
본 발명의 포지티브형 드라이 필름 레지스트는, 프린트 배선판, 리드 프레임, 메탈 마스크, 쉐도우 마스크, 반도체 패키지, 전극 부재, 전자파 실드 등의 제조에 있어서, 금속 기재의 에칭 가공이나 도금에 의한 금속 가공 시의 레지스트로서 이용 가능하다.
(a) : 지지체 필름
(b) : 박리층
(c) : 포지티브형 감광성 레지스트층
(d) : 보호 필름
(b) : 박리층
(c) : 포지티브형 감광성 레지스트층
(d) : 보호 필름
Claims (9)
- 적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이 이 순서로 적층하여 이루어지고, (b) 박리층이, 폴리비닐알코올을 포함하고, 또한, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드술폰산에스테르를 주성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트.
- 제 1 항에 있어서,
(b) 박리층의 전체 불휘발분량에 대하여, 폴리비닐알코올의 함유율이 80 질량％ 이상인 포지티브형 드라이 필름 레지스트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
(c) 포지티브형 감광성 레지스트층이, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에테르를 함유하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노볼락 수지가 질량 평균 분자량 (Mw) 16000 ∼ 75000 의 o-크레졸 노볼락 수지를 포함하고, 상기 퀴논디아지드술폰산에스테르가 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르를 포함하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리비닐알코올이, 비누화도 82 ㏖％ 이상의 폴리비닐알코올을 포함하는 포지티브형 드라이 필름 레지스트. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
(a) 지지체 필름의 (b) 박리층 측에 코로나 방전 처리가 실시되어 있고, 또한 (b) 박리층의 두께가 1 ∼ 4 ㎛ 이고, (c) 포지티브형 감광성 레지스트층의 두께가 3 ∼ 8 ㎛ 인 포지티브형 드라이 필름 레지스트. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 (a) 지지체 필름과 (b) 박리층과 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층과 (d) 보호 필름이 이 순서로 적층하여 이루어지고, (d) 보호 필름이 자기 점착성 수지 필름으로 이루어지는 포지티브형 드라이 필름 레지스트. - 기재의 적어도 편면에, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 라미네이트법으로 첩부 (貼付) 하고, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 동시에 제거하고, 다음으로 원하는 패턴을 노광하고, 다음으로 현상액에 의해 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고, 다음으로 기재를 에칭 처리하고, 다음으로 박리액에 의해 레지스트 박리를 실시하는 에칭 방법.
- 제 7 항에 기재된 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (d) 보호 필름을 떼어낸 후, 기재의 적어도 편면에, 포지티브형 드라이 필름 레지스트의 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 라미네이트법으로 첩부하고, (a) 지지체 필름 및 (b) 박리층을 동시에 제거하고, 다음으로 원하는 패턴을 노광하고, 다음으로 현상액에 의해 (c) 포지티브형 감광성 레지스트층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고, 다음으로 기재를 에칭 처리하고, 다음으로 박리액에 의해 레지스트 박리를 실시하는 에칭 방법.
Applications Claiming Priority (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018235956 | 2018-12-18 | ||
| JPJP-P-2018-235956 | 2018-12-18 | ||
| JP2019014805 | 2019-01-30 | ||
| JPJP-P-2019-014805 | 2019-01-30 | ||
| JPJP-P-2019-030248 | 2019-02-22 | ||
| JP2019030248 | 2019-02-22 | ||
| JP2019198657 | 2019-10-31 | ||
| JPJP-P-2019-198657 | 2019-10-31 | ||
| JP2019215135 | 2019-11-28 | ||
| JPJP-P-2019-215135 | 2019-11-28 | ||
| PCT/JP2019/048949 WO2020129845A1 (ja) | 2018-12-18 | 2019-12-13 | ポジ型ドライフィルムレジスト及びエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210104072A true KR20210104072A (ko) | 2021-08-24 |
Family
ID=71101189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217021059A KR20210104072A (ko) | 2018-12-18 | 2019-12-13 | 포지티브형 드라이 필름 레지스트 및 에칭 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7410053B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210104072A (ko) |
| CN (1) | CN113168097A (ko) |
| TW (1) | TWI814964B (ko) |
| WO (1) | WO2020129845A1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514415A (ko) | 1974-06-27 | 1976-01-14 | Nissan Motor | |
| JPS5983153A (ja) | 1982-09-29 | 1984-05-14 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多層ドライフイルムフオトレジスト |
| JP2002341525A (ja) | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法 |
| JP2006267660A (ja) | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nippon Paper Chemicals Co Ltd | ポジ型感光性樹脂積層シート及びその製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4107390A1 (de) * | 1991-03-08 | 1992-09-10 | Hoechst Ag | Gefaerbtes, positiv arbeitendes, lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung sowohl positiver als auch negativer farbpruefbilder unter verwendung dieses materials |
| JPH0635200A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性転写シート及びレジストパターン形成方法 |
| JPH09166876A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Mitsubishi Chem Corp | 中間膜組成物及びこれを用いた基板上への感光膜の形成方法 |
| JP2005215137A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性転写材料、液晶配向制御用突起及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
| JP2008076952A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂転写材料の製造方法およびカラーフィルターの製造方法 |
| JP2008176276A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-31 | Jsr Corp | ドライフィルムおよびマイクロレンズとその製法 |
| WO2009093706A1 (ja) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 感光性樹脂積層体 |
| JP5356603B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-12-04 | コーロン インダストリーズ インク | ドライフィルムフォトレジスト |
| KR101335076B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2013-12-03 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 드라이 필름 포토레지스트 |
| WO2015156123A1 (ja) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材及びその製造方法、並びに、積層体、レジスト剥離液 |
| JP5994201B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-09-21 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 電磁波シールドフィルム付き回路基板、およびその製造方法 |
| JP6463242B2 (ja) * | 2015-09-14 | 2019-01-30 | 三菱製紙株式会社 | 導電性パタン前駆体および導電性パタンの製造方法 |
| JP2017078852A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 富士フイルム株式会社 | ドライフィルムレジスト、回路配線の製造方法、回路配線、入力装置および表示装置 |
| JP6567952B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-08-28 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体及びレジストパターン形成方法 |
| JP6397948B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-26 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法 |
-
2019
- 2019-12-13 CN CN201980082011.XA patent/CN113168097A/zh active Pending
- 2019-12-13 KR KR1020217021059A patent/KR20210104072A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-13 JP JP2020561381A patent/JP7410053B2/ja active Active
- 2019-12-13 WO PCT/JP2019/048949 patent/WO2020129845A1/ja active Application Filing
- 2019-12-17 TW TW108146115A patent/TWI814964B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514415A (ko) | 1974-06-27 | 1976-01-14 | Nissan Motor | |
| JPS5983153A (ja) | 1982-09-29 | 1984-05-14 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多層ドライフイルムフオトレジスト |
| JP2002341525A (ja) | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法 |
| JP2006267660A (ja) | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nippon Paper Chemicals Co Ltd | ポジ型感光性樹脂積層シート及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202034080A (zh) | 2020-09-16 |
| TWI814964B (zh) | 2023-09-11 |
| WO2020129845A1 (ja) | 2020-06-25 |
| CN113168097A (zh) | 2021-07-23 |
| JPWO2020129845A1 (ja) | 2021-11-04 |
| JP7410053B2 (ja) | 2024-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5140189B2 (ja) | フィルム型光分解性転写材料 | |
| TWI427411B (zh) | Photosensitive element | |
| KR101335076B1 (ko) | 드라이 필름 포토레지스트 | |
| JP2021110876A (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト及びエッチング方法 | |
| JP7410053B2 (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト及びエッチング方法 | |
| JP2020091346A (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト及びエッチング方法 | |
| JP2021002012A (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト | |
| JP4622612B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂積層シート及びその製造方法 | |
| JP2021033135A (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト | |
| JP2010020321A (ja) | フィルム型光分解性転写材料 | |
| JP2021157049A (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト | |
| JP2022012846A (ja) | ポジ型ドライフィルムレジスト | |
| JP5356603B2 (ja) | ドライフィルムフォトレジスト | |
| JP7317550B2 (ja) | 感光性積層体及びその製造方法 | |
| JP2018165765A (ja) | 感光性エレメント、感光層の硬化物、半導体装置、及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP2022100843A (ja) | レジストの形成方法 | |
| JP2023068442A (ja) | 孔内樹脂充填方法 | |
| KR101324871B1 (ko) | 필름형 광분해성 전사재료 | |
| KR101335181B1 (ko) | 드라이 필름 포토레지스트 | |
| JPWO2009123096A1 (ja) | 感光性フィルムのラミネート方法、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 | |
| KR101325866B1 (ko) | 필름형 감광성 전사재료 | |
| KR101374516B1 (ko) | 다층구조의 필름형 감광성 전사재료를 이용한 미세회로 패턴 형성방법 | |
| KR101258733B1 (ko) | 드라이필름 포토레지스트 | |
| KR20110056254A (ko) | 드라이필름 포토레지스트 | |
| KR20120044837A (ko) | 다층필름 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |