JP2000164516A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 連続的に供給される複数の被処理物に対して
均一なプラズマ処理を施すことができるマイクロ波プラ
ズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波プラズマ処理装置は、処理ガ
スＧをプラズマ化させるためのプラズマ発生炉１０と、
プラズマ発生炉１０にて発生したプラズマ化された処理
ガスＧを用いて被処理物２０に対して所定のプラズマ処
理を施すプラズマ処理室８と、プラズマ処理室８に隣接
して配置され、プラズマ処理室８の内部状態を一定に保
ちつつプラズマ処理室８に対して被処理物２０を搬入お
よび搬出するための第１予備室３１および第２予備室３
２と、プラズマ処理室８、第１予備室３１および第２予
備室３２の間での被処理物２０の搬送状況を制御するた
めの制御装置１５とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ化された処
理ガスを用いて被処理物に対して種々のプラズマ処理を
行うマイクロ波プラズマ処理装置に係わり、とりわけ連
続的に供給される複数の被処理物に対して均一なプラズ
マ処理を施すことができるマイクロ波プラズマ処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、プラズマ化された処理ガスを
用いて被処理物に対して種々のプラズマ処理を行う装置
としてマイクロ波プラズマ処理装置が知られている。

【０００３】図３は従来のマイクロ波プラズマ処理装置
の一例を示す図である。図３に示すように、マイクロ波
プラズマ処理装置は、マイクロ波発振機１と、マイクロ
波発振機１にアイソレータ２、パワーモニタ３、整合器
４および接続導波管５を介して接続された円筒状プラズ
マ発生炉６と、被処理物２０に対して所定のプラズマ処
理を施すためのプラズマ処理室８とを備えている。な
お、プラズマ処理室８には真空弁１２を介して排気装置
１１が接続されており、被処理物２０が設置されるプラ
ズマ処理室８の内部を真空状態に保つことができるよう
になっている。

【０００４】ここで、円筒状プラズマ発生炉６は、開口
６ａを介して接続導波管５に接続されるとともに、開口
６ａの反対側の開口を介してプラズマ処理室８に接続さ
れている。なお、円筒状プラズマ発生炉６の開口６ａの
近傍にはノズル６ｂが設けられており、ノズル６ｂを介
して処理ガスＧが導入されるようになっている。また、
円筒状プラズマ発生炉６の開口６ａには処理ガスＧの漏
れを防止しつつマイクロ波を通過させるための石英等か
らなる気密保持板７が配置されている。

【０００５】また、円筒状プラズマ発生炉６の外周には
永久磁石９が配置されており、円筒状プラズマ発生炉６
に導入されたマイクロ波の定在波と協働して電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ：electron cyclotron resonanc
e）を生じさせるための所定の磁場を印加するようにな
っている。

【０００６】このようなマイクロ波プラズマ処理装置に
おいては、まず、円筒状プラズマ発生炉６およびプラズ
マ処理室８の内部を排気装置１１および真空弁１２によ
り減圧し、次いで、処理ガス供給系（図示せず）から供
給された処理ガスＧをノズル６ｂを介して円筒状プラズ
マ発生炉６に導入し、円筒状プラズマ発生炉６内におい
て所望のプラズマ発生条件（処理ガス：Ｏ₂，処理圧
力：１０^-1〜１０^-3Ｐａ）を形成する。

【０００７】その後、マイクロ波発振機１を動作させて
マイクロ波を発生させ、アイソレータ２、パワーモニタ
３、整合器４および接続導波管５を介して円筒状プラズ
マ発生炉６にマイクロ波を送り込み、円筒状プラズマ発
生炉６に導入された処理ガスＧをプラズマ化させる。な
お、このようにして円筒状プラズマ発生炉６にて発生し
たプラズマ化された処理ガスＧは排気装置１１による排
気に伴うガスの流れによりプラズマ処理室８に導入さ
れ、被処理物２０に照射されることにより被処理物２０
に対して所定のプラズマ処理が施される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のマイクロ波プラズマ処理装置においては、円筒状プラ
ズマ発生炉６と連通して円筒状プラズマ発生炉６と同一
の内部状態（内部圧力等）を有するプラズマ処理室８に
対して被処理物２０を直接搬入および搬出している。こ
のため、このようなマイクロ波プラズマ処理装置におい
て、プラズマ処理室８に連続的に供給される複数の被処
理物２０に対して順次プラズマ処理を施す場合には、１
つの被処理物２０に対するプラズマ処理が終了した時点
でマイクロ波の発振を一旦停止させ、その被処理物２０
を新たな被処理物２０と交換して円筒状プラズマ発生炉
６およびプラズマ処理室８の内部状態を元の状態に戻し
た後、マイクロ波の発振を再開させるという手順を踏ま
なければならない。

【０００９】しかしながら、上述した従来のマイクロ波
プラズマ処理装置では、マイクロ波発振機１に収容され
ている発振管（マグネトロン）の発振周波数が発振開始
からの時間経過に起因した負荷変動や温度変化等により
経時的に変化するので、マイクロ波の発振を再開させた
ときには、発振開始からの経時変化によりマッチングが
ずれて処理ガスＧのプラズマ状態が不安定となり、被処
理物２０に対して均一なプラズマ処理を施すことが困難
となるという問題がある。なお、このようなマッチング
のずれは、例えばオートチューナ（図示せず）を利用し
て整合器４を調整することにより解消することができる
が、オートチューナは非常に高価なものであり経済的な
採算をとることが困難である。

【００１０】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、オートチューナ等の高価な機器を利用する
ことなく、連続的に供給される複数の被処理物に対して
均一なプラズマ処理を施すことができるマイクロ波プラ
ズマ処理装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、処理ガスをプ
ラズマ化させるためのプラズマ発生炉と、前記プラズマ
発生炉にて発生したプラズマ化された処理ガスを用いて
被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理室
と、前記プラズマ処理室に隣接して配置され、前記プラ
ズマ処理室の内部状態を一定に保ちつつ前記プラズマ処
理室に対して被処理物を搬入および搬出するための予備
室とを備えたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理
装置である。

【００１２】本発明によれば、予備室を介してプラズマ
処理室の内部状態を一定に保ちつつプラズマ処理室に対
して被処理物を搬入および搬出するので、連続的に供給
される複数の被処理物に対して、マイクロ波を連続発振
させながらプラズマ処理を施すことができる。このた
め、発振開始からの経時変化によりマッチングがずれて
処理ガスのプラズマ状態が不安定となることがなく、連
続的に供給される複数の被処理物に対して均一なプラズ
マ処理を施すことができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。第１の実施の形態 図１は本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置の第１
の実施の形態を示す図である。図１に示すように、マイ
クロ波プラズマ処理装置は、処理ガスＧをプラズマ化さ
せるためのプラズマ発生炉１０と、プラズマ発生炉１０
にて発生したプラズマ化された処理ガスＧを用いて被処
理物２０に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処
理室８と、プラズマ処理室８に隣接して配置され、プラ
ズマ処理室８の内部状態（内部圧力等）を一定に保ちつ
つプラズマ処理室８に対して被処理物２０を搬入および
搬出するための第１予備室（第１画室）３１および第２
予備室（第２画室）３２と、プラズマ処理室８、第１予
備室３１および第２予備室３２の間での被処理物２０の
搬送状況を制御するための制御装置１５とを備えてい
る。

【００１４】ここで、プラズマ発生炉１０は、マイクロ
波の定在波が形成される導波管２１と、導波管２１内を
その管軸方向に沿って延びるプラズマ発生管２３とを有
している。

【００１５】このうち導波管２１は、幅広面（図中の上
面および下面）および幅狭面（図中の側面）を有する方
形導波管である。なお、導波管２１の一端にはアイソレ
ータ２、パワーモニタ３および整合器４を介してマイク
ロ波発振機１が接続され、他端（終端）には短絡フラン
ジ２２が接続されており、マイクロ波発振機１を動作さ
せてマイクロ波を発生させた場合にその内部にマイクロ
波の定在波が形成されるようになっている。

【００１６】またプラズマ発生管２３は、処理ガスＧが
供給される上流側ノズル部２３ａと、上流側ノズル部２
３ａから延びるとともに導波管２１内に延在する直線部
２３ｂと、直線部２３ｂから延びるとともに処理ガスＧ
が排出される下流側ノズル部２３ｃとを有している。こ
こで、上流側ノズル部２３ａは導波管２１の一側幅広面
（図中の上面）から外方に突出して処理ガス供給系（図
示せず）に接続され、下流側ノズル部２３ｃは導波管２
１の他側幅広面（図中の下面）から外方に突出してプラ
ズマ処理室８に接続されている。なお、プラズマ発生管
２３の上流側ノズル部２３ａから供給された処理ガスＧ
は、導波管２１内に延在する直線部２３ｂを通過し、導
波管２１の内部に形成されるマイクロ波の定在波により
処理ガスＧがプラズマ化される。そして、プラズマ発生
管２３の直線部２３ｂにて発生したプラズマ化された処
理ガスＧはプラズマ処理室８に導かれる。

【００１７】なお、導波管２１の幅狭面の略中央部分に
はプラズマ発生管２３の直線部２３ｂを挟んだ状態で対
向する一対の永久磁石２４ａ，２４ｂが取り付けられて
おり、マイクロ波の定在波に対してマイクロ波の電界方
向と略直交する方向の磁場を印加し、導波管２１内で形
成されるマイクロ波の定在波の腹の領域の電子のスピン
効果を向上させて電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：el
ectron cyclotron resonance）を生じさせることができ
るようになっている。

【００１８】次に、プラズマ処理室８に対して被処理物
２０を搬入および搬出するための第１予備室３１、プラ
ズマ処理室８および第２予備室３２の詳細について説明
する。

【００１９】図１に示すように、第１予備室３１は、被
処理物２０を搬入するための開口部３１ａに取り付けら
れた開閉可能な第１シャッタ３３ａと、外部側からプラ
ズマ処理室８側へ被処理物２０を搬送するためのコンベ
ヤ等からなる第１ハンドリング装置（第１搬送装置）１
３ａとを有している。なお、第１予備室３１には、真空
弁（第１調整手段）１２ａを介して排気装置１１ａが接
続されており、第１予備室３１の内部を真空状態と大気
状態との間で調整することができるようになっている。

【００２０】また、プラズマ処理室８は、被処理物２０
を搬入および搬出するための一対の開口部８ａ，８ｂに
それぞれ取り付けられた開閉可能な第２シャッタ３３ｂ
および第３シャッタ３３ｃと、第１予備室３１側から第
２予備室側へ被処理物２０を搬送するためのコンベヤ等
からなる第２ハンドリング装置（第２搬送装置）１３ｂ
とを有している。なお、プラズマ処理室８には、真空弁
（第２調整手段）１２ｂを介して排気装置１１ｂが接続
されており、被処理物２０が設置されるプラズマ処理室
８の内部を真空状態に保つことができるようになってい
る。

【００２１】さらに、第２予備室３２は、被処理物２０
を搬出するための開口部３２ａに取り付けられた開閉可
能な第４シャッタ３３ｄと、プラズマ処理室８側から外
部側へ被処理物２０を搬送するためのコンベヤ等からな
る第３ハンドリング装置（第３搬送装置）１３ｃとを有
している。なお、第２予備室３２には、真空弁（第３調
整手段）１２ｃを介して排気装置１１ｃが接続されてお
り、第２予備室３２の内部を真空状態と大気状態との間
で調整することができるようになっている。

【００２２】なお、真空弁１２ａ，１２ｂ，１２ｃの動
作タイミングと、第１シャッタ３３ａ、第２シャッタ３
３ｂ、第３シャッタ３３ｃおよび第４シャッタ３３ｄの
開閉タイミングと、第１ハンドリング装置１３ａ、第２
ハンドリング装置１３ｂおよび第３ハンドリング装置１
３ｃの動作タイミングとは、制御装置１５により制御さ
れるようになっている。

【００２３】次に、このような構成からなる本発明の第
１の実施の形態の作用について説明する。なお、ここで
は、説明を簡略化するために１つの被処理物２０が搬入
および搬出される様子について説明するが、被処理物２
０がプラズマ処理室８に搬入された時点で次の被処理物
が第１予備室３１に搬入されるようにすることにより、
連続的に供給される被処理物２０に対してプラズマ処理
を行うことができる。

【００２４】まず、プラズマ発生炉１０のプラズマ発生
管２３およびプラズマ処理室８の内部を排気装置１１ｂ
および真空弁１２ｂにより減圧し、次いで、処理ガス供
給系（図示せず）から供給された処理ガスＧをプラズマ
発生管２３の上流側ノズル部２３ａを介して直線部２３
ｂに導入し、導波管２１内に延在するプラズマ発生管２
３の直線部２３ｂ内において所望のプラズマ発生条件
（処理ガス：Ｏ₂，処理圧力：１０^-1〜１０^-3Ｐａ）を
形成する。

【００２５】次に、マイクロ波発振機１を動作させてマ
イクロ波を発生させ、アイソレータ２、パワーモニタ３
および整合器４を介して、プラズマ発生炉１０の導波管
２１にマイクロ波を送り込み、導波管２１の内部に形成
されたマイクロ波の定在波により、導波管２１内に延在
するプラズマ発生管２３の直線部２３ｂに導入された処
理ガスＧをプラズマ化させる。なお、このようにしてプ
ラズマ発生管２３の直線部２３ｂにて発生したプラズマ
化された処理ガスＧは排気装置１１の排気に伴うガスの
流れによりプラズマ処理室８に導入され、プラズマ処理
室８に搬入される被処理物２０に照射されることにより
被処理物２０に対して所定のプラズマ処理が施される。

【００２６】ここで、プラズマ処理室８への被処理物２
０の搬入および搬出は第１予備室３１および第２予備室
３２を介して行なわれ、制御装置１５による制御の下
で、プラズマ処理室８の内部状態が一定に保たれた状態
で、（１）外部から第１予備室３１へ、（２）第１予備
室３１からプラズマ処理室８へ、（３）プラズマ処理室
８から第２予備室３２へ、（４）第２予備室３２から外
部へ、と被処理物２０が順次搬送される。

【００２７】具体的には、真空弁１２ｂを制御して排気
装置１１ｂによりプラズマ処理室８の内部を常時真空状
態とした上で、真空弁１２ａを制御して排気装置１１ａ
により第１予備室３１の内部を大気圧状態とする。

【００２８】そして、第１予備室３１の第１シャッタ３
３ａを開き、第１ハンドリング装置１３ａ上に被処理物
２０を供給する。

【００２９】次に、第１予備室３１の第１シャッタ３３
ａを閉め、真空弁１２ａを制御して排気装置１１ａによ
り第１予備室３１の内部をプラズマ処理室８と同程度の
真空状態とする。

【００３０】そして、プラズマ処理室８の搬入側の第２
シャッタ３３ｂを開き、第１ハンドリング装置１３ａを
駆動して被処理物２０をプラズマ処理室８の第２ハンド
リング装置１３ｂ上に移動させる。

【００３１】その後、プラズマ処理室８の搬入側の第２
シャッタ３３ｂを閉め、第２ハンドリング装置１３ｂを
駆動して被処理物２０をプラズマ処理室８の所定位置へ
搬送しつつ、プラズマ化された処理ガスＧを用いて被処
理物２０に対して所定のプラズマ処理を施す。

【００３２】次に、真空弁１２ｃを制御して排気装置１
１ｃにより第２予備室３２の内部をプラズマ処理室８と
同程度の真空状態とする。

【００３３】そして、プラズマ処理室８におけるプラズ
マ処理が終了した後、プラズマ処理室８の搬出側の第３
シャッタ３３ｃを開き、第２ハンドリング装置１３ｂを
駆動して被処理物２０を第２予備室３２の第３ハンドリ
ング装置１３ｃ上に移動させる。

【００３４】次に、プラズマ処理室８の搬出側の第３シ
ャッタ３３ｃを閉め、真空弁１２ｃを制御して排気装置
１１ｃにより第２予備室３２の内部を大気圧状態とす
る。

【００３５】そして最後に、第２予備室３２の第４シャ
ッタ３３ｄを開き、第３ハンドリング装置１３ｃを駆動
して被処理物２０を外部へ排出する。

【００３６】このように本発明の第１の実施の形態によ
れば、第１予備室３１を介してプラズマ処理室８の内部
状態を一定に保ちつつ外部からプラズマ処理室８へ被処
理物２０を搬入するとともに、第２予備室３２を介して
プラズマ処理室８の内部状態を一定に保ちつつプラズマ
処理室８から外部へ被処理物２０を搬出するので、連続
的に供給される複数の被処理物２０に対して、マイクロ
波発振機１によりマイクロ波を連続発振させながらプラ
ズマ処理を施すことができる。このため、発振開始から
の経時変化によりマッチングがずれて処理ガスＧのプラ
ズマ状態が不安定となることがなく、連続的に供給され
る複数の被処理物２０に対して均一なプラズマ処理を施
すことができる。

【００３７】なお、上述した第１の実施の形態において
は、プラズマ発生炉１０として導波管２１とプラズマ発
生管２３とを組み合わせたものを用いているが、これに
限らず、例えば図３に示すような従来のマイクロ波プラ
ズマ処理装置で一般的に用いられる円筒状プラズマ発生
炉６を用いるようにしてもよい。

【００３８】第２の実施の形態 次に、図２により、本発明によるマイクロ波プラズマ処
理装置の第２の実施の形態について説明する。本発明の
第２の実施の形態は、プラズマ処理室に隣接して配置さ
れた１つの予備室を介して、プラズマ処理室の内部状態
を一定に保ちつつ外部からプラズマ処理室へ被処理物を
搬入するとともにプラズマ処理室から外部へ被処理物を
搬出するようにした点を除いて、他は図１に示す第１の
実施の形態と略同一である。本発明の第２の実施の形態
において、図１に示す第１の実施の形態と同一部分には
同一符号を付して詳細な説明は省略する。

【００３９】図２に示すように、本発明の第２の実施の
形態においては、プラズマ処理室８に隣接して配置さ
れ、プラズマ処理室８の内部状態（内部圧力等）を一定
に保ちつつプラズマ処理室８に対して被処理物２０を搬
入および搬出するための予備室（画室）３１と、プラズ
マ処理室８および予備室３１における被処理物２０の搬
送状況を制御するための制御装置１５とを備えている。

【００４０】ここで、予備室３１は、被処理物２０を搬
入および搬出するための開口部３１ａに取り付けられた
開閉可能な第１シャッタ３３ａと、外部側からプラズマ
処理室８側へ被処理物２０を搬出するとともにプラズマ
処理室８側から外部側へ被処理物２０を搬送するための
コンベヤ等からなる第１ハンドリング装置（第１搬送装
置）１３ａとを有している。なお、予備室３１には、真
空弁（第１調整手段）１２ａを介して排気装置１１ａが
接続されており、予備室３１の内部状態を真空状態と大
気状態との間で調整することができるようになってい
る。

【００４１】また、プラズマ処理室８は、被処理物２０
を搬入および搬出するための開口部８ａに取り付けられ
た開閉可能な第２シャッタ３３ｂと、予備室３１側から
内部へ被処理物２０を搬送するとともに内部から予備室
３１側へ被処理物を搬送するためのコンベヤ等からなる
第２ハンドリング装置（第２搬送装置）１３ｂとを有し
ている。なお、プラズマ処理室８には、真空弁（第２調
整手段）１２ｂを介して排気装置１１ｂが接続されてお
り、被処理物２０が設置されるプラズマ処理室８の内部
を真空状態に保つことができるようになっている。

【００４２】なお、真空弁１２ａ，１２ｂの動作タイミ
ングと、第１シャッタ３３ａおよび第２シャッタ３３ｂ
の開閉タイミングと、第１ハンドリング装置１３ａおよ
び第２ハンドリング装置１３ｂの動作タイミングとは、
制御装置１５により制御されるようになっている。

【００４３】次に、このような構成からなる本発明の第
２の実施の形態の作用について説明する。なお、ここで
は、上述した第１の実施の形態と異なる点、すなわちプ
ラズマ処理室８への被処理物２０の搬入および搬出の方
法についてのみ説明する。

【００４４】本発明の第２の実施の形態においては、プ
ラズマ処理室８への被処理物２０の搬入および搬出は予
備室３１を介して行なわれ、制御装置１５による制御の
下で、プラズマ処理室８の内部状態が一定に保たれた状
態で、（１）外部から予備室３１へ、（２）予備室３１
からプラズマ処理室８へ、（３）プラズマ処理室８から
予備室３１へ、（４）予備室３１から外部へ、と被処理
物２０が順次搬送される。

【００４５】具体的には、真空弁１２ｂを制御して排気
装置１１ｂによりプラズマ処理室８の内部を常時真空状
態とした上で、真空弁１２ａを制御して排気装置１１ａ
により予備室３１の内部を大気圧状態とする。

【００４６】そして、予備室３１の第１シャッタ３３ａ
を開き、第１ハンドリング装置１３ａ上に被処理物２０
を供給する。

【００４７】次に、予備室３１の第１シャッタ３３ａを
閉め、真空弁１２ａを制御して排気装置１１ａにより予
備室３１の内部をプラズマ処理室８と同程度の真空状態
とする。

【００４８】そして、プラズマ処理室８の第２シャッタ
３３ｂを開き、第１ハンドリング装置１３ａを駆動して
被処理物２０をプラズマ処理室８の第２ハンドリング装
置１３ｂ上に移動させる。

【００４９】その後、プラズマ処理室８の第２シャッタ
３３ｂを閉め、第２ハンドリング装置１３ｂを駆動して
被処理物２０をプラズマ処理室８の所定位置へ搬送しつ
つ、プラズマ化された処理ガスＧを用いて被処理物２０
に対して所定のプラズマ処理を施す。

【００５０】そして、プラズマ処理室８におけるプラズ
マ処理が終了した後、プラズマ処理室８の第２シャッタ
３３ｂを開き、第２ハンドリング装置１３ｂを駆動して
被処理物２０を予備室３１の第１ハンドリング装置１３
ａ上に移動させる。

【００５１】次に、プラズマ処理室８の第２シャッタ３
３ｂを閉め、真空弁１２ａを制御して排気装置１１ａに
より予備室３１の内部を大気圧状態とする。

【００５２】そして最後に、予備室３１の第１シャッタ
３３ａを開き、第１ハンドリング装置１３ａを駆動して
被処理物２０を外部へ排出する。

【００５３】このように本発明の第２の実施の形態によ
れば、１つの予備室３１のみを介して、プラズマ処理室
８の内部状態を一定に保ちつつ外部からプラズマ処理室
８へ被処理物２０を搬入するとともにプラズマ処理室８
から外部へ被処理物２０を搬出するので、より簡易かつ
安価な装置構成により、上述した第１の実施の形態と同
様の作用効果を奏することができる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、予
備室を介してプラズマ処理室の内部状態を一定に保ちつ
つプラズマ処理室に対して被処理物を搬入および搬出す
るので、連続的に供給される複数の被処理物に対して、
マイクロ波を連続発振させながらプラズマ処理を施すこ
とができる。このため、発振開始からの経時変化により
マッチングがずれて処理ガスのプラズマ状態が不安定と
なることがなくなり、連続的に供給される複数の被処理
物に対して均一なプラズマ処理を施すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置の第
１の実施の形態を示す一部断面図。

【図２】本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置の第
２の実施の形態を示す一部断面図。

【図３】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す一部
断面図。

【符号の説明】

１ マイクロ波発振機 ２ アイソレータ ３ パワーモニタ ４ 整合器 ８ プラズマ処理室 １０ プラズマ発生炉 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ 排気装置 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 真空弁（調整手段） １３ａ，１３ｂ，１３ｃ ハンドリング装置（搬送装
置） ２０ 被処理物 ２１ 導波管 ２２ 短絡フランジ ２３ プラズマ発生管 ２４ａ，２４ｂ 永久磁石 ３１ 第１予備室 ３２ 第２予備室 ３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ シャッタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後 藤 洋 一 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 FA01 FA02 GA12 KA08 KA11 KA30 KA41 KA49 5F045 AA09 DP02 DP03 DP23 EB08 EB10 EB12 EG02 EH17 EN04

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】処理ガスをプラズマ化させるためのプラズ
   マ発生炉と、 前記プラズマ発生炉にて発生したプラズマ化された処理
   ガスを用いて被処理物に対してプラズマ処理を施すプラ
   ズマ処理室と、 前記プラズマ処理室に隣接して配置され、前記プラズマ
   処理室の内部状態を一定に保ちつつ前記プラズマ処理室
   に対して被処理物を搬入および搬出するための予備室と
   を備えたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装
   置。
2. 【請求項２】前記予備室は前記プラズマ処理室の搬入側
   に接続された第１画室であって前記プラズマ処理室の内
   部状態を一定に保ちつつ外部から前記プラズマ処理室へ
   被処理物を搬入するための第１画室と、前記プラズマ処
   理室の搬出側に接続された第２画室であって前記プラズ
   マ処理室の内部状態を一定に保ちつつ前記プラズマ処理
   室から外部へ被処理物を搬出するための第２画室とから
   なることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波プラズ
   マ処理装置。
3. 【請求項３】前記プラズマ処理室、前記第１画室および
   前記第２画室の間での被処理物の搬送状況を制御するた
   めの制御装置をさらに備え、 前記第１画室は内部状態を調整するための第１調整手段
   と、被処理物を搬入するための開口部に取り付けられた
   開閉可能な第１シャッタと、外部側から前記プラズマ処
   理室側へ被処理物を搬送するための第１搬送装置とを有
   し、 前記プラズマ処理室は内部状態を調整するための第２調
   整手段と、被処理物を搬入および搬出するための一対の
   開口部にそれぞれ取り付けられた開閉可能な第２シャッ
   タおよび第３シャッタと、前記第１画室側から前記第２
   画室側へ被処理物を搬送するための第２搬送装置とを有
   し、 前記第２画室は内部状態を調整するための第３調整手段
   と、被処理物を搬出するための開口部に取り付けられた
   開閉可能な第４シャッタと、前記プラズマ処理室側から
   外部側へ被処理物を搬送するための第３搬送装置とを有
   し、 前記制御装置は、前記第１調整手段、前記第２調整手段
   および前記第３調整手段の動作タイミングと、前記第１
   シャッタ、前記第２シャッタ、前記第３シャッタおよび
   前記第４シャッタの開閉タイミングと、前記第１搬送装
   置、前記第２搬送装置および前記第３搬送装置の動作タ
   イミングとを制御することを特徴とする請求項２記載の
   マイクロ波プラズマ処理装置。
4. 【請求項４】前記予備室は前記プラズマ処理室に接続さ
   れた画室であって前記プラズマ処理室の内部状態を一定
   に保ちつつ外部から前記プラズマ処理室へ被処理物を搬
   入するとともに前記プラズマ処理室から外部へ被処理物
   を搬出するための画室であることを特徴とする請求項１
   記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
5. 【請求項５】前記プラズマ処理室および前記画室の間で
   の被処理物の搬送状況を制御するための制御装置をさら
   に備え、 前記画室は内部状態を調整するための第１調整手段と、
   被処理物を搬入および搬出するための開口部に取り付け
   られた開閉可能な第１シャッタと、外部側から前記プラ
   ズマ処理室側へ被処理物を搬送するとともに前記プラズ
   マ処理室側から外部側へ被処理物を搬送するための第１
   搬送装置とを有し、 前記プラズマ処理室は内部状態を調整するための第２調
   整手段と、被処理物を搬入および搬出するための開口部
   に取り付けられた開閉可能な第２シャッタと、前記画室
   側から内部へ被処理物を搬送するとともに内部から前記
   画室側へ被処理物を搬送するための第２搬送装置とを有
   し、 前記制御装置は、前記第１調整手段および前記第２調整
   手段の動作タイミングと前記第１シャッタおよび前記第
   ２シャッタの開閉タイミングと、前記第１搬送装置およ
   び前記第２搬送装置の動作タイミングとを制御すること
   を特徴とする請求項４記載のマイクロ波プラズマ処理装
   置。