CN108346674B - 半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体硅晶片的制备方法、半导体硅晶片及图像传感器。所述方法包括：提供一半导体硅晶片；在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹图案的光阻；以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。利用本发明提供的方法增加了半导体硅晶片的表面积，增加了光吸收率，从而提升图像处理器光学性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器。
背景技术
随着对小尺寸、高像素的CMOS型图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)市场需求越来越高，对其光学性能的要求也越来越高。但由于可见光-红外光在硅表面的反射率高的固有局限性，使得CIS无法实现对于光最大程度地吸收。这个不足很大程度上限制了CIS的光学性能。
传统CIS工艺会经过硅减薄及平坦化工艺，沉积高介电薄膜(HiK filmdeposition，HiK DEP)和缓冲氧化层(Buffer Oxide，BFOX)，金属栅格(Backside metalgrid，BMG)及后面的打开金属线连接区域(Pad open)工艺。平坦的硅Si表面对于可见光和红外光有较大的反射率，图像处理器的光吸收率将明显减少。
因此，如何提出一种方法，能够提供图像处理器的光学性能，成为亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器，以解决现有技术中图像传感器对光的吸收率不高，进而很大程度上制约了器件的光学性能的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种半导体硅晶片的制备方法，包括：
提供一半导体硅晶片；
在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹图案的光阻；
以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；
对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
进一步地，在所述半导体硅晶片的制备方法中，所述对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻，包括：
采用KrF曝光机对所述光阻剂进行曝光处理后，进行显影和冲洗，得到具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹图案的光阻。
进一步地，在所述半导体硅晶片的制备方法中，所述对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构，包括：
采用酸剂对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
进一步地，在所述半导体硅晶片的制备方法中，所述酸剂为具有各项异性的酸。
进一步地，所述方法还包括：对所述波浪形结构进行填充的步骤。
进一步地，所述对所述波浪形结构进行填充的步骤，包括：
在所述半导体硅晶片完成介电层沉积工艺后，采用原子层沉积法对所述波浪形结构进行填充。
进一步地，所述介电层为由高介电值材料制成的介电层。
第二方面，本发明还提供了一种半导体硅晶片，所述半导体硅晶片采用第一方面所述的半导体硅晶片制作方法得到。
第三方面，本发明还提供了一种图像传感器，包括上述第二方面所述的半导体硅晶片。
第四方面，本发明还提供了一种图像传感器，包括：半导体硅晶片，所述半导体硅晶片的表面呈波浪形结构。
由上面的技术方案可知，本发明提供的半导体硅晶片的制备方法，通过微影工艺、蚀刻的方式在半导体硅晶片的表面形成波浪形结构，从而可以增加半导体硅晶片表面对光的吸收率，进而可以提高图像处理器的光学性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的半导体硅晶片制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体硅晶片执行微影工艺的剖面示意图；
图3为本发明实施例提供的半导体硅晶片执行干法蚀刻的剖面示意图；
图4为本发明实施例提供的半导体硅晶片执行湿法蚀刻的剖面示意图；
图5为本发明实施例提供的图像传感器的结构剖面示意图；
附图标记：
1-半导体硅晶片；2-光阻；3-金属栅格；4-原子沉积层；4’-氧化层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的半导体硅晶片制备方法的流程示意图，如图1所示，所述方法包括：
S1、提供一半导体硅晶片；
S2、在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻；
S3、以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；
S4、对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
在本实施例中，根据步骤S1，提供一半导体硅晶片，该半导体硅晶片的表面为平坦结构，由于其平坦的表面结构，使其对可见光和红外光有较大的反射率，从而影响光的吸收率。而在本实施例，通过对该半导体硅晶片进行步骤S2-S4的一系列处理，改变其表面的平坦结构，以增加半导体硅晶片表面对光的吸收率，进而采用通过本实施例处理后的半导体硅晶片制成图像传感器后，可以提高图像传感器的光学性能。
具体地，参见图2，根据步骤S2，在半导体硅晶片1的表面上铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻2。
具体地，参见图3，根据步骤S3，以所述光阻2为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽。
可以理解的是，在以所述光阻2为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽后，去除所述光阻2。
具体地，参见图4，根据步骤S4，对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
可以理解的是，对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构之后，可以进一步增加所述半导体硅晶片的表面积，进而增加半导体硅晶片对光的吸收率，从而可以提高后续图像传感器的光学性能。
由上面的技术方案可知，本实施例提供的半导体硅晶片的制备方法，通过微影工艺、蚀刻的方式在半导体硅晶片的表面形成波浪形结构，从而可以增加半导体硅晶片表面对光的吸收率，进而可以提高图像处理器的光学性能。
为提高光刻图形的分辨率或准确度，在一种优选的实施方式中，采用KrF型曝光机对半导体硅晶片表面上铺设的光阻剂进行曝光处理，之后进行显影和冲洗，从而在半导体硅晶片表面形成精确的需要蚀刻的图案，即形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案。
可以理解的是，在微影工艺中，曝光的分辨率及聚焦深度是微影品质的重要指标，故本实施例采用具有较高光刻分辨率的KrF曝光机，所述KrF曝光机可发出波长为2480埃的深紫外线的曝光光源，从而可以提高光刻图形的分辨率或准确度。
为在所述半导体硅晶片的表面形成波浪形结构，在一种优选实施方式中，采用酸剂对所述W型的浅沟槽的侧壁进行腐蚀处理，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。在实际处理过程中，所述酸剂可以采用具有各项异性的酸，例如四甲基氢氧化铵。
由于后期在制作金属栅格时，需要提供一平坦的表面结构，因此在一种优选实施方式中，所述制备方法还包括：对所述波浪形结构进行填充的步骤。
参见图4，所述对所述波浪形结构进行填充的步骤设置在介电层沉积工艺之后，也即在对表面带有波浪形结构的半导体硅晶片完成介电层沉积工艺后，采用原子层沉积法对所述波浪形结构进行填充。
可以理解的是，采用原子层沉积法对所述波浪形结构进行填充，可以实现较好的填充效果，不会存在填充不满的缺陷，从而可以提高后续所制作的器件的性能。
可以理解的是，在完成对所述波浪形结构的填充步骤之后，可以进行氧化层4的沉积以及金属栅格3形成的步骤。由于该过程属于现有技术，故此处不再详述。
参见图4，可以理解的是，在波浪形结构的上方有原子沉积层和氧化层，例如图4中的在波浪形结构的上方先沉积一层原子沉积层，主要是用来进行波浪形结构的填充，如图4中的4；此外，在原子沉积层的上方再沉积氧化层，如图4中的4’，其中，由于所述原子沉积层和所述氧化层无法在同一个沉积工艺过程中实现，故需要分别进行沉积，在沉积过程中，原子沉积层和氧化层均可以采用氧化硅进行沉积。
需要说明的是，在波浪形结构的上面还有一介质层，在图4中没有示出该结构。
在一种优选实施方式中，所述介电层为由高介电值材料制成的介电层。所述高介电值材料包括氧的化合物如二氧化铪HfO2、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2等。
本发明另一实施例提供了一种半导体硅晶片，所述半导体硅晶片采用上面实施例所述的半导体硅晶片制作方法得到。
可以理解的是，由于本实施例提供的半导体硅晶片采用上面实施例所述的半导体硅晶片制作方法得到，因此，本实施例提供的半导体硅晶片，其表面具有波浪形结构，因此可以增加半导体硅晶片对光的吸收率，从而可以提高图像传感器的光学性能。
本发明又一实施例提供了一种图像传感器，该图像传感器包括上面实施例所述半导体硅晶片。
可以理解的是，由于本实施例提供的图像传感器包括上面实施例所述半导体硅晶片，因此，本实施例提供的图像传感器，对光的吸收能力增强，从而具有较好的光学性能。
本发明又一实施例提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体硅晶片，所述半导体硅晶片的表面呈波浪形结构。
可以理解的是，由于本实施例提供的图像传感器中的半导体硅晶片的表面呈波浪形结构，因此使得图像传感器对光的吸收能力增强，从而使得图像传感器具有较好的光学性能。
以上实施例仅用于说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种半导体硅晶片的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体硅晶片；
在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻；
以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；
对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻，包括：
采用KrF曝光机对所述光阻剂进行曝光处理后，进行显影和冲洗，得到具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹的图案的光阻。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构，包括：
采用酸剂对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述酸剂为具有各项异性的酸。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对所述波浪形结构进行填充的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述波浪形结构进行填充的步骤，包括：
在所述半导体硅晶片完成介电层沉积工艺后，采用原子层沉积法对所述波浪形结构进行填充。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述介电层为由高介电值材料制成的介电层。
8.一种半导体硅晶片，其特征在于，所述半导体硅晶片采用如权利要求1-7任一项所述的半导体硅晶片制作方法得到。
9.一种图像传感器，其特征在于，包括权利要求8所述的半导体硅晶片。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1174415A (zh) * | 1996-02-27 | 1998-02-25 | 佳能株式会社 | 具有一个有特定不规则表面结构的不透明衬底的光电器件 |
| CN1819277A (zh) * | 2004-12-03 | 2006-08-16 | 豪威科技有限公司 | 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素 |
| CN101268552A (zh) * | 2005-08-03 | 2008-09-17 | 美光科技公司 | 减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计 |
| CN100433342C (zh) * | 2003-08-20 | 2008-11-12 | 索尼株式会社 | 光电转换设备和固体图像拾取设备及其驱动和制造方法 |
| CN100536156C (zh) * | 2005-12-28 | 2009-09-02 | 东部电子股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| JP2010206128A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ |
| JP2011027650A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ |
| CN104022144A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示结构及其制作方法 |
| CN104508819A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-04-08 | 浜松光子学株式会社 | 固体摄像装置 |
| CN105161542A (zh) * | 2015-08-06 | 2015-12-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶面板 |
| CN107154414A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-12 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 背照式cmos图像传感器及其制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513325A (ja) * | 1991-07-04 | 1993-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US7119372B2 (en) * | 2003-10-24 | 2006-10-10 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode |
| CN103378212B (zh) * | 2012-04-19 | 2017-05-03 | 惠州比亚迪电池有限公司 | 一种太阳能电池片的制绒方法 |
-
2018
- 2018-01-30 CN CN201810088768.7A patent/CN108346674B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1174415A (zh) * | 1996-02-27 | 1998-02-25 | 佳能株式会社 | 具有一个有特定不规则表面结构的不透明衬底的光电器件 |
| CN100433342C (zh) * | 2003-08-20 | 2008-11-12 | 索尼株式会社 | 光电转换设备和固体图像拾取设备及其驱动和制造方法 |
| CN1819277A (zh) * | 2004-12-03 | 2006-08-16 | 豪威科技有限公司 | 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素 |
| CN101268552A (zh) * | 2005-08-03 | 2008-09-17 | 美光科技公司 | 减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计 |
| CN100536156C (zh) * | 2005-12-28 | 2009-09-02 | 东部电子股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| JP2010206128A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ |
| JP2011027650A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ |
| CN104508819A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-04-08 | 浜松光子学株式会社 | 固体摄像装置 |
| CN104022144A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示结构及其制作方法 |
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