JP5030511B2 - 基板用形成材料及び回路基板の製造方法 - Google Patents
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また、上記課題を解決する本発明の基板用形成材料は、樹脂基板または樹脂含浸基板上に、平均孔径5μm以上10μm未満の微小孔を多く含む熱可塑性樹脂による多孔質層を形成した回路基板用形成材料であり、当該多孔質層表面に流動性の導体物質を印刷塗布及び含浸させることにより回路パターンが形成・定着される予定の基板用形成材料であって、前記多孔質層とされる樹脂は、前記樹脂基板または前記樹脂含浸基板の軟化温度以下で表面溶融を開始し、孔を塞ぐに至るものであることを特徴とするものである。
また、上記課題を解決する本発明の基板用形成材料は、樹脂基板または樹脂含浸基板上に、微小孔を多く含む熱可塑性樹脂によるJIS K7136:2000のヘーズが70%以上の多孔質層を形成した回路基板用形成材料であり、当該多孔質層表面に流動性の導体物質を印刷塗布及び含浸させることにより回路パターンが形成・定着される予定の基板用形成材料であって、前記多孔質層とされる樹脂は、前記樹脂基板または前記樹脂含浸基板の軟化温度以下で表面溶融を開始し、孔を塞ぐに至るものであることを特徴とするものである。
厚み50μmのポリイミドフィルム(カプトン:東レ・デュポン社、ガラス転移温度300℃以上)からなる基材上に、下記組成の易接着層塗布液を、乾燥後の厚みが1μmとなるようにバーコーティング法により塗布し、80℃で1分乾燥して易接着層を形成した。次いで、下記組成の多孔質層塗布液を、乾燥後の厚みが2μmとなるようにバーコーティング法により塗布し、60℃で5分乾燥して多孔質層を形成し、実施例1の基板を得た。多孔質層は、平均孔径約30nmの連続孔であった。
・ポリエステル樹脂 4部
(バイロン200:東洋紡社)
・メチルエチルケトン 18部
・トルエン 18部
・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体系樹脂 2部
(デンカビニル#1000C:電気化学工業)
(ガラス転移温度65℃)
・メチルエチルケトン 12部
・N−ブタノール 6部
実施例1の多孔質層塗布液の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体系樹脂をSBS樹脂(デンカ730P:電気化学工業社、ビカット軟化点85℃)に変更した以外は、実施例1と同様にして実施例2の基板を得た。多孔質層は、平均孔径約30nmの連続孔であった。
実施例1の基材を厚み50μmのポリエチレンナフタレートフィルム(Q51DW:帝人デュポン社、ガラス転移温度約120℃)に変更した以外は、実施例1と同様にして実施例3の基板を得た。多孔質層は、実施例1と同じく平均孔径約30nmの連続孔であった。
実施例1の多孔質層の厚みを5μmに変更した以外は、実施例1と同様にして実施例4の基板を得た。多孔質層は、実施例1と同じく平均孔径約30nmの連続孔であった。
実施例1の多孔質層の厚みを0.5μmに変更した以外は、実施例1と同様にして実施例4の基板を得た。多孔質層は、実施例1と同じく平均孔径約30nmの連続孔であった。
厚み100μmのポリイミドフィルム(カプトン:東レ・デュポン社、ガラス転移温度300℃以上)を準備し、そのまま比較例1の基板とした。
実施例1の基材を厚み50μmのポリエチレンナフタレートフィルム(Q51DW:帝人デュポン社、ガラス転移温度約120℃)に変更し、さらに実施例1の多孔質層塗布液の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体系樹脂をセルロース樹脂(酢酸セルロース:ダイセル社、ガラス転移温度約170℃)に変更した以外は、実施例1と同様にして参考例1の基板を得た。多孔質層は、平均孔径約30nmの連続孔であった。
回路パターン(配線)にセロハン製粘着テープ(ニチバン社)を貼り付け、剥離した後、回路パターン(配線)が剥がれなかったものを「○」、剥がれてしまったものを「×」とした。
正確に回路パターン(配線)が再現されていたものを「○」、回路パターン(配線)の一部が断線していたり膨らんで隣り合う配線と接触していたものを「×」とした。
Claims (7)
- 樹脂基板または樹脂含浸基板上に、平均孔径5μm未満の微小孔を多く含む熱可塑性樹脂による多孔質層を形成した回路基板用形成材料であり、当該多孔質層表面に流動性の導体物質を印刷塗布及び含浸させることにより回路パターンが形成・定着される予定の基板用形成材料であって、前記多孔質層とされる樹脂は、前記樹脂基板または前記樹脂含浸基板の軟化温度以下で表面溶融を開始し、孔を塞ぐに至るものであることを特徴とする基板用形成材料。
- 樹脂基板または樹脂含浸基板上に、平均孔径5μm以上10μm未満の微小孔を多く含む熱可塑性樹脂による多孔質層を形成した回路基板用形成材料であり、当該多孔質層表面に流動性の導体物質を印刷塗布及び含浸させることにより回路パターンが形成・定着される予定の基板用形成材料であって、前記多孔質層とされる樹脂は、前記樹脂基板または前記樹脂含浸基板の軟化温度以下で表面溶融を開始し、孔を塞ぐに至るものであることを特徴とする基板用形成材料。
- 樹脂基板または樹脂含浸基板上に、微小孔を多く含む熱可塑性樹脂によるJIS K7136:2000のヘーズが70%以上の多孔質層を形成した回路基板用形成材料であり、当該多孔質層表面に流動性の導体物質を印刷塗布及び含浸させることにより回路パターンが形成・定着される予定の基板用形成材料であって、前記多孔質層とされる樹脂は、前記樹脂基板または前記樹脂含浸基板の軟化温度以下で表面溶融を開始し、孔を塞ぐに至るものであることを特徴とする基板用形成材料。
- 前記多孔質層の厚みが0.5〜5.0μmであることを特徴とする請求項1から3何れか1項記載の基板用形成材料。
- 請求項1から4何れか1項記載の基板用形成材料の多孔質層に、回路パターン形成材料を含む流動体を印刷した後、前記多孔質層を加熱して、多孔質層を加熱溶融することにより多孔質層の孔の少なくとも一部を塞ぐことを特徴とする回路基板の製造方法。
- 前記回路パターンが配線であることを特徴とする請求項5記載の回路基板の製造方法。
- 前記印刷がインクジェット印刷であることを特徴とする請求項5又は6記載の回路基板の製造方法。
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