JP2014207340A - 焼成方法及び焼成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子デバイスのインクのパターンを焼成する際、基板へのダメージを低減する。
【解決手段】電子デバイスのインクのパターンの焼成方法であって、ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第1の焼成ステップと、前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第2の焼成ステップと、を有し、前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される。
【選択図】図7
【解決手段】電子デバイスのインクのパターンの焼成方法であって、ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第1の焼成ステップと、前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第2の焼成ステップと、を有し、前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される。
【選択図】図7
Description
本発明は、焼成方法及び焼成装置に関する。
プラスチック基板に有機導電性材料を塗布することで、配線パターンを形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1を参照。)。パターンを形成する基板には、例えば、PI(Polyimide:ポリイミド)やPC(Polycarbonate:ポリカーボネート)のプラスチック基板が用いられることがあるが、これらの部材は高価である。このため、他の素材として、より安価なPEN(Poly-Ethylene-Naphthalate:ポリエチレンナフタレート)やPET(Poly-Ethylene-Terephthalate:ポリエチレンテレフタレート)で形成されたプラスチック基板が提案されている。
プラスチック基板に形成されたインクは、焼成することで溶媒の除去、膜の改質が行われ、素子や配線として機能するようになる。
しかしながら、プラスチック基板では、熱変形温度よりも高い温度で焼成すると歪みが生じ、変形する。一方、十分に機能する素子や配線を得るためには、熱変形温度を超える温度(例えば、120℃以上)で焼成をする必要があるという課題を有する。
上記課題に対して、一側面では、電子デバイスのインクのパターンを焼成する際、基板へのダメージを低減することが可能な焼成方法及び焼成装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、
電子デバイスのインクのパターンの焼成方法であって、
ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第1の焼成ステップと、
前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第2の焼成ステップと、を有し、
前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される、
ことを特徴とする焼成方法が提供される。
電子デバイスのインクのパターンの焼成方法であって、
ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第1の焼成ステップと、
前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第2の焼成ステップと、を有し、
前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される、
ことを特徴とする焼成方法が提供される。
また、上記課題を解決するために、他の態様によれば、
電子デバイスのインクのパターンの焼成装置であって、
複数の波長帯を含む光を照射するランプが設置されたランプ室と、
前記ランプから複数の波長帯を含む光を複数回に分けて被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを複数回に分けて焼成するように制御する制御部と、
を有することを特徴とする焼成装置が提供される。
電子デバイスのインクのパターンの焼成装置であって、
複数の波長帯を含む光を照射するランプが設置されたランプ室と、
前記ランプから複数の波長帯を含む光を複数回に分けて被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを複数回に分けて焼成するように制御する制御部と、
を有することを特徴とする焼成装置が提供される。
一の態様によれば、電子デバイスのインクのパターンを焼成する際、基板へのダメージを低減することができる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
[印刷例]
たとえば、反転印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷等の公知の印刷方法を使用して、電子デバイスのインクのパターンを被印刷体(以下、PET基板を例に挙げて印刷方法を説明する。)に印刷する。以下に、反転印刷を使用した場合を例に挙げて、電子デバイスのインクの金属配線パターンをPET基板に印刷する方法を簡単に説明する。
たとえば、反転印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷等の公知の印刷方法を使用して、電子デバイスのインクのパターンを被印刷体(以下、PET基板を例に挙げて印刷方法を説明する。)に印刷する。以下に、反転印刷を使用した場合を例に挙げて、電子デバイスのインクの金属配線パターンをPET基板に印刷する方法を簡単に説明する。
反転印刷は、幅が数μmレベルの高精度な電子デバイスのインクのパターンを製造可能な印刷技術である。ローラを用いた反転印刷の場合、ローラにはゴム製のブランケットが巻かれている。ローラの下部には、水平に位置合わせがされた可動式ステージが存在する。可動式ステージには、2つのステージ(ここでは、ステージA、Bとする。)が必要に応じてローラのブランケットに接触可能に配置されている。例えば、ステージAには、所定のパターンが形成された凸版(ガラス印刷版)が載置され、ステージBには、PET基板が載置される。
塗布機により、ブランケット上に既定の膜厚でナノメタルインク(以下、単にインクという。)が塗布される。凸版は、ローラ下までステージA上を移動し、更に、ローラの回転によりブランケットと接触しながら移動する。その際、ブランケットの塗布面のインクのうち、凸版の所定のパターンが形成された凸部と接触したインクは、凸版側に転写され、ブランケット側から除去される。ブランケットの塗布面に残置されたインクは、凸版の凸部により形成されたパターンの反転パターンとなる。
次に、PET基板は、ローラ下までステージB上を移動し、更にローラの回転によりブランケットと接触しながら移動する。これにより、ブランケットに残置されたインクは、PET基板に転写される。
転写されたインクは、約150℃〜約180℃で20分〜30分、オーブンにより焼成される。これにより、インクは、PET基板上に定着され、インクに含まれる溶剤等の不純物が揮発することで金属配線として機能する。ところが、PET基板の場合、120℃より高い温度でインクを焼成すると、基板が歪み、変形する。PET基板が歪むと、後工程のアライメントの精度が悪くなる。一方、120℃以下の温度でインクを焼成すると、所定の金属体積低効率まで下がらない。
そこで、本実施形態では、PET基板やPEN基板のようなプラスチック基板にダメージを与えず、かつ短時間で基板に形成されたインクを焼成する焼成方法及び焼成装置を提案する。なお、プラスチック基板の一例としては、PET基板、PI基板、PEN基板、PC基板などが挙げられるが、本実施形態では、より熱変形温度の低いPET基板を採用する。しかしながら、本実施形態に適用可能な基板は、PET基板に限られず、PI基板やPEN基板やPC基板等のプラスチック基板であってもよい。また、プラスチック基板は、可撓性の基板であってもよい。
[ランプアニール装置の全体構成]
以下に、一実施形態に係る焼成方法を使用するランプアニール装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係るランプアニール装置の全体構成図である。ランプアニール装置は、焼成装置の一例である。
以下に、一実施形態に係る焼成方法を使用するランプアニール装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係るランプアニール装置の全体構成図である。ランプアニール装置は、焼成装置の一例である。
ランプアニール装置1は、ランプ室10、搬送室20、冷却室30及び制御部100を有する。各室間には開閉可能なバルブVが設けられている。PET基板Gは、バルブVの開閉により各室の内部の気密を保持しつつ、搬送室20を介して冷却室30及びランプ室10に搬送される。
ランプ室10には、天井部にキセノンランプ11が4つ設置されている。キセノンランプ11の数は、4つに限られず、いくつ設置されてもよいが、キセノンランプ11の数が多い程、キセノンランプ11から出力される光の強度が高くなる。
キセノンランプ11の背面には、ミラー12が設けられている。キセノンランプ11の前面には、石英ガラス13が設けられている。キセノンランプ11が収められた矩形型のランプハウス14の内部は、窒素ガスで満たされている。窒素ガスは、ランプハウス14内のミラー12の酸化を防止する。
キセノンランプ11は、図示しない4本の外側管の内部に内側管を同軸に配置し、両端を閉じて中空円筒状の放電空間を形成する。内側管の内面と外側管の外面には、電極が配置され、放電により光が放射される。キセノンランプ11の内部は、キセノンガス(Xe)で充填されている。キセノンガスの原子の一部は、放電により発生した電子により励起し、一時的にXe2の状態となるが、不安定なためすぐにXe原子に解離して基底状態に戻る。キセノンランプ11は、その際に放射される光により極めて短時間、発光強度の高い光を出力する。例えば、発光時間は数μs〜数msである。キセノンランプ11のフラッシュランプから出力される光には、200nm〜1100nmの波長帯のブロード(多波長)な光が含まれる。
ミラー12は、キセノンランプ11の間に山形に設けられ、光を有効に取り出すとともに光の放射照度分布を均一にする。石英ガラス13は、キセノンランプ11の前面に設けられた窓であり、この石英ガラス13を透過した光が照射される。
かかる構成により、キセノンランプ11からPET基板Gの表面に光が照射され、PET基板G上のインクが焼成される。これにより、インクをPET基板G上に定着することができる。
基板Gは、昇降可能なステージ15に載置されている。ステージ15を昇降することにより、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップ(間隔)を制御することができる。なお、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップは、相対的に変化させることができればよい。
搬送室20には、PET基板Gに対して相対的に昇降、伸縮及び回転可能な搬送ロボット21が設けられている。搬送ロボット21は、回転により冷却室30に収容されたPET基板Gをランプ室10に搬送する。また、ランプ室10で光を照射されたPET基板Gを冷却室30に搬送する。ランプ室10では、キセノンランプ11から放射される光を複数回に分けてPET基板Gに照射する。よって、搬送ロボット21は、光の照射回数だけPET基板Gをランプ室10と冷却室30と間で搬送する。
冷却室30は、PET基板Gを所定時間載置することでPET基板Gを自然冷却する。冷却室30は、クーリングプレート等により積極的にPET基板Gを冷却してもよい。また、PET基板Gを昇降可能に構成してもよい。
制御部100は、CPU(Central Processing Unit)101、ROM(Read Only Memory)102、RAM(Random Access Memory)103及びHDD(Hard Disk Drive)104を有する。CPU101は、ROM102、RAM103及びHDD104に格納されたレシピやプログラムに従って焼成処理を実行する。レシピには、光の照射回数や光の照射時間が記載されている。これらの値は、予め実験等により、PET基板等のプラスチック基板にダメージを与えることなく、基板上のインクを焼成することができる値に設定されている。
なお、制御部100の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されてもよく、ハードウエアを用いて動作することにより実現されてもよい。
以上、本実施形態に係るランプアニール装置1の全体構成について説明した。
次に、本実施形態に係るランプアニール装置1により実行される焼成処理について、図2及び図3を参照しながら説明する。
次に、本実施形態に係るランプアニール装置1により実行される焼成処理について、図2及び図3を参照しながら説明する。
[焼成処理]
図2は、本実施形態に係る焼成処理の流れを示したフローチャートである。図3は、本実施形態に係る焼成処理の作用を示した図である。
図2は、本実施形態に係る焼成処理の流れを示したフローチャートである。図3は、本実施形態に係る焼成処理の作用を示した図である。
図2に示されるように、本実施形態に係る焼成処理では、まず、搬送ロボット21が、冷却室30からランプ室10にPET基板Gを搬送する(ステップS100)。ランプ室10では、キセノンランプ11から200nm〜1100nmの波長帯の光が照射され、PET基板G上のインクが焼成される(ステップS102)。次に、搬送ロボット21が、ランプ室10からPET基板Gを搬出し、冷却室30に搬送する(ステップS104)。PET基板Gは、冷却室30にて冷却される。
次に、制御部100は、ランプ室10での光の照射が予め定められたn回(n≧2)行われたかを判定する(ステップS106)。制御部100は、光の照射が行われる度に、照射回数をRAM103等のメモリに記憶し、本判定処理にて、照射回数とnとの大小関係を比較することにより、本判定処理結果を導く。
この時点で、照射回数は1回である。よって、ステップS100に戻り、再度、ステップS100〜ステップS106の処理が実行される。2回目以降のステップS100〜ステップS106の処理は、ステップS106にて照射回数がn以上であると判定されるまで、繰り返される。制御部100がステップS106にて照射回数がn以上であると判定したとき、本処理は終了する。
なお、1回目に実行するステップS102は、第1の焼成ステップであり、2回目以降実行するステップS102は、第2の焼成ステップである。ステップS104は、冷却ステップである。
図3には、ランプ室10における光の照射と、冷却室30におけるPET基板Gの冷却とによるインクの状態変化を模式的に示した図である。ステップS102にて1回目の光の照射が行われる前、PET基板G上のインクIは、図3の「段階S1」に示されるように形成されたときの初期状態である。
ステップS102にて1回目の光の照射が行われた後、PET基板G上のインクIは、図3の「段階S2」に示されるように、キセノンランプ11から照射される200nm〜1100nmの波長帯のうちのいずれかの波長(ここでは、波長Aとする。)の光を吸収し、焼成される。
次に、ステップS104にてランプ室10から冷却室30に搬送され、所定の冷却時間を経た後のPET基板G上のインクIは、図3の「段階S3」に示されるように、改質された状態(ここでは、改質1とする。)となる。
次に、ステップS102にて2回目の光の照射が行われた後、PET基板G上のインクIは、図3の「段階S4」に示されるように、キセノンランプ11から照射される200nm〜1100nmの波長帯のうちのいずれかの波長(ここでは、波長Bとする。)の光を吸収し、焼成される。2回目の光が照射されるとき、インクは改質1の状態である。よって、インクが初期状態であったときとは異なる波長の光を吸収すると考えられる。つまり、2回目の光の照射が行われたときに焼成に寄与する光の波長Bは、1回目で焼成に寄与する光の波長Aとは異なると考察される。
次に、ステップS104にてランプ室10から冷却室30に搬送され、所定の冷却時間を経た後のPET基板G上のインクIは、図3の「段階S5」に示されるように、波長Aと異なる波長Bの光を吸収した結果、改質1とは異なる改質状態(ここでは、改質2とする。)となる。
光の照射が3回以上繰り返し行われた場合にも同様に、インクIの焼成に寄与する光の波長は、インクIの改質状態に従い、今まで焼成に寄与したいずれの光の波長とも異なると考えられる。したがって、光の照射が行われる度に、インクは異なる改質状態になる。また、インクIの改質状態が基板の面内において不均一である場合、焼成に寄与する光の波長は、面内において異なる。なお、焼成に寄与する光の波長とは、特定の単波長だけではなく多波長を含んでもよい。また、効率的にインクを改質することができる波長という意味であってもよい。
このように、本実施形態に係る焼成方法では、幅広い波長の光が、数回に分けてPET基板Gに照射される。また、光の照射の合間には、冷却期間が設けられる。このように焼成ステップを複数回繰り返し、更に冷却ステップを設けることにより、PET基板Gにダメージを与えずに、インクを焼成できる。
なお、図2に示した本実施形態に係る焼成処理では、冷却室30にて基板を冷却中、ランプ室10にて他の基板の焼成処理が行われてもよい。また、上記実施形態に係る焼成処理(図2)において、ランプ室10での光の照射が行われる間に、基板の冷却も並行して行われてもよい。この場合、ランプ室10は、クーリングプレート等により積極的にPET基板Gを冷却する機能を有する。なお、本実施形態に係る焼成処理の冷却室30は、基板Gのストッカーを兼ねる構成であるが、これに限られず、冷却室30と基板Gのストッカーは別々に設けられていてもよい。
[焼成処理:変形例1]
上記実施形態に係る焼成処理の変形例1について、図4を参照しながら説明する。変形例1に係る焼成処理では、図2に示した焼成処理と同様に、ステップS100にてランプ室にPET基板Gを搬入した後、ステップS102にてキセノンランプから200〜1100nmの波長帯の光を照射することで、PET基板G上のインクが焼成される。次に、ステップS108に進み、ランプ室にてPET基板Gが冷却される。この場合、ランプ室10は、クーリングプレート等によりPET基板Gを積極的に冷却してもよいし、自然冷却してもよい。具体的には、n回目の光の照射後の基板温度よりもn+1回目の光の照射前の基板温度が低いことを含む。次に、制御部100は、ランプ室10での光の照射が予め定められたn回(n≧2)行われたかを判定する(ステップS106)。光の照射が予め定められたn回数行われるまで上記ステップを繰り返し、光の照射が予め定められたn回数行われたら本処理を終了する。
上記実施形態に係る焼成処理の変形例1について、図4を参照しながら説明する。変形例1に係る焼成処理では、図2に示した焼成処理と同様に、ステップS100にてランプ室にPET基板Gを搬入した後、ステップS102にてキセノンランプから200〜1100nmの波長帯の光を照射することで、PET基板G上のインクが焼成される。次に、ステップS108に進み、ランプ室にてPET基板Gが冷却される。この場合、ランプ室10は、クーリングプレート等によりPET基板Gを積極的に冷却してもよいし、自然冷却してもよい。具体的には、n回目の光の照射後の基板温度よりもn+1回目の光の照射前の基板温度が低いことを含む。次に、制御部100は、ランプ室10での光の照射が予め定められたn回(n≧2)行われたかを判定する(ステップS106)。光の照射が予め定められたn回数行われるまで上記ステップを繰り返し、光の照射が予め定められたn回数行われたら本処理を終了する。
なお、変形例1に係る焼成処理では、冷却室30の替わりに基板のストッカーが設けられていてもよい。また、図4の上記実施形態の変形例1に係る焼成処理において、ランプ室10での光の照射が行われる間、基板の冷却も同時に行われてもよい。なお、変形例1に関する記載は、上記実施形態と一部を組み合わせることを妨げない。
[ギャップ]
キセノンランプ11から出力される光の強度によっては、PET基板Gが歪んだり、インクがアブレーションしたりするおそれがある。
キセノンランプ11から出力される光の強度によっては、PET基板Gが歪んだり、インクがアブレーションしたりするおそれがある。
そこで、本実施形態では、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップを調整することにより基板Gへのダメージを抑制することとした。キセノンランプ11のフラッシュランプの照射条件としては、波長が200nm〜1100nmの波長の750Vのパルス光を、1回の照射時間を1msecとして照射した。その結果を図5に示す。
PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップが5.5mm〜10mmの場合、PET基板Gの少なくとも一部にダメージが発生した。一方、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップが15mm〜20mmの場合、PET基板Gにダメージは発生しなかった。また、処理の均一性も加味すると、ある程度ギャップは広げた方が良いと考えられる。よって、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップは、15mm以上であればよく、15mm〜20mmであればより好ましいことがわかった。
よって、本実施形態の焼成方法の効果を確認するための以下の実験では、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップは、20mmに設定する。
[効果例]
以上に説明した、本実施形態に係る焼成処理の効果について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、計測位置を示し、図7は、計測位置における計測結果を示す。
以上に説明した、本実施形態に係る焼成処理の効果について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、計測位置を示し、図7は、計測位置における計測結果を示す。
計測は、光を照射する度にPET基板Gの計測ポイントにプローブを接触させることにより行われた。つまり、プローブが接触したPET基板G上の金属配線(インク)の体積抵抗率が計測された。
体積抵抗率は、計測ポイントにおける電流の流れにくさを示す。体積抵抗率が高いと、計測ポイントの金属配線は電流が流れ難い状態であることを示し、体積抵抗率が低いと、計測ポイントの金属配線は電流が流れ易い状態であることを示す。これにより、インクの焼成処理の進行度を知ることができる。つまり、体積抵抗率が高ければ、インクの焼成処理は未完了であると判定され、体積抵抗率が低ければ、インクの焼成処理は完了していると判定される。
図6には、実際にプローブで計測したPET基板G上の計測位置が示されている。PET基板Gには、インクで配線パターンが形成されている。本実験では、計測ポイントP1、P2、P3、P4の金属配線(インク)の体積抵抗率を計測した。なお、本実験では、光の照射後、PET基板Gの搬出及び搬入とプローブでの計測が行われているため、実質的に所定の冷却が行われていると同等の基板温度となっている。
本実験において、本実施形態に係る焼成方法を実行する際の光の照射条件としては、750V、20nm〜1100nmの多波長の光を照射した。光の照射回数は1回目、2回目の照射時間は1msecとした。また、PET基板Gとキセノンランプ11とのギャップは、前述の通り20mmに設定された。
実験の結果を図7に示す。図7の横軸は、計測ポイントP1、P2、P3、P4を示し、縦軸は、各計測ポイントにおける金属配線(インク)の体積抵抗率を示す。これによれば、1回目の光の照射では、すべての計測ポイントP1〜P4において、金属配線(インク)の体積抵抗率は、概ね1.0×106(μΩcm)以上となった。これは、すべての計測ポイントP1〜P4において、形成された金属配線にほとんど電流が流れていない状態であることを示す。これにより、上記照射条件下、1回の光の照射では、インクの焼成が不完全であることがわかった。
一方、2回目の光の照射後、すべての計測ポイントP1〜P4において、金属配線(インク)の体積抵抗率は、1.0×103(μΩcm)以下となった。これにより、PET基板Gに2回に分けて光を照射すると、2回目の光の照射後、すべての計測ポイントP1〜P4において、形成された金属配線(インク)の体積抵抗率が4桁程度低下し、形成された金属配線に十分に電流が流れている状態になるという効果を得た。
なお、比較例には、基板を180℃で30分焼成した結果が示されている。これによれば、本実施形態の焼成処理を施した金属配線(インク)の体積抵抗率は、比較例に示した体積抵抗率とほぼ同等の体積抵抗率を有し、電子デバイスの特性として実用上問題ないレベルであることがわかる。
以上から、本実施形態に係る焼成方法を用いれば、基板を数十分の間高温に維持する必要がないため、基板にダメージを与えずにインクを焼成できる。また、本実施形態に係る焼成方法では、焼成処理時間を短縮でき、生産性を高めることができる。さらに、本実施形態に係る焼成方法では、熱変形温度の低いPET基板やPEN基板等の安価なプラスチック基板を採用することができる。これにより、製造コストを下げることができる。
以上に説明したように、本実施形態に係る焼成方法及び焼成装置によれば、キセノンランプからの幅広い(200nm〜1100nm)波長の光が、複数回に分けて基板Gに照射される。これにより、基板Gにダメージを与えずに、インクを焼成することができる。
以上、焼成方法及び焼成装置を実施形態により説明した。最後に、本実施形態に係る焼成方法を利用した実施例、本実施形態に係る焼成装置の変形例を簡単に説明する。
[実施例]
本実施例では、上記実施形態に係る焼成方法を利用して、印刷法を用いて有機TFTを形成する工程について説明する。図8は、一実施例に係る焼成方法を用いた有機TFTの製造を説明するための図である。
本実施例では、上記実施形態に係る焼成方法を利用して、印刷法を用いて有機TFTを形成する工程について説明する。図8は、一実施例に係る焼成方法を用いた有機TFTの製造を説明するための図である。
有機TFTを形成する工程では、基板G上に多層の膜を印刷する。具体的には、ゲートの印刷工程、ゲート絶縁膜の印刷工程、ソース及びドレイン層の印刷工程、有機半導体層の印刷工程により、多層構造の有機TFTが形成される。
ここで、従来の工程では、各工程の間には30分程度の焼成工程をそれぞれ行なっていた。したがって、この場合は、計3回の焼成工程が行われる。前述のように十分な膜性能を発揮できるよう焼成を行うと、それぞれの焼成工程にて基板G、および、形成された膜が歪むおそれがある。さらに複数回の焼成処理が行われるため、基板Gの歪みやアライメント誤差は、膜が積層され、焼成されるたびに相乗されていく。このため、後工程の印刷工程での基板Gの歪みやアライメント誤差は、前工程の印刷工程よりも増大する。このため、有機TFTとして動作するための十分な精度で素子を形成することが困難であった。また、焼成時間が30分×焼成回数と長くスループットも悪かった。
一方、本実施例に係る焼成方法を用いた有機TFTの製造では、低ダメージの焼成処理を行う。これについて具体的に説明すると、まず、基板Gに対し、図8に示したゲート201を印刷する。そして、ゲート201が印刷された基板Gに対し、低ダメージの焼成処理が行われる。
次に、ゲート201が形成された基板Gに対し、ゲート絶縁膜202を印刷する。そして、ゲート絶縁膜202が印刷された基板Gに対し、低ダメージの焼成処理が行われる。
次に、ゲート絶縁膜202が形成された基板に対し、ソース203及びドレイン204を印刷する。そして、ソース203及びドレイン204が印刷された基板Gに対し、低ダメージの焼成処理が行われる。
最後に有機半導体層205を印刷する。なお、有機半導体層層205は、インクジェット印刷にて形成することが好ましい。そして、有機半導体層205が印刷された基板Gに対し、低ダメージの焼成処理が行われる。
ここで、各焼成処理時における基板Gへのダメージは従来の焼成処理に比べ抑制されている。言い換えると、基板Gの歪みが抑制されているため、印刷処理時に高精度でのアライメントが可能となる。これにより、上記実施形態に係る焼成装置及び焼成方法を利用して、高精度にアライメントされた有機TFT200を形成することができる。
また、上記の低ダメージの焼成処理に変わり、インクの乾燥処理のみを行ない、最後に焼成処理を複数層が形成された状態で一度に行うことで有機TFT200を形成してもよい。
[変形例]
(焼成装置の変形例1)
焼成装置の変形例1について、図9を参照しながら説明する。図9は、一実施形態の変形例1に係る焼成装置を示した図である。
(焼成装置の変形例1)
焼成装置の変形例1について、図9を参照しながら説明する。図9は、一実施形態の変形例1に係る焼成装置を示した図である。
変形例1の焼成装置300では、ローラR搬送等により、基板GをステージST上で移動させる。ステージSTの上方には、ランプが複数台設けられている。図9では、ランプ301,302が2つ設けられているが、ランプの数は2つに限られず、2つ以上であってもよい。かかる構成の焼成装置300を用いれば、一度に複数回のランプ処理を行うことができる。なお、ランプ301,302の間に基板Gを冷却する冷却機構が設けられてもよい。
(焼成装置の変形例2)
焼成装置の変形例2について、図10を参照しながら説明する。図10は、一実施形態の変形例2に係る焼成装置を示した図である。
(焼成装置の変形例2)
焼成装置の変形例2について、図10を参照しながら説明する。図10は、一実施形態の変形例2に係る焼成装置を示した図である。
変形例2の焼成装置400は、ロールトゥロール(Roll-to-Roll)の構成を有している。可撓性の基板Gは、一方のロールR1から他方のロールR2に巻回される。図10では、基板Gは、紙面の左から右に移動する。移動中、基板Gは、位置PA付近で印刷処理部403によって印刷処理され、位置PB付近でランプ401,402によって焼成処理される。かかる構成の焼成装置400を用いれば、基板Gを連続処理することができる。なお、印刷処理部403は、反転印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷などを用いることができる。なお、ランプ401,402の間に基板Gを冷却する冷却機構が設けられてもよい。
以上、本発明に係る焼成方法及び焼成装置を実施形態により説明したが、本発明に係る焼成方法及び焼成装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
たとえば、上記実施形態では、第1の焼成ステップ及び第2の焼成ステップの間に基板Gを冷却する冷却ステップ(冷却処理)を実行した。しかしながら、冷却ステップは、必ずしも冷却時間として所定時間経過するまで次の焼成ステップを行えないという厳密なステップである必要はない。例えば、冷却室にて所定時間を経過しなくても、基板Gをランプ室から搬出及び搬入する時間のみをもって冷却ステップが行われたとしてもよい。
また、上記実施形態では基板Gを冷却するために冷却室を設けたが、冷却室は、基板Gを冷却するため冷却機構の一例であり、必ずしも冷却室を設ける必要はない。例えば、搬送室を冷却室の替わりに用いてもよい。
また、基板Gの焼成処理は、基板Gを乾燥させた後に実行してもよいし、基板Gを乾燥させずに焼成処理を実行してもよい。本実施形態では、基板Gを乾燥させずに焼成処理を実行する例を挙げて説明した。
また、上記実施形態では、金属配線パターンの形成や有機TFTを例に挙げて説明したが、本発明は、これに限らない。例えば、本発明は、有機導電性材料を用いた配線パターンの形成に用いることができる。また、本発明は、配線パターンや有機TFTだけでなく、半導体素子の形成に用いることができる。
また、上記実施形態でインクが形成された基板は、被印刷体の一例であり、被印刷体はこれに限られない。被印刷体の他の例としては、ウェハ等が挙げられる。
1:ランプアニール装置、10:ランプ室、11:キセノンランプ、12:ミラー、13:石英ガラス、14:ランプハウス、20:搬送室、21:搬送ロボット、30:冷却室、100:制御部、101:CPU、300、400:焼成装置
Claims (9)
- 電子デバイスのインクのパターンの焼成方法であって、
ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第1の焼成ステップと、
前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被印刷体に照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを焼成する第2の焼成ステップと、を有し、
前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される、
ことを特徴とする焼成方法。 - 前記被印刷体は、可撓性のある基板であることを特徴とする請求項1に記載の焼成方法。
- 前記第1の焼成ステップ及び前記第2の焼成ステップの間に前記被印刷体を冷却する冷却ステップ、
を更に有することを特徴とする請求項1又は2に記載の焼成方法。 - 前記第1の焼成ステップ及び前記第2の焼成ステップでは、前記ランプと前記被印刷体との間隔が、15mm〜20mmに設定される、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の焼成方法。 - 前記第1の焼成ステップ及び前記第2の焼成ステップでは、前記ランプから200nm〜1100nmの波長帯の光を照射する、
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の焼成方法。 - 電子デバイスのインクのパターンの焼成装置であって、
複数の波長帯を含む光を照射するランプが設置されたランプ室と、
前記ランプ室の被印刷体に、前記ランプから複数の波長帯を含む光を複数回に分けて照射し、該被印刷体に塗布されたインクのパターンを複数回に分けて焼成するように制御する制御部と、
を有することを特徴とする焼成装置。 - 前記複数の波長帯を含む光が複数回に分けて被印刷体に照射される間に前記被印刷体を冷却する冷却機構、
を更に有することを特徴とする請求項6に記載の焼成装置。 - 前記冷却機構は、
前記複数の波長帯を含む光が前記被印刷体に照射される度に、一旦該被印刷体を前記ランプ室から搬出し、再び搬入することで、該被印刷体を冷却することを特徴とする請求項6又は7に記載の焼成装置。 - 電子デバイスの焼成方法において、
ランプから複数の波長帯を含む光を前記被処理体に照射し、焼成する第1の焼成ステップと、
前記第1の焼成ステップによる光の照射後に、再び前記ランプから複数の波長帯を含む光を前記被処理体に照射し、焼成する第2の焼成ステップと、を有し、
前記第2の焼成ステップは、1回又は2回以上繰り返される、
ことを特徴とする焼成方法。
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