KR20110025942A - 광전변환장치 및 그 구동방법과 그 제조방법, 고체촬상장치 및 그 구동방법과 그 제조방법 - Google Patents

광전변환장치 및 그 구동방법과 그 제조방법, 고체촬상장치 및 그 구동방법과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

높은 감도 특성과 계면(界面)준위의 저하로부터의 암(暗)전류의 증대를 억제하는 것을 동시에 달성하는 것이 가능한 광전변환장치를 제공한다.
기판(1)의 표면에, 광전변환부(3)가 형성되어 있고, 기판(1)상에 절연막(11)이 형성되며, 광전변환부(3)의 기판(1)과 절연막(11)과의 계면의 적어도 일부에, 기판(1)의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부(18)가 형성되며, 광전변환부(3)내에서 요철부(18)의 적어도 일부를 포함하도록, 암전류를 줄이기 위한 재결합영역(19)이 형성된 광전변환장치(100)를 구성한다.

Description

광전변환장치 및 그 구동방법과 그 제조방법, 고체촬상장치 및 그 구동방법과 그 제조방법{Photoelectric conversion apparatus and driving method there of, and its manufacturing method, solid image pickup apparatus and driving method there of, and its manufacturing method}
본 발명은, 광전변환장치 및 그 구동방법과 그 제조 방법에 관한 것이다. 또, 고체촬상장치 및 그 구동방법과 그 제조방법에 관한 것이다.
고체촬상장치, 예를 들면 일반적인 고체촬상장치는, 반도체기판의 표면에, 각 수광셀로서 포토다이오드와 같은 광전변환부가 복수개, 예를 들면 1차원 상태 (직선모양) 또는 2차원 상태(매트릭스모양)로 배열 형성되어 있고, 그것들 개개의 광전변환부에 빛이 입사하면, 그 빛에 대응하여 신호전하가 발생하고, 그 신호전하가 전송전극에 의하여 영상신호로서 읽어 내어지도록 구성되어 있다.
이와 같은 구성의 고체촬상 장치에서는, 도 20에 그 확대단면도를 나타내는 바와 같이, 예를 들면 N형의 실리콘반도체기판(51)내에, P형의 제 1의 반도체 웰층(52)이 형성되며, 반도체기판(51)의 표면측에는, 광전변환부(53)를 구성하는 N형의 반도체영역(소위 전하 축적영역)(54)과 그 위에 표면의 P＋의 반도체영역(정전하 축적영역)(55)으로 이루어지는 포토다이오드가 형성된다.
광전변환부(53)열의 한쪽 측에는, 수직CCD부(56)를 구성하는 N형의 전송채널영역(57)이 형성되며 N형의 전송채널영역(57) 아래에는, P형의 제 2의 반도체웰영역(58)이 형성되어 있다.
광전변환부(53)의 다른 쪽 측에는, 수평방향으로 서로 이웃하는 화소간을 분리하기 위한 화소분리영역, 즉, P＋의 채널스톱 영역(59)이 형성되어 있다. 광전변환부(53)와 수직CCD부(56)와의 사이에는, 광전변환부(53)에 축적된 신호전하를 수직CCD부(56)에 읽어내기 위한, 트랜스퍼 게이트부(60)가 형성되어 있다.
반도체기판(51)의 표면상에는, 실리콘산화막(61)이 형성되며, 트랜스퍼 게이트부(60), N형의 전송채널영역(57) 및 채널스톱 영역(59)상에, 예를 들면 다결정 실리콘층으로 이루어지는 전송전극(62)이 형성되어 있다. 그리고, 전송채널영역(57), 전송전극(62)에 의해 수직CCD부(56)가 구성된다. 이 전송전극(62)상에는, 재차 실리콘 산화막(61)을 통하여 예를 들면 알루미늄이나 텅스텐과 같은 금속재료로 이루어지는 차광막(63)이 형성된다.
차광막(63)상에는, 전면을 덮어 투명한 실리콘산화막(예를 들면 PSG)으로 이루어지는 커버막(패시베이션막)(64)이 형성되어 있다. 그리고, 이 커버막(64)상에 평탄화 막(65)과 컬러 필터(도시하지 않음)를 통하여, 광전변환부(53)와 대응하는 위치에, 온칩(on-chip)렌즈(66)가 형성되어 있다.
그런데, 이와 같은 구성의 고체촬상장치에서는, 반도체기판(51)에 형성된 광전변환부(53)의 표면과 실리콘 산화막(61)과의 계면(界面)에서의 빛의 반사에 기인하여, 외부로부터 광전변환부(53)로 입사하는 빛의 손실이 커진다.
즉, 반도체기판(51)의 표면과 실리콘산화막(61)과의 계면에 있어서의 빛의 투과율이 낮기 때문에, 광전변환부(53)의 수광량이 적게 되며, 광전변환부(53)에 있어서의 충분한 감도를 얻을 수 없다고 하는 것이다.
그래서, 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 광전변환부(53)의 표면상에 반사방지막을 설치하는 구성이 알려져 있다.
즉, 도 21에 그 확대 단면도를 나타내는 바와 같이, 이 반사방지막(67)은, 광전변환부(53)상을 포함하여 전면에 형성된 실리콘산화막(68)과, 이 실리콘산화막(68)상에 형성된. 실리콘산화막(68)보다도 굴절률이 높고, 동시에 반도체기판(51)의 굴절률보다 낮은 재료로 이루어지는 예를 들면 실리콘 질화막(69)으로 구성되어 있다.
또한, 예를 들면, 실리콘산화막(68)의 굴절률은 1.45이며, 실리콘질화막(69)의 굴절률은 2.00이다. 또, 실리콘산화막(68)의 막두께, 실리콘질화막(69)의 막두께는, 각각, 600Å이하, 바람직하게는 250~350Å이하로 된다.
또, 도 20과 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다.
이와 같이, 굴절률 및 막두께가 각각 규정된 실리콘산화막(68) 및 실리콘질화막(69)을 적층하여 반사방지막(67)을 형성함으로써, 광전변환부(53)의 표면에 있어서의 빛의 반사율을 12％~13％정도로까지 저감하는 것이 가능하게 된다. 이것은, 도 20에 나타낸, 광전변환부(53)의 표면의 빛의 반사율이 약 40％정도인, 반사 방지막(67)이 설치되어 있지 않은 구성의 고체촬상장치의 경우와 비교하면, 반사율이 약 1／3까지 저감된다고 하는 것을 의미하고 있다.
여기서, 반사방지막(67)에 대해서는, 반도체기판(51)과 반사방지막(67)의 실리콘질화막(69)과의 사이에서의 스트레스를 완화하기 위해서, 실리콘산화막(68)을 개재시키고 있지만, 이 실리콘산화막(68)은, 반도체기판(51)의 주된 형성재료이기도 한 단결정 실리콘과 실리콘질화막(69)과의 중간적인 굴절률을 가지는 재료로 구성되어 있으므로, 실리콘산화막(68)이 개재하는 것에 기인하여, 실리콘 산화막(68)의 상측 또는 하측의 계면에서 빛의 반사가 생겨 버린다.
이것에 의해, 최종적으로 광전변환부(53)에 입사하는 광량이 적게 되며, 광전변환부(53)에 있어서의 충분한 감도가 얻어지지 않는다고 하는 문제점이 생겨 버린다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 예를 들면, 실리콘산화막(68)의 막두께를 한층 더 얇게 형성하는 것이 고려되지만, 어떠한 얇은 막두께로 형성해도, 실리콘산화막(68)이 개재하고 있는 한은, 이 실리콘산화막(68)의 상측 또는 하측의 계면에서, 빛의 반사가 생기는 것은 아무리 해도 피할 수 없다.
즉, 실리콘질화막(69), 실리콘산화막(68), 반도체기판(51)의 표면이라고 하는, 입사광의 일련의 투과 경로 중에서, 단속적으로 굴절률이 변화해 가는 구성으로 되어 있으므로, 각각의 층의 계면에서 입사광에 반사가 생기는 것은 피할 수 없다.
그래서, 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 예를 들면, 반도체 기판상에 포토닉 결정(포토닉 크리스탈)을 설치하는 구성이 알려져 있다(특허 문헌 1 참조).
즉, 이 포토닉 결정은, 서로 이웃하는 포토닉 결정끼리의 거리(피치)를, 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛의 파장의 약 1／2로 함으로써, 굴절률이, 실리콘반도체 기판의 계면 상부로부터 실리콘 반도체기판의 계면내부로 완만하게 변화하게 되며, 예를 들면 빛이 평탄한 반도체 기판의 계면에 입사하는 경우보다도 빛의 손실을 억제하고, 광전변환부(53)로 입사하는 수광량을 증가시켜, 높은 감도를 얻을 수 있도록 하는 것이다.
[특허 문헌 1] 특개 2003－35846호 공보
그렇지만, 이와 같이 반도체기판상에 포토닉 결정을 설치하도록 했을 경우, 예를 들면, 이하에 나타내는 바와 같은 문제점이 생긴다.
즉, 포토닉 결정을 형성할 때에, 반도체기판을 구성하는 단결정 실리콘에 스트레스가 생김으로써, 반도체기판(1)의 표면(계면)에 결정결함이 발생하고, 이와 같은 결정결함에 의한 계면준위에 의해, 암전류가 증대하게 되는 것이 고려된다.
따라서, 반도체기판상에 포토닉 결정을 설치함으로써, 충분한 감도 특성을 얻는 것은 가능하게 되지만, 계면준위로부터의 암전류의 증대는 억제할 수 없고, 예를 들면 S／N비의 개선을 도모하는 것이 곤란하게 되어 있었다.
즉, 포토닉 결정을 설치한 경우, 높은 감도 특성과 계면준위로부터의 암전류의 저감을 동시에 달성하는 것이 곤란했다.
또한, 이와 같은 문제는, 상술한 바와 같은 구성의 고체촬상장치뿐만 아니고, 예를 들면, 광전변환부가 단체(單體)의 포토 커플러(photo-coupler) 등의 광전변환장치에 있어서도 마찬가지로 생기는 것이 고려된다.
상술한 점을 감안하여, 본 발명은, 높은 감도특성과 계면준위에 의한 암전류의 증대를 억제하는 것을 동시에 달성하는 것이 가능한 광전변환장치 및 그 구동방법과 그 제조방법을 제공하는 것이다. 또, 고체촬상장치 및 그 구동방법과 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 기판의 표면에, 광전변환부가 형성되어 있고, 기판상에 절연막이 형성되어 있는 광전변환장치이며, 광전변환부의 기판과 절연막과의 계면의 적어도 일부에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 광전변환부내에서 요철부의 적어도 일부를 포함하도록, 암전류를 저감하기 위한 재결합영역이 형성되어 있는 것으로 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 광전변환부의 기판과 절연막과의 계면의 적어도 일부에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 광전변환부내에서 요철부의 적어도 일부를 포함하도록, 암전류를 저감하기 위한 재결합영역이 형성되어 있으므로, 예를 들면, 기판의 표면(계면)에 결정결함이 발생했을 경우라도, 요철부 내에 형성된 재결합영역에 있어서, 암전류로 되는 전자를 소멸시킬 수 있고, 계면준위의 저하에 의한 암전류의 증대를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 표면에, 광전변환부가 형성되어 있고, 기판상에 절연막이 형성되며, 광전변환부의 기판과 절연막과의 계면과의 적어도 일부에, 기판의 두께 방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 요철부상에 절연막을 통하여 전극이 형성되어 있는 구성의 광전변환장치에 있어서, 전극에, 역바이어스 전압을 인가함으로써, 요철부 내에 재결합영역을 형성하도록 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 전극에, 역바이어스 전압을 인가함으로써, 요철 부내에 재결합영역을 형성하도록 했으므로, 전압의 인가에만 의해, 요철부 내에 재결합영역을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 기판의 표면(계면)에 결정 결함이 발생한 경우라도, 전압의 인가에 의해 요철부내에 형성된 재결합영역에 있고, 암전류로 되는 전자를 소멸시킬 수 있고, 암전류의 증대를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 표면에, 광전변환부를 형성하고, 기판상에 절연막을 형성하는 광전변환장치의 제조방법이며, 기판의 표면에 제 1도전형 영역을 형성하는 공정과, 제 1도전형 영역과 절연막과의 계면에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부를 형성하는 공정과, 요철부를 형성하는 공정후에, 요철부 내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합 영역을 형성하는 공정을 가지도록 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 기판의 표면에 제 1도전형 영역을 형성하는 공정과. 제 1도전형영역과 절연막과의 계면에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부를 형성하는 공정과, 요철부를 형성하는 공정 후에, 요철부내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정을 가지도록 했으므로, 요철부의 표면에 있어서, 그 요철에 대응하여, 암전류로 되는 전자를 저감하기 위한 재결합영역을 형성하는 것이 가능하게 된다.
본 발명은, 기판 표면에, 복수의 광전변환부가 형성되어 있고, 기판상에 절연막이 형성되어 있는 고체촬상장치이며, 광전변환부의 기판과 절연막과의 계면의 적어도 일부에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 광전변환부 내에서 요철부의 적어도 일부를 포함하도록, 암전류를 저감하기 위한 재결합 영역이 형성되어 있는 것으로 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 광전변환부의 기판과 절연막과의 계면의 적어도 일부에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 광전변환부내에서 요철부의 적어도 일부를 포함하도록, 암전류를 저감하기 위한 재결합영역이 형성되어 있으므로, 예를 들면, 기판의 표면(계면)에 결정결함이 발생했을 경우라도, 요철부내에 형성된 재결합영역에 있어서, 암전류로 되는 전자를 소멸시킬 수 있고, 계면준위에 의한 암전류의 증대를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판 표면에, 복수의 광전변환부가 형성되어 있고, 기판상에 절연막이 형성되며, 광전변환부의 기판과 절연막과의 계면의 적어도 일부에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 요철부상에 절연막을 통하여 전극이 형성되어 있는 구성의 고체촬상장치에 있어서, 전극에, 역바이어스 전압을 인가함으로써, 요철부내에 재결합 영역을 형성하도록 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 전극에, 역바이어스전압을 인가함으로써, 요철부내에 재결합 영역을 형성하도록 했으므로, 전압의 인가만에 의해, 요철부내에 재결합영역을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 기판의 표면(계면)에 결정 결함이 발생한 경우라도, 전압의 인가에 의해 요철부내에 형성된 재결합영역에 있어서, 암전류로 되는 전자를 소멸시킬 수 있고, 암전류의 증대를 억제할 수 있다.
본 발명은, 기판의 표면에, 복수의 광전변환부를 형성하고, 기판상에 절연막을 형성하는 고체촬상장치의 제조방법이며, 기판의 표면에 제 1도전형 영역을 형성하는 공정과, 제 1도전형 영역과 절연막과의 계면에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부를 형성하는 공정과, 요철부를 형성하는 공정 후에, 요철부내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정을 가지도록 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 기판의 표면에 제 1도전형 영역을 형성하는 공정과, 제 1도전형영역과 절연막과의 계면에, 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부를 형성하는 공정과, 요철부를 형성하는 공정 후에, 요철부내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정을 가지도록 했으므로, 요철부에 있어서, 그 요철에 대응하여, 암전류로 되는 전자를 저감하기 위한 재결합 영역을 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명의 광전변환장치 및 고체촬상장치에 의하면, 예를 들면 요철부(포토닉 결정)를 설치한 경우라도, 계면준위에 의한 암전류를 억제할 수 있는 구성의 광전변환장치 및 고체촬상장치를 제공할 수 있다.
따라서, 예를 들면, 높은 감도특성을 가지고, S／N비가 개선된 광전변환장치 및 고체촬상장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 광전변환장치의 구동방법 및 고체촬상장치의 구동방법에 의하면, 전압을 인가하는 것으로, 계면준위에 의한 암전류의 증대를 억제하기 위한 재결합 영역을 형성하는 것을 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 광전변환장치의 제조방법 및 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 감도특성이 향상하고, 계면준위에 의한 암전류를 억제할 수 있는 구성의 광전변환장치 및 고체촬상장치를 제조하는 것이 가능하게 된다.
도 1은, 본 발명의 고체촬상장치의 한 실시의 형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는, 도 1의 고체촬상장치의 요철부의 평면도이다.
도 3은, 도 1의 고체촬상장치의 요철부의 확대사시도이다.
도 4는, 도 1의 고체촬상장치의 요철부 부근의 모식도(A)와, 절연막과 반도체기판과의 높이와 굴절률과의 관계를 나타내는 도면(B)이다.
도 5는, 요철부의 한 실시의 형태를 나타내는 모식도이다.
도 6은, 도 5에 나타내는 요철부의 다른 실시의 형태를 나타내는 모식도이다.
도 7은, 도 5에 나타내는 요철부의 또 다른 실시의 형태를 나타내는 모식도이다.
도 8은, 도 5에 나타내는 요철부의 또 다른 실시의 형태를 나타내는 모식도이다.
도 9는, 도 5에 나타내는 요철부의 다른 형상을 나타내는 확대사시도(A~D)이다.
10도 10은, 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법의 한 실시의 형태를 나타내는 제조공정도(그 1)이다.
도 11은, 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법의 한 실시의 형태를 나타내는 제조 공정도(그 2)이다.
도 12는, 요철부를 형성하는 방법의 구체적인 설명도이다.
도 13은, 요철부를 형성하는 방법의 다른 형태를 설명하는 도면이다.
도 14는, 도 1의 고체촬상장치의 요철부의 다른 형상을 나타내는 평면도이다.
도 15는, 도 14의 요철부의 확대도 사시도이다.
도 16은, 도 14에 나타내는 요철부의 다른 형상을 나타내는 확대 사시도이다.
도 17은, 도 14에 나타내는 요철부에 있어서, 저면을 정사각형으로 하는 동시에, 세로 및 가로의 길이를 같은 피치로 형성한 경우를 설명하는 도면이다.
도 18은, 도 14에 나타내는 요철부를 형성할 때에 이용되는 레지스트 마스크의 구성도이다.
도 19는, 이면 조사형의 고체촬상장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 20은, 종래의 고체촬상장치의 개략 단면도(그 1)이다.
도 21은, 종래의 고체촬상장치의 개략 단면도(그 2)이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시의 형태를 설명한다.
먼저, 본 발명의 고체촬상소자의 한 실시의 형태를, 도 1에 나타내는 확대 단면도와 함께 설명한다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치(100)는, 예를 들면, 고순도의 단결정 실리콘(Si)을 주요재료로 하는 N형의 실리콘 반도체기판(1)내에, P형의 제 1의 반도체 웰층(2)이 형성되며, 반도체기판(1)의 표면측에는, 광전변환부(3)를 구성하는 예를 들면 N형의 반도체 영역(소위 전하축적영역)(4)으로 이루어지는 포토다이오드가 형성된다.
광전변환부(3) 열의 한쪽 측에는, 수직CCD부(6)를 구성하는 N형의 전송채널 영역(7)이 형성되며, N형의 전송채널영역(7)아래에는, P형의 제 2의 반도체 웰 영역(8)이 형성되어 있다.
광전변환부(3)의 다른 쪽 측에는, 수평방향으로 서로 이웃하는 화소간을 분리하기 위한 화소분리영역, 즉, 고농도의 P형의 채널스톱 영역(9)이 형성되어 있다. 광전변환부(3)와 수직CCD부(6)와의 사이에는, 광전변환부(3)에 축적된 신호전하를 수직CCD부(6)에 읽어내기 위한 트랜스퍼 게이트부(10)가 형성되어 있다.
반도체기판(1)의 표면상에는, 광전변환부(3)의 재질(예를 들면 반도체기판(1)의 단결정 실리콘에 소정의 불순물을 주입하여 이루어지는 재질)과는 다른 재질의, 예를 들면 실리콘산화막 또는 실리콘질화막으로 이루어지는 절연막(11)이 형성되어 있다. 이 절연막(11)상에는, 트랜스퍼 게이트부(10), N형의 전송채널영역(7) 및 채널스톱 영역(9)상에, 예를 들면 다결정 실리콘층으로 이루어지는 전송전극(12)이 형성되어 있다. 그리고, 전송채널영역(7), 전송전극(12)에 의해 수직CCD부(6)가 구성된다. 이 전송전극(12)상에는 층간 절연막(13)을 통하여 예를 들면 알루미늄이나 텅스텐과 같은 금속재료로 이루어지는 차광막(14)이 형성된다.
또, 차광막(14)상에는, 전면을 덮어 투명한 실리콘산화막(예를 들면 PSG)으로 이루어지는 커버막(패시베이션막)(15)이 형성되어 있다. 그리고, 이 커버막(15)상에 평탄화막(16)과 컬러 필터(도시하지 않음)를 통하여, 광전변환부(13)와 대응하는 위치에, 온칩(on-chip)렌즈(17)가 형성되어 있다.
여기서, 절연막(11)과 광전변환부(3)와의 계면에는, 반도체기판(1)의 두께 방향으로 심부(深部)로 향함에 따라, 절연막(11)을 구성하는 실리콘산화막에 대한 반도체기판(1)을 구성하는 단결정 실리콘의 비율이 서서히(연속 양적으로) 높아져 가도록 요철부(포트닉 결정)(18)가 형성되어 있다. 즉, N형의 반도체영역 (4)의 표면에 요철부(18)가 형성되어 있다.
요철부(18)는, 도 2에 평면도 및 도 3에 확대 사시도를 나타내는 바와 같이, 그 긴쪽 방향이, 반도체기판(1)의 평탄한 주면에 대해서 평행하게 눕혀져 배치되며, 예를 들면 삼각기둥모양으로 형성되어 있다.
이 삼각기둥모양의 요철부(18)를 구성하고 있는 복수의 삼각기둥피치의 치수(D)(서로 이웃한 삼각기둥끼리의 피치의 치수(D))는, 고체촬상장치의 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛의 최장파장 이하, 더 바람직하게는 최단파장 이하로 설정할 수 있다. 또, 더 바람직하게는, 설정되어 있는 빛의 최단파장의 1／2 ~ 1／5의 범위로 설정할 수도 있다.
이와 같은 피치의 치수(D)로 설정함으로써, 요철부(18)내에 있어서의 입사광에 대한 매질 내의 굴절률은 연속적으로 변동한다(즉, 입사광의 파장에 의존한 요철부(18) 중의 굴절률이 연속적으로 변동한다).
예를 들면, 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛이 가시광인 경우는, 가시광 영역은 일반적으로 약 400nm∼약 700nm정도의 범위이므로, 서로 이웃한 삼각기둥끼리의 피치의 치수(D)로서는, 예를 들면 그 최단파장보다 짧은 300nm로 설정된다.
또, 삼각기둥모양의 요철부(18)는, 그 긴쪽 방향(능선)이, 수직CCD부(6)나 전송전극(12)의 긴쪽 방향(신호전하의 전송방향)에 대하여 거의 평행하게 갖추어지도록 형성되어 있고, 입사광의 서로 직교하는 P편광성분과 S편광성분과 같은 2개의 편광성분 가운데, 예를 들면, 스미어(smear)나 크로스토크, 또 혼합색과 같은 노이즈성분으로 이루어지는 무효전하를 발생시키는 요인으로 되는 정도의 높은 편광성분(P편향성분)의 광전변환부(3)로의 입사광량을 감소시킬 수 있고, 또, 스미어를 발생시키는 요인이 되는 정도의 낮은 빛의 편광성분(S편향성분)의 반사를 더 확실히 줄이고, 상대적으로 스미어를 발생시키는 요인이 되는 정도의 낮은 빛의 투과율을 향상할 수 있는 구성으로 되어 있다.
이와 같이, 스미어의 발생요인이 되는 정도의 낮은 빛의 투과율을 향상시키는 한편, 스미어의 발생요인으로 되는 정도의 높은 빛의 투과율은 향상시키지 않도록 하고 있으므로, 입사광 전체의 광량의 증대에 대하여 상대적으로 스미어의 발생 요인으로 되는 광량이 감소하게 되어, 그 결과, 광전변환부(3)의 전수광량에 있어서의 노이즈의 요인으로 되는 빛의 상대적인 비율을 저감시키고, 실질적인 S／N비의 개선을 달성할 수 있다.
또한, 도 2중, 광전변환부(3)에 있어서, 실선은 요철부(18)를 구성하고 있는 삼각기둥의 저변을 나타내고 있고, 일점 쇄선은 그 삼각기둥의 꼭지변(능선)을 나타내고 있다.
또, 이러한 구성의 삼각기둥모양의 요철부(18)가, 반도체기판(1)의 표면(계면)에 형성된 경우, 기본적으로 단결정실리콘(Si)으로 이루어지는 광전변환부(3)와, 게다가 예를 들면 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어지는 절연막(11)과의 계면에 있어서의, 실질적인 굴절률이, 그 삼각기둥의 능선으로부터 반도체기판(1)의 저부측으로 서서히 변화해 가는 구성으로 된다.
즉, 도 4A 및 도 4B에 나타내는 바와 같이, 단결정실리콘(Si)의 굴절률 n(Si)과 실리콘산화막의 굴절률(n)(SiO2)을 비교하면, n(SiO2)＜n(Si)이므로, 삼각기둥의 능선으로부터 반도체기판(1)의 저부측으로 (입사광의 진입경로에서 외부로부터 광전변환부(3)의 심부로 향함에 따라) 실질적인 굴절률이 연속적으로 단조 증가해 가는 구성으로 된다.
이것에 의해, 종래의 일반적인 고체촬상장치의 경우와 같이, 광전변환부의 표면과 절연막과의 계면이 평탄하게 형성되며, 그 계면에서 단속적으로(이산(離散) 양적으로) 굴절률이 변화하고 있는 구성과 비교하여, 광전변환부의 표면과 절연막과의 계면에 있어서의 입사광의 반사를 큰폭으로 저감할 수 있다. 따라서, 광전변환부(3)로의 최종적인 입사광량을 증대시켜, 광전변환부(3)의 감도를 향상하는 것이 가능하게 된다.
그리고, 본 실시의 형태에 있어서는, 도 5에 요철부(18)의 모식도를 나타내는 바와 같이, 특히, 요철부(18)내에 암전류를 저감하기 위한 재결합영역(19)을 형성한다.
여기서, 재결합영역(19)은, 예를 들면 실리콘반도체기판(1)의 표면의 실리콘-실리콘 산화막 계면영역의 결정결함 등에 의해 발생한 암전류로 되는 전자를 정공과 재결합시키기 위한 영역이다. 본 실시의 형태의 고체촬상장치에 있어서는, 삼각기둥모양의 요철부(18)가, 제 1 도전형영역, 예를 들면 N형의 반도체영역(전하 축적 영역)(4)의 표면(계면)에 형성되어 있으므로, 이 요철부(18)에 재결합영역(19)을 형성하기 위해서는, 제 2도전형 영역, 예를 들면 P형의 반도체영역(191)을 요철부(18)내에 형성한다.
이것에 의해, N형의 반도체영역과 P형의 반도체영역과의 사이에서는 공핍영역이 형성되고, 요철부(18)의 표면과 공핍영역과의 사이가 재결합영역(19)으로 된다.
이 재결합영역(19)은, 그 P형의 불순물농도가 예를 들면 고농도에 조정되는 것으로, 광전변환부(3)의 표면에 형성되는 정전하 축적영역을 겸할 수 있다.
재결합영역(19)은, 광전변환부(3)의 표면(계면)에 형성된 요철부(18)내에 있어서, 그 표면으로부터 깊이 방향의 영역까지 형성된다. 또한, 도 5의 경우에서는, 요철부(18)내의 모든 재결합영역(19)을 형성했지만, 예를 들면, 요철부(18)내의 일부에 재결합 영역(19)를 형성할 수 있다. 다만, 요철부(18)내의 모든 재결합영역(19)을 형성한 구성쪽이, 암전류로 되는 전자와 정공을 보다 많이 재결합시킬 수 있다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치에 의하면, 반도체기판(1)의 표면(계면), 특히 광전변환부(3)의 표면에 형성된 요철부(18)내에 재결합 영역(19)이 형성되어 있으므로, 반도체 기판(1)의 계면에 요철부(포토닉 결정)(18)가 형성될 때, 단결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 기판(1)에 스트레스가 생겨 결정결함 등이 발생했다고 해도, 요철부(18)내의 재결합영역(19)내에서, 암전류로 되는 전자를 정공과 재결합시킬 수 있다.
이것에 의해, 암전류가 되는 전자를 소멸시킬 수 있고 계면준위에 의한 암전류의 증대를 억제할 수 있다.
또, 요철부(18)에 있어서는, 입사광의 진입 경로에서 외부로부터 광전변환부(3)의 심부로 향함에 따라, 실질적인 굴절률이 연속적으로 단조 증가해 가는 구성이 되어 있으므로, 광전변환부(3)의 표면과 절연막과(11)의 계면이 평탄하게 형성된, 굴절률이 그 계면에서 단속적으로 변화하고 있는 구성의 고체촬상장치의 경우에 비하여, 광전변환부(3)의 표면과 절연막(11)과의 계면에 있어서의 입사광의 반사를 큰 폭으로 줄일 수 있고, 광전변환부(3)로의 최종적인 입사 광량을 증대시켜 광전변환부(3)의 감도를 향상할 수 있다.
또, 요철부(18)는, 그 긴 방향(능선)이, 수직CCD부(6)나 후술 하는 전송 전극(12)의 긴 방향(신호 전하의 전송 방향)에 대하여 거의 평행하게 갖추어지도록 형성되어 있고, 스미어의 발생 요인이 될 정도의 낮은 빛의 투과율을 향상시키는 한편, 스미어의 발생 요인이 될 정도의 높은 빛의 투과율은 향상시키지 않도록 하고 있으므로, 입사광 전체의 광량의 증대에 대하여 상대적으로 스미어의 발생 요인이 되는 광량이 감소하게 되고, 광전변환부(3)의 전수광량에 있어서의 노이즈의 요인이 되는 빛의 상대적인 비율을 저감시켜, 실질적인 S／N비의 개선을 달성할 수 있다.
여기서, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우에서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 암전류를 저감하기 위한 재결합 영역(19)이, 요철부(18)내에 있어서, 그 표면으로부터 깊이 영역까지 형성된 경우를 나타냈지만, 예를 들면 재결합영역(19)을 깊은 영역까지 형성한 경우, 암전류로 되는 전자를 정공과 재결합시킬 수 있지만, 재결합영역(19)내에서 광전변환된 신호전하를 소멸시켜버릴 우려가 있다.
예를 들면, 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛이 가시광선일 경우에 있어서, 400nm 부근의 짧은 파장의 빛일 경우는, 광전변환된 신호 전하가 현저하게 소멸하고, 감도의 저하가 현저하게 된다.
그래서, 이와 같은 문제점을 해결하도록 한 본 발명의 고체 촬상장치의 다른 실시의 형태를, 도 6을 이용하여 설명한다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치에서는, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우(도 5 참조)와 마찬가지로, 요철부(18)내에 암전류를 저감하기 위한 재결합영역(19)을 형성하지만, 이 재결합영역(19)을, 요철부(18)의 요철(요철의 기복)에 대응하여 형성하도록 한다.
여기서, 재결합 영역(19)은, 요철부(18)의 표면으로부터 깊이 방향으로 예를 들면 0.5μm이내의 깊이로 형성할 수 있다. 즉, 재결합 영역(19)의 막두께(19D)를 0.5μm이내로 형성한다.
그 외의 구성은, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우와 마찬가지이므로, 대응하는 부분에는 동일부호를 붙여, 중복 설명을 생략한다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치에 의하면, 재결합영역(19)이 요철부(18)의 요철에 대응하여 형성되어 있으므로, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치와 같이(도 5 참조), 재결합영역(19)이 요철부(18)내의 깊은 영역까지 형성된 경우에 비하여, 재결합영역(19)이 요철부(18)의 표면(계면)에만 형성되게 된다.
이것에 의해, 요철부(18)의 표면측에서는, 암전류가 되는 전자를 정공과 재결합시킬수 있고, 요철부(18)의 깊은 영역측에서는, 광전변환된 신호전하가 재결합되는 것을 억제할 수 있고, 신호전하의 저감을 억제할 수 있다.
*105따라서, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우에 부가하여, 감도의 저하를 억제할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 고체촬상장치의, 또 다른 실시의 형태를 설명한다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치는, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우(도 5 및 도 6 참조)와 마찬가지로 요철부(18)내에 암전류를 저감하기 위한 재결합 영역(19)을 형성하지만, 도 7에 나타내는 바와 같이, 요철부(18)의 상부에 산화막(20)이 형성되도록 한다. 이 산화막(20)은, 요철부(18)의 상부의 전체, 또는 일부에 형성할 수 있다.
그 외의 구성은, 도 6에 나타내는 실시의 형태의 경우의 고체촬상장치의 경우와 마찬가지이므로, 대응하는 부분에는 동일부호를 붙여 중복설명을 생략한다.
*109본 실시의 형태의 고체촬상장치에 의하면, 요철부(18)의 상부에 산화막(20)이 형성되어 있으므로, 상술한 실시의 형태의, 예를 들면 요철부(18)의 상부에 산화막(20)이 형성되어 있지 않은 고체촬상장치의 경우(도 5 및 도 6 참조)에 비하여, 더욱 감도 특성을 향상할 수 있다.
즉, 삼각기둥모양의 요철부(18)의 상부에 산화막(20)을 형성한 경우, 외부로부터 입사된 빛은, 산화막(20)을 통과한후, 요철부(18)를 통하여 광전변환부(3)의 심부로 향하게 된다. 이 경우, 요철부(18)의 상부에 산화막(20)이 형성되지 않고, 외부로부터 입사된 빛이, 단지 요철부(18)를 통하여 광전변환부(3)의 심부로 향하게 되는 구성의 고체촬상장치에 비해, 산화막(20)을 통과하는 만큼, 진공 또는 대기중으로부터 실리콘 내부에 입사하는 입사광의 매질간의 굴절률을 완만하게 변동시킬 수 있다.
이것에 의해, 광전변환부(3)에 입사되는 빛의 손출(損出)을 적게하여, 수광량을 증대시키는 것이 가능하게 된다.
또, 산화막(20)으로서는, 예를 들면 후술하는 바와 같이, 요철부(18)의 표면에, 이 요철부(18)의 요철에 대응한 재결합영역(19)을 형성하는 공정에 있어서, 요철부(18)에 N형의 불순물을 주입할 때에, 반도체기판(1)을 보호하기 위해서 요철부 (18)상에 형성된 산화막(20)을, 제거하지 않고 그대로 이용할 수도 있다. 이 경우는, 예를 들면 제조 공정에 있어서, 산화막의 제거공정을 뺄 수 있고 제조 공정을 간략화할 수도 있다.
113다음으로, 본 발명의 고체촬상장치의, 또 다른 실시의 형태를 설명한다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치는, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우(도 5 참조)와 마찬가지로, 요철부(18)내에 암전류를 저감하기 위한 재결합영역(19)을 형성하지만, 이 재결합영역의 형성의 방법이 다르다.
즉, 본 실시의 형태의 고체촬상장치에 있어서는, 도 8A에 나타내는 바와 같이, 요철부(18)상에 절연막(21)을 통하여 전극(22)을 형성한다. 이 전극(22)은, 요철부(18) 상부의 일부 또는 전체에 형성할 수 있다.
전극(22)으로서는, 예를 들면 투명전극이나 얇게 형성된 폴리 실리콘 등으로 이루어지는 전극을 이용할 수 있다.
그 외의 구성은, 도 6에 나타낸 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우와 마찬가지이므로, 대응하는 부분에는 동일부호를 붙여 중복설명을 생략한다.
다음으로, 이와 같은 구성의 고체촬상장치에 있어서의 구동방법을 설명한다.
먼저, 상술한, 요철부(18)의 상부에 절연막(11)을 통하여 전극(22)이 형성된 구성의 고체촬상장치에 있어서, 전극(22)에 대하여, 도시하지 않은 외부의 전압 인가수단으로부터, 요철부(18)내에 재결합영역(19)이 형성되도록 역바이어스 전압을 인가한다. 여기서, 본 실시의 형태에 있어서는, 요철부(18)는, 상술한 바와 같이, N형의 반도체영역(전하축적 영역)(4)의 표면에 형성되어 있으므로, 이 요철부(18)내에 재결합영역(19)이 형성되도록 역바이어스 전압으로서는, 정전압이 인가된다. 이것에 의해, 요철부(18)내에 반전층, 즉 재결합영역(19)이 형성된다.
여기서, 역바이어스 전압을 인가하는 타이밍은, 적어도 광전변환부(3)에 있어서, 신호전하를 축적하고 있는 시간에 인가하도록 한다. 예를 들면, FT(프레임트랜스퍼)형의 고체촬상장치의 경우에서는, 신호전하의 축적시에는 역바이어스를 인가하지만, 신호전하의 전송시에는, 일단 역바이어스의 인가를 멈추도록 한다.
또한, 고체촬상장치의 구성에 따라서는, 예를 들면, 역바이어스 전압을, 신호전하의 축적시와 신호전하의 독출시의 양쪽으로 인가하는 경우도 생각할 수 있다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치에 의하면, 요철부(18)상에 절연막(21)을 통하여 전극(22)이 형성되어 있으므로, 후술하는 바와 같이, 예를 들면 이 전극(22)을 통하여 요철부(18)의 표면에 재결합영역(19)이 형성되는 역바이어스 전압(정전압)이 인가되도록 한 경우는, 요철부(18)내에 재결합영역(19)을 형성할 수 있다.
이것에 의해, 상술한 고체촬상장치의 경우(도 5 및 도 6과 도 7 참조)와 마찬가지로, 반도체기판(1)의 계면에 요철부(포토닉 결정)(18)가 형성될 때에 단결정실리콘으로 이루어지는 반도체기판(1)에 스트레스가 생겨, 결정결함이 발생해 버린 경우라도, 요철부(18)내에 형성된 재결합영역(19)에 의해, 암전류로 되는 전자를 정공과 재결합시킬 수 있고 계면준위에 의한 암전류의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시의 형태의 고체촬상장치의 구동방법에 의하면, 요철부(18)상에 절연막(21)을 통하여 형성된 전극(22)에 대해서, 요철부(18)내에 재결합영역(19)이 형성되도록 역바이어스 전압을 인가하도록 했으므로, 요철부(18) 상부에 절연막 (11)을 통하여 전극(22)이 형성된 구성의 고체 촬상 장치에 있어서, 이와 같이 구동시킨 경우는, 요철부(18)내에 암전류를 줄이기 위한 재결합영역(19)을 형성할 수 있다.
또, 이와 같은 본 실시의 형태의 구동 방법은, 예를 들면, 수직CCD부가 광전 변환, 전하축적, 전하전송의 기능을 겸하는 FT형의 고체촬상장치나, 예를 들면, FF(플루 프레임)형의 고체촬상장치에 있어서 이용하기에 매우 적합하다.
또한, 도 8A에 나타내는 경우에서는, 요철부(18) 상부에 단지 절연막(21)을 통하여 전극(22)을 형성한 구성이지만, 도 8B에 나타내는 바와 같이, 요철부(18)의 기복에 대응하도록, 요철부(18)의 상부에 절연막(21)을 통하여 전극(22)을 형성할 수도 있다.
이 경우는, 도 8A에 나타내는 바와 같은 구성의 경우에 비하여, 전극(22)에 역바이어스가 인가되었을 때에, 요철부(18)의 표면에 형성되는 반전층, 소위 재결합영역(19)의 두께(D)를 보다 균일하게 할 수 있다.
이것에 의해, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치(도 6 참조)의 경우와 마찬가지로, 요철부(18)의 표면측에서는, 암전류로 되는 전자를 정공과 재결합시킬 수 있고, 요철부(18)의 깊은 영역에서는, 광전변환된 신호전하가 재결합하는 것이 억제되어, 충분한 양의 신호전하를 얻을 수 있다. 따라서, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 경우에 부가하여, 더욱 감도 특성을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시의 형태에서는, 광전변환부(3)의 표면의 요철부(18)로서는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 삼각기둥모양의 요철부(18)의 경우를 들어 설명했지만, 이 밖에도, 이하에 나타내는 바와 같은 형상으로 할 수 있다.
예를 들면 도 9A에 나타내는 바와 같은 반원기둥모양의 요철형상 및 도 9B에 나타내는 바와 같은 역반원기둥모양의 요철형상, 혹은, 도 9C에 나타내는 바와 같은 반다각기둥모양의 요철형상으로 할 수도 있다. 또, 도 9D에 나타내는 바와 같이, 긴 방향에 대해서 직교하는 단면이 반도체기판(1)의 두께방향으로 깊게 됨에 따라(바꾸어 말하면 그 단면형상의 저변으로 향하여) 2차 곡선적(파라볼라적)으로 폭을 늘려가는 형상의 기둥모양체로 할 수도 있다.
이러한 경우에서도, 도 3에 나타낸 바와 같이, 요철부(18)를 구성하고 있는 개개의 기둥모양체의 서로 이웃하는 능선(또는 정부)끼리의 피치를, 이 고체촬상장치의 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛의 최장파장 이하, 더 바람직하게는 최단파장 이하로 설정한다. 또, 더 바람직하게는 설정되어 있는 빛의 최단파장의 1／2 ~ 1／5의 범위로 설정할 수도 있다.
이와 같은 피치의 치수로 설정함으로써, 요철부(18)내에 있어서의 입사광에 대한 매질 내의 굴절률은 연속적으로 변동한다.
다음으로, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치, 예를 들면 도 6에 나타내는 요철부(18)를 가지는 구성의 고체촬상장치를 제조하는 방법의 한 실시의 형태를, 도 10 ~ 도 11을 이용하여 설명한다.
또한, 도 1에 대응하는 부분에는, 동일부호를 붙여서 설명한다.
또, 도 10A에 나타내는 바와 같이, 이미, 예를 들면 고순도의 실리콘을 주요 재료로 하는 N형의 반도체기판(1)의 소정의 영역에, 광전변환부(3)를 구성하는 N형의 반도체영역(4), 수직CCD부를 구성하는 N형의 전송채널영역(7)과 P형의 제 2의 반도체 웰 영역(8), 또한, 고농도의 P형의 채널스톱영역(9)이나 트랜스퍼 게이트부(10)가 형성된 상태에서 설명한다.
먼저, 광전변환부(3)를 포함하여 반도체기판(1)상의 전면에 표면산화막(25)을 형성하고, 또한 표면산화막(25)상의 전면에 포토레지스트층(도시하지 않음)을 형성하고, 공지의 리소그래피 기술에 의해, 도 10B에 나타내는 바와 같이, 포토레지스트층으로부터, 에칭 공정에 있어서의 에칭 팩터 등을 고려에 넣어 광전변환부(3)의 표면에서 등방성(等方性)에칭 혹은 사이드에치가 걸려 소정의 경사면이 얻어지도록 라인·앤드·스페이스의 레지스트 마스크(26)를 형성한다.
다음으로, 도 12에 그 에칭 프로세스의 도중 상태를 모식적으로 나타내는 바와 같이, 반도체기판(1)의 깊이방향(도 12 중 화살표 X 참조)에서의 에칭 진행속도를 조절하면서, 소정의 깊이에 걸쳐서 사이드에치 또는 테이퍼가 걸리도록 이방성(異方性)에칭을 행하고, 도 10C에 나타내는 바와 같이, 광전변환부(3)의 표면에, 후술하는 소정의 치수의 삼각기둥모양의 요철부(18)로 되는 요철(181)이, 상술한 소정의 피치(D)로 배열된 상태로 한다.
다음으로, 요철(181)상에 잔류하고 있는 표면산화막(25) 및 레지스트 마스크(26)를 제거하고, 도 11D에 나타내는 바와 같이, 광전변환부(3)의 표면에 삼각기둥모양의 요철부(18)가 노출된 상태로 한다.
다음으로, 도 11E에 나타내는 바와 같이, 삼각기둥 형상의 요철부(18)를 포함하여 전면에 산화막(20)을 형성한다. 또한, 이 산화막(20)은, 예를 들면 반도체기판(1)을 보호하는 목적으로 표면상에 형성되는 것이다. 그리고, 이 산화막 (20)을 포함하여 전면으로부터, P형의 불순물(예를 들면 붕소)을 삼각기둥 형상의 요철부(18)에 대해서 이온 주입(이온 임플랜테이션)한다.
이것에 의해, 도 11F에 나타내는 바와 같이, 광전변환부(3)의 표면에 형성된 삼각기둥모양의 요철부(18)내에, 그 요철(181)에 대응하도록, P형의 불순물로 이루어지는 반도체영역(191), 즉, 재결합영역(19)이 형성된다.
이 후는, 산화막(20)을 예를 들면 에칭함으로써 제거하고, 도시하지 않아도, 광전변환부(3)상을 포함하여 전면에 절연막(11)을 형성하고, 이 절연막(11)상의 트랜스퍼 게이트부(10), N형의 전송채널영역(7) 및 채널스톱영역(9)상에 대응하는 위치에, 예를 들면 다결정 실리콘층으로 이루어지는 전송전극(12)을 형성한다.
그리고, 전송전극(12)상에는 층간절연막(13)을 통하여 예를 들면 알루미늄이나 텅스텐과 같은 금속재료로 이루어지는 차광막(14)을 형성한다.
다음으로, 차광막(14)상에, 전면을 덮어 투명한 실리콘산화막(예를 들면 PSG)로 이루어지는 커버막(패시베이션막)(15)을 형성하고, 이 커버막(15)상에 평탄화막(16)과 컬러 필터(도시하지 않음)를 통하여, 광전변환부(13)와 대응하는 위치에, 온칩 렌즈(17)를 형성한다.
이와 같이 하여, 도 6에 나타내는 요철부(18)를 가지는 구성의 고체촬상장치를 형성할 수 있다.
본 실시의 형태의 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 도 11D에 나타내는 바와 같이, 먼저, 반도체기판(1)의 표면(계면)에 삼각기둥모양의 요철부(18)를 형성하고, 이 후에, 요철부(18)내에 불순물(P형)을 주입하도록 했으므로, 요철부(18)의 표면에, 그 요철에 대응한 재결합영역(19)을 형성할 수 있다.
덧붙여서, 예를 들면, 도 10B에 나타내는 공정에서, 먼저, N형의 반도체영역(전하 축적 영역)(4)내에 P형의 불순물을 주입하고, 이 후에, 도 10C 및 도 10D에 나타내는 바와 같이, 요철부(18)를 형성하도록 한 경우는, 예를 들면, 도 5에 나타내는, 그 표면으로부터 깊이 방향의 영역까지 재결합영역(19)이 형성된 요철부(18)가 형성된다.
본 실시의 형태에 있어서는, 도 6에 나타내는 요철부(18)를 가지는 구성의 고체촬상장치를 제조하는 방법을 들어 설명을 했지만, 예를 들면, 도 8에 나타내는 요철부(18)를 가지는 고체촬상장치를 제조하는 경우는, 도 11F에 나타낸 공정 후에, 반도체기판(1)상의 전면에 절연막(21)을 통하여 전극(22)을 형성하도록 한다.
또, 도 7에 나타내는 요철부(18)를 가지는 구성의 고체촬상장치를 제조하는 경우는, 도 11E에 나타내는, 산화막(20)을 통하여 N형의 불순물을 주입하는 공정후, 반도체기판(1)의 표면에 잔존하고 있는 산화막(20)을 제거하지 않고, 그대로 남기도록 하는 것으로 형성할 수 있다.
또, 본 실시의 형태에 있어서는, 요철부(18)의 형성방법은, 광전변환부(3)의 표면의 요철부(18)를 등방향성 또는 소정의 어스펙트비의 사이드에치가 걸리도록 이방성에칭에 의해서 형성하는 경우를 들어 설명했지만, 이 밖에도, 도 13에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 레이저광과 같은 소정의 에너지 밀도의 에너지 빔(도 13 중 화살표 Y참조)을 광전변환부(3)의 표면의 소정 위치에 조사함으로써, 광전변환부(3)의 표면에 상기와 마찬가지의 형상의 요철부(18)를 형성할 수도 있다.
또, 본 실시의 형태에 있어서는, 깊이 방향으로 에칭이 진행함에 따라 면방향(폭방향)에는 에칭이 진행하지 않게 된다고 하는, 이른바 순테이퍼형의 에칭을 행하여 요철부(18)를 광전변환부(3)의 표면에 형성하는 경우를 들어 설명했지만, 이것과는 반대로, 깊이 방향으로 에칭이 진행됨에 따라 면방향(폭방향)으로 에칭이 넓게(빠르게) 진행한다고 하는, 이른바 역테이퍼형의 에칭을 행할 수도 있다. 이 경우는, 레지스트 마스크(26)의 짧은 변 방향의 라인·앤드·스페이스 중 라인의 굵기를 스페이스보다도 가능한 한 넓게 설정한다.
여기서, 상술한 실시의 형태에서는, 광전변환부(3)의 표면에 형성된 요철부(포토닉 결정)(18)에 있어서, 그 긴 방향이, 반도체기판(1)의 평탄한 주면에 대하여 눕혀지도록 배치된 구성의 경우를 설명했지만, 도 14에 나타내는 바와 같이, 그 저면이, 반도체기판(1)의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 배치된 구성으로 할 수도 있다.
구체적으로는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 요철부(18)를 사각추모양으로 형성한다.
또, 이 밖에도, 예를 들면, 도 16A에 나타내는 바와 같은 삼각추모양이나, 도 16B에 나타내는 바와 같은 원추모양으로 형성할 수도 있다.
그 외의 구성은, 도 1에 나타내는 고체촬상장치의 경우와 마찬가지이므로, 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙인다.
이와 같은 구성으로 된 고체촬상장치의 경우, 상술한 바와 같이, 그 긴쪽 방향이, 반도체기판(1)의 평탄한 주면에 대하여 눕혀지도록 배치된 요철부(18)를 가지는 고체촬상장치의 경우에 비하여, 입사광을 구성하고 있는 직교하는 2개의 편광 성분 가운데, 스미어 등의 요인으로 되는 무효전하를 발생시키는 정도(확률)의 낮은 쪽의 편광성분(S편광 성분)의 반사율만을 줄일 뿐만 아니라, 한쪽의 스미어의 요인으로 되는 정도가 높은 쪽의 편광성분(P편광 성분)의 반사율에 대해서도 줄일 수 있고, 나아가서는 광전변환부(3)에 입사하는 전체적인 광량의 새로운 향상을 달성할 수 있다.
또, 예를 들면, 도 15에 나타낸 사각추모양의 요철부(18)의 저면의 종횡비를 조절하여, 입사광을 구성하고 있는 직교하는 2개의 편광성분 가운데, 스미어의 발생요인이 되는 정도가 낮은 쪽의 편광성분(S편향성분)의 반사율을, 스미어의 발생 요인이 되는 정도가 높은 쪽의 편광성분(P편향성분)의 반사율보다도 낮게 하는 것으로, 직교하는 2개의 편광성분의 양쪽에 대하여 투과율을 향상시켜, 최종적으로 광전변환부(3)에 입사하는 전체적인 광량의 새로운 향상을 달성할 수 있다.
또, 이것과는 상대적으로, 스미어를 발생시키는 요인으로 되는 정도의 높은 편광 성분(P편향성분)의 광전변환부(3)로의 입사광량을 감소시키켜, 광전변환부(3)의 전수광량에 대한 스미어의 요인으로 되는 빛의 비율을 저감시킬 수 있고, 고체촬상 장치로부터의 출력신호(신호전하)에 있어서의 실질적인 S／N비의 개선을 달성할 수 있다.
여기서, 예를 들면 도 17에 나타내는 바와 같이, 사각추모양의 요철부(18)의 저면의 세로 길이(D1)와 가로 길이(D2)의 비를 1：1로 설정하는 동시에, 요철부(18)의 2차원적으로 서로 이웃하는 피치의 치수법을 종횡 양방향으로 동등하게 한 경우, 즉, 사각추모양의 요철부(18)의 저면을 정사각형으로 하는 동시에 종횡을 같은 피치로 배열 형성한 경우는, 입사광을 구성하고 있는 직교하는 2개의 편광성분의 양쪽에 대하여 반사율이 동등하게 저감되므로, 예를 들면 P편광성분과 S편광성분으로 투과율을 동일하게 할 수 있다.
이와 같이, 광전변환부(3)의 표면에 복수개 배열 형성되는 개개의 사각추모양의 요철부(18)의 저면의 종횡비를 1：1로 설정한 경우에 한해서는, 광전변환부(3)의 전수광량에 대한 스미어의 요인으로 되는 빛의 비율을 저감시킨다고 하는 작용은 생기지 않는다. 단, 이 경우는, 광전변환부(3)의 표면에서의 빛의 반사에 기인한, 광전변환부(3)로의 수광량의 손실을 최소로 할 수 있으므로, 그 입사광량을 최대로 할 수 있다고 하는 메리트가 있다.
따라서, 예를 들면 스미어에 기인한 노이즈에 대해서는 실용상의 문제로는 되지 않고, 광전변환부(3)로의 충분한 입사광량이 얻어지지 않는 것에 기인한 광전변환부(3)의 외관의 감도의 낮음이 문제로 되어 있는 경우 등에 있어서는, 사각추모양의 요철부(18)의 저면의 종횡비를 1：1로 설정하는 것이 지극히 유효하다.
여기서, 상술한 도 16에 나타내는 요철부(18)를 가지는 구성의 고체촬상장치를 제조하는 방법을, 상술한 도 10~도 11을 이용하여 설명한다.
먼저, 도 10A에 나타내는 바와 같이, 이미, 예를 들면 고순도의 실리콘을 주요재료로 하는 N형의 반도체기판(1)의 소정의 영역에, 광전변환부(3)를 구성하는 N형의 반도체영역(4)과 수직CCD부(6)를 구성하는 N형의 전송채널영역(7)과 P형의 제 2의 반도체 웰 영역(8), 또한, 고농도의 P형의 채널스톱영역(9)이나 트랜스퍼 게이트부(10)를 형성한다.
다음으로, 광전변환부(3)를 포함하여 반도체기판(1)상의 전면에 표면산화막(25)을 형성하고, 또한, 표면산화막(25)상의 전면에 포토레지스트층(도시하지 않음)을 형성하고, 공지의 리소그래피 기술에 의해, 포토레지스트층으로부터, 에칭 공정에 있어서의 에칭 팩터 등을 고려에 넣어, 광전변환부(3)의 표면에서 등방성 에칭 혹은 사이드에치가 걸려 소정의 경사면이 얻어지도록, 도 18에 나타내는, 라인·앤드·스페이스의 레지스트 마스크(36)를 형성한다.
다음으로, 도 12에 그 에칭 프로세스의 도중 상태를 모식적으로 나타낸 바와 같이, 반도체기판(1)의 깊이 방향에서의 에칭 진행속도와 반도체기판(1)의 면방향(주면에 대한 평행방향)에서의 에칭 진행속도를 조절하면서, 소정의 깊이에 걸쳐서 사이드 에치 또는 테이퍼가 걸리도록 이방성 에칭을 행하고, 광전변환부(3)의 표면에, 도 18에 나타내는 바와 같이, 후술하는 소정의 치수의 사각추모양의 요철부(18)로 되는 요철(181)이, 상술한 소정의 피치(D)로 매트릭스형으로 배열된 상태로 한다.
다음으로, 요철(181)의 능선상에 잔류하고 있는 표면산화막(25) 및 레지스트 마스크(26)를 제거하고, 도시하지 않아도, 광전변환부(3)의 표면에 사각추모양의 요철부(18)가 노출한 상태로 한다.
또한, 이 후의 공정은, 상술한 실시의 형태의 고체촬상장치의 제조방법과 마찬가지이므로, 중복설명은 생략한다.
이것에 의해, 도 16에 나타내는 요철부(18)를 가지는 구성의 고체촬상장치를 형성할 수 있다.
상술한 실시의 형태에서는, 본 발명을 표면조사형의 고체촬상장치에 적용한 경우를 설명했지만, 예를 들면, 도 8A에 나타내는 바와 같은 이면 조사형의 고체촬상장치에도 적용할 수 있다. 또한, 도 1과 대응하는 부분에는, 동일 부호를 붙이고 있다.
즉, 이면조사형의 고체촬상장치는, 배선층(28)이나 전극(도시하지 않음) 등이 표면측에 형성되어, 빛이 이면측으로부터 입사되도록 한 구성의 고체촬상장치이다. 그리고, 도 19B에 그 주요부의 확대도를 나타내는 바와 같이, 광전변환부(3)상의 소자분리영역(29)과 평탄화막(27)과의 계면에, 상술한 바와 같은, 예를 들면 삼각기둥모양의 요철부(18)가 형성된다. 그리고, 이 요철부(18)내에 재결합영역(19)이 형성된다. 여기서, 예를 들면, 소자분리영역(29)과 재결합영역(19)은 같은 재료(예를 들면 P형의 반도체영역)로 형성되어 있다.
또, 상술한 실시의 형태에서는, 본 발명을 고체촬상장치에 적용하는 경우를 들어 설명을 했지만, 본 발명은, 예를 들면 단체(單體)의 포토 커플러(photo-coupler) 등의 광전변환장치에 적용하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명은, 상술의 실시의 형태로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 그 외 여러 가지 구성을 취할 수 있다.
1. 반도체 기판 2. 제 2의 반도체 웰 영역
3. 광전변환부 4. 전하축적영역
11. 절연막 18. 요철부
181. 요철 19. 재결합영역
191. N형의 반도체영역 20. 산화막
21. 절연막 22. 전극
26. 레지스트 마스크

Claims (27)

  1. 기판의 표면에, 광전변환부가 형성되어 있고, 상기 기판상에 절연막이 형성되며, 상기 광전변환부의 상기 기판과 상기 절연막과의 계면과의 적어도 일부에, 상기 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며, 상기 요철부상에 상기 절연막을 통하여 전극이 형성되어 있는 구성의 광전변환장치에 있어서,
    상기 전극에, 역바이어스전압을 인가함으로써, 상기 요철내부에 재결합 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치의 구동방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 역바이어스전압은, 적어도 신호전하의 축적시에 인가되는 것을 특징으로 하는 광전변환장치의 구동방법.
  3. 기판 표면에, 광전변환부를 형성하고, 상기 기판상에 절연막을 형성하는 광전변환장치의 제조방법에 있어서,
    상기 기판의 표면에 제 1도전형 영역을 형성하는 공정과,
    상기 제 1도전형 영역과 상기 절연막과의 계면에, 상기 기판의 두께방향으로 요철 형상을 가진 요철부를 형성하는 공정과,
    상기 요철부를 형성하는 공정 후에, 상기 요철부내에 제 2도전형영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 광전변환장치의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 요철부내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정 후, 상기 요철부상에 상기 절연막을 통하여 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 요철부로서 긴쪽 방향이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 눕혀져 배치된 삼각기둥모양, 또는 반원기둥모양, 또는 반다각기둥모양, 또는 긴쪽 방향으로 직교하는 방향의 단면의 폭이 상기 기판의 두께방향으로 변화해 가는 형상의 기둥모양 가운데, 적어도 어느 한 종류를 복수개 배열 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치의 제조방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 요철부로서 저면이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 배치된 삼각추, 또는 사각추, 또는 원추 가운데, 적어도 어느 한 종류를 복수개 배열 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치의 제조방법.
  7. 기판의 표면에, 복수의 광전변환부가 형성되어 있고 상기 기판상에 절연막이 형성되어 있는 고체촬상장치이며,
    상기 광전변환부의 상기 기판과 상기 절연막과의 계면의 적어도 일부에, 상기 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되며,
    상기 광전변환부내에서 상기 요철부의 적어도 일부를 포함하도록, 암전류를 줄이기 위한 재결합영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 재결합영역은, 상기 요철부 내의 제 1도전형 영역에 형성된 제 2도전형 영역으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2도전형 영역은, 상기 요철부의 요철에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 요철부상에 상기 절연막을 통하여 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 전극은, 상기 요철부의 요철을 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 요철부는, 긴쪽 방향이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 눕혀져 배치된 삼각기둥모양, 또는 반원기둥모양, 또는 반다각기둥모양, 또는 긴쪽 방향에 대하여 직교하는 단면이 상기 기판의 두께방향으로 폭이 변화해 가는 형상의 기둥모양 가운데, 적어도 어느 한 종류를 복수개 배열한 것인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 요철부는, 저면이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 배치된 삼각추, 또는 사각추, 또는 5각추 이상의 다각추, 또는 원추 가운데, 적어도 어느 한 종류를 복수개 배열한 것인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  14. 제 7항에 있어서,
    상기 요철부끼리의 피치가, 당해 고체촬상장치의 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛의 최장파장 이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 피치가, 상기 빛의 최단파장의 1／2 ~ 1／5의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  16. 제 7항에 있어서,
    상기 광전변환부에 대하여 떨어져 평행하게 형성된 전하전송영역의 매립 채널층 및 그 매립 채널층의 윗쪽에 걸쳐서 절연막을 통하여서 배치된 전송 전극을 포함하는 CCD수직레지스터와, 상기 광전변환부로부터 전하를 독출하여 상기 CCD수직레지스터에 공급하는 트랜스퍼 게이트를 갖추고 있고, 상기 광전변환부의 제 1도전형 영역의 계면에, 상기 요철부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  17. 제 7항에 있어서,
    전송영역을 겸한 상기 광전변환부와, 상기 광전변환부를 분리하는 복수의 체널스톱 영역이 배열형성되며, 상기 광전변환부 및 상기 채널스톱 영역의 윗쪽에 걸쳐서 절연막을 통하여 설치된 전송 전극을 갖추고 있고, 상기 광전변환부의 제 1도전형 영역의 계면에, 상기 요철부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 광전변환부의 표면의 요철부가, 긴쪽 방향이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 눕혀져 배치된 삼각기둥모양, 또는 반원기둥모양, 또는 반다각기둥모양, 혹은 긴쪽 방향에 대하여 직교하는 단면의 폭이 상기 기판의 두께방향으로 변화해 가는 형상의 기둥모양이며, 그 기둥 모양의 긴쪽 방향이 상기 전송전극 또는 상기 CCD수직레지스터의 긴쪽 방향과 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 광전변환부의 표면의 요철부가, 긴쪽 방향이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 눕혀져 배치된 삼각기둥모양, 또는 반원기둥모양, 또는 반다각기둥모양, 혹은 긴쪽 방향에 대하여 직교하는 단면의 폭이 상기 반도체 기판의 두께방향으로 변화해 가는 형상의 기둥모양이며, 그 기둥 모양의 긴쪽 방향이 상기 광전변환영역의 전송방향과 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  20. 기판의 표면에, 복수의 광전변환부가 형성되어 있고, 상기 기판상에 절연막이 형성되며, 상기 광전변환부의 상기 기판과 상기 절연막과의 계면과의 적어도 일부에, 상기 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부가 형성되고, 상기 요철부상에 상기 절연막을 통하여 전극이 형성되어 있는 구성의 고체촬상장치에 있어서,
    상기 전극에, 역바이어스전압을 인가함으로써, 상기 요철부내에 재결합 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 구동방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 역바이어스전압은, 적어도 신호전하의 축적시에 인가되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 구동방법.
  22. 기판의 표면에, 복수의 광전변환부를 형성하고, 상기 기판상에 절연막을 형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,
    상기 기판의 표면에 제 1도전형 영역을 형성하는 공정과,
    상기 제 1도전형 영역과 상기 절연막과의 계면에, 상기 기판의 두께방향으로 요철형상을 가진 요철부를 형성하는 공정과,
    상기 요철부를 형성하는 공정 후에, 상기 요철부내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 요철부내에 제 2도전형 영역으로 이루어지는 재결합영역을 형성하는 공정 후, 상기 요철부상에 상기 절연막을 통하여 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 요철부로서, 긴쪽 방향이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 눕혀져 배치된 삼각기둥모양, 또는 반원기둥모양, 또는 반다각기둥모양, 또는 긴쪽 방향에 직교하는 방향의 단면의 폭이 상기 기판의 두께방향으로 변화해 가는 형상의 기둥모양 가운데, 적어도 어느 한 종류를 복수개 배열형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  25. 제 22항에 있어서,
    상기 요철부로서, 저면이 상기 기판의 평탄한 주면에 대하여 평행하게 배치된 삼각추, 또는 사각추, 또는 원추 가운데, 적어도 어느 한 종류를 복수개 배열 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  26. 제 22항에 있어서,
    상기 광전변환부의 표면의 서로 이웃하는 요철부끼리의 피치를, 당해 고체촬상장치의 촬상대상으로서 설정되어 있는 빛의 최장파장 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 피치를, 상기 빛의 최단파장의 1／2 ~ 1／5의 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150052695A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 삼성전자주식회사 광학 결정을 포함하는 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 데이터 처리 시스템
US10263025B2 (en) 2015-06-05 2019-04-16 Sony Corporation Solid-state imaging sensor
US10910504B2 (en) 2015-12-07 2021-02-02 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element, imaging device, and method for manufacturing solid-state imaging element

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US8139131B2 (en) * 2005-01-18 2012-03-20 Panasonic Corporation Solid state imaging device and fabrication method thereof, and camera incorporating the solid state imaging device
US7688378B2 (en) * 2005-06-07 2010-03-30 Micron Technology Inc. Imager method and apparatus employing photonic crystals
DE102005048365B4 (de) * 2005-10-10 2015-01-22 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren der Entspiegelung einer integrierten Silizium-Fotodiode durch selbstorganisierte Nanostrukturen und fotoempfindliches Bauelement
US7952158B2 (en) 2007-01-24 2011-05-31 Micron Technology, Inc. Elevated pocket pixels, imaging devices and systems including the same and method of forming the same
US7456452B2 (en) * 2005-12-15 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Light sensor having undulating features for CMOS imager
US7667183B2 (en) * 2006-03-10 2010-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor with high fill factor pixels and method for forming an image sensor
JP2008028240A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2009043772A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
WO2010028177A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-11 Sionyx, Inc. High sensitivity photodetectors, imaging arrays, and high efficiency photovoltaic devices produced using ion implantation and femtosecond laser irradiation
EP2172974A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-07 Nxp B.V. Wavelength selective electromagnetic radiation detector using pores as photonic crystal
US7745901B1 (en) 2009-01-29 2010-06-29 Sionyx, Inc. Highly-depleted laser doped semiconductor volume
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5394791B2 (ja) * 2009-03-27 2014-01-22 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型固体撮像素子
US8207051B2 (en) 2009-04-28 2012-06-26 Sionyx, Inc. Semiconductor surface modification
US20110203648A1 (en) * 2009-08-20 2011-08-25 James Carey Laser processed heterojunction photovoltaic devices and associated methods
US8309389B1 (en) 2009-09-10 2012-11-13 Sionyx, Inc. Photovoltaic semiconductor devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US8476681B2 (en) 2009-09-17 2013-07-02 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
CN102630341A (zh) * 2009-09-17 2012-08-08 西奥尼克斯股份有限公司 光敏成像器件和相关方法
US20110095387A1 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 James Carey Semiconductor devices having an enhanced absorption region and associated methods
JP2011119606A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Sen Corp 半導体装置の製造方法
JP2011124522A (ja) 2009-12-14 2011-06-23 Canon Inc 光電変換装置
JP2013527598A (ja) * 2010-03-24 2013-06-27 サイオニクス、インク． 高められた電磁放射線検出を有するデバイス及び関連方法
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
CN103081128B (zh) 2010-06-18 2016-11-02 西奥尼克斯公司 高速光敏设备及相关方法
JP5857399B2 (ja) * 2010-11-12 2016-02-10 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US8698272B2 (en) 2010-12-21 2014-04-15 Sionyx, Inc. Semiconductor devices having reduced substrate damage and associated methods
US8698084B2 (en) 2011-03-10 2014-04-15 Sionyx, Inc. Three dimensional sensors, systems, and associated methods
WO2012132760A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
EP2732402A2 (en) 2011-07-13 2014-05-21 Sionyx, Inc. Biometric imaging devices and associated methods
JP5803419B2 (ja) 2011-08-19 2015-11-04 セイコーエプソン株式会社 傾斜構造体、傾斜構造体の製造方法、及び分光センサー
US8865507B2 (en) 2011-09-16 2014-10-21 Sionyx, Inc. Integrated visible and infrared imager devices and associated methods
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
JP6054069B2 (ja) * 2012-06-18 2016-12-27 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
TWI464897B (zh) * 2012-07-02 2014-12-11 Capella Microsystems 光耦合裝置
CN102945888A (zh) * 2012-11-28 2013-02-27 上海华力微电子有限公司 用于图像传感器的光电二极管及其制造方法、图像传感器
KR20140074089A (ko) * 2012-12-07 2014-06-17 제일모직주식회사 광학시트, 이를 포함하는 백라이트유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
JP6303803B2 (ja) * 2013-07-03 2018-04-04 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2015018906A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 ソニー株式会社 撮像素子、製造装置、製造方法、電子機器
JP2015018907A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2015216187A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
US9825073B2 (en) 2014-05-23 2017-11-21 Omnivision Technologies, Inc. Enhanced back side illuminated near infrared image sensor
JP2016001633A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
US9685576B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated image sensor with guard ring region reflecting structure
JP6479519B2 (ja) * 2015-03-19 2019-03-06 三菱電機株式会社 光電変換素子およびその製造方法
JP6794997B2 (ja) * 2016-01-21 2020-12-02 ソニー株式会社 撮像素子および電子機器
WO2017150616A1 (ja) 2016-03-03 2017-09-08 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
CN108780803B (zh) * 2016-03-29 2023-03-17 索尼公司 固态成像装置及电子设备
JP6711692B2 (ja) * 2016-05-24 2020-06-17 キヤノン株式会社 光電変換装置及び画像読み取り装置
JP7166928B2 (ja) * 2016-11-21 2022-11-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、製造方法
US9985072B1 (en) * 2016-11-29 2018-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMOS image sensor with dual damascene grid design having absorption enhancement structure
JP7084700B2 (ja) * 2017-06-16 2022-06-15 キヤノン株式会社 光電変換装置およびスキャナ
US10644060B2 (en) * 2017-09-28 2020-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with high quantum efficiency surface structure
DE102018106270A1 (de) 2017-09-28 2019-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Bildsensor mit einer oberflächenstruktur mit verbesserter quantenausbeute
US10510794B2 (en) 2017-10-31 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor image sensor
WO2019124562A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
CN108346674B (zh) * 2018-01-30 2019-01-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器
EP3671837B1 (en) 2018-12-21 2023-11-29 ams Sensors Belgium BVBA Pixel of a semiconductor image sensor and method of manufacturing a pixel
KR102634950B1 (ko) 2019-01-11 2024-02-07 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP6820959B2 (ja) * 2019-02-06 2021-01-27 三菱電機株式会社 光電変換素子
JP2021019171A (ja) * 2019-07-24 2021-02-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および電子機器
JP2021034405A (ja) * 2019-08-15 2021-03-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
WO2021241243A1 (ja) * 2020-05-29 2021-12-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び光検出方法
KR20230132484A (ko) * 2021-01-26 2023-09-15 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 제조 방법
US11756978B2 (en) * 2021-02-24 2023-09-12 Meta Platforms Technologies, Llc Multi-spectral image sensor
JP2023001462A (ja) * 2021-06-21 2023-01-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出器及び電子機器
JP2023098007A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、電子機器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2781425B2 (ja) 1988-09-22 1998-07-30 松下電子工業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPH03135069A (ja) 1989-10-20 1991-06-10 Nec Corp 固体撮像素子
JPH06125068A (ja) * 1992-10-14 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像素子
JPH0766437A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Tonen Corp 光電変換装置用基板の製造方法
JPH1117160A (ja) 1997-06-24 1999-01-22 Sharp Corp 半導体装置
JP3702611B2 (ja) * 1997-10-06 2005-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JPH11204768A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Toshiba Corp 固体撮像装置およびこれを備えた撮像システム
JP2000124435A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP4878427B2 (ja) * 2001-09-07 2012-02-15 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線撮像装置及び放射線検出システム
JP2003035846A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Matsushita Electric Works Ltd 光電変換装置
JP2003249639A (ja) 2002-02-22 2003-09-05 Sony Corp 光電変換装置およびその製造方法ならびに固体撮像装置ならびにその製造方法
US7250591B2 (en) * 2004-06-01 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Photonic crystal-based filter for use in an image sensor
US7427798B2 (en) * 2004-07-08 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Photonic crystal-based lens elements for use in an image sensor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150052695A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 삼성전자주식회사 광학 결정을 포함하는 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 데이터 처리 시스템
US10263025B2 (en) 2015-06-05 2019-04-16 Sony Corporation Solid-state imaging sensor
US11557621B2 (en) 2015-06-05 2023-01-17 Sony Group Corporation Solid-state imaging sensor
US11990492B2 (en) 2015-06-05 2024-05-21 Sony Group Corporation Solid-state imaging sensor
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