发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种石英晶体振荡器及制造该石英晶体振荡器的方法,旨在解决现有技术中生产制造石英晶体振荡器的工序繁复导致的生产效率低下的问题。
为解决上述技术问题,本发明是这样实现的,一种石英晶体振荡器,包括:连接基座,连接基座一体成型制成,连接基座设有IC装配槽,IC装配槽的槽底铺设有导通电路,连接基座上还设有第一振子电极和第二振子电极;IC芯片,IC芯片固定设置在IC装配槽的槽底上,导通电路电连接至IC芯片的连接端口,第一振子电极和第二振子电极分别对应连接至IC芯片的相应电极端口;晶体谐振器成品,晶体谐振器成品包括谐振器基座、谐振器上盖和石英晶体振子,石英晶体振子装配在谐振器基座内,谐振器基座上设有第一电极线路和第二电极线路,石英晶体振子与第一电极线路或第二电极线路中的一个电连接,谐振器基座盖合在连接基座上,第一电极线路与第一振子电极电连接,第二电极线路与第二振子电极电连接,且谐振器基座与连接基座之间盖合后形成密闭空腔。
进一步地,导通电路包括印刷线路、导通过孔和连接焊脚,印刷线路设置在IC装配槽的槽底面上,连接焊脚设置在连接基座的与IC装配槽相背的一侧,导通过孔穿过IC装配槽的槽底,导通过孔的第一端与印刷线路电连接,导通过孔的第二端与连接焊脚电连接。
进一步地,谐振器基座为一体成型的边框结构,谐振器基座的内侧沿周向设有环形阶梯,第一电极线路和第二电极线路相对地设置于谐振器基座的内壁上,晶体谐振器成品还包括谐振器上盖,谐振器上盖密封封盖在谐振器基座上,石英晶体振子设置于谐振器上盖与环形阶梯之间,且石英晶体振子的边缘与环形阶梯在水平面上的垂直投影相重合。
进一步地,第一振子电极和第二振子电极均延伸至IC装配槽的槽壁顶部,第一电极线路和第二电极线路均延伸至边框结构的朝向连接基座的端面上,当谐振器基座与连接基座盖合时,则第一电极线路和第二电极线路分别与第一振子电极和第二振子电极接触导通。
进一步地,石英晶体谐振器成品还包括IC防护隔离物料,IC防护隔离物料贴附在IC芯片上。
进一步地,连接基座与谐振器基座之间通过胶粘方式密封连接;或者,连接基座与谐振器基座之间通过应力压合材料以应力压合方式密封连接;或者,所述连接基座(10)与所述谐振器基座(31)之间通过焊接材料以高温加热方式连接。
进一步地,导通电路与IC芯片的连接端口之间通过金线连接导通;或者,导通电路与IC芯片以覆晶技术连接导通。
进一步地,导通电路的连接端设置为承载焊盘,IC芯片的连接端口延伸设置为压接焊盘,承载焊盘与压接焊盘压合固定。
进一步地,连接基座采用陶瓷材质或电石材质制成,谐振器基座采用陶瓷材质或电石材质制成。
根据本发明的另一方面,提供了一种制造石英晶体振荡器的方法。该方法包括以下步骤:
一体成型制备连接基座,并形成IC装配槽,在连接基座上铺设导通电路、第一振子电极和第二振子电极,然后将IC芯片相应地配合连接导通电路、第一振子电极、第二振子电极,以将IC芯片装配在IC装配槽中,从而形成第一模块;
一体成型制备谐振器基座,在谐振器基座上铺设第一电极线路和第二电极线路,将石英晶体振子装配在谐振器基座中,及后将谐振器上盖封焊,从而形成第二模块;
将第二模块的谐振器基座密封盖合在第一模块的连接基座上。
本发明与现有技术相比,有益效果在于:在本发明的石英晶体振荡器中,利用一体成型的连接基座配合IC芯片的装配,相对于现有技术而言能够较好地提升连接基座的整体性,并且,相对于现有技术本发明的石英晶体振荡器无需层层粘接装配,采用一体成型的连接基座简化了装配工序工艺,较好地提升了生产效率。
附图说明
图1是现有技术的石英晶体振荡器的实施例的剖视结构示意图;
图2是本发明的石英晶体振荡器的第一实施例的装配结构示意图;
图3是本发明的石英晶体振荡器的第一实施例的分解结构示意图;
图4是本发明的石英晶体振荡器的第一实施例中的连接基座的俯视图;
图5是图4中A-A的局部剖示意图;
图6是本发明的石英晶体振荡器的第一实施例中的晶体谐振器成品的剖视结构示意图;
图7是本发明的石英晶体振荡器的第二实施例中的晶体谐振器成品的剖视结构示意图;
图8是本发明的石英晶体振荡器的第三实施例的分解结构示意图。
在附图中,各附图标记表示:
10、连接基座;11、IC装配槽;12、导通电路;121、印刷线路;122、导通过孔;123、连接焊脚;13、第一振子电极;14、第二振子电极;20、IC芯片;30、晶体谐振器成品;31、谐振器基座;32、石英晶体振子;33、谐振器上盖;34、高伐环;35、银胶;40、IC防护隔离物料。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
需要说明的是,当组件被称为“固定于”或“设置于”另一个组件,它可以直接在另一个组件上或者间接在该另一个组件上。当一个组件被称为是“连接于”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或间接连接至该另一个组件上。
需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
解释说明:IC,Integrated Circuit的缩写,又称为集成电路;高伐环,是提供一个平台将金属上盖熔接在谐振器基座上,最终使谐振器基座及金属上盖可形成一个密封腔。
如图2至6所示,本发明的第一实施例的石英晶体振荡器包括连接基座10、IC芯片20和晶体谐振器成品30,其中,晶体谐振器成品30包括谐振器基座31和石英晶体振子32,连接基座10一体成型制成,连接基座10设有IC装配槽11,IC装配槽11的槽底铺设有导通电路12,连接基座10上还设有第一振子电极13和第二振子电极14,IC芯片20固定设置在IC装配槽11的槽底上,导通电路12电连接至IC芯片20的连接端口,第一振子电极13和第二振子电极14分别对应连接至IC芯片20的相应电极端口,石英晶体振子32装配在谐振器基座31内,谐振器基座31上设有第一电极线路(未图示)和第二电极线路(未图示),石英晶体振子32与第一电极线路或第二电极线路中的一个电连接,谐振器基座31盖合在连接基座10上,第一电极线路与第一振子电极13电连接,第二电极线路与第二振子电极14电连接,且谐振器基座31与连接基座10之间盖合后形成密闭空腔。
该石英晶体振荡器在工作过程中,晶体谐振器成品30中的石英晶体振子32在相应的激励电压的作用而产生相应的应力应变的谐振动作,这样的应力应变造成的谐振动作会被转变成脉冲信号,继而通过IC芯片20转换脉冲信号成为电信号,从而实现控制输出的功能。在本发明的石英晶体振荡器中,利用一体成型的连接基座10配合IC芯片20的装配,相对于现有技术而言能够较好地提升连接基座10的整体性,并且,相对于现有技术本发明的石英晶体振荡器无需层层粘接装配,采用一体成型的连接基座10简化了装配工序工艺,较好地提升了生产效率。
如图5所示,在第一实施例中,连接基座10上的导通电路12包括印刷线路121、导通过孔122和连接焊脚123,印刷线路121设置在IC装配槽11的槽底面上,利用印刷线路121在保证导通质量的基础上,不仅确保线路固定在IC装配槽11的槽底而避免发生线路乱窜而影响谐振器整体工作的问题。并且,连接焊脚123设置在连接基座10的与IC装配槽11相背的一侧,导通过孔122穿过IC装配槽11的槽底,导通过孔122的第一端与印刷线路121电连接,导通过孔122的第二端与连接焊脚123电连接。通过导通过孔122实现印刷线路121与连接焊脚123之间的导电连接,在将石英晶体振荡器整体装配至电子设备的过程中,能够通过连接焊脚123实现快速锡焊,并且导通过孔122的密实性能够在实现正常电路导通的同时也避免了因导通过孔122而氧化密闭空腔内的IC芯片20、印刷线路121、石英晶体振子32、第一振子电极13、第二振子电极14、第一电极线路和第二电极线路。导通过孔122的制造过程中,首先将连接基座10的IC装配槽11的槽底相应位置进行钻孔,然后在所钻孔中灌入导电材质熔浆,待导电材质熔浆冷却固化即成型为导通过孔122。接着,就可以在连接基座10上分别制作印刷线路121和连接焊脚123。
具体地,第一实施例中的晶体谐振器成品30采用现有技术中的晶体谐振器成品进行装配制造本发明的石英晶体振荡器。如图6所示,晶体谐振器成品30中的谐振器基座31制造成型后,利用高伐环34粘接在谐振器基座31的周缘上,并使得高伐环34的内侧与谐振器基座31的内侧边缘形成阶梯形式,如此便将石英晶体振子32通过银胶35装配在谐振器基座31的阶梯边缘上,最后将谐振器上盖33封盖在高伐环34的顶部,即完成了该晶体谐振器成品的装配工作。第一实施例所采用的晶体谐振器成品30可以采用购进方式采购,在完成了连接基座10的制造成型并将连接基座10与IC芯片20连接装配之后,将采购回来晶体谐振器成品30进行组合装配,从而完成本发明的石英晶体振荡器的生产、装配,并输出石英晶体谐振荡产品。当然,第一实施例中所采用的晶体谐振器成品30也可以自行进行制造完成。
如图3至图5所示,在第一实施例中,第一振子电极13和第二振子电极14均延伸至IC装配槽11的槽壁顶部,第一电极线路和第二电极线路均延伸至边框结构的朝向连接基座10的端面上(当第一实施例采用外购的现有技术的晶体谐振器成品进行装配时,则必须要求供应方在对现有技术中的晶体谐振器成品的第一电极线路与第二电极线路进行改造为适应本发明的连接基座10的布局方式,即“第一电极线路和第二电极线路均延伸至边框结构的朝向连接基座10的端面上”;当第一实施例所采用的现有技术中结构形式的晶体谐振器成品时,则自行将晶体谐振器成品的第一电极线路与第二电极线路进行改造为适应本发明的连接基座10的布局方式)。当谐振器基座31与连接基座10盖合时,则第一电极线路和第二电极线路分别与第一振子电极13和第二振子电极14接触导通。如此,在将谐振器基座31封盖在连接基座10上时,则可直接将第一振子电极13和第一电极线路、第二振子电极14和第二电极线路实现电连接。
如图3所示,为了在将谐振器基座31封盖在连接基座10上的过程中避免因操作失误导致碰撞IC芯片20而导致IC芯片20损坏,因此,石英晶体振荡器还包括IC防护隔离物料40,IC防护隔离物料40贴附在IC芯片20上。
在封盖连接基座10和谐振器基座31时,连接基座10与谐振器基座31之间通过胶粘方式密封连接,从而使连接基座10和谐振器基座31之间形成密闭空腔。或者,在封盖连接基座10和谐振器基座31时,连接基座10与谐振器基座31之间通过应力压合材料以应力压合方式密封连接,从而使连接基座10和谐振器基座31之间形成密闭空腔。或者,连接基座10与谐振器基座31之间通过焊接材料以高温加热方式连接,通过高温加热使得焊接材料首先熔融,而此时必须保证所有相关零部件在此高温条件下仍能够保证性能正常,然后冷却降温使得焊接材料冷却固化,即可完成连接基座10与谐振器基座31之间的连接工序。
如图3所示,第一实施例中导通电路12与IC芯片20的连接端口之间通过金线连接导通。
优选地,第一实施例中的连接基座10采用陶瓷材质或电石材质制成,谐振器基座31采用陶瓷材质或电石材质制成。
如图7所示,其示出了本发明的石英晶体振荡器的第二实施例中的晶体振荡器的剖视结构示意图。在第二实施例中,石英晶体振荡器所采用的晶体谐振器成品与第一实施例中石英晶体振荡器所采用的现有技术中的晶体谐振器成品的不同之处在于:谐振器基座31为一体成型的边框结构,谐振器基座31的内侧沿周向设有环形阶梯,可见,第一实施例中所形成的阶梯形式是由于高伐环34与谐振器基座31粘接后形成的,而第二实施例中该阶梯形式则直接一体成型于谐振器基座31上,即环形阶梯;第一电极线路和第二电极线路相对地设置于谐振器基座31的内壁上,通过设计第一电极线路和第二电极线路的分布形式,使得第二实施例的晶体振荡器能够与一体成型的连接基座10上的第一振子电极13、第二振子电极14进行相应匹配;晶体谐振器成品还包括谐振器上盖33,谐振器上盖33密封封盖在谐振器基座31上(谐振器上盖33可以直接封盖在谐振器基座31上,或者,谐振器上盖33与谐振器基座31之间仍通过一层高伐环34而间接密封封盖);石英晶体振子32设置于谐振器上盖33与环形阶梯之间,且石英晶体振子32的边缘与环形阶梯在水平面上的垂直投影相重合。
第二实施例与第一实施例相比较而言,除以上不同之处外,其余结构均相同,在此不再赘述。
如图8所示,其示出了本发明的石英晶体振荡器的第三实施例的分解结构示意图。在第三实施例中,石英晶体振荡器与第一实施例、第二实施例的石英晶体振荡器分别比较,则均具有以下不同之处:导通电路12的连接端设置为承载焊盘,IC芯片20的连接端口延伸设置为压接焊盘,承载焊盘与压接焊盘压合固定。这样使得IC芯片20能够更快捷地装配至连接基座10上,进一步提升生产效率。
第三实施例与第一实施例、第二实施例分别比较而言,除以上不同之处外,其余结构均相同,在此不再赘述。
根据本发明的另一方面,本发明还提供了一种制造石英晶体振荡器的方法。该方法包括以下步骤:
步骤S10:一体成型制备连接基座10,并在连接基座10上形成IC装配槽11,在连接基座10的IC装配槽11的槽地面上铺设导通电路12、第一振子电极13和第二振子电极14,并使得第一振子电极13延伸至IC装配槽11其中一个槽壁顶部、使得第二振子电极14延伸至IC装配槽11的另一个槽壁顶部,这两个槽壁为相对的两个槽壁,然后将IC芯片20相应地配合连接导通电路12、第一振子电极13、第二振子电极14(可以通过金线进行熔焊连接,也可以通过设计相应的焊盘焊脚进行锡焊连接),以将IC芯片20装配在IC装配槽11中,从而形成第一模块。
步骤S20:一体成型制备谐振器基座31,在谐振器基座31上铺设第一电极线路和第二电极线路,并切割制备石英晶体振子32,将石英晶体振子32装配在谐振器基座31中,及后将谐振器上盖33封焊在谐振器基座31上,从而形成第二模块,即晶体谐振器成品30。在步骤S20中,也可以无需对晶体谐振器成品30进行加工制造,而通过采购现有技术中相应的晶体谐振器成品即可,当然,所采购的现有技术的晶体谐振器成品中的第一电极线路、第二电极线路需能够与步骤S10中所设计的第一振子电极13、第二振子电极14分别对应连接。
并且,步骤S10和步骤S20这两个步骤可以同时进行,也可以按照步骤S10→步骤S20或步骤S20→步骤S10的顺序进行加工制备,然后进行步骤S30。
步骤S30:将第二模块的谐振器基座31密封盖合在第一模块的连接基座10上,并使得谐振器基座31与连接基座10之间形成密闭空腔。
并且,在完成步骤S30的封盖过程中,此时始终保持第一模块和第二模块处于真空环境中,这样,当谐振器基座31与连接基座10封盖完成之后,谐振器基座31连接基座10之间形成的密闭空腔即为真空型密闭空腔,如此有效防止密闭空腔中的IC芯片20、印刷线路121、石英晶体振子32、第一振子电极13、第二振子电极14、第一电极线路和第二电极线路出现氧化而老化失效的问题,延长石英晶体谐振器成品的使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。