JP2010532556A5 - - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing Effects 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
本発明は、半導体ウェハ(半導体基板)を洗浄する装置及び方法に関し、特に、粒子及び汚染物の除去効率を高め且つ同時に半導体ウェハ構造における材料損失を最小限に抑えるために、超音波装置及びメガソニック装置に連結されたり連結されなかったりする回転プレートを使用するものに関する。
半導体素子は、トランジスタ及び配線を生成するための異なる処理ステップを使用して半導体ウェハ上に生成又は組み付けられる。半導体ウェハに設けられたトランジスタ端子を電気的に接続するために、導電性のある(例えば金属性の)溝、ビアホール等は、誘電材料により半導体素子の一部として形成される。溝及びビアホールは、トランジスタ、半導体素子の内蔵回路、及び半導体素子の外部回路との間で電気信号及び電力を共有可能にする。
配線の形成に際して、半導体ウェハには、半導体素子に所望の電子回路を形成するために、例えばマスキング、エッチング、蒸着等の処理が施される。特に、複数のマスキング及びプラズマエッチングステップは、配線用の溝及びビアホールとして機能する半導体ウェハ上の誘電層に、凹部領域のパターンを形成するために実行される。ポストエッチング又はフォトレジストアッシングを経て生じる粒子及び溝内の汚染物を除去するために、湿式洗浄ステップが必要となる。特に、65ナノメートル又はそれを超える素子のノード移動が生じたときに、溝の側壁における目減りは、臨界寸法を維持する上で重要である。側壁における目減りを減少させる又は無くすために、適度に希釈化された化学薬品を使用し、ときにはイオン除去水のみを使用することが重要である。しかしながら、希釈化された化学薬品又はイオン除去水は、通常、溝及びビアホール内の粒子を除去する上で効率的ではない。したがって、これらの粒子を効率的に除去するためには、例えば超音波又はメガソニックのような力学的な力が必要となる。超音速又はメガソニックは、溝及びビヤホールといったウェハ構造に対して力学的な力を作用させる。力の強度及び力の配分は、ダメージ制限の範囲内で粒子を効率的に除去するために重要なパラメータである。
半導体ウェハを洗浄するためにノズルからの超音波エネルギーを利用する点は特許文献1に開示されている。流体はメガソニック変換器によって加圧されてメガソニックエネルギーが該流体に印加される。上記ノズルは、メガソニック周波数で振動する洗浄液を表面での衝突のためにリボン状に噴射供給するように形成されている。
特許文献2には、エネルギー源によって細長いプローブを振動させて液中に音波エネルギーを伝播する点が開示されている。一の構成では、プローブが上側面に近接して配設されるとともに、流体がウェハの両面に噴霧される。他の構成では、短プローブが、その端面をウェハ表面に近接させた状態で配置されるとともに、ウェハが回転するにつれて該プローブがウェハ表面に沿って移動するようになっている。
特許文献3には、エネルギー源によって、ウェア表面に平行な軸周りに回転するロッドを振動させる点が開示されている。ロッド表面は、エッチングされて例えば螺旋溝のような湾曲した溝が形成されている。それは、ウェハ表面又は基板表面上の粒子及び汚染物を、力学的なダメージを抑制しつつより効率良く洗浄する方法を得るために必要とされる。
本発明の目的は、半導体ウェハを洗浄するための装置及び方法において、粒子及び汚染物除去効率を高めるとともに、同時に半導体ウェハ構造における材料損失を最小限度に抑えることにある。
本発明の一実施形態では、プレートが半導体基板(ウェハ)又は基板の表面に近接配置される点を開示する。プレートは、半導体基板又は基板の表面と平行に移動可能である。プレートは、半導体基板又は基板の表面に垂直な軸周りに回転する。
本発明の他の実施形態では、プレートを、超音波変換器又はメガソニック変換器によって振動させる点を開示する。プレートは、半導体基板又は基板の表面と平行に移動可能である。プレートは、半導体基板又は基板の表面に垂直な軸周りに回転する。
本発明の更なる他の実施形態では、一枚のプレートを、超音波変換器又はメガソニック変換器によって振動させる点を開示する。回動プレートの表面のうち半導体基板の表面に対向する面には、洗浄効率を高めるために、規則的なパターン及び不規則なパターンを有する溝が形成される。プレートは、半導体基板又は基板の表面に対して平行に移動可能である。プレートは、半導体基板又は基板の表面に垂直な軸周りに回転する。
本発明の更なる他の実施形態では、プレートを超音波変換器又はメガソニック変換器によって振動させる点を開示する。回転プレートは、洗浄化学薬品又はイオン除去水を半導体基板の表面に供給するための孔を有している。そのプレートは、半導体基板又は基板の表面に対して平行に移動可能である。プレートは、半導体基板又は基板の表面に垂直な軸周りに回転する。
一つの例示的実施形態として、回転板を使用したウェハ洗浄装置(半導体基板洗浄装置)の詳細を図1A及び図1Bに示す。ウェハ洗浄装置は、ウェハ(半導体基板)1010と、回転駆動機構1004によって回転されるプレート1008と、洗浄化学薬品又はイオン除去水1032を供給するノズル1012と、を備えている。プレート1008は、ウェハ1010の表面に平行に配置されていて、ウェハ1010の表面に平行な方向に移動可能に構成されている。この回転プレートは、回転プレート1008とウェハ1010との間の化学流体を回転させることにより洗浄効率を高める。回転プレート1008及びウェハ1010間の隙間は、0.1mm以上10mm以下の範囲内にあり、2mmが好ましい。洗浄プロセス中におけるウェハ1010は、ウェハの中心軸周りに回動速度ω1で回転することができ、プレート1004は回転速度ω2で回転することができる。プレート1008は、一定速度で、又は速度を変えながら横方向に移動することができる。横方向の移動速度は、回転プレート1008がウェハの中心位置へ移動するときには高く設定され、回転プレート1008がウェハの端へ移動するときには低く設定される。ウェハ1010の回動速度ω1は一定速度か又は可変速度とすることができる。回転速度ω1は、回転プレート1008がウェハの中心位置へ移動するときには高く設定することができ、ウェハの端へ移動するときには低く設定することができる。
図2A〜図2Eは、洗浄プロセス中における洗浄化学薬品又は流体1032の流れ状態を示している。図2Aに示すように、ウェハ上の同じ位置がA点からE点へ移動するときには、ウェハ2008の該同じ位置を通過する流体の方向は、AからB、C、D、Eへと変化する、すなわち180度から0度へと変化する。同様に、ウェハ上の同じ位置がEからAへ移動するときには、ウェハ2008の該同じ位置を通過する流体の方向は、EからF、G、H、Aへと変化する、すなわち0度から180度へと変化する。図2Bは、粒子2044が溝2040及びビアホール2042内に存在する状態を示している。流体の流動方向が図2C〜図2Eに示すように変化するときには、上記溝及びビアホール内の粒子はより効率的に除去される。
粒子及び汚染物を除去するために用いられる化学薬品の一例を以下に示す。
有機材料除去 H2SO4:H2O2=4:1
粒子減少 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5
金属汚染除去 HCl:H2O2:H2O=1:1:6
酸化物除去 HF:H2O=1:100
図3は、本発明による回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の他の実施例を示す。
粒子減少 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5
金属汚染除去 HCl:H2O2:H2O=1:1:6
酸化物除去 HF:H2O=1:100
図3は、本発明による回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の他の実施例を示す。
この実施例は図1A及び図1Bに示すものと類似しているが、次の点で相違する。すなわち、ウェハ3010が横方向に移動可能なチャック3020により保持され、そして、超音波又はメガソニック変換器3006が回転プレート3008上に取り付けられている。チャック3020は、駆動機構3022によって回転駆動されて、可動機構3026及びガイド3024によって横方向に移動される。ガイド3024としては直線状又は曲線状のものを採用することができる。超音波又はメガソニック変換器は、力学的に振動するエネルギーを発生させるために使用され、この発生した振動は、回転プレート3008及び化学流体3032を介してウェハ表面に伝達される。変換器3006は、洗浄プロセス中において回転状態にあるため、該回転駆動中の変換器に電流を流出入させるための電気ブラシを必要とする。変換機の周波数は、洗浄するべき粒子に応じて、超音波及びメガソニックの範囲に設定することができる。粒径が大きいほど、より低い周波数を使用する必要がある。超音波の範囲は、20kHzから200kHzまでであり、メガソニックの範囲は200kHzから10MHzまでである。また、力学的な振動の周波数は、同じ基板又はウェハ上に存在するサイズの異なる粒子を除去するために、連続的に又は同時に変更することができる。
図5A及び図5Bは、本発明の実施例に係る回転プレート及び超音波又はメガソニック装置の詳細を示す。図1A及び図3に記載されている回転プレートは平坦状であるが、図5A及び図5Bに示す回転プレートは、複数の半円柱により形成されている。半円柱の表面により伝達される力学的な波動は、図5Aに示すように異なる角度で発散する。この種の発散した力学的な波動は、溝壁又はビアホール壁から粒子を分離するために効果的に作用する。プレート5008が回転するにつれて、回転プレート5008上の半円柱が、その方位角を変化させるので、力学的な波動パターンは1回転の中で360度に方向を変える。これにより、より少ない超音波又はメガソニックでもって洗浄効率を高めることができ、それ故、素子構造に対するダメージをより低減することができる。また同時に、複数の半円柱は、螺旋状に流れる化学流体1032の動きをさらに高める。これにより、ウェハ1010の表面上における流体速度がさらに高まることとなる。要約すると、本発明は、洗浄プロセス中において3つの効果をもたらす。
1)回転プレート5008上の半円柱構造は、発散した超音波又はメガソニックを生成する。
2)この種の発散した力学的な波動パターンは、回転プレート5008の回転軸回りに回転する。
3)化学流体は、回転プレート5008の回転軸回りに回転する。
図6A及び図6Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート6008上の柱が、半円柱の代わりに楕円柱である点を除いて、図5A及び図5Bに示した装置と類似している。
図7A及び図7Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート7008上の柱が、半円柱の代わりに、高さがより低い半円柱である点を除いて、図5A及び図5Bに示した装置と類似している。
図8A及び図8Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート8008上の柱が、半円柱の代わりに三角柱である点を除いて、図5A及び図5Bに示された装置と類似している。
図9A及び図9Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート9008上の柱が、半円柱の代わりに台形柱である点を除いて、図5A及び図5Bに示された装置と類似している。
図10A及び図10Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート10008上の柱が、半円柱の代わりに四角柱である点を除いて、図5A及び図5Bに示された装置と類似している。
図11A及び図11Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート11008上の柱が、半円柱の代わりに一対の三角柱で構成される点を除いて、図5A及び図5Bに示された装置と類似している。
図12A及び図12Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート12008上の柱が、半円柱の代わりに半八角柱である点を除いて、図5A及び図5Bに示した装置と類似している。
図13A及び図13Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート13008上の柱が、半円柱の代わりに断面鞍状の柱である点を除いて、図5A及び5Bに示した装置と類似している。
図14A及び14Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート上のパターンが、溝を掘って形成した半円柱の代わりに、複数の独立した半球体で構成される点を除いて、図5A及び図5Bに示された装置と類似している。
図15A及び図15Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート上のパターンが、独立した半球体の代わりに、複数の独立した角錐で構成される点を除いて、図14A及び14Bに示された装置と類似している。
図16A及び図16Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート上のパターンが、個別の半球体の代わりに複数の角錐台で構成される点を除いて、図14A及び14Bに示された装置と類似している。
図17A及び図17Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。回転プレート17008上のパターンは、一つの凸面で構成されている。
図18A及び図18Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。回転プレート18008上のパターンは、一つの凹面で構成されている。
図19A及び図19Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。回転プレート19008上のパターンは、一つの凸面と一つの凹面とで構成されている。
図20A及び図20Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。このウェハ洗浄装置は、回転プレート20008と、静的に配置された超音波又はメガソニック変換器20006と、回転プレート20008を駆動する駆動機構20004と、を備えている。変換器20006には、化学流体又はイオン除去水20032を導くための孔20030が存在する。化学流体又はイオン除去水20032は、回転プレート20008及び変換器20006間の隙間を通って流出してその下のウェハに到達する。超音波又はメガソニックエネルギーは、変換器20006から化学流体20032、回転プレート20008、及び化学流体1032を介してウェハ1010の表面に到達する。この実施例の効果は、変換器20006が静止しているから、変換器20006に電流を出し入れするための電気ブラシを必要としないということである。
図21A及び図21Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート21008における複数の半円柱に複数の貫通孔21009が分散配置される点を除いて、図20A及び図20Bに示された装置と類似している。貫通孔21009の機能は、化学流体21032をその下のウェハ表面に供給することにある。
図22A及び図22Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート22008における半円柱間の複数の溝に複数の貫通孔22009が分散配置される点を除いて、図20A及び図20Bに示す装置と類似している。貫通孔22009の機能は、化学流体22032をその下のウェハ表面に供給することにある。
上記実施例に示される回転プレートの形状は円形である。しかしながら、回転プレートの輪郭は、図23Aに示す三角形状や、図23Bに示す正方形状、図23Cに示す八角形状、図23Dに示す楕円形状であってもよい。
図24A〜図24Cは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。このウェハ洗浄装置は、回転プレート24008と、静的に配置された超音波又はメガソニック変換器24006と、回転プレート24008を駆動する駆動機構24004と、横方向への可動ガイド24002と、横方向の駆動機構24000と、化学流体を供給するためのノズル24012とを備えている。変換器24006及び回転プレート24008は、図24Bに示すように、横方向の駆動機構24000により、ウェハ24010の中心を跨いで横方向の前側及び後側に駆動され、図24Cに示すように横方向の駆動機構24000により、ウェハ24010の中心からHだけオフセットした位置で横方向の前側及び後側に駆動される。
図25A及び図25Bは、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。このウェハ洗浄装置は、回転プレート25008と、静的に配置された超音波又はメガソニック変換器25006と、回転プレート25008を駆動する駆動機構25004と、揺動駆動機構25016と、化学流体を供給するためのノズル25012と、を備えている。変換器25006及び回転プレート25008は、図25Bに示すように、揺動駆動機構25016を揺動させることによって、ウェハ25010の中心を跨いで左右に揺動可能とされ、揺動駆動機構25016を揺動させることによって、ウェハ25010の中心からHだけオフセットしたカーブ上にて左右に揺動される。ノズル25012は、揺動梁25014上に取り付けられており、したがって、ノズルは変換器25006と共に揺動する。この構成によれば、回転プレート25008が左右に揺動しても常に、化学薬品を、回転プレート25008とウェハとの間の隙間に供給することができる。
図26は、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、ウェハ26010及び回転プレート26008が鉛直方向に配置される点を除いて、図24A〜図24C、並びに、図25A及び図25Bに示す装置に類似している。
図27は、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、ウェハ洗浄装置が、ウェハの前後両側に同時に配置される点を除いて、図26に示す装置と類似している。
図28は、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、ウェハ28010及び洗浄装置が角度βでセットされる点を除いて、図26に示す装置と類似している。角度βは、90度から180度までの値に設定される。
図29は、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、ウェハ29010及び洗浄装置が角度βでセットされる点を除いて、図27に示す装置と類似している。角度βは、0度から90度までの値に設定される。
図30は、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート30008及び変換器30006がウェハ30010の裏側にセットされる点を除いて、図24Aに示す装置と類似している。
図31は、本発明に係る回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の更なる他の実施例を示す。この実施例は、回転プレート31008及び変換器31006がセットでウェハ31010の表側に更に設けられる点を除いて、図30に示す装置と類似している。
図32は、最大乃至それと同等の洗浄効果を発揮することができる状態を示す。Aは、ある特定の時刻tでプレートの運動方向の前縁に位置するウェハ上の点である。Oは、プレートの中心であり、xは、位置Aと洗浄されるウェハ又は洗浄対象物の中心との間の距離であり、θは、プレート上の溝とウェハ又は洗浄対象物の直径方向とのなす角度である。
ウェハ又は洗浄対象物の全ての位置においてプレートによる洗浄を確実にするために、ウェハ又は洗浄対象物が1回転する間に、プレートがウェハ又は洗浄対象物の直径に沿って移動する距離は、プレート自体の直径よりも小さくなければならない。したがって、ウェハ又は洗浄対象物の直径方向に沿ったプレートの最大移動速度(横方向の速度)は、
v=2R2ω1/60
として導かれる。
v=2R2ω1/60
として導かれる。
洗浄効果を最大限に確保するために、本発明に係る振動プレートは、ウェハ又は洗浄対象物上の所定の小領域がプレートの範囲内にある間に、角度にして少なくともπだけ回転する。言い換えると、図32に示すA及びO間の距離(d)は、プレートがπだけ回転する時間内においてプレートの半径よりも小さくなければならない。
したがって、
d2=(x−vΔt−(x−R2)cosω1Δt)2+((x−R2)sinω1Δt)2≦R2 2
という条件を満たさなければならないことが分かる。
d2=(x−vΔt−(x−R2)cosω1Δt)2+((x−R2)sinω1Δt)2≦R2 2
という条件を満たさなければならないことが分かる。
図33は、上記で述べたアルゴリズムがどのように一組の入力に適用されるかの例を示す。このアルゴリズムは、x軸と該x軸よりも下側の計算曲線との間のスペース(入力パラメータに基づいて最大洗浄効果が得られる、破線によって示された領域)を算出する。
図34は、上記アルゴリズムがユーザ入力をチェックして該入力を促すとともにユーザにフィードバックするシステムソフトウェアによって実行される、構築された制御手順を示す。
図35は、本発明のアルゴリズムを使用して算出されるウェハ回転速度(プレート回転速度が固定され且つプレートの移動速度が変化する状況下で上記最大と同等の洗浄効果が得られる回転速度)を、プレート中心の位置に応じて示した結果である。
図36は、本発明のアルゴリズムを使用して算出されるウェハ回転速度(プレート回転速度及びプレートの移動速度が共に固定された状況下で上記最大と同等の洗浄効果が得られる回転速度)を、プレート中心の位置に応じて示した結果である。
図37は、本発明のアルゴリズムを使用して算出されるプレート回転速度(上記最大洗浄効果が得られる回転速度)を、ウェハ回転速度及びプレート移動速度に応じて示した結果である。
これまで特定の実施例及びその適用例について説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、本発明と同じ目的を達成するために、HF酸を他の塩及び酸と混ぜ合わせて電解質を生成するようにしてもよい。
<参考実施例>
図4は、回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の他の参考実施例を示す。この参考実施例は、回転プレート4008がウェハ表面に完全に平行ではなくて角度を有している点を除いて、図1A及び図1Bに示すものと類似している。この角度は0°〜15°の範囲内にある。
図4は、回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の他の参考実施例を示す。この参考実施例は、回転プレート4008がウェハ表面に完全に平行ではなくて角度を有している点を除いて、図1A及び図1Bに示すものと類似している。この角度は0°〜15°の範囲内にある。
Claims (41)
- 半導体基板を洗浄する装置であって、
半導体基板を保持するチャックと、
上記半導体基板の表面に対して平行に隙間を空けて近接配置された振動するプレートと、
上記プレートを該プレートに垂直な軸周りに回転駆動する駆動機構と、
を備え、
上記プレート及び半導体基板は、或る特定の時刻における上記プレートの運動方向の前縁と重なる半導体基板上の点Aと、振動する該プレートの中心Oとの間の距離dが、該プレートがπ(rad)だけ回転する時間内において、該プレートの半径よりも小さいという条件を満たすように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、上記半導体基板の表面に対して平行な方向に移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項2記載の装置において、
上記プレートは、直線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項2記載の装置において、
上記プレートは、曲線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、上記プレートの表面に対して平行な方向に移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項5記載の装置において、
上記半導体基板は、直線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項5記載の装置において、
上記半導体基板は、曲線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、該基板の中心周りに回転するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレート及び上記半導体基板間の上記隙間が、0.1mm以上10mm以下の範囲内にあることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板の表面上に化学流体を供給するノズルを更に備えることを特徴とする装置。 - 請求項10記載の装置において、
上記ノズルは、上記プレートに取り付けられていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、平面であることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の半円柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の三角柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の四角柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の楕円柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、一つの凹面によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、一つの凸面によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、一つの凸面及び一つの凹面によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の半球体によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の角錐によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の半八角柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートに取り付けられた力学的波動変換器を更に備えることを特徴とする装置。 - 請求項23記載の装置において、
上記波動変換器は、20kHz以上200kHz以下の周波数範囲を有する超音波変換器であることを特徴とする装置。 - 請求項23記載の装置において、
上記波動変換器は、200kHz以上2MHz以下の周波数範囲を有するメガソニック変換器であることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートとは別体に構成された非回転式の波動変換器を更に備えることを特徴とする装置。 - 請求項26記載の装置において、
上記波動変換器は、上記変換器及び上記プレート間の隙間に化学流体を供給するための貫通孔を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、化学流体を流すための複数の孔を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、円形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、三角形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、矩形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、八角形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、楕円形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、水平方向に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、鉛直方向に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、水平方向に対して、0°以上90°以下の角度でもって配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、基板面の上側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、基板面の下側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートとは別のプレートを更に備え、
一方のプレートは、基板面の上側に配置され、他方のプレートは、基板面の下側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項39記載の装置において、
化学流体を供給するための2つのノズルを更に備え、
一方のノズルは基板面の上側に配置され、他方のノズルは基板面の下側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレート及び半導体基板は、以下の式を満たすようになされていることを特徴とする装置。
d2=(x−vΔt−(x−R2)cosω1Δt)2+((x−R2)sinω1Δt)2≦R2 2
但し、dは、或る特定の時刻tにおける上記振動するプレートの運動方向の前縁と重なる半導体基板上の点Aとプレートの中心Oとの間の距離、vは、上記半導体基板の直径方向に沿ったプレートの移動速度、R2は、上記半導体基板の半径、ω1は、プレートの角速度、ω2は、上記半導体基板の角速度、xは、上記点Aと上記半導体基板の中心との間の距離である。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2007/070234 WO2009003343A1 (en) | 2007-07-05 | 2007-07-05 | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010532556A JP2010532556A (ja) | 2010-10-07 |
JP2010532556A5 true JP2010532556A5 (ja) | 2013-03-28 |
JP5466638B2 JP5466638B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=40225705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010513614A Active JP5466638B2 (ja) | 2007-07-05 | 2007-07-05 | 半導体基板を洗浄する装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9070723B2 (ja) |
JP (1) | JP5466638B2 (ja) |
KR (1) | KR101424622B1 (ja) |
WO (1) | WO2009003343A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5648047B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-01-07 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2011151333A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Fujitsu Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP5605207B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-10-15 | 富士通株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
CN104813438B (zh) * | 2012-11-28 | 2017-07-25 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 半导体硅片的清洗方法和装置 |
JP2014194965A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
SG11201808637XA (en) * | 2016-04-06 | 2018-10-30 | Acm Res Shanghai Inc | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
KR102129773B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2020-07-03 | 최도현 | 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비 |
KR102129774B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2020-07-03 | 최도현 | 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비 |
US11298727B2 (en) * | 2017-03-30 | 2022-04-12 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Substrate cleaning apparatus |
JP7402698B2 (ja) * | 2020-01-21 | 2023-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
KR102216351B1 (ko) | 2020-08-21 | 2021-02-17 | (주)네온테크 | 반도체 칩 세정 장치 및 이를 사용한 반도체 칩의 제조 방법 |
WO2024071209A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 振動体、および基板処理装置 |
CN117711991A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种晶圆槽式清洗设备 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987006862A1 (en) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Eastman Kodak Company | Ultrasonic cleaning method and apparatus |
JP3326656B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | 回転式半導体基板処理装置及び回転式半導体基板処理方法 |
US5958794A (en) * | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
US20060118132A1 (en) | 2004-12-06 | 2006-06-08 | Bergman Eric J | Cleaning with electrically charged aerosols |
JPH10321570A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Tokuyama Corp | 半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法 |
TW466665B (en) * | 1999-02-05 | 2001-12-01 | Hitachi Ltd | Cleaner of plate part and its method |
CN1165074C (zh) * | 2001-07-25 | 2004-09-01 | 旺宏电子股份有限公司 | 晶片清洗装置 |
JP3958539B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6845778B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | In-situ local heating using megasonic transducer resonator |
US6843257B2 (en) * | 2002-04-25 | 2005-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer cleaning system |
KR100457053B1 (ko) | 2002-07-30 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
US20040226654A1 (en) | 2002-12-17 | 2004-11-18 | Akihisa Hongo | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
EP1635960A2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-03-22 | P.C.T. Systems, Inc. | Method and apparatus to process substrates with megasonic energy |
KR100734669B1 (ko) * | 2003-08-08 | 2007-07-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그 장치 |
JP4486476B2 (ja) | 2004-10-29 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 |
TWI366222B (en) * | 2004-11-23 | 2012-06-11 | Lam Res Ag | Apparatus and method for wet treatment of wafers |
-
2007
- 2007-07-05 JP JP2010513614A patent/JP5466638B2/ja active Active
- 2007-07-05 US US12/452,367 patent/US9070723B2/en active Active
- 2007-07-05 KR KR1020107000159A patent/KR101424622B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-05 WO PCT/CN2007/070234 patent/WO2009003343A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-06-11 US US14/736,543 patent/US9281177B2/en active Active
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