JPH10321570A - 半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法 - Google Patents

半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法

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JPH10321570A
JPH10321570A JP13915797A JP13915797A JPH10321570A JP H10321570 A JPH10321570 A JP H10321570A JP 13915797 A JP13915797 A JP 13915797A JP 13915797 A JP13915797 A JP 13915797A JP H10321570 A JPH10321570 A JP H10321570A
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Kenji Doi
建治 土井
Naoto Miyashita
直人 宮下
Masayasu Abe
正泰 安部
Hiroyuki Kono
博之 河野
Kazuhiko Hayashi
和彦 林
Hiroshi Kato
寛 加藤
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Tokuyama Corp
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Tokuyama Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 選択比を大きくしスト
ッパー膜を薄くすることができる研磨剤を使用した半導
体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法及び
ポリッシング方法を提供する。 【解決手段】 窒化珪素粒子からなる研磨粒子に分散さ
せた研磨剤にこの研磨粒子に吸着する吸着剤を添加す
る。研磨剤の製造方法としては酸側にｐＨ調整してから
吸着剤を研磨剤に加える。この研磨剤は、ストッパー膜
であるＳｉ3 Ｎ4 膜のポリッシュレートを小さくするこ
とによってＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 選択比を大きくし、ス
トッパー膜を薄くすることができる。研磨剤Ａのように
ｐＨ調整後に前記吸着剤を加えると窒化珪素粒子の凝集
沈殿を減少させ、前記選択比を大きくさせることができ
る。ｐＨ調整後に吸着剤を加えると窒化珪素粒子が沈殿
した場合でも凝固することが無く再分散が可能で安定し
たスラリーが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ表
面の被ポリッシング膜をＣＭＰ(Chemical Mechanical P
olishing) 法によりポリッシングする際に用いられる研
磨剤、その製造方法及びこの研磨剤を用いた半導体ウェ
ーハのポリッシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリッシング装置は、研磨パッドを表面
に張り付けモータなどにより回転される研磨盤と、半導
体ウェーハなどの基板を回転自在に支持し、回転する基
板を研磨盤に押し付ける吸着盤とを備えている。このポ
リッシング装置を用いて基板をポリッシングするには、
回転する基板のポリッシングする面を回転する研磨盤上
の研磨パッドに押し付けて加工点に研磨剤（スラリーと
もいう）を供給しながらポリッシングするのが一般的で
ある。このポリッシング装置を利用したポリッシング技
術は、半導体装置の製造などに適用されている。ＩＣや
ＬＳＩなどの半導体装置は、半導体基板に形成される集
積回路を設計する設計工程、集積回路を形成するために
用いられる電子ビームなどを描画するためのマスク作成
工程、単結晶インゴットから所定の厚みのウェーハを形
成するウェーハ製造工程、ウェーハに集積回路などの半
導体素子を形成するウェーハ処理工程、ウェーハを各半
導体基板に分離しパッケージングして半導体装置を形成
する組立工程及び検査工程等を経て形成される。各工程
には、それぞれその工程に必要な製造装置を用いる。
【０００３】従来ウェーハ処理工程においてトレンチや
コンタクトホールなどの溝（トレンチ）部に金属、ポリ
シリコン、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）などの任意の材
料を埋め込んだ後にその表面を平坦化する方法としてエ
ッチバックＲＩＥ(ReactiveIon Etching)法が知られて
いる。しかし、このエッチバックＲＩＥ方法は、エッチ
バックレジストの塗布などの工程が多くなること、ウェ
ーハ表面にＲＩＥダメージが入りやすいこと、良好な平
坦化が難しいこと、また真空系の装置を用いるため、構
造が複雑で、危険なエッチングガスを使用することなど
から様々な問題点が多い。そこで最近では、エッチバッ
クＲＩＥに代わって前述のＣＭＰ法が研究されるように
なってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体基板の溝部に埋
め込んだ酸化膜（ＣＶＤＳｉＯ2 ）又は多層配線の層間
絶縁膜に使用する酸化膜（ＣＶＤＳｉＯ2 ）の平坦化に
ポリッシング装置を使用する場合、オーバーポリッシン
グによるディッシングや目的とする膜厚でポリッシング
を止めるために通常ストッパー膜を用いる。従来、酸化
膜などをポリッシングする場合、酸化セリウム粒子又は
シリカ粒子を研磨剤に分散して使用している。シリカ粒
子を分散させた研磨剤は、ポリッシング速度が遅い。一
方、酸化セリウム粒子を分散した研磨剤は速いポリッシ
ング速度を有している。しかし、酸化セリウム粒子を用
いた研磨剤を用い窒化珪素膜をストッパーにする場合に
おいてはその選択比が約２、ポリシリコンをストッパー
膜に使用する場合においてはその選択比が約１〜２と低
く、そのためオーバーポリッシングになってストッパー
膜まで削れてしまうという問題があった。一方、シリカ
粒子を研磨剤に分散して使用する場合においては、窒化
珪素膜をストッパー膜に使用する場合において選択比が
２、ポリシリコン膜をストッパー膜に使用する場合にお
いても選択比は１と低く、そのためオーバーポリッシン
グになるとストッパー膜まで削れていまうという問題が
あった。
【０００５】この様に、十分にポリッシング速度の大き
い研磨剤がなく、ポリッシング速度が比較的大きい研磨
剤であってもストッパー膜に対して選択性が低いために
ディッシングを完全に抑えることが難しく、プロセスマ
ージンが低いのでＣＭＰ処理を量産化プロセスに使用す
ることは難しかった。そこで、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
粒子から実質的に構成された研磨粒子を純水又は超純水
などの溶媒に分散させた研磨剤が使われるようになった
（特願平８−１１０５７５号参照）。
【０００６】半導体基板表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）
法により酸化膜などの被ポリッシング膜をポリッシング
する場合、被ポリッシング膜とストッパーとなる膜との
ポリッシュレート選択比が低くなるとストッパー膜のデ
ィッシング（皿状にくぼむ現象）が生じ、これを防ぐた
めにストッパー膜を厚くしなければならなかった。デバ
イス的な要求としては、ストッパー膜をなるべく薄くす
る必要があり、ポリッシュレート選択比の高い研磨剤が
要求されている。このような要求に答えるものとして窒
化珪素粒子が開発されたが、十分満足するものではな
い。また、窒化珪素粒子が沈殿凝集し長期保存した場合
容器の底部に凝固し、再分散が困難となることがあり、
運用上も問題となっている。本発明は、このような事情
によりなされたものであり、被ポリッシング膜、とくに
Ｓｉ3 Ｎ4 膜のポリッシュレートを小さくしてＳｉＯ2
／Ｓｉ3 Ｎ4 選択比を大きくし、ストッパー膜を薄くす
ることができる研磨粒子として窒化珪素粒子を使用した
半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法
及びこの研磨剤を用いた半導体ウェーハのポリッシング
方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェー
ハをＣＭＰ法によりポリッシングする場合において、窒
化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）粒子からなる研磨粒子に分散させ
た研磨剤にこの研磨粒子に吸着する吸着剤を添加したこ
とを特徴としている。また、前記研磨剤の製造方法とし
ては、酸側にｐＨ調整してから前記吸着剤を研磨剤に加
えることを特徴としている。この研磨剤は、ストッパー
膜であるＳｉ3 Ｎ4 膜のポリッシュレートを小さくする
ことによって、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 選択比を大きく
し、ストッパー膜を薄くすることができる。また、ｐＨ
調整後に前記吸着剤を加えることにより窒化珪素粒子の
凝集沈殿を著しく減少させるとともに、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
3 Ｎ4 選択比を大きくさせる。
【０００８】本発明の半導体ウェーハポリッシング用研
磨剤は、窒化珪素粒子からなる研磨粒子と、溶媒と、こ
の研磨粒子に吸着する吸着剤とを備えていることを特徴
とする。また、本発明の半導体ウェーハポリッシング用
研磨剤は、前記吸着剤がアニオン基、例えば、カルボン
酸基、スルホン酸基、燐酸基等を有する有機化合物であ
ることが好ましく、とくにカルボン酸基を含有する有機
化合物であることが好ましい。さらに、この研磨剤は、
吸着剤が無水マレイン酸基を含有する有機化合物である
ことが好ましい。また、この研磨剤は、吸着剤がポリオ
キシアルキレン基と酸無水物基を含有する有機化合物で
あることが好ましく、さらに図３に示す化学式（１）
（但し、Ａはエチレン基又はプロピレン基、ｍは１〜５
０の整数、ｎは１〜１０の整数を示す。）で示されるカ
ルボン酸基を含有する高分子体であることが好ましい。
前記吸着剤は、１０００〜２００００ｐｐｍ含まれるよ
うにしても良い。窒化珪素粒子濃度は、１〜１５重量
％、好ましくは５〜１０重量％にしても良い。なお、上
記窒化珪素粒子濃度は、使用時の濃度を示すもので、必
要により５０重量％以下の濃縮された状態で取り扱うこ
ともできる。
【０００９】本発明の半導体ウェーハポリッシング用研
磨剤の製造方法は、窒化珪素粒子からなる研磨粒子を溶
媒に添加し、この研磨粒子を分散混合させる工程と、前
記研磨粒子を分散させた溶媒を酸側にｐＨ調整する工程
と、前記ｐＨ調整された溶媒に本発明の吸着剤を加える
工程とを備えていることを特徴とする。前記研磨粒子を
分散させた溶媒を酸側にｐＨ調整する工程において、前
記研磨粒子を分散させた溶媒はｐＨ３〜５にｐＨ調整さ
れるようにしても良い。本発明の半導体ウェーハのポリ
ッシング方法は、窒化珪素粒子からなる研磨粒子を溶媒
に添加し、この研磨粒子を分散混合させる工程と、前記
研磨粒子を分散させた溶媒を酸側にｐＨ調整する工程
と、前記ｐＨ調整された溶媒に本発明の吸着剤を加えて
研磨剤を形成する工程と、前記研磨剤を用いて半導体ウ
ェーハをポリッシングする工程とを備えていることを特
徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。図２に、本発明の研磨剤を用いたＣ
ＭＰを実施するためのポリッシング装置の概略断面図を
示し以下にその機構を説明する。ステージ２１上にベア
リング２２を介して研磨盤受け２３が配置されている。
この研磨盤受け２３上には研磨盤２４が取り付けられて
いる。研磨盤２４の上には半導体ウェーハをポリッシン
グする研磨パッド２５が張り付けられている。研磨盤受
け２３及び研磨盤２４を回転させるためにこれらの中心
部分に駆動シャフト２６が接続されている。この駆動シ
ャフト２６は、モーター２７により回転ベルト２８を介
して回転される。一方、半導体ウェーハ２０は、研磨パ
ッド２５と対向する位置に配置され、真空又は水張りに
より吸着盤３１に取り付けられた吸着布３０及びテンプ
レート２９に固定されている。吸着盤３１は、駆動シャ
フト３２に接続されている。また、この駆動シャフト３
２は、モーター３３によりギア３４及び３５を介して回
転される。駆動シャフト３２は、駆動台３６に固定され
ている。駆動台３６は、シリンダ３７に取り付けられ、
このシリンダ３７による上下の移動に伴い、駆動台３６
は、上下する。吸着盤３１に固定された半導体ウェーハ
２０と研磨パッド２５の間には、研磨剤が供給される。
このようにして半導体ウェーハ２０のポリッシングが行
われる。
【００１１】図１は、上記研磨剤を用いて実際に半導体
ウェーハをポリッシングするポリッシング装置の斜視図
である。例えば、約３０回転／分で回転する研磨盤２４
に張り付けられた研磨パッド２５に、例えば、約３０回
転／分で回転する駆動シャフト３２に取り付けられた吸
着盤３１に固定された半導体ウェーハを押し付け、研磨
剤タンク（図示せず）から導出された研磨剤供給パイプ
３８から供給される研磨剤を加工点に滴下しながらポリ
ッシングを行う。この発明の実施の形態における研磨剤
は、１〜１５重量％、好ましくは５〜１０重量％の窒化
珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）粒子からなる研磨粒子を純水又は超
純水からなる溶媒に分散させ、さらに無水マレイン酸な
どのカルボン酸基（−ＣＯＯＨ）を有する酸からなり、
窒化珪素に吸着する吸着剤を添加剤として加える。吸着
剤の含有量は１０００〜２００００ｐｐｍ、好ましく
は、２０００〜５０００ｐｐｍである。すなわち、この
研磨剤は、溶媒と、１〜１５重量％の研磨粒子と、１０
００〜２００００ｐｐｍの吸着剤から構成されることが
好ましい。以上の組成の研磨剤を純水もしくは超純水で
薄めて使用することもできる。この希釈した研磨剤を用
いると段差形が良くなるので、ストッパー膜を使用しな
くてもポリッシングが可能になる。希釈した研磨剤は、
とくに比較的厚い被ポリッシング膜に用いるのに適して
いる。
【００１２】本発明において、使用される吸着剤は、ア
ニオン基を有する有機化合物であることが窒化珪素に選
択的に吸着して本発明の効果をより発揮するために好ま
しく、なかでも、カルボン酸基を含有する有機化合物が
好適である。かかる化合物としては、マレイン酸（ＨＯ
ＯＣＣＨ＝ＣＨＣＯＯＨ）、蟻酸（ＨＣＯＯＣ
2 Ｈ5）、酢酸、アジピン酸、コハク酸、マロン酸など
の脂肪族カルボン酸及び安息香酸、フタール酸、トリメ
リット酸、ピロメリット酸などの芳香族カルボン酸があ
る。また、吸着剤は、酸無水物基、好適には、オキシア
ルキレン基及び酸無水物基を含有する有機化合物である
ことがより好ましく、とくに図３に示す前記化学式
（１）で示されるカルボン酸基を含有する高分子体が好
ましい。上記吸着剤を研磨剤に添加すると、これは窒化
珪素粒子に吸着する。同じ様に上記吸着剤は、ストッパ
ー膜である窒化珪素膜にも吸着する。したがって窒化珪
素粒子と窒化珪素膜との間に斥力が生じて被ポリッシン
グ膜のＳｉＯ2 膜が選択的に研磨される。
【００１３】図４及び図５を参照して本発明の研磨剤の
製造方法を説明する。図４は、研磨剤の製造プロセスを
示すフローチャート図、図５は、この研磨剤を用いてポ
リッシングした場合のポリッシュレート及びＳｉＯ2 ／
Ｓｉ3 Ｎ4 選択比を示す特性図である。縦軸がポリッシ
ュレート（ｎｍ／ｍｉｎ）及びＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4選
択比を表わし、横軸は、本発明の研磨剤Ａ及びＢ及び従
来の研磨剤Ｃを表わしている。
【００１４】従来は、研磨粒子として窒化珪素粒子を用
い、これを純水又は超純水からなる溶媒に分散させ十分
に混合してスラリー（研磨剤）を形成する。このスラリ
ーは、通常、酸側にｐＨ調整しておき、ある程度時間が
経ってからポリッシングに使用する。これに対して、本
発明では、酸側に調整することは勿論であるが、従来の
スラリーに窒化珪素に吸着する吸着剤を添加剤として添
加することを特徴としている。本発明の研磨剤は、同じ
組成から構成されているものであっても製造方法の違い
によって特性が異なる。すなわち、研磨剤Ａ、Ｂは、同
じ組成を有する。研磨剤Ａは、図４（ａ）に示すプロセ
スで形成される。研磨粒子として窒化珪素粒子を用意し
（１）、これを純水又は超純水からなる溶媒に分散させ
十分に混合（２）してスラリーを形成する（３）。次
に、このスラリーを酸側にｐＨ調整する（４）。次に、
ｐＨ調整したスラリーに吸着剤を添加剤として加えて研
磨剤Ａを形成する（５）。研磨剤Ｂは、図４（ｂ）に示
すプロセスで形成される。研磨粒子として窒化珪素粒子
を用意し（１）、これを純水又は超純水からなる溶媒に
分散させ十分に混合（２）してスラリーを形成する
（３）。次に、このスラリーに吸着剤を添加剤として加
える（４）。次に、吸着剤を加えたスラリーを酸側にｐ
Ｈ調整して研磨剤Ｂを形成する（５）。
【００１５】半導体ウェーハをポリッシングする場合、
スラリー（研磨剤）は、所定のｐＨで研磨盤上に供給す
る必要がある。しかし、窒化珪素粒子は、純水（ｐＨ
７）と混合するだけでｐＨが変化するのでｐＨ調整する
必要がある。一般に酸側に調整しても時間が経過するに
連れてアルカリ側になる（ｐＨが大きくなる）傾向にあ
る。そこで、研磨剤Ａのように、先にｐＨ調整で酸側に
しておき、その後吸着剤を加えることにより窒化珪素粒
子が沈殿した場合でも凝固することが無く、再分散が可
能で安定したスラリーが得られる。そのメカニズムは十
分解明されていないが、窒化珪素粒子の電位がスラリー
のｐＨにより変化することから窒化珪素粒子を予め＋側
電位にした状態で吸着剤を加えることにより凝固しない
スラリーが得られる。研磨剤Ｂは、窒化珪素粒子の凝固
が認められた。
【００１６】図５は、研磨剤Ａ、Ｂ、Ｃの特性を記載し
ている。ＳｉＯ2 膜に対するポリッシュレート（ｎｍ／
ｍｉｎ）は、本発明のｐＨ調整後に吸着剤を加える研磨
剤Ａが一番大きく３００ｎｍ／ｍｉｎを越える。次が、
従来の研磨剤Ｃで、２８５ｎｍ／ｍｉｎ程度である。本
発明の吸着剤を加えてからｐＨ調整する研磨剤Ｂが小さ
く、２４５ｎｍ／ｍｉｎ程度である。ストッパー膜であ
るＳｉ3 Ｎ4 膜に対するポリッシュレート（ｎｍ／ｍｉ
ｎ）は、本発明の研磨剤Ａ及びＢが小さく３０〜４０ｎ
ｍ／ｍｉｎ程度である。従来の研磨剤Ｃは、ポリッシュ
レートが大きく１００程度に達する。したがって、研磨
剤ＣのＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 選択比は小さく、２．７６
にすぎない。一方、本発明の研磨剤Ｂは、６５．４もあ
り、ｐＨ調整後に吸着剤を加える研磨剤Ａは、８１．４
に達する。図に示すＳｉＮは、Ｓｉ3 Ｎ4 を略したもの
である。また、研磨剤Ｂ及び研磨剤Ｃでは、研磨剤タン
クの容器底に窒化珪素粒子の凝固が残ることがある。
【００１７】次に、図６乃至図１０を参照して本発明の
研磨剤Ａを用いて半導体ウェーハをポリッシングする方
法について説明する。図は、半導体ウェーハ上の被ポリ
ッシング膜をポリッシングする方法を説明する工程断面
図である。この発明の実施の形態では半導体ウェーハの
ポリッシング処理面において、窒化珪素粒子を純水もし
くは超純水からなる溶媒に分散させ、前記化学式（１）
に示される高分子体からなる吸着剤を加えた研磨剤を用
いると共に研磨粒子材料と同じ組成のストッパー膜を使
用することにより、被ポリッシング膜とストッパー膜と
の選択比を上げている。この発明の実施の形態における
研磨剤の粘度は約２ｃＰである。なお、本発明に用いら
れる研磨剤の粘度は、約１〜１０ｃＰが適当であり、ポ
リッシング温度は、２０〜７０℃が適している。研磨粒
子として用いられる窒化珪素粒子の一次粒子径は５０〜
１０００ｎｍ、二次粒子径は１００〜２０００ｎｍが適
当である。図は、シリコン半導体基板に溝部を形成しこ
の溝部をＣＶＤ酸化膜で埋め込み、ポリッシング装置に
より平坦化する素子分離法とそのプロセスを示してい
る。
【００１８】まず、シリコン半導体基板１上に酸化膜を
ポリッシングするときのストッパー膜となる窒化珪素膜
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）２を厚さ約７０ｎｍ堆積する。その後、
溝部形成用マスクとなるＣＶＤＳｉＯ2 膜３を窒化珪素
膜２の上に堆積する（図６（ａ））。マスク及びストッ
パー膜をパターニングするためにフォトレジスト４をＣ
ＶＤＳｉＯ2 膜３の全面に塗布する（図６（ｂ））。次
に、このフォトレジスト４をパターニングする（図７
（ａ））。パターニングされたフォトレジスト４をマス
クにしてＣＶＤＳｉＯ2 膜３とその下のストッパー膜で
ある窒化珪素膜２をＲＩＥ法などにより開口する（図７
（ｂ））。次に、さらにＲＩＥ法で溝部５を形成する
（図８（ａ））。溝部５を形成した後にウェット処理に
よりＲＩＥ加工時の反応生成物とダメージ層を取り除い
た状態とする。そして、窒化珪素膜２の上及び溝部５に
ＣＶＤＳｉＯ2 膜６もしくはＢＰＳＧ膜を堆積する（図
８（ｂ））。このＣＶＤＳｉＯ2 膜６を被ポリッシング
膜として図２に示すポリッシング装置を用いてポリッシ
ングする。このポリッシング装置に用いる研磨剤には、
研磨粒子として窒化珪素粒子が溶媒（純水又は超純水）
に分散されている。研磨剤にはさらに前記吸着剤が添加
されている。
【００１９】図９（ａ）に、ＣＶＤＳｉＯ2 膜６をこの
ポリッシング装置で平坦化した後の状態を示す。ポリッ
シング後は、ストッパー膜である窒化珪素膜２をエッチ
ング除去する（図９（ｂ））。このあと仕上げのポリッ
シングを行い、半導体ウェーハ表面とＣＶＤＳｉＯ2 膜
６の表面を一様に仕上げる（図１０）。このポリッシン
グにより、シリコン半導体基板１及び埋め込んだＣＶＤ
ＳｉＯ2 膜６にディシングが無い良好な加工形状を得る
ことができた。
【００２０】
【発明の効果】窒化珪素からなる研磨粒子を溶媒に分散
させ、吸着剤を加えた研磨剤を用いてポリッシングを行
うことにより、窒化珪素膜に対するポリッシュレートが
小さくなり、その結果ＣＶＤＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 選択
比が大きくなるので被ポリッシング膜の平坦化を効率良
く行うことができる。また、この吸着剤を酸側にｐＨ調
整してから研磨剤に添加する方法によると、凝集した場
合でも再分散性の良好なものが得られる。また、本発明
の研磨剤を半導体ウェーハをポリッシングするＣＭＰに
用いると、凸部の酸化膜のポリッシュレートが大きくな
り、凸部を選択的にポリッシングすることができるので
ストッパー膜がない半導体ウェーハにおいても平坦化が
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研磨剤を用いているポリッシング装置
の部分斜視図。
【図２】本発明のポリッシング装置の断面図。
【図３】本発明の吸着剤に用いられる材料の化学式を示
す図。
【図４】本発明の研磨剤の製造工程を示すフローチャー
ト図。
【図５】本発明の研磨剤を用いたポリッシングの効果を
示す特性図。
【図６】本発明の研磨剤を用いた半導体装置の製造工程
断面図。
【図７】本発明の研磨剤を用いた半導体装置の製造工程
断面図。
【図８】本発明の研磨剤を用いた半導体装置の製造工程
断面図。
【図９】本発明の研磨剤を用いた半導体装置の製造工程
断面図。
【図１０】本発明の研磨剤を用いた半導体装置の製造工
程断面図。
【符号の説明】
１・・・半導体基板、 ２・・・窒化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜、３、６・・・ＣＶＤＳｉＯ2 膜、 ４・・
・フォトレジスト、５・・・溝部、 ２０・・・ウェ
ーハ、 ２１・・・ステージ、２２・・・ベアリン
グ、 ２３・・・研磨盤受け、 ２４・・・研磨盤、
２５・・・研磨パッド、 ２６・・・駆動シャフト、
２７・・・モーター、 ２８・・・回転ベルト、２９
・・・テンプレート、 ３０・・・吸着布、 ３１
・・・吸着盤、３２・・・駆動シャフト、 ３３・・
・モーター、３４、３５・・・ギア、 ３６・・・駆
動台、 ３７・・・シリンダ、３８・・・研磨剤供給
パイプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安部 正泰 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 河野 博之 山口県徳山市大字徳山5611−１ (72)発明者 林 和彦 山口県徳山市花畠町７−３ (72)発明者 加藤 寛 山口県徳山市梅園町１−34−703

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 窒化珪素粒子からなる研磨粒子と、 溶媒と、 窒化珪素を吸着する吸着剤とを備えていることを特徴と
    する半導体ウェーハポリッシング用研磨剤。
  2. 【請求項２】 前記吸着剤がアニオン基を含有する有機
    化合物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    ウェーハポリッシング用研磨剤。
  3. 【請求項３】 前記吸着剤がカルボン酸基を含有する有
    機化合物であることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体ウェーハポリッシング用研磨剤。
  4. 【請求項４】 前記吸着剤が酸無水物基を含有する有機
    化合物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    ウェーハポリッシング用研磨剤。
  5. 【請求項５】 前記吸着剤がポリオキシアルキレン基と
    酸無水物基を含有する有機化合物であることを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体ウェーハポリッシング用研磨
    剤。
  6. 【請求項６】 前記吸着剤が図３に示される化学式
    （１）（但し、式中Ａは、エチレン基、ｍは１〜５０の
    整数、ｎは１〜１０の整数を表わす。）に示されたカル
    ボン酸基を含有する高分子体であることを特徴とする請
    求項１に記載の半導体ウェーハポリッシング用研磨剤。
  7. 【請求項７】 前記吸着剤は、１０００〜２００００ｐ
    ｐｍ含まれていることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ６のいずれかに記載の半導体ウェーハポリッシング用研
    磨剤。
  8. 【請求項８】 窒化珪素粒子は、１〜１５重量％含まれ
    ていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれ
    かに記載の半導体ウェーハポリッシング用研磨剤。
  9. 【請求項９】 窒化珪素粒子からなる研磨粒子を溶媒に
    添加し、この研磨粒子を分散混合させる工程と、 前記研磨粒子を分散させた溶媒を酸側にｐＨ調整する工
    程と、 前記ｐＨ調整された溶媒に請求項１乃至請求項８のいず
    れかに記載された吸着剤を加える工程とを備えているこ
    とを特徴とする半導体ウェーハポリッシング用研磨剤の
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記研磨粒子を分散させた溶媒を酸側
    にｐＨ調整する工程において、前記研磨粒子を分散させ
    た溶媒は、ｐＨ３〜ｐＨ５にｐＨ調整されることを特徴
    とする請求項９に記載の半導体ウェーハポリッシング用
    研磨剤の製造方法。
  11. 【請求項１１】 窒化珪素粒子からなる研磨粒子を溶媒
    に添加し、この研磨粒子を分散混合させる工程と、前記
    研磨粒子を分散させた溶媒を酸側にｐＨ調整する工程
    と、前記ｐＨ調整された溶媒に請求項１乃至請求項８の
    いずれかに記載された吸着剤を加えて研磨剤を形成する
    工程と、 前記研磨剤を用いて半導体ウェーハをポリッシングする
    工程とを備えていることを特徴とするポリッシング方
    法。
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