TWI825489B - 指紋感測模組 - Google Patents
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Abstract
一種具有多個感光畫素的指紋感測模組被提出。各個感光畫素包括第一感光元件、第二感光元件、第一主動元件以及第二主動元件。第二感光元件電性連接該第一感光元件。第一主動元件和第二主動元件各自具有源極、汲極和半導體圖案。源極和汲極電性連接半導體圖案。第二感光元件電性連接第一主動元件和第二主動元件各自的汲極，且第一感光元件電性連接第二主動元件的汲極。
Description
本發明是有關於一種光學模組，且特別是有關於一種指紋感測模組。
為了提高顯示器的屏占比以實現窄邊框的設計，屏下指紋感測技術已成為趨勢。簡單來說，屏下指紋感測技術乃是將指紋感測模組配置在電子裝置的顯示面板的下方。在電子裝置偵測到使用者接觸顯示螢幕後，電子裝置會控制顯示面板發光以照亮使用者的手指表面。光線可經由使用者的手指（漫）反射進入顯示面板下方的指紋感測模組，並由指紋感測模組將反射光線轉換為數位影像信號，即可得到使用者指紋影像。
為了增加指紋感測模組的防偽功能，一般是利用部分設有彩色濾光圖案的感光畫素來進行防偽辨識。也因此，這些感光畫素並不具有指紋辨識的功能，造成指紋影像的清晰度無法進一步提升。此外，彩色濾光圖案的設置除了會增加指紋感測模組的製程工序數外，還會增加後續製程的變數而影響生產良率。
本發明提供一種指紋感測模組，其防偽性較佳且製程較簡單。
本發明的指紋感測模組，具有多個感光畫素。各個感光畫素包括第一感光元件、第二感光元件、第一主動元件以及第二主動元件。第二感光元件電性連接該第一感光元件。第一主動元件和第二主動元件各自具有源極、汲極和半導體圖案。源極和汲極電性連接半導體圖案。第二感光元件電性連接第一主動元件和第二主動元件各自的汲極，且第一感光元件電性連接第二主動元件的汲極。
本發明的指紋感測模組，具有多個感光畫素。各個感光畫素包括第一感光元件、第二感光元件、第一主動元件、第二主動元件和彩色濾光層。第一感光元件和第二感光元件分別具有第一光電轉換層和第二光電轉換層。第一光電轉換層的材料不同於第二光電轉換層的材料。第一主動元件電性連接第二感光元件。第二主動元件電性連接第一感光元件。彩色濾光層設置在第二感光元件的收光側，並且重疊於第二感光元件。
基於上述，在本發明的一實施例的指紋感測模組中，當第一主動元件被致能而第二主動元件被禁能時，指紋感測模組適於感測人體的血管（例如靜脈）紋路。當第一主動元件被禁能而第二主動元件被致能時，指紋感測模組適於感測人體的表面紋路（例如指紋）。無論指紋感測模組以何種模式進行操作，其所有的感光畫素都能進行相對應的感測動作，據此以增加在不同感測模式下的感測影像的完整性。此外，不同的操作模式所獲取的感測影像還能相互疊加，以進一步提升指紋感測模組的防偽性能。
本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本發明的第一實施例的指紋感測模組的剖視示意圖。圖2是圖1的感光元件層的局部放大示意圖。圖3A是圖1的指紋感測模組操作在不同感測模式下的感測影像的疊加示意圖。圖3B是圖1的指紋感測模組進行指紋防偽辨識的感測影像示意圖。
請參照圖1及圖2，指紋感測模組10包括感光元件層100。感光元件層100具有多個感光畫素SPX，且這些感光畫素SPX呈陣列分布，例如：這些感光畫素SPX分別沿著方向X和方向Y以相同的間距排成多行與多列。感光元件層100包括基板101以及設置在基板101上的多個主動元件和多個感光元件。在本實施例中，每一個感光畫素SPX設有主動元件AD1、主動元件AD2、感光元件PD1和感光元件PD2。
主動元件各自具有源極SE、汲極DE、閘極GE和半導體圖案SC。半導體圖案SC具有汲極區DR、輕摻雜汲極區LDR、通道區CH、輕摻雜源極區LSR和源極區SR，其中源極SE和汲極DE分別電性連接半導體圖案SC的源極區SR和汲極區DR，且閘極GE重疊設置於通道區CH。在本實施例中，閘極GE可選擇性地設置在半導體圖案SC的上方以形成頂部閘極型（top-gate）薄膜電晶體，但不以此為限。在其他實施例中，閘極GE也可改設置在半導體圖案SC的下方以形成底部閘極型（bottom-gate）薄膜電晶體。
舉例來說，形成主動元件的步驟可包括：依序於基板101上形成緩衝層110、半導體圖案SC、閘絕緣層120、閘極GE、層間絕緣層130、源極SE和汲極DE，其中源極SE和汲極DE貫穿層間絕緣層130和閘絕緣層120以電性連接半導體圖案SC的不同兩區，但不以此為限。在本實施例中，半導體圖案SC的材質例如是多晶矽（poly-silicon）半導體材料，但不以此為限。
另一方面，形成感光元件的步驟可包括：於層間絕緣層130上依序形成第一電極、平坦層140、光電轉換層和第二電極。光電轉換層的材質例如是富矽氧化物（Silicon-rich oxide，SRO）。第一電極例如是反射式電極，而反射式電極的材質包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。第二電極例如是光穿透式電極，而光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。
感光元件PD1具有第一電極E1a、第二電極E1b和光電轉換層PCL1，感光元件PD2具有第一電極E2a、第二電極E2b和光電轉換層PCL2，且光電轉換層PCL1的材料不同於光電轉換層PCL2的材料。在本實施例中，感光元件PD1的光電轉換層PCL1的材料例如包括氫化非晶矽（a-Si:H），而感光元件PD2的光電轉換層PCL2的材料例如包括氫化非晶矽鍺（a-Si
1-xGe
x:H）。因此，本實施例的感光元件PD1適於感測波長小於700nm的可見光，而感光元件PD2適於感測波長介於700nm至1100nm間的近紅外光（near infrared，NIR）。在本實施例中，光電轉換層PCL1和光電轉換層PCL2沿著成膜方向（例如方向Z）的膜厚可介於0.1μm至0.3μm之間，但不以此為限。
特別注意的是，感光元件PD1和感光元件PD2彼此串接，例如：感光元件PD1的第一電極E1a電性連接感光元件PD2的第二電極E2b。感光元件PD2的第一電極E2a電性連接主動元件AD1的汲極DE。感光元件PD1的第一電極E1a電性連接主動元件AD2的汲極DE。主動元件AD1的源極SE、主動元件AD2的源極SE和感光元件PD1的第二電極E1b分別電性連接至不同的訊號線。
進一步而言，感光畫素SPX還設有彩色濾光層180。在本實施例中，彩色濾光層180例如是設置在感光元件PD2的收光側PD2rs並且沿著收光方向（例如方向Z的反向）重疊於感光元件PD2的彩色濾光圖案，但不以此為限。此彩色濾光圖案在基板101上的正投影完全重疊於感光元件PD2的光電轉換層PCL2在基板101上的正投影。更具體地說，彩色濾光圖案在基板101上的正投影面積大於光電轉換層PCL2在基板101上的正投影面積。據此，以確保斜向入射光線的過濾效果。
特別一提的是，彩色濾光層180適於讓波長介於700nm至1100nm間的光線通過，並且吸收波長小於700nm的可見光。透過上述彩色濾光層180的設置，可有效降低感光元件PD2的訊號雜訊。為了確保彩色濾光層180的平整性和濾光效果，彩色濾光層180與感光元件PD2之間還可設有平坦層150和鈍化層160。
特別說明的是，本實施例的指紋感測模組10可以多種感測模式進行操作。例如：當主動元件AD1被致能而主動元件AD2被禁能時，指紋感測模組10適於感側人體表面的血管（例如靜脈）紋路（如圖3A的靜脈影像VEI所示）。相反地，當主動元件AD1被禁能而主動元件AD2被致能時，指紋感測模組10適於感側人體的表面紋路（如圖3A的指紋影像FPI所示）。
也就是說，透過主動元件AD1或主動元件AD2的開啟，可讓感光畫素SPX以相對應的感光元件來感測不同種類的影像。相較於在部分感光畫素中使用多種有色圖案進行防偽設計的指紋感測模組來說，本揭露的指紋感測模組10並不會因為防偽設計而犧牲部分感光畫素SPX的影像感測功能。因此，可具有較佳的影像感測品質（例如完整的感測影像）。
此外，不同感測模式下所取得的感測影像還能相互疊加，以進一步提升指紋感測模組10的防偽性能。例如：辨識系統可透過前述的靜脈影像VEI和指紋影像FPI的重疊區域（如圖3A的多個圓圈處）的分布來進行使用者的身分認證。為了達到相同的目的，指紋感測模組10也可根據先取得的靜脈影像VEI開啟相對應的感光畫素SPX來記錄使用者的部分指紋FPf（如圖3B所示）以作為防偽的依據。換句話說，本揭露的指紋感測模組10的防偽功能較不容易被破解，且防偽的依據也較不容易被盜拷。
為了增加感測影像的清晰度，並且降低非預期光束入射感光元件層100，指紋感測模組10還可包括設置在感光元件層100的收光側100rs的準直結構層200。舉例來說，在本實施例中，準直結構層200可包括三個遮光圖案層，分別為第一遮光圖案層221、第二遮光圖案層222和第三遮光圖案層223。這些遮光圖案層各自具有多個開孔，例如：第一遮光圖案層221具有陣列排列的多個第一開孔221a，第二遮光圖案層222具有陣列排列的多個第二開孔222a，第三遮光圖案層223具有陣列排列的多個第三開孔223a，且這些第一開孔221a、這些第二開孔222a和這些第三開孔223a沿著方向Z彼此重疊設置。
特別注意的是，這些遮光圖案層各自的開孔孔徑會隨著遮光圖案層遠離感光元件層100而變大。亦即，第一遮光圖案層221的第一開孔221a的孔徑小於第二遮光圖案層222的第二開孔222a，而第二遮光圖案層222的第二開孔222a小於第三遮光圖案層223的第三開孔223a。為了取得光束準直的效果，任兩相鄰的遮光圖案層之間還設有平坦層，例如：第一遮光圖案層221與第二遮光圖案層222間設有平坦層231，第二遮光圖案層221與第三遮光圖案層223間設有平坦層232，且這些平坦層的厚度取決於遮光圖案層的開孔孔徑以及所需的光束準直性。
在本實施例中，準直結構層200還可選擇性地包括多個鈍化層，且這些鈍化層鄰設於上述多個遮光圖案層。例如：鈍化層211設置在第一遮光圖案層221與感光元件層100之間，第二遮光圖案層222夾設於鈍化層213的兩子層213a、231b之間，第三遮光圖案層223夾設於鈍化層215的兩子層215a、215b之間，但不以此為限。
另一方面，準直結構層200背離感光元件層100的入光面200is可設有多個微透鏡250。這些微透鏡250與第三遮光圖案層223間還設有平坦層233，且平坦層233背離第三遮光圖案層223的表面定義出準直結構層200的入光面200is。經由手指表面（漫）反射的光線會被微透鏡250折射至感光元件層100。應可理解的，準直結構層200的多個平坦層的厚度關係還可取決於這些微透鏡250的聚焦特性（例如焦距）。
舉例來說，本實施例的指紋感測模組10的入光側可選擇性地設置顯示面板（未繪示）以形成屏下指紋辨識（Fingerprint on display，FOD）裝置，但不以此為限。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖4是本發明的第二實施例的感光元件層的剖視示意圖。請參照圖4，本實施例的感光元件層100A與圖2的感光元件層100的差異在於：部分感光元件的組成結構不同。在本實施例中，感光元件層100A的感光元件PD2”、主動元件AD1和主動元件AD2可同時製作而成。舉例來說，感光元件PD2”的第一電極E2a”和第二電極E2b”以及主動元件的源極SE和汲極DE可形成在同一膜層，而感光元件PD2”的光電轉換層PCL2-A和主動元件的半導體圖案SC可形成在同一膜層。也就是說，本實施例的感光元件PD2”的光電轉換層PCL2-A的材質也可以是多晶矽半導體材料。在本實施例中，光電轉換層PCL2-A可具有通道區CH”、汲極區DR”和源極區SR”，且第一電極E2a”和第二電極E2b”貫穿層間絕緣層130和閘絕緣層120以分別電性連接光電轉換層PCL2-A的汲極區DR”和源極區SR”。
由於本實施例的感光元件PD2”和主動元件各自的組成構件是在相同的膜層中製作，因此可簡化感光元件層100A的製造流程。特別注意的是，為了增加光電轉換效率，感光元件PD2”的光電轉換層PCL2-A沿著成膜方向（例如方向Z）的膜厚T1大於主動元件的半導體圖案SC沿著成膜方向的膜厚T2。舉例來說，感光元件PD2”的光電轉換層PCL2-A的膜厚T1可介於1μm至2μm之間，主動元件的半導體圖案SC的膜厚T2可介於0.03μm至0.05μm之間。亦即，膜厚T1較T2厚，且T1/T2介於20~60。在本實施例中，膜厚T1需要足夠厚度讓感光元件PD2”具有較佳的吸光特性，上述的膜厚T2範圍能讓主動元件具有較佳的操作電性，使整體感光元件特性更佳。
在本實施例中，感光元件層100A還可選擇性地包括遮光圖案190。遮光圖案190設置在感光元件PD2”遠離感光元件PD1的一側，並且沿著方向Z重疊於感光元件PD2”的光電轉換層PCL2-A。據此以避免感光元件PD2”受來自非收光側的外部光線（例如從基板101一側入射的光線）的照射而影響感測影像的準確性。然而，本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件的半導體圖案SC的下方也可設置遮光圖案，以避免主動元件受外部光線的長時間照射而影響其操作電性。
由於本實施例的主動元件AD1、主動元件AD2、感光元件PD1和感光元件PD2”的電性連接關係、作動方式以及產生的技術功效都相似於圖2的感光元件層100，因此，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。
圖5是本發明的第三實施例的感光元件層的剖視示意圖。請參照圖5，本實施例的感光元件層100B與圖2的感光元件層100的主要差異在於：感光元件層100B的感光元件PD1-B和感光元件PD2-B的配置關係不同。更具體地說，本實施例的感光元件PD1-B沿著感光元件層100B的收光方向（例如方向Z的反向）重疊於感光元件PD2-B。亦即，感光元件PD1-B和感光元件PD2-B是疊設於基板101上。
特別注意的是，在本實施例中，彩色濾光層180A是設置在感光元件PD1-B與感光元件PD2-B之間，並且覆蓋（或包覆）感光元件PD2-B。由於彩色濾光層180A大致上是整面性地設置在主動元件和感光元件PD2-B上，可增加後續的元件製程（例如感光元件PD1-B的製作）所需的表面平整度。
在本實施例中，感光元件PD1-B是設置在彩色濾光層180A上，且其第一電極E1a’經由彩色濾光層180A的接觸孔TH1和接觸孔TH2以電性連接主動元件AD2的汲極DE和感光元件PD2-B的第二電極E2b。為了確保感光元件PD2-B能接收到來自收光側的影像光線，本實施例的感光元件PD1-B的第一電極E1a’可以是光穿透式電極，而光穿透式電極可以是N型透明導電氧化物（transparent conductive oxide，TCO）層或N型氫化微晶矽氧化物（hydrogenated microcrystalline silicon oxide，μc-SiO
x:H）層。
舉例來說，在本實施例中，感光元件PD1-B的第一電極E1a’對於波長介於700nm至1100nm的光線的穿透率大於80%，且其導電率大於10
-2S/cm，但不以此為限。
另一方面，為了進一步降低斜向入射且未被彩色濾光層180A完全吸收的可見光照射到感光元件PD2-B，本實施例的感光元件PD1-B的光電轉換層PCL1-B在垂直於收光方向（例如方向Z的反向）的方向上的寬度W1可大於感光元件PD2-B的光電轉換層PCL2-B在所述方向上的寬度W2。
由於本實施例的主動元件AD1、主動元件AD2、感光元件PD1-B和感光元件PD2-B的電性連接關係、作動方式以及產生的技術功效都相似於圖2的感光元件層100，因此，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。
圖6是本發明的第四實施例的感光元件層的剖視示意圖。請參照圖6，本實施例的感光元件層100C與圖5的感光元件層100B的差異在於：部分感光元件的組成結構不同。在本實施例中，感光元件層100C的感光元件PD2”、主動元件AD1和主動元件AD2可同時製作而成。由於本實施例的感光元件PD2”和主動元件的配置關係以及產生的技術功效相似於圖4的感光元件層100A，因此，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。
特別注意的是，由於本實施例的感光元件PD2”的第二電極E2b”與主動元件AD2的汲極DE製作在同一膜層且彼此連接，因此感光元件PD1-B的第一電極E1a”只需要經由彩色濾光層180B的一個接觸孔TH2即可電性連接主動元件AD2的汲極DE和感光元件PD2”的第二電極E2b”。從另一觀點來說，本實施例的彩色濾光層180B在重疊於感光元件PD2”的部分不具有如圖5所示的接觸孔TH1，且其膜厚可較厚。因此，可進一步降低感光元件PD2”被波長小於700nm的光線照射到的風險，從而提升感光元件PD2-B的感測訊號的訊躁比（signal-to-noise ratio，SNR）。
在本實施例中，感光元件層100C還可選擇性地包括遮光圖案190。遮光圖案190設置在感光元件PD2”與基板101之間，並且沿著方向Z重疊於感光元件PD2”的光電轉換層PCL2-A。據此以避免感光元件PD2”受來自非收光側的外部光線（例如從基板101一側入射的光線）的照射而影響感測影像的準確性。然而，本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件的半導體圖案SC的下方也可設置遮光圖案，以避免主動元件受外部光線的長時間照射而影響其操作電性。
由於本實施例的主動元件AD1、主動元件AD2、感光元件PD1-B和感光元件PD2”的電性連接關係、作動方式以及產生的技術功效都相似於圖2的感光元件層100，因此，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。
綜上所述，在本發明的一實施例的指紋感測模組中，當第一主動元件被致能而第二主動元件被禁能時，指紋感測模組適於感測人體的血管（例如靜脈）紋路。當第一主動元件被禁能而第二主動元件被致能時，指紋感測模組適於感測人體的表面紋路（例如指紋）。無論指紋感測模組以何種模式進行操作，其所有的感光畫素都能進行相對應的感測動作，據此以增加在不同感測模式下的感測影像的完整性。此外，不同的操作模式所獲取的感測影像還能相互疊加，以進一步提升指紋感測模組的防偽性能。
10:指紋感測模組
100、100A、100B、100C:感光元件層
100rs:收光側
101:基板
110:緩衝層
120:閘絕緣層
130:層間絕緣層
140、150:平坦層
160:鈍化層
180、180A、180B:彩色濾光層
190:遮光圖案
200:準直結構層
200is:入光面
211、213、215:鈍化層
213a、213b、215a、215b:子層
221、222、223:遮光圖案層
221a、222a、223a:開孔
231、232、233:平坦層
250:微透鏡
AD1、AD2:主動元件
CH、CH”:通道區
DE:汲極
DR、DR”:汲極區
E1a、E2a、E1a’、E2a”:第一電極
E1b、E2b、E2b”:第二電極
FPf:部分指紋
FPI:指紋影像
GE:閘極
LDR:輕摻雜汲極區
LSR:輕摻雜源極區
PCL1、PCL2、PCL2-A、PCL1-B、PCL2-B:光電轉換層
PD1、PD2、PD2”、PD1-B、PD2-B:感光元件
PD2rs:收光側
SC:半導體圖案
SE:源極
SPX、SPX-A、SPX-B、SPX-C:感光畫素
SR、SR”:源極區
T1、T2:膜厚
TH1、TH2:接觸孔
VEI:靜脈影像
W1、W2:寬度
X、Y、Z:方向
圖1是本發明的第一實施例的指紋感測模組的剖視示意圖。
圖2是圖1的感光元件層的局部放大示意圖。
圖3A是圖1的指紋感測模組操作在不同感測模式下的感測影像的疊加示意圖。
圖3B是圖1的指紋感測模組進行指紋防偽辨識的感測影像示意圖。
圖4是本發明的第二實施例的感光元件層的剖視示意圖。
圖5是本發明的第三實施例的感光元件層的剖視示意圖。
圖6是本發明的第四實施例的感光元件層的剖視示意圖。
100:感光元件層
101:基板
110:緩衝層
120:閘絕緣層
130:層間絕緣層
140、150:平坦層
160:鈍化層
180:彩色濾光層
AD1、AD2:主動元件
CH:通道區
DE:汲極
DR:汲極區
E1a、E2a:第一電極
E1b、E2b:第二電極
GE:閘極
LDR:輕摻雜汲極區
LSR:輕摻雜源極區
PCL1、PCL2:光電轉換層
PD1、PD2:感光元件
PD2rs:收光側
SC:半導體圖案
SE:源極
SPX:感光畫素
SR:源極區
Z:方向
Claims (19)
- 一種指紋感測模組，具有多個感光畫素，各該些感光畫素包括：一第一感光元件；一第二感光元件，直接電性連接該第一感光元件；以及一第一主動元件和一第二主動元件，各自具有一源極、一汲極和一半導體圖案，該源極和該汲極電性連接該半導體圖案，其中該第二感光元件直接電性連接該第一主動元件和該第二主動元件各自的該汲極，且該第一感光元件直接電性連接該第二主動元件的該汲極。
- 如請求項1所述的指紋感測模組，其中各該些感光畫素更包括：一彩色濾光層，設置在該第二感光元件的一收光側，並且適於讓波長介於700nm至1100nm間的光線通過。
- 如請求項1所述的指紋感測模組，其中該第一感光元件沿著一收光方向重疊於該第二感光元件。
- 如請求項3所述的指紋感測模組，其中該第一感光元件具有電性連接該第二感光元件和該第二主動元件的一第一電極，且該第一電極對於波長介於700nm至1100nm的光線的穿透率大於80%。
- 如請求項4所述的指紋感測模組，其中該第一電極為一N型透明導電氧化物層。
- 如請求項4所述的指紋感測模組，其中該第一電極的導電率大於10-2S/cm。
- 如請求項3所述的指紋感測模組，其中該第一感光元件和該第二感光元件分別具有一第一光電轉換層和一第二光電轉換層，該第一光電轉換層和該第二光電轉換層在垂直於該收光方向的方向上分別具有一第一寬度和一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。
- 如請求項3所述的指紋感測模組，其中各該些感光畫素更包括：一彩色濾光層，設置在該第一感光元件與該第二感光元件之間，並且包覆該第二感光元件。
- 如請求項1所述的指紋感測模組，其中該第二感光元件具有一光電轉換層，且該光電轉換層、該第一主動元件的該半導體圖案和該第二主動元件的該半導體圖案屬於同一膜層。
- 如請求項9所述的指紋感測模組，其中該第二感光元件的該光電轉換層的膜厚大於該第一主動元件和該第二主動元件各自的該半導體圖案的膜厚。
- 如請求項9所述的指紋感測模組，其中各該些感光畫素更包括一遮光圖案，設置在該第二感光元件遠離該第一感光元件的一側，並且重疊於該第二感光元件的該光電轉換層。
- 如請求項1所述的指紋感測模組，其中各該些感光畫素更包括： 一彩色濾光層，設置在該第二感光元件的一收光側，並且沿著一收光方向重疊於該第二感光元件。
- 一種指紋感測模組，具有多個感光畫素，各該些感光畫素包括：一第一感光元件，具有一第一光電轉換層；一第二感光元件，具有一第二光電轉換層，其中該第一光電轉換層的材料不同於該第二光電轉換層的材料；一第一主動元件，電性連接該第二感光元件；一第二主動元件，電性連接該第一感光元件；以及一彩色濾光層，設置在該第二感光元件的一收光側，並且重疊於該第二感光元件，其中該第一主動元件和該第二主動元件各自具有一源極、一汲極和一半導體圖案，該源極和該汲極電性連接該半導體圖案，該第二感光元件直接電性連接該第一主動元件和該第二主動元件各自的該汲極，且該第一感光元件直接電性連接該第二感光元件與該第二主動元件的該汲極。
- 如請求項13所述的指紋感測模組，其中該第一感光元件沿著一收光方向重疊於該第二感光元件。
- 如請求項14所述的指紋感測模組，其中該第一感光元件具有電性連接該第二感光元件和該第二主動元件的一第一電極，且該第一電極為一N型透明導電氧化物層。
- 如請求項14所述的指紋感測模組，其中該第一光電轉換層和該第二光電轉換層在垂直於該收光方向的方向上分 別具有一第一寬度和一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。
- 如請求項13所述的指紋感測模組，其中該第二光電轉換層、該第一主動元件的該半導體圖案和該第二主動元件的該半導體圖案屬於同一膜層。
- 如請求項17所述的指紋感測模組，其中該第二光電轉換層的膜厚大於該第一主動元件和該第二主動元件各自的該半導體圖案的膜厚。
- 如請求項13所述的指紋感測模組，其中該彩色濾光層適於讓波長介於700nm至1100nm間的光線通過。
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