JP2010206128A - 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下電極(151e)は、基板(10)上に形成されたゲート絶縁膜(41)、絶縁膜(42)、(43)及び(44)のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜(43)上に形成されている。下電極(151e)は、基板(10)上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極(151e)によれば、フォトセンサ(151)の上側からフォトセンサ(151)に入射した入射光のうちn型半導体層(151b)、受光層(151c)及びp型半導体層(151d)を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。
【選択図】図3
Description
先ず、図1乃至図3を参照しながら、本発明の第1乃至第3の夫々に係る光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサの各実施形態を説明する。
図1及び図2を参照しながら、本実施形態に係るイメージセンサを説明する。図1は、本実施形態に係るイメージセンサの平面図である。図2は、本実施形態に係るイメージセンサの単位領域における電気的な構成を示した回路図である。
次に、図3を参照しながら、本実施形態に係る光電変換装置であって、上述したイメージセンサに搭載された光電変換装置を説明する。図3は、本実施形態に係るイメージセンサの単位領域における断面図である。尚、本実施形態に係る光電変換装置は、上述したフォトセンサ151を含んで構成されている。
先ず、図4を参照しながら、本発明の第4乃至第6の夫々に係る光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサの各実施形態を説明する。図4は、本実施形態に係るイメージセンサ600の単位領域における断面図であって、本実施形態に係るイメージセンサ600の一部を構成する光電変換装置290の構成を示した断面図である。尚、本実施形態に係るイメージセンサ600は、上述の光電変換装置190及びフォトセンサ151と相互に異なる光電変換装置290、及びその一部を構成するフォトセンサ251を備えている点に特徴があり、その他の部分については上述のイメージセンサ500と同様の構成を有している。したがって、以下では、上述のイメージセンサ500及び光電変換装置190、並びにフォトセンサ151と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
Claims (8)
- 基板上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有する下電極と、
前記下電極上に形成されており、前記入射光と、前記入射光が前記光反射面で反射された反射光とを受光する受光層を有する素子本体部と
を備えたことを特徴とする光電変換素子。 - 前記下電極下に形成されており、前記凹凸形状を形成する有機樹脂膜を有することを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- (i)基板上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有する下電極と、(ii)前記下電極上に形成されており、前記入射光と、前記入射光が前記光反射面で反射された反射光とを受光する受光層を有する素子本体部とを有する光電変換素子と、
前記光電変換素子に電気的に接続され、且つ前記光電変換素子を駆動する薄膜トランジスタとを備えることを特徴とする光電変換装置。 - 基板と、
前記基板上の光検出領域を構成する複数の単位領域の夫々に形成されており、(i)前記基板上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有する下電極と、(ii)前記下電極上に形成されており、前記入射光と、前記入射光が前記光反射面で反射された反射光とを受光する受光層を有する素子本体部とを有する光電変換素子と
を備えたことを特徴とするイメージセンサ。 - 基板上に形成されており、前記基板上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有する光反射板と、
前記光反射板上に形成された前記凹凸形状を平坦化する平坦化膜と
前記平坦化膜上に形成された透明な下電極と、
前記下電極上に形成されており、前記入射光と、前記入射光が前記光反射面で反射された反射光とを受光する受光層を有する素子本体部と
を備えたことを特徴とする光電変換素子。 - 前記平坦化層の屈折率は、前記下電極の屈折率より小さいこと
を特徴とする請求項5に記載の光電変換素子。 - (i)基板上に形成されており、前記基板上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有する光反射板と、(ii)前記光反射板上に形成された透明な下電極と、(iii)前記下電極上に形成されており、前記入射光と、前記入射光が前記光反射面で反射された反射光とを受光する受光層を有する素子本体部とを有する光電変換素子と、
前記光電変換素子に電気的に接続され、且つ前記光電変換素子を駆動する薄膜トランジスタとを備えることを特徴とする光電変換装置。 - 基板と、
前記基板上の光検出領域を構成する複数の単位領域の夫々に形成されており、(i)前記基板上に形成されており、前記基板上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有する光反射板と、(ii)前記光反射板上に形成された透明な下電極と、(iii)前記下電極上に形成されており、前記入射光と、前記入射光が前記光反射面で反射された反射光とを受光する受光層を有する素子本体部とを有する光電変換素子と
を備えたことを特徴とするイメージセンサ。
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