KR102263382B1 - 이미지센서 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과; 상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
Description
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킨 이미지센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기존에는, 의료나 공업용 X선 촬영에서 필름과 스크린을 이용한 방식이 사용되었다. 이와 같은 경우에는, 촬영된 필름의 현상 및 보관상의 문제 등에 기인하여 비용 및 시간 측면에서 비효율적이었다.
이를 개선하기 위해, 디지털 방식의 이미지센서가 현재 널리 사용되고 있다. 이미지센서는 간접변환 방식과 직접변환 방식으로 구분될 수 있다.
간접변환 방식은 형광체(scintillator)를 사용하여 X선을 가시광선으로 변환한 후 가시광선을 전기적신호로 변환하게 된다. 반면, 직접변환 방식은 광도전층을 이용하여 X선을 직접 전기적신호로 변환하게 된다. 이러한 직접변환 방식은, 별도의 형광체를 형성할 필요가 없고, 광의 퍼짐 현상 등이 발생하지 않아 고해상도 시스템에 적합한 특징을 갖는다.
직접변환 방식에 사용되는 광도전층은 CMOS 기판 표면 상에 증착되어 형성된다. 그런데, 광도전층은 CMOS 기판 표면의 보호막과 접착력이 좋지 않다. 따라서, 광도전층이 기판 표면으로부터 들뜨게 되는 결함이 발생할 수 있게 된다.
본 발명은 광도전층과 기판의 접착력을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과; 상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성된 광도전층과; 상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
여기서, 상기 요철용 패턴은 상기 제1전극과 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 요철용 패턴은 상기 제1전극 이상의 두께를 가질 수 있다.
상기 요철 형상의 보호막의 표면 면적은, 평면 상태인 경우의 표면 면적에 비해, 2배 이상일 수 있다.
상기 요철용 패턴은 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
상기 보호막과 광도전층 사이에 형성되며, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴을 포함할 수 있다.
상기 금속패턴은 Au, Pt, Pd, Cr, Cu, Ti, Ni 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 보호막은 산화실리콘으로 이루어진 제1보호층과, 상기 제1보호층 상에 위치하고 질화실리콘으로 이루어진 제2보호층을 포함할 수 있다.
상기 제1전극과 요철용 패턴은 다중층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 광도전층은 CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3, CdMnTe, CdMg,Te, InI 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 요철용 패턴을 형성하는 단계와; 상기 요철용 패턴 상에 위치하여 표면이 요철 형상을 갖는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 광도전층을 형성하는 단계와; 상기 광도전층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법을 제공한다.
상기 보호막과 광도전층 사이에, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1전극과 요철용 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 금속물질층을 형성하는 단계와; 상기 금속물질층 상에 제1포토레지스트패턴과, 상기 제1포토레지스트패턴 보다 얇은 제2포토레지스트패턴을 형성하는 단계와; 상기 제1 및 2포토레지스트패턴을 사용하여 상기 금속물질층을 식각하여, 상기 제1포토레지스트패턴 하부에 상기 요철용 패턴을 형성하고, 상기 제2포토레지스트패턴 하부에 금속패턴을 형성하는 단계와; 애슁 공정을 진행하여, 상기 제2포토레지스트패턴을 제거하는 단계와; 상기 애슁 공정이 진행된 제1포토레지스트패턴을 사용하여 식각 공정을 진행하여, 상기 금속패턴을 일부 제거하여 상기 제1전극을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 요철용 패턴을 구성하여 그 상부의 보호막이 요철 형상을 갖도록 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 보호막 상에 형성되는 광도전층과 보호막이 형성된 기판 사이의 접촉 면적이 증가하게 되어, 광도전층의 접착력이 향상될 수 있게 된다.
특히, 요철용 패턴은 화소전극 형성 과정에서 함께 형성될 수 있다. 이에 따라, 보호막에 요철을 형성하기 위해 표면 처리 등의 별도의 공정이 진행되는 경우에 비해, 공정 효율이 향상되는 장점을 갖게 된다.
도 1 및 2는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도.
도 3 내지 6은 본 발명의 제1실시예에 따라 화소전극과 요철용 패턴을 형성하는 방법의 일예를 개략적으로 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 보호막을 2중층 구조로 형성한 경우의 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3 내지 6은 본 발명의 제1실시예에 따라 화소전극과 요철용 패턴을 형성하는 방법의 일예를 개략적으로 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 보호막을 2중층 구조로 형성한 경우의 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 및 2는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 이미지센서(100)를 사용한 X선 영상장치로서는, 다양한 형태나 용도의 X선 영상장치가 사용될 수 있다. 예를 들면, 맘모그래피(mammography) 장치나, CT 장치 등 다양한 X선 영상장치가 사용될 수 있다.
이미지센서(100)는 피검체를 통과한 X선을 검출하여 이를 전기적 신호로 변환하는 구성에 해당된다. 이미지센서(100)는 평면적으로 사각 형상을 갖게 되는데, 이에 한정되지는 않는다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서(100)는 직접변환 방식의 X선 검출소자로서, 입사된 X선을 전기적 신호로 직접 변환하게 된다.
도 1 및 2를 참조하면, 이미지센서(100)에는 매트릭스 형태로 다수의 화소영역(P)이 행라인과 열라인을 따라 배치될 수 있다.
각 화소영역(P)에는 X선을 전기적신호로 변환하는 광전변환소자가 기판(110) 상에 구성될 수 있다.
여기서, 이미지센서(100)에 사용되는 기판(110)으로서, 예를 들면, CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al2O3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS 기판을 사용하는 경우를 예로 든다.
기판(110) 상에는 화소전극(120)과 요철용 패턴(130)이 화소영역(P)에 형성될 수 있다.
화소전극(120)은 광전변화소자를 구성하는 일전극으로서, 예를 들면, 제1전극(120)에 해당된다.
요철용 패턴(130)은 화소전극(120)과 동일한 물질로 이루어지며 화소전극(120)을 형성하는 과정에서 함께 형성되는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다. 여기서, 화소전극(120)과 요철용 패턴(130)은 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
요철용 패턴(130)은 화소영역(P) 중 화소전극(120)이 형성된 영역의 주변 영역에 다수개로 서로 이격되어 형성되며, 화소전극(120)과는 이격되어 전기적으로 연결되지 않은 상태를 갖게 된다. 한편, 요철용 패턴(130)은, 평면적으로 다양한 형태로 형성될 수 있는데, 예를 들면, 도트 형태나 선형 형태 등으로 형성될 수 있다.
이와 같은 요철용 패턴(130)은 그 상부에 형성되는 보호막(140)에 요철이 형성되도록 하는 기능을 하게 된다.
이처럼 보호막(140)에 요철을 형성하기 위해, 요철용 패턴(130)은 일정 정도의 두께감을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.
특히, 요철용 패턴(130)은 화소전극(120) 이상의 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 이와 관련하여 예를 들면, 화소전극(120)은 대략 0.1um의 두께를 갖고 요철용 패턴(130)은 이보다 두꺼운 1.0um 이상의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
여기서, 화소전극(120)과 이보다 두꺼운 두께를 갖는 요철용 패턴(130)을 형성하는 방법과 관련하여, 도 3 내지 6을 참조할 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 기판(110) 상에 금속물질층(111)을 형성하고, 그 상부에 포토레지스트층(115)을 형성하다. 그 후에, 기판(110) 상에 하프톤 마스크나 회절 노광 마스크와 같이 반투과영역(STA)을 갖는 포토마스크(190)를 위치시키고, 노광 공정을 진행하게 된다. 한편, 설명의 편의를 위해, 포토레지스트층(115)으로서는 빛을 받은 부분이 제거되는 파지티브 타입(positive type) 포토레지스트층이 사용되는 경우를 예로 든다.
여기서, 포토마스크(190)는 반투과영역(STA)과 더불어 차단영역(BA), 투과영역(TA)을 포함하고, 반투과영역(STA)은 화소전극(120)이 형성될 부분에 대응하고, 차단영역(BA)은 요철용 패턴(130)이 형성될 부분에 대응하고, 투과영역(TA)은 나머지 부분에 대응하도록 포토마스크(190)를 배치할 수 있다.
이와 같은 배치관계에 따라 노광공정을 진행하고 포토레지스트층(115)을 현상(develop)하게 되면, 도 4에 도시한 바와 같이, 서로 다른 두께를 갖는 제1 및 2포토레지스트패턴(115a, 115b)가 형성된다. 여기서, 제1포토레지스트패턴(115a)은 제2포토레지스트패턴(115b)에 비해 큰 두께를 갖게 된다.
그 후에, 제1 및 2포토레지스트패턴(115a, 115b)을 식각 마스크로 사용하여 금속물질층(111)에 대한 제1식각 공정을 진행하게 되면, 제1 및 2포토레지스터패턴(115a, 115b) 각각의 하부에는 제1 및 2금속패턴(111a, 111b)가 형성된다. 여기서, 제1금속패턴(111a)은 요철용 패턴(130)에 해당된다.
다음으로, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 및 2포토레지스트패턴(115a, 115b)에 대해 애슁(ashing) 공정을 진행하여 제2포토레지스트패턴(115b)을 제거하고, 이에 따라 제2금속패턴(111b)은 노출된 상태가 된다. 이때, 제1포토레지스트패턴(115a) 또한 일정 두께 만큼 제거된 상태로 제1금속패턴(111a) 즉, 요철용 패턴(130) 상에 남겨지게 된다.
다음으로, 도 6에 도시한 바와 같이, 제2식각 공정을 진행하여 제2금속패턴(111b)를 일정 두께만큼 식각함으로써, 화소전극(120)을 형성하게 된다.
전술한 바와 같은 방법을 통해, 화소전극(120)과 이보다 두꺼운 두께를 갖는 요철용 패턴(130)을 하나의 포토마스크 공정으로 형성할 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 요철용 패턴(130)과 화소전극(120) 상에는 보호막(140)이 형성된다. 보호막(140)에는 화소전극(120)을 노출하는 패드홀(141)이 형성된다. 보호막(140)은 무기절연물질이나 유기절연물질로 형성될 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 보호막(140)은, 하부에 형성된 요철용 패턴(130)에 의해 그 표면이 요철 형상을 갖게 된다.
즉, 요철용 패턴(130)이 형성된 영역에는 상부로 돌출된 철부가 형성되고, 요철용 패턴(130)이 형성되지 않은 부분 즉 요철용 패턴(130) 사이의 이격 영역에는 하부로 요입된 요부가 형성되어, 보호막(140)의 표면은 요철 형상을 이루게 된다.
이처럼, 보호막(140)의 표면이 요철 형상을 이루게 됨에 따라, 그 표면적이 증가할 수 있게 된다. 이처럼, 보호막(140)의 표면적 증가에 의해, 그 상부에 형성되는 광도전층(150)과의 접촉 면적이 증가하게 되어, 결과적으로 광도전층(150)의 기판에 대한 접착력이 향상될 수 있게 된다.
표면이 요철 형상을 갖는 보호막(140)은, 표면이 평면 형상을 갖는 보호막에 비해, 표면적이 대략 2배 이상이 되도록 구성하는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 보호막(140)은 도 2에 도시한 바와 같이 단일층 구조로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다, 에를 들면, 보호막(140)은 다중층 구조로 이루어질 수 있는데, 이와 관련하여 2중층 구조로 이루어진 보호막(140)에 대해 도 7을 참조할 수 있다.
도 7을 참조하면, 보호막(140)은 하부의 제1보호층(140a)과 상부의 제2보호층(140b)로 구성될 수 있다. 여기서, 제1보호층(140a)은 소프트(soft)한 특성을 갖는 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지고, 제2보호층(140b)은 하드(hard)한 특성을 갖는 질화실리콘(Si3N4)로 이루어지는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다.
이와 같은 적층 구조와 관련하여, 질화실리콘만을 사용하는 경우에 하드한 특성에 따라 요철 형상이 부드럽게(smooth) 구현되지 않게 되며, 이로 인해 크랙이나 핀홀(pinhole)과 같은 결함이 발생되어 전류 누설이 유발될 수 있다.
이를 개선하기 위해, 하부에 보다 소프트한 특성을 갖는 산화실리콘층 즉 제1보호층(140a)을 구성하게 된다. 이에 따라, 제1보호층(140a)에는 부드러운 요철 형상이 형성될 수 있게 되며, 그 상부에 형성되는 질화실리콘으로 이루어진 제2보호층(140b) 또한 제1보호층(140a)의 부드러운 요철 형상이 그대로 반영될 수 있게 되고, 이로 인해 제2보호층(140b)의 결함 발생을 최소화시킬 수 있게 된다. 더욱이, 제2보호층(140b)에 결함이 발생하더라도, 제1보호층(140a)이 하부에 형성됨에 따라 결함 발생에 따른 전류 누설 등의 문제는 방지될 수 있게 된다.
전술한 보호막(140) 상에는 광도전층(150)이 형성된다. 광도전층(150)은 X선이 입사되면 전자-정공 쌍을 발생시키게 된다. 광도전층(150)으로서는, 우수한 전하 이동 특성, 높은 흡수 계수, 낮은 암 전류, 낮은 전자-정공 쌍 발생 에너지의 특성을 가질 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들면, CdTe, CdZnTe, PbO, PbI2, HgI2, GaAs, Se, TlBr, BiI3, CdMnTe, CdMg,Te, InI와 같은 광도전물질 그룹 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
광도전층(150)이 형성된 기판(110) 상에는, 실질적으로 기판(110) 전체에 걸쳐 상부전극(160)이 형성될 수 있다. 상부전극(160)에는 바이어스전압이 인가될 수 있다. 상부전극(160)은 광전변환소자를 구성하는 타전극으로서, 예를 들면 제2전극(160)에 해당된다. 제2전극(160)은, 예를 들면, Au로 형성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 이미지센서(100)에 있어, 요철용 패턴(130)은 보호막(140)이 요철 형상을 갖도록 하는 기능뿐만 아니라, 제1 및 2전극(120, 160) 사이의 전계를 집중시켜 누설전류를 감소시키는 기능 또한 발휘할 수 있게 된다.
이와 관련하여, 요철용 패턴(130)은 제1전극(120)의 주변에 형성됨으로써, 제2전극(160)과 제1전극(120) 사이에 발생된 전계는, 요철용 패턴(130)에 의해 내측 방향으로 유도될 수 있게 된다. 이처럼, 요철용 패턴(130)은 전계 형성에 대한 가드링(guard ring) 역할을 수행할 수 있게 된다.
한편, 이를 위해 요철용 패턴(130)에는 전압이 인가되거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서의 화소 부분을 개략적으로 도시한 단면도이다. 설명의 편의를 위해, 제1실시예와 동일 유사한 부분에 대한 설명을 생략할 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 이미지센서(100)는, 기판(110) 상에 형성된 화소전극(120)과 화소전극(120) 주변에 형성된 요철용 패턴(130)과, 이들 상에 형성된 보호막(140)과, 보호막(140) 상에 형성된 금속패턴(170)과, 금속패턴(170) 상에 형성되며 화소전극(120)과 접촉하는 광도전층(150)과, 광도전층(150) 상에 형성된 상부전극(160)을 포함할 수 있다.
여기서, 화소전극 및 요철용 패턴(120, 130)은, 전술한 제1실시예와 유사하게, 동일한 공정에서 형성되며, 이들은 다중층 구조로 이루어질 수 있다. 여기서, 설명의 편의를 위해, 화소전극 및 요철용 패턴(120, 130)은 2중층 구조로 이루어진 경우를 예로 든다.
이처럼, 2중층 구조로 이루어진 경우에, 화소전극 및 요철용 패턴(120, 130)의 하부층인 제1층(120a, 130a)은 알루미늄(Al)으로 이루어지고, 상부층인 제2층(120b, 130b)은 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.
위와 같이, 다중층 구조로 이루어지는 경우에, 요철용 패턴(130)은 다중층 구조로 인해 요철 패턴 형성을 위한 두께감을 가질 수 있게 된다.
이와 같은 경우에, 화소전극(120)과 요철용 패턴(130)은 동일한 두께를 갖도록 이루어질 수 있으며, 이때에는 노광 공정 진행시 포토마스크는 반투과영역을 구비하지 않아도 된다.
물론, 필요에 따라, 제1실시예와 유사하게 반투과영역을 갖는 포토마스크를 사용하여 화소전극(120)을 부분적으로 식각함으로써, 화소전극(120)이 요철용 패턴(130)에 비해 작은 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 일예로, 화소전극(120)은 단일층 구조로 구성되도록 상부층인 제2층(120b)가 제거될 수도 있다.
보호막(140)은 단일층이나 다중층으로 구성될 수 있는데, 본 실시예에서는 2중층으로 구성된 경우를 예로 든다. 이처럼, 2중층으로 구성됨에 따라, 앞서 제1실시예에서 언급한 바와 같이, 보호막(140)은 부드러운 요철 형상을 가질 수 있게 되며 그 신뢰성 또한 향상될 수 있게 된다.
한편, 보호막(140) 상에는 금속패턴(170)이 형성될 수 있다. 이와 같은 금속패턴(170)은 하부에 위치하는 보호막(140)에 의해 요철 형상을 갖게 된다.
금속패턴(170)은 도전성을 갖는 금속물질로 이루어질 수 있는데, 특히 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
더욱이, 금속패턴(170)은 단일층이나 다중층 구조로 이루어질 수 있는데, 본 실시예에서는 2중층 구조로 이루어진 경우를 예로 든다. 이와 같은 경우에, 하부층인 제1금속층(170a)과 상부층인 제2금속층(170b)는 전술한 바와 같은 물질들 중 선택된 2개의 물질을 사용하여 구성될 수 있다.
금속패턴(170)을 구성하는 물질은 보호막(140)과의 밀착력이 우수한 물질에 해당된다. 따라서, 금속패턴(170)을, 보호막(140)과 후속 공정에서 형성되는 광도전층(150) 사이에 구성함으로써, 광도전층(150)의 기판(110)에 대한 접착력을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 광도전층(150)은 질화실리콘을 사용한 보호층(140b)과의 접착력이 더욱 좋지 않은데, 이와 같은 경우에 금속패턴(170)은 접착력 향상에 효과적인 역할을 수행할 수 있게 된다.
금속패턴(170)은 화소전극(120)과 이격되어 전기적으로 단선된 상태를 갖도록 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 금속패턴(170)은, 평면적으로 볼 때, 화소전극(120)의 주변영역 중 적어도 일부에 형성될 수 있다. 여기서, 금속패턴(170)은, 화소영역(P)의 면적 대비 대략 10% 내지 90%의 면적을 갖도록 구성될 수 있다.
이와 같이 구성된 금속패턴(170) 상에 광도전층(150)을 형성함에 따라, 광도전층(150)의 접착력은 더욱 향상될 수 있게 된다.
한편, 금속패턴(170)은, 전술한 제1실시예에서의 요철용 패턴의 기능과 유사하게, 전계를 집중시켜 누설전류를 감소시키는 기능 또한 발휘할 수 있게 된다.
즉, 금속패턴(170)은 화소전극(120)의 주변에 형성됨으로써, 상부전극(160)과 화소전극(120) 사이에 발생된 전계는, 금속패턴(170)에 의해 내측 방향으로 유도될 수 있게 된다. 이처럼, 금속패턴(170)은 전계 형성에 대한 가드링 역할을 수행할 수 있게 된다.
한편, 이를 위해 금속패턴(170)에는 전압이 인가되거나 플로팅 상태를 가질 수 있다.
물론, 제2실시예에서는, 요철용 패턴(130)을 가드링으로 기능하도록 구성할 수도 있으며, 금속패턴 및 요철용 패턴(170, 130) 모두를 가드링으로 기능하도록 구성할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판 상에 요철용 패턴을 구성하여 그 상부의 보호막이 요철 형상을 갖도록 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 보호막 상에 형성되는 광도전층과 보호막이 형성된 기판 사이의 접촉 면적이 증가하게 되어, 광도전층의 접착력이 향상될 수 있게 된다.
특히, 요철용 패턴은 화소전극 형성 과정에서 함께 형성될 수 있다. 이에 따라, 보호막에 요철을 형성하기 위해 표면 처리 등의 별도의 공정이 진행되는 경우에 비해, 공정 효율이 향상되는 장점을 갖게 된다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
100: 이미지센서 110: 기판
120: 화소전극 130: 요철용 패턴
140: 보호막 141: 패드홀
150: 광도전층 160: 상부전극
120: 화소전극 130: 요철용 패턴
140: 보호막 141: 패드홀
150: 광도전층 160: 상부전극
Claims (13)
- 삭제
- 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과;
상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과;
상기 보호막 상에 형성된 광도전층과;
상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하고,
상기 요철용 패턴은 상기 제1전극과 동일층에 동일한 물질로 형성된
이미지센서.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과;
상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과;
상기 보호막 상에 형성된 광도전층과;
상기 광도전층 상에 형성된 제2전극과;
상기 보호막과 광도전층 사이에 형성되며, 단일층이나 다중층 구조를 갖고, 전압을 인가받거나 플로팅 상태를 갖는 금속패턴
을 포함하는 이미지센서.
- 제 6 항에 있어서,
상기 금속패턴은 Au, Pt, Pd, Cr, Cu, Ti, Ni 중 적어도 하나의 물질로 이루어진 이미지센서.
- 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과;
상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과;
상기 보호막 상에 형성된 광도전층과;
상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하고,
상기 보호막은 산화실리콘으로 이루어진 제1보호층과, 상기 제1보호층 상에 위치하고 질화실리콘으로 이루어진 제2보호층을 포함하는
이미지센서.
- 기판 상에, 제1전극과 상기 제1전극 주변 영역에 형성된 요철용 패턴과;
상기 요철용 패턴 상에 형성되어 표면이 요철 형상을 갖는 보호막과;
상기 보호막 상에 형성된 광도전층과;
상기 광도전층 상에 형성된 제2전극을 포함하고,
상기 제1전극과 요철용 패턴은 다중층 구조인
이미지센서.
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