CN111582249B - 指纹识别传感器、显示面板和指纹识别传感器的制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种指纹识别传感器、显示面板和指纹识别传感器的制作方法。指纹识别传感器包括基底、识别单元和滤光结构。所述识别单元设置在所述基底上。所述滤光结构设置于所述识别单元远离所述基底的一侧，并被配置为对外界进入所述识别单元的光线进行过滤。通过上述设置，滤光结构可以过滤掉干扰光线，避免或减少穿透手指进入识别单元的干扰光线，提升了指纹识别传感器的识别精度。

Description

指纹识别传感器、显示面板和指纹识别传感器的制作方法

技术领域

本申请涉及指纹识别领域，特别涉及一种指纹识别传感器、显示面板和指纹识别传感器的制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，指纹识别技术已经逐渐应用到人们的日常生活中。指纹识别技术可通过比较不同指纹的细节特征点来进行鉴别，从而达到身份识别的功能。

目前，最常使用的指纹识别技术为光学指纹识别技术。

基于光学指纹识别技术的指纹识别传感器主要包括对光线具有敏感性的识别单元，识别单元可以识别手指反射回来的光。由于指纹包括谷和脊，导致被指纹反射回到识别单元的光的强度有差异。识别单元可将光强信号转换成电信号，并根据该电信号判断指纹中谷和脊的位置，从而实现指纹识别的功能。

然而，上述指纹识别传感器在精准识别方面仍有改善的空间。

发明内容

本申请提供了一种指纹识别传感器、显示面板和指纹识别传感器的制作方法，其可提升指纹识别传感器的识别精度。

根据本申请的第一方面，提供一种指纹识别传感器，所述指纹识别传感器包括：

基底；

识别单元，设置在所述基底上；

滤光结构，设置于所述识别单元远离所述基底的一侧，并被配置为对外界进入所述识别单元的光线进行过滤。

进一步的，所述滤光结构被配置为对波长大于等于600纳米的光线中的至少一部分或全部有滤除作用。

进一步的，所述滤光结构为滤光片，所述滤光片被配置为允许波长范围在430纳米至570纳米的光线透过。

进一步的，所述滤光片为青色滤光片。

进一步的，所述指纹识别传感器还包括信号传导单元，所述信号传导单元电连接于所述识别单元；所述信号传导单元包括有源层；

所述指纹识别传感器还包括第一遮光层和/或第二遮光层；所述第一遮光层设置于所述有源层的上方；所述第二遮光层设置于所述有源层的下方。

进一步的，所述第一遮光层和/或所述第二遮光层在所述基底上的正投影面积大于等于所述有源层在所述基底上的正投影面积。

进一步的，所述识别单元包括光电二极管；

所述第一遮光层远离所述光电二极管的上方。

进一步的，所述识别单元包括光电二极管、导电膜和识别电极层；

所述导电膜设置于所述光电二极管和识别电极层之间，在所述导电膜和所述光电二极管的接触处，所述导电膜的面积小于等于所述光电二极管的面积，并且，所述导电膜在所述基底上的正投影落入所述光电二极管在所述基底上的正投影内。

根据本申请的第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括显示单元和上述的指纹识别传感器。

根据本申请的第三方面，提供一种指纹识别传感器的制作方法，所述制作方法包括：

提供基底；

在基底上形成识别单元；

在识别单元的上方形成滤光结构。

进一步的，指纹识别传感器的制作方法还包括：

在基底上形成信号传导单元；

在信号传导单元的上方形成第一遮光层。

进一步的，在基底上形成识别单元的步骤之前，还包括以下步骤：

在基底上形成第二遮光层；

指纹识别传感器的制作方法还包括：在基底上形成信号传导单元；

其中，信号传导单元位于所述第二遮光层的上方。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

在上述设置中，滤光结构可以过滤掉干扰光线，避免或减少穿透手指进入识别单元的干扰光线，从而避免识别单元对干扰光线进行识别，提升了指纹识别传感器的识别精度。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

图1是本申请一实施例的显示面板的结构示意图。

图2是本申请一实施例的指纹识别传感器的结构示意图。

图3是本申请一实施例的光线透过手指实验的曲线示意图。

图4是本申请一实施例的识别单元对光的吸收转化率实验的曲线示意图。

图5是本申请一实施例的青色滤光片的滤光实验的曲线示意图。

图6是本申请一实施例的薄膜晶体管的暗电流实验的曲线示意图。

图7是本申请一实施例的指纹识别传感器的制作方法的简易流程示意图。

图8是本申请一实施例的指纹识别传感器的另一结构示意图。

图9是本申请一实施例的指纹识别传感器的再一结构示意图。

图10是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图11是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图12是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图13是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图14是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图15是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图16是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

图17是本申请一实施例的指纹识别传感器的又一结构示意图。

附图标记说明

显示面板1

手指2

指纹识别传感器10

识别单元100

光电二极管110

识别电极层130

导电膜120

信号传导单元200

薄膜晶体管210

有源层211

栅极212

源极213

漏极214

绝缘层215

基底300

第一钝化层400

第一过孔410

盖层500

树脂层600

第二钝化层700

第二过孔710

第三钝化层800

第一遮光层910

第二遮光层920

显示单元20

准直层30

指纹40

谷41

脊42

滤光结构50

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置/方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个，若仅指代“一个”时会再单独说明。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

下面结合附图，对本申请实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互组合。

本申请涉及显示面板。显示面板可以是柔性显示面板或不可发生形变的硬质显示面板。显示面板可应用于电子设备中。电子设备可以是显示器、手机、电脑、平板、电子书以及具有智能显示功能的手表等。下面以柔性显示面板为例，对本申请主要构思进行介绍。

如图1所示，显示面板1包括显示单元20和指纹识别传感器10。显示单元20设置于指纹识别传感器10的上方，即靠近用户手指2的一侧。显示单元20包括发光层。发光层可以为OLED发光单元。可以分别制作指纹识别传感器10和显示单元20，而后通过粘接实现两者的固定连接；也可以一同制作指纹识别传感器10和显示单元20，比如，先逐层制得指纹识别传感器10，而后在指纹识别传感器10上制作显示单元20。

指纹识别传感器10为光学指纹识别传感器，其可对照射至其上的光产生感应，以进行指纹识别。具体的，指纹识别传感器10包括识别单元100、信号传导单元200和信号处理单元(未图示)，请结合图2所示，识别单元100、信号传导单元200均可设置在基底300上。基底300可以是硬质的玻璃板或者柔性的支撑体。在设置识别单元100、信号传导单元200前，所述玻璃板或支撑体可已预先形成有其它膜层。

如图2所示，识别单元100包括光电二极管110和识别电极层130。光电二极管110的个数可以为多个。识别电极层130与光电二极管110连接，以向光电二极管110提供负偏电压。光电二极管110中的非晶硅(a-Si)材料具有吸光性，其可对波长为330nm至700纳米之间的光进行吸收转换。光电二极管110可在负偏电压作用下工作，在没有光照的情况下，电流极其微弱，称之为暗电流(Idark)，暗电流一般小于0.1微安。在有光照的情况下，光电二极管110中的PN结以及其附近区域产生电子-空穴对，在识别电极层130所施加的负偏电压的作用下，电流迅速增大到几十微安，称之为光电流(Iphoto)。光的强度越大，光电流也越大。光强的变化引起光电二极管110电流变化，从而将光信号吸收并转换成电信号。光电流和暗电流的比值为光电二极管110的信噪比。信噪比越大，光电二极管110的敏感度和识别精度越高。

进一步的，识别单元100还包括导电膜120。导电膜120设置于光电二极管110和识别电极层130之间，起到电连接识别电极层130和光电二极管110的作用。在本实施例中，导电膜120的材料为铟锡氧化物半导体透明导电膜(简称ITO)。由于其为透明材料，不会对进入识别单元的光线进行遮挡或者过滤，并且，该材料的导电性能较好，可实现识别电极层130和光电二极管110之间的电连接。

在本实施例中，在导电膜120和光电二极管110接触处，导电膜120的面积(横向截面面积)小于等于光电二极管110的面积(横向截面面积)，并且，导电膜120(沿竖直方向H)在基底300上的正投影完全落入光电二极管110(沿竖直方向H)在基底300上的正投影内。如若沿竖直向下的方向，光电二极管110的面积逐渐变大，那么，导电膜120的面积小于等于光电二极管110的面积，应该理解为，导电膜120的面积小于等于光电二极管110的最小的面积，即导电膜120的面积小于等于光电二极管110的上表面的面积。对应的，导电膜120沿竖直方向H的正投影落入光电二极管110上表面内；或者说，导电膜120在基底300上的正投影完全落入光电二极管110上表面在基底300上的正投影内。实验表明：当导电膜120的面积较小(不大于光电二极管110的面积)时，可使得识别电极层130对光电二极管110施加的电压集中于光电二极管110的中心区域，有利于提升光电二极管110的敏感度，增大信噪比。

信号传导单元200用于电连接识别单元100和信号处理单元。信号传导单元200包括多个薄膜晶体管210。薄膜晶体管210的数量可以与光电二极管110的数量对应，一个薄膜晶体管210电连接于对应的一个光电二极管110。薄膜晶体管210可对接收到的电信号进行过滤。过滤后的电信号被传输至信号处理单元，信号处理单元可对电信号进行分析计算，最后得到对应的与指纹40相关的信息(谷41和脊42的位置，即指纹信息)。同时，信号处理单元还可用于判断得到的指纹信息与预设的指纹信息是否对应。其中，信号处理单元可以为处理芯片。

结合图1和图2所示，当显示面板1需要对用户进行指纹识别时，用户可将手指2按压于显示面板1上、与指纹识别传感器10对应的位置。显示单元20或者显示单元20的至少部分区域发光，显示单元20发出的光在达到手指2的指纹40后发生反射，发射回来的光进入指纹识别传感器10。由于指纹40包括谷41和脊42，因此被指纹40反射、回到识别单元100的光的强度有差异。此时，不同位置的识别单元100根据接收到的反射光的光强信号不同，吸收转换得到的电信号也不同。识别单元100转化得到的电信号通过信号传导单元200传递至信号处理单元，信号处理单元可根据接收到的电信号判断指纹40中谷41和脊42的位置，从而实现指纹识别的功能。

如图1所示，在本实施例中，显示面板1还包括准直层30。准直层30设置于指纹识别传感器10和显示单元20之间。准直层30可阻挡入射方向与竖直方向的夹角为10°以上的光线透过准直层30，进入指纹识别传感器10。通过上述设置，避免相邻的识别单元100接收的光发生串扰，提升识别精度。

在使用过程中，当用户处于室外光线强度较高环境中时，指纹识别的精准度会出现大幅度的降低。本申请的发明人(们)发现，此时，有部分对手指有穿透作用的干扰光线可透过手指进入显示面板1，被指纹识别传感器10中的识别单元100吸收。对应的，指纹识别传感器10中的识别单元100不仅仅接收到了通过指纹40反射回来的、带有指纹信息的光线，还接收到了透过手指进入显示面板1的外界干扰光线，从而使得通过手指反射回来的带有指纹信息的有效光被湮没、弱化，使得指纹识别传感器10的识别精度大幅度降低。

结合图1和图2所示，为了解决上述问题，本实施例中的指纹识别传感器10还包括滤光结构50。滤光结构50设置于识别单元100，并被配置为对外界进入识别单元100的光线进行过滤，即过滤、消除干扰光线中的一部分或者全部，以抑制或避免干扰光线进入识别单元100。在上述设置中，滤光结构50可以过滤掉影响指纹识别的至少部分光线，从而避免或减少了噪声，进而有利于提高信噪比、提升识别精度。

大量实验表明：在强光条件下，当光的波长大于等于600纳米时，光线可穿透手指，被识别单元100吸收转换，从而使得手指反射的有效光被湮灭、弱化。如图3所示，横坐标代表光的波长，纵坐标代表光线的透过手指的百分比。通过观察图3可知，当光的波长大于600纳米时，光会透过手指，影响指纹识别的精度。由此可知，通过将滤光结构50设置为对波长大于等于600纳米以上的全部光线或者一部分光线(例如：滤光结构50可滤除波长为600纳米至650纳米范围内的光、可滤除波长为600纳米至700纳米范围内的光等等)有滤除作用，可有效提升指纹识别传感器10的指纹识别精度。当然，在其他实施例中，滤光结构50也可作其它设置。比如，也可将滤光结构50设置为滤除波长大于等于620纳米、630纳米或650纳米以上的全部或者部分光线。通过过滤掉这部分的干扰光线，同样可在一定程度上改善指纹识别传感器10的指纹识别精度。需要说明的是，图3中的三条曲线分别代表三次实验的结果。

进一步的，滤光结构50可为滤光片(Color Filter)，所述滤光片最好被配置为允许透过波长范围在430纳米至570纳米范围的光。如图4所示，图中横坐标表示光的波长，图中纵坐标表示识别单元100中的光电二极管110对光的吸收转化效率。由此可知，当光的波长范围大于等于430纳米，小于等于570纳米时，光电二极管110能较好的对该部分光进行吸收转化，从而得到精准的电信号，有利于提升指纹识别的精度。在本实施例中，显示单元20发出白光，白光到达手指后被反射，被反射后的光也会经过滤光结构50进入识别单元100。在此过程中，被反射的光的至少部分被吸收。由于滤光片用于透过波长范围在430纳米至570纳米范围的光，这使得：有且仅有(或者说，主要是)波长大于等于430纳米，小于等于570纳米可通过滤光片。之后，该部分光进入识别单元100，被识别单元100中的光电二极管110吸收转换，得到对应的电信号。通过上述设置，可使识别单元100得到最佳波长范围的光，从而提升指纹识别的精度。

需要说明的是，可通过提升显示单元20的发光强度，来保证波长大于等于430纳米，小于等于570纳米的光的强度，从而保证指纹识别传感器10可进行正常或更佳的指纹识别。

进一步的，考虑到成本、滤光结构50整体厚度需要控制在较小范围内等问题，可选用单色滤光片作为滤光结构50，单色滤光片的成本低廉，膜层较薄，符合滤光结构50的整体设计需求。

在本实施例中，滤光片为青色滤光片。青色的波长为480纳米至490纳米之间。大量实验表明，青色的滤光片可允许波长范围自480纳米至490纳米之间的光透过，还允许波长在上述范围周边的光透过。如图5所示，横坐标为透过青色滤光片的光的波长，纵坐标表示透过青色滤光片的不同的波长的光所占整体光线的百分比。曲线A、曲线B和曲线C分别为三块青色滤光片。由此可知，波长为480纳米至490纳米之间的光大量通过青色滤光片，在波长在该范围附件的光也能通过青色滤光片，并且，波长越远离上述范围，对应的光的透过率越小，透过率在50％以上的光的波长范围在430纳米至570纳米之间。但是，波长大于600纳米以上的光便被基本拦截，特别是大于等于600纳米，并且小于等于700纳米之间的光(波长为600纳米至700纳米的光为可透过手指，并被识别单元100吸收转化的光)。由此可知，青色滤光片具有较好的过滤干扰光线的作用，同时，保留了有利于被光电二极管110吸收转化的部分光线，有效提升了指纹的识别精度。并且，上述设置节约成本、有利于控制厚度，便于实现电子设备的轻薄化设计。

如图2所示，在本实施例中，滤光结构50设置于显示单元20的上方，并且，滤光结构50覆盖显示单元20，以过滤各个方向进入的干扰光线。当然，在其他实施例中，滤光结构50也可仅设置在识别单元100的上方，并且，其尺寸仅覆盖识别单元100的上方。

薄膜晶体管210包括有源层211、栅极212、源极213和漏极214。在本实施例中，薄膜晶体管210的输入端——源极213电连接于识别单元100，以接收识别单元100的电信号。薄膜晶体管210的输出端——漏极214电连接于信号处理单元，以将电信号传递至信号处理单元。当然，在其他实施例中，假如所采用薄膜晶体管的类型不同，也可以是漏极214电连接于识别单元100，源极213电连接于信号处理单元。

其中，有源层211的材料为多晶硅(a-Si)或者非晶硅(p-Si)，其对光线同样敏感。当在强光照射的情况下，有源层211的暗电流会提升1-2个数量级，严重影响薄膜晶体管210的信噪比。如图6所示，其中，横坐标为栅极212得到的控制信号(Gate)，控制信号自-30V至30V表示为薄膜晶体管210由关闭到打开的过程，纵坐标为暗电流的数值。曲线D代表在无照度情况下的暗电流数值曲线，曲线E代表在照度为100勒克斯(lx)情况下的暗电流数值曲线，曲线F代表在照度为1000勒克斯(lx)情况下的暗电流数值曲线，曲线G代表在照度为1500勒克斯(lx)情况下的暗电流数值曲线，曲线H代表在照度为2500勒克斯(lx)情况下的暗电流数值曲线。由此可知，当光照射于薄膜晶体管210时，特别是照射于有源层211时，会极大的降低其性噪比，提升暗电流，薄膜晶体管210的关闭和开启无法精准的受到控制信号(Gate)的控制，降低了指纹识别的精准度。

为了解决上述问题，如图1所示，指纹识别传感器10还包括第一遮光层910和第二隔离层920。

第一遮光层910设置于有源层211的上方。第一遮光层910可防止光线(例如：外界光线、指纹反射的光线、层结构反射的显示单元20发出的光等等)自外向内照射至有源层211，对其产生不良影响，起到提升薄膜晶体管210的控制精度的作用，从而提升指纹识别传感器10的识别精度。

第二遮光层920设置于有源层211的下方。第二遮光层920可防止光线(例如：位于指纹识别传感器10下方金属器件反射回来的光线等等)自内向外照射至有源层211，对其产生不良影响，起到提升薄膜晶体管210的控制精度的作用，从而提升指纹识别传感器10的识别精度。

需要说明的是，这里所指的外侧，为靠近用户的一侧。当然，在其他实施例中，也可仅设置第一遮光层910，或者第二遮光层920。

在本实施例中，第一遮光层910和第二遮光层920的材料均为黑色有机材料，其可对各种颜色的光进行吸收，从而起到避免全部的光线通过第一遮光层910和第二遮光层920进入有源层211的作用。当然，在其他实施例中，第一遮光层910和第二遮光层920的材料还可以为氧化钼等其他材料。

进一步的，第一遮光层910和第二遮光层920(沿竖直方向)在基底300上的正投影面积大于等于有源层211(沿竖直方向)在基底300上的正投影面积。通过上述设置，可有效避免光线对有源层211的影响，保证了薄膜晶体管210的敏感度。

进一步的，第一遮光层910远离光电二极管110的上方。通过上述设置，可避免第一遮光层910对需要进入光电二极管110的有效光线的遮挡和吸收。在保证薄膜晶体管210的敏感度的同时，保证了识别单元100的正常工作。

如图7所示，本申请还公开了一种指纹识别传感器的制作方法，所述制作方法可用于制作如前所述的指纹识别传感器10。以下结合图1对所述制作方法进行介绍。具体的，制作方法包括以下步骤：

步骤1000：提供基底300。

步骤2000：在基底300上形成识别单元100。

步骤3000：在识别单元100的上方形成滤光结构50，滤光结构50配置为选择性过滤所述干扰光线的一部分或全部。

在上述设置中，滤光结构50可以过滤掉影响指纹识别的至少部分光线，即对波长大于等于第一阈值(600纳米)的干扰光线进行吸收，以实现对波长大于等于第一阈值的干扰光线的过滤，从而起到避免或减少了噪声，提高信噪比，提升识别精度的作用。

在本实施例中，制作方法还包括以下步骤：

步骤1500：在基底300上形成信号传导单元200。

其中，步骤1500：在基底300上形成信号传导单元200，具体包括以下步骤：

步骤1510：在基底300上形成栅极212，其可通过光刻和刻蚀的工艺实现图案化。栅极212的材料可以是钼(MO)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等导电材料。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图9所示。

步骤1520：在栅极212和基底300上形成绝缘层215和有源层211。绝缘层215和有源层211依次沉积，之后再采用光刻和湿刻工艺实现有源层211的图案化，然后，在此基础上，再进行一次光刻和干刻工艺实现绝缘层215的图案化。通过上述设计，可简化工艺流程。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图10所示。

步骤1530：在有源层211和绝缘层215的上方形成源极213和漏极214。源极213和漏极214的材料可以是钼(MO)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等导电材料。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图11所示。

进一步的，在执行步骤2000：形成识别单元100之前，还执行以下步骤：

步骤2001：在信号传导单元200的上方形成第一钝化层400，即，在有源层211和源极213、漏极214的上方形成第一钝化层400。

步骤2002：在第一钝化层400内形成第一过孔410，第一过孔410暴露出信号传导单元200的源极213。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图12所示。

对应的，所述步骤2000：形成识别单元100，可以包括以下步骤：

步骤2100：在第一钝化层400上通过沉积的方式依次形成与光电二极管110和导电膜120对应的膜层。其中，光电二极管110包括N型掺杂层、P型掺杂层，以及位于两者之间的本征层，光电二极管110的至少部分进入第一钝化层400上的第一过孔410内，并连接至信号传导单元200的源极213。之后，通过一次光刻和湿刻的工艺，实现导电膜120第一步的图案化。然后，再通过干刻的工艺，实现光电二极管110的图案化。此时，由于干刻工艺中离子的轰击作用，得到的光电二极管110的面积会小于仅通过一次光刻和刻蚀工艺形成的导电膜120。因此，最后还需要对第一步形成的导电膜120再次进行光刻和湿刻的工艺，得到最终的导电膜120。此时，导电膜120的面积小于光电二极管110的面积。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图13所示。

步骤2200：在第一钝化层400和导电膜120上方形成绝缘的盖层500。其中，盖层500可通过沉积的方式得到，其材料可以为氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiNO)、氮化硅(SiN)等。

步骤2300：在盖层500上形成树脂层600。

步骤2400：在树脂层600上形成第二钝化层700。

步骤2500：在盖层500、树脂层600和第二钝化层700内形成第二过孔710。第二过孔710暴露出导电膜120。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图15所示。

步骤2600：在第二钝化层700上形成识别电极层130，识别电极层130的至少部分进入第二过孔710，并连接至导电膜120层，以使得识别电极层130可向光电二极管110提供负偏压。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图16所示。

步骤2700：在识别电极层130上形成第三钝化层800。其中，滤光结构50可形成于第三钝化层800的上方。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图17所示。对应的，步骤3000：在识别单元100的上方形成滤光结构50，即为在第三钝化层800的上方形成滤光结构50。最终所形成的指纹识别传感器10的结构图如图1所示。此时，滤光结构50位于指纹识别传感器10的顶部，并且，位于显示单元20的下方，可保证显示单元20在正常进行智能显示时，显示单元20向外发出的光不会经过滤光结构50、被过滤，用户能够观测到较佳的显示效果。

进一步的，指纹识别传感器10的制作方法还包括：在信号传导单元200的上方形成第一遮光层910。在本实施例中，第一遮光层910可设置于盖层500的上方。对应的，所形成的指纹识别传感器10的结构图可如图14所示。通过上述设置，第一遮光层910设置于有源层211的上方。第一遮光层910可防止光线(例如：外界光线、指纹反射的光线、层结构反射的显示单元20发光的光等等)自外向内照射至有源层211，对其产生不良影响，起到提升薄膜晶体管210的控制精度的作用，从而提升指纹识别传感器10的识别精度。

进一步，在基底300上形成识别单元100的步骤之前还包括以下步骤：在基底300上形成第二遮光层920。此时，所形成的指纹识别传感器10的结构图如图8所示。在后续过程中，信号传导单元200中的薄膜晶体管210形成于第二遮光层920的上方。特别是薄膜晶体管210的有源层211均设置于第二遮光层920的上方。通过上述设置，第二遮光层920可防止光线(例如：位于指纹识别传感器10下方金属器件反射回来的光线等等)自内向外照射至有源层211，对其产生不良影响，起到提升薄膜晶体管210的控制精度的作用，从而提升指纹识别传感器10的识别精度。

以上所述仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请做任何形式上的限制，虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种指纹识别传感器，其特征在于，所述指纹识别传感器包括：

基底；

识别单元，设置在所述基底上；

滤光结构，设置于所述识别单元远离所述基底的一侧，并被配置为对外界进入所述识别单元的光线进行过滤；

所述指纹识别传感器还包括信号传导单元，所述信号传导单元电连接于所述识别单元；所述信号传导单元包括有源层；

所述指纹识别传感器还包括第一遮光层和第二遮光层；所述第一遮光层设置于所述有源层的上方；所述第二遮光层设置于所述有源层的下方；

所述识别单元包括光电二极管、导电膜和识别电极层；

所述导电膜设置于所述光电二极管和识别电极层之间，在所述导电膜和所述光电二极管的接触处，所述导电膜的面积小于等于所述光电二极管的面积，并且，所述导电膜在所述基底上的正投影落入所述光电二极管在所述基底上的正投影内。

2.如权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述滤光结构被配置为对波长大于等于600纳米的光线中的至少一部分或全部有滤除作用。

3.如权利要求1或2所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述滤光结构为滤光片，所述滤光片被配置为允许波长范围在430纳米至570纳米的光线透过。

4.如权利要求3所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述滤光片为青色滤光片。

5.如权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述第一遮光层和/或所述第二遮光层在所述基底上的正投影面积大于等于所述有源层在所述基底上的正投影面积。

6.如权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述识别单元包括光电二极管；

所述第一遮光层远离所述光电二极管的上方。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示单元和如权利要求1-6中任意一项所述的指纹识别传感器。

8.一种指纹识别传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成识别单元；

在所述识别单元的上方形成滤光结构；

其中，所述指纹识别传感器的制作方法还包括：

在所述基底上形成信号传导单元；

在所述信号传导单元的上方形成第一遮光层；

在所述基底上形成识别单元的步骤之前，还包括以下步骤：

在所述基底上形成第二遮光层；

所述指纹识别传感器的制作方法还包括：在所述基底上形成信号传导单元；

其中，所述信号传导单元位于所述第二遮光层的上方；

所述识别单元包括光电二极管、导电膜和识别电极层；

所述导电膜设置于所述光电二极管和识别电极层之间，在所述导电膜和所述光电二极管的接触处，所述导电膜的面积小于等于所述光电二极管的面积，并且，所述导电膜在所述基底上的正投影落入所述光电二极管在所述基底上的正投影内。