JPH03135069A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH03135069A JPH03135069A JP1273185A JP27318589A JPH03135069A JP H03135069 A JPH03135069 A JP H03135069A JP 1273185 A JP1273185 A JP 1273185A JP 27318589 A JP27318589 A JP 27318589A JP H03135069 A JPH03135069 A JP H03135069A
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- JP
- Japan
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- region
- type
- conductivity type
- high concentration
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
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- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、固体撮像素子に関し、特に、埋め込み型にな
された光電変換領域を有する固体撮像素子に関する。
された光電変換領域を有する固体撮像素子に関する。
［従来の技術］
第３図（ａ）は、従来の埋め込み型光電変換領域を有す
る固体撮像素子の平面図であり、第３図（ｂ）、（ｃ）
はそれぞれそのＢ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ′線断面図である。
る固体撮像素子の平面図であり、第３図（ｂ）、（ｃ）
はそれぞれそのＢ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ′線断面図である。
第３図に示すように、ｎ型半導体基板１上にはｐ型ウェ
ル２が設けられ、該ｐ型ウェル２内には、ｎ型の光電変
換領域４と同じくｎ型の電荷転送領域３が形成されてい
る。光電変換領域４上にはゲート部ｐ型領域２ａに隣接
した電荷読み出し用領域４ａとなる部分を除いて高濃度
ｐ型頭域５が形成されている。この高濃度ｐ型頭域５は
光電変換領域４問および光電変換領域と電荷転送領域３
との間にも形成されてチャネルストップの役割も果たし
ている。半導体基板上には酸化膜７に囲まれて転送型ｆ
ｌｉｉ８が形成されており、さらにその上には層間絶縁
膜１０を介して光電変換領域４以外の部分を遮光する遮
光Ｍ９が形成されている。
ル２が設けられ、該ｐ型ウェル２内には、ｎ型の光電変
換領域４と同じくｎ型の電荷転送領域３が形成されてい
る。光電変換領域４上にはゲート部ｐ型領域２ａに隣接
した電荷読み出し用領域４ａとなる部分を除いて高濃度
ｐ型頭域５が形成されている。この高濃度ｐ型頭域５は
光電変換領域４問および光電変換領域と電荷転送領域３
との間にも形成されてチャネルストップの役割も果たし
ている。半導体基板上には酸化膜７に囲まれて転送型ｆ
ｌｉｉ８が形成されており、さらにその上には層間絶縁
膜１０を介して光電変換領域４以外の部分を遮光する遮
光Ｍ９が形成されている。
動作時には、ｐ型ウェル２および高濃度ｐ型領域５は接
地電位に固定され、半導体基板１は正電位Ｖｓにバイア
スされる。光電変換領域４内に蓄積された信号電荷は、
転送電極８に読み出しパルスが加えられることによりゲ
ート部ｐ型領域２ａを介して電荷転送領域３に移され、
該領域内を出力部まで逐次転送される。
地電位に固定され、半導体基板１は正電位Ｖｓにバイア
スされる。光電変換領域４内に蓄積された信号電荷は、
転送電極８に読み出しパルスが加えられることによりゲ
ート部ｐ型領域２ａを介して電荷転送領域３に移され、
該領域内を出力部まで逐次転送される。
このように構成された固体撮像素子では、界面準位によ
り基板表面で発生する電子は、光電変換領域４上を覆う
高濃度ｐ型領域５内において該領域内に豊富に存在する
正孔と再結合するので、上記電子の信号電荷への混入か
抑制され、暗電流が低減せしめられる。
り基板表面で発生する電子は、光電変換領域４上を覆う
高濃度ｐ型領域５内において該領域内に豊富に存在する
正孔と再結合するので、上記電子の信号電荷への混入か
抑制され、暗電流が低減せしめられる。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の固体撮像素子では、基板表面に高濃度ｐ
型領域を設けることにより基板表面で発生した電子を受
光部に流れ込む前に正孔と再結合させていたが、上記電
子が正孔と再結合できなかった場合、または再結合によ
り発生した光子が受光部で再吸収された場合には、上記
電子が暗電流成分に寄与してしまう。
型領域を設けることにより基板表面で発生した電子を受
光部に流れ込む前に正孔と再結合させていたが、上記電
子が正孔と再結合できなかった場合、または再結合によ
り発生した光子が受光部で再吸収された場合には、上記
電子が暗電流成分に寄与してしまう。
［課題を解決するための手段］
本発明の固体撮像素子は、埋め込み型光電変換領域を有
する従来の固体撮像素子に対し、光電変換領域上に設け
られた高濃度ｐ型領域の表面にさらにｎ型の半導体薄層
を設けたものである。
する従来の固体撮像素子に対し、光電変換領域上に設け
られた高濃度ｐ型領域の表面にさらにｎ型の半導体薄層
を設けたものである。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す平面図であり
、第１図（ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ第１図（ａ＞のＢ
−Ｂ’線、ｃ−ｃ’線断面図である。第１図において、
第３図の従来例の部分と同等の部分には同一の参照番号
が付せられているので重複した説明は省略するが、本実
施例では、高濃度ｐ壁領域５上に、平面形状がほぼ光電
変換領域４と同一で、その電荷読み出し用領域４ａと接
触することのない高濃度ｎ型領域６が設けられている。
、第１図（ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ第１図（ａ＞のＢ
−Ｂ’線、ｃ−ｃ’線断面図である。第１図において、
第３図の従来例の部分と同等の部分には同一の参照番号
が付せられているので重複した説明は省略するが、本実
施例では、高濃度ｐ壁領域５上に、平面形状がほぼ光電
変換領域４と同一で、その電荷読み出し用領域４ａと接
触することのない高濃度ｎ型領域６が設けられている。
高濃度ｎ型領域６は、第１図（ａ＞に示すように、他の
高濃度ｎ型領域と上下方向に互いに接続されいる。
高濃度ｎ型領域と上下方向に互いに接続されいる。
動作時において、このｎ型領域６には正電圧Ｖが印加さ
れる。よって、基板表面で発生した界面準位による電子
は速やかに電源側へ引き抜かれ、暗電流にはならない。
れる。よって、基板表面で発生した界面準位による電子
は速やかに電源側へ引き抜かれ、暗電流にはならない。
第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明の他の実施例を示す断
面図である。先の実施例では、高濃度ｎ型領域６は拡散
若しくはイオン注入技術などにより形成された領域であ
ったが、本実施例では、これに替えてｎ型不純物が高濃
度にドープされたｎ型ポリシリコンＲ６ａが用いられて
いる。本実施例によれば、ポリシリコンにより拡散やイ
オン注入技術では形成しにくい、浅い接合を容易に形成
することができる。
面図である。先の実施例では、高濃度ｎ型領域６は拡散
若しくはイオン注入技術などにより形成された領域であ
ったが、本実施例では、これに替えてｎ型不純物が高濃
度にドープされたｎ型ポリシリコンＲ６ａが用いられて
いる。本実施例によれば、ポリシリコンにより拡散やイ
オン注入技術では形成しにくい、浅い接合を容易に形成
することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、光電変換領域上のｔＲ
造をｎ′″ｐ” ｎｔＲ造とし、基板表面のｎ′型領領
域逆バイアスを印加するものであるので、本発明によれ
は、界面準位により発生した電子を速やかに電源（ｌ！
ｌＩｆ＼引き抜く二とができ、暗電流３大幅に低減させ
る二とがてきる。
造をｎ′″ｐ” ｎｔＲ造とし、基板表面のｎ′型領領
域逆バイアスを印加するものであるので、本発明によれ
は、界面準位により発生した電子を速やかに電源（ｌ！
ｌＩｆ＼引き抜く二とができ、暗電流３大幅に低減させ
る二とがてきる。
第１図（ａ＞は、本発明の一実施例を示す平面図、第１
図（ｂ）、第１図（ｃ）は、そのＢ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′
線断面図、第２図（ａ）、第２図（ｂ）は、本発明の池
の実施例を示す断面図、第３図（ａ）は、従来例を示す
平面図、第３図（ｂ）、第３図（ｃ）は、そのＢ−Ｂ’
線、ｃ−ｃ′′断面図である。 ］・・ｎ型半導体基板、 ２・・・ｐ型ウェル、２ａ
・・・ゲート部ｐ型領域、 ３・・・電荷転送領域、・
１・光電変換領域、 ４ａ・・電荷読み出し用領域
、 ５・・・高濃度ｐ型領域、 ６・・高濃度ｎ型
領域、 ６ａ・・・ｎ型ポリシリコン層、７・・酸化
膜、 ８・・・転送電極、 ９・・・遮光膜、
１０・・・層間絶縁膜。
図（ｂ）、第１図（ｃ）は、そのＢ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′
線断面図、第２図（ａ）、第２図（ｂ）は、本発明の池
の実施例を示す断面図、第３図（ａ）は、従来例を示す
平面図、第３図（ｂ）、第３図（ｃ）は、そのＢ−Ｂ’
線、ｃ−ｃ′′断面図である。 ］・・ｎ型半導体基板、 ２・・・ｐ型ウェル、２ａ
・・・ゲート部ｐ型領域、 ３・・・電荷転送領域、・
１・光電変換領域、 ４ａ・・電荷読み出し用領域
、 ５・・・高濃度ｐ型領域、 ６・・高濃度ｎ型
領域、 ６ａ・・・ｎ型ポリシリコン層、７・・酸化
膜、 ８・・・転送電極、 ９・・・遮光膜、
１０・・・層間絶縁膜。
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板上に設けられた第２導電型ウ
ェルの表面領域内に第１導電型の光電変換領域と第１導
電型の電荷転送領域が設けられ、前記光電変換領域の表
面にその電荷読み出し用領域部分を除いて第２導電型の
表面領域が形成されている固体撮像素子において、前記
表面領域上には前記光電変換領域を覆う形状でかつ前記
光電変換領域とは接触しない第１導電型の半導体薄層が
形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273185A JPH03135069A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273185A JPH03135069A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03135069A true JPH03135069A (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=17524285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273185A Pending JPH03135069A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03135069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7511750B2 (en) | 2003-08-20 | 2009-03-31 | Sony Corporation | Photo-electric converting device and its driving method, and its manufacturing method, solid-state image pickup device and its driving method and its manufacturing method |
| JP2012124515A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-06-28 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1273185A patent/JPH03135069A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7511750B2 (en) | 2003-08-20 | 2009-03-31 | Sony Corporation | Photo-electric converting device and its driving method, and its manufacturing method, solid-state image pickup device and its driving method and its manufacturing method |
| JP2012124515A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-06-28 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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