KR20170069193A - 압전 석영 결정체 공진기 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 압전 석영 결정체 공진기 및 이의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 압전 석영 결정체 공진기는 회로판, 석영 결정체 공진기 및 서미스터를 포함하며, 상기 서미스터는 상기 석영 결정체 공진기의 온도를 탐지하고, 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 상기 회로판 상에 구비되고 또한 서로 간에 회로판 상에 구비된 회로를 통하여 연결되며; 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 열가소성 재료를 이용하여 상호 독립적으로 캡슐화되고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재한다. 상기 압전 석영 결정체 공진기는 상기 석영 결정체 공진기와 상기 서미스터를 회로판 상에 배열시킨 후 열가소성 수지를 사용하여 상호 독립적으로 사출성형하기 때문에, 석영 결정체 공진기로 하여금 독립적인 챔버를 갖도록 하여 서미스터의 석영 결정체 공진기에 대한 오염을 방지시킬 수 있음과 아울러, 더욱 높은 주파수 안정성의 요구를 만족시킨다.

Description

압전 석영 결정체 공진기 및 이의 제조 방법{PIEZOELECTRIC QUARTZ-CRYSTAL RESONATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 공진기에 관한 것으로서, 특히 압전 석영 결정체 공진기 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
압전 석영 결정체 공진기는 주파수 온도 특성이 비교적 훌륭하지만, 더욱 높은 요구의 주파수 안전성을 만족시키기 위하여 또한 압전 석영 결정체 또는 압전 석영 결정체 환경 온도를 채집하고 주파수 온도 특성에 대하여 상응한 보상 또는 수정을 진행하여 실제 사용 요구를 만족시켜야 한다.
현재의 서미스터를 포함하는 압전 석영 결정체 공진기는 서미스터와 압전 석영 결정체 공진편을 하나의 챔버 내에 밀폐시키거나, 또는 서미스터와 압전 석영 결정체 공진편을 각각 기판의 상하 두 면에 패키징시킨다. 서미스터와 압전 석영 결정체를 하나의 챔버 내에 밀폐시키는 방법은 쉽게 압전 석영 결정체 공진편에 대하여 오염을 일으키고, 공진기 파라미터의 안전성에 영향을 미칠 수 있다. 서미스터와 압전 석영 결정체 공진편을 각각 기판의 상하 두 면에 패키징시키는 방법은 챔버를 분리시키기는 하였지만, 웨이퍼의 원가를 증가시킴과 아울러, 조립 과정에 전용 설비를 필요로하기 때문에 생산 원가가 증가 된다.
본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제로는 압전 석영 결정체 공진기 및 이의 제조 방법을 제공하여, 종래 기술 중에서 서미스터와 석영 결정체 공진기를 하나의 챔버 내에 패키징시켰을 때 석영 결정체 공진기에 대하여 오염을 일으키는 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 구현하기 위하여, 본 발명에서는 압전 석영 결정체 공진기를 제공하는 바, 회로판, 석영 결정체 공진기 및 서미스터를 포함하며, 상기 서미스터는 상기 석영 결정체 공진기의 온도를 탐지하고, 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 상기 회로판 상에 구비되고 또한 서로 간에 회로판 상에 구비된 회로를 통하여 연결되며; 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 열가소성 재료를 이용하여 상호 독립적으로 캡슐화되고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재한다.
나아가, 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 병렬되게 상기 회로판의 동일한 측에 구비되고, 또한 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기 사이에는 간격이 미리 남겨진다.
나아가, 상기 서미스터가 상기 석영 결정체 공진기의 배면에 구비되고, 또한 상기 서미스터의 본딩 패드는 상기 석영 결정체 공진기의 본딩 패드와 상호 연결된다.
나아가, 상기 회로판 중의 석영 결정체 공진기가 구비되는 중간 위치에 통공이 구비되고, 상기 서미스터는 상기 통공 내에 구비된다.
본 발명에서는 또한 압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법을 제공하는 바, 하기 단계를 포함하여 구성된다.
A 단계: 회로판 상에 다수의 디자인 유닛을 구비하는 바, 그 중에서, 각 디자인 유닛에는 하나의 석영 결정체 공진기와 하나의 서미스터가 포함되고, 또한 인접된 디자인 유닛 사이에는 분할 간격이 미리 남겨지며;
B 단계: 상기 각 디자인 유닛에 있어서, 회로판의 밑층에 석영 결정체 공진기의 인출 본딩 패드를 구비하고, 회로판의 꼭대기 층에 석영 결정체 공진기를 용접하기 위한 본딩 패드를 구비하며; 아울러 석영 결정체 공진기 본딩 패드의 동일 측 또는 다른 측에 서미스터에 대응되는 본딩 패드를 구비하며;
C 단계: 석영 결정체 공진기와 상기 서미스터를 각각 대응되는 본딩 패드 위치에 용접시키며;
D 단계: 열가소성 재료를 이용하여 용접이 완료된 석영 결정체 공진기와 서미스터에 대하여 상호 독립적인 캡슐화를 진행하고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재하며;
E 단계: 사출성형된 회로판을 상기 디자인 유닛을 단위로 분할시킨다.
나아가, 상기 서미스터가 상기 석영 결정체 공진기의 동일 측에 구비될 때, 상기 C 단계는 구체적으로 하기 단계를 포함하여 구성된다.
C01 단계: 회로판의 본딩 패드 상에 솔더 페이스트를 인쇄하고, 또한 상기 석영 결정체 공진기와 상기 서미스터를 상응한 위치에 부착시키며;
C02 단계: C01 단계 중의 회로판에 대하여 리플로우 솔더링를 진행하고, 또한 회로판 상의 용접 용제를 세척한다.
나아가, 상기 서미스터가 상기 석영 결정체 공진기의 다른 측에 구비될 때, 상기 C 단계는 구체적으로 하기 단계를 포함하여 구성된다.
*C101 단계: 회로판 중의 각 석영 결정체 공진기가 구비되는 중간 위치에 통공을 구비하고, 아울러 서미스터의 본딩 패드로 하여금 상기 통공의 양단에 위치하게 하며;
C102 단계: 회로판 중의 모든 석영 결정체 공진기의 본딩 패드 상에 솔더 페이스트를 인쇄하고, 상기 석영 결정체 공진기를 상응한 위치에 부착시키며, 또한 리플로우 솔더링을 진행하여 이로 하여금 견고하게 용접되도록 하며;
C103 단계: 회로판 중의 타측의 모든 석영 결정체 공진기의 본딩 패드 상에 솔더 페이스트를 인쇄하고, 상기 서미스터를 상응한 위치에 부착시키며, 또한 리플로우 솔더링을 진행하여 이로 하여금 견고하게 용접되도록 하고 회로판 상의 용접 용제를 세척하며;
C104 단계: 상기 통공에 페이스트를 떨궈 페이스트로 하여금 석영 결정체 공진기, 서미스터와 회로판 사이의 간격을 충진시키도록 한다.
나아가, 상기 A 단계에서 다수의 디자인 유닛을 어레이로 배열시킨다.
종래의 기술에 비하여, 본 발명의 유익한 장점이라면 상기 압전 석영 결정체 공진기는 상기 석영 결정체 공진기와 상기 서미스터를 회로판 상에 배열시킨 후 수지를 사용하여 사출성형하기 때문에, 석영 결정체 공진기로 하여금 독립적인 챔버를 갖도록 하여 서미스터의 석영 결정체 공진기에 대한 오염을 방지시킬 수 있음과 아울러, 더욱 높은 주파수 안정성의 요구를 만족시킨다.
도 1은 본 발명의 압전 석영 결정체 공진기의 첫번째 제조 방법의 디자인 유닛 회로판 도면.
도 2는 도 1 중의 다수의 디자인 유닛으로 구성된 어레이 도면.
도 3은 도 2 중의 회로판 본딩 패드에 솔더링 페이스트를 인쇄시킨 후의 도면.
도 4는 도 3 중에서 석영 결정체 공진기와 서미스터를 용접시키는 도면.
도 5는 도 4에 대하여 사출성형을 진행한 후의 도면.
도 6은 도 5를 단일 석영 결정체 공진기를 분할시킨 후의 도면.
도 7은 도 6의 분해도.
도 8은 본 발명의 압전 석영 결정체 공진기의 두번째 제조 방법의 디자인 유닛 회로판 도면.
도 9는 도 8 중의 다수의 디자인 유닛으로 구성된 어레이 도면.
도 10은 도 9 중의 회로판 본딩 패드에 솔더링 페이스트를 인쇄시킨 후의 도면.
도 11은 도 10 중에서 석영 결정체 공진기를 용접시키는 도면.
도 12는 도 11 중에서 서미스터를 용접시키는 도면.
도 13은 도 12 중에서 통공을 충진시킨 후의 도면.
도 14는 도 13에 대하여 분할을 진행한 후의 도면.
도 15는 도 14의 분해도.
본 발명의 목적, 기술방안 및 우점을 더욱 명료하게 하기 위하여, 이해 실시예와 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 진일보로 상세히 설명하도록 한다. 여기에 기재된 구체적인 실시예는 단지 본 발명의 해석에 불과하고 본 발명을 제한하는 것이 아님을 이해하여야 할 것이다.
도 7 및 도 15에 도시된 바와 같이, 압전 석영 결정체 공진기(100)에 있어서, 회로판(103), 석영 결정체 공진기(101) 및 서미스터(102)를 포함하며, 서미스터(102)는 석영 결정체 공진기(101)의 온도를 탐지하고, 서미스터(102)와 석영 결정체 공진기(101)는 회로판(103) 상에 구비되고 또한 서로 간에 회로판(103) 상에 구비된 회로를 통하여 연결되는 바, 즉 석영 결정체 공진기(101)의 본딩 패드(1011)가 회로판(103) 중에 구비된 회로를 통하여 서미스터(102)의 본딩 패드(1021)와 상호 연결된다. 서미스터(102)와 석영 결정체 공진기(101)는 열가소성 재료(104)를 이용하여 상호 독립적으로 캡슐화되고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재하는 바, 즉 석영 결정체 공진기(101)는 독립적인 챔버를 가진다.
도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같은 압전 석영 결정체 공진기(100)의 첫번째 실시예에서, 서미스터(102)와 석영 결정체 공진기(101)는 병렬되게 회로판(103)의 동일한 측에 구비되고, 또한 서미스터(102)와 석영 결정체 공진기(101) 사이에는 간격이 미리 남겨진다.
*도 8 내지 도 15에 도시된 바와 같은 압전 석영 결정체 공진기(100)의 두번째 실시예에서, 서미스터(102)가 석영 결정체 공진기(101)의 배면에 구비되고, 또한 서미스터(102)의 본딩 패드(1021)는 석영 결정체 공진기(101)의 본딩 패드(1011)와 상호 연결된다. 회로판(103) 중의 석영 결정체 공진기(101)가 구비되는 중간 위치에 통공(106)이 구비되고, 서미스터(102)는 통공(106) 내에 고정 구비된다.
압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법에 있어서, 도 1 내지 도 7은 첫번째 방법 중의 각 단계의 도면이고, 도 8 내지 도 15는 두번째 방법 중의 각 단계의 도면이다. 이 두 가지 제조 방법은 주요하게 A 단계와 C 단계에서 다른 점이 존재한다. 제조 방법에는 하기 단계가 포함된다.
A 단계: 회로판(103) 상에 다수의 디자인 유닛을 구비하는 바, 그 중에서, 각 디자인 유닛에는 하나의 석영 결정체 공진기(101)와 하나의 서미스터(102)가 포함되고, 또한 인접된 디자인 유닛 사이에는 분할 간격이 미리 남겨지는데, 도 1 또는 도 8에 도시된 바와 같다. 바람직하게는 다수의 디자인 유닛이 어레이로 배열될 수 있고 또한 각 디자인 유닛 사이에 적당한 분할 간격이 미리 남겨지는 바, 도 2 및 도 9에 도시된 바와 같다.
B 단계: 회로판(103)의 밑층에 석영 결정체 공진기(101)의 인출 본딩 패드를 구비하고, 회로판(103)의 꼭대기 층에 석영 결정체 공진기(101)를 용접하기 위한 본딩 패드(1011)를 구비하며; 아울러 석영 결정체 공진기 본딩 패드(1011)의 동일 측 또는 다른 측에 서미스터(102)에 대응되는 본딩 패드(1021)를 구비한다.
C 단계: 석영 결정체 공진기(101)와 서미스터(102)를 각각 대응되는 위치의 본딩 패드에 용접시킨다.
D 단계: 열가소성 재료(104)를 이용하여 용접이 완료된 석영 결정체 공진기(101)와 서미스터(102)에 대하여 상호 독립적인 캡슐화를 진행하고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재한다.
E 단계: 사출성형된 회로판을 상기 디자인 유닛을 단위로 분할시켜, 분할된 각 석영 결정체 공진기(100)에 모두 하나의 서미스터(102)와 하나의 석영 결정체 공진기(101)가 포함되도록 한다.
첫번째 제조 방법은 석영 결정체 공진기의 본딩 패드(1011)와 서미스터(102)의 본딩 패드(1021)를 동익 측의 인접된 위치에 구비하는 것이다. 구체적으로 말하면, 회로판(103)의 밑층에 네 개의 본딩 패드를 구비하는 바, 이 네 개의 본딩 패드는 석영 결정체 공진기(101)의 인출 본딩 패드로서, 예를 들면 네 개의 본딩 패드는 각각 본딩 패드 A, 본딩 패드 B, 본딩 패드C 및 본딩 패드 D이다. 본딩 패드 A는 석영 결정체 공진기(101)의 제1 전극이고, 본딩 패드 B는 접지단임과 아울러 서미스터(102)의 제2 인출단이며, 본딩 패드 C는 석영 결정체 공진기(101)의 제2 전극이고, 본딩 패드 D는 서미스터(102)의 제1 인출단이다. 회로판(103)의 꼭대기 층에 석영 결정체 공진기(101)의 패키징에 대응되는 네 개의 본딩 패드가 구비되어 석영 결정체 공진기(101)를 용접시킨다. 아울러 회로판(103)의 ABCD 네 본딩 패드에 서미스터(102)의 패키징에 대응되는 두 개의 본딩 패드를 구비하여 서미스터(102)를 용접시킨다. 꼭대기 층의 상응한 본딩 패드는 도체, 금속화 통과홀을 통하여 밑층의 본딩 패드와 연결되는 바, 도 1에 도시된 바와 같다.
첫번째 제조 방법을 이용할 때, C 단계에는 구체적으로 하기 단계가 포함되는 바, 즉 C01 단계: 회로판(103)의 본딩 패드 상(석영 결정체 공진기(101)의 본딩 패드(1011)와 서미스터(102)의 본딩 패드(1021) 포함)에 솔더 페이스트(105)를 인쇄하는 바, 도 3에 도시된 바와 같고, 또한 석영 결정체 공진기(101)와 서미스터(102)를 상응한 위치에 부착시킨다. C02 단계: C01 단계 중의 회로판에 대하여 리플로우 솔더링를 진행하고, 또한 회로판 상의 용접 용제를 세척하는 바, 도 4에 도시된 바와 같다.
두번째 제조 방법은 석영 결정체 공진기의 본딩 패드(1011)와 서미스터(102)의 본딩 패드(1021)를 다른 측에 구비하는 것이다. 본 발명에서는 서미스터(102)를 석영 결정체 공진기(101)의 배면에 구비시키고 또한 회로판(103) 내에 위치시키는 바, 도 8에 도시된 바와 같다. 구체적으로 말하면, 회로판(103)의 밑층에 구비되는 네 개의 본딩 패드는 석영 결정체 공진기(101)의 인출 본딩 패드로서, 예를 들면 네 개의 본딩 패드는 각각 본딩 패드 A, 본딩 패드 B, 본딩 패드C 및 본딩 패드 D이다. 본딩 패드 A는 석영 결정체 공진기(101)의 제1 전극이고, 본딩 패드 B는 접지단임과 아울러 서미스터(102)의 제2 인출단이며, 본딩 패드 C는 석영 결정체 공진기(101)의 제2 전극이고, 본딩 패드 D는 서미스터(102)의 제1 인출단이다. 회로판(103)의 꼭대기 층에 석영 결정체 공진기(101)의 패키징에 대응되는 네 개의 본딩 패드가 구비되어 석영 결정체 공진기(101)를 용접시킨다. 아울러 회로판(103)의 ABCD 네 개의 본딩 패드 내에 통공(106)을 형성하고, 통공(106)의 양단에 측면 본딩 패드를 디자인하여 서미스터(102)를 설치 및 용접시킨다. 꼭대기 층의 상응한 본딩 패드는 도체, 금속화 통과홀을 통하여 밑층의 본딩 패드와 연결되고, 회로판(103)의 두께는 서미스터(102)의 두께보다 약단 더 두꺼운 바, 도 8에 도시된 바와 같다.
두번째 제조 방법을 이용할 때, C 단계는 구체적으로 하기 단계를 포함하여 구성되는 바, 즉 회로판(103) 중의 모든 석영 결정체 공진기(101)의 본딩 패드(1011) 상에 솔더 페이스트를 떨구고, 석영 결정체 공진기(101)를 상응한 위치에 부착시키며, 또한 리플로우 솔더링를 진행하여 이로 하여금 견고하게 용접되도록 하는 바, 도 11에 도시된 바와 같으며; 회로판(103)의 타측에서 모든 서미스터(102)의 본딩 패드(1021) 상에 솔더링 페이스트를 떨구고, 서미스터(102)를 통공(106) 내에 부착시키며, 리플로우 솔더링을 진행하여 이로 하여금 견고하게 용접되도록 하고, 또한 회로판 상의 용접 용제를 세척하는 바, 도 12에 도시된 바와 같으며; 통공(106)에 페이스트를 떨궈 페이스트로 하여금 석영 결정체 공진기(101), 서미스터(102)와 회로판(103) 사이의 간격을 충진시키도록 한다.
상기 압전 석영 결정체 공진기는 주파수에 대한 요구가 높고, 안정성이 높은 곳에 사용될 수 있는 바, 예를 들면 스마트폰, 스마트 단말, 글로벌 표지셔닝 시스템(GPS) 등이며, 또한 온도 보상 석영 결정체 공진기 또는 기타 주파수 안정성에 대한 요구가 높은 전자 설비에 이용될 수 있다.
상기 압전 석영 결정체 공진기는 석영 결정체 공진기로 하여금 독립적인 챔버를 갖도록 확보함과 아울러, 서미스터로 하여금 석영 결정체 공진기의 온도를 채집할 수 있도록 하며, 또한 더욱 높은 주파수 안정성 요구를 만족시킬 수 있다. 아울러 본 발명의 상기 제조 방법을 이용하면 원가를 절감할 수 있고, 대량 생산에 유리하다.
이상에서는 본 발명을 특정의 실시예에 대해서 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시예만 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 얼마든지 다양하게 변경하여 실시할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 압전 석영 결정체 공진기에 있어서,
    회로판, 석영 결정체 공진기 및 서미스터를 포함하며, 상기 서미스터는 상기 석영 결정체 공진기의 온도를 탐지하고, 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 상기 회로판 상에 구비되고 또한 서로 간에 회로판 상에 구비된 회로를 통하여 연결되며;
    상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 열가소성 재료를 이용하여 상호 독립적으로 캡슐화되고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재하는 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기는 병렬되게 상기 회로판의 동일한 측에 구비되고, 또한 상기 서미스터와 상기 석영 결정체 공진기 사이에는 간격이 미리 남겨지는 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 서미스터가 상기 석영 결정체 공진기의 배면에 구비되고, 또한 상기 서미스터의 본딩 패드는 상기 석영 결정체 공진기의 본딩 패드와 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 회로판 중의 석영 결정체 공진기가 구비되는 중간 위치에 통공이 구비되고, 상기 서미스터는 상기 통공 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기.
  5. 압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법에 있어서,
    하기 단계를 포함하여 구성되는 바, 즉
    A 단계: 회로판 상에 다수의 디자인 유닛을 구비하는 바, 그 중에서, 각 디자인 유닛에는 하나의 석영 결정체 공진기와 하나의 서미스터가 포함되고, 또한 인접된 디자인 유닛 사이에는 분할 간격이 미리 남겨지며;
    B 단계: 상기 각 디자인 유닛에 있어서, 회로판의 밑층에 석영 결정체 공진기의 인출 본딩 패드를 구비하고, 회로판의 꼭대기 층에 석영 결정체 공진기를 용접하기 위한 본딩 패드를 구비하며; 아울러 석영 결정체 공진기 본딩 패드의 동일 측 또는 다른 측에 서미스터에 대응되는 본딩 패드를 구비하며;
    C 단계: 석영 결정체 공진기와 상기 서미스터를 각각 대응되는 본딩 패드 위치에 용접시키며;
    D 단계: 열가소성 재료를 이용하여 용접이 완료된 석영 결정체 공진기와 서미스터에 대하여 상호 독립적인 캡슐화를 진행하고, 또한 양자의 캡슐화에 이용되는 열가소성 재료 사이에는 접촉이 존재하며;
    E 단계: 사출성형된 회로판을 상기 디자인 유닛을 단위로 분할시키는 것; 인 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 서미스터가 상기 석영 결정체 공진기의 동일 측에 구비될 때, 상기 C 단계는 구체적으로 하기 단계를 포함하여 구성되는 바, 즉
    C01 단계: 회로판의 본딩 패드 상에 솔더 페이스트를 인쇄하고, 또한 상기 석영 결정체 공진기와 상기 서미스터를 상응한 위치에 부착시키며;
    C02 단계: C01 단계 중의 회로판에 대하여 리플로우 솔더링를 진행하고, 또한 회로판 상의 용접 용제를 세척하는 것;인 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 서미스터가 상기 석영 결정체 공진기의 다른 측에 구비될 때, 상기 C 단계는 구체적으로 하기 단계를 포함하여 구성되는 바, 즉
    C101 단계: 회로판 중의 각 석영 결정체 공진기가 구비되는 중간 위치에 통공을 구비하고, 아울러 서미스터의 본딩 패드로 하여금 상기 통공의 양단에 위치하게 하며;
    C102 단계: 회로판 중의 모든 석영 결정체 공진기의 본딩 패드 상에 솔더 페이스트를 인쇄하고, 상기 석영 결정체 공진기를 상응한 위치에 부착시키며, 또한 리플로우 솔더링을 진행하여 이로 하여금 견고하게 용접되도록 하며;
    C103 단계: 회로판 중의 타측의 모든 석영 결정체 공진기의 본딩 패드 상에 솔더 페이스트를 인쇄하고, 상기 서미스터를 상응한 위치에 부착시키며, 또한 리플로우 솔더링을 진행하여 이로 하여금 견고하게 용접되도록 하고 회로판 상의 용접 용제를 세척하며;
    C104 단계: 상기 통공에 페이스트를 떨궈 페이스트로 하여금 석영 결정체 공진기, 서미스터와 회로판 사이의 간격을 충진시키도록 하는 것;인 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 A 단계에서 다수의 디자인 유닛을 어레이로 배열시키는 것을 특징으로 하는 압전 석영 결정체 공진기의 제조 방법.
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