KR20210134477A - 극자외선 포토리소그래피를 위한 마스크 - Google Patents
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Abstract
극자외선 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법은 반사성 다층을 형성하는 단계, 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계 및 반사성 다층 상에 흡수 층을 형성하는 단계를 포함한다. 흡수 층을 패터닝하기 전에, 흡수 층의 외측 부분이 제거된다. 그 후 흡수 층의 상부면 상에 그리고 흡수 층의 측벽들 상에 포토레지스트가 성막된다. 포토레지스트는 그 후 패터닝되고, 흡수 층은 패터닝된 포토레지스트의 존재 하에 플라즈마 에칭 프로세스로 에칭된다. 플라즈마 에칭 프 로세스 동안 흡수 층의 측벽들 상의 포토레지스트의 존재는 플라즈마 에칭 프로세스 동안 흡수 층의 에칭에 균일성을 향상시키도록 돕는다.
Description
본 개시물은 포토리소그래피의 분야에 관한 것이다. 본 개시물은 더욱 구체적으로는 포토리소그래피 프로세스들을 위한 마스크들을 형성하는 것에 관한 것이다.
반도체 집적 회로 산업은 기하급수적인 성장을 경험하였다. 집적 회로 재료들 및 설계에 있어서의 기술적 진보는 각 세대가 이전 세대보다 더 작고 더 복잡한 회로들을 갖는 집적 회로들의 세대를 생산해 냈다. 집적 회로 진화의 과정에서, 칩 면적 당 상호연결된 디바이스들의 개수는 일반적으로 증가한 반면, 제조 프로세스를 사용하여 생성될 수 있는 가장 작은 컴포넌트들의 사이즈들은 감소해 왔다.
이러한 스케일링 다운 프로세스는 일반적으로 생산 효율성을 증가시키고 관련 비용을 낮춤으로써 이점들을 제공한다. 이러한 스케일링 다운은 또한 집적 회로 프로세싱 및 제조의 복잡성을 증가시켰다. 이러한 진보가 실현되기 위해서는 집적 회로 프로세싱 및 제조에 있어서 유사한 개발이 필요하다. 예를 들어, 고해상도 포토리소그래피 프로세스들을 수행할 필요성이 증가하고 있다.
극자외선 포토리소그래피는 약 1-20 nm의 파장을 갖는 극자외선 영역에서 광을 사용하는 스캐너들을 이용하는 포토리소그래피 프로세스이다. 극자외선 스캐너들은 반사성 마스크 상에 형성된 흡수 층 상에 원하는 패턴을 제공한다. 흡수 층의 패턴은 패턴에 기초하여 반도체 웨이퍼 상에 피처들을 형성하는데 이용된다.
도 1은 일 실시예에 따른 극자외선 포토리소그래피 시스템의 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 3는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 4a는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 4b는 일 실시예에 따른, 도 4a의 포토리소그래피 마스크의 상면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 6는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 7는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법의 흐름도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법의 흐름도이다.
도 2는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 3는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 4a는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 4b는 일 실시예에 따른, 도 4a의 포토리소그래피 마스크의 상면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 6는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 7는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크의 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법의 흐름도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법의 흐름도이다.
이하의 설명에서, 포토리소그래피 마스크 내의 다양한 층들 및 구조물들에 대해 많은 두께들 및 재료들이 설명된다. 특정 치수들 및 재료들은 다양한 실시예들에 대한 예로서 주어진다. 당업자들은 본 개시물을 고려하여 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 다른 치수들 및 재료들이 많은 경우에 사용될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
아래의 개시내용은 설명된 주제의 상이한 피처들을 구현하기 위한 많은 상이한 실시예들 또는 예시들을 제공한다. 본 발명의 설명을 간략히 하기 위해 컴포넌트들 및 배열(arrangement)들의 특정 예시들이 아래에 설명된다. 물론, 이것들은 단지 예시들에 불과하며, 한정하는 것으로 의도된 것은 아니다. 예를 들어, 이후의 상세설명에서 제2 피처 상의 또는 제2 피처 위의 제1 피처의 형성은 제1 피처 및 제2 피처가 직접적으로 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수 있으며, 또한 제1 피처 및 제2 피처가 직접적으로 접촉하지 않을 수 있도록 추가적인 피처들이 제1 피처와 제2 피처 사이에서 형성될 수 있는 실시예를 포함할 수 있다. 또한, 본 개시물은 상이한 예들에서 도면 번호들 및/또는 문자들을 반복할 수 있다. 이러한 반복은 간략화 및 명료화를 위한 것이지, 그러한 반복 그 자체가 개시된 다양한 실시예들 및/또는 구성 사이의 관계를 설명하는 것은 아니다.
또한, "밑에", "아래에", "하부에", "위에", "상부에" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에 예시될 때 다른 엘리먼트(들) 또는 피처(들)에 대한 하나의 엘리먼트 또는 피처의 관계를 설명하기 위하여 설명의 용이성을 위해 본 명세서에서 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에 도시된 배향에 부가하여 사용시 또는 동작시 디바이스의 상이한 배향들을 포함하도록 의도된다. 장치는 다른 방식으로 배향될 수 있거나(90도 또는 다른 배향으로 회전될 수 있음), 본 명세서에서 사용된 공간적으로 상대적인 디스크립터는 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다.
이하의 설명에서, 어떤 특정 세부사항들은 개시물의 다양한 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 당업자는 개시물이 이러한 특정 세부사항들 없이도 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 다른 사례들에서, 전자 컴포넌트들 및 제조 기법들과 연관된 잘 알려진 구조들은 본 개시물의 실시예들의 설명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 방지하기 위해 상세히 설명되지 않았다.
문맥이 달리 요구하지 않는 한, 다음의 상세한 설명 및 청구범위 전체에 걸쳐, "포함한다" 및 "포함하는"과 같은, 단어 "포함하다" 및 그 변형들은 개방적이고 포괄적인 의미로, 즉 "포함하지만 이에 제한되는 것은 아닌" 것으로 해석되어야 한다.
제1, 제2, 및 제3과 같은 서수의 사용은 반드시 순위가 매겨진 의미를 의미하는 것은 아니며, 그보다는 단지 동작 또는 구조의 여러 사례들을 구별할 수 있다.
본 명세서에 걸쳐서 "하나의 실시예" 또는 "일 실시예"에 대한 언급은 해당 실시예와 관련하여 기술된 특정한 특징, 구조, 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서에서 다양한 위치들에 걸친 어구들 "하나의 실시예에서" 또는 "실시예에서"의 출현들은 모두 반드시 동일한 실시예를 언급하는 것은 아니다. 더 나아가, 특정한 특징들, 구조들, 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 결합될 수 있다.
본 명세서 및 첨부 된 청구 범위에 사용 된 바와 같이, 단수 형태("a", "an" 및 "the")는 문맥이 명확하게 달리 지시하지 않는 한 복수의 지시 대상들을 포함한다. 또한, 용어 "또는"은 문맥이 명확하게 달리 지시하지 않는 한 "및/또는"을 포함하는 의미로 일반적으로 이용된다는 점에 유의해야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 극자외선 포토리소그래피 시스템(100)의 블록도이다. 시스템은 방사선 소스(102), 조명기(104), 마스크(106), 투영 광학 박스(108) 및 타겟(110)을 포함한다. 시스템(100)의 컴포넌트들은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들을 수행하기 위해 함께 협력한다.
방사선 소스(102)는 자외선 방사선을 출력한다. 자외선 방사선은 약 1-20 nm의 파장을 갖는다. 자외선 방사선은 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 다른 파장들을 포함할 수 있다.
조명기(104)는 방사선 소스로부터 자외선 방사선을 수신한다. 조명기(104)는 단일 렌즈와 같은 굴절 광학계 또는 다중 렌즈들(존 플레이트(zone plate)들)을 갖는 렌즈 시스템 및/또는 단일 거울 또는 다수의 거울들을 갖는 거울 시스템과 같은 반사 광학계를 포함할 수 있다. 조명기는 방사선 소스(102)로부터 마스크(106)로 자외선 방사선을 지향시킨다.
마스크(106)는 조명기(104)로부터 자외선 방사선을 수신한다. 마스크(106)는 투과성 마스크 또는 반사성 마스크일 수 있다. 일 실시예에서, 마스크(106)는 아래에 더 상세히 설명되는 바와 같은 반사성 마스크이다. 마스크(106)는 위상-시프팅 마스크(phase-shifting mask) 및/또는 광학 근접 보정(optical proximity correction)과 같은 다른 해상도 향상 기법들을 포함할 수 있다.
투영 광학 박스(108)는 마스크(106)로부터 자외선 방사선을 수신한다. 투영 광학 박스(108)는 굴절 광학계 또는 반사 광학계를 가질 수 있다. 마스크(106)로부터 반사된 방사선(예를 들어, 패터닝된 방사선)은 투영 광학 박스(108)에 의해 수집된다. 투영 광학 박스(108)는 1보다 작은 배율을 포함할 수 있다(따라서 방사선에 포함된 패터닝된 이미지를 감소시킨다). 투영 광학 박스는 자외선을 타겟(110)으로 지향시킨다.
일 실시예에서, 타겟(110)은 반도체 웨이퍼를 포함한다. 포토레지스트의 층은 전형적으로 극자외선 포토리소그래피 조사 동안 타겟을 커버한다. 포토레지스트는 마스크(106)의 패턴에 따라 반도체 웨이퍼의 표면을 패터닝하는 것을 돕는다.
투영 광학 박스(108)는 극자외선 광을 타겟(110) 상에 집속시킨다. 극자외선 광은 마스크(106)의 패턴에 대응하는 패턴으로 포토레지스트에 조사한다. 포토레지스트의 노출된 부분들은 포토레지스트의 부분들이 제거되게 할 수 있는 화학적 변화를 겪는다. 이 패턴은 마스크(106)의 패턴으로 반도체 웨이퍼의 표면 상에 포토레지스트를 남긴다. 에칭 프로세스들, 박막 성막 프로세스들 및/또는 도핑 프로세스들은 패터닝된 포토레지스트의 존재 하에 수행된다.
전형적으로, 단일 반도체 웨이퍼의 제조 동안 다수의 마스크들(106)이 이용된다. 각각의 마스크는 반도체 제조 프로세스들에 대응하는 특정 패턴을 갖는다. 하나 이상의 에칭, 성막 또는 도핑 프로세스가 각각의 마스크에 따라 수행된다.
마스크(106)에 결함이 있는 경우, 마스크(106)와 연관된 다양한 반도체 프로세스들에서 대응하는 결함들이 발생할 수 있다. 마스크(106)로부터 제조 프로세스들로 전파되는 결함들은 반도체 디바이스들이 제대로 기능하지 못하게 할 수 있다. 제대로 기능하지 않는 반도체 디바이스들은 각각의 반도체 디바이스를 제조하는 데 필요한 많은 시간, 값 비싼 도구들 및 고가의 재료들로 인해 많은 양의 자원의 낭비를 나타낸다. 따라서, 마스크(106) 내의 결함들 수만큼 감소시키는 것이 유리하다.
도 1과 관련하여 설명된 포토리소그래피 시스템(100)은 포토리소그래피 시스템의 몇몇 컴포넌트들의 일례이다. 포토리소그래피 시스템은 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 전술한 것들 이외의 다른 컴포넌트들, 프로세스들 및 구성들을 포함할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지 동안의 극자외선 포토리소그래피 마스크(106)의 단면도이다. 마스크(106)는 기판(112), 기판(112) 상에 위치된 반사성 다층(114), 반사성 다층(114) 상에 위치된 버퍼 층(116), 및 버퍼 층(116) 상에 위치된 흡수 층(118)을 포함한다. 마스크(106)의 제조 프로세스는 결국 마스크(106)가 흡수 층(118)에서 선택된 패턴을 갖도록 한다.
기판(112)은 저 열팽창 재료를 포함한다. 저 열팽창 재료 기판(112)은 마스크(106)의 가열로 인한 이미지 왜곡을 최소화하는 역할을 한다. 저 열팽창 재료 기판(112)은 결함 레벨이 낮고 표면이 매끄러운 재료들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 기판(112)은 SiO2를 포함할 수 있다. 기판(112)은 티타늄 이산화물로 도핑될 수 있다. 기판(112)은 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 전술한 것들 이외의 다른 저 열팽창 재료들을 포함할 수 있다.
본 명세서에 도시되진 않았지만, 일 실시예에서, 기판(112)은 도전성 층 상에 위치될 수 있다. 도전성 층은 마스크(106)의 제조 및 사용 동안 마스크(106)를 정전기적으로 척킹하는 것을 보조할 수 있다. 일 실시예에서, 도전성 층은 크롬 질화물을 포함한다. 도전성 층은 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 다른 재료들을 포함할 수 있다.
마스크(106)는 반사성 다층(114)을 포함한다. 반사성 다층(114)은 기판(112) 상에 위치된다. 반사성 다층(114)은 마스크(106)가 사용되는 포토리소그래피 프로세스들 동안 극자외선 광을 반사시키도록 구성된다. 반사성 다층(114)의 반사 특성들은 아래에 보다 상세하게 설명된다.
일 실시예에서, 반사성 다층(114)은 2개의 재료들 사이의 계면의 반사 특성들에 따라 작동한다. 특히, 광 반사는 굴절률이 다른 2개의 재료 사이의 계면에서 광이 입사될 때 발생할 것이다. 굴절률의 차이가 더 클 때 더 많은 부분의 광이 반사된다.
반사된 광의 비율을 증가시키는 하나의 기법은 다층의 교번하는 재료들의 다층을 성막함으로써 복수의 계면들을 포함하는 것이다. 재료들의 특성들 및 치수들은 상이한 인터페이스들에서 반사된 광으로 구조적 간섭이 발생하도록 선택될 수 있다. 그러나, 복수의 층들에 대해 이용된 재료들의 흡수 특성들은 달성될 수 있는 반사율을 제한할 수 있다.
따라서, 반사성 다층(114)은 층들의 복수의 쌍들을 포함한다. 층들의 각각의 쌍은 제1 재료의 층 및 제2 재료의 층을 포함한다. 층들의 재료들 및 두께들은 극자외선 광의 반사 및 구조적 간섭을 촉진하도록 선택된다.
일 실시예에서, 층들의 각각의 쌍은 몰리브덴의 층 및 실리콘의 층을 포함한다. 일 예에서, 몰리브덴의 층은 두께가 2 nm 내지 4 nm이다. 일 예에서, 실리콘의 층은 두께가 3 nm 내지 5 nm이다. 반사성 다층(114)에서의 층들의 두께들은 포토리소그래피 프로세스들에서 사용되는 극자외선 광의 예상 파장 및 포토리소그래피 프로세스들 동안의 극자외선 광의 예상 입사각에 기초하여 선택된다. 극자외선 광의 파장은 1 nm 내지 20 nm이다. 일 실시예에 따르면, 층들의 쌍의 수는 20 쌍의 층과 60 쌍의 층 사이이다. 반사성 다층(114) 내의 층들의 다른 재료들, 두께들, 쌍의 수 및 구성들이 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 이용될 수 있다. 본 개시물의 범위를 벗어나지 않으면서 다른 파장의 극자외선 광이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 버퍼 층(116)은 반사성 다층(114) 상에 위치된다. 버퍼 층(116)의 하나의 목적은 흡수 층(118)의 에칭 프로세스들 동안 반사성 다층을 보호하는 것이다. 따라서, 버퍼 층(116)은 흡수 층(118)을 에칭하는 에칭 프로세스들에 의한 에칭에 저항하는 재료들을 포함한다. 흡수 층의 재료들 및 에칭 프로세스들은 아래에서 보다 상세하게 설명될 것이다.
일 실시예에서, 버퍼 층(116)은 루테늄을 포함한다. 버퍼 층(116)은 루테늄 붕소화물 및 루테늄 실리사이드를 포함하는 루테늄의 화합물들을 포함할 수 있다. 버퍼 층은 크롬, 크롬 산화물 또는 크롬 질화물을 포함할 수 있다. 버퍼 층(116)은 버퍼 층(116)이 반사성 다층(114)으로 확산되는 것을 방지하기 위해 저온 성막 프로세스에 의해 성막될 수 있다. 일 실시예에서, 버퍼 층(116)은 2 nm 내지 4 nm의 두께를 갖는다. 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 버퍼 층(116)에 대해 다른 재료들, 성막 프로세스들 및 두께들이 이용될 수 있다.
흡수 층(118)은 버퍼 층(116) 상에 위치된다. 흡수 층(118)의 재료는 마스크(106)를 이용한 포토리소그래피 프로세스들에서 사용될 극자외선 방사선의 파장들에 대한 높은 흡수 계수를 갖도록 선택된다. 즉, 흡수 층(118)의 재료들은 극 자외선 방사선을 흡수하도록 선택된다.
일 실시예에서, 흡수 층(118)은 두께가 40 nm 내지 100 nm이다. 일 실시예에서, 흡수 층(118)은 크롬, 크롬 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 탄탈륨, 티타늄, 알루미늄-구리, 팔라듐, 탄탈륨 붕소 질화물, 탄탈륨 붕소 산화물, 알루미늄 산화물, 몰리브덴 또는 다른 적합한 재료들을 포함하는 그룹으로부터 선택된 재료를 포함한다. 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 흡수 층(118)에 대해 다른 재료들 및 두께들이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 흡수 층(118)은 제1 흡수 층(120) 및 제2 흡수 층(122)을 포함한다. 제1 흡수 층(118)은 버퍼 층(116) 상에 위치된다. 제2 흡수 층(122)은 제1 흡수 층(120) 상에 위치된다.
일 실시예에서, 제1 흡수 층(120)은 탄탈룸 붕소 질화물을 포함한다. 제2 흡수 층(122)은 탄탈룸 붕소 산화물을 포함한다. 제1 흡수 층의 두께는 30 nm 내지 80 nm이다. 제2 흡수 층(122)의 두께는 1 nm 내지 40 nm이다. 흡수 층(118)은 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 전술한 것들 이외의 다른 재료들, 두께들 및 층 수를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 흡수 층(118)은 단지 단일 흡수 층만을 포함할 수 있다. 따라서, 흡수 층(118)은 흡수 층일 수 있다.
도 2에 도시된 마스크(106)의 층들은 다양한 박막 성막 프로세스들에 의해 형성될 수 있다. 박막 성막 프로세스들은 물리 기상 증착 프로세스, 예컨대 증발 및 DC 마그네트론 스퍼터링, 도금 프로세스, 예컨대 무전해 도금 또는 전기 도금, 화학 기상 증착 프로세스, 예컨대 대기압 화학 기상 증착, 저압 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착, 이온 빔 증착, 스핀-온 코팅, 금속 유기 분해 및/또는 당업계에 공지된 다른 방법들을 포함할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크(106)의 단면도이다. 도 3에서, 포토레지스트의 층(124)이 흡수 층(118) 상에 성막되었다. 특히, 포토레지스트의 층(124)은 제2 흡수 층(122) 상에 성막되었다. 포토레지스트의 층(124)은 흡수 층(118)의 상부면의 외측 에지를 노출시키도록 패터닝되고 현상되었다.
포토레지스트의 층(124)은 포토리소그래피 마스크를 통해 포토레지스트(124)를 광 또는 e-빔 프로세스들에 노출시키는 것 및 포토리소그래피 마스크의 패턴에 따라 포토레지스트(124)의 외측 둘레를 제거하기 위하여 포토레지스트를 현상하는 것을 포함하는 일반적인 포토리소그래피 기법들을 사용하여 패터닝될 수 있다.
일 실시예에서, 흡수 층(122)의 상부면의 노출된 부분의 폭은 0.2 mm와 2 mm 사이이다. 다시 말해서, 포토레지스트(124)의 에지는 흡수 층(118)의 에지로부터 0.2 mm와 2 mm 사이에 있다. 도 3에 도시되지 않았지만, 마스크(106)는 상면도에서 실질적으로 직사각형일 수 있다. 흡수 층(118)의 노출된 부분은 직사각형의 외측 에지에 대응한다. 당업자들은 본 개시물을 고려하여 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 흡수 층(118)의 노출된 부분이 다른 치수들 및 형상들을 가질 수 있다는 것을 인식할 것이다. 예를 들어, 본 개시물의 범위를 벗어나지 않으면서 흡수 층(122)의 상부면의 노출된 부분에 대해 다른 폭이 가능하다. 예를 들어, 다른 실시예들에서, 흡수 층(122)의 상부면의 노출된 부분의 폭은 0.2 mm 내지 3 mm이다.
도 4a는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 마스크(106)의 단면도이다. 도 4a의 예시된 실시예에서, 흡수 층(118)의 외측 부분은 제거되었다. 흡수 층(118)의 외측 부분은 패터닝된 포토레지스트(124)의 존재 하에 에칭 프로세스에 의해 제거될 수 있다. 포토레지스트(124)는 그 후 제거된다. 에칭 프로세스의 결과는 버퍼 층(116)의 상부면의 외측 부분(126)이 노출되는 것이다. 노출된 부분은 도 3의 포토레지스트(124)의 패턴에 대응한다. 노출된 부분(126)은 폭이 0.2mm 내지 2mm이다. 노출된 부분(126)은 마스크(106)의 둘레 주위로 연장된다. 노출된 부분(126)은 포토레지스트가 흡수 층의 측벽들을 안정적으로 커버할 수 있도록 충분히 넓어야 하며, 그 이유는 하기에 보다 상세히 설명될 것이다. 노출된 부분(126)은 마스크(106)가 극자외선 포토리소그래피 프로세스들에 사용될 수 있도록 선택된 패턴에 따라 흡수 층의 완전한 패터닝을 가능하게 하기에 충분히 좁아야 한다. 따라서, 값들의 범위는 부분적으로 흡수 층을 패터닝하는데 사용될 포토레지스트의 특정 타입에 기초하여 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 에칭 프로세스는 건식 플라즈마 에칭, 습식 에칭 및/또는 다른 에칭 방법들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 다단계 건식 에칭이 구현된다. 일 실시예에서, 에칭 프로세스는 2-단계 플라즈마 에칭 프로세스를 포함할 수 있다. 제2 흡수 층(122)은 제1 플라즈마 에칭 프로세스로 에칭될 수 있다. 제1 흡수 층(120)은 제2 플라즈마 에칭 프로세스로 에칭될 수 있다.
당업자는 본 개시물을 고 려하여 도 3 및 도 4a와 관련하여 설명된 것들 이외의 다른 프로세스들이 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 도 4a에 따른 패턴을 갖는 마스크를 형성하는데 이용될 수 있음을 인식할 것이다.
도 4b는 일 실시예에 따른, 도 4a의 포토리소그래피 마스크(106)의 상면도이다. 도 4b의 도면에서, 흡수 층(118)은 버퍼 층(116) 상에 위치된다. 흡수 층(118)은 버퍼 층(116)의 상부면을 완전히 커버하지는 않는다. 버퍼 층(116)의 상부면의 외측 부분(126)은 흡수 층에 의해 커버되지 않는다. 버퍼 층(116)의 상부면의 노출된 부분(126)의 폭(W)은 0.2 mm 내지 2 mm이다. 본 개시물의 범위를 벗어나지 않으면서 노출된 부분(126)에 대해 다른 폭이 가능하다. 예를 들어, 본 개시물의 다른 실시예들에 따르면, 버퍼 층(116)의 상부면의 노출된 부분(126)의 폭(W)은 0.2 mm 내지 3 mm이다. 노출된 부분(126)의 폭(W)은 도 4b에서 포토리소그래피 마스크(106)의 모든 측면들에서 동일한 것으로 도시되어 있지만, 몇몇 실시예들에서 노출된 부분(126)은 포토리소그래피 마스크(106)의 상이한 측면들에서 상이한 폭들을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 흡수 층(118)의 측방향 폭은 버퍼 층(116)의 측방향 폭보다 작다. 일 실시예에서, 흡수 층(118)이 버퍼 층(116)의 상부면의 외측 둘레를 커버하지 않기 때문에, 버퍼 층(116)의 상부면의 외측 둘레는 흡수 층(118)에 의해 노출된다. 일 실시예에서, 노출된 부분(126)은 흡수 층(118)을 둘러싸는 프레임의 형상을 갖는다. 마스크(106)는 실질적으로 직사각형이지만, 본 개시물의 범위를 벗어나지 않으면서 마스크(106)에 대해 다른 형상들이 가능하다.
도 5는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크(106)의 단면도이다. 도 5에서, 포토레지스트의 층(128)이 흡수 층(118) 상에 성막되었다. 포토레지스트(118)는 흡수 층(118)의 상부면 상에, 흡수 층(118)의 측면들 상에, 그리고 버퍼 층(116)의 노출된 부분(126) 상에 위치된다. 포토레지스트(128)는 마스크(106)의 최종 패턴에 따라 흡수 층(118)을 패터닝하는 것을 돕는데 이용된다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 포토레지스트(128)가 흡수 층(118)의 측면들을 커버하도록 흡수 층(118)의 외측 둘레를 제거함으로써 몇 가지 이점이 발생한다.
도 6은 일 실시예에 따른, 포토리소그래피 마스크(106)의 단면도이다. 도 6에서, 포토레지스트(128)는 패터닝되었다. 패터닝은 포토레지스트(128)에 트렌치(130)가 형성되게 한다. 흡수 층(118)의 상부면의 부분들은 포토레지스트(128)에 형성된 트렌치들(130)을 통해 노출된다.
일 실시예에서, 트렌치들(130)은 포토레지스트(128)를 마스크를 통해 e-빔 프로세스에 노출시킴으로써 포토레지스트(128) 내에 형성된다. 패터닝은 포토레지스트를 e-빔 프로세스에 노출시키는 단계, 포토레지스트(128)를 베이킹하는 단계, 및 포토레지스트(128)를 현상하는 단계를 포함하여, 포토레지스트(128) 내에 트렌치들(130)의 패턴을 남길 수 있다. 당업자는 본 개시물을 고려하여, 많은 타입의 포토리소그래피 및 패터닝 프로세스들이 도 6에 도시된 바와 같이 포토레지스트(128)를 패터닝하는데 이용될 수 있음을 인식할 것이다.
도 7은 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크(106)의 단면도이다. 마스크(106)에는 에칭 프로세스가 실시되었다. 도 7의 에칭 프로세스는 포토레지스트(128) 내의 트렌치들(130)을 통해 흡수 층(118)의 노출된 부분들을 에칭한다. 에칭 프로세스의 결과는 도 6의 포토레지스트(128)의 패턴에 따라 흡수 층(118)이 에칭되는 것이다. 에칭 프로세스는 포토레지스트(128)의 패턴으로 흡수 층(118)에 트렌치들(134)을 남긴다.
일 실시예에서, 에칭 프로세스는 버퍼 층(116)에서 정지한다. 따라서, 버퍼 층(116)의 상부면은 포토레지스트(128) 내의 트렌치들(134)을 통해 노출된다. 흡수 층(118)에 대한 에칭 프로세스는 흡수 층(118)이 버퍼 층(116)에 대하여 선택적으로 에칭되도록 선택된다. 따라서, 버퍼 층(116)은 흡수 층(118)을 에칭하는 프로세스에 의해 에칭되지 않는다.
일 실시예에서, 흡수 층(118)에 대한 에칭 프로세스는 플라즈마 에칭 프로세스이다. 플라즈마 에칭 프로세스는 염소계 가스로 플라즈마를 생성하는 것을 포함한다. 염소 가스 플라즈마 에칭 프로세스는 버퍼 층(116)에 대해 흡수 층(118)을 선택적으로 에칭한다. 일 실시예에서, 플라즈마 에칭 프로세스는 제2 흡수 층(122)을 에칭하기 위해 불소 가스 플라즈마로 시작할 수 있다. 플라즈마 에칭 프로세스는 그 후 제1 흡수 층(120)을 에칭하기 위해 염소 가스 플라즈마로 전환될 수 있다. 본 개시물의 범위를 벗어나지 않고 다른 타입의 에칭 프로세스들이 이용될 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른, 마스크(106)의 단면도이다. 도 8의 도면에서, 포토레지스트(128)는 제거되었다. 흡수 층(118)은 트렌치들(134)로 패터닝된 상태를 유지한다. 버퍼 층(116)의 상부면은 흡수 층(118)에서 트렌치들(134)을 통해 그리고 마스크(106)의 외측 둘레를 따라 노출된다.
도 2 내지 도 8과 관련하여 도시된 마스크 제조 프로세스의 이점들 중 일부는 도 9와 관련하여 도시된 마스크 제조를 위한 상이한 프로세스와 비교하여 예시된다.
도 9는 일 실시예에 따른, 프로세싱의 중간 스테이지에서의 포토리소그래피 마스크(140)의 단면도이다. 포토리소그래피 마스크(140)는 기판(112), 반사 다층(114), 버퍼 층(116) 및 흡수 층(118)을 포함한다. 포토레지스트의 패터닝된 층(128)은 흡수 층(118)을 커버한다. 패터닝된 포토레지스트(128)에 따라 흡수 층(118)에서 트렌치들(134)이 에칭되었다.
도 9의 포토리소그래피 마스크(140)는 많은 점에서 도 7의 포토리소그래피 마스크(106)와 유사하다. 그러나, 도 7의 포토리소그래피 마스크(106)와 포토리소그래피 마스크(140) 간의 하나의 차이점은 마스크(140)에서 포토레지스트(128)가 도 9의 흡수 층(118)의 측면들을 커버하지 않는다는 것이다. 이는 마스크(106)와 달리, 마스크(140)의 흡수 층(118)이 버퍼 층(116)의 외측 둘레를 노출시키도록 패터닝되지 않았기 때문이다. 특히, 도 3 및 도 4a의 포토리소그래피 프로세스들은 흡수 층(118)의 외측 둘레를 에칭하여 버퍼 층(116)의 상부면의 부분(126)을 노출시켰다. 도 3 및 도 4a에 도시된 포토리소그래피 프로세스들의 결과들 중 하나는 도 5 내지 도 7의 포토레지스트(128)가 마스크(106)의 흡수 층(118)의 측면들을 커버하는 것이다.
따라서, 마스크(106)의 흡수 층(118)에 트렌치들(134)을 형성하기 위해 도 7과 관련하여 설명된 플라즈마 에칭 프로세스 동안, 흡수 층(118)의 측면들은 포토레지스트(128)에 의해 커버된다. 도 9의 마스크(140)의 포토레지스트(128)는 흡수 층(118)의 측면들을 커버하지 않는다. 따라서, 마스크(140)의 흡수 층(118)의 측면들은 트렌치들(134)을 에칭하기 위한 플라즈마 에칭 프로세스 동안 노출된다.
흡수 층(118)은 기판(112)의 반사성 다층(114)과 비교하여 비교적 도전성이다. 플라즈마 에칭 동안 흡수 층의 측면들이 노출되면, 플라즈마 에칭 프로세스 동안 흡수 층(118)의 상부면의 상이한 영역들 사이에서 비교적 높은 전압차가 발생할 수 있다. 결과적으로, 플라즈마 에칭 프로세스 동안 플라즈마가 흡수 층(118)의 상이한 영역들에서 더 빠른 속도로 에칭된다.
흡수 층(118)의 상이한 영역들에서의 상이한 에칭 속도들은 흡수 층(118)의 상이한 부분들에서 트렌치들(134) 간의 격차(disparity)들을 초래한다. 이것은 결국 마스크(140)를 사용하여 반도체 웨이퍼를 프로세싱할 때 사이트 간 차이를 초래한다. 사이트 간 차이들은 반도체 웨이퍼들의 일부 영역들에 결함을 갖게 할 수 있다. 이러한 결함들은 반도체 웨이퍼들이 기능하지 않는 결과로 발생하는 일부 집적 회로를 초래할 수 있다. 전술한 바와 같이, 이는 많은 돈, 시간 및 자원 낭비에 해당할 수 있다.
도 8의 마스크(106)는 이러한 단점들을 겪지 않는다. 도 7의 플라즈마 에칭 프로세스 동안 마스크(106)의 흡수 층(118)의 외측 측면들 또는 측벽들이 포토레지스트(128)에 의해 커버되기 때문에, 흡수 층(118)의 표면 전압은 안정적이다. 흡수 층의 표면 전압이 안정적이기 때문에, 흡수 층(118)의 에칭 속도는 흡수 층(118)의 모든 노출된 위치들에서 일정하다. 또한, 마스크(106)로 프로세싱된 반도체 웨이퍼들은 도 9의 마스크(140)로 프로세싱된 반도체 웨이퍼들에 의해 겪을 수 있는 결함들을 겪지 않을 것이다.
도 10은 일 실시예에 따른 극자외선 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법(1000)의 흐름도이다. 1002에서, 방법(1100)은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성된 반사성 다층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. 기판의 일례는 도 2의 기판(112)이다. 반사성 다층의 일례는 도 2의 반사성 다층(114)이다. 1004에서, 방법(1000)은 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계를 포함한다. 버퍼 층의 일례는 도 2의 버퍼 층(116)이다. 1006에서, 방법(1000)은 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계를 포함하고, 흡수 층은 버퍼 층의 측방향 폭보다 작은 측방향 폭을 가지며, 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성된다. 흡수 층의 일례는 도 2의 흡수 층(118)이다.
도 11은 일 실시예에 따른 극자외선 포토리소그래피 마스크를 형성하기 위한 방법(1100)의 흐름도이다. 1102에서, 방법(1100)은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 반사하도록 구성된 반사성 다층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. 기판의 일례는 도 2의 기판(112)이다. 반사성 다층의 일례는 도 2의 반사성 다층(114)이다. 1104에서, 방법(1100)은 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계를 포함한다. 버퍼 층의 일례는 도 2의 버퍼 층(116)이다. 1106에서, 방법(1100)은 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계를 포함하고, 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성된다. 흡수 층의 일례는 도 2의 흡수 층(118)이다. 1108에서 방법(1100)은 제1 에칭 프로세스로 흡수 층의 외측 부분을 제거함으로써 버퍼 층의 상부면의 외측 부분을 노출시키는 단계를 포함한다. 1110에서, 방법은 제2 에칭 프로세스로 흡수 층에 트렌치들을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 극자외선 포토리소그래피 마스크는 기판 및 기판 상에 위치되고 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성된 반사성 다층을 포함한다. 마스크는 반사성 다층 상에 위치된 버퍼 층 및 버퍼 층 상에 위치되고 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성된 흡수 층을 포함한다. 흡수 층의 적어도 하나의 외측 에지는 버퍼 층의 상부면의 주변 부분이 노출되도록 버퍼 층의 대응 외측 에지로부터 측방향으로 분리된다.
일 실시예에서, 방법은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성된 반사성 다층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계를 포함하고, 흡수 층은 버퍼 층의 측방향 폭 미만인 측방향 폭을 갖는다. 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성된다.
일 실시예에서, 방법은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 반사하도록 구성된 반사성 다층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계 및 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계를 포함한다. 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성된다. 방법은 제1 에칭 프로세스로 흡수 층의 외측 부분을 제거함으로써 버퍼 층의 상부면의 외측 부분을 노출시키는 단계를 포함한다. 방법은 제2 에칭 프로세스로 흡수 층에 트렌치들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 설명된 다양한 실시예들은 추가 실시예들을 제공하기 위해 조합될 수 있다. 실시예들의 양상들은 필요한 경우 다양한 특허, 출원 및 공개의 개념들을 이용하여 또 다른 실시예들을 제공하도록 수정될 수 있다.
상기 상세한 설명에 비추어 이들 및 다른 변경들이 실시예들에 대해 이루어질 수 있다. 일반적으로, 다음의 청구 범위에서, 사용된 용어들은 청구 범위를 상세한 설명 및 청구 범위에 개시된 특정 실시예들로 제한하는 것으로 해석되어서는 안 되며, 그러한 청구 범위가 부여되는 등가물들의 전체 범위와 함께 모든 가능한 실시예들을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 따라서, 청구 범위는 본 개시내용에 의해 제한되지 않는다.
실시예들
실시예 1. 극자외선 포토리소그래피 마스크에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 위치되고, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성되는 반사성 다층;
상기 반사성 다층 상에 위치되는 버퍼 층;
상기 버퍼 층 상에 위치되고, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성되는 흡수 층 ― 상기 흡수 층의 적어도 하나의 외측 에지는 상기 버퍼 층의 상부면의 주변 부분이 노출되도록 상기 버퍼 층의 대응 외측 에지로부터 측방향으로 분리됨 ―
을 포함하는, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 2. 실시예 1에 있어서,
상기 흡수 층의 적어도 하나의 외측 에지는 상기 버퍼 층의 대응 외측 에지로부터 0.2 mm 내지 2 mm만큼 측방향으로 분리되는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 3. 실시예 1에 있어서,
상기 흡수 층은 상기 버퍼 층의 상부면을 노출시키는 복수의 트렌치들을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 4. 실시예 1에 있어서,
상기 버퍼 층은 루테늄을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 5. 실시예 1에 있어서,
상기 흡수 층은 탄탈룸을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 6. 실시예 1에 있어서,
상기 흡수 층의 측방향 폭은 동일한 방향을 따라 상기 버퍼 층의 측방향 폭 미만인 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 7. 실시예 1에 있어서,
상기 반사성 다층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 집합적으로 반사하도록 구성되는 층들의 복수의 쌍들을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크.
실시예 8. 방법에 있어서,
기판 상에, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성되는 반사성 다층을 형성하는 단계;
상기 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계 ― 상기 흡수 층은 동일한 방향을 따라 상기 버퍼 층의 측방향 폭 미만인 측방향 폭을 갖고, 상기 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성됨 ―
를 포함하는, 방법.
실시예 9. 실시예 8에 있어서,
상기 흡수 층을 형성하는 단계는:
상기 버퍼 층 상에 상기 흡수 층을 성막하는 단계; 및
상기 흡수 층의 외측 부분을 제거함으로써, 상기 버퍼 층의 상부면의 외측 둘레를 노출시키는 단계
를 포함하는 것인, 방법.
실시예 10. 실시예 8에 있어서,
상기 흡수 층의 상단 상에, 상기 흡수 층의 측벽들 상에, 그리고 상기 버퍼 층의 상부면의 외측 둘레 상에 포토레지스트를 성막하는 단계;
상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 및
상기 포토레지스트가 상기 흡수 층의 측벽들을 커버하는 동안 플라즈마 에칭을 수행함으로써, 상기 흡수 층 내에 트렌치들을 형성하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
실시예 11. 실시예 10에 있어서,
상기 플라즈마 에칭은 염소 가스를 포함하는 것인, 방법.
실시예 12. 실시예 10에 있어서,
상기 플라즈마 에칭은 상기 버퍼 층보다 빠른 속도로 상기 흡수 층을 선택적으로 에칭하는 것인, 방법.
실시예 13. 실시예 8에 있어서,
상기 기판은 실리콘 이산화물을 포함하는 것인, 방법.
실시예 14. 실시예 8에 있어서,
상기 반사성 다층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 집합적으로 반사하도록 구성되는 층들의 복수의 쌍들을 포함하는 것인, 방법.
실시예 15. 방법에 있어서,
기판 상에, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 반사하도록 구성되는 반사성 다층을 형성하는 단계;
상기 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계 ― 상기 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성됨 ― ;
제1 에칭 프로세스로 상기 흡수 층의 외측 부분을 제거함으로써, 상기 버퍼 층의 상부면의 외측 부분을 노출시키는 단계; 및
제2 에칭 프로세스로 상기 흡수 층 내에 트렌치들을 형성하는 단계
를 포함하는, 방법.
실시예 16. 실시예 15에 있어서,
상기 제1 에칭 프로세스 이후에 포토레지스트로 상기 흡수 층의 측벽들을 커버하는 단계; 및
상기 포토레지스트가 상기 흡수 층의 측벽들을 커버하는 동안, 상기 제2 에칭 프로세스를 수행하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
실시예 17. 실시예 16에 있어서,
포토레지스트로 상기 흡수 층의 측벽들을 커버하는 단계는, 포토레지스트로 상기 버퍼 층의 상부면의 외측 부분을 커버하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
실시예 18. 실시예 15에 있어서,
상기 제2 에칭 프로세스는 상기 버퍼 층보다 빠른 속도로 상기 흡수 층을 선택적으로 에칭하는 것인, 방법.
실시예 19. 실시예 15에 있어서,
상기 제2 에칭 프로세스는 플라즈마 에칭 프로세스인 것인, 방법.
실시예 20. 실시예 19에 있어서,
상기 플라즈마 에칭 프로세스는 염소 가스로 상기 흡수 층을 에칭하는 것을 포함하는 것인, 방법.
Claims (10)
- 극자외선 포토리소그래피 마스크에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 위치되고, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성되는 반사성 다층;
상기 반사성 다층 상에 위치되는 버퍼 층;
상기 버퍼 층 상에 위치되고, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성되는 흡수 층 ― 상기 흡수 층의 적어도 하나의 외측 에지는 상기 버퍼 층의 상부면의 주변 부분이 노출되도록 상기 버퍼 층의 대응 외측 에지로부터 측방향으로 분리됨 ―
을 포함하는, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 흡수 층의 적어도 하나의 외측 에지는 상기 버퍼 층의 대응 외측 에지로부터 0.2 mm 내지 2 mm만큼 측방향으로 분리되는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 흡수 층은 상기 버퍼 층의 상부면을 노출시키는 복수의 트렌치들을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 버퍼 층은 루테늄을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 흡수 층은 탄탈룸을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 흡수 층의 측방향 폭은 동일한 방향을 따라 상기 버퍼 층의 측방향 폭 미만인 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 반사성 다층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 집합적으로 반사하도록 구성되는 층들의 복수의 쌍들을 포함하는 것인, 극자외선 포토리소그래피 마스크. - 방법에 있어서,
기판 상에, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 방사선을 반사하도록 구성되는 반사성 다층을 형성하는 단계;
상기 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계 ― 상기 흡수 층은 동일한 방향을 따라 상기 버퍼 층의 측방향 폭 미만인 측방향 폭을 갖고, 상기 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성됨 ―
를 포함하는, 방법. - 제8항에 있어서,
상기 흡수 층을 형성하는 단계는:
상기 버퍼 층 상에 상기 흡수 층을 성막하는 단계; 및
상기 흡수 층의 외측 부분을 제거함으로써, 상기 버퍼 층의 상부면의 외측 둘레를 노출시키는 단계
를 포함하는 것인, 방법. - 방법에 있어서,
기판 상에, 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 반사하도록 구성되는 반사성 다층을 형성하는 단계;
상기 반사성 다층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼 층 상에 흡수 층을 형성하는 단계 ― 상기 흡수 층은 극자외선 포토리소그래피 프로세스들 동안 자외선 광을 흡수하도록 구성됨 ― ;
제1 에칭 프로세스로 상기 흡수 층의 외측 부분을 제거함으로써, 상기 버퍼 층의 상부면의 외측 부분을 노출시키는 단계; 및
제2 에칭 프로세스로 상기 흡수 층 내에 트렌치들을 형성하는 단계
를 포함하는, 방법.
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| GRNT | Written decision to grant |