KR20090040448A - 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치 - Google Patents

가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090040448A
KR20090040448A KR1020097003813A KR20097003813A KR20090040448A KR 20090040448 A KR20090040448 A KR 20090040448A KR 1020097003813 A KR1020097003813 A KR 1020097003813A KR 20097003813 A KR20097003813 A KR 20097003813A KR 20090040448 A KR20090040448 A KR 20090040448A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wet
blocking means
chemical treatment
spray jet
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020097003813A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101096326B1 (ko
Inventor
마르쿠스 랑
Original Assignee
엘피 페르마르크퉁스 게엠베하 운트 코. 카게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘피 페르마르크퉁스 게엠베하 운트 코. 카게 filed Critical 엘피 페르마르크퉁스 게엠베하 운트 코. 카게
Priority claimed from PCT/DE2007/001306 external-priority patent/WO2008011870A1/de
Publication of KR20090040448A publication Critical patent/KR20090040448A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101096326B1 publication Critical patent/KR101096326B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
    • B05B12/06—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery for effecting pulsating flow
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/20—Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/068—Apparatus for etching printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/0746—Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1492—Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1509—Horizontally held PCB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 소재의 표면의 습식-화학 처리에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 인쇄 회로 기판 기술에서의 구조물의 가속 처리에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따라서, 처리 유체의 펄스형 스프레이 제트가 소재의 표면에 대항하여 산출 및 유도된다. 이것은 필요한 처리 시간의 량이 실제로 감소 되도록 처리될 구조물의 베이스에 대해 명백한 충돌 작용을 일으킨다. 펄스들 사이의 중단 부분에서 구조물의 채널로부터 처리 유체의 압력이 없는 가속 유출이 구조물의 플랭크에서 끝나거나 또는 회로 기판 도체가 공지 기술에서보다 더 낮은 습식-화학 처리에 노출된다. 화학 에칭의 경우에 그 결과 더 작은 언더커팅(undercutting)이 일어난다.

Description

가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치{METHOD OF, AND APPARATUS FOR, THE ACCELERATED WET-CHEMICAL TREATMENT OF SURFACES}
본 발명은 스프레이 또는 살포 처리 유체(sprayed or sprinkled treatment fluid)에 의해 소재의 표면의 습식-화학 처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
습식-화학 처리용 플랜트는 침지 플랜트(immersion plant) 또는 연속 처리 플랜트 일 수 있다. 그러한 플랜트의 사용에서, 당해 기술분야에 숙련된 자는 처리 유체가 처리될 소재의 표면에 대항하여 흐르도록 정지, 작동 또는 진동 노즐 또는 노즐 파이프를 사용한다. 여기에는 습식-화학 처리의 충분한 결과가 가능한 한 신속하게 성취되게 하려는 의도가 있다. 실제적인 표면 처리에서, 그러한 의도는 표면처리의 강도를 증가시켜, 즉 처리 시간을 더욱 짧게 하여, 성취가능한 결과를 나쁜 쪽으로 변경시키기 때문에, 부정적이다. 표면처리의 적용에 대한 전형적인 실 예는 인쇄 회로 기술이다. 본 발명의 방법 및 장치가 유리하게 적용될 수 있는 이러한 기술에는 다양한 공정이 있다. 이것은 예를 들면 필름의 세척, 헹굼, 현상 또는 구리의 방식(resist), 에칭(etching), 필름의 스트리핑(stripping) 또는 방식 및 금속 방식 에칭, 등이다. 그러한 방법은 항상 처리될 소재에 대항하여 스프레이 또는 살포함으로써 수행된다. 소재의 표면상에서, 필요한 물질 이동은 대응한 확산 층에서 일어난다. 그러한 물질 이동은 감소된 량의 처리 시간을 초래하는 증대된 스프레이 압력에 의해 가속화될 수 있다. 그러나, 그러한 경우에는, 처리의 정밀도에 불리하게 영향을 주는 원치않는 부작용이 초래된다. 실 예로서 소재의 표면상의 전체 표면의 에칭 또는 인쇄 회로 기판의 전도성 패턴의 에칭이 있다. 에칭되지 않는 영역은 필름 또는 방식에 의해 커버 된다. 방식은 에칭 유체에 대항하여 안정적이다. 노즐 또는 노즐 파이프의 스프레이 또는 살포에 의한 에칭이 수행되면, 그러한 처리는 방식 커버 영역들 사이의 에칭 채널의 노출된 영역에서 일어날 뿐만 아니라, 역시 에칭 채널의 플랭크(flank)에서도 일어난다. 그 결과는 매우 작은 스케일로 허용될 수 있는 방식(resist)의 언더커팅(undercutting)이다. 따라서, 도체 트랙(conductor track)의 치수 및 횡단면에 관하여, 나머지 구조물의 결과는 예측할 수 없다. 특히, 정밀한 도체 기술에서 (120μm 및 그 이하의 도체 트랙 폭 및 간격), 더욱 높고 재생가능한 정밀한 처리 결과가 요구된다. 그러므로, 상술한 다른 방법에 의해 구조물의 플랭크의 예측할 수 없는 처리는 또한 허용되지 않는다. 일반적으로, 에칭된 구조물의 필수적인 정밀성을 성취하기 위해, 처리 시간이 감소되는데, 그러나, 이것은 인정되지 않는다.
독일 특허 공개 DE 195 24 523 A1 에서, 습식-화학 표면처리중에 일어나는 상술한 바와같은 그러한 문제를 해결하기 위한 방법 및 장치가 기술되어 있다. 캐비테이션 버블(cavitation bubble)이 결합된 유체 제트는 특수 노즐에서 고압에서 발생된다. 유체 제트는 소재의 표면상의 확산층에 필요한 후래쉬 매스(fresh mass)를 이동시킨다. 여기서 캐비테이션 버블은 안쪽으로 파열되어 매스 이동을 초래한 다. 이 방법은 상술한 적용들에 대해, 특히 인쇄 회로 기술에 적합하다. 그러나, 고압 유닛의 기술적인 복잡성이 매우 높다.
독일 특허 공개 DE 31 04 522 A1 에서, 구조물의 습식-화학 에칭에 대한 억제제가 기술되어 있는데, 여기서 억제제는 에칭 용액에 첨가된다. 억제제는 에칭 채널의 플랭크의 보호를 위해 보호 외피를 형성한다. 억제제는 플랭크에 대한 반작용을 감소시키는 것으로 기술되어 있다. 그러나, 이 방법은 각각의 공정에 대해 특수한 억제제를 요하며, 이것은 이 방법의 일반적인 적용을 제한한다.
독일 특허 공개 DE 199 08 960 에서, 플랫 캐리어의 층의 에칭을 위한 다른 방법이 기술되어 있는데, 여기서 한 측면의 층의 두께는 다른 대향한 측면의 층의 두께와 상이하다. 캐리어의 각 측면에 대한 개개의 처리 시간이 설정되고 처리 시간은 에칭될 층의 두께와 비례한다. 이것은 가장 긴 가능한 처리 시간과 비교하여 더욱 짧은 시간이 필요하다면 일시적인 처리의 중단에 의해 수행된다. 중단 기간은 최대의 층 두께의 경우 제로가 될 수 있다.
독일 실용 DE 199 08 960 C2 에서, 단락 [0021]에 에칭 공정의 각각의 중단중에 에칭 용액을 부착시킴으로써 일시적인 리에칭(reetching)이 일어나는 것이 기술되어 있다. 리에칭이 일어나는 기간보다 더 짧은 중단 기간은 이러한 적용에 대해 합리적이지 않다. 일반적으로 얇은 층은 감소된 에칭 시간에서 에칭될 수 있다. 리에칭의 경우에 주기적인 중단이 중요하다.
독일 특허 공개 DE 101 54 886 A1 에서, 에칭 채널의 플랭크에서 에칭을 감소시키기 위한 방법이 기술되어 있다. 금속 소재의 제거는 두 단계의 방법으로 수 행된다. 첫째, 금속 소재는 펄스 전기장을 적용함으로써 전기분해로 제거된다. 이러한 에칭은 양호하게는 플랭크가 보다 낮은 면적으로 어택(attack)되는 에칭 채널의 깊이 방향에서 일어난다. 에칭 채널의 소정의 깊이에 도달한 후, 일부 구조물의 전기 접속이 차단된다. 그러므로, 그러한 에칭 채널을 베이스로 한 영역은 더 이상의 기술적인 노력을 요하는 더 이상의 공정에서 리에칭(reaching)되어야 한다.
공지 기술의 그러한 문제점들에 비추어, 본 발명의 주요한 목적은 표면상에서 정밀한 표면처리를 위한 습식-화학 공정을 허용하고 이것에 의해 짧은 처리 시간을 성취하는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 방법은 청구항 제1항에 따른 방법과 청구항 제15항에 따른 장치를 제공함으로써 성취될 수 있다.
본 발명은 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명에서 기술된다.
도1은 표면의 강제적인 습식-화학 처리를 위한 기본 원리를 도식적으로 도시하는 도면이다.
도2a는 노즐의 앞쪽에 디스크와 같은 회전 차단 수단을 갖는 제1 실시 예의 절단면을 도시한 도면이다.
도2b는 도2a의 차단 수단의 상세도를 도시한다.
도3은 차단 수단과 같은 회전 실린더를 갖는 다른 예시적인 실시 예의 두 개의 도면을 도시한 도면이다.
도4는 도3의 회전 실린더의 전개된 도면을 두 개의 도면으로 도시하는 도면이다.
도5는 진동 차단 수단을 두 개의 위치에 갖는 본 발명의 예시적인 실시 예를 도시한 도면이다.
도1은 구멍 또는 노즐(1)로 부터 흐르는 처리 유체의 스프레이 제트(2)를 도시하며, 여기서 스프레이 제트(2)는 노즐의 하류에 위치되고 구멍이 제공된 이동 차단 수단(3)에 의해 스프레이 제트(2)가 단속(chop)되고, 즉 반복적인 방식으로 차단된다. 이 실시 예에서, 주기적으로 차단되는 스프레이 제트(2)는 유효 제트(4)로서 처리될 소재(6)의 표면(5)에 도달하며, 여기서 본 발명에 따라 스프레이 제트(2)는 소재(6)의 표면(5)에 대항하여 불연속적으로 부딪치거나 충돌한다. 스프레이 제트(2)는 유체역학적으로 진동하는 유효 제트(4)로서 작용한다. 유효 제트(4)의 유체는 아래에서 유효 유체(8)라고 부른다. 펄스 중지중 차단 수단(3)에서 축적되고, 바로 지금 사용되지 않는 처리 유체는 아래에서 반응 유체(reactive fluid)(9)라고 부른다. 이 반응 유체(9)는 처리될 소재(6)의 표면(5)으로 부터 주로 멀리 떨어져서 유지된다. 이것은 소재(6)의 표면(5)상에 대한 처리 유체의 부착을 감소시킨다. 따라서, 차단 또는 진동 유효 제트(4)의 동력학적인 영향은 화학적인 처리중 크게 향상된다. 처리될 소재(6)의 표면(5)상에서, 처리 유체로 젖은 표면의 영구적인 충격 및 관통(breaking-through)이 성취된다. 그러한 충격 작용은 실제로 확산층의 두께를 감소시킴으로써 실제적인 습식-화학 처리를 지지한다. 이러한 동력학적인 지지는 헹굼 공정을 포함하여 상술한 모든 공정에 대해 유용하다. 처리 시간은 충격 작용에 의해 50%까지 감소된다. 공지 기술에 따른 습식-화학 처리를 강요하기 위한 방법들이 처리결과의 품질에 전반적으로 그리고 에칭 채널의 품질에 특히 바람직하지 않은 영향을 주기 때문에, 상당한 이익이 있고 매우 놀랄만한 구조물의 처리중 성취된 정밀성은 부정적인 방식으로 영향을 받지 않는다.
처리 제트의 주기적인 차단은 적어도 0.5 Hz, 바람직하게는 10 Hz 내지 100 Hz 또는 그 이상인 진동수로 수행된다. 충격 중지(impingement pause)에 대한 충격 펄스 시간(impingement pulse time)의 비율은 적어도 10 : 1 내지 1 : 10, 바람직하게는 2 : 1 내지 1 : 2 이고, 여기서 이 비율은 제어 장치에 의해 조정된다. 차단 수단의 구동은 전동, 전자기, 공기역학, 유압 또는 다른 작동기 장치에 의해 수행될 수 있다. 본 발명은 예를 들면 처리 유체내의 억제제와 함께 습식-화학 처리 결과의 개선을 위한 다른 공지된 측정기구와 결합될 수 있다.
본 출원인은 정밀한 트랙의 에칭을 위한 본 발명의 방법 및 장치를 인쇄 회로 기판상에 적용했다. 그 결과 약 33%의 처리 시간의 감소가 있었고, 여기서 공지 기술에 따른 방법에 의해 성취된 결과와 비교하여 방식(resist)의 더 이상의 언더컷팅(undercutting)이 발견되지 않았다. 본 발명의 에칭 처리에도 불구 하고 에칭 채널 내의 플랭크(flank)가 변경되지 않은 채로 남아있었다. 이것은 에칭 채널을 기초로 한 충격 효과는 구조물의 플랭크상에 대한 효과에 비해 훨씬 더 큰 것으로 생각된다. 더욱이, 한편으로 펄스 정지중에 처리 유체가 소재의 표면으로 흐르지 않고 다른 한편으로 처리 유체가 에칭 채널로부터 멀리 배수될 수 있는 것으로 짐작된다. 다음의 에칭 펄스중 에칭 채널에 남아있던 처리 유체는 압력으로 부터 해방되고, 유효 제트(4)는 더욱 큰 깊이까지 더욱 얇은 확산층을 관통한다. 특히, 정밀한 도체 기술, 소위 HDI 기술에서, 에칭 채널의 필요한 절단 깊이는 트랙의 폭을 성취한다. 이것은 인쇄 회로 기판 기술의 모든 공정에 대한 큰 도전이다. 공지 기술에서 알려져 있는 바와 같이, 처리 유체에 의해 야기된 플랭크상의 유체 압력은 깊이 형성된 채널의 본 발명의 진동 처리에 의해 방지된다. 결론적으로, 구조물의 플랭크는 채널의 베이스에 비해 더 적게 습식-화학식으로 처리된다. 따라서, 본 발명의 방법을 적용함으로써, 습식-화학 처리의 정밀성을 크게 향상시키며, 한편 품질의 손실 없이 처리 시간을 크게 감소시키는 것이 가능하다.
출원인이 수행한 에칭 실험 도중, 소재(6)의 표면(5)에 대한 노즐(1)의 거리는 총 100mm 에 달했다. 30°의 정점 각도(apex angle)를 갖는 테이퍼 노즐의 각각을 통한 처리 유체의 흐름 율은 3 bar(300.000 N/m2)의 압력에서 분당 총 1.6 리터에 달했다.
도2a는 여러 노즐(1)에 설치된 관형상의 스프레이 장치(10)의 횡단면을 도시한다. 노즐 대신에, 예를 들면 0.5 mm 내지 3 mm의 구멍 직경을 가지는 호울을 갖는 장치(10)를 제공하는 것이 값이 더 싸다. 처리 유체는 입구(7)를 통해 가압되어 스프레이 장치(10)속으로 흐르며 장치(10)를 가압하여 노즐(1)을 통해 방출한다. 압력은 크게 변할 수 있다. 압력은 소재(6)의 하부측 또는 상부측에 관하여 노즐의 위치설정 및 구조물의 칫수, 공정에 따라 1.1 내지 100 bar 가 될 수 있다. 호울 또는 홈(recess)을 가지는 구멍이 뚫린 디스크(11)로서의 회전가능한 차단 수단은 노즐(1)의 하류측, 즉 처리 유체의 흐름 방향에 관하여 노즐(1)의 후방에 위치된다. 구멍이 뚫린 디스크에는 배출된 처리 유체가 디스크(11)상에 힘을 인가하고, 이것에 의해 디스크가 교체되도록 처리 유체의 스프레이 제트(2)의 일부분에 노출되는 손잡이(catch)(12)가 제공된다. 이것에 의해, 구멍이 뚫린 디스크(11)는 운전중의 상태로 설정된다. 디스크(11)는 유효 제트(4)로서의 처리 유체가 펄스 방식으로 소재(6)의 표면(5)에 도달하도록 스프레이 제트(2)를 차단한다. 도2b에서, 구멍이 뚫린 디스크는 두 쌍의 노즐(1)로 도시되어 있다. 각 쌍의 노즐(1)은 스프레이 장치(10)에 배열되고, 여기서 각 쌍의 노즐(1)은 구멍이 뚫린 디스크(11)의 소정의 회전 방향을 따라 다르게 기울어진다. 구멍이 뚫린 디스크(11)에는, 도2b에 도시된 바와 같이, 호울 또는 슬롯으로서의 구멍(13)이 제공된다.
추가의 실시 예에 따라, 차단 수단은 스프레이 장치의 전체 길이를 따라 연장하는 노즐 또는 호울의 축 방향으로 그리고 전방으로 배치된 구멍이 뚫린 또는 슬롯형상으로 된 스트립이다. 구멍을 가지는 스트립은 스프레이 제트(2)를 차단하기 위해 축방향에서 주기적으로 이동된다.
스프레이 장치는 소재(6)의 수평 또는 수직 이동과 함께 연속한 처리 플랜트에 고정 위치될 수 있고, 여기서 스프레이 장치는 이동 방향에서 100mm 떨어져서 간격진다. 그러나, 이들은 공지 기술에 따라 습식-화학 기계에서 알려진 바와 같이 이동가능하게 배열될 수 있다. 이 점에서, 차단 수단(3)과 결합하여 본 발명의 스프레이 장치(10)는 반경 방향 및/또는 축 방향으로 선회 또는 진동 이동을 수행할 수 있다. 이것에 의해, 소재의 표면상에 대한 유체의 축적이 감소된다.
도3은 스프레이 장치(10)에 구멍(14) 또는 노즐이 제공되어 있는 본 발명의 다른 실시 예를 도시한다. 선회 또는 회전 실린더(15)는 동축 방향으로 스프레이 장치(10)에 위치되며, 여기서 실린더(15)에는 실린더의 원주방향으로 배열된 슬롯(16) 또는 호울이 제공되고 스프레이 장치(10)의 호울과 일치하며, 즉 실린더는 스프레이 제트에 대한 차단 수단이다. 슬롯(16) 또는 호울의 각각에는 그곳의 양 측면에 칼라(collar)(17)가 제공된다. 그러한 칼라(17)는 실린더 또는 차단 수단상에 힘을 인가하기 위해 과도한 압력으로 배출된 약간 경사진 스프레이 제트(2)에 대한 접촉 표면으로서 작용하며, 이것에 의해 차단 수단은 변위되어 운전상태로 된다. 더욱이, 칼라(17)는 펄스 정지중 소재(6)의 표면(5)에 도달하지 않아야 하는 처리 유체를 축적한다. 처리 유체는 실린더로 부터 측방향으로 방출된다. 스프레이 장치(10)와 실린더(15)의 약간의 경사는 처리 유체의 측방향 방출을 지원한다. 그러므로, 유체의 이러한 부분은 소재(6)의 표면(5)에 도달하지 않는다. 이것에 의해, 처리될 표면의 습윤(wetting)은 상술한 충격 효과가 개선되도록 최소로 감소된다. 본 발명의 장치는 이러한 소재가 연속한 처리 플랜트를 통해 수평방향으로 이동될 경우 소재의 표면의 습식-화학 처리에 대해 아주 적합하다. 필요하지 않은 처리 유체는 처리될 항목의 표면으로부터 멀리 떨어져서 유지된다.
실린더의 베어링은 스프레이 장치의 단부에 배열될 수 있다. 이를 위해, 구름 베어링(rolling bearings)(18)이 사용될 수 있는데, 여기서 그러한 베어링은 각각의 처리 유체에 대항하여 화학적으로 부식되지 않아야 한다. 플라스틱 또는 세라믹으로 구성된 구름 베어링이 적합하다.
원통형 차단 수단 및 다른 차단 수단은 전기, 공압, 또는 유체역학 구동장치에 의해 운전상태로 설정될 수 있다. 이것에 의해, 회전 속도는 스프레이 제트(2)의 물리적인 특성과는 독립적이다. 특히, 높은 회전 속도와 높은 펄스 사이클은 예를 들면 초당 1000 펄스로 조정될 수 있다. 이것에 의해, 유효 제트는 입구(7)가 고압인 경우에 처리 유체의 높은 가속화된 급강하(highly accelerated drops)의 짧은 사이클로 변형된다. 이것은 특히 습식-화학 공정에 대해 유효하다. 거친 주위 환경으로 인해, 공랭식 모터 또는 적절하게 보호된 전기 모터가 적용가능하다.
습식-화학 플랜트의 전기 및 전자 제어 장치는 소재의 원하는 처리에 따라 공정의 파라미터(parameter)들을 조정할 수 있다. 차단 진동수의 조정 및 유효 제트(4)의 펄스 정지와 펄스 시간 사이의 비율에도 동일하다.
도4에서, 실린더(15)의 전개된 도면이 평면도와 측면도로 각각 도시되어 있다. 브릿지(bridge) 또는 웨브(19)는 스프레이 제트(2)가 방해받지 않도록 슬롯(16)이 제공된 실린더(15)를 안정화시키기 위해 노즐 위치들 사이에 배열될 수 있다. 처리 유체가 축적되는 실린더(15)의 영역의 베이스 상에, 댐퍼(20)와 같은 탄성 부재가 삽입될 수 있다. 이 댐퍼(20)는 유체가 실린더(15)의 내측 벽상에 부딪칠 때 처리 유체가 제어되지 않고 튀기는 것을 감소시켜 준다. 부가적으로, 이것은 실린더(15)로 부터 처리 유체의 측방향 방출을 가속화시킨다.
도5a 및 도5b에서, 노즐(1)과 진동 박막(21)으로서의 차단 수단(3)이 도시된다. 이 탄성 기계 부재는 고정된 지점(23)에 장착된다. 차단 수단은 스프레이 제트(2)가 진동 박막(21)의 상부 단부를 때리고 이것에 의해 스프레이 제트(2)가 전환되도록 노즐(1)의 전방으로 배열된다. 이것에 의해, 진동 박막(21)은 진동 박막(21)의 출구(22)가 도5b에 도시된 바와 같이 제트의 방향에 위치되도록 스프레이 제트(2)쪽으로 방향이 구부러진다. 출구(22)는 처리될 소재(6)의 표면에 대해 통로를 개방한다. 처리 유체의 유효 제트는 갑자기 소재(6)에 도달한다. 동시에, 진동 박막(21)에 대한 동력학적인 압력은 감소된다. 이것에 의해, 도5a에 도시된 바와 같이 진동 박막(21)은 그의 시작위치로 갑자기 복귀한다. 이 위치에서, 처리 유체의 스프레이 제트(2)는 반작용 제트로서 전환되고 회수 채널(collection channel)(24)에 의해 회수된다. 소재의 표면에 도달하지 않는 처리 유체는 회수 채널(24)에 의해 스프레이 장치에 대해 측방향 및 횡단 방향으로 전환된다. 회수 채널(24)은 표면(5)에 대해 평행하게 연장한다. 본 발명의 이러한 실시 예는 수평방향으로 이동된 소재의 양 측면에서 처리를 행하기에 적합하다. 진동 박막의 탄성 특성 및 크기와 처리 유체의 유체역학적인 상태는 습식-화학 처리의 최적의 펄스 진동수를 결정한다.
본 실시 예에 따른 차단 수단은 또한 각각의 치수가 작은 경우에 노즐 자체내에 수용하기에 적합하다. 그러한 차단 수단이 제공되거나 또는 유사한 차단 수단이 제공된 노즐을 사용하면, 펄스 정지중 처리 유체의 방출이 방지된다. 게다가, 이들 노즐들은 수평방향으로 이동된 소재의 상부 측면상에 배치되기에 적합하다.
본 발명의 추가의 실시 예에 따라, 부가적인 흡입장치가 소재(6)의 표면(5)으로 부터 과도한 처리 유체를 제거하기 위해 제공된다. 게다가, 소재(6)의 표면(5)상의 유체 축적이 방지되고, 유체의 불필요한 잔류물이 예방되어 도체 트랙의 언더컷팅이 더욱 감소된다.
상술한 설명은 예시 및 설명을 위한 목적으로 주어진다. 여러가지 변경 및 변형이 본 발명의 범주 또는 정신으로 부터 벗어나지 않고 상술한 본 발명에 대해 행해질 수 있다.
도면부호의 설명
1 : 노즐, 개구 2 : 처리 유체의 스프레이 제트
3 : 차단 수단 4 : 유효 제트, 맥동 제트
5 : 피처리 표면 6 : 소재
7 : 입구 8 : 유효 유체
9 : 반응 유체 10 : 분사 장치
11 : 천공 디스크 12 : 캐치
13 : 개구 14 : 구멍
15 : 실린더 16 : 슬롯
17 : 칼라 18 : 구름 베어링
19 : 브릿지 20 : 댐퍼
21 : 진동막 22 : 출구
23 : 고정점 24 : 회수 채널

Claims (28)

  1. 침지 플랜트(immersion plant) 또는 연속 처리 플랜트 내의 처리 유체에 의해 소재(6), 특히 인쇄 회로 기판, 웨이퍼 또는 하이브리드 소재의 표면(5)의 습식-화학 처리를 위한 방법으로, 처리 유체가 소재(6)를 향한 방향으로 스프레이 제트(2)로서 운반되는 습식-화학 처리를 위한 방법에 있어서,
    상기 스프레이 제트(2)가 소재(6)의 표면(5)상에 불연속적으로 충돌하도록, 스프레이 제트 차단 수단(3)이 배치되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스프레이 제트(2)는 노즐(1)에 의해 발생되며, 처리 유체는 처리 유체의 흐름 방향에 관하여, 노즐(1)의 전방에, 노즐(1)의 내측에 또는 노즐(1)의 후방에 배치되는 차단 수단(3)에 충돌하는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 차단 수단(3)의 변위는 회전(rotational), 선회(swivelling), 또는 선형 이동에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    소재(6)에 대한 스프레이 제트(2)의 불연속적인 충돌은 주기적으로 수행되고, 적어도 0.5 Hz, 특히 10 Hz 내지 100 Hz의 차단 진동수가 달성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스프레이 제트(2)는, 소재(6)에 대항하여 과압으로 그리고 초당 1000 의 급강하(drop)까지 흐르는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    소재(6)에 대한 스프레이 제트(2)의 불연속적인 충돌은, 10:1 내지 1:10, 바람직하게는 2:1 내지 1:2의 범위에 이르는 충격 펄스 중지에 대한 충격 펄스 시간의 비율로 발생하는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    회전(rotary), 선회(oscillating), 또는 진동(vibrating) 부재로서의 차단 수단(3)은, 과압으로 방출되는 처리 유체에 의해 회전, 선회, 또는 진동 운동 상태로 설정되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  8. 청구항 1 내지 7 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)의 변위는 전기, 공압, 또는 유체역학적 구동장치에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  9. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
    평평한 소재가 한 측면 상에서만 또는 양쪽 측면에서 동시에 처리되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  10. 청구항 1 내지 9 중의 어느 한 항에 있어서,
    소재(6)에 대한 스프레이 제트(2)의 불연속적인 충돌의 진동수 또는 소재(6)에 대한 스프레이 제트(2)의 충격 펄스 시간과 충격 중단 사이의 비율과 같은 작동 변수들이 제어 장치에 의해 조정되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  11. 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 있어서,
    인쇄 회로 기판의 습식-화학 처리는, 필름의 세척, 헹굼, 현상 또는 구리의 방식(resist), 에칭(etching), 필름의 스트리핑(stripping) 또는 방식 및 금속 방식 에칭에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  12. 청구항 2 내지 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노즐(1)은 회전 장치(swivelling deivces) 또는 선회 장치(oscillating devices)와 협력하는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  13. 청구항 1 내지 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은 처리 유체를 수집하고, 이 유체를 처리될 소재(6)의 표면(5)으로 부터 떨어져서 유지시키는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 처리 유체는 칼라(collar)(17) 또는 수집 채널(24) 또는 흡입 장치에 의해 소재(6)의 표면(5)으로 부터 멀리 떨어져서 유지되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 방법.
  15. 침지 플랜트(immersion plant) 또는 연속 처리 플랜트 내의 처리 유체에 의해 인쇄 회로 기판, 웨이퍼 또는 하이브리드 소재와 같은 소재(6)의 표면(5)의 습식-화학 처리를 위한 장치로서, 상기 장치에 의해 처리 유체가 소재(6)를 향해 스프레이 제트(2)로서 운반될 수 있는 습식-화학 처리를 위한 장치에 있어서,
    스프레이 제트(2)가 소재(6)에 불연속적으로 안내될 수 있도록 변위할 수 있는 적어도 하나의 스프레이 제트 차단 수단(3)을 구비하는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 스프레이 제트(2)는 노즐(1)에 의해 달성될 수 있고, 차단 수단(3)은 처리 유체의 흐름 방향에 관하여, 노즐(1)의 전방에, 노즐(1)의 내측에 또는 노즐(1)의 후방에 배치되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  17. 청구항 15 또는 16에 있어서,
    상기 차단 수단(3)의 변위는 회전, 선회 또는 선형 이동에 의해 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  18. 청구항 15 내지 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)의 변위는, 과압으로 흐르는 처리 유체의 스프레이 제트에 의해 인가되는 힘에 의해 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  19. 청구항 15 내지 18 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)의 변위는 전기, 공압, 또는 유체역학 구동장치에 의해 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  20. 청구항 16 내지 19 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은 노즐(1)과 처리될 소재(6) 사이에 배치되고, 상기 차단 수단(3)은 회전가능한 또는 선회가능한 실린더(15)로서 형성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  21. 청구항 16 내지 20 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은 진동 또는 선회 부재로서 노즐(1)내에 형성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  22. 청구항 15 내지 21 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단은 진동 박막(21)으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  23. 청구항 15 내지 22 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은 구멍을 가지는 회전식 디스크(11)로서 형성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  24. 청구항 15 내지 23 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은 처리될 표면과 평행한 관계로 연장하는 수집 채널(24)을 구비하며, 채널(24)은 스프레이 제트(2)의 불필요한 부분을 수집하는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  25. 청구항 15 내지 24 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은 구멍을 가지는 주기적으로 이동된 스트립으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  26. 청구항 15 내지 24 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단 수단(3)은, 처리 유체가 수집되고 소재(6)의 표면(5)으로 부터 떨어져서 유지될 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  27. 청구항 26에 있어서,
    수집된 처리 유체는 칼라(17) 또는 수집 채널(24)에 의해 소재(6)의 표면(5)으로 부터 떨어져서 유지될 수 있는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
  28. 청구항 15 내지 27 중 어느 한 항에 있어서,
    처리될 소재의 표면으로 부터 과도한 처리 유체를 제거하기 위한 흡입 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식-화학 처리를 위한 장치.
KR1020097003813A 2006-07-25 2007-07-21 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치 KR101096326B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006035523 2006-07-25
DE102006035523.7 2006-07-25
DE102006059046A DE102006059046B4 (de) 2006-07-25 2006-12-14 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
DE102006059046.5 2006-12-14
PCT/DE2007/001306 WO2008011870A1 (de) 2006-07-25 2007-07-21 Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090040448A true KR20090040448A (ko) 2009-04-24
KR101096326B1 KR101096326B1 (ko) 2011-12-20

Family

ID=38859522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097003813A KR101096326B1 (ko) 2006-07-25 2007-07-21 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20090179006A1 (ko)
JP (1) JP5284957B2 (ko)
KR (1) KR101096326B1 (ko)
CN (1) CN101573474B (ko)
DE (2) DE202006018111U1 (ko)
ES (1) ES2341700B1 (ko)
GB (1) GB2453482B (ko)
TW (1) TWI331056B (ko)
ZA (1) ZA200901269B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013101629A1 (de) 2013-02-19 2014-08-21 Wolfgang DAMBACHER Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
CN104815777A (zh) * 2015-04-28 2015-08-05 苏州杰东纺织新材料科技有限公司 一种电气石负载纳米TiO2复合织物的复合装置
CN205393066U (zh) * 2016-03-07 2016-07-27 成都京东方光电科技有限公司 喷淋设备
DE102016112797B3 (de) * 2016-07-12 2017-12-21 Eisenmann Se Vorrichtung und Verfahren zum Maskieren von Befestigungsbohrungen in Felgen

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1468961A (en) * 1973-09-04 1977-03-30 Teledyne Ind Spray nozzle
US3937175A (en) * 1973-12-26 1976-02-10 American Hoechst Corporation Pulsed spray of fluids
US4319955A (en) * 1980-11-05 1982-03-16 Philip A. Hunt Chemical Corp. Ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of reducing etchant undercut
JPS6166938A (ja) * 1984-09-10 1986-04-05 Bridgestone Corp 押付け力測定方法
US4875067A (en) * 1987-07-23 1989-10-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Processing apparatus
JPH01142091A (ja) * 1987-11-30 1989-06-02 Hitachi Ltd エッチング方法および装置
JPH01297162A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Noritz Corp 多機能シャワーヘッド
DE3923405A1 (de) * 1989-07-14 1991-01-24 Wacker Chemitronic Vorrichtung zum transportieren und positionieren von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung derselben
JPH0598552A (ja) * 1991-10-03 1993-04-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd 不織布の製法
JPH05226810A (ja) * 1992-02-12 1993-09-03 Nippon Tec Kk プリント基板のエッチング装置
JPH07249376A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd ブラウン管部材の脱脂洗浄方法
DE4416747A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-16 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen
DE19524523A1 (de) * 1995-07-05 1997-01-09 Atotech Deutschland Gmbh Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik
JP2000104182A (ja) * 1998-09-30 2000-04-11 Seiko Epson Corp ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置
DE19908960C2 (de) * 1999-03-02 2003-04-30 Bosch Gmbh Robert Ätzverfahren
JP3706770B2 (ja) * 1999-06-28 2005-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板メッキ装置
US6443639B1 (en) * 1999-06-29 2002-09-03 Applied Science Fiction, Inc. Slot coater device for applying developer to film for electronic film development
US6375088B1 (en) * 1999-08-11 2002-04-23 International Business Machines Corp. Fluid delivery device with pulsating linear discharge and fluid cleaning method
JP4478251B2 (ja) * 1999-08-25 2010-06-09 学校法人トヨタ学園 レーザとウォータジェットの複合加工装置
TW512131B (en) * 2000-06-08 2002-12-01 Mosel Vitelic Inc Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment
JP2002027099A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd コードレス電話装置
US6307240B1 (en) * 2000-12-22 2001-10-23 Visteon Global Technologies, Inc. Pulsed etching manufacturing method and system
JP2005223363A (ja) * 2001-03-30 2005-08-18 Minebea Co Ltd Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜の製造方法
JP3700085B2 (ja) * 2001-03-30 2005-09-28 ミネベア株式会社 フェライト薄膜の製造方法
US6699356B2 (en) * 2001-08-17 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures
DE10154886A1 (de) * 2001-11-05 2003-07-31 Schmid Gmbh & Co Geb Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen
JP3981874B2 (ja) * 2002-04-11 2007-09-26 日立化成工業株式会社 薬液処理方法および薬液処理装置
JP2004111444A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Canon Inc Ｉｃ部品の外装樹脂の除去装置
US7582180B2 (en) * 2004-08-19 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for processing microfeature workpieces
KR100882910B1 (ko) * 2007-07-19 2009-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 식각장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20090179006A1 (en) 2009-07-16
GB2453482A (en) 2009-04-08
ZA200901269B (en) 2010-03-31
TW200821051A (en) 2008-05-16
GB2453482B (en) 2011-08-17
DE102006059046A1 (de) 2008-01-31
CN101573474B (zh) 2013-03-27
DE102006059046B4 (de) 2011-12-29
GB0901297D0 (en) 2009-03-11
TWI331056B (en) 2010-10-01
CN101573474A (zh) 2009-11-04
DE202006018111U1 (de) 2007-02-08
JP5284957B2 (ja) 2013-09-11
KR101096326B1 (ko) 2011-12-20
JP2009544845A (ja) 2009-12-17
ES2341700A1 (es) 2010-06-24
ES2341700B1 (es) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101096326B1 (ko) 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치
KR101267760B1 (ko) 레이저 가공장치
EP0457841A4 (en) Apparatus and method for dispensing solution to prevent smear in the manufacture of printed circuit boards
JP5362623B2 (ja) 基板処理装置
JP5294309B2 (ja) 脱泡装置、気泡除去方法、めっき方法、および微少金属構造体
CA2225829A1 (en) Method and device for chemical and electrolytic treatment of printed circuit boards and conductor films
WO2008011870A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen
CN116713135A (zh) 清洗设备及喷头组件
JP3200876B2 (ja) 回路基板洗浄方法及び洗浄装置
JPH11515142A (ja) 加工品に延在する孔又は窪みを液状処理剤で処理するための方法と装置
KR20110040473A (ko) 용융 도금용 가스 와이핑 장치
EP1266546A1 (de) Behandlung von schaltungsträgern mit impulsartiger anregung
JPH01216799A (ja) ウオータジェット切断装置のキャッチャー
JP5115030B2 (ja) メタル版の洗浄方法及び洗浄装置並びにメタル版洗浄用の噴射ノズル
KR20070045674A (ko) 기판세정용 분사노즐 및 세정액 분사방법
JPH02153081A (ja) エッチング方法および装置
JP6656255B2 (ja) 基板をリンスするシステム及び方法
JP2012190845A (ja) レジスト剥離用界面活性剤及びこれを用いた基板処理方法
JP2011168854A (ja) 金属部材の防錆膜形成方法
JP2001259552A (ja) 流体処理装置
KR100854981B1 (ko) 인쇄회로기판 제조공정상의 습식공정 처리장치
JP2012211726A (ja) 異形銅条の水切り乾燥方法
KR102010046B1 (ko) 강판세정장치 및 이를 포함하는 소둔설비
KR100995410B1 (ko) 펄스 젯을 이용한 세정 장치
TW202314909A (zh) 用於有角基板的去塗層裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee