JP5140189B2 - フィルム型光分解性転写材料 - Google Patents
フィルム型光分解性転写材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5140189B2 JP5140189B2 JP2011511501A JP2011511501A JP5140189B2 JP 5140189 B2 JP5140189 B2 JP 5140189B2 JP 2011511501 A JP2011511501 A JP 2011511501A JP 2011511501 A JP2011511501 A JP 2011511501A JP 5140189 B2 JP5140189 B2 JP 5140189B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resin
- transfer material
- material according
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Description
(a)メタクリル酸:メチルメタクリレート(MAA):スチレンを20:70:10の重量比率で使用し、溶媒MEK(methylethyl ketone)、重合開始剤AIBN(azobisisobutyronitrile)1%、反応温度80℃、反応時間4時間、後添開始剤AIBN3%の条件下に重合してアクリル酸高分子(重量平均分子量70,000、固形分40%)を製造した。
アルカリ可溶性樹脂としてクレゾールノボラック樹脂(メタクレゾール/パラクレゾールの含量が重量基準で4:6であり、重量平均分子量8,000のクレゾールノボラック樹脂と重量平均分子量2,000のノボラック樹脂とが7:3の比率で混合されたクレゾールノボラック樹脂)を含み;前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、感光性化合物として34重量部の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネート;感度増進剤として3.6重量部の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン;低沸点溶媒として165重量部のメチルエチルケトン;および離型剤として0.5重量部のフッ素系シリコン樹脂を含んでなる溶液を製造した。こうして製造された溶液を0.2μmのミリポアテフロン(登録商標)フィルターを用いて濾過させて不溶物質を除去した。その結果として得た溶液をポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ19μm)上に5μmの厚さで塗布してフォトレジスト樹脂層を形成した。厚さ23μmのポリエチレンフィルム保護層を前記フォトレジスト樹脂層に塗布してポジティブ型フォトレジスト樹脂フィルムを製造した。
<保護フィルム>
幅3cm、長さ20cmのフィルム型感光性転写材料試片の保護フィルムを離型させながら、開始点よりの5cm地点から8cm地点まで離型させるのに必要な力を万能試験機(UTM、4303 series、Instron社)を用いて測定した。
幅3cm、長さ20cmのフィルム型感光性転写材料試片の保護フィルムを除去した後、110℃で速度2m/min、圧力4kgf/cm2で銅張積層板にラミネートした。その後、支持体フィルムを離型させながら、開始点よりの5cm地点から8cm地点まで離型させるのに必要な力をUTM(4303 series、Instron社)を用いて測定した。
幅3cm、長さ20cmのフィルム型感光性転写材料試片の保護フィルムを除去して銅張積層板に110℃、圧力4kgf/cm2の条件下に2m/minの速度でラミネートした後、支持体フィルムを除去した。ここに幅4cm、長さ25cm、厚さ19μmのPETフィルム(FDFR、Kolon社製)を110℃、圧力4kgf/cm2の条件下に2m/minの速度でラミネートした後、前記PETフィルムを離型させ始めて開始点よりの5cm地点から8cm地点まで離型させるのに必要な力をUTM(4303 series、Instron社)を用いて測定した。
前記製造されたポジティブ型フォトレジスト樹脂フィルムをコンタクト型露光器で露光量別に露光した後、常温で2.38重量%のTMAH水溶液に60秒間現像(但し、実施例1〜3の場合は64秒間現像)し、30秒間水洗して乾燥させた後、Line/Space1/1の微細パターンの形成に必要な露光量を測定した。この際、微細パターンの大きさは光学顕微鏡で観察した。
一方、現像後に残る未露光部分は回路を形成するが、この際、解像度を電子顕微鏡で観察した。
20:フォトレジスト層
30:樹脂保護層
40:支持体フィルム
50:銅張積層板
60:マスク
Claims (13)
- 支持体フィルム、樹脂保護層、光分解性フォトレジスト層、および保護フィルムを含み、樹脂保護層は、重量平均分子量5,000〜300,000のアクリル酸高分子およびポリアルキレングリコールを含み、支持体フィルムを剥がしてから、別途のPETフィルムを樹脂保護層上にラミネートした後、これを離型させ始めて開始点よりの5cm地点から8cm地点まで離型させることに必要な力で定義される粘着力が0.05kgf以下であることを特徴とする、フィルム型光分解性転写材料。
- 前記樹脂保護層は0.001〜10μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記樹脂保護層はアルカリ現像可能型であることを特徴とする、請求項1または2に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記光分解性フォトレジスト層はアルカリ可溶性樹脂およびジアジド系感光性化合物を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記アルカリ可溶性樹脂はノボラック樹脂であることを特徴とする、請求項4に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記アルカリ可溶性樹脂はクレゾールノボラック樹脂であることを特徴とする、請求項4に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記クレゾールノボラック樹脂は、重量平均分子量(GPCによって測定するとき)が2,000〜30,000であることを特徴とする、請求項6に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記クレゾールノボラック樹脂は、メタクレゾール/パラクレゾールの含量が4:6〜6:4の重量比率で混合されたことを特徴とする、請求項7に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記クレゾールノボラック樹脂は、重量平均分子量(GPCによって測定するとき)8,000〜30,000のクレゾールノボラック樹脂と、重量平均分子量(GPCによって測定するとき)2,000〜8,000のノボラック樹脂とが7:3〜9:1の重量比率で混合された樹脂であることを特徴とする、請求項8に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記ジアジド系感光性化合物は、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネート、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネート、および(1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン)−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホネートの中から選択された少なくとも1種であることを特徴とする、請求項4に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記光分解性フォトレジスト層は、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、および1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンの中から選択された少なくとも1種の感度増進剤を含むことを特徴とする、請求項1または4に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 前記保護フィルムは15〜30μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載のフィルム型光分解性転写材料。
- 請求項1または2に記載のフィルム型光分解性転写材料を用いてパターンを形成した表示素子用基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0050596 | 2008-05-30 | ||
KR1020080050596A KR101318517B1 (ko) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | 필름형 광분해성 전사재료 |
PCT/KR2009/002653 WO2009145520A2 (en) | 2008-05-30 | 2009-05-20 | Film type photodegradable transfer material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011522284A JP2011522284A (ja) | 2011-07-28 |
JP5140189B2 true JP5140189B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=41377747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011511501A Expired - Fee Related JP5140189B2 (ja) | 2008-05-30 | 2009-05-20 | フィルム型光分解性転写材料 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8697328B2 (ja) |
JP (1) | JP5140189B2 (ja) |
KR (1) | KR101318517B1 (ja) |
CN (1) | CN102047180B (ja) |
TW (1) | TWI396945B (ja) |
WO (1) | WO2009145520A2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10260235B4 (de) * | 2002-12-20 | 2010-10-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht |
JP5672854B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2015-02-18 | ソニー株式会社 | 構造体の製造方法 |
KR20140081022A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성전기주식회사 | 산소 투과 방지막을 포함하는 드라이필름 포토레지스트 및 그 제조방법 |
CN104407503B (zh) * | 2014-11-24 | 2016-07-06 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 曝光方法和半导体器件的制造方法 |
CN104965390A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-10-07 | 王氏港建经销有限公司 | 一种运送多个基板依次通过曝光机的方法和系统 |
WO2019088268A1 (ja) * | 2017-11-06 | 2019-05-09 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂積層体及びレジストパターンの製造方法 |
JP7246615B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2023-03-28 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板の製造方法及び積層体 |
JP7074776B2 (ja) * | 2018-01-24 | 2022-05-24 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料及びその製造方法、樹脂パターンの製造方法、並びに、回路配線の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2049972B (en) * | 1977-07-12 | 1982-06-23 | Asahi Chemical Ind | Photosensitive element for producing a printed circuit board |
JP2992128B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1999-12-20 | 日本合成化学工業株式会社 | フォトレジストフィルム |
JPH0635200A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性転写シート及びレジストパターン形成方法 |
JPH06118632A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Kansai Paint Co Ltd | フイルム型紫外線感光性レジスト及びパターン形成方法 |
JP3241144B2 (ja) * | 1993-02-19 | 2001-12-25 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物積層体、レジストパターンの製造法、基板、プリント配線板の製造法、プリント配線板及び機器 |
JPH1039513A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toyobo Co Ltd | 粘着防止層、それを用いた感光性樹脂積層体、その製造方法およびその包装体 |
MY120763A (en) * | 1997-09-19 | 2005-11-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive film, process for laminating photosensitive resin layer, photosensitive resin layer-laminated substrate and process for curing photosensitive resin layer |
US6749909B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-06-15 | Ncr Corporation | Thermal transfer medium and method of making thereof |
JP2002341525A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法 |
JP3878451B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2007-02-07 | 富士フイルムホールディングス株式会社 | 感光性樹脂転写材料、画像形成方法、カラーフィルターとその製造方法、フォトマスクとその製造方法 |
DE10260235B4 (de) * | 2002-12-20 | 2010-10-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht |
DE10340648B3 (de) * | 2003-09-03 | 2005-06-02 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | Desinfektions- oder Reinigungsmittelanschlußeinrichtung |
CN1882882A (zh) * | 2003-11-19 | 2006-12-20 | 大金工业株式会社 | 抗蚀剂层积体的形成方法 |
JP2005215137A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性転写材料、液晶配向制御用突起及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
JP4800321B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-10-26 | コーロン インダストリーズ インク | ポジティブ型ドライフィルムフォトレジスト及びこれを製造するための組成物 |
WO2007119949A1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Kolon Industries, Inc | Composition for positive type photoresist and positive type photoresist film manufactured thereby |
KR101040994B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2011-06-16 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 포지티브형 포토레지스트 필름 |
WO2007125992A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | 感光性樹脂積層体 |
US7670450B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices |
-
2008
- 2008-05-30 KR KR1020080050596A patent/KR101318517B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-05-20 US US12/995,137 patent/US8697328B2/en active Active
- 2009-05-20 JP JP2011511501A patent/JP5140189B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-20 CN CN200980119958XA patent/CN102047180B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-20 WO PCT/KR2009/002653 patent/WO2009145520A2/en active Application Filing
- 2009-05-27 TW TW098117739A patent/TWI396945B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090124394A (ko) | 2009-12-03 |
JP2011522284A (ja) | 2011-07-28 |
CN102047180A (zh) | 2011-05-04 |
WO2009145520A3 (en) | 2010-02-25 |
WO2009145520A2 (en) | 2009-12-03 |
TWI396945B (zh) | 2013-05-21 |
KR101318517B1 (ko) | 2013-10-16 |
US8697328B2 (en) | 2014-04-15 |
CN102047180B (zh) | 2013-11-20 |
TW201001081A (en) | 2010-01-01 |
US20110135891A1 (en) | 2011-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5140189B2 (ja) | フィルム型光分解性転写材料 | |
JP4800321B2 (ja) | ポジティブ型ドライフィルムフォトレジスト及びこれを製造するための組成物 | |
JP5048754B2 (ja) | ポジティブ型フォトレジスト用組成物およびこれから製造されたポジティブ型フォトレジストフィルム | |
KR101335076B1 (ko) | 드라이 필름 포토레지스트 | |
JP2010020321A (ja) | フィルム型光分解性転写材料 | |
JP5356603B2 (ja) | ドライフィルムフォトレジスト | |
KR101324871B1 (ko) | 필름형 광분해성 전사재료 | |
JP2010039214A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント | |
KR101291935B1 (ko) | 필름형 광분해성 전사재료 | |
JP2019194007A (ja) | 感光性積層体及びその製造方法 | |
JPH05204158A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2020098244A (ja) | 感光性樹脂積層体及びレジストパターンの製造方法 | |
KR101335181B1 (ko) | 드라이 필름 포토레지스트 | |
KR101325866B1 (ko) | 필름형 감광성 전사재료 | |
KR101040994B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 필름 | |
KR20090127466A (ko) | 필름형 광분해성 전사재료 | |
KR101374516B1 (ko) | 다층구조의 필름형 감광성 전사재료를 이용한 미세회로 패턴 형성방법 | |
KR20100018340A (ko) | 필름형 전사재료 슬릿팅 롤 | |
KR100987785B1 (ko) | 금속 전극의 제조방법 | |
KR101305803B1 (ko) | 다층구조의 필름형 감광성 전사재료 | |
KR101258733B1 (ko) | 드라이필름 포토레지스트 | |
KR20150020085A (ko) | 레지스트 패턴 형성 방법 | |
KR20070099072A (ko) | 금속 전극의 제조방법 | |
KR20110077674A (ko) | 드라이 필름 포토레지스트의 제조방법 | |
KR20070099071A (ko) | 포지티브형 포토레지스트 필름 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120724 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |