JP4442157B2 - 光電変換装置及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
光電変換部53列の一方の側には、垂直CCD部56を構成するN型の転送チャネル領域57が形成され、N型の転送チャネル領域57の下には、P型の第2の半導体ウェル領域58が形成されている。
光電変換部53の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、即ち、P+のチャネルストップ領域59が形成されている。光電変換部53と垂直CCD部56との間には、光電変換部53に蓄積された信号電荷を垂直CCD部56に読み出すための、トランスファーゲート部60が形成されている。
即ち、半導体基板51の表面とシリコン酸化膜61との界面における光の透過率が低いために、光電変換部53の受光量が少なくなってしまい、光電変換部53における充分な感度を得ることができないということである。
即ち、図21にその拡大断面図を示すように、この反射防止膜67は、光電変換部53上を含んで全面に形成されたシリコン酸化膜68と、このシリコン酸化膜68上に形成された、シリコン酸化膜68よりも屈折率が高く、且つ半導体基板51の屈折率よりも低い材料からなる、例えばシリコン窒化膜69から構成されている。
尚、例えば、シリコン酸化膜68の屈折率は1.45であり、シリコン窒化膜69の屈折率は2.00である。また、シリコン酸化膜68の膜厚、シリコン窒化膜69の膜厚は、それぞれ、600Å以下、好ましくは250〜350Å以下とされる。
また、図20と対応する部分には同一符号を付している。
これにより、最終的に光電変換部53に入射する光量が少なくなり、光電変換部53における充分な感度が得られないという問題点が生じてしまう。
即ち、シリコン窒化膜69、シリコン酸化膜68、半導体基板51の表面という、入射光の一連の透過経路中で、断続的に屈折率が変化していく構成となっているので、それぞれの層の界面で入射光に反射が生じることは避けられない。
即ち、このフォトニック結晶は、隣り合うフォトニック結晶同士の距離(ピッチ)を、撮像対象として設定されている光の波長の略1/2とすることにより、屈折率が、シリコン半導体基板の界面上部からシリコン半導体基板の界面内部へとなだらかに変化することになり、例えば光が平坦な半導体基板の界面に入射する場合よりも光の損失を抑えて、光電変換部53へと入射する受光量を増加させて、高い感度を得られるようにするものである。
即ち、フォトニック結晶を形成する際に、半導体基板を構成する単結晶シリコンにストレスが生じることにより、半導体基板1の表面(界面)に結晶欠陥が発生し、このような結晶欠陥による界面準位により、暗電流が増大してしまうことが考えられる。
即ち、フォトニック結晶を設けた場合、高い感度特性と界面準位からの暗電流の低減を
同時に達成することが困難であった。
光電変換部の一方の側に形成された転送チャネル領域とを備える。そして、転送チャネル領域の下に形成された第2の半導体ウェル領域と、光電変換部の他方の側に形成された画素分離領域と、光電変換部と転送チャネル領域及び第2の半導体ウェル領域との間に形成されたトランスファーゲート部とを備える。さらに、光電変換部上に形成され、光電変換部と異なる材料により形成されている絶縁膜を備える。
そして、光電変換部の絶縁膜との界面に形成され、絶縁膜を構成する材料に対する光電変換部を構成する材料の比率が、光電変換部側に向かうにつれて連続量的に高くなるように形成されている凹凸部と、凹凸部内に形成されている再結合領域とを備える。
従って、例えば、高い感度特性を有し、S/N比が改善された光電変換装置及び固体撮像装置を提供することが可能になる。
本実施の形態の固体撮像装置100は、例えば、高純度の単結晶シリコン(Si)を主要材料とするN型のシリコン半導体基板1内に、P型の第1の半導体ウェル層2が形成され、半導体基板1の表面側には、光電変換部3を構成する例えばN型の半導体領域(所謂電荷蓄積領域)4からなるフォトダイオードが形成される。
光電変換部3列の一方の側には、垂直CCD部6を構成するN型の転送チャネル領域7が形成され、N型の転送チャネル領域7の下には、P型の第2の半導体ウェル領域8が形成されている。
光電変換部3の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、即ち、高濃度のP型のチャネルストップ領域9が形成されている。光電変換部3と垂直CCD部6との間には、光電変換部3に蓄積された信号電荷を垂直CCD部6に読み出すための、トランスファーゲート部10が形成されている。
また、遮光膜14上には、全面を覆って透明なシリコン酸化膜(例えばPSG)からなるカバー膜(パッシべーション膜)15が形成されている。そして、このカバー膜15上に平坦化膜16、さらにはカラーフィルタ(図示せず)を介して、光電変換部13と対応する位置に、オンチップレンズ17が形成されている。
この三角柱状の凹凸部18を構成している複数の三角柱のピッチの寸法D(隣り合った三角柱同士のピッチの寸法D)は、固体撮像装置の撮像対象として設定されている光の最長波長以下、さらに望ましくは最短波長以下に設定することができる。また、さらに望ましくは、設定されている光の最短波長の1/2〜1/5の範囲に設定することもできる。
このようなピッチの寸法Dに設定することにより、凹凸部18内における入射光に対する媒質の内の屈折率は連続的に変動する(即ち、入射光の波長に依存した凹凸部18中の屈折率が連続的に変動する)。
例えば、撮像対象として設定されている光が可視光である場合は、可視光領域は一般に約400nm〜約700nm程度の範囲であるので、隣り合った三角柱どうしのピッチの寸法Dとしては、例えばその最短波長よりも短い300nmに設定される。
尚、図2中、光電変換部3において、実線は凹凸部18を構成している三角柱の底辺を表しており、一点鎖線はその三角柱の頂辺(稜線)を表している。
即ち、図4A及び図4Bに示すように、単結晶シリコン(Si)の屈折率n(Si)とシリコン酸化膜の屈折率n(SiO2)とを比較すると、n(SiO2)<n(Si)であるので、三角柱の稜線から半導体基板1の底部側へと(入射光の進入経路で外部から光電変換部3の深部へと向かうにつれて)実質的な屈折率が連続的に単調増加して行く構成となる。
ここで、再結合領域19は、例えばシリコン半導体基板1の表面のシリコン−シリコン酸化膜界面領域の結晶欠陥等により発生した暗電流となる電子を正孔と再結合させるための領域である。本実施の形態の固体撮像装置においては、三角柱状の凹凸部18が、第1導電型領域、例えばN型の半導体領域(電荷蓄積領域)4の表面(界面)に形成されているので、この凹凸部18に再結合領域19を形成するためには、第2導電型領域、例えばP型の半導体領域191を凹凸部18内に形成する。
これにより、N型の半導体領域とP型の半導体領域との間では空乏領域が形成され、凹凸部18の表面と空乏領域との間が再結合領域19となる。
この再結合領域19は、そのP型の不純物濃度が例えば高濃度に調整されることで、光電変換部3の表面に形成される正電荷蓄積領域を兼ねることができる。
これにより、暗電流となる電子を消滅させることができ、界面準位による暗電流の増大を抑えることができる。
例えば、撮像対象として設定されている光が可視光である場合において、400nm付近の短い波長の光である場合は、光電変換された信号電荷が著しく消滅し、感度の低下が顕著になる。
本実施の形態の固体撮像装置では、上述した実施の形態の固体撮像装置の場合(図5参照)と同様に、凹凸部18内に暗電流を低減するための再結合領域19を形成するが、この再結合領域19を、凹凸部18の凹凸(凹凸の起伏)に対応して形成するようにする。
ここで、再結合領域19は、凹凸部18の表面から深さ方向に例えば0.5μm以内の深さで形成することができる。即ち、再結合領域19の膜厚19Dを0.5μm以内で形成する。
その他の構成は、上述した実施の形態の固体撮像装置の場合と同様であるので、対応する部分には同一符号を付して、重複説明を省略する。
これにより、凹凸部18の表面側では、暗電流となる電子を正孔と再結合させることができ、凹凸部18の深い領域側では、光電変換された信号電荷が再結合されることを抑えることができ、信号電荷の低減を抑えることができる。
従って、上述した実施の形態の固体撮像装置の場合に加えて、感度の低下を抑えることができる。
本実施の形態の固体撮像装置は、上述した実施の形態の固体撮像装置の場合(図5及び図6参照)と同様に凹凸部18内に暗電流を低減するための再結合領域19を形成するが、図7に示すように、凹凸部18の上部に酸化膜20が形成されるようにする。この酸化膜20は、凹凸部18の上部の全て、または一部に形成することができる。
その他の構成は、図6に示す実施の形態の場合の固体撮像装置の場合と同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
即ち、三角柱状の凹凸部18の上部に酸化膜20を形成した場合、外部から入射された光は、酸化膜20を通った後、凹凸部18を介して光電変換部3の深部へと向かうことになる。この場合、凹凸部18の上部に酸化膜20が形成されず、外部から入射された光が、単に凹凸部18を介して光電変換部3の深部へと向かうことになる構成の固体撮像装置に比べて、酸化膜20を通る分、真空または大気中からシリコン内部に入射する入射光の媒質間の屈折率をゆるやかに変動させることができる。
これにより、光電変換部3に入射される光の損出を少なくして、受光量を増大させることが可能になる。
本実施の形態の固体撮像装置は、上述した実施の形態の固体撮像装置の場合(図5参照)と同様に、凹凸部18内に暗電流を低減するための再結合領域19を形成するが、この再結合領域の形成の仕方が異なる。
即ち、本実施の形態の固体撮像装置においては、図8Aに示すように、凹凸部18の上に絶縁膜21を介して電極22を形成する。この電極22は、凹凸部18の上部の一部または全てに形成することができる。
電極22としては、例えば透明電極や薄く形成されたポリシリコン等からなる電極を用いることができる。
その他の構成は、図6に示した実施の形態の固体撮像装置の場合と同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
先ず、上述した、凹凸部18の上部に絶縁膜11を介して電極22が形成された構成の固体撮像装置において、電極22に対して、図示しない外部の電圧印加手段より、凹凸部18内に再結合領域19が形成されるような逆バイアス電圧を印加する。ここで、本実施の形態においては、凹凸部18は、上述したように、N型の半導体領域(電荷蓄積領域)4の表面に形成されているので、この凹凸部18内に再結合領域19が形成されるような逆バイアス電圧としては、正電圧が印加される。これにより、凹凸部18内に反転層、即ち再結合領域19が形成される。
ここで、逆バイアス電圧を印加するタイミングは、少なくとも光電変換部3において、信号電荷を蓄積している時間に印加するようにする。例えば、FT(フレームトランスファー)型の固体撮像装置の場合では、信号電荷の蓄積時には逆バイアスを印加するが、信号電荷の転送時には、一旦逆バイアスの印加を止めるようにする。
尚、固体撮像装置の構成によっては、例えば、逆バイアス電圧を、信号電荷の蓄積時と信号電荷の読み出し時の両方に印加する場合も考えられる。
これにより、上述した固体撮像装置の場合(図5及び図6、並びに図7参照)と同様に、半導体基板1の界面に凹凸部(フォトニック結晶)18が形成されるときに、単結晶シリコンからなる半導体基板1にストレスが生じて、結晶欠陥が発生してしまった場合でも、凹凸部18内に形成された再結合領域19によって、暗電流となる電子を正孔と再結合させることができ、界面準位による暗電流の発生を抑制できる。
この場合は、図8Aに示したような構成の場合に比べて、電極22に逆バイアスが印加された際に、凹凸部18の表面に形成される反転層、所謂再結合領域19の厚さDを、より均一にすることができる。
これにより、上述した実施の形態の固体撮像装置(図6参照)の場合と同様に、凹凸部18の表面側では、暗電流となる電子を正孔と再結合させることができ、凹凸部18の深い領域では、光電変換された信号電荷が再結合することが抑えられて、充分な量の信号電荷を得ることができる。従って、上述した実施の形態の固体撮像装置の場合に加えて、さらに感度特性を向上させることができる。
例えば図9Aに示すような半円柱状の凹凸形状及び図9Bに示すような逆半円柱状の凹凸形状、或いは、図9Cに示すような半多角柱状の凹凸形状とすることもできる。また、図9Dに示すように、長手方向に対して直交する断面が半導体基板1の厚さ方向に深くなるにつれて(換言すればその断面形状の底辺に向かって)二次曲線的(パラボラ的)に幅を増して行くような形状の柱状体とすることもできる。
このようなピッチの寸法に設定することにより、凹凸部18内における入射光に対する媒質の内の屈折率は連続的に変動する。
尚、図1に対応する部分には、同一符号を付して説明する。
また、図10Aに示すように、既に、例えば高純度のシリコンを主要材料とするN型の半導体基板1の所定の領域に、光電変換部3を構成するN型の半導体領域4、垂直CCD部を構成するN型の転送チャネル領域7とP型の第2の半導体ウェル領域8、さらには、高濃度のP型のチャネルストップ領域9やトランスファーゲート部10が形成された状態から説明する。
そして、転送電極12上には層間絶縁膜13を介して例えばアルミニウムやタングステンのような金属材料からなる遮光膜14を形成する。
次いで、遮光膜14上に、全面を覆って透明なシリコン酸化膜(例えばPSG)からなるカバー膜(パッシべーション膜)15を形成し、このカバー膜15上に平坦化膜16、さらにはカラーフィルタ(図示せず)を介して、光電変換部13と対応する位置に、オンチップレンズ17を形成する。
ちなみに、例えば、図10Bに示す工程で、先に、N型の半導体領域(電荷蓄積領域)4内にP型の不純物を注入し、この後に、図10C及び図10Dに示すように、凹凸部18を形成するようにした場合は、例えば、図5に示す、その表面から深さ方向の領域まで再結合領域19が形成された凹凸部18が形成される。
具体的には、図15に示すように、凹凸部18を四角錘状で形成する。
また、この他にも、例えば、図16Aに示すような三角錘状や、図16Bに示すような円錐状に形成することもできる。
その他の構成は、図1に示す固体撮像装置の場合と同様であるので、対応する部分には同一符号を付している。
また、これとは相対的に、スミアを発生させる要因となる度合いの高い偏光成分(P偏向成分)の光電変換部3への入射光量を減少させて、光電変換部3の全受光量に対するスミアの要因となる光の割合を低減させることができ、固体撮像装置からの出力信号(信号電荷)における実質的なS/N比の改善を達成することができる。
先ず、図10Aに示したように、既に、例えば高純度のシリコンを主要材料とするN型の半導体基板1の所定の領域に、光電変換部3を構成するN型の半導体領域4と、垂直CCD部6を構成するN型の転送チャネル領域7とP型の第2の半導体ウェル領域8、さらには、高濃度のP型のチャネルストップ領域9やトランスファーゲート部10を形成する。
これにより、図16に示す凹凸部18を有する構成の固体撮像装置を形成することができる。
即ち、裏面照射型の固体撮像装置は、配線層28や電極(図示せず)等が表面側に形成されて、光が裏面側から入射されるようにした構成の固体撮像装置である。そして、図19Bにその要部の拡大図を示すように、光電変換部3上の素子分離領域29と平坦化膜27との界面に、上述したような、例えば三角柱状の凹凸部18が形成される。そして、この凹凸部18内に再結合領域19が形成される。ここで、例えば、素子分離領域29と再結合領域19は同じ材料(例えばP型の半導体領域)で形成されている。
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板内に形成されている第1導電型の第1の半導体ウェル層と、前記第1の半導体ウェル層内の前記半導体基板の表面に形成されている第2導電型の電荷蓄積領域と、からなる光電変換部と、
前記光電変換部上に形成され、前記光電変換部と異なる材料により形成されている絶縁膜と、
前記光電変換部の前記絶縁膜との界面に形成され、前記絶縁膜を構成する材料に対する前記光電変換部を構成する材料の比率が、前記光電変換部側に向かうにつれて連続量的に高くなるように形成され、前記半導体基板の平坦な主面に対して長手方向が平行に寝かされて配置された、三角柱状、半円柱状、逆半円柱状若しくは半多角柱状、或いは、前記半導体基板の平坦な主面に対して平行に配置された、四角錐状、三角錘状若しくは円錐状に形成されている凹凸部と、
前記凹凸部内に形成されている第1導電型の再結合領域と、を備え、
前記凹凸部において、隣り合った前記凹凸部のピッチの寸法が、撮像対象として設定されている光の最長波長の1/2〜1/5の範囲で形成されている
光電変換装置。 - 前記再結合領域が、前記凹凸部内において、前記光電変換部の表面から前記凹凸部内部全体に形成されている請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記再結合領域が、前記凹凸部の形状に沿って、前記絶縁膜側の前記凹凸部の表面に形成されている請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記凹凸部上に、前記凹凸部の形状に対応した酸化膜が形成されている請求項1に記載の光電変換装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板内に形成されている第1導電型の第1の半導体ウェル層と、前記第1の半導体ウェル層内の前記半導体基板の表面に形成されている第2導電型の電荷蓄積領域と、からなる光電変換部と、
前記光電変換部の一方の側に形成された転送チャネル領域と、
前記転送チャネル領域の下に形成された第2の半導体ウェル領域と、
前記光電変換部の他方の側に形成された画素分離領域と、
前記光電変換部と前記転送チャネル領域及び前記第2の半導体ウェル領域との間に形成されたトランスファーゲート部と、
前記光電変換部上に形成され、前記光電変換部と異なる材料により形成されている絶縁膜と、
前記光電変換部の前記絶縁膜との界面に形成され、前記絶縁膜を構成する材料に対する前記光電変換部を構成する材料の比率が、前記光電変換部側に向かうにつれて連続量的に高くなるように形成され、前記半導体基板の平坦な主面に対して長手方向が平行に寝かされて配置された、三角柱状、半円柱状、逆半円柱状若しくは半多角柱状、或いは、前記半導体基板の平坦な主面に対して平行に配置された、四角錐状、三角錘状若しくは円錐状に形成されている凹凸部と、
前記凹凸部内に形成されている第1導電型の再結合領域と、を備え、
前記凹凸部において、隣り合った前記凹凸部のピッチの寸法が、撮像対象として設定されている光の最長波長の1/2〜1/5の範囲で形成されている
固体撮像装置。 - 前記再結合領域が、前記凹凸部内において、前記光電変換部の表面から前記凹凸部内部全体に形成されている請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記再結合領域が、前記凹凸部の形状に沿って、前記絶縁膜側の前記凹凸部の表面に形成されている請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記凹凸部上に、前記凹凸部の形状に対応した酸化膜が形成されている請求項5に記載の固体撮像装置。
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