JP6820959B2 - 光電変換素子 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態1に係る光電変換素子を示す断面図である。図1に示す光電変換素子1は複数のフォトダイオード20がマトリックス状に配置され、エリアセンサとして利用される素子である。光電変換素子1では、シリコン基板10上に格子状に形成された金属配線40の格子中央にフォトダイオード20が配置されている。光電変換素子1は、このフォトダイオード20と、フォトダイオード20上に形成され、複数の光透過膜で構成される光透過部30と、で構成されている。
図5は本発明の実施の形態2に係る光電変換素子を示す断面図である。図5に示す光電変換素子1では、光透過部30が反射防止膜35を備えている。以下、実施の形態1と異なる構成について説明する。
このような形態であっても、入射光Iを散乱し、反射を低減することができる。
Claims (4)
- 1列に並べられた複数の光電変換部と、
該光電変換部それぞれの受光面上に形成され、1層以上の光透過膜を有する光透過部と、
を備え、
前記複数の光電変換部それぞれの前記受光面上には、凹凸部が少なくとも1つ形成され、
前記凹凸部は、前記光透過部が1層の光透過膜を有する場合に、該光透過膜と前記受光面の界面、および該光透過膜の上面に形成され、前記光透過部が2層以上の光透過膜を有する場合に、最上層の光透過膜の上面、および光透過膜と光透過膜との間の界面に形成され、
隣り合う前記凹凸部の間隔は、隣り合う前記光電変換部の間隔よりも小さく、
前記凹凸部の凸部から凹部までの深さは、前記隣り合う前記凹凸部の間隔の1/4倍以上1倍以下である、
光電変換素子。 - 1列に並べられた複数の光電変換部と、
該光電変換部それぞれの受光面上に形成され、1層以上の光透過膜を有する光透過部と、
を備え、
前記複数の光電変換部それぞれの前記受光面上には、凹凸部が少なくとも1つ形成され、
前記凹凸部は、前記光透過部が1層の光透過膜を有する場合に、該光透過膜と前記受光面の界面、および該光透過膜の上面の少なくとも1つの面に形成され、前記光透過部が2層以上の光透過膜を有する場合に、最下層の光透過膜と前記受光面の界面、最上層の光透過膜の上面、および光透過膜と光透過膜との間の界面の少なくとも1つの面に形成され、
隣り合う前記凹凸部の間隔は、隣り合う前記光電変換部の間隔よりも小さく、
前記凹凸部の凸部から凹部までの深さは、前記隣り合う前記凹凸部の間隔の1/4倍以上1倍以下であり、
前記凹凸部は、前記光電変換部に入射する光を散乱する粗面を有する、
光電変換素子。 - 前記凹凸部は、一定の間隔で配置された請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記凹凸部は、ランダムな間隔で配置された請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
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