KR20120027178A - 다층 폴리이미드 필름 - Google Patents

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다케시 우에키도
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우베 고산 가부시키가이샤
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Abstract

폴리이미드층(b)의 편면 또는 양면에, 안료를 함유하는 폴리이미드층(a)이 적층된 다층 폴리이미드 필름이고, 상기 폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드가, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위를 70 내지100 몰%포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위를 70 내지100 몰%포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지는 다층 폴리이미드 필름.

Description

다층 폴리이미드 필름{MULTILAYERED POLYIMIDE FILM}
본 발명은 다층 폴리이미드 필름에 관한 것으로, 자세하게는 차광성 또는 광반사성을 갖는 다층 폴리이미드 필름에 관한 것이다.
폴리이미드는, 내열성, 치수 안정성, 역학 특성, 전기적 성질, 내환경 특성, 난연성 등의 각종 물성이 우수하고, 더구나 유연성을 갖고 있기 때문에, 반도체 집적회로를 실장할 때에 사용되는 가요성 프린트 기판이나 테이프 자동 본딩(Tape Automated Bonding: TAB)용 기판으로서 널리 사용되고 있다.
특허문헌 1에는, 벤조옥사졸 구조를 갖는 방향족 다이아민류와 방향족 테트라카복실산류가 중축합하여 이루어지는 폴리이미드(A) 30 ~ 98질량부, 및 체질(體質) 안료(B) 2 ~ 70질량부를 주성분으로 하는 폴리이미드 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 2에는, 다이아민과 방향족 테트라카복실산을 반응시켜 얻어지는 폴리아마이드산에 백색 안료를 혼합한 액을 지지체에 유연(流延)?건조시켜, 폴리이미드 전구체 필름을 얻고, 이 폴리이미드 전구체 필름을 이미드화시켜 얻어지는 백색 폴리이미드 필름으로서, 다이아민이 트랜스다이아미노사이클로헥세인, 메틸렌비스(사이클로헥실아민), 다이아미노다이페닐설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 주성분으로 하는 백색 폴리이미드 필름이 개시되어 있다.
일본 특허공개 2007-077231호 공보 일본 특허공개 2008-169237호 공보
본 발명의 과제는, 내열성 및 기계 특성이 우수하고, 또한 차광성 또는 광반사성을 갖는 다층 폴리이미드 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 이하의 다층 폴리이미드 필름을 제공한다.
[1] 폴리이미드층(b)의 편면 또는 양면에, 안료를 함유하는 폴리이미드층(a)이 적층된 다층 폴리이미드 필름으로서, 상기 폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드가, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위를 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위를 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지는 다층 폴리이미드 필름.
[2] 상기 폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드가, 피로멜리트산 단위, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위, 다이아미노다이페닐에터 단위 및 비스(아미노페녹시)벤젠 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지는, 상기 [1]에 기재된 다층 폴리이미드 필름.
[3] 상기 안료가 차광성 또는 광반사성을 갖는 안료인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 다층 폴리이미드 필름.
[4] 상기 안료가, 카본블랙, 철흑 및 이산화타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 안료인, 상기 [3]에 기재된 다층 폴리이미드 필름.
[5] 상기 안료가 비전도성의 카본블랙인, 상기 [4]에 기재된 다층 폴리이미드 필름.
[6] 파장 550nm에서의 광투과율이 1% 이하인, 상기 [1] 내지 [5]의 어느 하나에 기재된 다층 폴리이미드 필름.
[7] 다층 폴리이미드 필름의 총두께에 대한 상기 폴리이미드층(a)의 총두께의 비율[(폴리이미드층(a)의 총두께)/(다층 폴리이미드 필름의 총두께)]가 0.25 이하인, 상기 [1] 내지 [6]의 어느 하나에 기재된 다층 폴리이미드 필름.
[8] 상기 [1] 내지 [7]의 어느 하나에 기재된 다층 폴리이미드 필름의 제조방법으로서,
3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산을 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(b)을 이용하여 폴리이미드층(b)을 얻는 공정, 및
상기 폴리이미드층(b)의 적어도 하나의 면 상에, 폴리아믹산 및 안료를 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(a)을 이용하여 폴리이미드층(a)을 형성하는 공정
을 포함하는, 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
[9] 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)이, 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 성분을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민, 다이아미노다이페닐에터류 및 비스(아미노페녹시)벤젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 성분을 70 내지 100 몰% 포함하는 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산, 및 안료를 함유하는, 상기 [8]에 기재된 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
[10] 상기 폴리이미드 전구체 용액(b)과 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 공압출하는 것에 의해 지지체 상에 유연시킨 후에 가열하는 공정을 포함하는, 상기 [8] 또는 [9]에 기재된 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
[11] 상기 폴리이미드 전구체 용액(b)을 기판 상에 유연시킨 후에 가열하여, 폴리이미드층(b)으로 이루어지는 자기 지지성 필름을 얻는 공정, 및
상기 자기 지지성 필름에, 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공한 후에 가열하는 공정
을 포함하는, 상기 [8] 또는 [9]에 기재된 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
본 발명의 다층 폴리이미드 필름은, 내열성 및 기계 특성이 우수하고, 또한 차광성 또는 광반사성을 갖는다.
본 발명의 다층 폴리이미드 필름은, 폴리이미드층(b)의 편면 또는 양면에, 안료를 함유하는 폴리이미드층(a)이 적층되어 이루어진다.
본 발명의 다층 폴리이미드 필름에 있어서, 폴리이미드층(b) 및 폴리이미드층(a)의 두께는 사용하는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 실용상, 폴리이미드층(b)의 두께는 바람직하게는 5 ~ 100㎛, 보다 바람직하게는 5 ~ 80㎛, 더 바람직하게는 5 ~ 50㎛, 특히 바람직하게는 7 ~ 50㎛의 두께이다.
폴리이미드층(a)의 총두께는, 필름의 기계 물성 저하 방지의 관점에서, 바람직하게는 0.2 ~ 10㎛, 보다 바람직하게는 0.3 ~ 7㎛, 더 바람직하게는 0.5 ~ 5㎛, 특히 바람직하게는 0.7 ~ 4㎛의 두께인 것이 바람직하다.
또한, 폴리이미드층(a)의 편면의 두께는, 필름의 기계 물성 저하 방지의 관점에서, 바람직하게는 0.1 ~ 5㎛, 보다 바람직하게는 0.2 ~ 3㎛, 더 바람직하게는 0.25 ~ 2㎛, 특히 바람직하게는 0.3 ~ 1.5㎛의 두께인 것이 바람직하다.
다층 폴리이미드 필름의 총두께(폴리이미드층(b) 및 폴리이미드층(a)의 두께의 총합)에 대한 폴리이미드층(a)의 총두께의 비율[(폴리이미드층(a)의 총두께)/(다층 폴리이미드 필름의 총두께)]는, 필름의 기계 물성 저하 방지의 관점에서, 바람직하게는 0.25 이하, 보다 바람직하게는 0.20 이하, 더 바람직하게는 0.18 이하이다. 상기 비율의 하한은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위라면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.001 이상, 보다 바람직하게는 0.01 이상이다.
<폴리이미드층(b)>
폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드는, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위를 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위를 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지고, 내열성이 우수한 폴리이미드이다. 후술하는 바와 같이, 폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드는, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산을 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(b)을 이용하여 조제할 수 있다.
폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드에 있어서의 방향족 테트라카복실산 단위는, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위를 70 ~ 100 몰%, 바람직하게는 80 ~ 100 몰%, 보다 바람직하게는 90 ~ 100 몰% 포함한다. 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위 이외의 방향족 테트라카복실산 단위로서는, 예컨대 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 단위, 피로멜리트산 단위, 1,4-하이드로퀴논다이벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카복실산 단위를 들 수 있지만, 이들에 특별히 한정되지 않는다.
폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드에 있어서의 방향족 다이아민 단위는, p-페닐렌다이아민 단위를 70 ~ 100 몰%, 바람직하게는 80 ~ 100 몰%, 보다 바람직하게는 90 ~ 100 몰% 포함한다. p-페닐렌다이아민 단위 이외의 방향족 다이아민 단위로서는, 예컨대 m-페닐렌다이아민 단위, 2,4-다이아미노톨리딘 단위, 4,4-다이아미노다이페닐에터 단위, o-톨리딘 단위, m-톨리딘 단위, 4,4’-다이아미노벤즈아니리드 단위 등의 벤젠핵이 1 ~ 2개인 다이아민 단위(단, 2개의 벤젠핵 사이에, 에틸렌기 등의 탄소수 2 이상의 알킬렌기를 갖는 것은 포함하지 않는다)를 들 수 있지만, 이들에 특별히 한정되지 않는다.
<폴리이미드층(a)>
폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드는, 바람직하게는 피로멜리트산 단위, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위, 다이아미노다이페닐에터 단위 및 비스(아미노페녹시)벤젠 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지고, 내열성이 우수한 폴리이미드이다.
폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드에 있어서의 방향족 테트라카복실산 단위는, 피로멜리트산 단위, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을, 바람직하게는 70 ~ 100 몰%, 보다 바람직하게는 80 ~ 100 몰%, 더 바람직하게는 90 ~ 100 몰% 포함한다. 상기 이외의 방향족 테트라카복실산 단위로서는, 예컨대 1,4-하이드로퀴논다이벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카복실산 단위, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 단위, 3,3',4,4'-다이페닐에터테트라카복실산 단위, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 단위를 들 수 있지만, 이들에 특별히 한정되지 않는다.
폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드에 있어서의 방향족 다이아민 단위는, p-페닐렌다이아민 단위, 다이아미노다이페닐에터 단위 및 비스(아미노페녹시)벤젠 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 ~ 100 몰%, 바람직하게는 80 ~ 100 몰%, 보다 바람직하게는 90 ~ 100 몰% 포함한다. 상기 이외의 방향족 다이아민 단위로서는, 예컨대 m-페닐렌다이아민 단위, 2,4-다이아미노톨리딘 단위, o-톨리딘 단위, m-톨리딘 단위, 4,4’-다이아미노벤즈아니리드 단위 등의 벤젠핵이 1 ~ 3개인 다이아민 단위(단, 2개의 벤젠핵 사이에, 에틸렌기 등의 탄소수 2 이상의 알킬렌기를 갖는 것은 포함하지 않는다)를 들 수 있지만, 이들에 특별히 한정되지 않는다.
폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드와 폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드는 동일하여도 좋고, 상이하여도 좋다.
(안료)
폴리이미드층(a)은 안료를 함유한다. 안료의 종류 및 함유량은 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 폴리이미드층(a)에 있어서의 안료의 함유량은, 폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ~ 30질량부, 보다 바람직하게는 3 ~ 20질량부, 더 바람직하게는 3 ~ 15질량부이다.
폴리이미드층(a)에 포함되는 안료로서는, 차광성 또는 광반사성을 갖는 안료 이며, 바람직하게는 비전도성 및 차광성 또는 광반사성을 갖는 안료이다.
안료의 구체예로서는, 이산화타이타늄, 산화아연, 카본블랙, 철흑, 벵갈라(red iron oxide), 군청(群靑, ultramarine), 코발트 블루(海碧), 타이타늄 옐로, 감청(紺靑), 황화아연, 바륨황, 코발트 청, 코발트 초록, 퀴나크리돈 레드, 폴리아조 옐로, 안트라퀴논 레드, 안트라퀴논 옐로, 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또한, 이들의 안료는 2종류 이상을 병용할 수 있다.
안료로서는, 차광성의 관점에서, 카본블랙, 철흑 및 이산화타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 안료가 바람직하고, 비전도성 및 차광성의 관점에서, 비전도성의 카본블랙이 보다 바람직하다.
<다층 폴리이미드 필름의 제조방법>
본 발명의 다층 폴리이미드 필름의 제조방법은 특별히 한정되지 않지만, 이하의 공정(1) 및 (2)를 포함하는 방법이 바람직하다.
공정(1): 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산을 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(b)을 이용하여 폴리이미드층(b)을 얻는 공정.
공정(2): 상기 폴리이미드층(b)의 적어도 하나의 면 상에, 폴리아믹산 및 안료를 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(a)을 이용하여 폴리이미드층(a)을 형성하는 공정.
상기 공정(1) 및 (2)는, 공정(1)을 거친 후에 공정(2)를 행하더라도 좋고, 공정(1) 및 (2)를 동시에 행하더라도 좋다. 구체적으로는, 상기 폴리이미드 전구체 용액(b)을 기판 상에 유연시킨 후에 가열하여, 폴리이미드층(b)으로 이루어지는 자기 지지성 필름을 얻고, 이어서, 상기 자기 지지성 필름에 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공한 후에 가열하는 방법에 의해 다층 폴리이미드 필름을 제조할 수 있다(제 1 제조방법). 또한, 상기 폴리이미드 전구체 용액(b)과 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 공압출하는 것에 의해 지지체 상에 유연시킨 후에 가열하는 방법으로도 다층 폴리이미드 필름을 제조할 수 있다(제 2 제조방법).
(원료)
폴리이미드층(b)은, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산을 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(b)을 이용하여 얻어진다.
3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물 이외의 방향족 테트라카복실산 성분으로서, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 1,4-하이드로퀴논다이벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카복실산 이무수물 등을 이용할 수 있다.
또한, p-페닐렌다이아민 이외의 방향족 다이아민 성분으로서, m-페닐렌다이아민, 2,4-다이아미노톨리딘, 4,4-다이아미노다이페닐에터, o-톨리딘, m-톨리딘, 4,4’-다이아미노벤즈아니리드 등의 벤젠핵이 1 ~ 2개인 다이아민(단, 2개의 벤젠핵 사이에, 에틸렌기 등의 탄소수 2 이상의 알킬렌기를 갖는 것은 포함하지 않는다)등을 이용할 수 있다.
폴리이미드층(a)은, 폴리아믹산 및 안료를 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(a)을 이용하여 얻어진다.
안료는 전술한 것을 이용할 수 있다.
폴리이미드 전구체 용액(a)에 함유되는 폴리아믹산은, 바람직하게는 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민, 다이아미노다이페닐에터류 및 비스(아미노페녹시)벤젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 성분으로부터 얻어진다. 다이아미노다이페닐에터류의 구체예로서는, 3,3’-다이아미노다이페닐에터, 4,4’-다이아미노다이페닐에터, 3,4’-다이아미노다이페닐에터 등을 들 수 있고, 비스(아미노페녹시)벤젠류의 구체예로서는, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.
폴리이미드층(a)에 관하여, 상기 이외의 방향족 테트라카복실산 성분으로서는, 1,4-하이드로퀴논다이벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐에터테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 이무수물 등을 이용할 수 있다.
또한, 상기 이외의 방향족 다이아민 성분으로서는, m-페닐렌다이아민, 2,4-다이아미노톨리딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 4,4’-다이아미노벤즈아니리드 등의 벤젠핵이 1 ~ 3개인 다이아민(단, 2개의 벤젠핵 사이에, 에틸렌기 등의 탄소수 2 이상의 알킬렌기를 갖는 것은 포함하지 않는다) 등을 이용할 수 있다.
폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드와 폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드는, 같은 산성분과 방향족 다이아민 성분의 조합의 폴리이미드이어도 좋고, 다른 조합의 폴리이미드이어도 좋다.
(폴리아믹산의 조제)
폴리이미드 전구체 용액(a) 및 (b)에 포함되는 폴리아믹산(폴리이미드 전구체)은, 각각 상기의 방향족 테트라카복실산 성분과 방향족 다이아민 성분의 중합 반응에 의해 얻어진다. 폴리이미드 전구체 용액(a) 및 (b)은 유기 극성 용매를 함유하는 것이 바람직하고, 상기 중합 반응은 유기 극성 용매 중에서 실시되는 것이 바람직하다.
유기 극성 용매로서는, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세토아마이드, N,N-다이에틸아세토아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이에틸폼아마이드, 헥사메틸설폰아미드 등의 아마이드류, 다이메틸설폭사이드, 다이에틸설폭사이드 등의 설폭사이드류, 다이메틸설폰, 다이에틸설폰 등의 설폰류를 들 수 있다. 이들의 용매는 단독으로 사용하더라도 좋고, 혼합하여 사용하더라도 좋다.
폴리이미드 전구체 용액(a) 및 (b)에 있어서의 전체 모노머의 농도는, 다층 폴리이미드 필름의 제조방법에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예컨대, 폴리이미드 전구체 용액을 유연시키는 경우에는, 전체 모노머의 농도는 바람직하게는 5 ~ 40 질량%, 보다 바람직하게는 6 ~ 35 질량%, 더 바람직하게는 10 ~ 30 질량%이다. 또한, 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공에 이용하는 경우에는, 전체 모노머의 농도는 바람직하게는 1 ~ 15 질량%, 보다 바람직하게는 2 ~ 8 질량%이다.
상기 방향족 테트라카복실산 성분과 방향족 다이아민 성분을 실질적으로 등몰 혹은 어느 쪽의 성분을 조금 과잉으로 하여 상기 유기 극성 용매에 혼합하고, 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하의 반응 온도에서 약 0.2 ~ 60시간 반응시키는 것에 의해 폴리아믹산(폴리이미드 전구체) 용액을 얻을 수 있다.
폴리이미드 전구체 용액의 점도는, 사용하는 목적(도공, 유연 등)이나 제조하는 목적에 따라 적절히 선택하면 좋고, 취급 용이성의 관점에서, 폴리아믹산(폴리이미드 전구체) 용액은 30℃에서 측정한 회전 점도가 바람직하게는 약 0.1 ~ 5000푸아즈, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 2000푸아즈, 더 바람직하게는 1 ~ 2000푸아즈정도이다. 따라서, 상기 중합 반응은, 생성하는 폴리아믹산 용액이 상기와 같은 점도를 나타내는 정도로까지 실시하는 것이 바람직하다.
폴리이미드 전구체 용액(a) 및/또는 폴리이미드 전구체 용액(b)에는, 겔화를 제한할 목적으로, 인계 안정제, 예컨대 아인산트라이페닐, 인산트라이페닐 등을 폴리아믹산 중합시에 고형분(폴리머) 농도에 대하여 0.01 ~ 1%의 범위로 첨가할 수 있다.
또한, 폴리이미드 전구체 용액(a) 및/또는 폴리이미드 전구체 용액(b)에는, 이미드화 촉진의 목적으로, 도핑액 중에 염기성 유기 화합물을 첨가할 수 있다. 예컨대, 이미다졸, 2-이미다졸, 1,2-다이메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 벤즈이미다졸, 아이소퀴놀린, 치환 피리딘 등을 폴리아믹산(폴리이미드 전구체) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0005 ~ 0.1질량부, 보다 바람직하게는 0.001 ~ 0.02질량부의 비율로 사용할 수 있다. 이들은, 비교적 저온에서 폴리이미드 필름을 형성하기 때문에 이미드화가 불충분해지는 것을 피하기 위해서 사용할 수 있다.
또한, 접착 강도의 안정화의 목적으로, 폴리이미드 전구체 용액(열압착성 폴리이미드 원료 도핑)에 유기 알루미늄 화합물, 무기 알루미늄 화합물 또는 유기 주석 화합물을 첨가할 수도 있다. 예컨대 수산화알루미늄, 알루미늄 트리아세틸아세토네이트 등을 폴리아믹산에 대하여 알루미늄 금속으로서 바람직하게는 1ppm 이상, 보다 바람직하게는 1 ~ 1000ppm의 비율로 첨가할 수 있다.
또한, 폴리이미드층(b)으로 이루어지는 자기 지지성 필름을 제조하는 경우, 폴리이미드 전구체 용액(b)에는, 필요에 따라 유기 또는 무기 첨가제를 첨가할 수 있다.
무기 첨가제로서는, 입자상 또는 편평상 등의 무기 충전재를 들 수 있고, 미립자상의 이산화타이타늄 분말, 이산화규소(실리카) 분말, 산화마그네슘 분말, 산화알루미늄(알루미나) 분말, 산화아연 분말 등의 무기 산화물 분말, 미립자상의 질화규소 분말, 질화타이타늄 분말 등의 무기 질화물 분말, 탄화규소 분말 등의 무기탄화물 분말, 및 미립자상의 탄산칼슘 분말, 황산칼슘 분말, 황산바륨 분말 등의 무기 분말을 들 수 있다. 이들의 무기 미립자는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들의 무기 미립자는 임의의 수단에 의해서 폴리이미드 전구체 용액(b) 중에 균일하게 분산시킬 수 있다.
유기 첨가제로서는, 폴리이미드 입자, 열경화성 수지의 입자 등을 들 수 있다.
첨가제의 사용량 및 형상(크기, 종횡비)에 관해서는, 사용 목적에 따라 선택할 수 있다.
(제 1 제조방법)
본 발명의 제 1 제조방법에 있어서는, 우선, 상기 폴리이미드 전구체 용액(b)을 기판 상에 유연시킨 후에 가열하여, 폴리이미드층(b)으로 이루어지는 자기 지지성 필름을 얻고, 이어서, 상기 자기 지지성 필름의 편면 또는 양면에, 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공하여 자기 지지성 필름의 편면 또는 양면에 폴리이미드 전구체 용액(a)을 적층시켜, 얻어지는 다층의 자기 지지성 필름을 가열, 건조하여 이미드화를 행하고, 추가로 최고 가열 온도 350℃ ~ 600℃, 바람직하게는 450 ~ 590℃, 보다 바람직하게는 490 ~ 580℃, 더 바람직하게는 500 ~ 580℃, 특히 바람직하게는 520 ~ 580℃에서 열처리하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 필름 전체로서 충분한 기계적 성질(인장탄성율) 및 열적 성질(선팽창계수)를 갖는 다층 폴리이미드 필름을 얻을 수 있다.
[자기 지지성 필름의 제조]
예컨대, 우선 폴리이미드 전구체 용액(b)을 적당한 지지체(예컨대, 금속, 세라믹, 플라스틱제의 롤, 또는 금속 벨트, 또는 금속 박막 테이프가 공급되고 있는 롤 또는 벨트)의 표면 상에 다이 등을 이용하여 유연시켜, 바람직하게는 약 10 ~ 2000㎛, 보다 바람직하게는 20 ~ 1000㎛ 정도의 균일한 두께의 막 상태로 형성한다. 이어서 열풍, 적외선 등의 열원을 이용하여 바람직하게는 50 ~ 210℃, 보다 바람직하게는 60 ~ 200℃로 가열하여, 유기 극성 용매를 서서히 제거함으로써 자기 지지성이 될 때까지 전(前)건조를 행함으로써 자기 지지성 필름을 얻을 수 있다.
폴리이미드 전구체 용액(b)을 이용하여 자기 지지성 필름을 제조할 때에, 폴리이미드 전구체의 이미드화는 열 이미드화, 화학 이미드화의 어느 쪽으로도 실시할 수 있다.
자기 지지성 필름은, 폴리이미드 전구체 용액(a)을 자기 지지성 필름의 표면에 거의 균질하게, 나아가서는 균질하게 도공할 수 있는 것 같은 평활한 표면(편면 혹은 양면)을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 자기 지지성 필름의 역학적 성질, 폴리이미드 전구체 용액(a)의 도공, 폴리이미드층(a)과 폴리이미드층(b)의 접착 강도, 균열 등의 발생 방지 등의 관점에서, 자기 지지성 필름의 가열 감량이 20 ~ 40 질량%의 범위에 있는 것이 바람직하고, 자기 지지성 필름의 이미드화률이 8 ~ 40%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
한편, 상기의 「자기 지지성 필름의 가열 감량」이란, 측정 대상의 필름을 420℃에서 20분간 건조하여, 건조전의 중량 W1과 건조후의 중량 W2로부터 다음 식에 의해 구한 값이다.
가열 감량( 질량%) = [(W1-W2)/W1]×100
또한, 상기의 「자기 지지성 필름의 이미드화률」은, IR(ATR)으로 측정하고, 필름과 완전 경화품의 진동대 피크 면적의 비를 이용하여, 이미드화률를 산출할 수 있다. 진동대 피크로서는, 이미드카보닐기의 대칭 신축 진동대나 벤젠환 골격 신축 진동대 등을 이용한다. 또한 이미드화률 측정에 관하여, 일본 특허공개 평9-316199호 공보에 기재된 칼 피셔 수분계를 이용하는 수법도 있다.
[도공]
폴리이미드층(b)의 자기 지지성 필름의 편면 또는 양면에 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공하고, 필요하다면 건조하여 적층 자기 지지 필름을 얻을 수 있다.
폴리이미드층(b)의 자기 지지성 필름에 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공하는 경우, 지지체로부터 박리시킨 자기 지지성 필름상에 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공할 수도 있고, 지지체로부터 박리하기 전의 지지체 상의 자기 지지성 필름에 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공할 수도 있다.
자기 지지성 필름의 편면 또는 양면에 폴리이미드(a)를 부여하는 폴리이미드 전구체 용액(a)을 균일하게 도공하는 것이 바람직하다.
자기 지지성 필름의 편면 또는 양면에 폴리이미드(a)를 부여하는 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공하는 방법으로서는, 공지된 방법을 이용할 수 있고, 예컨대, 그라비어 코팅법, 스핀 코팅법, 실크 스크린법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법 등의 임의의 도공방법을 들 수 있다.
(제 2 제조방법)
본 발명의 제 2 제조방법에 있어서는, 상기 폴리이미드 전구체 용액(b)과 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 공압출에 의해 지지체에 유연시켜 건조함으로써 폴리이미드층(b)의 편면 또는 양면에 폴리이미드층(a)이 직접 적층된 적어도 2층의 적층 자기 지지성 필름을 얻고, 얻어지는 적층 자기 지지성 필름을 가열, 건조하여 이미드화를 행하고, 추가로 최고 가열 온도 350℃ ~ 600℃, 바람직하게는 450 ~ 590℃, 보다 바람직하게는 490 ~ 580℃, 더 바람직하게는 500 ~ 580℃, 특히 바람직하다는 520 ~ 580℃에서 열처리하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 필름 전체로서 충분한 기계적 성질(인장탄성율)및 열적 성질(선팽창계수)를 갖는 다층 폴리이미드 필름을 얻을 수 있다.
[적층 자기 지지성 필름의 제조]
예컨대, 우선 폴리이미드 전구체 용액(b)과 폴리이미드 전구체 용액(a)을 적당한 지지체(예컨대, 금속, 세라믹, 플라스틱제의 롤, 또는 금속 벨트, 또는 금속 박막 테이프가 공급되고 있는 롤 또는 벨트)의 표면 상에 2층 이상의 다이 등을 이용하여 공압출로써 유연시켜, 바람직하게는 약 10 ~ 2000㎛, 보다 바람직하게는 20 ~ 1000㎛ 정도의 균일한 두께의 막 상태로 형성한다. 이어서 열풍, 적외선 등의 열원을 이용하여 바람직하게는 50 ~ 210℃, 보다 바람직하게는 60 ~ 200℃로 가열하여, 유기 극성 용매를 서서히 제거함으로써 자기 지지성이 될 때까지 전건조를 행하고, 상기 지지체로부터 적층 자기 지지성 필름을 박리 하는 것으로, 적층 자기 지지성 필름을 얻을 수 있다.
폴리이미드 전구체 용액을 이용하여 적층 자기 지지성 필름을 제조할 때에, 폴리이미드 전구체의 이미드화는 열 이미드화, 화학 이미드화의 어느 쪽으로도 실시할 수 있다.
적층 자기 지지성 필름의 가열 감량 및 이미드화률은 상기와 마찬가지이다.
적층 자기 지지 필름은, 핀 텐터, 클립, 금속 등으로 고정하여, 가열 이미드화한다. 이 가열 처리는 최종 가열 온도가 350 ~ 600℃인 것이 바람직하고, 가열 온도 조건은 적절히 선택할 수 있다. 가열 처리는, 열풍로(熱風爐), 적외선 가열로 등의 여러 가지의 장치를 사용하여 행할 수 있고, 1단 또는 다단의 가열 온도로 가열 처리할 수도 있다.
<다층 폴리이미드 필름의 물성, 용도>
본 발명의 다층 폴리이미드 필름은, 차광성 및 광반사성의 관점에서, 파장 550nm에서의 광투과율이 바람직하게는 1% 이하, 보다 바람직하게는 0.5% 이하, 더 바람직하게는 0.1% 이하이다.
또한, 다층 폴리이미드 필름 전체로서, 인장탄성율(MD)이 바람직하게는 6 ~ 12 GPa이며, 선팽창계수(50 ~ 200℃)가 10×10-6 ~ 30×10-6 cm/cm/℃인 것이, 프린트 배선판, 가요성 프린트 기판, TAB 테이프 등의 전자 부품의 소재로서 적합하게 이용할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명의 다층 폴리이미드 필름은, 그대로, 또는 필요하면 폴리이미드층(a) 및/또는 폴리이미드층(b)을 코로나 방전 처리, 저온 플라즈마 방전 처리 또는 상압 플라즈마 방전 처리, 화학 에칭 등에 의한 표면 처리를 하여 이용할 수 있다.
본 발명의 다층 폴리이미드 필름은, 내열성, 기계 특성이 우수하고, 차광성 또는 광반사성을 갖기 때문에, 프린트 배선판, 가요성 프린트 기판, TAB이나 COF(Chip On Film) 등의 테이프 등의 전자 부품의 소재로서 이용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 근거하여 더욱 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
(평가 방법)
?광투과율(%)의 측정: 히타치하이테크놀로지사 제품 U-2800형 분광 광도계를 이용하여, 파장 550nm에서의 투과율을 측정했다.
?인장강도(MPa) 및 신도(%)의 측정: ASTM?D882에 따라서 측정했다.
참고예 1
3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물과 등몰량의 p-페닐렌다이아민을 N,N-다이메틸아세토아마이드 중에서 30℃, 3시간 중합하여, 18 질량% 농도의 폴리아믹산 용액을 수득했다. 이 폴리아믹산 용액에, 폴리아믹산 100질량부에 대하여 0.1질량부의 모노스테아릴인산에스터트라이에탄올아민염, 이어서 폴리아믹산 1몰에 대하여 0.05몰의 1,2-다이메틸이미다졸, 추가로 폴리아믹산 100질량부에 대하여 0.5질량부의 실리카 충전재(평균 입경: 0.08㎛, 일산화학사 제품, 상품명: ST-ZL)을 첨가하여 균일하게 혼합하여, 폴리이미드(b)의 전구체 용액 조성물(B-1)을 수득했다.
참고예 2
3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물과 등몰량의 p-페닐렌다이아민을 N,N-다이메틸아세토아마이드 중에서 30℃, 3시간 중합하여, 18 질량% 농도의 폴리아믹산 용액을 수득했다. 이 폴리아믹산 용액에, 추가로 폴리아믹산 100질량부에 대하여 0.5질량부의 실리카 충전재(평균 입경: 0.08㎛, 일산화학사 제품, 상품명: ST-ZL), 및 5중량부의 카본블랙(미쓰비시화학사 제품, 상품명: 미쓰비시카본블랙)을 첨가한 후, 균일하게 혼합하여, 폴리이미드(a)의 전구체 용액 조성물(A-1)을 수득했다.
참고예 3
3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물과 등몰량의 p-페닐렌다이아민을 N,N-다이메틸아세토아마이드 중에서 30℃, 3시간 중합하여, 3.0 질량% 농도의 폴리아믹산 용액을 수득했다. 이 폴리아믹산 용액에, 추가로 폴리아믹산 100질량부에 대하여 5중량부의 비전도성 카본블랙(미쓰비시화학사 제품, 상품명: 미쓰비시카본블랙)을 첨가한 후, 균일하게 혼합하여, 폴리이미드(a)의 전구체 용액 조성물(A-2)을 수득했다.
실시예 1
3층 다이스를 이용하여, 중앙의 층에 전구체 용액 조성물(B-1)을 가열 건조후의 필름 두께가 10㎛가 되도록, 또한 양 표면층에 전구체 용액 조성물(A-2)을 가열 건조후의 두께가 각 2㎛가 되도록 스테인레스 기판(지지체) 상에 연속적으로 유연시켜, 140℃의 열풍으로 건조를 행하고, 지지체로부터 박리하여 적층 자기 지지성 필름을 수득했다. 이 적층 자기 지지성 필름을 가열로에서 200℃로부터 575℃로 서서히 승온시켜 용매를 제거하고, 이미드화를 행하여, 다층 폴리이미드 필름(X-1)을 수득했다.
이 다층 폴리이미드 필름(X-1)의 인장강도, 신도, 및 광투과율을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2
단층 다이스를 이용하여, 가열 건조후의 필름 두께가 10㎛가 되도록, 전구체 용액 조성물(B-1)을 스테인레스 기판(지지체) 상에 연속적으로 유연시켜, 140℃의 열풍으로 건조를 행하고, 지지체로부터 박리하여 자기 지지성 필름을 수득했다. 이 자기 지지성 필름의 양면에, 가열 건조후의 두께가 1㎛가 되도록 전구체 용액(A-2)을 도포한 후, 가열로에서 200℃로부터 575℃로 서서히 승온시켜 용매를 제거하고, 이미드화를 행하여, 다층 폴리이미드 필름(X-2)을 수득했다.
이 다층 폴리이미드 필름(X-2)의 인장강도, 신도 및 광투과율을 측정했다.
실시예 3
실시예 2에 있어서, 상기 전구체 용액 조성물(A-2)을 자기 지지성 필름의 스테인레스 기판에 접촉하고 있던 면만에 도공한 것 이외는 실시예 2와 같이 하여 두께 9㎛의 다층 폴리이미드 필름(X-3)을 수득했다.
이 다층 폴리이미드 필름(X-3)의 인장강도, 신도 및 광투과율을 측정했다.
비교예 1
단층 다이스를 이용하여, 가열 건조후의 필름 두께가 10㎛가 되도록, 전구체 용액 조성물(B-1)을 스테인레스 기판(지지체) 상에 연속적으로 유연시켜, 140℃의 열풍으로 건조를 행하고, 지지체로부터 박리하여 자기 지지성 필름을 수득했다. 이 자기 지지성 필름을 가열로에서 200℃로부터 575℃로 서서히 승온시켜 용매를 제거하고, 이미드화를 행하여, 단층 폴리이미드 필름(Y-1)을 수득했다.
이 단층 폴리이미드 필름(Y-1)의 인장강도, 신도 및 광투과율을 측정했다.
비교예 2
비교예 1에 있어서, 상기 폴리이미드 전구체 용액(B-1)을 전구체 용액 조성물(A-1)로 변경한 것 이외는, 비교예 1과 같이 하여 단층 폴리이미드 필름(Y-2)을 수득했다.
이 단층 폴리이미드 필름(Y-2)의 인장강도, 신도 및 광투과율을 측정했다.
[표 1]
Figure pct00001
전구체 용액 조성물(B-1)만을 이용하여 수득된 비교예 1의 단층 폴리이미드 필름은 광투과율이 불충분하며, 전구체 용액 조성물(A-1)만을 이용하여 수득된 비교예 2의 단층 폴리이미드 필름은 인장강도 및 신도가 불충분했다. 이것에 대하여, 실시예 1 ~ 3의 다층 폴리이미드 필름은 인장강도 및 신도가 우수하고, 또한 광투과율이 작아 차광성을 갖는 것이었다.
한편, 실시예 1 ~ 3을 비교하면, 카본 함유 폴리이미드층(폴리이미드층(a))과 기재 폴리이미드층(폴리이미드층(b))의 두께 비율의 상이함에 의해, 카본 함유 폴리이미드층(폴리이미드층(a))이 보다 두꺼운 실시예 1의 필름에서는 광투과성이보다 양호한 한편, 기재 폴리이미드층(폴리이미드층(b))이 보다 두꺼운 실시예 2 및 3의 필름에서는 인장강도 및 신도가 양호했다.
[산업상 이용 가능성]
본 발명의 다층 폴리이미드 필름은 내열성, 기계 특성이 우수하고, 또한 차광성 또는 광반사성을 갖기 때문에, 프린트 배선판, 가요성 프린트 기판, TAB이나 COF 등의 테이프 등의 전자 부품의 소재로서 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (11)

  1. 폴리이미드층(b)의 편면 또는 양면에, 안료를 함유하는 폴리이미드층(a)이 적층된 다층 폴리이미드 필름으로서,
    상기 폴리이미드층(b)을 구성하는 폴리이미드가, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위를 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위를 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지는 다층 폴리이미드 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리이미드층(a)을 구성하는 폴리이미드가, 피로멜리트산 단위, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 단위 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 단위와, p-페닐렌다이아민 단위, 다이아미노다이페닐에터 단위 및 비스(아미노페녹시)벤젠 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 단위로 이루어지는 다층 폴리이미드 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 안료가 차광성 또는 광반사성을 갖는 안료인 다층 폴리이미드 필름.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 안료가 카본블랙, 철흑 및 이산화타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 안료인 다층 폴리이미드 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 안료가 비전도성의 카본블랙인 다층 폴리이미드 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 550nm에서의 광투과율이 1% 이하인 다층 폴리이미드 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    다층 폴리이미드 필름의 총두께에 대한 상기 폴리이미드층(a)의 총두께의 비율[(폴리이미드층(a)의 총두께)/(다층 폴리이미드 필름의 총두께)]가 0.25 이하인 다층 폴리이미드 필름.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 다층 폴리이미드 필름의 제조방법으로서,
    3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산을 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(b)을 이용하여 폴리이미드층(b)을 얻는 공정, 및
    상기 폴리이미드층(b)의 적어도 하나의 면 상에, 폴리아믹산 및 안료를 함유하는 폴리이미드 전구체 용액(a)을 이용하여 폴리이미드층(a)을 형성하는 공정
    을 포함하는, 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 폴리이미드 전구체 용액(a)이, 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물 및 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 성분을 70 내지 100 몰% 포함하는 방향족 테트라카복실산 성분과, p-페닐렌다이아민, 다이아미노다이페닐에터류 및 비스(아미노페녹시)벤젠류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 성분을 70 내지 100 몰% 포함하는 다이아민 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산, 및 안료를 함유하는, 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 폴리이미드 전구체 용액(b)과 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 공압출하는 것에 의해 지지체 상에 유연시킨 후에 가열하는 공정을 포함하는, 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 폴리이미드 전구체 용액(b)을 기판 상에 유연시킨 후에 가열하여, 폴리이미드층(b)으로 이루어지는 자기 지지성 필름을 얻는 공정, 및
    상기 자기 지지성 필름에, 상기 폴리이미드 전구체 용액(a)을 도공한 후에 가열하는 공정
    을 포함하는, 다층 폴리이미드 필름의 제조방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160056369A (ko) * 2014-11-10 2016-05-20 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 연성금속박적층체
KR20160096608A (ko) * 2013-12-13 2016-08-16 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 다층 필름
KR20160097345A (ko) * 2013-12-17 2016-08-17 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 다층 필름
KR20170094293A (ko) * 2014-12-10 2017-08-17 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 다층막
KR20170131435A (ko) * 2015-03-26 2017-11-29 도레이 카부시키가이샤 수지 적층막, 그것을 포함하는 적층체, tft 기판, 유기 el 소자 컬러 필터 및 그들의 제조 방법
KR20230079850A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 엑스퍼트아이엔씨 주식회사 네비게이션 연동 방식의 비접촉 물류 관리 시스템

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5824818B2 (ja) * 2011-02-14 2015-12-02 三菱瓦斯化学株式会社 着色遮光ポリイミドフィルム
KR20140027185A (ko) * 2011-03-30 2014-03-06 우베 고산 가부시키가이샤 폴리이미드 필름
TW201302858A (zh) 2011-06-24 2013-01-16 Du Pont 有色聚醯亞胺膜及與其有關之方法
TWI443016B (zh) * 2011-09-09 2014-07-01 Taimide Technology Inc 聚醯亞胺多層膜及其製造方法
US9267057B2 (en) * 2011-12-16 2016-02-23 Taimide Technology Incorporated Polyimide film incorporating polyimide powder delustrant, and manufacture thereof
TW201410601A (zh) 2012-09-06 2014-03-16 綠晶能源股份有限公司 軟性石墨紙及其製造方法及其增厚結構
US9788420B2 (en) 2013-01-29 2017-10-10 Toray Industries, Inc. Substrate and touch panel member using same
EP2952342A4 (en) * 2013-01-29 2016-08-17 Toray Industries SUBSTRATE AND TOUCH SCREEN ELEMENT THEREWITH
TWI558556B (zh) * 2013-10-22 2016-11-21 達邁科技股份有限公司 含有聚醯亞胺粉體消光劑之多層聚醯亞胺膜及其製造方法
TWI503228B (zh) * 2013-12-05 2015-10-11 Taimide Technology Inc 低介電常數之多層聚醯亞胺膜、其疊合體及其製備方法
KR102483075B1 (ko) * 2015-03-04 2022-12-30 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 박리층 형성용 조성물
TWI600125B (zh) * 2015-05-01 2017-09-21 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
TWI794172B (zh) 2016-05-25 2023-03-01 日商三菱鉛筆股份有限公司 氟系樹脂之非水系分散體、使用其之含氟系樹脂之熱硬化樹脂組成物及其硬化物、聚醯亞胺前驅物溶液組成物
TWI738778B (zh) 2016-05-25 2021-09-11 日商三菱鉛筆股份有限公司 氟系樹脂之非水系分散體、使用其之含氟系樹脂之熱硬化樹脂組成物及其硬化物、聚醯亞胺前驅物溶液組成物
WO2020016954A1 (ja) * 2018-07-18 2020-01-23 住友電気工業株式会社 樹脂ワニス、絶縁電線及び絶縁電線の製造方法
US20200147943A1 (en) * 2018-11-13 2020-05-14 Dupont Electronics, Inc. Multilayer Polymer Film
KR102312550B1 (ko) * 2019-04-12 2021-10-15 피아이첨단소재 주식회사 다층 구조의 블랙 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
KR102362385B1 (ko) * 2019-11-13 2022-02-15 피아이첨단소재 주식회사 고탄성 및 고내열 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
CN117656622A (zh) * 2020-05-29 2024-03-08 东洋纺株式会社 聚酰亚胺膜及其制造方法
CN114506101A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 臻鼎科技股份有限公司 聚酰亚胺厚膜及其制备方法
CN114679837A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 广东生益科技股份有限公司 一种黑色无胶挠性覆铜板及其制备方法和应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3849345A (en) * 1973-06-27 1974-11-19 Phillips Petroleum Co Conductive articles made from butadiene/styrene block copolymers and carbon black
US4088628A (en) * 1976-08-12 1978-05-09 Esb Incorporated Atactic polypropylene tape
JPH0250826A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Sony Chem Corp フレキシブルプリント配線基板
US5358782A (en) * 1992-12-15 1994-10-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Coextruded multi-layered, electrically conductive polyimide film
US5302652A (en) * 1992-12-15 1994-04-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing a pigmented polyimide shaped article
US5741598A (en) * 1995-08-01 1998-04-21 Ube Industries, Ltd. Polyimide/metal composite sheet
JP3444035B2 (ja) * 1995-08-01 2003-09-08 宇部興産株式会社 ポリイミドフィルム
JPH10138318A (ja) * 1996-09-13 1998-05-26 Ube Ind Ltd 多層押出しポリイミドフィルムの製法
JP4147639B2 (ja) * 1998-09-29 2008-09-10 宇部興産株式会社 フレキシブル金属箔積層体
TW574261B (en) * 2000-08-28 2004-02-01 Ube Industries Method of producing through-hole in aromatic polyimide film
US6794031B2 (en) * 2001-09-28 2004-09-21 Ube Industries, Ltd. Cover-lay film and printed circuit board having the same
JP4006999B2 (ja) * 2001-12-25 2007-11-14 宇部興産株式会社 ポリイミドフィルムおよび積層体
JP2004315601A (ja) * 2003-04-14 2004-11-11 Ube Ind Ltd 接着性の改良されたポリイミドフィルム、その製造法および積層体
US20070221096A1 (en) * 2004-06-29 2007-09-27 Kan Fujihara Novel Polyimide Film
US7361292B2 (en) * 2004-11-08 2008-04-22 Dow Global Technologies Inc. High modulus, nonconductive adhesive useful for installing vehicle windows
JP4773726B2 (ja) * 2005-01-14 2011-09-14 株式会社カネカ 多層押出ポリイミドフィルムおよびその利用
CN101213263B (zh) * 2005-05-16 2012-05-16 卡伯特公司 炭黑的共混物和包含该共混物的产品
JP5026133B2 (ja) * 2007-03-30 2012-09-12 ニッポン高度紙工業株式会社 フレキシブルプリント基板
JP5611993B2 (ja) * 2009-03-06 2014-10-22 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 電子回路用途の多層フィルム
TW201037035A (en) * 2009-04-01 2010-10-16 Microcosm Technology Co Ltd Polyimide film having sheltering property and application thereof and preparation method thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160096608A (ko) * 2013-12-13 2016-08-16 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 다층 필름
KR20160097345A (ko) * 2013-12-17 2016-08-17 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 다층 필름
KR20160056369A (ko) * 2014-11-10 2016-05-20 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 연성금속박적층체
KR20170094293A (ko) * 2014-12-10 2017-08-17 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 다층막
KR20170131435A (ko) * 2015-03-26 2017-11-29 도레이 카부시키가이샤 수지 적층막, 그것을 포함하는 적층체, tft 기판, 유기 el 소자 컬러 필터 및 그들의 제조 방법
KR20230079850A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 엑스퍼트아이엔씨 주식회사 네비게이션 연동 방식의 비접촉 물류 관리 시스템

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