KR20100003293A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (42)
- 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치로서,소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과,플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와,상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리실로 전파하는 도파관과,상기 도파관의 일단에 연결된 도파관-동축관 변환기와,마이크로파가 상기 도파관-동축관 변환기로부터 상기 처리실로 전파되는 라인을 형성하는 동축관으로서, 이 동축관의 내부 도전체는 중공부를 갖는 것인 동축관과,상기 동축관의 내부 도전체의 중공부를 통해 상기 처리실로 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리실 내에서 기판을 탑재하는 서셉터와,마이크로파를 상기 처리실 내로 도입하는 유전체창을 더 포함하고,상기 유전체창은 상기 서셉터와 대향하는 천정면으로 기능하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 유전체창은 상기 내부 도전체의 중공부와 연통하는 가스 분사 구멍을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 유전체창은 평면 안테나의 구성 요소 중 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 평면 안테나는 상기 동축관의 일단에 전자기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 평면 안테나는 슬롯 안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 슬롯 안테나는 래디얼 라인 슬롯 안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 평면 안테나는 상기 동축관의 내부 도전체의 둘레에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 도파관-동축관 변환기는 상기 도파관에서의 전송 모드를 상기 동축관에서의 TEM 모드로 바꾸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 도파관은 정사각형 형상이고, 상기 내부 도전체의 일단부가 정사각형 형상의 상기 도파관 내로 돌출되어 있고, 이 돌출된 단부는 상기 도파관-동축관 변환기에서 돌출 방향을 따라 두꺼워지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 중공부는, 처리 가스가 상기 내부 도전체의 상기 돌출된 단부 내에 형성되어 있는 도입구로부터 상기 중공부 내에 도입되어 상기 처리실 내를 향하는 구멍으로부터 분사되도록, 상기 동축관의 내부 도전체를 관통하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 동축관의 내부 도전체는 냉매가 흐르는 냉매관을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,처리 가스를 상기 처리실로 도입하기 위한 제 2 처리 가스 도입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 처리 가스 공급부는 처리 가스를 상기 처리실 내의 중심부로 분사하는 측벽 분사 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 처리 가스 공급부를 통해 상기 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 제어하는 제 1 유량 제어부와,상기 제 2 처리 가스 공급부를 통해 상기 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 제어하는 제 2 유량 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 서셉터에 자기 바이어스 전압을 발생시키기 위해 RF파를 상기 서셉터에 인가하는 RF파 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리실의 주위에 자기장을 형성하기 위해 상기 처리실을 둘러쌈으로서 상기 처리실 내의 플라즈마에 전자 공명을 일으키는 자기장 발생부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 감압 배기 가능한 처리실에 수납하고, 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판에 상기 소정의 플라즈마 처리를 실시하기 위해 처리 가스와 마이크로파를 상기 처리실로 도입하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,상기 마이크로파를 마이크로파 발생기로부터 상기 처리실로 전파하는 마이크로파 전송 라인을 포함하고,상기 마이크로파 전송 라인의 일단부를 포함하는 상기 마이크로파 전송 라인의 소정 부분이 동축 라인으로 형성되고,상기 동축라인의 내부 도전체가 처리 가스를 상기 처리실로 도입하기 위한 중공관으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 감압 배기 가능한 처리실에 수납하고, 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판에 상기 소정의 플라즈마 처리를 실시하기 위해 처리 가스와 마이크로파를 처리실로 도입하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,상기 마이크로파를 마이크로파 발생기로부터 상기 처리실로 전파하는 마이크로파 전송 라인으로서, 이 마이크로파 전송 라인의 일단부를 포함하는 상기 마이크로파 전송 라인의 소정 부분이 동축 라인으로 형성되고, 상기 동축 라인의 내부 도전체가 중공관으로 형성되는 것인 마이크로파 전송 라인과,상기 중공관을 통해 상기 처리실 내의 플라즈마 처리를 감시하는 모니터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 모니터부는 상기 처리실 내에서의 플라즈마의 발광을 분광학적으로 측정하는 플라즈마 발광 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 모니터부는 상기 처리실 내의 서셉터 상에 유지된 기판 상의 막 두께를 측정하는 광 두께 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 모니터부는 상기 처리실 내의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하기 위해 플라즈마를 이용하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과,플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와,마이크로파를 상기 처리실 내로 도입하는 유전체창과,상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 유전체창으로 전파하는 마이크로파 전송 라인과,처리 가스를 상기 처리실로 공급하기 위해 유전체창을 관통하여 처리실로 연장된 가스관을 포함하는 제 1 처리 가스 공급부를 포함하고,상기 가스관은 전기적으로 도전성이며 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 가스관은 상기 유전체창의 일부를 관통하는 것을 특징으로 하는 플라즈 마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 가스관은 상기 유전체창의 대략 중심을 관통하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 23 항에 있어서,복수개의 상기 가스관이 상기 유전체창의 복수개의 대응 부분을 관통하고, 상기 복수개의 부분은 상기 유전체창의 대략 중심에 대해 대칭으로 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 가스관의 가스 분사부는 상기 유전체창으로부터 상기 처리실 내로 돌출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 가스관의 상기 가스 분사부는 상기 유전체창으로부터 10 mm 이상 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 처리실 내에서 기판을 탑재하는 서셉터를 더 포함하고, 상기 유전체창이 상기 서셉터와 대향하는 천정면으로 기능하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 서셉터에 자기 바이어스 전압을 발생시키기 위해 RF파를 인가하는 RF파 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 유전체창은 평면 안테나의 구성 요소 중 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 평면 안테나는 래디얼 라인 슬롯 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 마이크로파 전송 라인은 그 일단부가 상기 평면 안테나에 연결된 동축관을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 33 항에 있어서,상기 가스관은 내부 도전체 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 34 항에 있어서,상기 내부 도전체는 가스 통과에 이용가능한 중공부를 포함하고 있고, 상기 중공부는 상기 내부 도전체의 중심축을 따라 연장하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 35 항에 있어서,상기 가스관은 상기 중공부와 연통하고, 상기 유전체창에 형성된 관통 구멍을 통해 상기 처리실 내로 연장하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 33 항에 있어서,상기 마이크로파 전송 라인은,일단이 상기 마이크로파 발생기에 연결된 도파관과,상기 도파관에서의 전자파의 전송 모드를 상기 동축관에서의 다른 전송 모드로 바꾸기 위해 상기 도파관의 타단을 상기 동축관의 일단에 연결하는 도파관-동축관 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 23 항에 있어서,처리 가스를 상기 처리실로 도입하기 위한 제 2 처리 가스 도입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 38 항에 있어서,상기 제 2 처리 가스 공급부는 처리 가스를 상기 처리실 내의 중심부로 분사하는 측벽 분사 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 38 항에 있어서,상기 제 1 처리 가스 공급부를 통해 상기 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 제어하는 제 1 유량 제어부와상기 제 2 처리 가스 공급부를 통해 상기 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 제어하는 제 2 유량 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하기 위해 플라즈마를 이용하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 처리실과,상기 처리실을 감압 배기하는 배기부와,처리 가스를 상기 처리실로 공급하고, 전기적으로 도전성이며 접지되어 있는 가스 공급 라인과,플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와,마이크로파를 상기 처리실 내로 도입하고, 상기 가스 공급 라인 둘레에 연장 하는 유전체창과,상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 유전체창으로 전파하는 마이크로파 전송 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 41 항에 있어서,상기 가스 공급 라인의 가스 분사부가 상기 유전체창으로부터 상기 처리실 내로 돌출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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---|---|---|---|---|
KR20130040025A (ko) * | 2011-10-13 | 2013-04-23 | 세메스 주식회사 | 마이크로파 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20150009941A (ko) * | 2013-07-17 | 2015-01-27 | 램 리써치 코포레이션 | 공냉식 페러데이 차폐부 및 이를 사용하기 위한 방법들 |
US8974628B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-03-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment device and optical monitor device |
KR20170005140A (ko) * | 2014-05-28 | 2017-01-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 완전 평면 소스로서의 통합형 유도성 코일 및 마이크로파 안테나 |
KR20220032650A (ko) * | 2017-05-10 | 2022-03-15 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | 펄스된, 양방향 무선 주파수 소스/부하 |
Families Citing this family (288)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5520455B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8291857B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8771537B2 (en) * | 2009-08-20 | 2014-07-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment device and plasma treatment method |
WO2012002232A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
US9728429B2 (en) * | 2010-07-27 | 2017-08-08 | Lam Research Corporation | Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers |
JP5709505B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および記憶媒体 |
GB201021870D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
GB201021853D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
GB201021865D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
GB201021860D0 (en) * | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for diamond synthesis |
GB201021855D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave power delivery system for plasma reactors |
GB201021913D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
JP5913362B2 (ja) * | 2010-12-23 | 2016-04-27 | エレメント シックス リミテッド | 合成ダイヤモンド材料のドーピングの制御 |
JP5955062B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2016-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5368514B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5377587B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
KR101372333B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2014-03-14 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP5483245B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2014-05-07 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
DE102012103425A1 (de) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
US9948214B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability |
CN102744026B (zh) * | 2012-06-25 | 2013-12-11 | 电子科技大学 | 一种封闭式频率可调谐振式微波反应腔 |
CN102760634A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-31 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 半导体制造系统 |
WO2014052301A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | Applied Materials, Inc. | Controlling temperature in substrate processing systems |
JP2014096553A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
KR101954999B1 (ko) * | 2013-01-14 | 2019-03-06 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 그라펜을 형성시키는 방법 및 시스템 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
JP6006145B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び疎水化処理用記録媒体 |
KR102130061B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-07-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 매우 대칭적인 4-폴드 가스 주입부를 갖는 플라즈마 반응기 |
US9867269B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Starfire Industries, Llc | Scalable multi-role surface-wave plasma generator |
US8889534B1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-11-18 | Tokyo Electron Limited | Solid state source introduction of dopants and additives for a plasma doping process |
US9660314B1 (en) * | 2013-07-24 | 2017-05-23 | Hrl Laboratories, Llc | High efficiency plasma tunable antenna and plasma tuned delay line phaser shifter |
US20150118416A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and method |
KR101980313B1 (ko) * | 2014-01-24 | 2019-05-20 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 |
JP6410622B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US20150279626A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Mks Instruments, Inc. | Microwave plasma applicator with improved power uniformity |
US9653266B2 (en) * | 2014-03-27 | 2017-05-16 | Mks Instruments, Inc. | Microwave plasma applicator with improved power uniformity |
SG10201810902WA (en) * | 2014-06-13 | 2019-01-30 | Applied Materials Inc | Dual auxiliary dopant inlets on epi chamber |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
CN106298419B (zh) * | 2015-05-18 | 2018-10-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 电感耦合等离子体处理系统及处理方法 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
FR3042091B1 (fr) * | 2015-10-05 | 2017-10-27 | Sairem Soc Pour L'application Ind De La Rech En Electronique Et Micro Ondes | Dispositif elementaire d’application d’une energie micro-onde avec applicateur coaxial |
US10233543B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with multiple fluid delivery zones |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
EP3372705A4 (en) * | 2015-11-04 | 2019-07-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science | PROCESS AND PRODUCTION DEVICE FOR NITROGEN COMPOUND |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9831066B1 (en) | 2016-05-27 | 2017-11-28 | Mks Instruments, Inc. | Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
JP6749258B2 (ja) | 2017-01-31 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ源、マイクロ波プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
JP6698560B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ源、マイクロ波プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
JP6890459B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び制御方法 |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US20190051495A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Qiwei Liang | Microwave Reactor For Deposition or Treatment of Carbon Compounds |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
JP2019192606A (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | アンテナ装置、および、プラズマ処理装置 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10978278B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-04-13 | Tokyo Electron Limited | Normal-incident in-situ process monitor sensor |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11322336B2 (en) | 2018-10-05 | 2022-05-03 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
JP7097793B2 (ja) | 2018-10-17 | 2022-07-08 | 株式会社Kelk | 検出装置 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
US11388809B2 (en) * | 2019-03-25 | 2022-07-12 | Recarbon, Inc. | Systems for controlling plasma reactors |
CN111755308B (zh) * | 2019-03-27 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
CN110453202B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-08-25 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种天线位置可调的波导模式转换器及mpcvd装置 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
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TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
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CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
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KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
CN111900069B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-01-31 | 哈尔滨工业大学 | 一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
CN117015128A (zh) * | 2021-03-09 | 2023-11-07 | 珠海恒格微电子装备有限公司 | 微波等离子体发生装置及等离子蚀刻设备 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN114360999B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-06-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 等离子处理设备 |
CN117650047A (zh) * | 2024-01-26 | 2024-03-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153406A (en) * | 1989-05-31 | 1992-10-06 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave source |
US5134965A (en) * | 1989-06-16 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Processing apparatus and method for plasma processing |
JP2922223B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1999-07-19 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
TW285746B (ko) * | 1994-10-26 | 1996-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
EP0743671A3 (en) * | 1995-05-19 | 1997-07-16 | Hitachi Ltd | Method and device for a plasma processing device |
US5698036A (en) * | 1995-05-26 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
JP2943691B2 (ja) * | 1996-04-25 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6057645A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-02 | Eaton Corporation | Plasma discharge device with dynamic tuning by a movable microwave trap |
WO1999049705A1 (fr) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasmique |
US6225592B1 (en) * | 1998-09-15 | 2001-05-01 | Astex-Plasmaquest, Inc. | Method and apparatus for launching microwave energy into a plasma processing chamber |
DE19847848C1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-05-11 | R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic | Vorrichtung und Erzeugung angeregter/ionisierter Teilchen in einem Plasma |
US6331754B1 (en) * | 1999-05-13 | 2001-12-18 | Tokyo Electron Limited | Inductively-coupled-plasma-processing apparatus |
JP4187386B2 (ja) | 1999-06-18 | 2008-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US6622650B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-09-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP4464550B2 (ja) | 1999-12-02 | 2010-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7196283B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-03-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface |
US6894245B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression |
JP3957135B2 (ja) | 2000-10-13 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR100413145B1 (ko) * | 2001-01-11 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 가스 인젝터 및 이를 갖는 식각 장치 |
JP4338355B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2009-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4136630B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7122096B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-10-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for processing semiconductor |
WO2005045913A1 (ja) | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
US7821655B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-10-26 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction |
US7442271B2 (en) * | 2004-04-07 | 2008-10-28 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Miniature microwave plasma torch application and method of use thereof |
JP2006294422A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびスロットアンテナおよびプラズマ処理方法 |
US7685965B1 (en) * | 2006-01-26 | 2010-03-30 | Lam Research Corporation | Apparatus for shielding process chamber port |
JP5074741B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
-
2008
- 2008-03-28 US US12/531,510 patent/US20100101728A1/en not_active Abandoned
- 2008-03-28 TW TW097111557A patent/TWI386997B/zh active
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- 2008-03-28 WO PCT/JP2008/056744 patent/WO2008123605A1/en active Application Filing
- 2008-03-28 KR KR1020097022751A patent/KR101119627B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-28 KR KR1020127003140A patent/KR101333112B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-04-21 US US14/257,040 patent/US9887068B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-18 US US15/844,736 patent/US10734197B2/en active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8974628B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-03-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment device and optical monitor device |
KR20130040025A (ko) * | 2011-10-13 | 2013-04-23 | 세메스 주식회사 | 마이크로파 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20150009941A (ko) * | 2013-07-17 | 2015-01-27 | 램 리써치 코포레이션 | 공냉식 페러데이 차폐부 및 이를 사용하기 위한 방법들 |
KR20170005140A (ko) * | 2014-05-28 | 2017-01-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 완전 평면 소스로서의 통합형 유도성 코일 및 마이크로파 안테나 |
KR20220032650A (ko) * | 2017-05-10 | 2022-03-15 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | 펄스된, 양방향 무선 주파수 소스/부하 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101173268B1 (ko) | 2012-08-10 |
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KR20120034117A (ko) | 2012-04-09 |
TWI386997B (zh) | 2013-02-21 |
US9887068B2 (en) | 2018-02-06 |
KR101333112B1 (ko) | 2013-11-26 |
WO2008123605A1 (en) | 2008-10-16 |
TW200845199A (en) | 2008-11-16 |
US20140290860A1 (en) | 2014-10-02 |
CN101647101A (zh) | 2010-02-10 |
US20100101728A1 (en) | 2010-04-29 |
US20180108515A1 (en) | 2018-04-19 |
KR101119627B1 (ko) | 2012-03-07 |
CN101647101B (zh) | 2012-06-20 |
US10734197B2 (en) | 2020-08-04 |
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