WO2015156567A1 - 이미지센서 및 이의 제조방법 - Google Patents

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WO2015156567A1
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electrode
image sensor
layer
forming
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이동진
김태우
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주식회사 레이언스
주식회사 바텍이우홀딩스
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    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures

Definitions

  • the present invention relates to an image sensor, and more particularly, to an image sensor having improved adhesion between the photoconductive layer and a substrate and a method of manufacturing the same.
  • the image sensor may be classified into an indirect conversion method and a direct conversion method.
  • Indirect conversion method converts X-rays into visible light using a phosphor (scintillator) and then converts visible light into an electrical signal.
  • the direct conversion method converts X-rays directly into an electrical signal using a photoconductive layer. This direct conversion method does not need to form a separate phosphor, and light spreading does not occur, and thus has characteristics suitable for high resolution systems.
  • the photoconductive layer used in the direct conversion method is formed by depositing on the surface of the CMOS substrate.
  • the photoconductive layer has poor adhesion with the protective film on the surface of the CMOS substrate.
  • a defect may occur in which the photoconductive layer is lifted off the surface of the substrate.
  • the present invention has a problem to provide a method that can improve the adhesion between the photoconductive layer and the substrate.
  • the present invention is a pattern for the unevenness formed on the substrate, the first electrode and the region around the first electrode; A protective film formed on the uneven pattern and having a uneven surface; A photoconductive layer formed on the protective film; It provides an image sensor comprising a second electrode formed on the photoconductive layer.
  • the uneven pattern may be formed of the same material on the same layer as the first electrode.
  • the uneven pattern may have a thickness greater than or equal to the first electrode.
  • the surface area of the uneven protective film may be twice or more than the surface area in the planar state.
  • the uneven pattern may be applied with a voltage or have a floating state.
  • a metal pattern may be formed between the passivation layer and the photoconductive layer, and may have a single layer or multilayer structure, and may have a metal pattern applied to a voltage or floating.
  • the metal pattern may be made of at least one of Au, Pt, Pd, Cr, Cu, Ti, and Ni.
  • the passivation layer may include a first passivation layer made of silicon oxide and a second passivation layer made of silicon nitride and positioned on the first passivation layer.
  • the first electrode and the concave-convex pattern may have a multilayer structure.
  • the photoconductive layer may be at least one of CdTe, CdZnTe, PbO, PbI 2 , HgI 2 , GaAs, Se, TlBr, BiI 3 , CdMnTe, CdMg, Te, InI.
  • the present invention comprises the steps of forming a pattern for the unevenness on the substrate, the first electrode and the region around the first electrode; Forming a protective film having a concave-convex shape on a surface of the concave-convex pattern; Forming a photoconductive layer on the protective film; It provides a method of manufacturing an image sensor comprising the step of forming a second electrode on the photoconductive layer.
  • the method may include forming a metal pattern between the passivation layer and the photoconductive layer having a single layer or a multilayer structure and having a voltage applied thereto or a floating state.
  • the forming of the first electrode and the uneven pattern may include forming a metal material layer on the substrate; Forming a first photoresist pattern and a second photoresist pattern thinner than the first photoresist pattern on the metal material layer; Etching the metal material layer using the first and second photoresist patterns to form the uneven pattern under the first photoresist pattern, and forming a metal pattern under the second photoresist pattern; ; Performing an ashing process to remove the second photoresist pattern; The etching process may be performed using the first photoresist pattern subjected to the ashing process, and the metal electrode may be partially removed to form the first electrode.
  • the present invention by forming a pattern for concave-convex on the substrate can be formed so that the upper protective film has a concave-convex shape. Accordingly, the contact area between the photoconductive layer formed on the protective film and the substrate on which the protective film is formed is increased, so that the adhesive force of the photoconductive layer can be improved.
  • the uneven pattern may be formed together in the pixel electrode formation process. Accordingly, the process efficiency is improved as compared with the case where a separate process such as surface treatment is performed to form the unevenness in the protective film.
  • 1 and 2 are a plan view and a sectional view schematically showing a pixel portion of an image sensor according to a first embodiment of the present invention, respectively;
  • 3 to 6 are cross-sectional views schematically showing an example of a method of forming a pixel electrode and an uneven pattern according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an image sensor when the protective film has a double layer structure according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a pixel portion of an image sensor according to a second embodiment of the present invention.
  • 1 and 2 are plan views and cross-sectional views schematically showing pixel portions of an image sensor according to a first embodiment of the present invention, respectively.
  • an X-ray imaging apparatus of various forms or uses may be used.
  • various X-ray imaging apparatuses such as a mammography apparatus or a CT apparatus may be used.
  • the image sensor 100 corresponds to a configuration for detecting X-rays passing through the subject and converting the same into an electrical signal.
  • the image sensor 100 may have a rectangular shape in plan, but is not limited thereto.
  • the image sensor 100 is a direct conversion X-ray detection element, and directly converts incident X-rays into an electrical signal.
  • a plurality of pixel areas P may be disposed along a row line and a column line in a matrix form.
  • a photoelectric conversion element for converting X-rays into an electrical signal may be configured.
  • the substrate 110 used in the image sensor 100 for example, a semiconductor substrate such as silicon, a glass substrate, a graphite substrate, a substrate in which ITO is laminated on an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) base Etc. may be used, but is not limited thereto.
  • a CMOS substrate having at least one insulating layer, signal wiring, an electrode, or the like formed on the semiconductor substrate for convenience of description.
  • the pixel electrode 120 and the concave-convex pattern 130 may be formed in the pixel area P on the substrate 110.
  • the pixel electrode 120 is one electrode constituting the photoelectric conversion element, and corresponds to, for example, the first electrode 120.
  • the uneven pattern 130 is made of the same material as the pixel electrode 120 and is preferably formed together in the process of forming the pixel electrode 120, but is not limited thereto.
  • the pixel electrode 120 and the concave-convex pattern 130 may be formed of a multilayer including aluminum (Al), aluminum (Al) alloy, and aluminum (Al), but is not limited thereto.
  • the uneven pattern 130 is formed to be spaced apart from each other in the peripheral region of the region in which the pixel electrode 120 is formed of the pixel region P, and is spaced apart from the pixel electrode 120 to have a state that is not electrically connected. do. Meanwhile, the uneven pattern 130 may be formed in various shapes in plan, for example, may be formed in a dot form or a linear form.
  • the uneven pattern 130 has a function of forming unevenness in the passivation layer 140 formed thereon.
  • the uneven pattern 130 is preferably configured to have a certain thickness.
  • the uneven pattern 130 may be formed to have a thickness greater than or equal to the pixel electrode 120.
  • the pixel electrode 120 may have a thickness of about 0.1 ⁇ m
  • the uneven pattern 130 may have a thickness of 1.0 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the uneven pattern 130 is less than 1.0 ⁇ m, it is difficult to obtain an effect of improving the desired adhesive force, and when it exceeds 10 ⁇ m, the step coverage characteristic deterioration due to the step appears.
  • the pixel electrode 120 and the method of forming the concave-convex pattern 130 having a thickness thicker than this may be referred to.
  • the metal material layer 111 is formed on the substrate 110, and the photoresist layer 115 is formed on the substrate 110. Thereafter, a photomask 190 having a transflective area STA, such as a halftone mask or a diffraction exposure mask, is positioned on the substrate 110, and an exposure process is performed. Meanwhile, for convenience of description, a case in which a positive type photoresist layer in which lighted portions are removed is used as the photoresist layer 115.
  • the photomask 190 includes a blocking area BA and a transmission area TA in addition to the transflective area STA, and the transflective area STA corresponds to a portion where the pixel electrode 120 is to be formed.
  • the blocking area BA may correspond to a portion where the uneven pattern 130 is to be formed, and the photomask 190 may be disposed to correspond to the remaining portion of the transmission area TA.
  • the first and second photoresist patterns 115a and 115b having different thicknesses are illustrated. Is formed.
  • the first photoresist pattern 115a has a larger thickness than the second photoresist pattern 115b.
  • the first and second photoresist patterns 115a and 115b may be used.
  • First and second metal patterns 111a and 111b are formed below each of them.
  • the first metal pattern 111a corresponds to the uneven pattern 130.
  • an ashing process is performed on the first and second photoresist patterns 115a and 115b to remove the second photoresist pattern 115b, and thus, the second metal.
  • the pattern 111b is in an exposed state.
  • the first photoresist pattern 115a is also left on the first metal pattern 111a, that is, the uneven pattern 130 in a state of being removed by a predetermined thickness.
  • the pixel electrode 120 is formed by performing a second etching process to etch the second metal pattern 111b by a predetermined thickness.
  • the pixel electrode 120 and the concave-convex pattern 130 having a thickness greater than this can be formed in one photomask process.
  • the passivation layer 140 is formed on the concave-convex pattern 130 and the pixel electrode 120 as described above. In the passivation layer 140, a pad hole 141 exposing the pixel electrode 120 is formed.
  • the passivation layer 140 may be formed of an inorganic insulating material or an organic insulating material.
  • the protective film 140 has a concave-convex shape by the concave-convex pattern 130 formed on the bottom.
  • the convex portions protruding upward are formed in the region where the uneven pattern 130 is formed, and the concave portions recessed downward in the spaced area between the uneven pattern 130, that is, the uneven pattern 130, are formed.
  • the surface of the protective film 140 is formed to have an uneven shape.
  • the surface area of the protective film 140 is formed in the uneven shape, the surface area can be increased.
  • the contact area with the photoconductive layer 150 formed thereon is increased, and as a result, the adhesion of the photoconductive layer 150 to the substrate may be improved.
  • the protective film 140 having a concave-convex shape on the surface thereof is preferably configured to have a surface area of approximately two times or more as compared to the protective film having a flat surface shape, but is not limited thereto.
  • the passivation layer 140 may be formed in a single layer structure as shown in FIG. 2, but is not limited thereto.
  • the passivation layer 140 may be formed in a multilayer structure. Reference may be made to FIG. 7 for the passivation layer 140.
  • the passivation layer 140 may include a lower first passivation layer 140a and an upper passivation layer 140b.
  • the first protective layer 140a is an oxide material having soft characteristics, for example, made of silicon oxide (SiO 2 )
  • the second protective layer 140b is an oxide material having hard properties.
  • silicon nitride (Si 3 N 4 ) is preferable, but is not limited thereto.
  • a silicon oxide layer having a softer property that is, the first protective layer 140a is formed at the bottom. Accordingly, a smooth uneven shape may be formed in the first passivation layer 140a, and a smooth uneven shape of the first passivation layer 140a may be formed in the second passivation layer 140b made of silicon nitride formed thereon. It can be reflected as it is, thereby minimizing the occurrence of defects in the second protective layer (140b). In addition, even if a defect occurs in the second protective layer 140b, as the first protective layer 140a is formed below, problems such as leakage of current due to the occurrence of the defect can be prevented.
  • the photoconductive layer 150 is formed on the passivation layer 140 described above.
  • the photoconductive layer 150 generates electron-hole pairs when X-rays are incident.
  • a material which may have excellent charge transfer characteristics, high absorption coefficient, low dark current, and low electron-hole pair generating energy may be used.
  • at least one of a group of photoconductors such as CdTe, CdZnTe, PbO, PbI 2 , HgI 2 , GaAs, Se, TlBr, BiI 3 , CdMnTe, CdMg, Te, InI may be used.
  • the thickness of the photoconductive layer 150 may be 200um ⁇ 500um.
  • the upper electrode 160 may be formed substantially over the entire substrate 110. A bias voltage may be applied to the upper electrode 160.
  • the upper electrode 160 is the other electrode constituting the photoelectric conversion element, and corresponds to, for example, the second electrode 160.
  • the second electrode 160 may be formed of, for example, Au, but is not limited thereto.
  • the uneven pattern 130 is not only a function for the protective film 140 to have an uneven shape, but also between the first and second electrodes 120 and 160.
  • the ability to concentrate the electric field to reduce leakage currents can also be achieved.
  • the uneven pattern 130 is formed around the first electrode 120, so that an electric field generated between the second electrode 160 and the first electrode 120 is formed on the uneven pattern 130. It can be guided inward.
  • the uneven pattern 130 may serve as a guard ring for electric field formation.
  • a voltage opposite to the pixel electrode 120 may be applied to the uneven pattern 130 or may have a floating state.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a pixel part of an image sensor according to a second exemplary embodiment of the present invention. For convenience of description, descriptions of parts similar to those of the first embodiment may be omitted.
  • the image sensor 100 may include a pixel electrode 120 formed on the substrate 110 and an uneven pattern 130 formed around the pixel electrode 120. And a passivation layer 140 formed on the passivation layer, a metal pattern 170 formed on the passivation layer 140, a photoconductive layer 150 formed on the metal pattern 170 and in contact with the pixel electrode 120. It may include an upper electrode 160 formed on the entire layer 150.
  • the pixel electrodes and the concave-convex patterns 120 and 130 are formed in the same process, similarly to the first embodiment described above, and they may have a multilayer structure.
  • the pixel electrode and the concave-convex patterns 120 and 130 have a double layer structure as an example.
  • the first layers 120a and 130a which are the lower layers of the pixel electrodes and the uneven patterns 120 and 130, are made of aluminum (Al), and the second layers 120b and 130b which are the upper layers. ) May be made of titanium, but is not limited thereto.
  • the uneven pattern 130 may have a thickness for forming the uneven pattern due to the multilayer structure.
  • the pixel electrode 120 and the concave-convex pattern 130 may have the same thickness.
  • the photomask does not have to have a transflective area during the exposure process.
  • the pixel electrode 120 is partially etched using a photomask having a transflective area similarly to the first embodiment, so that the pixel electrode 120 has a smaller thickness than that of the uneven pattern 130. It can be formed to have.
  • the upper layer second layer 120b may be removed so that the pixel electrode 120 has a single layer structure.
  • the passivation layer 140 may be formed of a single layer or multiple layers. In this embodiment, the case of the double layer is illustrated. As such, as it is composed of a double layer, as mentioned in the first embodiment, the protective film 140 can have a smooth uneven shape and reliability can also be improved.
  • the metal pattern 170 may be formed on the passivation layer 140.
  • the metal pattern 170 has a concave-convex shape by the passivation layer 140 disposed below.
  • the metal pattern 170 may be made of a conductive metal material, in particular, gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), copper (Cu), and titanium (Ti). ) And nickel (Ni).
  • the metal pattern 170 may be formed of a single layer or a multilayer structure.
  • the case of the double layer structure is taken as an example.
  • the lower first metal layer 170a and the upper second metal layer 170b may be configured using two materials selected from the above materials.
  • the material constituting the metal pattern 170 corresponds to a material having excellent adhesion to the protective layer 140. Therefore, by forming the metal pattern 170 between the protective film 140 and the photoconductive layer 150 formed in a subsequent process, it is possible to further improve the adhesion of the photoconductive layer 150 to the substrate 110.
  • the photoconductive layer 150 has a better adhesion to the protective layer 140b using silicon nitride.
  • the metal pattern 170 can play an effective role in improving the adhesion.
  • the metal pattern 170 may be configured to have a state in which the metal pattern 170 is electrically disconnected from the pixel electrode 120. That is, the metal pattern 170 may be formed on at least a portion of the peripheral region of the pixel electrode 120 in plan view. Here, the metal pattern 170 may be configured to have an area of about 10% to 90% of the area of the pixel area P.
  • the adhesion of the photoconductive layer 150 may be further improved.
  • the area of the metal pattern 170 in the pixel area P may be inversely proportional to the area of the pixel electrode 120.
  • the metal pattern 170 can also exhibit a function of reducing the leakage current by concentrating the electric field.
  • the metal pattern 170 since the metal pattern 170 is formed around the pixel electrode 120, an electric field generated between the upper electrode 160 and the pixel electrode 120 may be induced inward by the metal pattern 170. Will be. As such, the metal pattern 170 may serve as a guard ring for electric field formation.
  • a voltage opposite to the pixel electrode 120 may be applied to the metal pattern 170 or may have a floating state.
  • the concave-convex pattern 130 may be configured to function as a guard ring, and both the metal pattern and the concave-convex patterns 170 and 130 may function as a guard ring.
  • the substrate by forming a pattern for concave-convex on the substrate can be formed so that the upper protective film has a concave-convex shape. Accordingly, the contact area between the photoconductive layer formed on the protective film and the substrate on which the protective film is formed is increased, so that the adhesive force of the photoconductive layer can be improved.
  • the uneven pattern may be formed together in the pixel electrode formation process. Accordingly, the process efficiency is improved as compared with the case where a separate process such as surface treatment is performed to form the unevenness in the protective film.

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Abstract

본 발명은 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다. 본 발명은 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과; 상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.

Description

이미지센서 및 이의 제조방법
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킨 이미지센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기존에는, 의료나 공업용 X선 촬영에서 필름과 스크린을 이용한 방식이 사용되었다. 이와 같은 경우에는, 촬영된 필름의 현상 및 보관상의 문제 등에 기인하여 비용 및 시간 측면에서 비효율적이었다.
이를 개선하기 위해, 디지털 방식의 이미지센서가 현재 널리 사용되고 있다. 이미지센서는 간접변환 방식과 직접변환 방식으로 구분될 수 있다.
간접변환 방식은 형광체(scintillator)를 사용하여 X선을 가시광선으로 변환한 후 가시광선을 전기적신호로 변환하게 된다. 반면, 직접변환 방식은 광도전층을 이용하여 X선을 직접 전기적신호로 변환하게 된다. 이러한 직접변환 방식은, 별도의 형광체를 형성할 필요가 없고, 광의 퍼짐 현상 등이 발생하지 않아 고해상도 시스템에 적합한 특징을 갖는다.
직접변환 방식에 사용되는 광도전층은 CMOS 기판 표면 상에 증착되어 형성된다. 그런데, 광도전층은 CMOS 기판 표면의 보호막과 접착력이 좋지 않다. 따라서, 광도전층이 기판 표면으로부터 들뜨게 되는 결함이 발생할 수 있게 된다.
본 발명은 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과; 상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
여기서, 상기 요철용 패턴은 상기 제1전극과 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 요철용 패턴은 상기 제1전극 이상의 두께를 가질 수 있다. 상기 요철 형상의 보호막의 표면 면적은, 평면 상태인 경우의 표면 면적에 비해, 2배 이상일 수 있다. 상기 요철용 패턴은 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 가질 수 있다. 상기 보호막과 광도전층 사이에 형성되며, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴을 포함할 수 있다. 상기 금속패턴은 Au, Pt, Pd, Cr, Cu, Ti, Ni 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 보호막은 산화실리콘으로 이루어진 제1보호층과, 상기 제1보호층 상에 위치하고 질화실리콘으로 이루어진 제2보호층을 포함할 수 있다. 상기 제1전극과 요철용 패턴은 다중층 구조로 이루어질 수 있다. 상기 광도전층은 CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3, CdMnTe, CdMg,Te, InI 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 요철용 패턴을 형성하는 단계와; 상기 요철용 패턴 상에 위치하여 표면이 요철 형상을 갖는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 광도전층을 형성하는 단계와; 상기 광도전층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법을 제공한다.
상기 보호막과 광도전층 사이에, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1전극과 요철용 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 금속물질층을 형성하는 단계와; 상기 금속물질층 상에 제1포토레지스트패턴과, 상기 제1포토레지스트패턴 보다 얇은 제2포토레지스트패턴을 형성하는 단계와; 상기 제1 및 2포토레지스트패턴을 사용하여 상기 금속물질층을 식각하여, 상기 제1포토레지스트패턴 하부에 상기 요철용 패턴을 형성하고, 상기 제2포토레지스트패턴 하부에 금속패턴을 형성하는 단계와; 애슁 공정을 진행하여, 상기 제2포토레지스트패턴을 제거하는 단계와; 상기 애슁 공정이 진행된 제1포토레지스트패턴을 사용하여 식각 공정을 진행하여, 상기 금속패턴을 일부 제거하여 상기 제1전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 요철용 패턴을 구성하여 그 상부의 보호막이 요철 형상을 갖도록 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 보호막 상에 형성되는 광도전층과 보호막이 형성된 기판 사이의 접촉 면적이 증가하게 되어, 광도전층의 접착력이 향상될 수 있게 된다.
특히, 요철용 패턴은 화소전극 형성 과정에서 함께 형성될 수 있다. 이에 따라, 보호막에 요철을 형성하기 위해 표면 처리 등의 별도의 공정이 진행되는 경우에 비해, 공정 효율이 향상되는 장점을 갖게 된다.
도 1 및 2는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도.
도 3 내지 6은 본 발명의 제1실시예에 따라 화소전극과 요철용 패턴을 형성하는 방법의 일예를 개략적으로 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 보호막을 2중층 구조로 형성한 경우의 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 및 2는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서(100)를 사용한 X선 영상장치로서는, 다양한 형태나 용도의 X선 영상장치가 사용될 수 있다. 예를 들면, 맘모그래피(mammography) 장치나, CT 장치 등 다양한 X선 영상장치가 사용될 수 있다.
이미지센서(100)는 피검체를 통과한 X선을 검출하여 이를 전기적 신호로 변환하는 구성에 해당된다. 이미지센서(100)는 평면적으로 사각 형상을 갖게 되는데, 이에 한정되지는 않는다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서(100)는 직접변환 방식의 X선 검출소자로서, 입사된 X선을 전기적 신호로 직접 변환하게 된다.
도 1 및 2를 참조하면, 이미지센서(100)에는 매트릭스 형태로 다수의 화소영역(P)이 행라인과 열라인을 따라 배치될 수 있다.
각 화소영역(P)에는 X선을 전기적신호로 변환하는 광전변환소자가 구성될 수 있다.
여기서, 이미지센서(100)에 사용되는 기판(110)으로서, 예를 들면, 실리콘 등의 반도체 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al2O3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 반도체 기판 상에 적어도 하나의 절연층, 신호배선, 전극 등이 형성된 CMOS 기판을 사용하는 경우를 예로 든다.
기판(110) 상에는 화소전극(120)과 요철용 패턴(130)이 화소영역(P)에 형성될 수 있다.
화소전극(120)은 광전변환소자를 구성하는 일전극으로서, 예를 들면, 제1전극(120)에 해당된다.
요철용 패턴(130)은 화소전극(120)과 동일한 물질로 이루어지며 화소전극(120)을 형성하는 과정에서 함께 형성되는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다. 여기서, 화소전극(120)과 요철용 패턴(130)은 알루미늄(Al), 알루미늄(Al) 합금, 알루미늄(Al)을 포함하는 다중층으로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
요철용 패턴(130)은 화소영역(P) 중 화소전극(120)이 형성된 영역의 주변 영역에 다수개로 서로 이격되어 형성되며, 화소전극(120)과는 이격되어 전기적으로 연결되지 않은 상태를 갖게 된다. 한편, 요철용 패턴(130)은, 평면적으로 다양한 형태로 형성될 수 있는데, 예를 들면, 도트 형태나 선형 형태 등으로 형성될 수 있다.
이와 같은 요철용 패턴(130)은 그 상부에 형성되는 보호막(140)에 요철이 형성되도록 하는 기능을 하게 된다.
이처럼 보호막(140)에 요철을 형성하기 위해, 요철용 패턴(130)은 일정 정도의 두께감을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.
특히, 요철용 패턴(130)은 화소전극(120) 이상의 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 이와 관련하여 예를 들면, 화소전극(120)은 대략 0.1um의 두께를 갖고 요철용 패턴(130)은 이보다 두꺼운 1.0um 이상 10um 이하의 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 여기서, 요철용 패턴(130)의 두께가 1.0um 미만인 경우에는 원하는 접착력 향상의 효과를 얻기 어렵고, 10um를 초과할 경우에는 단차로 인한 스텝커버리지(step coverage) 특성 저하가 나타난다.
여기서, 화소전극(120)과 이보다 두꺼운 두께를 갖는 요철용 패턴(130)을 형성하는 방법과 관련하여, 도 3 내지 6을 참조할 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 기판(110) 상에 금속물질층(111)을 형성하고, 그 상부에 포토레지스트층(115)을 형성하다. 그 후에, 기판(110) 상에 하프톤 마스크나 회절 노광 마스크와 같이 반투과영역(STA)을 갖는 포토마스크(190)를 위치시키고, 노광 공정을 진행하게 된다. 한편, 설명의 편의를 위해, 포토레지스트층(115)으로서는 빛을 받은 부분이 제거되는 파지티브 타입(positive type) 포토레지스트층이 사용되는 경우를 예로 든다.
여기서, 포토마스크(190)는 반투과영역(STA)과 더불어 차단영역(BA), 투과영역(TA)을 포함하고, 반투과영역(STA)은 화소전극(120)이 형성될 부분에 대응하고, 차단영역(BA)은 요철용 패턴(130)이 형성될 부분에 대응하고, 투과영역(TA)은 나머지 부분에 대응하도록 포토마스크(190)를 배치할 수 있다.
이와 같은 배치관계에 따라 노광공정을 진행하고 포토레지스트층(115)을 현상(develop)하게 되면, 도 4에 도시한 바와 같이, 서로 다른 두께를 갖는 제1 및 2포토레지스트패턴(115a, 115b)가 형성된다. 여기서, 제1포토레지스트패턴(115a)은 제2포토레지스트패턴(115b)에 비해 큰 두께를 갖게 된다.
그 후에, 제1 및 2포토레지스트패턴(115a, 115b)을 식각 마스크로 사용하여 금속물질층(111)에 대한 제1식각 공정을 진행하게 되면, 제1 및 2포토레지스터패턴(115a, 115b) 각각의 하부에는 제1 및 2금속패턴(111a, 111b)가 형성된다. 여기서, 제1금속패턴(111a)은 요철용 패턴(130)에 해당된다.
다음으로, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 및 2포토레지스트패턴(115a, 115b)에 대해 애슁(ashing) 공정을 진행하여 제2포토레지스트패턴(115b)을 제거하고, 이에 따라 제2금속패턴(111b)은 노출된 상태가 된다. 이때, 제1포토레지스트패턴(115a) 또한 일정 두께 만큼 제거된 상태로 제1금속패턴(111a) 즉, 요철용 패턴(130) 상에 남겨지게 된다.
다음으로, 도 6에 도시한 바와 같이, 제2식각 공정을 진행하여 제2금속패턴(111b)를 일정 두께만큼 식각함으로써, 화소전극(120)을 형성하게 된다.
전술한 바와 같은 방법을 통해, 화소전극(120)과 이보다 두꺼운 두께를 갖는 요철용 패턴(130)을 하나의 포토마스크 공정으로 형성할 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 요철용 패턴(130)과 화소전극(120) 상에는 보호막(140)이 형성된다. 보호막(140)에는 화소전극(120)을 노출하는 패드홀(141)이 형성된다. 보호막(140)은 무기절연물질이나 유기절연물질로 형성될 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 보호막(140)은, 하부에 형성된 요철용 패턴(130)에 의해 그 표면이 요철 형상을 갖게 된다.
즉, 요철용 패턴(130)이 형성된 영역에는 상부로 돌출된 철부가 형성되고, 요철용 패턴(130)이 형성되지 않은 부분 즉 요철용 패턴(130) 사이의 이격 영역에는 하부로 요입된 요부가 형성되어, 보호막(140)의 표면은 요철 형상을 이루게 된다.
이처럼, 보호막(140)의 표면이 요철 형상을 이루게 됨에 따라, 그 표면적이 증가할 수 있게 된다. 이처럼, 보호막(140)의 표면적 증가에 의해, 그 상부에 형성되는 광도전층(150)과의 접촉 면적이 증가하게 되어, 결과적으로 광도전층(150)의 기판에 대한 접착력이 향상될 수 있게 된다.
표면이 요철 형상을 갖는 보호막(140)은, 표면이 평면 형상을 갖는 보호막에 비해, 표면적이 대략 2배 이상이 되도록 구성하는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 보호막(140)은 도 2에 도시한 바와 같이 단일층 구조로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다, 에를 들면, 보호막(140)은 다중층 구조로 이루어질 수 있는데, 이와 관련하여 2중층 구조로 이루어진 보호막(140)에 대해 도 7을 참조할 수 있다.
도 7을 참조하면, 보호막(140)은 하부의 제1보호층(140a)과 상부의 제2보호층(140b)로 구성될 수 있다. 여기서, 제1보호층(140a)은 소프트(soft)한 특성을 갖는 산화물질 일예로 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지고, 제2보호층(140b)은 하드(hard)한 특성을 갖는 산화물질 일예로 질화실리콘(Si3N4)로 이루어지는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다.
이와 같은 적층 구조와 관련하여, 질화실리콘만을 사용하는 경우에 하드한 특성에 따라 요철 형상이 부드럽게(smooth) 구현되지 않게 되며, 이로 인해 크랙이나 핀홀(pinhole)과 같은 결함이 발생되어 전류 누설이 유발될 수 있다.
이를 개선하기 위해, 하부에 보다 소프트한 특성을 갖는 산화실리콘층 즉 제1보호층(140a)을 구성하게 된다. 이에 따라, 제1보호층(140a)에는 부드러운 요철 형상이 형성될 수 있게 되며, 그 상부에 형성되는 질화실리콘으로 이루어진 제2보호층(140b) 또한 제1보호층(140a)의 부드러운 요철 형상이 그대로 반영될 수 있게 되고, 이로 인해 제2보호층(140b)의 결함 발생을 최소화시킬 수 있게 된다. 더욱이, 제2보호층(140b)에 결함이 발생하더라도, 제1보호층(140a)이 하부에 형성됨에 따라 결함 발생에 따른 전류 누설 등의 문제는 방지될 수 있게 된다.
전술한 보호막(140) 상에는 광도전층(150)이 형성된다. 광도전층(150)은 X선이 입사되면 전자-정공 쌍을 발생시키게 된다. 광도전층(150)으로서는, 우수한 전하 이동 특성, 높은 흡수 계수, 낮은 암 전류, 낮은 전자-정공 쌍 발생 에너지의 특성을 가질 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들면, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3, CdMnTe, CdMg,Te, InI와 같은 광도전물질 그룹 중 적어도 하나가 사용될 수 있다. 여기서, 광도전층(150)의 두께는 200um~500um일 수 있다.
광도전층(150)이 형성된 기판(110) 상에는, 실질적으로 기판(110) 전체에 걸쳐 상부전극(160)이 형성될 수 있다. 상부전극(160)에는 바이어스전압이 인가될 수 있다. 상부전극(160)은 광전변환소자를 구성하는 타전극으로서, 예를 들면 제2전극(160)에 해당된다. 제2전극(160)은, 예를 들면, Au로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 이미지센서(100)에 있어, 요철용 패턴(130)은 보호막(140)이 요철 형상을 갖도록 하는 기능뿐만 아니라, 제1 및 2전극(120, 160) 사이의 전계를 집중시켜 누설전류를 감소시키는 기능 또한 발휘할 수 있게 된다.
이와 관련하여, 요철용 패턴(130)은 제1전극(120)의 주변에 형성됨으로써, 제2전극(160)과 제1전극(120) 사이에 발생된 전계는, 요철용 패턴(130)에 의해 내측 방향으로 유도될 수 있게 된다. 이처럼, 요철용 패턴(130)은 전계 형성에 대한 가드링(guard ring) 역할을 수행할 수 있게 된다.
한편, 이를 위해 요철용 패턴(130)에는 화소전극(120)과 반대극성의 전압이 인가되거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 단면도이다. 설명의 편의를 위해, 제1실시예와 동일 유사한 부분에 대한 설명을 생략할 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서(100)는, 기판(110) 상에 형성된 화소전극(120)과 화소전극(120) 주변에 형성된 요철용 패턴(130)과, 이들 상에 형성된 보호막(140)과, 보호막(140) 상에 형성된 금속패턴(170)과, 금속패턴(170) 상에 형성되며 화소전극(120)과 접촉하는 광도전층(150)과, 광도전층(150) 상에 형성된 상부전극(160)을 포함할 수 있다.
여기서, 화소전극 및 요철용 패턴(120, 130)은, 전술한 제1실시예와 유사하게, 동일한 공정에서 형성되며, 이들은 다중층 구조로 이루어질 수 있다. 여기서, 설명의 편의를 위해, 화소전극 및 요철용 패턴(120, 130)은 2중층 구조로 이루어진 경우를 예로 든다.
이처럼, 2중층 구조로 이루어진 경우에, 화소전극 및 요철용 패턴(120, 130)의 하부층인 제1층(120a, 130a)은 알루미늄(Al)으로 이루어지고, 상부층인 제2층(120b, 130b)은 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
위와 같이, 다중층 구조로 이루어지는 경우에, 요철용 패턴(130)은 다중층 구조로 인해 요철 패턴 형성을 위한 두께감을 가질 수 있게 된다.
이와 같은 경우에, 화소전극(120)과 요철용 패턴(130)은 동일한 두께를 갖도록 이루어질 수 있으며, 이때에는 노광 공정 진행시 포토마스크는 반투과영역을 구비하지 않아도 된다.
물론, 필요에 따라, 제1실시예와 유사하게 반투과영역을 갖는 포토마스크를 사용하여 화소전극(120)을 부분적으로 식각함으로써, 화소전극(120)이 요철용 패턴(130)에 비해 작은 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 일예로, 화소전극(120)은 단일층 구조로 구성되도록 상부층인 제2층(120b)가 제거될 수도 있다.
보호막(140)은 단일층이나 다중층으로 구성될 수 있는데, 본 실시예에서는 2중층으로 구성된 경우를 예로 든다. 이처럼, 2중층으로 구성됨에 따라, 앞서 제1실시예에서 언급한 바와 같이, 보호막(140)은 부드러운 요철 형상을 가질 수 있게 되며 그 신뢰성 또한 향상될 수 있게 된다.
한편, 보호막(140) 상에는 금속패턴(170)이 형성될 수 있다. 이와 같은 금속패턴(170)은 하부에 위치하는 보호막(140)에 의해 요철 형상을 갖게 된다.
금속패턴(170)은 도전성을 갖는 금속물질로 이루어질 수 있는데, 특히 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
더욱이, 금속패턴(170)은 단일층이나 다중층 구조로 이루어질 수 있는데, 본 실시예에서는 2중층 구조로 이루어진 경우를 예로 든다. 이와 같은 경우에, 하부층인 제1금속층(170a)과 상부층인 제2금속층(170b)는 전술한 바와 같은 물질들 중 선택된 2개의 물질을 사용하여 구성될 수 있다.
금속패턴(170)을 구성하는 물질은 보호막(140)과의 밀착력이 우수한 물질에 해당된다. 따라서, 금속패턴(170)을, 보호막(140)과 후속 공정에서 형성되는 광도전층(150) 사이에 구성함으로써, 광도전층(150)의 기판(110)에 대한 접착력을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 광도전층(150)은 질화실리콘을 사용한 보호층(140b)과의 접착력이 더욱 좋지 않은데, 이와 같은 경우에 금속패턴(170)은 접착력 향상에 효과적인 역할을 수행할 수 있게 된다.
금속패턴(170)은 화소전극(120)과 이격되어 전기적으로 단선된 상태를 갖도록 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 금속패턴(170)은, 평면적으로 볼 때, 화소전극(120)의 주변영역 중 적어도 일부에 형성될 수 있다. 여기서, 금속패턴(170)은, 화소영역(P)의 면적 대비 대략 10% 내지 90%의 면적을 갖도록 구성될 수 있다.
이와 같이 구성된 금속패턴(170) 상에 광도전층(150)을 형성함에 따라, 광도전층(150)의 접착력은 더욱 향상될 수 있게 된다. 참고로, 화소영역(P) 내 금속패턴(170)의 면적은 화소전극(120)의 면적에 반비례 할 수 있다.
한편, 금속패턴(170)은, 전술한 제1실시예에서의 요철용 패턴의 기능과 유사하게, 전계를 집중시켜 누설전류를 감소시키는 기능 또한 발휘할 수 있게 된다.
즉, 금속패턴(170)은 화소전극(120)의 주변에 형성됨으로써, 상부전극(160)과 화소전극(120) 사이에 발생된 전계는, 금속패턴(170)에 의해 내측 방향으로 유도될 수 있게 된다. 이처럼, 금속패턴(170)은 전계 형성에 대한 가드링 역할을 수행할 수 있게 된다.
한편, 이를 위해 금속패턴(170)에는 화소전극(120)과 반대극성의 전압이 인가되거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
물론, 제2실시예에서는, 요철용 패턴(130)을 가드링으로 기능하도록 구성할 수도 있으며, 금속패턴 및 요철용 패턴(170, 130) 모두를 가드링으로 기능하도록 구성할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판 상에 요철용 패턴을 구성하여 그 상부의 보호막이 요철 형상을 갖도록 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 보호막 상에 형성되는 광도전층과 보호막이 형성된 기판 사이의 접촉 면적이 증가하게 되어, 광도전층의 접착력이 향상될 수 있게 된다.
특히, 요철용 패턴은 화소전극 형성 과정에서 함께 형성될 수 있다. 이에 따라, 보호막에 요철을 형성하기 위해 표면 처리 등의 별도의 공정이 진행되는 경우에 비해, 공정 효율이 향상되는 장점을 갖게 된다.

Claims (13)

  1. 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과;
    상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과;
    상기 보호막 상에 형성된 광도전층과;
    상기 광도전층 상에 형성된 제2전극
    을 포함하는 이미지센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 요철용 패턴은 상기 제1전극과 동일층에 동일한 물질로 형성된 이미지센서.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 요철용 패턴은 상기 제1전극 이상의 두께를 갖는 이미지센서.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 요철 형상의 보호막의 표면 면적은, 평면 상태인 경우의 표면 면적에 비해, 2배 이상인 이미지센서.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 요철용 패턴은 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 이미지센서.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막과 광도전층 사이에 형성되며, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴을 포함하는 이미지센서.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 금속패턴은 Au, Pt, Pd, Cr, Cu, Ti, Ni 중 적어도 하나의 물질로 이루어진 이미지센서.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 산화실리콘으로 이루어진 제1보호층과, 상기 제1보호층 상에 위치하고 질화실리콘으로 이루어진 제2보호층을 포함하는 이미지센서.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제1전극과 요철용 패턴은 다중층 구조인 이미지센서.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 광도전층은 CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3, CdMnTe, CdMg,Te, InI 중 적어도 하나의 물질인 이미지센서.
  11. 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 요철용 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 요철용 패턴 상에 위치하여 표면이 요철 형상을 갖는 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 보호막 상에 광도전층을 형성하는 단계와;
    상기 광도전층 상에 제2전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지센서 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 보호막과 광도전층 사이에, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제1전극과 요철용 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 금속물질층을 형성하는 단계와; 상기 금속물질층 상에 제1포토레지스트패턴과, 상기 제1포토레지스트패턴 보다 얇은 제2포토레지스트패턴을 형성하는 단계와; 상기 제1 및 2포토레지스트패턴을 사용하여 상기 금속물질층을 식각하여, 상기 제1포토레지스트패턴 하부에 상기 요철용 패턴을 형성하고, 상기 제2포토레지스트패턴 하부에 금속패턴을 형성하는 단계와; 애슁 공정을 진행하여, 상기 제2포토레지스트패턴을 제거하는 단계와; 상기 애슁 공정이 진행된 제1포토레지스트패턴을 사용하여 식각 공정을 진행하여, 상기 금속패턴을 일부 제거하여 상기 제1전극을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260625A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Seiko Instr Inc イメージセンサ装置及び製造方法
JP2000031447A (ja) * 1998-06-06 2000-01-28 Koninkl Philips Electron Nv Ｘ線画像センサ
KR20030089674A (ko) * 2003-11-04 2003-11-22 남상희 플라즈마 디스플레이 패널 구조를 이용한 디지털 엑스레이검출기
KR100718881B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법
JP2010206128A (ja) * 2009-03-06 2010-09-16 Seiko Epson Corp 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4621275A (en) 1983-04-30 1986-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
US6025599A (en) * 1997-12-09 2000-02-15 Direct Radiography Corp. Image capture element
US6891194B2 (en) 2001-02-07 2005-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, electromagnetic detector, and liquid crystal display apparatus
FR2833410B1 (fr) * 2001-12-10 2004-03-19 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif d'imagerie
JP5280671B2 (ja) * 2006-12-20 2013-09-04 富士フイルム株式会社 画像検出器および放射線検出システム
US7671385B2 (en) * 2007-03-15 2010-03-02 Powerchip Semiconductor Corp. Image sensor and fabrication method thereof
KR100850289B1 (ko) * 2007-06-08 2008-08-04 (주)실리콘화일 적층 구조의 이미지센서 및 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260625A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Seiko Instr Inc イメージセンサ装置及び製造方法
JP2000031447A (ja) * 1998-06-06 2000-01-28 Koninkl Philips Electron Nv Ｘ線画像センサ
KR20030089674A (ko) * 2003-11-04 2003-11-22 남상희 플라즈마 디스플레이 패널 구조를 이용한 디지털 엑스레이검출기
KR100718881B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법
JP2010206128A (ja) * 2009-03-06 2010-09-16 Seiko Epson Corp 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ

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