JP2009544845A - 表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置 - Google Patents
表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009544845A JP2009544845A JP2009521103A JP2009521103A JP2009544845A JP 2009544845 A JP2009544845 A JP 2009544845A JP 2009521103 A JP2009521103 A JP 2009521103A JP 2009521103 A JP2009521103 A JP 2009521103A JP 2009544845 A JP2009544845 A JP 2009544845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- fluid
- jet
- processing fluid
- spray jet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 31
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 19
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- KEUKAQNPUBYCIC-UHFFFAOYSA-N ethaneperoxoic acid;hydrogen peroxide Chemical compound OO.CC(=O)OO KEUKAQNPUBYCIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
- B05B12/06—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery for effecting pulsating flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
- B05B12/20—Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/068—Apparatus for etching printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
- H05K2203/0746—Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1492—Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1509—Horizontally held PCB
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明は、材料表面の湿式化学処理に関する。本発明は特に、プリント回路板技術における処理を加速させる構造に関する。本発明の方法によると、処理流体のパルス型吹付け噴流が生成され、被処理材料へ誘導される。これにより、被処理構造の表面への著しい衝撃作用を発生させ、必要な処理時間が大幅に短縮される。パルスとパルスとの間の一時中止時間中は、構造の溝からの処理流体の流出が圧力を受けず、加速されるため、構造の側面または回路板の導体の湿式化学処理量は先行技術と比べて少なくなる。化学エッチングの場合、結果としてアンダーカットが少なくなる。
【選択図】 図１
【選択図】 図１
Description
本発明は、処理流体の吹付けまたは散布により材料の表面を湿式化学処理する方法および装置に関する。
湿式化学処理のための工場は、一般に浸漬工場または連続処理工場である。そのような工場を用いる場合、当業者は被処理材料の表面に向かって処理流体が流れるよう、固定式、アクチュエータ作動式、または振動式のノズルまたはノズルパイプを使用する。これは、充分な湿式化学処理の成果ができる限り速く得られるようにする意図によるものである。しかし、表面処理の実施において、そのような意図と相反する作用がある。表面処理の集中度を増すと、すなわち処理時間を短縮すると、得られる成果は悪化する。
典型的な表面処理の適用例は、プリント回路技術である。この技術においては、本発明による方法および装置を好適に適用することができる様々な工程がある。例えば、洗浄や濯ぎ濯ぎ、フィルムまたはレジストの現像、銅のエッチング、フィルムまたはレジストの除去、および金属レジストのエッチングである。このような方法は通常、被処理材料に吹付けまたは散布することにより実行される。材料の表面上で、必要な物質移動が、対応する拡散層内で起こる。このような物質移動は、吹付け圧力を増加することにより加速し、その結果、処理時間が短縮される。しかし、このような場合、処理成果の精度が悪化するという好ましくない副作用がある。例として、材料表面の全般的構造のエッチングや、プリント回路板の導電性パターンのエッチングが挙げられる。エッチングしない領域は、フィルムまたはレジストで覆われる。レジストはエッチング液に対して安定している。ノズルまたはノズルパイプでの吹付けまたは散布によりエッチングを行う場合、そのような処理は、レジストで覆われた領域と領域の間のエッチング溝の露出部のみでなく、エッチング溝の側面でも行われることになる。結果として、レジストのアンダーカットは非常に小さい規模でしか許容されなくなる。従って、導体トラックの寸法および断面に関して、残りの構造についての成果は予測できない。特に精密導体技術（導体トラックの幅および間隔が約１２０μｍ以下）において、精度および再現性がより高い処理成果が要求される。従って、前述した他の方法による構造の側面の処理の予測不能性も許容されない。一般的に、エッチング構造に必要な精度を得るために処理時間が短縮されるが、これは好ましいことではない。
ドイツ特許出願公開第ＤＥ １９５ ２４ ５２３ Ａ１号明細書には、表面の湿式化学処理時に発生する前述の課題を解決するための方法および装置が記載されている。流体噴流において、キャビテーション気泡がノズルの特定の高圧部分で発生する。流体噴流は、必要とされる、きれいな物質を材料表面上の拡散層へ運ぶ。そこではキャビテーション気泡が内側に破裂し、その結果、物質移動が起こる。この方法は前述の用途、特にプリント回路板技術に好適である。しかし、高圧ユニットの技術的な複雑度は非常に高い。
ドイツ特許出願公開第ＤＥ ０４ ５２２ Ａ１明細書には、構造の湿式化学エッチングのための抑制剤であって、エッチング液に添加するものである抑制剤が記載されている。抑制剤は、エッチング溝の側面を保護する保護皮膜を生成する。抑制剤が側面への反応を低減することが記載されている。しかし、この方法では各工程で特定の抑制剤が必要とされるため、この方法を総合的に適用することは難しい。
ドイツ特許発明第ＤＥ １９９ ０８ ９６０ Ｃ２号明細書には、平坦なキャリヤの層をエッチングする別の方法であって、一方の側での層の厚さは対向する側での層の厚さとは異なるものである方法が記載されている。キャリヤの各側について個別に処理時間を設定するが、処理時間はエッチングする層の厚さに比例する。最大限可能な処理時間と比べて短時間しか必要でない場合、これは処理を一時的に中断して実行する。層の厚さが最大の場合、中断時間はゼロとなる。
ドイツ特許発明第ＤＥ １９９ ０８ ９６０ Ｃ２号明細書の段落［００２１］には、エッチング工程での各回の中断時に、付着するエッチング液による一時的な再エッチングが行われることが記載されている。再エッチングが行われる時間よりも中断時間を短くすることは、この用途には妥当でない。一般に、薄層は短いエッチング時間でエッチングすることができる。再エッチングをする場合、周期的に中断すると効果がある。
ドイツ特許出願公開第１０１ ５４ ８８６ Ａ１号明細書には、エッチング溝の側面でのエッチングを低減する方法が記載されている。金属材料の除去を２段階の方法で行う。第一に、パルス電界をかけることにより金属材料を電解的に除去する。このエッチングは、好ましくは側面にあまり作用を与えないよう、エッチング溝の深さ方向に行われる。エッチング溝の所定の深さに到達すると、一部の構造の電気接続が切り離される。従って、そのようなエッチング溝の底部領域は、さらなる工程で再エッチングしなければならず、さらなる技術的努力を伴う工程が要求される。
先行技術のこのような課題を鑑み、本発明の主たる目的は、表面構造の精密な湿式化学処理工程を可能にすることにより、処理時間を短縮する方法および装置を提供することである。
本発明の主目的および別の目的は、請求項１の方法および請求項１５の装置を提供することにより実現できる。好適な実施形態は、従属項に記載されている。
添付図面を参照しながら、以下に本発明を説明する。
図１は、本発明による装置の第１の実施形態の断面図である。
図２ａは、本発明による装置の第２の実施形態の正面図であり、第１の回転式中断手段が図示されている。
図２ｂは、図２ａに示した第１の中断手段の上面図および側面図である。
図３は、本発明による装置の第３の実施形態の断面図である。
図４は、本発明による装置の第３の実施形態の一部の展開図である。
図５ａは、第１の位置にある時の、本発明による装置の第４の実施形態の側面図である。
図５ｂは、第２の位置にある時の、本発明による装置の第４の実施形態の側面図である。
図１は、本発明による装置の第１の実施形態を示す。処理流体の強い流れ、すなわち吹付け噴流２が開口部、すなわちノズル１を通って流れ、この吹付け噴流２は、開口部と共に設けられた中断手段３により繰返し、好ましくは周期的に中断される。この実施形態では、周期的に中断される吹付け噴流２が被処理材料６の表面５に到達し、そこで、本発明により吹付け噴流２が材料６の表面５に不連続的に衝突する。吹付け噴流２は、流体力学的に脈動する有効な噴流４として作用する。以下、この有効噴流４の流体を「有効流体８」と称する。パルスの一時停止時に中断手段に蓄積し、その時点では使用されない処理流体を、以下、「無効流体９」と称する。この無効流体９は、被処理材料６の表面５から充分に遠ざけられる。これにより、被処理材料６の表面５への処理流体付着が低減する。従って、中断され、脈動する有効噴流４の動的作用が化学処理時に大幅に増大する。被処理材料６の表面５上で、処理流体で濡れた表面の永久的衝撃および突破が起こる。このような衝撃作用は、拡散層の厚さを低減する形で実際の湿式化学処理プロセスを実質的に促進する。この流体力学的促進は、濯ぎ工程を含む前述の全工程で有用である。衝撃作用により、処理時間は最大５０％短縮される。構造の処理時に得られる精度にはマイナスの影響がないため、非常に有利である。先行技術による強制湿式化学プロセスは一般に処理の成果の質、特にエッチング溝の質に不利な影響を及ぼすため、これは大いに驚くべきことである。
処理噴流の周期的中断は周波数を用いて行い、この周波数は少なくとも０．５Ｈｚ、好ましくは１０Ｈ〜１００Ｈｚまたはそれ以上である。衝突パルス時間とパルス一時停止時間の比は少なくとも１０：１〜１：１０、好ましくは２：１〜１：２とし、この比は制御装置により調節する。中断手段の駆動は電動式、電磁式、空気式、油圧式、またはその他のアクチュエータ装置により行う。本発明は、例えば処理流体に抑制剤を加えるなど、他の公知の湿式化学処理の成果改善手段と組み合わせることができる。
出願人は、本発明の方法および装置をプリント回路板上の精密トラックのエッチングに適用した。結果として処理時間が約３３％短縮され、先行技術の方法による場合よりも深いレジストのアンダーカットは見られなかった。集中的なエッチング工程であるにも関わらず、エッチング溝の側面には変化がなかった。エッチング溝の底部での衝撃効果が構造の側面での衝撃効果よりもはるかに大きいと考えられる。さらに、一方では、パルスの一時停止中には処理流体が材料の表面へ流れないが、他方では、処理流体はエッチング溝から排出される可能性があると考えられる。次いで発生するエッチング・パルス時には、エッチング溝に残る処理流体は圧力を受けず、有効噴流４はより薄い拡散層をより深く通る。特に精密導体技術、いわゆるＨＤＩ技術においては、必要とされるエッチング溝のカット深さによりトラックの幅が実現される。これは、プリント回路板の全プロセスにおいて大きな課題である。先行技術においては、処理流体により側面に流体圧力がかかることが知られているが、これは、本発明により深構造の溝を脈動処理することにより回避できる。その結果、構造の側面は、溝の底面よりも湿式化学処理の度合いが低くなる。従って、本発明の方法を適用すれば、質を落とすことなく処理時間を大幅に短縮すると共に、湿式化学処理の精度を大幅に向上させることが可能である。
出願人が行ったエッチング実験の中で、ノズル１から材料６の表面５までの距離は１００ｍｍであった。頂角が３０°の各テーパノズルを通る処理流体の流量は、３バール（３００，０００Ｎ／ｍ２）の圧力で１．６リットル／分であった。
図２ａは、数本のノズル１が設けられた管状吹付け装置１０の断面図である。ノズルの代わりに、開口部直径が例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍである穴部を有する装置１０を提供すると、より安価となる。処理流体は、加圧状態で入口７を通って吹付け装置１０の中へ流れ、加圧状態でノズル１を通って装置１０から出る。圧力は大幅に変えることができる。圧力は工程、構造の寸法、およびノズルの位置（材料６の下側であるか上側であるか）により、１．１〜１００バールとする。穴部または凹部を有する穴開きディスク１１として、回転式中断手段がノズル１の正面に位置している。穴開きディスクは、処理流体の吹付け噴流２の一部に触れる受け部１２を有する。これにより、穴開きディスク１１は推進される。ディスク１１は吹付け噴流２を中断し、処理流体が有効噴流４として材料６の表面５にパルス的に到達するようにする。図２ｂに、２対のノズル１用の穴開きディスクを示す。各対のノズル１は、吹付け装置１０の位置に配置され、この各対のノズル１は、穴開きディスク１１の所定の回転方向によって傾斜が異なる。穴開きディスク１１には、図２ｂに示したように開口部が穴部またはスロットとして存在する。
さらに別の実施形態によると、中断手段は、吹付け装置の長さ全体に沿って延在するノズルまたは穴部の正面に軸方向に配置された、穴開きまたはスロット開きストリップである。開口部を有するストリップを周期的に軸方向に動かし、吹付け噴流２を中断する。
吹付け装置は、連続処理工場内で、材料６が水平または垂直に搬送されるように固定的に配置し、その際、吹付け装置は搬送方向に１００ｍｍの間隔で配置する。しかし、先行技術による湿式化学処理機において公知のように、移動可能に配置しても良い。この点に関して、中断手段３と組み合わせた本発明の吹付け装置１０は、半径方向および／または軸方向に旋回または振動することができる。これにより、材料表面上の処理流体の蓄積が低減する。
図３は、本発明のさらに別の実施形態を示しており、吹付け装置１０は穴部１４またはノズルを有する。旋回または回転式シリンダが吹付け装置１０と同軸に位置し、シリンダ１５は、その周囲にスロット１６または穴部が配置され、このスロット１６または穴部は、吹付け装置１０の穴部と一致している。スロット１６または穴部は各々、両側にカラー１７が設けられている。このカラー１７は、少し傾斜した吹付け噴流のための接触面として作用し、これにより、シリンダは推進される。さらに、カラー１７はパルスの一時停止時に材料６の表面５に到達すべきでない処理流体を蓄積する。処理流体は、シリンダから横方向に排出される。吹付け装置１０およびシリンダ１５が少し傾斜しているため、処理流体の横方向の排出を行い易くなる。従って、処理流体のこの部分は材料６の表面５に到達しない。その結果、被処理表面の濡れが最小限に抑えられ、前述した衝撃効果が改善される。本発明の装置は、材料が連続処理工場で水平方向に搬送される場合の材料表面の湿式化学処理に好適である。必要でない処理流体は、被処理部材の表面から離される。
シリンダの軸受は、吹付け装置の端部に配置する。これには転がり軸受１８を用いることができるが、このような軸受は各処理流体に対して耐薬品性を有する必要がある。プラスチックまたはセラミック製の転がり軸受が好適である。
シリンダ型の中断手段およびその他の中断手段は、電気式、空圧式、または流体力学的駆動装置により推進することができる。その結果、回転速度は吹付け噴流２の物理的特性から独立する。特に、高回転速度および高パルスサイクルの調節（例えば、１０００パルス／秒）が可能である。これにより、入口７の圧力が高い場合、有効噴流が、短サイクルで大加速された処理流体滴に変態される。これは特に、湿式化学処理工程において効果的である。雰囲気が不安定であるため、空冷式モータまたは適切な保護が施された電動モータが妥当である。
必要とされる材料の処理により、湿式化学処理工場の電気および電子制御装置で工程パラメータを調節する。中断周波数、および有効噴流４のパルス時間とパルス一時停止時間との比の調節についても同じである。
図５ａおよび図５ｂに、シリンダ１５の展開図を各々上面図および側面図として示す。吹付け噴流２が妨害されないようにスロット１６を設けたシリンダ１５を安定させるために、ノズル位置とノズル位置との間にブリッジまたはウェブ１９を配置する。処理流体がたまっているシリンダ１５の領域の底部に、弾性部材をダンパ２０として挿入する。このダンパ２０は、処理流体がシリンダ１５の内壁にぶつかる時に、処理流体の制御不能なはね返りを低減する。また、これにより、シリンダ１５からの処理流体の横方向への排出が加速される。
図５ａおよび図５ｂに、ノズル１、および振動する薄片２１としての中断手段３を示す。この弾性機械要素を固定点２３に取付ける。中断手段は、吹付け噴流２が薄片２１の上端にぶつかることにより、吹付け噴流２が反れるように、ノズル１の正面に配置する。これにより、薄片２１が吹付け噴流２の方向へ曲がり、薄片２１の出口２２が噴流の方向に来る。（図５ｂを参照のこと。）出口２２は、被処理材料６の表面への通路を開く。処理流体の有効噴流が突然、材料６に到達する。同時に、薄片２１上の動圧が低減する。その結果、薄片２１は突然、図５ａに示したスタート位置に戻る。この位置にある時、吹付け噴流２は無効噴流として反れ、捕集溝２４で捕集される。材料に到達すべきでない処理流体は、捕集溝２４により、吹付け装置に向かって横方向・横断方向に進路が変わる。捕集溝２４は、表面５と平行に延在する。本発明のこの実施形態は、水平方向に搬送される材料の両面の処理に好適である。薄片の弾性および寸法と、処理流体の流体力学的状態とにより、湿式化学処理の最適なパルス周波数が決まる。
この実施形態の中断手段は、寸法が小さいノズル本体に収納する場合にも好適である。このような中断手段または同様な中断手段を設けたノズルを用いると、パルス一時停止時の処理流体の排出が防止できる。これらのノズルはさらに、水平方向に搬送される材料の上側に置くのに好適である。
本発明のさらに別の実施形態によると、材料６の表面５から反射される処理流体の排出のために、追加の吸込み装置を設ける。これにより、材料６の表面５上に流体がたまることを防止でき、不必要な流体の残留が回避できるため、導体トラックのアンダーカットがさらに低減される。
説明は、例示・説明の目的で行った。上述した本発明は、その請求範囲および趣旨から逸脱しない範囲で変形・改変が可能であることが当業者には明らかであろう。
１…ノズル、開口部
２…処理流体の吹付け噴流
３…中断手段
４…有効噴流、脈動噴流
５…被処理表面
６…部材
７…入口
８…有効流体
９…無効流体
１０…吹付け装置
１１…穴開きディスク
１２…受け部
１３…開口部
１４…穴部
１５…シリンダ
１６…スロット
１７…カラー
１８…転がり軸受
１９…ブリッジ
２０…ダンパ
２１…薄片
２２…出口
２３…固定点
２４…捕集溝
２…処理流体の吹付け噴流
３…中断手段
４…有効噴流、脈動噴流
５…被処理表面
６…部材
７…入口
８…有効流体
９…無効流体
１０…吹付け装置
１１…穴開きディスク
１２…受け部
１３…開口部
１４…穴部
１５…シリンダ
１６…スロット
１７…カラー
１８…転がり軸受
１９…ブリッジ
２０…ダンパ
２１…薄片
２２…出口
２３…固定点
２４…捕集溝
Claims (28)
- 浸漬工場または連続処理工場で処理流体により、材料（６）、特にプリント回路板、ウェーハ、または混成材料の表面（５）に行う湿式化学処理の方法であって、
前記処理流体を前記材料（６）へ向けて噴流（２）にして吹き付ける工程を有し、
この吹付け噴流（２）が不連続的に前記材料（６）の前記表面（５）に衝突するようにするため、吹付け噴流中断手段（３）が変位することを特徴とする方法。 - 請求項１記載の方法において、前記吹付け噴流（２）はノズル（１）により生成されるものであり、前記処理流体は、前記処理流体の流れ方向に関して前記ノズル（１）の正面、前記ノズル（１）内、または前記ノズル（１）の背面に配置された前記中断手段（３）に当たることを特徴とするものである。
- 請求項１または２記載の方法において、前記中断手段（３）の変位は、回転、旋回、または直線運動により達成されることを特徴とするものである
- 請求項１〜３のいずれかに記載の方法において、前記材料（６）への前記吹付け噴流（２）の不連続的衝突は周期的に行われ、少なくとも０．５Ｈｚ、特に１０Ｈｚ〜１００Ｈｚの中断周波数で達成されることを特徴とするものである。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の方法において、前記吹付け噴流（２）は前記材料（６）に向かって超過圧力で流れ、最高１０００滴／秒で流れることを特徴とするものである。
- 請求項１〜５のいずれかに記載の方法において、前記材料（６）への前記吹付け噴流（２）の不連続的衝突は、衝突パルス時間とパルス一時停止時間の比が少なくとも１０：１〜１：１０、好ましくは２：１〜１：２の範囲で起こることを特徴とするものである。
- 請求項１〜６のいずれかに記載の方法において、前記中断手段（３）は回転または振動要素として、超過圧力で排出される処理流体により回転または振動運動するように設定されることを特徴とするものである。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の方法において、前記中断手段（３）の変位は、電気式、空気式、または流体力学的駆動装置により実行されることを特徴とするものである。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の方法において、平坦な材料は一面のみで、または両面同時に処理されることを特徴とするものである。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の方法において、前記材料（６）への前記吹付け噴流（２）の不連続的衝突の周波数、または前記材料（６）への前記吹付け噴流（２）の前記衝突パルス時間と前記パルス一時停止時間の比などの動作パラメータは制御装置により調節されることを特徴とするものである。
- 請求項１〜１０のいずれかに記載の方法において、プリント回路板の前記湿式化学処理は、洗浄、濯ぎ、フィルムまたはレジストの現像、銅のエッチング、フィルムまたはレジストの除去、および金属レジストのエッチングにより達成されることを特徴とするものである。
- 請求項２〜１１のいずれかに記載の方法において、前記ノズル（１）は旋回装置または振動装置と協働することを特徴とするものである。
- 請求項１〜１２のいずれかに記載の方法において、前記中断手段（３）は前記処理流体を捕集し、この流体を前記被処理材料（６）の表面（５）から遠ざけることを特徴とするものである。
- 請求項１３記載の方法において、前記処理流体は、カラー（１７）、捕集溝（２４）、または吸込み装置により前記被処理材料（６）の表面（５）から遠ざけられることを特徴とするものである。
- 浸漬工場または連続処理工場で処理流体により、プリント回路板、ウェーハ、または混成材料などの材料（６）の表面に湿式化学処理を施すための装置であって、前記処理流体を前記材料（６）へ向けて噴流（２）にして吹き付けることができる前記装置であって、当該吹付け噴流（２）を不連続的に前記材料（６）に誘導するように変位可能な吹付け噴流中断手段（３）を少なくとも１つ有することを特徴とする装置。
- 請求項１５記載の装置において、前記吹付け噴流（２）はノズル（１）により生成されるものであり、前記中断手段（３）は前記処理流体の流れ方向に関して前記ノズル（１）の正面、前記ノズル（１）内、または前記ノズル（１）の背面に配置されることを特徴とするものである。
- 請求項１５または１６記載の装置において、前記中断手段（３）の変位は、回転、旋回、または直線運動により達成されることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜１７のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）の変位は、超過圧力で流れる前記処理流体の前記吹付け噴流により発生する力により達成されることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜１８のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）の変位は、電気式、空気式、または流体力学的駆動装置により実行されることを特徴とするものである。
- 請求項１６〜１９のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は前記ノズル（１）と前記被処理材料（６）との間に配置され、前記中断手段（３）は回転可能または旋回可能なシリンダ（１５）として形成されることを特徴とするものである。
- 請求項１６〜２０のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は振動要素としてノズル（１）に形成されることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜２１のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は振動する薄片（２１）として形成されることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜２２のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は開口部を有する回転式穴開きディスク（１１）として形成されることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜２３のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は被処理表面と平行に延在する捕集溝（２４）を有し、この捕集溝（２４）は前記吹付け噴流（２）のうち不要な部分を捕集するのに適しているように構成されていることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜２４のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は、開口部を有する、周期的に動くストリップとして形成されることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜２４のいずれかに記載の装置において、前記中断手段（３）は、前記処理流体を捕集して前記被処理材料（６）の表面（５）から遠ざけることができるように形成されることを特徴とするものである。
- 請求項２６記載の装置において、前記捕集された処理流体は、カラー（１７）または前記捕集溝（２４）により前記被処理材料（６）の表面（５）から遠ざけられることを特徴とするものである。
- 請求項１５〜２７のいずれかに記載の装置において、この装置は、
排出される前記処理流体の吸込み装置を有することを特徴とするものである。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006035523 | 2006-07-25 | ||
| DE102006035523.7 | 2006-07-25 | ||
| DE102006059046A DE102006059046B4 (de) | 2006-07-25 | 2006-12-14 | Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen |
| DE102006059046.5 | 2006-12-14 | ||
| PCT/DE2007/001306 WO2008011870A1 (de) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009544845A true JP2009544845A (ja) | 2009-12-17 |
| JP2009544845A5 JP2009544845A5 (ja) | 2011-09-22 |
| JP5284957B2 JP5284957B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=38859522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009521103A Expired - Fee Related JP5284957B2 (ja) | 2006-07-25 | 2007-07-21 | 表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090179006A1 (ja) |
| JP (1) | JP5284957B2 (ja) |
| KR (1) | KR101096326B1 (ja) |
| CN (1) | CN101573474B (ja) |
| DE (2) | DE202006018111U1 (ja) |
| ES (1) | ES2341700B1 (ja) |
| GB (1) | GB2453482B (ja) |
| TW (1) | TWI331056B (ja) |
| ZA (1) | ZA200901269B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013101629A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-08-21 | Wolfgang DAMBACHER | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
| CN104815777A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-05 | 苏州杰东纺织新材料科技有限公司 | 一种电气石负载纳米TiO2复合织物的复合装置 |
| CN205393066U (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-27 | 成都京东方光电科技有限公司 | 喷淋设备 |
| DE102016112797B3 (de) * | 2016-07-12 | 2017-12-21 | Eisenmann Se | Vorrichtung und Verfahren zum Maskieren von Befestigungsbohrungen in Felgen |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099325A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-07 | ||
| JPS5243427B2 (ja) * | 1973-09-04 | 1977-10-31 | ||
| JPH01297162A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Noritz Corp | 多機能シャワーヘッド |
| JPH0598552A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 不織布の製法 |
| JPH05226810A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Nippon Tec Kk | プリント基板のエッチング装置 |
| JPH07249376A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | ブラウン管部材の脱脂洗浄方法 |
| JP2000104182A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置 |
| JP2001062652A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-13 | Toyota Gakuen | レーザとウォータジェットの複合加工方法及び装置 |
| JP2002027099A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コードレス電話装置 |
| JP2003303805A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| JP2004111444A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Canon Inc | Ｉｃ部品の外装樹脂の除去装置 |
| JP2005223363A (ja) * | 2001-03-30 | 2005-08-18 | Minebea Co Ltd | Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4319955A (en) * | 1980-11-05 | 1982-03-16 | Philip A. Hunt Chemical Corp. | Ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of reducing etchant undercut |
| JPS6166938A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Bridgestone Corp | 押付け力測定方法 |
| US4875067A (en) * | 1987-07-23 | 1989-10-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Processing apparatus |
| JPH01142091A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-02 | Hitachi Ltd | エッチング方法および装置 |
| DE3923405A1 (de) * | 1989-07-14 | 1991-01-24 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung zum transportieren und positionieren von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung derselben |
| DE4416747A1 (de) * | 1994-05-12 | 1995-11-16 | Schmid Gmbh & Co Geb | Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen |
| DE19524523A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-09 | Atotech Deutschland Gmbh | Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik |
| DE19908960C2 (de) * | 1999-03-02 | 2003-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Ätzverfahren |
| JP3706770B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-10-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板メッキ装置 |
| US6443639B1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-09-03 | Applied Science Fiction, Inc. | Slot coater device for applying developer to film for electronic film development |
| US6375088B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-04-23 | International Business Machines Corp. | Fluid delivery device with pulsating linear discharge and fluid cleaning method |
| TW512131B (en) * | 2000-06-08 | 2002-12-01 | Mosel Vitelic Inc | Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment |
| US6307240B1 (en) * | 2000-12-22 | 2001-10-23 | Visteon Global Technologies, Inc. | Pulsed etching manufacturing method and system |
| JP3700085B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2005-09-28 | ミネベア株式会社 | フェライト薄膜の製造方法 |
| US6699356B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
| DE10154886A1 (de) * | 2001-11-05 | 2003-07-31 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen |
| US7582180B2 (en) * | 2004-08-19 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for processing microfeature workpieces |
| KR100882910B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2009-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 식각장치 |
-
2006
- 2006-11-29 DE DE202006018111U patent/DE202006018111U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2006-12-14 DE DE102006059046A patent/DE102006059046B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-17 TW TW096126040A patent/TWI331056B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-07-21 GB GB0901297A patent/GB2453482B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 CN CN2007800312571A patent/CN101573474B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 JP JP2009521103A patent/JP5284957B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 ES ES200950003A patent/ES2341700B1/es not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-21 US US12/374,889 patent/US20090179006A1/en not_active Abandoned
- 2007-07-21 KR KR1020097003813A patent/KR101096326B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-02-23 ZA ZA200901269A patent/ZA200901269B/xx unknown
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5243427B2 (ja) * | 1973-09-04 | 1977-10-31 | ||
| JPS5099325A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-07 | ||
| JPH01297162A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Noritz Corp | 多機能シャワーヘッド |
| JPH0598552A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 不織布の製法 |
| JPH05226810A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Nippon Tec Kk | プリント基板のエッチング装置 |
| JPH07249376A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | ブラウン管部材の脱脂洗浄方法 |
| JP2000104182A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置 |
| JP2001062652A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-13 | Toyota Gakuen | レーザとウォータジェットの複合加工方法及び装置 |
| JP2002027099A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コードレス電話装置 |
| JP2005223363A (ja) * | 2001-03-30 | 2005-08-18 | Minebea Co Ltd | Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜の製造方法 |
| JP2003303805A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| JP2004111444A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Canon Inc | Ｉｃ部品の外装樹脂の除去装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090179006A1 (en) | 2009-07-16 |
| GB2453482A (en) | 2009-04-08 |
| ZA200901269B (en) | 2010-03-31 |
| TW200821051A (en) | 2008-05-16 |
| GB2453482B (en) | 2011-08-17 |
| KR20090040448A (ko) | 2009-04-24 |
| DE102006059046A1 (de) | 2008-01-31 |
| CN101573474B (zh) | 2013-03-27 |
| DE102006059046B4 (de) | 2011-12-29 |
| GB0901297D0 (en) | 2009-03-11 |
| TWI331056B (en) | 2010-10-01 |
| CN101573474A (zh) | 2009-11-04 |
| DE202006018111U1 (de) | 2007-02-08 |
| JP5284957B2 (ja) | 2013-09-11 |
| KR101096326B1 (ko) | 2011-12-20 |
| ES2341700A1 (es) | 2010-06-24 |
| ES2341700B1 (es) | 2011-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5284957B2 (ja) | 表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置 | |
| KR102247081B1 (ko) | 쓰루 레지스트 금속 도금을 위한 웨팅 사전 처리용 장치 및 방법 | |
| JP5466638B2 (ja) | 半導体基板を洗浄する装置及び方法 | |
| KR101256972B1 (ko) | 기판들을 처리하기 위한 방법 및 장치와 상응하는 노즐유닛 | |
| JP2010532556A5 (ja) | ||
| KR19980087206A (ko) | 웨이퍼형 물품, 특히 실리콘 웨이퍼의 처리용 장치 | |
| CA2225829A1 (en) | Method and device for chemical and electrolytic treatment of printed circuit boards and conductor films | |
| JP5294309B2 (ja) | 脱泡装置、気泡除去方法、めっき方法、および微少金属構造体 | |
| JPH0645733A (ja) | 基板への流体供給装置及び基板処理方法 | |
| CN102974563B (zh) | 用于可移动兆声晶圆喷头的装置和方法 | |
| KR101988116B1 (ko) | 미세 버블을 이용한 세정 시스템 및 방법 | |
| JP2009544845A5 (ja) | ||
| CA2229023A1 (en) | Method and device for treating holes or recesses extending into workpieces with liquid treatment media | |
| WO2008011870A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen | |
| JP5111999B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4945082B2 (ja) | 薬液処理装置 | |
| JP6656255B2 (ja) | 基板をリンスするシステム及び方法 | |
| JP2001259552A (ja) | 流体処理装置 | |
| JP5111998B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20060046548A (ko) | 에칭 장치 및 에칭 방법 | |
| JPS62151583A (ja) | スプレ−エツチング方法 | |
| JP2005152706A (ja) | 板状部材の洗浄装置、洗浄方法および処理装置 | |
| JP2005191261A (ja) | 対象物処理装置および対象物処理方法 | |
| JP2007123359A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH1079565A (ja) | Ｐｃ板エッチング法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100720 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100720 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110909 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120414 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120423 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120512 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120717 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120828 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20121113 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130116 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130123 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130216 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130318 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130430 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130530 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |