KR20090121222A - 도전성 패턴의 형성 방법 및 그 형성 장치, 및 그 도전성 패턴을 갖는 기판 - Google Patents

도전성 패턴의 형성 방법 및 그 형성 장치, 및 그 도전성 패턴을 갖는 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20090121222A
KR20090121222A KR1020090043310A KR20090043310A KR20090121222A KR 20090121222 A KR20090121222 A KR 20090121222A KR 1020090043310 A KR1020090043310 A KR 1020090043310A KR 20090043310 A KR20090043310 A KR 20090043310A KR 20090121222 A KR20090121222 A KR 20090121222A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
plasma
substrate
fine particles
surface wave
Prior art date
Application number
KR1020090043310A
Other languages
English (en)
Inventor
미끼꼬 호죠오
쯔또무 다끼자와
유우이찌 사까모또
Original Assignee
다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
미크로 덴시 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤, 미크로 덴시 가부시키가이샤 filed Critical 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
Publication of KR20090121222A publication Critical patent/KR20090121222A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1275—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods

Abstract

금속 미립자의 분산액을 사용하여 기재에 인쇄하고, 이 인쇄물을 가열하여 금속 미립자를 소결시키는 도전 패턴 형성 방법은, 내열성이 낮은 수지 필름을 기재로서 사용하는 경우, 금속 미립자의 소결시에 기재가 용융되고, 변형되고, 또한 변색되는 경우가 있고, 게다가 금속 미립자의 소결 시간을 단축하는 것이 곤란하게 되어 있었다.
금속 또는 금속 화합물의 미립자를 분산시킨 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴 인쇄하여 제작한 인쇄물(100)을 미리 준비한다. 그리고, 이 인쇄물(100)은, 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시키는 패턴 형성 장치의 처리실(11) 내에서 플라즈마에 노출시키고, 패턴 인쇄물의 금속 미립자를 소결시켜 도전성 패턴을 형성하는 구성으로 되어 있다.
마이크로파 조사창, 도파관, 셔터, 냉각 롤러, 처리 롤러

Description

도전성 패턴의 형성 방법 및 그 형성 장치, 및 그 도전성 패턴을 갖는 기판{FORMING METHOD AND DEVICE FOR CONDUCTIVE PATTERN AND SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE PATTERN}
본 발명은, 금속 또는 금속 화합물의 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재(基材)에 패턴을 묘화하고, 그 패턴을 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜, 묘화 패턴에 존재하는 미립자의 소결 처리를 행하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴의 형성 방법과, 그 패턴 형성 장치와, 상기한 패턴 형성 방법 또는 패턴 형성 장치에 의해 패턴 형성한 도전성 기판에 관한 것이다.
금속 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기판면에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 금속 미립자를 소결시켜 회로 패턴을 형성하는 회로 기판에 대해서는 이미 알려져 있다.
일례를 서술하면, 금, 은, 구리 등으로 이루어지는 금속 또는 그들 합금으로 이루어지는 금속 미립자를 유기 용매 중에 안정적으로 분산시킨 페이스트 조성물을 사용하여, 기판면에 묘화하고, 그 후, 묘화한 기판에 가열 온도를 가하여 금속 미립자를 소결시켜 회로 패턴을 형성한다.
이와 같은 회로 패턴의 형성 방법에서 사용하는 페이스트 조성물은, 평균 일차 입자 직경이 1 내지 100㎚의 금속 미립자의 표면을 당해 금속 원소와 배위 결합이 가능한 화합물(예를 들어, 아민, 알코올, 페놀, 티올 등의 분산제)로 피복하고, 이 금속 미립자가 유기 용매 중에서 안정된 형태로 분산되어 존재하도록 한 페이스트 조성물로 되어 있다.
또한, 상기한 페이스트 조성물을 사용한 묘화는, 잉크젯이나 스크린 인쇄 등의 각종 방법을 사용하여 행해지고 있다.
그리고, 묘화 패턴에 가열 온도(예를 들어 180℃×30분)를 가하여 금속 미립자의 피복층을 제거하고, 금속 미립자끼리를 소결시켜, 회로 패턴을 형성한다.
또한, 기판에는 에폭시, 폴리이미드, 열경화성 수지 등이 사용되고 있다.
상기한 회로 패턴의 형성 방법에 따르면, 빌드업 배선판, 플라스틱 배선판, 프린트 배선판 등의 생산이 가능하고, 예를 들어 라인/스페이스가 25㎛/25㎛, 비저항이 4×10-5Ω으로 하는 미세한 회로 패턴을 형성할 수 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2002-299833호 공보
상기한 종래의 회로 패턴 형성 방법은, 내열성이 낮은 수지 필름을 기재로서 사용하는 경우, 금속 미립자의 소결시에 기재가 용융되고, 또한 변형되는 경우가 있고, 게다가 미립자를 피복하는 화합물을 제거하기 위해 가열 시간을 길게 할 필요가 있어, 도전성 패턴의 형성 시간을 단축하는 것이 어렵다.
특히, 구리, 니켈 등의 비금속(卑金屬) 미립자나 산화구리 등의 금속 화합물 미립자에 대해서는, 소결시에 산화를 억제하고, 환원시키기 위해, 환원성 기체의 분위기 중에서 소결을 행할 필요가 있지만, 환원 반응을 위해서는 300℃ 이상의 온도가 필요하므로, 예를 들어 융점이 280℃ 이하인 내열성이 낮은 수지 필름상의 소결은, 예를 들어 120℃ 내지 150℃의 온도에서 열변형되어 버리므로, 더욱 어렵다는 문제가 있었다.
또한, 환원성 기체의 분위기 제어나 소결에 걸리는 시간이 길기 때문에, 롤 형상의 필름으로 제작한 패턴을 소결하는 것은 매우 곤란하였다.
또한, 큰 면적의 것에 대해서는, 균일한 도전성 패턴의 형성에 난점이 있고, 또한 기재가 변색되는 경우가 있으므로, 높은 투과율을 필요로 하는 도전성 부품의 도전성 패턴 형성에는 적합하지 않다.
본 발명은 이와 같은 문제를 가능한 한 해결하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 도전성 패턴의 형성 방법은, 미립 자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 상기 패턴의 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
그리고, 상기 패턴의 묘화에는, 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하고, 상기 소결 처리에는, 감압실로 이루어지는 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 사용한다.
이와 같이 하여, 상기 묘화 패턴을 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴의 미립자를 소결시키는 구성으로 되어 있다.
상기한 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자는 금, 은 등의 부금속 및 구리, 니켈 등의 비금속(卑金屬), 그 외 2종류 이상이 금속으로 이루어지는 합금 등의 금속 화합물을 재료로 한 미립자이다.
또한, 구리 미립자 등의 비금속(卑金屬) 미립자는, 표면이 산화되어 있는 금속 미립자나, 내부까지 산화되어 있는 금속 미립자도 사용할 수 있다.
미립자는, 평균 일차 입자 직경이 1 내지 100㎚인 것이 바람직하다.
이 평균 일차 입자 직경에 대해서는, 투과형 전자 현미경에 의한 관찰상으로부터 측정할 수 있다.
그리고, 미립자의 합성 방법은, 금속 가루를 분쇄하여 얻는 물리적 방법, CVD법, 증착법, 스패터법, 열 플라즈마법과 같은 화학적 건식법, 화학 환원법, 전기 분해법 등의 화학적 습식법 등의 방법을 채용하여 실현할 수 있다.
또한, 미립자는, 분산액 중에서 안정화시키기 위해, 표면을 분산 보호제에 의해 덮는 것이 바람직하다.
미립자를 분산시키는 상기한 분산액의 용매로서는, 물, 메탄올 등을 채용할 수 있다.
또한, 기재에는, 용도에 따라서 무기 재료 기판, 합성 수지 기판을 사용한다.
합성 수지 기판은 필름 형상이라도 좋다.
기재와 도전층의 밀착성을 향상시키기 위해, 기재 표면에 이접착(易接着) 성분을 성막하거나, 기재 표면을 개질하는 것이 바람직하다.
또한, 미립자 분산액은 통상의 인쇄 방법으로 묘화하고, 그 후, 기재 상의 미립자 분산액을 건조시킨다.
묘화된 패턴의 금속 미립자층은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 소결시킨다.
그리고, 이 소결에는, 조사창으로부터 처리실 내에 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 사용할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 발생 수단으로서는, 처리실의 조사창으로부터 주파수 2450㎒의 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에는, 전자 온도가 약 1eV 이하, 전자 밀도가 약 1×1011 내지 1×1013㎝-3인 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생 시킬 수 있다.
한편, 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치의 발명으로서, 다음 제1 발명, 제2 발명, 제3 발명을 제안한다.
제1 발명의 패턴 형성 장치는, 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치이며, 감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단과, 상기 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리실 내에 배치하기 위한 처리대를 구비하고, 묘화 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하고, 상기 묘화 패턴을 처리실 내에서, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 상기 묘화 패턴의 미립자를 소결시켜, 도전성 패턴을 형성하는 구성으로 되어 있다.
제2 발명의 패턴 형성 장치는, 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치이며, 감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단과, 상기 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리실 내에 배치하기 위한 처리대를 구비하고, 상기 처리실의 반입구에 부수되어 있는 제1 예비실과, 그 반출구에 부수되 어 있는 제2 예비실과, 상기 제1 예비실을 감압하는 동시에 반입구를 개방시켜, 패턴을 묘화한 기재를 제1 예비실로부터 처리실 내의 처리대 상으로 송입하는 반입 기구와, 상기 제2 예비실을 감압하는 동시에 반출구를 개방시키고, 패턴을 묘화한 기재를 처리실 내의 처리대 상으로부터 제2 예비실로 송출하는 반출 기구를 구비하고, 반입 기구에 의한 반입과, 처리대에서의 플라즈마 처리와, 반출 기구에 의한 반출을 일련으로 행하고, 상기 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 처리실 내에서, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 상기 묘화 패턴의 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 구성으로 되어 있다.
상기한 제1, 제2 발명에서는, 소정 크기의 글래스나 수지재 등의 기재에 상기한 미립자 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 미리 준비한다.
그리고, 제1 발명의 패턴 형성 장치는, 묘화한 기재를 무전극의 플라즈마 발생 수단의 처리실에 넣고, 그 처리대에 적재하여, 계속해서 마이크로파 에너지(마이크로파 전력)를 공급한다.
이에 의해, 처리실 내에는 플라즈마가 발생하지만, 이 플라즈마가 조사창의 근방이 되는 처리실 내에 많이 발생하는 표면파 플라즈마가 된다.
또한, 본 출원에서는, 이 표면파 플라즈마를, 편의상, 마이크로파 표면파 플라즈마라 한다.
따라서, 기재의 묘화 패턴이, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되어, 묘화 패턴의 미립자가 소결되어 도전성 패턴이 형 성된다.
제2 발명의 패턴 형성 장치는, 패턴을 묘화한 기재를 제1 예비실에 넣으면, 그 기재가 반입 수단에 의해 처리실 내의 처리대 상에 송입된다.
처리실은 기재의 반입, 반출에 관계없이 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시켜 두는 구성으로 되어 있고, 묘화한 기재가 처리대 상에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되어, 묘화 패턴의 미립자가 소결하여 도전성 패턴을 형성한다.
계속해서, 묘화한 기재가 반출 수단에 의해 제2 예비실에 송출되므로, 제2 예비실로부터 도전성 패턴을 갖는 기판을 취출할 수 있다.
상기한 제1, 제2 발명의 패턴 형성 장치는, 묘화한 기재가 처리대 상에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되므로, 온도 상승에 의해 발생하는 변형이나 용융 등이 발생하는 경우가 있지만, 이 폐해를 막기 위해, 처리대에는 기재의 이면을 냉각하는 냉각 수단을 구비할 수 있다.
상기한 제1, 제2 발명의 패턴 형성 장치는, 필름 형상의 기재에 묘화하면, 기재의 만곡 부분 때문에, 처리대면에 대해 접합한 부분과 이격된 부분이 발생하는 경우가 있다. 이 문제를 해결하기 위해, 묘화한 기재를 공기 흡인하여 처리대에 접합시키는 흡인 유지 수단을 구비해도 좋다.
상기한 제1, 제2 발명의 패턴 형성 장치는, 묘화한 기재의 접합 정도를 높이기 위해, 처리대면을 완만한 팽출면에 형성하는 것이 바람직하다.
상기한 제1, 제2 발명의 패턴 형성 장치는, 마이크로파 표면파 플라즈마가 묘화한 기재에 균일하게 접촉하도록, 처리대를 회전시키는 구동 수단을 구비할 수 있다.
또한, 비금속(卑金屬) 미립자의 분산액으로 묘화한 기재는, 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 묘화 패턴의 미립자가 소결되어 도전성 패턴으로 된 후라도, 높은 온도 상태 그대로 처리실로부터 취출하면, 도전성 패턴이 대기에 접촉하여 산화되는 경우가 있으므로, 제1 발명의 패턴 형성 장치의 경우에는, 도전성 기판의 온도가 통상 온도(실온)로 내려간 후, 처리실로부터 취출하도록 한다.
이 문제를 해결하기 위해, 제2 발명의 패턴 형성 장치에서는, 제2 예비실에 도전성 패턴의 산화를 억제하는 산화 억제 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 제3 발명의 패턴 형성 장치는, 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치이며, 감압실로서 구성한 처리실 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 구비하고, 또한 상기 처리실 내에는, 패턴을 묘화한 긴 직경의 가요성 기재가 감겨 있는 권입 릴과, 그 가요성 기재를 감는 권취 릴과, 이들 2개의 릴 사이에 설치하여 묘화 패턴에 마이크로파 표면파 플라즈마를 조사시키는 플라즈마 처리 롤러를 구비하고, 권입 릴로부터 공급되는 상기 가요성 기재를 플라즈마 처리 롤러를 통해 권취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 소결 처리를 연속 적으로 실시하여, 도전성 패턴을 형성하는 구성으로 되어 있다.
상기한 제3 발명의 패턴 형성 장치는, 묘화한 가요성 기판이, 플라즈마 처리 롤러를 통과하는 과정에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되어 가열되므로, 플라즈마 처리 롤러를 냉각하는 냉각 수단을 마련하고, 가요성 기재의 이면을 냉각하도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 플라즈마 처리 롤러와 권취 릴 사이에 냉각 롤러를 설치하고, 플라즈마 가열에 의해 온도 상승한 묘화 부착 가요성 기재를 냉각 롤러로 냉각하고, 온도를 내린 상태에서 권취 릴로 감는 것이 바람직하다.
또한, 이 제3 발명의 패턴 형성 장치는, 묘화 부착 가요성 기재에 마이크로파 표면파 플라즈마가 균일하게 접촉하도록 하기 위해, 플라즈마 처리 롤러를 정역회전시켜, 가요성 기재를 적은 거리로 왕복 이동시킬 수 있는 정역회전 구동 수단을 구비할 수 있다.
한편, 비금속(卑金屬) 미립자나, 표면이 산화되어 있는 비금속(卑金屬) 미립자, 내부까지 산화되어 있는 비금속(卑金屬) 산화물 미립자의 분산액을 사용하여 묘화한 기재라도, 제1, 제2, 제3 발명과 거의 마찬가지로 하여 도전성 패턴을 형성할 수 있지만, 처리실에는, 마이크로파 에너지와 함께 수소 가스 등의 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시키는 구성으로 함으로써, 묘화 패턴에 존재하는 미립자의 환원 처리와 소결 처치가 실시된다.
또한, 상기한 제1, 제2, 제3 발명의 플라즈마 발생 수단으로서는, 처리실의 조사창으로부터 주파수 2450㎒의 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에는, 전자 온도가 약 1eV 이하, 전자 밀도가 약 1×1011 내지 1×1013㎝-3인 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은, 금속 미립자 또는 금속 화합물 미립자의 분산액을 사용하여 묘화한 기재를 플라즈마 발생 수단을 사용하여 소결하여 도전성 패턴 형성한다.
플라즈마 발생 수단은, 감압실로 이루어지는 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지(마이크로파 전력)를 공급하고, 처리실 내의 조사창 근방에서 마이크로파 여기에 의해 발생하는 표면파 플라즈마를 발생시킨다.
따라서, 이 마이크로파 표면파 플라즈마가 무전극으로 발생시킬 수 있는 것, 전자 온도가 저온인 것, 전자 밀도가 높은 것 등의 특질을 가지므로, 다음의 효과를 얻을 수 있다.
내열성이 낮은 수지 필름, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등을 기재로서 사용하는 경우라도, 전자 온도가 낮으므로, 금속 미립자의 소결시에 기재가 용융되거나, 변형되는 일이 없다.
게다가, 종래의 도전성 패턴의 형성 방법에 비해, 전자 밀도가 높으므로, 소결 시간을 최대한 단축할 수 있다.
이 결과, 이러한 종류의 도전성 기판의 사용 범위가 확대되고, 또한 생산의 저비용화에 유리해진다.
또한, 마이크로 표면파 플라즈마는 무전극의 플라즈마 발생 수단으로 발생시키므로, 큰 면적의 기재의 도전성 패턴 형성이 가능해지는 데 더하여, 전극에 의해 집중하는 플라즈마에 의한 기재 손상(변형이나 변색 등)이 없다.
또한, 마이크로파 표면파 플라즈마에 의한 소결은, 기재가 변색되는 일이 없으므로, 기재에 높은 투과율을 필요로 하는 도전성 기판의 도전성 패턴 형성에는 최적이 된다.
그 밖에, 마이크로파 표면파 플라즈마는, 마이크로파 에너지를 공급하는 감압실에서 발생시킬 수 있고, 구성이 간단한 플라즈마 발생 수단이 되므로, 실용에 제공하는 것이 용이한 것으로 된다.
또한, 특히, 표면이 적어도 산화되어 있는 비금속(卑金屬) 미립자, 구리 미립자의 분산액을 사용하여 묘화한 기재의 미립자에 대해서는, 환원성 기체의 분위기 중에서 발생시키는 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시킴으로써, 저온에서도 소결과 동시에 환원 처리를 행할 수 있다.
또한, 마이크로파 표면파 플라즈마는 유기물을 분해 제거하는 효과가 있으므로, 귀금속 미립자의 분산액을 사용하여 묘화한 기재의 미립자에 대해서도 소결을 촉진하는 효과가 있다.
그리고, 특히, 유기물이 분해되므로, 매우 고밀도로 고순도의 금속 박막을 얻을 수 있다.
한편, 본 발명의 패턴 형성 장치에 따르면, 환원 처리와 소결 처리를 동시에 연속해서 행할 수 있으므로, 도전성 기판의 연속 생산에 적한한 것 외에, 묘화된 긴 직경의 가요성 기재를 권입 릴로부터 공급하면서 플라즈마 처리 롤러로 플라즈마 처리하므로, 긴 직경의 묘화 부착 기재의 환원 처리와 소결 처리가 가능해 지고, 또한 묘화한 기재를 냉각하면서 플라즈마에 노출시키는 구성으로 하면, 기재의 열 손상을 최대한 적게 할 수 있는 등의 효과가 있다.
우선, 도전성 패턴의 형성 방법의 실시 형태에 대해 설명한다.
본 발명의 실시에는, 미립자 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 미리 준비한다.
미립자 분산액은, 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 용매에 분산시켜 조제한다.
그리고, 금속 미립자로서는, 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 루테늄, 오스뮴 등의 귀금속 외에, 구리, 니켈, 주석, 철, 크롬 등의 비금속(卑金屬)을 사용한다.
금속 화합물의 미립자로서는, 이들 금속의 산화물, 질화물, 황화물 등의 미립자나, 2종류 이상의 금속으로 이루어지는 합금 등의 금속 화합물을 재료로 한 미립자가 바람직하다.
또한, 구리 등 비금속(卑金屬)의 미립자의 경우에는, 표면이 대기 중의 산소에 의해 산화되어 있는 경우가 있지만, 이와 같은 적어도 표면이 산화되어 있는 비금속(卑金屬) 미립자나 내부까지 산화되어 있는 비금속(卑金屬) 미립자도 사용할 수 있다.
금속 또는 금속 화합물은 미립자 생성이 용이하고, 특히 은, 구리 및 그 산화물, 합금은 도전성과 비용의 면에서 적당한 미립자가 된다.
이 금속 또는 금속 화합물의 미립자는, 평균 일차 입자 직경이 1 내지 100㎚인 것이 바람직하다.
이 평균 일차 입자 직경에 대해서는, 투과형 전자 현미경에 의한 관찰상으로부터 측정할 수 있다.
또한, 용매로서는, 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린 등의 알코올류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필 등의 에스테르류, 시클로헥산, 테트라데칸 등의 탄화수소류 등을 채용할 수 있다.
또한, 금속 또는 금속 화합물은, 용매에 분산시키는 데 있어서, 분산액 중에서 안정화시키기 위해, 표면을 분산 보호제에 의해 덮는 것이 바람직하다.
분산 보호제로서는, 예를 들어 고분자 재료로서는, 폴리비닐피롤리돈 등의 수용성 고분자, 그라프트 공중합 고분자, 저분자 재료로서는, 계면 활성제, 금속과 상호 작용하는 티올기, 아미노기, 수산기, 카르복실기를 갖는 화합물 등을 사용할 수 있다.
그 밖에, 분산액에는, 기재에의 밀착성을 높이는 것, 성막성을 높이는 것, 인쇄 적성을 부여하는 것을 목적으로 하여, 예를 들어 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지 등의 수지나 에틸실리케이트, 실리케이트올리고머 등의 무기 도료를 바인더 성분으로서 첨가해도 좋다.
또한, 필요에 따라서, 점도 조정제, 표면 장력 조정제, 안정제 등을 첨가해도 좋다.
이와 같이 조제한 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화한다.
기재로서는, 용도에 따라서, 무기 재료 기판, 합성 수지 기판을 사용한다.
합성 수지 기판은 필름 형상이라도 좋다.
무기 재료 기판으로서는, 예를 들어 글래스(예를 들어, 소다라임 글래스, 무알칼리 글래스, 붕규산 글래스, 석영 글래스 등), 알루미나 등을 채용할 수 있다.
또한, 플라스틱 기판, 또는 필름으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 아크릴 수지, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르이미드, 에폭시 수지, 글래스-에폭시 수지, 폴리페닐렌에테르, 종이재 등을 채용할 수 있다.
특히, 융점이 280℃ 이하의 기재, 예를 들어 폴리프로필렌, 아크릴 수지, 폴리에틸렌, PET, PEN 등이라도 좋다.
기재와 도전층의 밀착성을 향상시키기 위해, 기재 표면에 이접착 성분을 성막하거나, 기재 표면을 개질할 수 있다.
이접착 성분의 성막으로서는, 예를 들어 니켈, 크롬, 티탄 등의 금속 박막을 성막하는 방법, 열가소성 접착제, 열경화성 접착제, 광경화성 접착제 등을 도포하는 방법, 그 밖에, 유기 무기 커플링제를 도포하는 방법을 채용할 수 있다.
또한, 기재 표면의 개질 방법으로서는, 예를 들어 코로나 처리, 자외선 처리, 엑시머 램프 처리, 대기압 플라즈마 처리 등이 있다.
상기한 기재에 상기 미립자 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한다.
구체적으로는, 형성하고자 하는 도전성 패턴에 대응하는 패턴을 정하고, 미립자 분산액을 사용하여 묘화한다.
이 묘화에는, 예를 들어 그라비아 인쇄, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 잉크젯 인쇄, 디스펜서 인쇄, 스핀 코트, 바아 코트 등으로 실현할 수 있다.
상기한 바와 같이 하여 묘화한 후는, 기재 상의 미립자 분산액을 건조시킨다.
이 건조는 통상의 방법으로 건조를 행해도 좋다. 예를 들어, 오븐, 적외선 가열로를 사용하여 용매를 건조시킬 수 있다.
상기한 바와 같이 패턴을 묘화하여 미리 준비한 기재는, 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 묘화 패턴의 도전성 미립자를 융착시켜 도전성을 실현한다.
또한, 융착이라 함은, 미립자끼리가 소결, 용융 등에 의해 일부 또는 전체가 연속의 막을 형성하는 것을 말하지만, 본 출원에서는 이 융착에 대해, 편의상,「소결」이라 한다.
마이크로파 표면파 플라즈마는, 감압한 처리실 내에 마이크로파 에너지를 공급하여 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치를 사용할 수 있다.
마이크로파 표면파 플라즈마는, 이미 서술한 바와 같이, 전자 밀도가 높고, 전자 온도가 낮은 특질을 갖고 있고, 무전극의 플라즈마이므로, 기재에 손상을 주지 않는다.
상세하게는, 마이크로파 표면파 플라즈마는, 전자 밀도가 1×1011 내지 1×1013㎝-3으로 높아 유기물을 제거하는 작용이 강하므로, 가열하지 않아도, 저온으로 소결을 촉진하여 도전성 패턴을 형성한다.
따라서, 묘화한 기재를 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시킴으로써, 금, 은 등의 귀금속으로 이루어지는 도전성 미립자는, 그 표면을 덮는 분산 보호재가 마이크로파 표면파 플라즈마에 의해 제거되어, 도전성 미립자끼리가 소결하여 도전층을 형성한다.
또한, 구리, 니켈 등의 비금속(卑金屬)으로 이루어지는 미립자의 분산액을 사용하는 경우에는, 그 표면이 산화 피막과 분산 보호막에 의해 덮여 있으므로, 산화 피막을 환원시키는 수소 가스 등의 환원성 기체를 처리실에 공급한다.
즉, 환원 기체의 존재하에 발생시킨 마이크로파 표면파 플라즈마에 묘화한 기재를 노출시키고, 분산 보호막의 제거와 함께 산화 피막을 환원 처리한다.
이 결과, 도전성 미립자끼리가 소결하여 도전층을 형성한다.
내부까지 산화되어 있는 산화구리 미립자 등의 비금속(卑金屬) 미립자의 분산액은, 상기한 비금속(卑金屬) 미립자의 분산액을 사용한 경우와 같은 소결 처리가 된다.
또한, 환원성 기체로서는, 수소, 일산화탄소, 암모니아, 질소 등의 가스, 혹은 이들 혼합 가스를 들 수 있지만, 특히 미립자 표면에 부착한 유기물의 제거에는 수소 가스가 바람직하다.
또한, 환원성 기체에는, 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤, 크세논 등의 불활성 가스를 혼합하여 사용하면, 플라즈마가 발생하기 쉬워지는 등의 효과가 있다.
계속해서, 도전성 패턴의 패턴 형성 장치의 실시 형태에 대해, 도 1을 참조하면서 설명한다.
도 1은 패턴 형성 장치를 도시하는 개략 구성도이며, 처리실(11) 내에 설치한 처리대(12)에 플라즈마 처리하는 기재(묘화한 기재)(100)를 적재한다.
또한, 묘화한 기재(100)는 이미 서술한 바와 같이 미립자 분산액을 사용하여 패턴을 묘화하여 미리 준비한 기재로, 처리실(11)의 도어(13)를 개방하여 처리대(12)에 적재하고, 또한 처리실(11) 내로부터 취출하도록 되어 있다.
처리실(11)의 천장벽에는, 석영 글래스로 밀폐한 마이크로파 조사창(14)을 설치하고, 이 마이크로파 조사창(14)으로부터 조사되는 마이크로파 전력(마이크로파 에너지)에 의해 표면파 플라즈마를 발생시킨다.
마이크로파 조사창(14)에는, 도파관(15)에 형성된 결합 구멍(16)으로부터 마이크로파 전력을 보낸다.
즉, 도파관(15)은, 아이솔레이터(17), 파워 모니터(18), 튜너(19) 등과 함께 도파 관계 회로를 형성하고 있고, 마그네트론(20)이 출력하는 주파수 2450㎒의 마이크로파 전력을 그 도파관계 회로를 통해 보내고, 결합 구멍(16)과 마이크로파 조 사창(14)을 통해 처리실(11) 내에 전파한다.
또한, 마이크로파 전력은 2450mHz의 고주파 전력을 말하지만, 마그네트론(20)의 정밀도 오차 등을 위해 2450㎒/±50㎒의 주파수 범위가 허용되어 있다.
또한, 처리실(11)에는, 수소 가스를 공급하는 수소 공급 경로(파이프)(21)가 배치되어 있다. 또한, 이 수소 공급 경로(21)에는 유량계(22), 밸브(23)가 설치되어 있다.
또한, 처리실(11)에는 처리실(11) 내를 감압하기 위한 진공 펌프 경로(파이프)(24)가 설치되어 있다. 또한, 이 진공 펌프 경로(24)에는, 진공 펌프(25), 밸브(26)가 설치되어 있다.
그 밖에, 처리실(11)에는, 처리실(11) 내의 감압 상태를 계측하는 압력계(27) 등이 배치되어 있다.
상기한 패턴 형성 장치에 따르면, 처리실(11) 내에 공급된 마이크로파 전력이 플라즈마화되고, 처리실(11) 내에는 마이크로파 조사창(14)에 따른 표면파 플라즈마가 발생한다.
이 표면파 플라즈마는, 전자 온도가 약 1eV 이하로 낮고, 전자 밀도가 약 1×1011 내지 1×1013㎝-3로 높은 마이크로파 표면파 플라즈마로서 발생하므로, 이 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되는 묘화한 기재(100)가, 그 패턴에 존재하는 도전성 미립자끼리가 단시간에 융착하여, 도전성 패턴을 형성한다.
다음에, 패턴의 형성 장치의 실시예에 대해 제1 장치 실시예, 제2 장치 실시 예로서 도면을 따라 설명한다.
또한, 이하의 실시예의 설명에서는, 글래스, 수지 필름 등을「기재」, 미립자 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를「인쇄물」이라 한다.
제1 장치 실시예
도 2는 제1 장치 실시예로서 나타낸 패턴 형성 장치의 간략적 사시도, 도 3은 상기 패턴 형성 장치의 간략적인 단면도이다.
본 실시예는, 금속 또는 금속 화합물의 미립자 분산액을 사용하여 기재에 묘화한 사변형의 인쇄물(100)을 미리 작성하고, 이 인쇄물(100)을 가열하여 도전성 패턴을 형성하는 것이다.
도시하는 바와 같이, 이 패턴 형성 장치는 표면파 플라즈마(30)를 발생시키는 처리실(31) 내에 처리대(32)를 설치하고, 인쇄물(100)을 이 처리대(32)에 적재시켜 플라즈마에 노출시킨다.
그리고, 본 장치 실시예에서는, 3대의 마그네트론(33a, 33b, 33c)이 출력하는 마이크로파 전력을 각 도파관계 회로(34a, 34b, 34c)를 통해 처리실(31) 내에 보내고, 넓은 범위의 표면파 플라즈마를 발생시킨다.
또한, 도파관계 회로는, 이미 서술한 바와 같이, 도파관(35a, 35b, 35c)에 설치된 아이솔레이터, 파워 모니터, 튜너 등의 회로계이다.
또한, 처리실(31)의 천장벽에는, 평행 배치한 도파관(35a, 35b, 35c)의 각각의 결합 구멍에 대향시킨 마이크로파 전력의 조사창(36a, 36b, 36c)이 형성되어 있다.
또한, 이들 조사창(36a, 36b, 36c)은 석영 글래스로 형성하여 처리실(31)을 밀폐하는 구조로 되어 있다.
또한, 처리실(31)에는 수소 가스를 공급하는 수소 공급 경로(파이프)(37), 진공 펌프 경로(38)가 배치되어 있다. 또한, 참조 부호 39는 수소 공급 경로(파이프)(37)에 설치한 밸브, 참조 부호 40, 참조 부호 41은 진공 펌프 경로(38)에 설치한 밸브, 진공 펌프이다.
한편, 처리실(31)에는, 그 반입구(31a)에 연통 가능하게 한 제1 예비실(42)과, 그 반출구(31b)에 연통 가능하게 한 제2 예비실(43)이 설치되어 있다.
즉, 제1 예비실(42)은 반입구(31a)에 구비한 상시 폐쇄 구조의 셔터(44)를 개방시켜 처리실(31)과 연통시키고, 제2 예비실(43)은 반출구(31b)에 구비한 상시 폐쇄 구조의 셔터(45)를 개방시켜 처리실(31)과 연통시킨다.
제1 예비실(42)은 인쇄물(100)을 처리실(31)에 반입시키는 대기실이라고도 하는 방이며, 이것에는 밀폐할 수 있는 덮개판(42a)이 설치되어 있고, 이 덮개판(42a)을 개방하여 인쇄물(100)을 제1 예비실(42) 내에 납입한다.
또한, 이 제1 예비실(42)에는, 인쇄물(100)을 적재하여 처리실(31) 내에 운반하기 위한 반입 이동판(46)이 설치되어 있다.
또한, 이 반입 이동판(46)에 대해서는, 제1 예비실(42)과 처리실(31) 내의 처리대(32) 상의 사이를 진퇴시키는 구동 기구가 구비되어 있지만, 이 반입 이동판(46)은 수동으로 진퇴 조작시키는 구성으로 해도 좋다.
또한, 상기한 제1 예비실(42)에는, 진공 펌프 경로(파이프)(47)를 배치하고 있고, 덮개판(42a)을 폐쇄한 상태에서 제1 예비실(42)을 감압하여 셔터(44)를 개방하고, 인쇄물(100)을 처리실(31) 내에 반입한다.
반입 이동판(46)과 처리대(32)는 도 4에 도시하는 구성으로 되어 있다.
즉, 처리대(32)의 사방 위치에는 관통 구멍(32a)을 형성하는 동시에, 이들 관통 구멍(32a) 내를 통해 인쇄물(100)을 일단 밀어올리는 밀어올림 레버(48)가 구비되어 있다.
이 밀어올림 레버(48)는 상하 방향으로 진출하고, 또한 후퇴하는 구성으로서 처리대(32)의 하측에 설치되어 있다.
도 5에는, 인쇄물(100)의 반입 동작을 도시한다.
도 5의 (A)에 도시한 바와 같이, 인쇄물(100)을 적재한 반입 이동판(46)이 처리대(32) 상에 진출하였을 때, 도 5의 (B)에 도시한 바와 같이, 밀어올림 레버(48)가 상승하여 인쇄물(100)을 밀어올린다.
이 밀어올림 동작으로, 반입 이동판(46)이 후퇴하고, 그 후, 도 5의 (C)에 도시한 바와 같이 밀어올림 레버(48)가 하강하고, 인쇄물(100)이 처리대(32)에 적재된다.
제2 예비실(43)은 처리실(31) 내에서 소결된 인쇄물(100)을 반출하기 위한 것으로, 제1 예비실(42)과 거의 마찬가지로 구성되어 있다.
즉, 진공 펌프 경로(파이프)(49)에 의해 감압하고, 감압 상태에서 셔터(45)를 개방시켜 반출 이동판(50)을 왕복 이동시켜, 인쇄물(100)을 제2 예비실(43) 내에 반출한다.
또한, 반출시에는, 도 5에 도시하는 반입 동작에 비해 역동작이 된다.
즉, 인쇄물(100)이 도 5의 (C)의 상태로부터 (B)와 같이 밀려올라가, 처리대(32)와 인쇄물(100) 사이에 반출 이동판(50)이 인입한다.
계속해서, 밀어올림 레버(48)가 하강하여 인쇄물(100)이 반출 이동판(50)에 적재되고, 반출 이동판(50)의 후퇴 이동에 의해 반출된다.
또한, 이 반출 이동판(50)에 대해서는, 제2 예비실(43)과 처리실(31) 내의 처리대(32) 상의 사이를 진퇴시키는 구동 기구가 구비되어 있지만, 이 반입 이동판(50)은 수동으로 진퇴 조작시키는 구성으로 해도 좋다.
인쇄물(100)을 제2 예비실(43) 내에 반출한 후는, 셔터(45)를 폐쇄하고, 또한, 가스 공급 경로(51)로부터 제2 예비실(43) 내에 냉각 가스를 공급하여 인쇄물(100)의 온도를 내린 후, 덮개체(43a)를 개방하여 인쇄물(100)을 취출한다.
이는, 소결 직후의 인쇄물(100)은 온도가 오르고 있기 때문에, 즉시 인쇄물(100)을 제2 예비실(43)로부터 취출하면, 구리 등의 비금속(卑金屬) 미립자의 소결 패턴이 산화될 우려가 있기 때문이다.
또한, 냉각 가스로서는, 수소 가스, 아르곤 가스, 질소 가스, 헬륨 가스, 이산화탄소 가스 등이 유효하다.
따라서, 산화되지 않은 금속 미립자의 분산액으로 묘화한 기재의 소결의 경우, 제2 예비실(43)에 공급하는 냉각 가스는 반드시 필요하지는 않다.
그 밖에, 도 3에 나타내는 참조 부호 52, 참조 부호 53은 제1, 제2 예비실(42, 43)에 공기를 보내고 대기압으로 하기 위한 공기 경로(파이프), 54는 진공 펌프, 55 내지 59는 밸브를 나타낸다.
상기한 바와 같이, 제1 장치 실시예의 패턴 형성 장치는, 미리 작성한 인쇄물(100)을 제1 예비실(42)에 납입하여 반입 이동판(46)에 적재하여 덮개(42a)를 폐쇄함으로써, 제1 예비실(42)을 감압하는 동시에, 셔터(44)를 개방하여, 반입 이동판(46)에 의한 인쇄물(100)의 반입이 행해진다.
또한, 처리대(32)에 인쇄물(100)을 적재한 반입 이동판(46)이 후퇴하면, 셔터(44)가 폐쇄되고, 그 후, 제1 예비실(42)이 상압(대기압)으로 복귀된다.
처리대(32)에 적재된 인쇄물(100)이 마이크로파 표면파 플라즈마(30)에 노출되어, 인쇄물(100)이 가열되어 도전성 미립자가 소결한다.
그 후, 셔터(45)가 개방되어, 감압되어 있는 제2 예비실(43)로부터 반출 이동판(50)이 진출하여, 제2 예비실(43) 내로 인쇄물(100)을 반출한다.
계속해서, 셔터(45)가 폐쇄되는 동시에, 도전성 기판으로 된 인쇄물(100)이 냉각 가스에 의해 냉각된다.
이상으로부터, 소결된 인쇄물(100), 즉 도전성 패턴 형성된 도전성 기판을 제2 예비실(43)로부터 취출할 수 있다.
이 결과, 본 제1 장치 실시예에 따르면, 묘화 패턴의 소결을 반자동적으로 행하여 도전성 패턴을 형성할 수 있다.
상기한 제1 장치 실시예에서는, 처리대(32)를 회전시키고, 표면파 플라즈마(30)를 인쇄물(100) 전체에 균일하게 조사시키는 구성으로 할 수 있다.
또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 처리대(32)에는 냉수를 순환시키는 냉각 파 이프(60)를 설치하고, 마이크로파 표면파 플라즈마(30)에 의해 가열되는 인쇄물(100)의 이면으로부터 냉각할 수도 있다.
한편, 인쇄물(100)은 처리대(32)에 적재되어 있을 뿐이므로, 안정된 위치를 유지할 수 없는 경우가 있다.
따라서, 밀어올림 레버(48)를 흡인 파이프로서 구성하고, 인쇄물(100)을 처리대(32)에 적재하는 도 5의 (B)의 다음 스텝으로서, 도 7의 동작 상태를 만들어, 인쇄물(100)을 밀어올림 레버(48)에 의해 흡인하여 처리대(32) 상에 안정시킬 수 있다.
또한, 처리대(32)는 인쇄물(100)을 면 접합시키기 위해, 도 8에 도시한 바와 같이 표면을 완만한 팽출 형상으로 하는 것이 바람직하고, 또한 밀어올림 레버(48)를 이용한 흡인 파이프로 인쇄물(100)을 흡인 보유 지지할 수 있다.
또한, 공기 흡인하는 수단으로서는, 도 9, 도 10에 도시한 바와 같이, 처리대(32)에 다수의 흡인 구멍(61)을 형성해도 좋다. 또한, 처리대(32)에는 공기 흡인 파이프(62) 등을 구비한다.
제2 장치 실시예
도 11은 패턴 형성 장치의 다른 실시예를 나타내는 간략적인 사시도, 도 12는 상기 패턴 형성 장치의 간략적인 단면도이다.
본 실시예는, 금속 또는 금속 화합물 미립자 분산액을 사용하여 소정 폭의 긴 형상의 가요성 기재에 묘화한 긴 형상의 인쇄물(200)을 미리 준비하고, 이 인쇄물(200)을 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 도전성 패턴을 형성하는 것이 다.
도시하는 바와 같이, 이 제2 장치 실시예에서는, 긴 형상의 인쇄물(200)이 감겨 있는 권입 릴(72)과, 인쇄물(200)을 감는 권취 릴(73)과, 이들 릴(72, 73) 사이가 되도록 한 플라즈마 처리 롤러(74)를 처리실(71) 내에 배치한 구성으로 되어 있다.
또한, 본 제2 장치 실시예에서는, 가이드 롤러(75, 76)와 함께, 플라즈마 처리 롤러(74)와 권취 릴(73)의 경로간에는 냉수를 순환시키는 냉각 롤러(77, 78, 79, 80)가 설치되어 있다.
또한, 상기한 릴(72, 73)이나 롤러(74)에 대해서는, 이들을 회전 제어하는 구동 기구를 구비하는 것 외에, 이들 릴(72, 73)이나 롤러(74)는 처리실(71)로부터 취출할 수 있는 구성으로 되어 있다.
또한, 제1 장치 실시예와 마찬가지로, 마이크로파 전력을 전송하는 3개의 도파관(81a, 81b, 81c)을 평행 배치하고, 이들 도파관의 결합 구멍으로부터 조사창(82a, 82b, 82c)을 지나 처리실(71) 내에 마이크로파 전력을 전파하여 표면파 플라즈마를 발생시키는 구성으로 되어 있다.
그 밖에, 본 제2 장치 실시예에서는, 수소 가스를 공급하는 가스 공급 경로(83)가 도파관(81a, 81b, 81c)에 대응시킨 분로 파이프(83a 내지 83d)로서 배치되어 있고, 마찬가지로 진공 펌프 경로(84)에 대해서도 분로 파이프(84a 내지 84d)로서 배치되어 있다.
이와 같이, 가스 공급 경로(83)와, 진공 펌프 경로(84)를 분로 파이프로 배 치함으로써, 수소 가스가 처리실(71) 내에 균등화되고, 또한 도 12로부터 알 수 있는 바와 같이, 분로 파이프 선단부를 처리 롤러(74)의 상방향을 향하게 함으로써, 환원성 기체로서의 수소 가스를 한층 효과적으로 이용할 수 있다.
이 제2 장치 실시예의 패턴 형성 장치는, 권입 릴(72)로부터 송출된 인쇄물(200)이 플라즈마 처리 롤러(74)를 따라 이동하는 동안에, 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되어, 인쇄물(200)의 도전성 미립자가 소결된다.
그 후, 냉각 롤러의 가이드에 의해 이동하고 있는 과정에서 인쇄물(200)의 온도가 내려가고, 저온이 된 인쇄물(200)이 권취 릴(73)에 의해 감긴다.
이와 같이, 본 제2 장치 실시예에 따르면 권입 릴(72)로부터 송출되는 인쇄물(200)을 연속해서 가열하여, 그 묘화 패턴의 도전성 미립자를 소결시킬 수 있다.
또한, 마이크로파 표면파 플라즈마의 가열로 온도 상승한 인쇄물(200)은 냉각 롤러(77 내지 80)를 통해 보내고, 온도를 내린 인쇄물(200)을 권취 릴(73)에 의해 감기 때문에, 권취 릴(73)이 다 감기면, 권취 릴(73)을 처리실(71)로부터 제거할 수 있다.
또한, 권취 릴(73)에 감긴 소결된 인쇄물(200)은 그 후에 적절하게 가공하여, 도전성 패턴의 전기 부품으로 한다.
도 13은, 제2 장치 실시예의 개량예를 나타내는 패턴 형성 장치의 간략적인 단면도이다.
이 개량예에서는, 3개의 플라즈마 처리 롤러(74a, 74b, 74c)를 구비하고, 또한 각각의 도파관(81a, 81b, 81c)에는 플라즈마 처리 롤러(74a, 74b, 74c)에 대응 시킨 조사창(85a, 85b, 85c)을 설치한 것이 특징으로 되어 있다.
이 개량예에 따르면, 인쇄물(200)이 이동 중에 3개의 플라즈마 처리 롤러(74a, 74b, 74c)의 각각의 부위에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출되므로, 인쇄물(200)의 도전성 미립자의 소결 시간을 한층 단축시킬 수 있다.
또한, 상기한 제2 장치 실시예와 개량예의 패턴 형성 장치에 있어서는, 마이크로파 표면파 플라즈마가 인쇄물(200)에 균등하게 노출되도록, 릴이나 처리 롤러를 정역회전시켜, 인쇄물(200)을 적은 거리로 왕복 이동시키는 정역회전 구동 기구를 구비할 수 있다.
또한, 상기 제2 장치 실시예와 개량예는, 플라즈마 처리 롤러를 냉각하는 냉각 수단을 구비하고, 인쇄물(200)의 이면을 냉각하면서, 인쇄물(200)을 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키도록 할 수도 있다.
계속해서, 패턴 형성 방법의 실시예에 대해, 제1 방법 실시예 내지 제5 방법 실시예로서 설명한다.
이 방법 실시예에 대해서는, 도 2, 도 3에 도시한 패턴 형성 장치를 사용하여 실험을 행하여 실시하였다.
그리고, 이 실험에서는, 진공 펌프 경로(38)에서 처리실(31)을 1×10-3Pa 이하로 감압하고, 그 후, 수소 공급 경로(37)로부터 처리실(11) 내에 환원성 기체로서 수소 가스를 유량 100sccm을 공급하였다.
또한, 각 방법 실시예에 대해서는, 도전성 부품에 대해 이하의 방법에 의해 평가하였다.
(1) 기재 손상
소성 후의 기재의 변형, 변색의 유무를 눈으로 관찰하였다.
(2) 전체 광선 투과율 변화
실시예 및 비교예의 전체 광선 투과율은, 탁도계(상품명 : NDH2000, 니혼 덴쇼꾸 고교 가부시끼가이샤제)를 사용하여, JIS K-7361-1에 따라서 측정한 결과값을 사용하여, 플라즈마 조사 전의 필름의 투과율에 대한 조사 후의 투과율의 감소량(%)을 산출하였다.
(3) 도전성
저항률계(상품명 : 로레스타 GP, 다이어 인스트루먼트사제)를 사용하여, JIS K 7194에 따라서 4탐침법으로 체적 저항률을 측정하였다.
(4) 표면 관찰
주사형 전자 현미경(상품명 : S-4500, 가부시끼가이샤 히타치 하이테크놀로지제)을 사용하여, 표면 및 단면의 구조를 관찰하였다.
단면은, 시료를 마이크로톰에 의해 절단한 면을 관찰하였다.
제1 방법 실시예
구리 미립자의 톨루엔 분산액(상품명 : Cu 메탈 잉크, 알박 머티리얼 가부시끼가이샤제, 평균 일차 입자 직경 5㎚)을 고형분 30질량%로 조정하였다.
막 두께 75㎛의 폴리이미드 기재(상품명 : 캡톤 300H, 도레이 듀폰 가부시끼가이샤제)에, 엑시머 램프 조사 처리를 행한 후, 기판을 글래스 기판에 점착 테이 프로 고정하고, 스핀 코트법을 사용하여 구리 미립자를 도포(묘화)하였다.
그 후, 실온에서 자연 건조시켜 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)을 처리실(31)에 넣고, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마(수소 가스 분위기 중의 표면파 플라즈마)를, 수소 도입시 압력 20㎩, 마이크로파 전력 600W로 100초 조사한 후, 인쇄물(100)을 처리실(31)로부터 취출하였다.
인쇄물(100)에 변형, 변색 등의 손상은 없었다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보여, 도전성 기판으로서의 체적 저항률을 측정한 결과, 4.28×10-6Ωㆍ㎝로 되어, 저저항화되어 있었다.
미립자 소결층의 기재로부터의 박리 등은 없고, 밀착 양호하였다.
인쇄물(100)의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰하면, 미립자가 용융, 소결하여, 융착된 구조가 관찰되었다.
마찬가지로 단면을 관찰하면, 미립자 소결층의 두께는 0.4㎛로, 균일하고 보이드가 없는 고밀도의 막이었다.
제2 방법 실시예
산화구리 미립자의 알코올 분산액(시아이 가세이 가부시끼가이샤제, 평균 일차 입자 직경 40㎚)을 고형분 15질량%로 조정하였다.
두께 125㎛의 폴리에틸렌나프탈레이트 기재(상품명 : 테오넥스 Q81, 데이진 듀퐁 필름 가부시끼가이샤제)에 엑시머 램프 조사 처리를 행한 후, 기재를 글래스 기판에 점착 테이프로 고정하고, 스핀 코트법을 사용하여 산화구리 미립자를 도포 하였다.
그 후, 실온에서 자연 건조시켜 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)을 처리실(31)에 넣고, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마를, 수소 도입시 압력 20㎩, 마이크로파 전력 600W로 100초 조사한 후, 인쇄물(100)을 처리실(31)로부터 취출하였다.
인쇄물(100)에 변형, 변색 등의 손상은 없었다. 미립자층의 막 두께는 0.3㎛였다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보이고, 도전성 부품으로서 체적 저항률을 측정한 결과, 7.39×10-6Ωㆍ㎝로 되어, 저저항화되어 있었다.
미립자 소결층의 기재로부터의 박리 등은 없고, 밀착 양호하였다.
인쇄물(100)의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰하면, 미립자가 용융, 소결하고, 융착된 구조가 관찰되었다.
단면을 관찰하면, 균일하고 보이드가 없는 고밀도의 막이었다.
제1 비교예
제2 방법 실시예와 마찬가지로 하여, 산화구리 미립자를 도포, 건조시켜 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)에 대해, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마 대신에, 오븐(수소 가스 4%를 포함하는 아르곤 가스 분위기)으로 승온 속도 10℃/min, 230℃로 60분 소성을 행한 후, 실온까지 자연 냉각하여 인쇄물(100)을 오븐으로부터 취출하였다.
인쇄물(100)은 둥글게 변형되고, 인쇄물(100) 표면의 미립자층에는 다수의 흠집이 생겼다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보이지 않고, 체적 저항률을 측정한 결과, 1×107Ωㆍ㎝ 이상으로 고저항이었다.
마이크로파 표면파 수소 플라즈마를 사용함으로써, 오븐으로는 소성할 수 없는 저내열 기재 상이라도, 단시간에 미립자의 융착을 진행시킬 수 있었다.
제3 방법 실시예
제2 방법 실시예와 같은 산화구리 미립자의 분산액을 사용하였다. 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(상품명 : 도요보 에스테르 필름 E5000, 도요보세끼 가부시끼가이샤제)에 엑시머 램프 조사 처리를 행한 후, 기재를 글래스 기판에 점착 테이프로 고정하고, 스핀 코트법을 사용하여 산화구리 미립자를 도포하였다.
그 후, 실온에서 자연 건조시켜 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)을 처리실(31)에 넣고, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마를, 수소 도입시 압력 20㎩, 마이크로파 전력 600W로 100초 조사한 후, 인쇄물(100)을 처리실(31)로부터 취출하였다.
인쇄물(100)에 변형, 변색 등의 손상은 없었다.
미립자층의 막 두께는 0.3㎛였다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보이고, 도전성 기판인 체적 저항률을 측정한 결과, 7.63×10-6Ωㆍ㎝로 되어, 저저항화되어 있었다.
미립자 소결층의 기재로부터의 박리 등은 없고, 밀착 양호하였다.
인쇄물(100)의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰하면, 미립자가 용융, 소결하여 융착된 구조가 관찰되었다.
단면을 관찰하면, 균일하고 보이드가 없는 고밀도의 막이었다.
하기 표1 참조.
제2 비교예
제3 방법 실시예와 마찬가지로 하여, 산화구리 미립자의 분산액을 도포, 건조시켜 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 이 인쇄물(100)에 대해, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마 대신에, 오븐(수소 가스 4%를 포함하는 아르곤 가스 분위기)으로 승온 속도 10℃/min, 200℃로 60분 소성을 행하고, 실온까지 자연 냉각 후에 인쇄물(100)을 오븐으로부터 취출하였다.
인쇄물(100)은 열수축에 의해 변형되고, 이면은 백탁하는 등의 손상이 보였다.
미립자층의 막 두께는 0.3㎛였다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보이지 않고, 인쇄물(100)의 도전성 패턴의 체적 저항률을 측정한 결과, 고저항으로, 측정할 수 없었다.
하기 표1 참조.
제3 비교예
제3 방법 실시예와 마찬가지로 하여, 산화구리 미립자를 도포, 건조시켜 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)을 오븐에 넣고, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마 대신에, 고주파 수소 플라즈마를 수소 도입시 압력 20㎩, 600W로 100초 조사하고, 그 후, 인쇄물(100)을 오븐으로부터 취출하였다.
또한, 고주파 플라즈마는, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마와 동일 장치에, 13.56㎒의 고주파 전원을 설치하여 발생시켰다.
인쇄물(100)에 변형, 변색 등의 손상은 없었다. 미립자층의 막 두께는 0.3㎛였다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보이고, 인쇄물(100)의 도전성 패턴의 저항률을 측정한 결과, 4.14×10-4Ωㆍ㎝로 되어 있고, 제3 방법 실시예에 비해 고저항이었다.
하기 표1 참조.
제4 비교예
제3 비교예와 같은 인쇄물(100)에 대해, 고주파 수소 플라즈마를 수소 도입시 압력 20㎩, 600W로 400초 조사한 결과, 인쇄물(100)의 일부가 심하게 변형되어, 열수축을 일으켰다.
수축되지 않은 일부의 체적 저항률을 측정한 결과, 2.62×10-5Ωㆍ㎝이며, 제3 방법 실시예에 비해 고저항이었다.
하기 표1 참조.
Figure 112009029759498-PAT00001
이상의 결과로부터, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마는, PET 기재와 같은 내열성이 낮은 기재에 대해, 고주파 플라즈마에서는 환원 소결을 충분히 할 수 없는 경우라도, 단시간에 소결이 가능한 것을 알 수 있다.
제4 방법 실시예
제3 방법 실시예와 같은 산화구리 미립자의 분산액 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재를 사용하고, 마스크 테이프를 사용하여 바아 코트법에 의해, 3㎜ 폭의 라인 패턴을 형성한 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 이 인쇄물(100)을 처리실(31)에 넣고, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마를 수소 도입시 압력 20㎩, 마이크로파 전력 600W로 100초 조사한 후, 인쇄물(100)을 처리실(31)로부터 취출하였다.
인쇄물(100)에 변형, 변색 등의 손상은 없었다.
또한, 패턴 미형성부의 전체 광선 투과율을, 플라즈마 처리 전, 처리 후로 비교한 결과, 변화는 0.0%였다. 패턴 성형부의 미립자층은 0.3㎛였다.
또한, 패턴 형성부에는 금속 광택이 보이고, 패턴 형성부의 체적 저항률을 측정한 결과, 8.55×10-6Ωㆍ㎝로 되어, 저저항화되어 있었다.
패턴 형성부의 미립자 소결층의 기재로부터의 박리 등은 없고, 밀착 양호하였다.
제5 비교예
제4 방법 실시예와 마찬가지로 하여, 패턴 형성한 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)을 오븐에 넣어, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마 대신에 고주파 수소 플라즈마를 수소 도입시 압력 20㎩, 600W로 100초 조사하고, 그 후, 인쇄물(100)을 오븐으로부터 취출하였다.
또한, 고주파 플라즈마는 마이크로파 표면파 수소 플라즈마와 동일 장치에, 13.56㎒의 고주파 전원을 설치하여 발생시켰다.
패턴 형성부는 금속 광택이 보였지만, 패턴 미형성부가 갈색으로 변색되어 있었다.
패턴 미형성부의 전체 광선 투과율을, 플라즈마 처리 전, 처리 후로 비교한 결과, 투과율이 2.3% 감소되어 있었다.
제5 방법 실시예
은 미립자의 알코올계 분산액(상품명 : AG-IJ-G-100-S1, 캐봇사제, 평균 일차 입자 직경 40㎚)을 고형분 15질량%로 조정하였다.
계속해서, 막 두께가 100㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(상품명 : 도요보 에스테르 필름 E5000, 도요보세끼 가부시끼가이샤제)에 코로나 방전 처리를 행한 후, 기재를 글래스 기판에 점착 테이프로 고정하고, 스핀 코트법을 사용하여 은 미립자 도포하였다.
그 후, 자연 건조하여 인쇄물(100)을 제작하였다.
계속해서, 인쇄물(100)을 처리실(31)에 넣고, 마이크로파 표면파 수소 플라즈마를 압력 20㎩, 마이크로파 전력 600W로 40초 조사한 후, 인쇄물(100)을 처리실(31)로부터 취출하였다.
인쇄물에 변형, 변색 등의 손상은 없었다.
미립자층의 막 두께는 1.0㎛였다.
인쇄물(100)의 표면에는 금속 광택이 보이고, 인쇄물(100)의 도전성 패턴의 체적 저항률을 측정한 결과, 5.27×10-6Ωㆍ㎝로 되어, 저저항화되어 있었다.
미립자 소결층의 기재로부터의 박리 등은 없고, 밀착 양호하였다.
인쇄물(100)의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 관찰한 결과, 미립자끼리가 용융ㆍ소결하여 융착된 구조가 관찰되었다.
단면을 관찰하면, 균일하고 보이드가 없는 고밀도의 막이었다.
은 미립자는, 대기 중에서도 가열에 의해 환원되므로, 환원을 위해 환원성의 플라즈마는 필요없다고 생각되지만, 수소 플라즈마에 의해 도막 중의 유기 성분이 제거되므로, 단시간에 효율적으로 융착이 진행되는 것이 확인되었다.
[산업상의 이용 가능성]
프린트 배선 기판, RFID 태그 안테나, 멤브레인 스위치의 배선, 전자파 차폐재, 플랫 패널 디스플레이용 전극, 배선, 태양 전지 등의 전지의 전극, 전파 반사판, 안테나, 흐림 방지판 등에 적용할 수 있다.
도 1은 실시 형태로서 도시한 패턴 형성 장치의 간략적인 단면도.
도 2는 제1 장치 실시예로서 도시한 패턴 형성 장치의 간략적인 사시도.
도 3은 제1 장치 실시예의 패턴 형성 장치를 도시하는 간략적인 단면도.
도 4는 제1 장치 실시예의 패턴 형성 장치에 구비하는 처리대, 밀어올림 레버, 반입 이동판과 인쇄물을 도시하는 사시도.
도 5는 제1 장치 실시예의 패턴 형성 장치에 있어서의 인쇄물의 반입 동작을 도시하는 처리대 부분의 간략도.
도 6은 상기한 처리대에 냉각 수단으로서 냉각 파이프를 설치한 일례를 나타내는 간략 단면도.
도 7은 상기한 밀어올림 레버를 인쇄물의 흡인 수단에 이용한 구성을 도시하는 처리대 부분의 간략도.
도 8은 상기한 처리대의 표면을 완만하게 팽출 형성하여 인쇄물을 보다 정확하게 접합시키는 구성을 나타내는 처리대 부분의 간략도.
도 9는 상기한 처리대에 다수의 흡인 구멍을 마련하여 인쇄물을 흡인 보유 지지하는 구성을 도시한 처리대 부분의 간략도.
도 10은 도 9에 도시하는 처리대의 단면도.
도 11은 제2 장치 실시예로서 도시한 패턴 형성 장치의 간략적인 사시도.
도 12는 제2 장치 실시예의 패턴 형성 장치를 도시하는 간략적인 단면도.
도 13은 제2 장치 실시예의 개량예로 나타낸 패턴 형성 장치의 간략적인 단 면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 처리실
12 : 처리대
14 : 마이크로파 조사창
15 : 도파관
21 : 수소 공급 경로
24 : 진공 펌프 경로
31 : 처리실
32 : 처리대
35a, 35b, 35c : 도파관
36a, 36b, 36c : 조사창
37 : 수소 공급 경로
38 : 진공 펌프 경로
42 : 제1 예비실
43 : 제2 예비실
44, 45 : 셔터
46 : 반입 이동판
48 : 밀어올림 레버
50 : 반출 이동판
71 : 처리실
72 : 권입 릴
73 : 권취 릴
74 : 처리 롤러
77 내지 80 : 냉각 롤러
74a, 74b, 74c : 처리 롤러
100, 200 : 인쇄물

Claims (34)

  1. 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 상기 패턴의 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 방법이며,
    상기 패턴의 묘화에는, 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하고,
    상기 소결 처리에는, 감압실로 이루어지는 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 사용하고,
    상기 묘화 패턴을, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴의 미립자를 소결시키는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴의 묘화에는 귀금속으로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용한 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 패턴의 묘화에는, 비금속 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 비금속으로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하고,
    상기 소결 처리에는, 처리실 내에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서, 조사창 근방이 되는 처리실 내에 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 사용하고,
    상기 묘화 패턴을, 환원성 기체의 분위기 중에서 발생시킨 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴의 미립자의 환원 처리와 소결 처리를 행하는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 패턴의 묘화에는, 구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용한 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재가 글래스재 또는 합성 수지재로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기재가 투과율이 높은 수지 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기재가, 융점 280℃ 이하의 합성 수지재로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 패턴을 묘화하기 전에, 상기 기재에 이접착 성분을 성막하고, 혹은 기재를 개질하는 공정을 포함하는 것을 특징으 로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  9. 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 수소 가스 등의 환원성 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 수단은, 처리실의 조사창으로부터 주파수 2450㎒의 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에는, 전자 온도가 약 1eV 이하, 전자 밀도가 약 1×1011 내지 1×1013㎝-3인 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는, 도전성 패턴의 형성 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 패턴의 형성 방법에 의해 패턴 형성된, 기판.
  12. 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치에 있어서,
    감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단과,
    상기 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리실 내에 배치하기 위한 처리대를 구비하고,
    패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하고, 상기 묘화 패턴을 처리실 내에서, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 상기 묘화 패턴의 미립자를 소결시켜, 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  13. 제12항에 있어서, 귀금속 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하여 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 처리실에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비하고,
    비금속 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하여 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  15. 제14항에 있어서, 구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하여 마이크로파 Hegd표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  16. 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치에 있어서,
    감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단과,
    상기 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리실 내에 배치하기 위한 처리대를 구비하고,
    상기 처리실의 반입구에 부수되어 있는 제1 예비실과, 그 반출구에 부수되어 있는 제2 예비실과,
    상기 제1 예비실을 감압하는 동시에 반입구를 개방시켜, 패턴을 묘화한 기재를 제1 예비실로부터 처리실 내의 처리대 상으로 송입하는 반입 기구와,
    상기 제2 예비실을 감압하는 동시에 반출구를 개방시켜, 패턴을 묘화한 기재를 처리실 내의 처리대 상으로부터 제2 예비실로 송출하는 반출 기구를 구비하고,
    반입 기구에 의한 반입과, 처리대에서의 플라즈마 처리와, 반출 기구에 의한 반출을 일련으로 행하고, 상기 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 처리실 내에서, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 상기 묘화 패턴의 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  17. 제16항에 있어서, 귀금속 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를, 상기 반입 기구에 의해 반입하고, 처리대에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 반출 기구에 의해 반출하고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 처리실에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비하고,
    비금속 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 비금속 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를, 상기 반입 기구에 의해 반입하고, 처리대에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 반출 기구에 의해 반출하고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  19. 제18항에 있어서, 구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립 자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를, 상기 반입 기구에 의해 반입하고, 처리대에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 반출 기구에 의해 반출하고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  20. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리대에는, 패턴이 묘화된 기재의 이면을 냉각하는 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  21. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리대에는, 상기 묘화한 기재를 공기 흡인하고, 인쇄물을 처리대에 접합시키는 흡인 유지 수단을 마련한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  22. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리대의 받침면을 완만한 팽출면에 형성한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  23. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리대를 회전시키는 구동 수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  24. 제18항 또는 제19항에 있어서, 제2 예비실에는, 묘화한 기재를 취출하기 전 에, 소결된 도전성 패턴의 산화를 억제하는 산화 억제 가스의 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  25. 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치에 있어서,
    감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 구비하고,
    또한, 상기 처리실 내에는, 패턴을 묘화한 긴 직경의 가요성 기재가 감겨 있는 권입 릴과, 그 가요성 기재를 감는 권취 릴과, 이들 2개의 릴 사이에 설치되고 묘화 패턴에 마이크로파 표면파 플라즈마를 조사시키는 플라즈마 처리 롤러를 구비하고,
    권입 릴로부터 공급되는 상기 가요성 기재를 플라즈마 처리 롤러를 통해 권취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 소결 처리를 연속적으로 실시하고, 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  26. 제25항에 있어서, 귀금속 미립자를 분산한 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 긴 형상의 가요성 기재를 권입 릴로부터 공급하고, 플라즈마 처리 롤러를 통해 권 취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 소결 처리를 연속적으로 실시하고, 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  27. 제25항에 있어서, 상기 처리실에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비하고,
    비금속 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 비금속의 미립자를 분산한 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 긴 형상의 가요성 기재를 권입 릴로부터 공급하고, 플라즈마 처리 롤러를 통해 권취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 환원 처리와 소결 처리를 연속적으로 실시하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  28. 제27항에 있어서, 가요성 기재가, 구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 긴 형상의 기재에 패턴을 묘화한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  29. 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 처리 롤러에는, 가요성 기재의 이면을 냉각하는 냉각 수단을 마련한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  30. 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 처리 롤러와 권취 릴 사이에, 가요성 기재를 안내하면서 온도를 내리는 냉각 롤러를 배치한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  31. 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기한 권입 릴, 권취 릴, 플라즈마 처리 롤러를 구동하는 구동 수단에는, 권입 릴과 권취 릴과 함께, 플라즈마파 처리 롤러를 적은 범위에서 정역회전시키는 정역회전 구동 수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  32. 제12항, 제16항, 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 수단은, 처리실의 조사창으로부터 주파수 2450㎒의 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에는, 전자 온도가 약 1eV 이하, 전자 밀도가 약 1×1011 내지 1×1013㎝-3인 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시키는 구성인 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  33. 제14항, 제15항, 제18항, 제19항, 제27항, 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 수소 가스 등의 환원성 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치.
  34. 제12항 내지 제33항 중 어느 한 항에 기재된 패턴 형성 장치에 있어서 패턴 형성한, 기판.
KR1020090043310A 2008-05-20 2009-05-19 도전성 패턴의 형성 방법 및 그 형성 장치, 및 그 도전성 패턴을 갖는 기판 KR20090121222A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-131854 2008-05-20
JP2008131854A JP2009283547A (ja) 2008-05-20 2008-05-20 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板
JP2014023678A JP6072709B2 (ja) 2008-05-20 2014-02-10 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090121222A true KR20090121222A (ko) 2009-11-25

Family

ID=59519967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090043310A KR20090121222A (ko) 2008-05-20 2009-05-19 도전성 패턴의 형성 방법 및 그 형성 장치, 및 그 도전성 패턴을 갖는 기판

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP2009283547A (ko)
KR (1) KR20090121222A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101152357B1 (ko) * 2010-01-29 2012-06-11 주식회사 엘지화학 마이크로웨이브를 이용한 도전성 패턴의 형성방법
KR102125646B1 (ko) * 2019-05-28 2020-06-23 한국기초과학지원연구원 플라즈마 oes 진단용 윈도우 및 이를 이용한 플라즈마 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5338235B2 (ja) * 2008-09-30 2013-11-13 大日本印刷株式会社 導電性基板の製造方法及びその方法により得られた導電性基板
JP2012142551A (ja) 2010-12-16 2012-07-26 Nisshin:Kk 加熱処理方法およびその装置
JP6121333B2 (ja) * 2011-10-21 2017-04-26 昭和電工株式会社 マイクロ波加熱装置及びマイクロ波加熱方法
TW201339279A (zh) * 2011-11-24 2013-10-01 Showa Denko Kk 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物
TWI481326B (zh) * 2011-11-24 2015-04-11 Showa Denko Kk A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating
TWI569700B (zh) * 2011-11-25 2017-02-01 昭和電工股份有限公司 導電性圖案生成方法
JP2013135070A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Jsr Corp パターン形成方法および金属パターン
JP6290089B2 (ja) * 2012-09-25 2018-03-07 昭和電工株式会社 マイクロ波加熱装置
US20140097002A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Tyco Electronics Amp Gmbh Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components
JP2014207340A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 東京エレクトロン株式会社 焼成方法及び焼成装置
JP6087425B2 (ja) * 2013-05-08 2017-03-01 国立大学法人大阪大学 接合方法
KR102206052B1 (ko) * 2014-09-19 2021-01-21 포항공과대학교 산학협력단 나노 입자층의 소결 방법
CN107113977A (zh) * 2014-10-23 2017-08-29 矢崎总业株式会社 薄膜状印刷电路板及其制造方法
JP2016086013A (ja) * 2014-10-23 2016-05-19 矢崎総業株式会社 フィルム状プリント回路板及びその製造方法
US11328835B2 (en) 2017-03-16 2022-05-10 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Dispersing element, method for manufacturing structure with conductive pattern using the same, and structure with conductive pattern
KR102225197B1 (ko) * 2017-03-16 2021-03-09 아사히 가세이 가부시키가이샤 분산체, 그리고 이것을 이용한 도전성 패턴 구비 구조체의 제조 방법 및 도전성 패턴 구비 구조체
EP3657916A4 (en) 2017-07-18 2020-07-22 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha STRUCTURE INCLUDING ELECTRO-CONDUCTIVE REGIONS, ITS PRODUCTION PROCESS, LAMINATE, ITS PRODUCTION PROCESS AND COPPER WIRING
CN114395292B (zh) * 2017-07-27 2023-03-10 旭化成株式会社 带导电性图案的制品
JP6609675B2 (ja) * 2017-07-28 2019-11-20 旭化成株式会社 導電性パターンの製造方法
JP2020123480A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 日本ゼオン株式会社 導電膜の製造方法、色素増感型太陽電池用対向電極の製造方法、色素増感型太陽電池用光電極の製造方法および配線の製造方法
KR102481806B1 (ko) * 2021-12-20 2022-12-27 (주)디피테크닉스 기판 소결장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01227438A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Tokyo Electron Ltd 半導体基板用載置台
JP3605326B2 (ja) * 1991-05-28 2004-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチチャンバー装置
JP2925535B2 (ja) * 1997-05-22 1999-07-28 キヤノン株式会社 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
JP2000031253A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Komatsu Ltd 基板処理装置及び方法
JP2000164516A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Shibaura Mechatronics Corp マイクロ波プラズマ処理装置
JP2002280196A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
JP2002280197A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk プラズマ発生用の点火装置
JP2004143571A (ja) * 2001-11-22 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd 導電パターン描画用基板およびインク、ならびに導電パターンの形成方法
JP2004006818A (ja) * 2002-04-16 2004-01-08 Tadatomo Suga リフロー法とソルダペースト
JP4205393B2 (ja) * 2002-09-26 2009-01-07 ハリマ化成株式会社 微細配線パターンの形成方法
JP4128885B2 (ja) * 2003-02-14 2008-07-30 ハリマ化成株式会社 微細配線パターンの形成方法
JP4214806B2 (ja) * 2003-03-25 2009-01-28 株式会社島津製作所 スパッタリング装置
JP4285197B2 (ja) * 2003-10-28 2009-06-24 パナソニック電工株式会社 回路基板の製造方法及び回路基板
JP2006134686A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
JP4806926B2 (ja) * 2004-11-25 2011-11-02 パナソニック電工株式会社 電子部品搭載装置の製造方法
JP2006165424A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Micro Denshi Kk プラズマ発生装置のｏリング構造
JP2006312778A (ja) * 2005-04-06 2006-11-16 Toyo Seikan Kaisha Ltd 表面波プラズマによる蒸着膜の形成方法及び装置
JP4597756B2 (ja) * 2005-04-22 2010-12-15 大日本印刷株式会社 成膜装置及び成膜方法
TWI328050B (en) * 2005-05-10 2010-08-01 Ulvac Inc Reeling type plasma cvd device
JP4698310B2 (ja) * 2005-07-11 2011-06-08 富士フイルム株式会社 ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007042725A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 金属パターンの形成方法
JP5030511B2 (ja) * 2005-09-20 2012-09-19 株式会社きもと 基板用形成材料及び回路基板の製造方法
JP5376752B2 (ja) * 2006-04-21 2013-12-25 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JPWO2007141883A1 (ja) * 2006-06-06 2009-10-15 株式会社日本マイクロニクス 電気配線の形成方法およびその補修方法
JP2008059991A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Canon Inc プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101152357B1 (ko) * 2010-01-29 2012-06-11 주식회사 엘지화학 마이크로웨이브를 이용한 도전성 패턴의 형성방법
US9006625B2 (en) 2010-01-29 2015-04-14 Lg Chem, Ltd. Method for forming conductive patterns using microwave
KR102125646B1 (ko) * 2019-05-28 2020-06-23 한국기초과학지원연구원 플라즈마 oes 진단용 윈도우 및 이를 이용한 플라즈마 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014130827A (ja) 2014-07-10
JP2009283547A (ja) 2009-12-03
JP6072709B2 (ja) 2017-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6072709B2 (ja) 導電性パターンの形成方法とその形成装置並びに導電性基板
KR101900500B1 (ko) 도전성 기판
JP6328702B2 (ja) 低温基板上の薄膜を還元する方法
JP5982033B2 (ja) 金属微粒子分散体、銅微粒子分散体、銅微粒子分散体の製造方法、及び導電性基板の製造方法
Bhuiyan et al. A hybrid process for printing pure and high conductivity nanocrystalline copper and nickel on flexible polymeric substrates
JP5067426B2 (ja) 銅配線パターン形成方法及びそれに用いる酸化銅粒子分散液
JP5446097B2 (ja) 導電性基板及びその製造方法
JP6520133B2 (ja) 積層体ならびにそれを用いた導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP2010219075A (ja) プリント配線板及びその製造方法
JP2012216425A (ja) 金属酸化物微粒子分散体、導電性基板及びその製造方法
JP2009088122A (ja) 導電性基板
JP2016135562A (ja) 積層体、それを用いた導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および転写具
JP5382444B2 (ja) 導電性パターンの形成方法とその形成装置
JP5151622B2 (ja) 導電性基板の製造方法及び導電性基板
JP2006253282A5 (ko)
JP6885413B2 (ja) 導電パターン基板の製造方法
JP6699784B2 (ja) 積層体、それを用いた導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および転写具
JP6699783B2 (ja) 積層体ならびにそれを用いた導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP2010277974A (ja) 導電性薄膜基板及びその製造方法
JP6849130B2 (ja) 積層体ならびにそれを用いた導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP5531394B2 (ja) 半導体基板の製造方法及びその方法により得られた半導体基板
JP5338235B2 (ja) 導電性基板の製造方法及びその方法により得られた導電性基板
JP6849131B2 (ja) 積層体、それを用いた導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および転写具
KR20180004964A (ko) 그래핀 내산화 코팅된 나노구리 전극 제조방법
JP2012104857A (ja) 導電性基板

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2015101007375; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20151211

Effective date: 20160810