KR100882910B1 - 식각장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 식각챔버; 상기 식각챔버 내부 상측에 위치하며, 식각액을 분사하는 다수개의 노즐을 구비하는 배관부; 상기 배관부 하측에 위치하는 마스크기판; 및 상기 마스크기판 하측에 위치하며, 기판을 이송하는 이송수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치를 제공한다.
상기와 같이 다수개의 노즐을 구비하는 배관부와 기판 사이에 위치하는 마스크기판은 메쉬형태 및 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 구조로 되어 있다.
따라서, 습식식각 시 발생할 수 있는 미세거품(Micro bubble)을 방지하여 균일한 식각률을 얻을 수 있다.
또한, 상기 마스크기판의 측면에는 고정부를 구비하는 리프트장치가 위치하여 상기 마스크기판을 상하로 이동시킴으로서 균일한 식각률을 제어할 수도 있다.
식각, 메쉬

Description

식각장치{Etching apparatus}
본 발명은 식각장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마스크기판을 구비하는 습식 식각장치에 관한 것이다.
일반적으로, 평판 표시 장치(Flat Panel Display: FPD)는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 디스플레이 장치(Field Emission Display: FED) 및 유기 전계 발광표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OELD) 등으로 나누어진다.
이러한, 평판표시장치는 통상적으로 세정공정, 증착공정, 포토공정 및 식각공정등의 제조 공정을 통해서 구현되는데, 이들 중 상기 식각공정은 설계에 따른 정밀한 패턴을 형성하는 중요한 공정으로 크게 건식 식각과 습식 식각으로 나누어진다.
먼저, 상기 건식 식각 방법은 비등방성(Anisotropic) 식각으로 플라즈마를 이용하여 기판상에 형성된 박막을 선택적으로 식각하는 방법이다. 이러한, 건식식 각에는 일정 압력하에서 반응 가스를 플라즈마 방전시켜 화학적인 반응에 의해 식각하는 반응 건식 식각 방법과, 생성된 이온들이 충돌함으로써 식각되는 이온 건식 식각 방법 등이 있다.
다음으로, 상기 습식 식각 방법은 등방성(isotrope) 식각으로, 화학 용액을 이용하여 식각하는 방법이다. 이러한, 습식 식각방법은 건식 식각 방법에 비해 양호한 선택도와 식각 균일도 및 비용절감의 효과로 인해 대면적 양산에 적합하다.
상기 습식 식각 방법은 일반적으로 박막이 형성된 기판을 식각액에 완전히 담그는 딥(Dip) 방식과, 식각액을 별도의 분사장치를 이용하여 상기 기판상에 형성된 박막의 표면에 분사하여 식각하는 스프레이(spray) 방식이 있다.
상기 딥 방식은 균일한 식각률을 얻을 수 있으며, 상기 스프레이 방식은 양호한 식각 프로파일을 얻을 수 있는 장점이 있다.
상기 스프레이(spray) 방식은 먼저, 이송 롤러에 의해 기판이 식각챔버 내부로 이송되어진다.
이어서, 상기 식각챔버 외부에 위치된 식각액 저장용기인 약액조로부터 식각액이 펌프에 의해 배관부로 공급된다.
이때, 상기 배관부는 상기 식각액을 기판상에 분사하기 위한 다수 개의 노즐과 연결된다. 따라서, 상기 노즐을 통해 기판상에 식각액을 분사하여 습식 식각 공정을 진행할 수 있다.
하지만, 이러한 식각액을 분사하는 스프레이식 방식은 노즐에서 일정압력으로 식각액을 분사하기 때문에 하측에 위치하는 기판과 직접충돌하여 기포형태의 미 세거품(Micro bubble)이 발생할 수 있다.
따라서, 기판상에 형성된 박막의 균일한 식각을 저해하여 불량패턴을 형성하게 된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 균일한 식각률을 갖는 식각장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 식각챔버; 상기 식각챔버 내부 상측에 위치하며, 식각액을 분사하는 다수개의 노즐을 구비하는 배관부; 상기 배관부 하측에 위치하는 마스크기판; 및 상기 마스크기판 하측에 위치하며, 기판을 이송하는 이송수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치에 의해 달성된다.
또한, 상기한 목적은 식각챔버; 상기 식각챔버 내부 상측에 위치하며, 식각액을 분사하는 다수개의 노즐을 구비하는 배관부; 상기 배관부 하측에 위치하는 마스크기판; 상기 마스크기판의 측면에 위치하며, 고정부에 의해 상기 마스크기판을 지지하는 리프트장치; 및 상기 마스크기판 하측에 위치하며, 기판을 이송하는 이송수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치에 의해서도 달성된다.
본 발명의 식각장치는 습식식각 시 발생할 수 있는 미세거품(Micro bubble)을 방지하여 균일한 식각률을 얻을 수 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
<실시 예1>
도 1은 본 발명의 실시 예1에 의한 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시 예1에 의한 식각장치의 동작을 나타내는 모식도 및 단면도 일부이다.
먼저, 도 1를 참조하면, 본 발명에 의한 식각장치는 식각챔버(10), 상기 식각챔버(10) 내부의 상측에 위치하는 배관부(14), 상기 배관부(14) 하측에 일정간격을 두고 위치하는 마스크기판(13), 상기 마스크기판(13) 하측에 일정간격을 두고 위치하며 기판(12)을 이송하는 이송수단(11)을 포함하며 구성된다.
또한, 상기 식각챔버(10) 외부에는 식각액(16)을 저장하는 약액조(20), 상기 약액조(20)에서 식각액(16)을 식각챔버(10) 내부로 공급하기 위한 펌프(22)를 포함하며 구성된다.
보다 자세하게는, 상기 배관부(14)는 식각챔버(10) 내부의 상측에 위치하며 메인배관과 다수개의 서브배관으로 구성된다. 이때, 상기 다수개의 서브배관의 하부에는 다수개의 노즐(15)이 연결되어 있어 식각액(16)을 분사할 수 있다.
다음으로, 상기 마스크기판(13)은 상기 배관부(14) 하측에 일정간격을 두고 위치한다. 상기 마스크기판(13)은 식각액(16)에 화학적으로 견딜 수 있는 내산성 재질로 형성할 수 있는데, 바람직하게는 폴리염화비닐(PolyVinyl Chloride : PVC) 또는 테프론 재질일 수 있다.
이러한, 마스크기판(13)은 메쉬형태일 수 있으며, 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부 구조일 수도 있다. 따라서, 다수개의 노즐(15)에서 식각액(16)이 기판(12) 상으로 직접 분사될 경우, 충돌면에서 발생할 수 있는 미세거품(Micro bubble) 현상을 방지할 수 있다.
다음으로, 상기 이송수단(11)은 상기 마스크기판(13) 하측에 일정간격을 두고 위치하며, 롤러형태로 회전한다. 따라서, 상기 기판(12)을 식각챔버(10) 내부로 반입할 수 있고, 식각챔버(10) 외부로 반출할 수 있는 장치이다.
다음으로, 상기 약액조(20)는 상기 식각챔버(10) 외부에 위치하며, 식각액 (16)을 저장하는 공간이다. 이때, 상기 약액조(20)에는 별도의 필터(미도시)가 구비되어 식각액(16)의 이물 등을 제거할 수도 있다.
다음으로, 상기 펌프(22)는 상기 식각챔버(10) 외부에 위치하며, 압력을 이용하여 상기 약액조(20)에 저장된 식각액(16)을 상기 식각챔버(10) 내부로 공급한다.
이상의 본 발명의 실시 예1에 의한 식각장치의 동작은 이하의 도 2a 내지 도 2c를 참조한 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 먼저, 식각될 박막(미도시)이 상부에 형성된 기판(12)이 이송수단(11)에 의해 식각챔버(10) 내부로 반입된다.
이어서, 식각챔버(10) 외부에 위치하는 약액조(20)에 저장된 식각액(16)을 압력작용을 이용한 펌프(22)에 의해 식각챔버(10) 내부의 배관부(14)로 공급한다.
이어서, 상기 식각액(16)은 배관부(14)의 메인배관을 통해 상기 메인배관에서 분기된 다수개의 서브배관으로 균일하게 공급된다.
이어서, 상기 서브배관에 공급된 식각액(16)은 상기 서브배관의 하부에 위치하는 다수개의 노즐(15)에 의해 일정압력으로 마스크기판(13) 상에 분사된다.
이때, 분사된 상기 식각액(16)은 상기 마스크기판(13)의 구조가 메쉬형태로 되어있기 때문에 균일하게 퍼지게 된다.
또한, 상기 마스크기판(13)은 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부가 형성된 구조일 수도 있어서 상기 식각액(16)을 균일하게 퍼지게 할 수 있다.
이어서, 상기 마스크기판(13) 상에 일정량의 식각액(16)이 퍼지게 되면 중력에 의해 하측에 위치하는 기판(12) 상으로 낙하하게 된다. 이때, 상기 식각액(16)은 상기 마스크기판(13)에 의해 균일성을 가지면서도 수직으로 낙하하여 기판(12) 상에 얇은 식각액(16)막을 형성하게 된다.
따라서, 마스크기판(13)이 없는 종래의 스프레이식 방식에서 발생하는 분사된 식각액과 기판(12)과의 직접충돌에 의한 미세거품 현상을 방지할 수 있다.
또한, 종래의 스프레이식 방식에서 일정각도로 분사된 식각액(16)에 의해 균일성 있는 식각이 저해되는 문제점도 방지할 수 있다.
이어서, 상기 기판(12) 상에 형성된 식각액(16)막에 의한 식각공정이 진행된 후에는, 상기 식각액(16)은 식각챔버(10)의 하부에 연결된 이송관에 의해 상기 식각챔버(10) 외부에 위치하는 약액조(20)로 이동한다.
이어서, 상기 기판(12)은 이송수단(11)에 의해 식각챔버(10) 외부로 반출된다.
이어서, 상기 약액조(20)에 저장된 식각액(16)은 별도의 필터(미도시)에 의해 이물등을 제거할 수 있다.
이어서, 상기 식각액(16)은 다시 식각챔버(10) 외부에 위치하는 펌프(22)의 압력작용에 의해 상기 식각챔버(10) 내부로 공급되는 과정을 반복하게 된다.
<실시 예2>
도 3은 본 발명의 실시 예2에 의한 식각장치를 나타내는 단면도 일부이다.
본 발명의 실시 예2는 마스크기판을 제외한 구성이 실시 예1과 중복됨으로 상기 마스크기판 이외의 상세한 설명은 중복을 피하기 위해 생략한다.
도 3을 참조하면, 배관부(14)의 하부와 연결되는 다수개의 노즐(15)에서 분 사된 식각액(16)이 상부 마스크기판(13a)과 하부 마스크기판(13b)으로 구성되는 마스크기판(13)에 분사된다.
이러한, 상기 마스크기판(13)은 식각액(16)에 화학적으로 견딜 수 있는 내산성 재질로 형성할 수 있는데, 바람직하게는 폴리염화비닐(PolyVinyl Chloride : PVC) 또는 테프론 재질일 수 있다.
상기 마스크기판(13)은 메쉬형태의 구조로 되어있어 균일하게 식각액(16)을 퍼지게 할 수 있다. 또한, 상기 마스크기판(13)은 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부 구조로 형성될 수도 있어서 균일하게 식각액을 퍼지게 할 수 있다.
이때, 분사된 상기 식각액(16)은 상기 마스크기판(13) 중에서 먼저, 상부에 위치하는 상부 마스크기판(13a)에 균일하게 퍼지게 된다.
이어서, 상기 상부 마스크기판(13a) 상에 일정량의 식각액(16)이 퍼지게 되면 중력에 의해 하부 마스크기판(13b) 상으로 낙하하게 된다.
이때, 상기 식각액(16)은 상기 상부 마스크기판(13a)에 의해 균일하게 수직으로 상기 하부 마스크기판(13b) 상으로 낙하함으로서, 미세거품이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
이어서, 상기 하부 마스크기판(13b) 상에 일정량의 식각액(16)이 퍼지게 되면, 중력에 의해 기판(12) 상으로 낙하하게 된다.
이때, 상기 식각액(16)은 상기 하부 마스크기판(13b)에 의해 균일하게 수직으로 상기 기판(12) 상으로 낙하함으로서, 미세거품이 발생하는 것을 더욱 방지하며 얇은 식각액(16)막을 형성한다.
이러한, 상기 상부 마스크기판(13a)과 하부 마스크기판(13b)은 서로 접촉하지 않는 다수개의 적층구조이며, 엇갈린 형태의 적층구조일 수 있다. 즉, 상기 상부 마스크기판(13a)과 하부 마스크기판(13b)은 각각의 메쉬사이의 공간 및 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부가 서로 엇갈린 형태로 대응되며 위치할 수 있다.
따라서, 식각액(16)이 마스크기판(13) 상에 퍼지지 않고 바로 통과하여 기판(12)과 직접충돌하는 현상을 방지할 수 있다.
이러한, 다수개의 적층구조의 마스크기판(13)은 하나의 마스크기판만을 구비할 경우 보다 양호하게 미세거품을 방지할 수 있으며, 균일한 식각률을 얻을 수 있다.
<실시 예3>
도 4는 본 발명의 실시 예3에 의한 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예3에 의한 식각장치의 동작을 나타내는 단면도 일부이다.
먼저, 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 식각장치는 식각챔버(10), 상기 식각챔버(10) 내부의 상측에 위치하는 배관부(14), 상기 배관부(14) 하측에 위치하는 마스크기판(13), 상기 마스크기판의 측면에 위치하며, 고정부(31)에 의해 상기 마스크기판(13)을 지지하는 리프트장치(30), 상기 마스크기판(13) 하측에 위치하며 기판(12)을 이송하는 이송수단(11)을 포함하며 구성된다.
또한, 상기 식각챔버(10) 외부에는 식각액(16)을 저장하는 약액조(20), 상기 약액조(20)에서 식각액(16)을 식각챔버(10) 내부로 공급하기 위한 펌프(22)를 포함하며 구성된다.
보다 자세하게는, 상기 배관부(14)는 식각챔버(10) 내부의 상측에 위치하며 메인배관과 다수개의 서브배관으로 구성된다. 이때, 상기 다수개의 서브배관의 하부에는 다수개의 노즐(15)이 연결되어 있어 식각액(16)을 분사할 수 있다.
다음으로, 상기 마스크기판(13)은 상기 배관부(14) 하측에 위치한다. 상기 마스크기판(13)은 식각액(16)에 화학적으로 견딜 수 있는 내산성 재질로 형성할 수 있는데, 바람직하게는 폴리염화비닐(PolyVinyl Chloride : PVC) 또는 테프론 재질일 수 있다.
이러한, 마스크기판(13)은 메쉬형태일 수 있으며, 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부 구조일 수도 있다. 따라서, 다수개의 노즐(15)에서 식각액(16)이 기판(12) 상으로 직접 분사될 경우, 기판(12) 충돌면에서 발생할 수 있는 미세거품(Micro bubble) 현상을 방지할 수 있다.
다음으로, 상기 리프트장치(30)는 상기 마스크기판(13)의 측면에 위치하며, 고정부(31)에 의해 상기 마스크기판(13)을 지지한다. 이러한, 상기 리프트장치(30)는 상하로 이동이 가능하여 필요에 따라 상기 마스크기판(13)을 상기 배관부(14)와 상기 기판(12) 사이에서 상하로 제어할 수 있다.
다음으로, 상기 이송수단(11)은 상기 마스크기판(13) 하측에 위치하며, 롤러형태로 회전한다. 따라서, 상기 기판(12)을 식각챔버(10) 내부로 반입할 수 있고, 식각챔버(10) 외부로 반출할 수 있는 장치이다.
다음으로, 상기 약액조(20)는 상기 식각챔버(10) 외부에 위치하며, 식각액 (16)을 저장하는 공간이다. 이때, 상기 약액조(20)에는 별도의 필터(미도시)가 구비되어 식각액(16)의 이물 등을 제거할 수도 있다.
다음으로, 상기 펌프(22)는 상기 식각챔버(10) 외부에 위치하며 압력을 이용하여 상기 약액조(20)에 저장된 식각액(16)을 상기 식각챔버(10) 내부로 공급한다.
이상의 본 발명의 실시 예3에 의한 식각장치의 동작은 이하의 도 5a 및 도 5b를 참조한 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 먼저, 식각될 박막(미도시)이 상부에 형성된 기판(12)이 이송수단(11)에 의해 식각챔버(10) 내부로 반입된다.
이어서, 식각챔버(10) 외부에 위치하는 약액조(20)에 저장된 식각액(16)을 압력작용을 이용한 펌프(22)에 의해 식각챔버(10) 내부로 공급한다.
이어서, 상기 식각액(16)은 배관부(14)의 메인배관을 통해 상기 메인배관에서 분기된 다수개의 서브배관으로 균일하게 공급된다.
이어서, 상기 서브배관에 공급된 식각액(16)은 상기 서브배관의 하부에 위치하는 다수개의 노즐(15)에 의해 일정압력으로 마스크기판(13) 상에 분사된다.
이때, 분사된 상기 식각액(16)은 상기 마스크기판(13)의 구조가 메쉬형태로 되어있기 때문에 균일하게 퍼지게 된다.
또한, 상기 마스크기판(13)은 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부가 형성된 구조일 수도 있어서 상기 식각액(16)을 균일하게 퍼지게 할 수 있다.
이어서, 상기 마스크기판(13) 상에 일정량의 식각액(16)이 퍼지게 되면 중력에 의 해 기판(12) 상으로 낙하하게 된다.
이때, 상기 식각액(16)은 상기 마스크기판(13)에 의해 균일성을 가지면서도 수직으로 낙하하여 미세거품이 발생하는 것을 방지하며, 기판(12)상에 얇은 식각액(16)막을 형성하게 된다.
한편, 상기 마스크기판(13)은 측면에 위치하며 고정부(31)를 구비하는 리프트장치(30)에 의해 지지된다.
이러한, 상기 리프트장치(30)에서 고정부(31)를 하측으로 이동시키면 상기 마스크기판(13)도 하측으로 이동하여, 상기 배관부(14)와는 멀어지고 상기 기판(12)과는 근접하게 된다.
따라서, 다수개의 노즐(15)에서 분사된 식각액(16)은 분사거리가 멀어져 상기 마스크기판(13) 상에 빠른 시간내에 균일하게 퍼지게 된다.
반면에, 상기 마스크기판(13)과 기판(12) 사이의 거리는 가까워진다. 때문에 상기 기판(12) 이송 시 진동에 의해 상기 기판(12) 상의 식각액(16)막과 마스크기판(13) 사이에서는 간섭으로 인한 미세거품이 발생할 수도 있다.
이와 반대로, 상기 리프트장치(30)에서 고정부(31)를 상측으로 이동 시키면 상기 마스크기판(13)도 상측으로 이동하여, 상기 배관부(14)와는 가까워지고 상기 기판(12)과는 멀어지게 된다.
따라서, 다수개의 노즐(15)에서 분사된 식각액(16)은 분사거리가 짧아져 상기 마스크기판(13) 상에 좁은 면적으로 분사되어 고르게 퍼지는데 시간이 소요된다.
반면에, 상기 마스크기판(13)과 기판(12) 사이의 거리는 멀어진다. 때문에 상기 기판(12) 이송 시 진동에 의해 상기 기판(12) 상의 식각액(16)막과 마스크기판(13) 사이에서 발생할 수 있는 간섭을 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 리프트장치(30)를 이용하여 상기 마스크기판(13)을 상하로 제어하면 균일한 식각률을 제어할 수 있다.
이어서, 상기 기판(12) 상에 형성된 식각액(16)막에 의해 식각공정이 진행된 후에는, 상기 식각액(16)은 식각챔버(10)의 하부에 모이게 되고, 이송관에 의해 상기 식각챔버(10) 외부에 위치하는 약액조(20)로 이동한다.
이어서, 상기 기판(12)은 이송수단(11)에 의해 식각챔버(10) 외부로 반출된다.
이어서, 상기 약액조(20)에 저장된 식각액(16)은 별도의 필터(미도시)에 의해 이물등을 제거할 수 있다.
이어서, 상기 식각액(16)은 다시 식각챔버(10) 외부에 위치하는 펌프(22)의 압력작용에 의해 상기 식각챔버(10) 내부로 공급되는 과정을 반복하게 된다.
<실시 예4>
도 6은 본 발명의 실시 예4에 의한 식각장치를 나타내는 단면도 일부이다.
본 발명의 실시 예4는 마스크기판을 제외한 구성이 실시 예3과 중복됨으로 상기 마스크기판 이외의 상세한 설명은 중복을 피하기 위해 생략한다.
도 6을 참조하면, 배관부(14)의 하부와 연결되는 다수개의 노즐(15)에서 분 사된 식각액(16)이 상부 마스크기판(13a)과 하부 마스크기판(13b)으로 구성되는 마스크기판(13)에 분사된다.
이러한, 상기 마스크기판(13)은 식각액(16)에 화학적으로 견딜 수 있는 내산성 재질로 형성할 수 있는데, 바람직하게는 폴리염화비닐(PolyVinyl Chloride : PVC) 또는 테프론 재질일 수 있다.
상기 마스크기판(13)은 메쉬형태로 형성되어 균일하게 식각액을 퍼지게 할 수 있다. 또한, 상기 마스크기판(13)은 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부로 형성될 수도 있어서 균일하게 식각액을 퍼지게 할 수 있다.
이때, 분사된 상기 식각액(16)은 상기 마스크기판(13) 중에서 먼저, 상부에 위치하는 상부 마스크기판(13a)에 균일하게 퍼지게 된다.
이어서, 상기 상부 마스크기판(13a) 상에 일정량의 식각액(16)이 퍼지게 되면 중력에 의해 하부 마스크기판(13b) 상으로 낙하하게 된다. 이때, 상기 식각액(16)은 상기 상부 마스크기판(13a)에 의해 균일하게 수직으로 하부 마스크기판(13b) 상으로 낙하함으로서, 미세거품이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
이어서, 상기 하부 마스크기판(13b) 상에 일정량의 식각액(16)이 퍼지게 되면, 중력에 의해 기판(12) 상으로 낙하하게 된다. 이때, 상기 식각액(16)은 상기 하부 마스크기판(13b)에 의해 균일하게 수직으로 기판(12) 상으로 낙하함으로서 미세거품이 발생하는 것을 더욱 방지하며 얇은 식각액(16)막을 형성한다.
이러한, 상기 상부 마스크기판(13a)과 하부 마스크기판(13b)은 서로 접촉하 지 않는 다수개의 적층구조이며, 엇갈린 형태의 적층구조일 수 있다. 즉, 상기 상부 마스크기판(13a)과 하부 마스크기판(13b)은 각각의 메쉬사이의 공간 및 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부가 서로 엇갈린 형태로 대응되며 위치할 수 있다.
따라서, 식각액(16)이 마스크기판(13) 상에 퍼지지 않고 바로 통과하여 기판(12)과 직접충돌하는 현상을 방지할 수 있다.
이러한, 다수개의 적층구조의 마스크기판(13)은 하나의 마스크기판만을 구비할 경우 보다 양호하게 미세거품을 방지할 수 있으며, 균일한 식각률을 얻을 수 있다.
한편, 상기 마스크기판(13)은 상기 마스크기판(13)의 측면에 위치하며 고정부(31)를 구비하는 리프트장치(30)에 의해 지지된다.
이러한, 상기 리프트장치(30)에서 고정부(31)를 하측으로 이동 시키면 상기 마스크기판(13)도 하측으로 이동하여, 상기 배관부(14)와는 멀어지고 상기 기판(12)과는 근접하게 된다.
따라서, 다수개의 노즐(15)에서 분사된 식각액(16)은 분사거리가 멀어져 상기 마스크기판(13) 상에 빠른 시간 내에 균일하게 퍼지게 된다.
반면에, 상기 마스크기판(13)과 기판(12) 사이의 거리는 가까워진다. 때문에 상기 기판(12) 이송 시 진동에 의해 상기 기판(12) 상의 식각액(16)막과 마스크기판(13) 사이에서는 간섭으로 인한 미세거품이 발생할 수도 있다.
이와 반대로, 상기 리프트장치(30)에서 고정부(31)를 상측으로 이동 시키면 상기 마스크기판(13)도 상측으로 이동하여, 상기 배관부(14)와는 가까워지고 상기 기판(12)과는 멀어지게 된다.
따라서, 다수개의 노즐(15)에서 분사된 식각액(16)은 분사거리가 짧아져 상기 마스크기판(13) 상에 좁은 면적이 분사되어 고르게 퍼지는데 시간이 소요된다.
반면에, 상기 마스크기판(13)과 기판(12) 사이의 거리는 멀어진다. 때문에 상기 기판(12) 이송 시 진동에 의해 상기 기판(12) 상의 식각액(16)막과 마스크기판(13) 사이에서 발생할 수 있는 간섭을 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 리프트장치(30)를 이용하여 상기 마스크기판(13)을 상하로 제어하면 균일한 식각률을 제어할 수 있다.
이상의 실시 예를 참조한 본 발명의 상세한 설명에 개시된 식각장치는 스프레이 방식을 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 습식식각 방식 중 스프레이 방식과 딥 방식이 혼합된 복합방식에서도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 상기 식각장치는 평판표시장치를 포함하는 박막의 식각공정 전반에 걸쳐 적용될 수 있는데, 이하에서는 일 예로 박막트랜지스터를 포함하는 유기 전계 발광표시장치를 중심으로 설명하였다.
도 7은 유기 전계 발광표시장치를 나타내는 단면도 일부이다.
도 7를 참조하면, 기판(12)이 위치하는데, 상기 기판(12)은 유리 또는 플라스틱 등일 수 있다.
이어서, 상기 기판(12) 상에는 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(12)에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 이후에 형성될 반도체층(110) 결정화 시 열의 전달 속도를 조절함으로써, 비정질 실리콘층 의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역할을 한다.
이어서, 상기 버퍼막 상에는 비정질 실리콘층을 형성한다. 상기 비정질 실리콘층은 스퍼터링 장치와 같은 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 장치와 같은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 비정질 실리콘층을 형성할 때, 또는 형성한 후에 탈수소 처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다.
이어서, 상기 비정질 실리콘층은 결정화하여 다결정 실리콘층으로 형성한다. 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법에는 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) MILC(Metal Induced Later Crystallization) 또는 SGS(Super Grained Silicon) 등을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 다결정 실리콘층을 식각공정을 포함하는 패터닝공정을 진행하여 일정 패턴의 반도체층(110)을 형성한다.
이어서, 상기 반도체층(110)이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막(120)을 형성하여 하부에 형성된 소자들을 보호하고, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 형성될 소자들과 전기적으로 절연시킨다.
이어서, 상기 게이트 절연막(120) 상에는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy) 중 어느 하나로 게이트 메탈층을 증착한다.
이어서, 상기 게이트 메탈층을 식각공정을 포함하는 패터닝공정을 진행하여 반도체층(110)의 일정영역에 대응되는 게이트 전극(130)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트 전극(130)을 마스크로 사용하여 N형 또는 P형 불순물 중 어느 하나를 주입하는 공정을 진행하여 상기 반도체층(110)에 소스/드레인(110a, 110b) 영역 및 채널영역(110c)을 형성한다. 이때, 상기 반도체층(110)이 소스/드레인 영역(110a, 110b)과 채널 영역(110c)으로 나누어지는 것은 상기 불순물 주입 공정에 의해 불순물이 주입된 영역은 소스/드레인 영역(110a, 110b)으로 정의되고, 상기 게이트 전극(130)에 의해 불순물이 주입되지 못하는 영역은 박막트랜지스터 구동 시 채널이 형성되는 채널영역(110c)으로 정의되기 때문이다.
이어서, 상기 기판 전면에는 층간 절연막(140)을 형성하는데, 상기 층간 절연막(140)은 하부에 형성된 소자들을 보호하며, 상기 층간 절연막(140) 상부에 형성될 소자들과 전기적으로 절연시킨다.
이때, 상기 버퍼막, 상기 게이트 절연막(120) 및 상기 층간 절연막(140)은 SiO2 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 이들로 구성된 복수의 층으로도 이루어질 수 있다.
이어서, 상기 층간 절연막(140)과 게이트 절연막(120)을 관통하여 반도체층(110)의 소스/드레인 영역(110a, 110b) 일부가 노출되도록 콘택 홀을 각각 식각하여 형성한다.
이어서, 상기 층간 절연막(140) 상에 상기 콘택 홀을 통하여 반도체층(110) 의 소스/드레인 영역(110a, 110b)과 연결되는 일정패턴의 소스/드레인 전극(150a, 150b)을 식각공정을 포함하는 패터닝공정을 진행하여 형성한다.
상기 소스/드레인 전극(150a, 150b)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
이어서, 상기 기판 전면에 보호막(160)을 형성하는데, 상기 보호막(160)은 SiO2 또는 SiNx와 이들의 복수 층으로 이루어질 수 있다.
이어서, 상기 보호막(160) 상에는 평탄화막(170)을 형성할 수 있는데, 상기 평탄화막(170)은 유기막으로 형성될 수 있으며, 상기 기판상의 단차를 완화하기 아크릴, BCB(benzocyclobutene) 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.
이어서, 상기 보호막(160) 및 평탄화막(170)의 일정영역을 식각하여 상기 소스/드레인 전극(150a, 150b) 중 어느 하나를 노출시키는 비아 홀를 형성한다.
이어서, 상기 평탄화막(170) 상에 화소전극(180)을 형성한다. 상기 화소전극(180)은 상기 비아홀을 통해 노출된 소스/드레인 전극(150a, 150b) 중 어느 하나와 연결된다.
상기 화소 전극(180)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명전극으로 형성하여 배면방향으로 발광할 수 있으며, 상기 화소 전극(180)의 하부에 빛을 반사시키는 반사막(미도시)을 포함하여 전면방향으로 발광할 수도 있다.
상기 반사막은 Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 어느 하나로 이루어지며 상기 화소 전극(180)과는 하부에 적층된 구조이다.
이어서, 상기 기판 전면에 상기 화소 전극(180)의 일정 영역을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소 정의막(190)을 형성한다. 상기 화소 정의막(190)은 BCB (benzocyclobutene), 아크릴계 고분자 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질일 수 있다.
이어서, 상기 개구부로 노출된 화소 전극(180) 상에는 유기 발광층(미도시)을 포함하는 유기막층(200)을 형성하고, 상기 기판 상부 전면에 대향 전극(210)을 형성하여 유기 전계 발광표시장치를 구현한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예1에 의한 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시 예1에 의한 식각장치의 동작을 나타내는 모식도 및 단면도 일부이다.
도 3은 본 발명의 실시 예2에 의한 식각장치를 나타내는 단면도 일부이다.
도 4는 본 발명의 실시 예3에 의한 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예3에 의한 식각장치의 동작을 나타내는 단면도 일부이다.
도 6은 본 발명의 실시 예4에 의한 식각장치를 나타내는 단면도 일부이다.
도 7은 유기 전계 발광표시장치를 나타내는 단면도 일부이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 식각챔버 11: 이송수단
12: 기판 13: 마스크기판
14: 배관부 15: 노즐
16: 식각액 20: 약액조
22: 펌프 110: 반도체층
110a, 110b: 소스/드레인 영역 110c: 채널영역
120: 게이트 절연막 130: 게이트 전극
140: 층간 절연막 150a, 150b: 소스/드레인 전극
160: 보호막 170: 평탄화막
180: 화소전극 190: 화소정의막
200: 유기막층 210: 대향전극

Claims (17)

  1. 식각챔버를 구비하는 식각장치에 있어서,
    상기 식각챔버 내부 상측에 위치하며, 식각액을 분사하는 다수개의 노즐을 구비하는 배관부;
    상기 배관부 하측에 위치하는 마스크기판; 및
    상기 마스크기판 하측에 위치하며, 기판을 이송하는 이송수단을 포함하고,
    상기 식각장치는 스프레이 방식인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크기판은 메쉬형태(mesh type)인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마스크기판은 다수개의 홀 또는 슬릿을 구비하는 형태인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마스크기판은 내산성 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 마스크기판은 폴리염화비닐(PVC) 또는 테프론 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 마스크기판은 서로 접촉하지 않는 다수개의 적층구조인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  7. 식각챔버를 구비하는 식각장치에 있어서,
    상기 식각챔버 내부 상측에 위치하며, 식각액을 분사하는 다수개의 노즐을 구비하는 배관부;
    상기 배관부 하측에 위치하는 마스크기판;
    상기 마스크기판의 측면에 위치하며, 고정부에 의해 상기 마스크기판을 지지하는 리프트장치; 및
    상기 마스크기판 하측에 위치하며, 기판을 이송하는 이송수단을 포함하고,
    상기 식각장치는 스프레이 방식인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 마스크기판은 메쉬형태(mesh type)인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 마스크기판은 다수개의 홀 또는 슬릿을 구비하는 형태인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 마스크기판은 내산성 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 마스크기판은 폴리염화비닐(PVC) 또는 테프론 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 마스크기판은 서로 접촉하지 않는 다수개의 적층구조인 것을 특징으로 하는 식각장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 리프트장치는 상기 마스크기판을 상하이동시키는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  14. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 마스크기판을 통하여 낙하되는 식각액은 상기 기판 상에 기판상에 수직 낙하하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  15. 제6항 또는 제12항에 있어서,
    상기 적층구조의 마스크기판들은 메쉬형태(mesh type)의 구조이고,
    상기 마스크기판들의 메쉬사이의 공간은 서로 엇갈린 형태로 대응되며 위치하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  16. 제6항 또는 제12항에 있어서,
    상기 적층구조의 마스크기판들은 다수개의 홀 또는 슬릿 형태의 개구부 구조이고,
    상기 마스크기판들의 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 개구부는 서로 엇갈린 형태로 대응되며 위치하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 마스크기판을 상하이동시키는 것은 상기 배관부와 상기 마스크기판의 간격을 조절하거나, 상기 마스크기판과 상기 기판과의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202006018111U1 (de) * 2006-07-25 2007-02-08 Lang, Marcus Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
KR101091475B1 (ko) * 2009-06-30 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
DE102009051847A1 (de) * 2009-10-29 2011-05-19 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Substratoberlfäche eines Substrats
CN102256447B (zh) * 2010-05-20 2013-08-07 富葵精密组件(深圳)有限公司 蚀刻装置及蚀刻电路板的方法
US9318358B2 (en) * 2011-04-28 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Etching device and a method for etching a material of a workpiece
US10269557B2 (en) 2015-10-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus of processing semiconductor substrate
CN107306478A (zh) * 2016-04-18 2017-10-31 盟立自动化股份有限公司 湿式蚀刻装置
CN107316825A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 盟立自动化股份有限公司 湿式蚀刻装置
JP6536830B2 (ja) * 2016-08-30 2019-07-03 株式会社Ｎｓｃ スプレイエッチング装置
KR102042652B1 (ko) * 2017-02-06 2019-11-08 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 3차원 표면 구조를 가지는 태양전지의 보호막 형성방법
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
CN110634773B (zh) * 2019-08-29 2022-04-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质
CN116744567B (zh) * 2023-06-21 2023-12-29 乐清市力诺机车部件有限公司 一种电动车开关集成电路板制备机及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001015454A (ja) 1999-06-28 2001-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ装置
JP2004211112A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Canon Inc 基体処理装置
KR20050015448A (ko) * 2003-08-06 2005-02-21 삼성전자주식회사 습식식각장치
JP2005150512A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 薬液処理装置及び薬液処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6166938A (ja) * 1984-09-10 1986-04-05 Bridgestone Corp 押付け力測定方法
JPS6166938U (ko) 1984-10-09 1986-05-08
JPS61104543A (ja) * 1984-10-26 1986-05-22 Denki Onkyo Co Ltd 偏向ヨ−ク
JPH0539579A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Mitsubishi Electric Corp 無電解めつき装置
JPH06177093A (ja) 1992-12-07 1994-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JP3595606B2 (ja) 1995-04-25 2004-12-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板表面処理装置
KR100580873B1 (ko) 1999-06-17 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각장치
JP4130352B2 (ja) * 2002-03-29 2008-08-06 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 ベース一体型の金属セラミックス接合部材の湿式処理方法、および当該湿式処理方法により製造されたパワーモジュール用部材並びにパワーモジュール
JP2005232494A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Tokyo Kakoki Kk 基板材の表面処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001015454A (ja) 1999-06-28 2001-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ装置
JP2004211112A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Canon Inc 基体処理装置
KR20050015448A (ko) * 2003-08-06 2005-02-21 삼성전자주식회사 습식식각장치
JP2005150512A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 薬液処理装置及び薬液処理方法

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