WO2008011870A1 - Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen Download PDF

Info

Publication number
WO2008011870A1
WO2008011870A1 PCT/DE2007/001306 DE2007001306W WO2008011870A1 WO 2008011870 A1 WO2008011870 A1 WO 2008011870A1 DE 2007001306 W DE2007001306 W DE 2007001306W WO 2008011870 A1 WO2008011870 A1 WO 2008011870A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
treatment liquid
spray jet
nozzle
treatment
interrupting means
Prior art date
Application number
PCT/DE2007/001306
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Marcus Lang
Original Assignee
Lp Vermarktungs Gmbh & Co.Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102006059046A external-priority patent/DE102006059046B4/de
Application filed by Lp Vermarktungs Gmbh & Co.Kg filed Critical Lp Vermarktungs Gmbh & Co.Kg
Priority to US12/374,889 priority Critical patent/US20090179006A1/en
Priority to JP2009521103A priority patent/JP5284957B2/ja
Priority to CN2007800312571A priority patent/CN101573474B/zh
Priority to KR1020097003813A priority patent/KR101096326B1/ko
Priority to GB0901297A priority patent/GB2453482B/en
Publication of WO2008011870A1 publication Critical patent/WO2008011870A1/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/068Apparatus for etching printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/0746Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1492Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1509Horizontally held PCB

Definitions

  • the invention relates to the wet-chemical treatment of the surface of goods by means of sprayed or sprayed treatment liquid.
  • the equipment required for this purpose may be immersion bath systems or continuous flow systems. From stationary, moving or oscillating nozzles or nozzle sticks, the treatment liquid flows against the surface of the material to be treated. It is the goal that with the smallest possible treatment time a precise treatment result is achieved. This is a contradiction in the practice of surface treatment. With increasing treatment intensity, ie shorter treatment time, the precision of the result decreases.
  • Typical application examples for surface treatment exist in printed circuit board technology. There are several processes in which the invention can be used to advantage. By way of example cleaning or rinsing, film or resist development, copper etching, film or resist stripping and metal resist etching are mentioned.
  • the document DE 31 04 522 A1 describes an inhibitor which is added to the etching solution.
  • the inhibitor forms a protective skin as a flank protection on the ⁇ tzflanken of the structures, whereby the lateral ⁇ tzangriff should be reduced.
  • This method requires individual inhibitors for the respective processes, which is contrary to a general distribution.
  • Another method for etching layers of different thicknesses on the two sides of a flat carrier article describes the document DE 199 08 960 C2.
  • the individual treatment time on each side of the Carrier object is set in proportion to the thickness of the layer to be etched. This is done by time interruptions of the treatment when a smaller time compared to the longest required treatment time is needed. For the maximum layer thickness to be processed, the duration of the interruptions can be zero.
  • a method for reducing the edge attack during etching describes the document DE 101 54 886 A1.
  • the metal removal takes place in two process steps. First, the metal is electrolytically removed by applying a pulsed electric field. This etching preferably takes place in the depth of the etching channel. The flanks are less attacked. For the complete electrolytic etching of the channels, the electrical connection of individual structures is lost when a certain depth of the etch channels is reached. Therefore, the areas at the bottom of the etch channels must be chemically etched in a further process, which requires additional technical effort.
  • the object of the invention is to propose a method and a device which enable wet-chemical processes for the precise treatment of structures on surfaces with simultaneously small treatment time.
  • FIG. 1 schematically shows the basic principle for the accelerated wet-chemical treatment of surfaces. - A -
  • Figure 2 a shows a detail of a first embodiment with a rotating
  • FIG. 2 b shows the interruption means of FIG. 2 a in detail.
  • FIG. 3 shows a further exemplary embodiment in two views with a rotating cylinder as interrupting means.
  • FIG. 4 shows the development of the rotating cylinder of FIG. 3 in two
  • Figure 5 shows an embodiment of the invention with a vibrating interrupting means in two positions thereof.
  • Figure 1 flows from an opening or nozzle 1, a jet 2 of the treatment liquid, which chops from a moving and provided with openings interruption means 3, that is interrupted regularly recurring.
  • the cyclically interrupted jet passes as active ray 4 hydrodynamically pulsating to the surface 5 of the material 6 to be treated.
  • This liquid is referred to below as the active liquid 8.
  • the unused treatment liquid arising in the pauses between pauses at the interruption means 3 should be referred to as dummy liquid 9.
  • This blind liquid 9 is largely kept away from the interrupting means 3 by the surface 5 of the material 6 to be treated. This reduces adhering treatment liquid on the surface 5 of the material 6.
  • the dynamic influence of the interrupted and pulsating active jet 4 in the chemical treatment is substantially increased.
  • this active jet 4 namely a constant impact and penetration of the wetted with treatment liquid surface 5 is achieved on the surface to be treated 5 of the product.
  • This impact decisively promotes the actual wet chemical process by reducing the thickness of the diffusion layer.
  • This hydrodynamic support is helpful for all of the above processes, including rinsing processes.
  • the impact effect makes it possible to almost halve the treatment time.
  • a significant advantage is that the precision in a structure treatment is not adversely affected. This is very surprising because previous methods for accelerating the wet-chemical processes adversely affect the quality of the treatment results.
  • the cyclic interruption of the treatment beams is carried out at a frequency which is at least 0.5 Hz, preferably 10 Hz to 100 Hz or greater.
  • the pulse / pause ratio is 10: 1 to 1:10, preferably 2: 1 to 1: 2.
  • the drive of the interruption means electromotive, electromagnetically, pneumatically, hydraulically or by other Aktorbetuschistsmittel done.
  • the invention can be combined in combination with other known measures for improving the wet-chemical treatment result, for example with inhibitors in the treatment liquid.
  • the treatment liquid remaining in the etching channel is depressurized and the active ray 4 penetrates the thinner diffusion layer at a greater depth.
  • the so-called HDI technique the required etching depth of the etching channels reaches the width of the conductor tracks. This represents a major challenge for all processes of printed circuit board technology.
  • the pulsating treatment of the deep structural channels largely avoids the otherwise usual pressure build-up of the treatment liquid. As a result, the flanks of the structures are processed much less wet-chemically than the reason of the structural channels.
  • the distance of the nozzles 1 to the surface 5 of the material 6 was in the etching tests with printed circuit boards 100 mm. At a pressure of 3 bar was the Flow rate of treatment liquid through each of the 30 ° cone nozzles 1.6 liters per minute.
  • FIG. 2 a partially shows a tubular spray lance 10 which is equipped with at least 5 of a series of nozzles 1.
  • nozzles In place of the nozzles, only holes with e.g. 0.5 mm to 3 mm diameter as nozzle openings.
  • the treatment liquid flows through the inlet 7 under pressure into the nozzle 10 and from the nozzles 1 distributed under pressure again from.
  • the pressure can vary within a wide range. Depending on the process, the structural dimensions and the positioning at the bottom or top of the goods to be transported, it can be 1, 1 to 100 bar.
  • In front of the nozzles 1 there is a rotatably mounted interrupting means as perforated or slotted perforated disk 11.
  • the perforated disk 11 is provided with erected drivers 12, against which a part of the jet 2 of the treatment liquid 5 is directed. As a result, the perforated disc is set in rotation.
  • the perforated disc 11 chops the jet 2, so that the treatment liquid reaches the surface 5 of the material 6 in the form of a pulse in the form of an effective jet 4.
  • Shown is a perforated disc 11 for each two nozzles 1.
  • the two nozzles 1 are according to the direction of rotation of the perforated disc 11 different 0 inclined arranged on the nozzle 10 so that both contribute to drive the perforated disc.
  • openings 13 as holes or slots. Details of the perforated disc 11, the figure 2 b in two views.
  • the interruption means may also be provided as a perforated or slotted strip axially in front of the nozzles or holes over the entire length of a nozzle
  • the strip is moved in the axial direction cyclically to interrupt the beam 2.
  • the nozzle sticks 10 may be e.g. in a continuous system with horizontal or vertical transport of the goods 6 stationary at a distance of e.g. 100 mm are arranged in the transport direction. You can, however, also move
  • FIG. 3 shows in detail a further nozzle assembly 10 with nozzle holes 14, which, however, could also be equipped with nozzles.
  • a cylinder 15 is rotatably mounted, which is provided with slots 16 or holes. The holes in the cylinder 15 are arranged on the circumference congruent to the holes in the nozzle 10.
  • the slots 16 or holes are provided on both sides within the cylinder 15 with a collar 17.
  • These collars 17 serve as a contact surface for the slightly obliquely directed beams 2, whereby the cylinder is set in rotation.
  • the collars 17 very advantageously catch the treatment liquid, which should not reach the surface 5 of the material 6 during the pauses in the pulse. It would disadvantageously increase the wetting of the surface of the material there.
  • the treatment liquid is discharged laterally out of the cylinder. By slight inclination of the nozzle 10 and the cylinder 15, the lateral flow of this treatment liquid can be accelerated. Thus, this treatment liquid does not reach the surface of the material. As a result, the wetting of the surface to be treated is minimized, which enhances the impact described.
  • This device is particularly advantageous for wet-chemical treatment of the top of Good, if this is transported horizontally through a continuous system. Unnecessary treatment liquid is kept away from the top of the product.
  • the cylinder can be stored at the ends of the nozzle.
  • each can serve a roller bearing 18 which is chemically resistant in the treatment liquid used in each case. Suitable are eg ball bearings made of plastic or ceramic.
  • the cylindrical interrupting means as well as other interrupting means can be set in motion by an electric, pneumatic or hydrodynamic drive.
  • the speed is independent of the physical properties of the beams 2.
  • the active jet at high pressure of the inlet 7 is in a rapid sequence of highly accelerated Drop the treatment liquid over. This is particularly effective for the wet chemical process.
  • engines are suitable because of the harsh atmosphere especially air-cooled engines or appropriately protected electric motors.
  • Electrical and electronic control means of the wet chemical plant adjust the process parameters depending on the required treatment of the material, including the choice of the interruption frequency and the pulse / pause ratio of the active ray 4th
  • FIG. 4 shows the development of the cylinder 15 in two views.
  • webs 19 can be arranged between nozzle positions such that the beams 2 are not obstructed.
  • an elastic material may be inserted as damper 20 on the bottom. This damper 20 reduces uncontrolled spraying of the treatment liquid upon impact with the inner wall of the cylinder. This simultaneously accelerates the lateral outflow of the treatment liquid from the cylinder 15.
  • FIGS. 5a and 5b show a nozzle 1 with an interrupting means 3 as a vibrating plate 21. This elastic constructional element is clamped in a fixed point 23. It is arranged in front of the nozzle 1 that the jet 2 hits the upper end of the plate 21.
  • the beam is deflected.
  • the plate is bent in the beam direction, whereby a passage 22 in the plate 21 passes in the beam direction.
  • FIG. 5 b This situation is shown in FIG. 5 b.
  • the passage 22 releases the way to the surface of the goods 6.
  • the material is suddenly reached by the treatment liquid as active ray.
  • the dynamic pressure on the plate 21 is lost. It is thus abruptly back to the starting position, as shown in Figure 5 a.
  • the jet 2 of the treatment liquid is deflected as a blind jet and collected by a collecting channel 24.
  • the gutter 24 directs the treatment liquid, which should not reach the surface of the material laterally and transversely to the nozzle.
  • this embodiment of the invention is also suitable for the treatment of goods on both sides horizontal transport of the same.
  • the elastic properties and dimensions of the platelet as well as the hydrodynamic conditions of the treatment liquid determine the optimum frequency of the pulse-shaped wet-chemical treatment.
  • This interruption means is mutatis mutandis with correspondingly small dimensions for installation in the nozzle itself.
  • these special nozzles are also suitable for placement on the top of the horizontally transported goods.
  • an additional suction device is provided for sucking off the treatment liquid which is reflected by the surface 5 of the material 6 during the jet application. This prevents a build-up of liquid on the surface of the material and avoids unnecessary residues of fluid, so that undercutting can be even better prevented.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft das nasschemische Behandeln der Oberflächen (5) von Gut (6). Sie eignet sich insbesondere zur beschleunigten Behandlung von Strukturen, wie sie z.B. bei der Leiterplattentechnik vorkommen. Hierzu werden pulsförmige Strahlen (4) der Behandlungsflüssigkeit erzeugt und gegen die Oberfläche des Gutes gerichtet. Dies verursacht eine verstärkte Schlagwirkung am Boden der zu bearbeitenden Strukturen, wodurch die erforderliche Behandlungszeit wesentlich verringert wird. Durch das drucklose und beschleunigte Abfließen der Behandlungsflüssigkeit aus den Strukturkanälen in den Pulspausen werden die Flanken der Strukturen oder Leiterbahnen im Vergleich zum Stand der Technik weniger nasschemisch bearbeitet, was ein weiteres Ziel der Erfindung ist. So erfolgt z.B. beim chemischen Ätzen bei gegebener Behandlungszeit ein geringeres Unterätzen, oder bei gleichem Unterätzen kann die Behandlungszeit wesentlich verringert werden.

Description

Verfahren und Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen Beschreibung
Die Erfindung betrifft die nasschemische Behandlung der Oberfläche von Gut mittels gesprühter oder gespritzter Behandlungsflüssigkeit. Bei den hierzu erforderlichen Anlagen kann es sich um Tauchbadanlagen oder um Durchlaufanlagen handeln. Aus ruhenden, bewegten oder oszillierenden Düsen oder Düsenstöcken strömt die Behandlungsflüssigkeit gegen die Oberfläche des zu behandelnden Gutes. Dabei ist es das Ziel, dass bei möglichst kleiner Behandlungszeit ein präzises Behandlungsergebnis erzielt wird. Dies ist in der Praxis der Oberflächenbehandlung ein Widerspruch. Mit zunehmender Behandlungsintensität, d.h. kürzerer Behandlungszeit, nimmt die Präzision des Ergebnisses ab. Typische Anwendungsbeispiele zur Oberflächenbehandlung bestehen in der Leiterplattentechnik. Hier gibt es mehrere Prozesse, bei denen die Erfindung vorteilhaft angewendet werden kann. Als Beispiel sollen das Reinigen oder Spülen, Film- oder Resistentwickeln, Kupferätzen, Film- oder Resiststrippen und das Metallresistätzen genannt werden. Diese Verfahren erfolgen in der Regel durch Besprühen oder Bespritzen des Gutes. Dabei erfolgt der erforderliche Stoffaustausch in der Diffusionsschicht an der zu behandelnden Oberfläche. Mit zunehmendem Spritzdruck kann dieser Stoffaustausch beschleunigt werden, was die Behandlungszeit verringert. Allerdings treten dabei unerwünschte Nebeneffekte auf, die die Präzision des Behandlungsergebnisses negativ beeinflussen. Als Beispiel sei hier das Ätzen von allgemeinen Strukturen auf einem Gut, oder des Leiterbildes von Leiterplatten genannt. Die nicht zu ätzenden Bereiche sind mit einem Film oder Resist abgedeckt. Dieser Resist ist beständig gegen die Ätzflüssigkeit. Beim Sprüh- oder Spritzätzen aus Düsen oder Düsenstöcken werden nicht nur die freien Stellen des Ätzkanales zwischen den mit Resist abgedeckten Bereichen geätzt, sondern auch die Flanken des Ätzkanales. Dies bewirkt ein so genanntes Unterätzen der Resistschicht, das nur sehr begrenzt zulässig ist. Das Behandlungsergebnis der verbleibenden Strukturen bzw. Leiterzüge ist in Folge des Unterätzens letztendlich unvorhersehbar bezüglich ihrer Abmessungen und der Form der Strukturquerschnitte. Insbesondere in der Feinleitertechnik ist eine zunehmend größere und reproduzierbare Präzision der Behandlungsergebnisse erforderlich. Aus gleichen Gründen ist auch bei den anderen genannten Prozessen eine unvorhersehbare Flankenbearbeitung der Strukturen unzulässig. Im Allgemeinen wird zur Erzielung der erforderlichen Präzision der Behandlung die Behandlungszeit verringert, was jedoch aus wirtschaftlichen Gründen unerwünscht ist.
Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Lösung der genannten Probleme bei der Behandlung von Oberflächen ist in der Druckschrift DE 195 24 523 A1 beschrieben. In speziellen Düsen wird unter hohem Druck ein mit Kavitationsblasen behafteter Flüssigkeitsstrahl erzeugt. Der Strahl führt den erforderlichen unverbrauchten Stoff zur Diffusionsschicht an der Oberfläche des Gutes. Dort implodieren die Kavitationsblasen und bewirken den Stoffaustausch. Dieses Verfahren ist für die oben genannten Anwendungen und besonders für die Leiterplattentechnik geeignet. Der technische Aufwand, der für die Hochdruckaggregate erforderlich ist, ist jedoch sehr hoch.
Zum nasschemischen Ätzen von Strukturen beschreibt die Druckschrift DE 31 04 522 A1 einen Inhibitor, der der Ätzlösung zugesetzt wird. Der Inhibitor bildet eine schützende Haut als Flankenschutz an den Ätzflanken der Strukturen, wodurch der seitliche Ätzangriff verringert werden soll. Dieses Verfahren erfordert für die jeweiligen Prozesse individuelle Inhibitoren, was einer allgemeinen Verbreitung entgegensteht.
Ein weiteres Verfahren zum Ätzen von unterschiedlich dicken Schichten auf den beiden Seiten eines flachen Trägergegenstandes beschreibt die Druckschrift DE 199 08 960 C2. Hier wird die individuelle Behandlungszeit an jeder Seite des Trägergegenstandes proportional zur Dicke der zu ätzenden Schicht eingestellt. Dies geschieht durch zeitliche Unterbrechungen der Behandlung, wenn eine kleinere Zeit im Vergleich zur längsten erforderlichen Behandlungszeit nötig ist. Für die maximal zu bearbeitende Schichtdicke kann die Dauer der Unterbrechungen Null sein.
In DE 199 08 960 C2 wird in Absatz [0021] darauf hingewiesen, dass bei jeder Unterbrechung des Ätzvorganges durch die anhaftende Ätzlösung ein zeitlich begrenztes Nachätzen erfolgt. Unterbrechungszeiten, die kleiner sind als dieses Nachätzen, sind für die genannte Anwendung nicht sinnvoll. Die Verringerung der Ätzzeiten zur Anpassung an die dünnere zu ätzende Schichtdicke kann unter Beachtung der Nachätzzeit auch periodisch erfolgen.
Ein Verfahren zur Verringerung des Flankenangriffs beim Ätzen beschreibt die Druckschrift DE 101 54 886 A1. Der Metallabtrag erfolgt in zwei Verfahrensschritten. Zunächst wird das Metall unter Anlegen eines gepulsten elektrischen Feldes elektrolytisch abgetragen. Dieses Ätzen erfolgt bevorzugt in die Tiefe des Ätzkanales. Die Flanken werden weniger angegriffen. Für das vollständige elektrolytische Ätzen der Kanäle geht bei Erreichen einer bestimmten Tiefe der Ätzkanäle die elektrische Verbindung einzelner Strukturen verloren. Deshalb müssen die Bereiche am Boden der Ätzkanäle chemisch in einem weiteren Prozeß nachgeätzt werden, was einen zusätzlichen technischen Aufwand erfordert.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung vorzuschlagen, die nasschemische Prozesse zur präzisen Behandlung von Strukturen an Ober- flächen bei gleichzeitig kleiner Behandlungszeit ermöglichen.
Gelöst wird die Aufgabe durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch die Vorrichtung gemäß Patentanspruch 15. Vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Die Erfindung wird an Hand der Beispiele in den Figuren 1 bis 5 detailliert beschrieben.
Figur 1 zeigt schematisch das grundsätzliche Prinzip zur beschleunigten nasschemischen Behandlung von Oberflächen. - A -
Figur 2 a zeigt im Ausschnitt eine erste Ausführung mit einem rotierenden
Unterbrechungsmittel als Scheibe vor den Düsen. Figur 2 b zeigt das Unterbrechungsmittel der Figur 2 a im Detail. Figur 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel in zwei Ansichten mit einem rotierenden Zylinder als Unterbrechungsmittel.
Figur 4 zeigt die Abwicklung des rotierenden Zylinders der Figur 3 in zwei
Ansichten.
Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem vibrierenden Unterbrechungsmittel in zwei Positionen desselben.
In Figur 1 strömt aus einer Öffnung oder Düse 1 ein Strahl 2 der Behandlungsflüssigkeit, der von einem bewegten und mit Durchbrüchen versehenen Unterbrechungsmittel 3 zerhackt, d.h. regelmäßig wiederkehrend unterbrochen wird. Der zyklisch unterbrochene Strahl gelangt als Wirkstrahl 4 hydrodynamisch pulsierend an die zu behandelnde Oberfläche 5 des Gutes 6. Diese Flüssigkeit wird nachfolgend Wirkflüssigkeit 8 genannt. Die in den Pulspausen am Unterbrechungsmittel 3 anfallende und nicht genutzte Behandlungsflüssigkeit soll als Blindflüssigkeit 9 bezeichnet werden. Diese Blindflüssigkeit 9 wird vom Unterbrechungsmittel 3 weitgehend von der Oberfläche 5 des zu behandelnden Gutes 6 fern gehalten. Dies verringert anhaftende Behandlungsflüssigkeit an der Oberfläche 5 des Gutes 6. Dadurch wird der dynamische Einfluß des unterbrochenen und pulsierenden Wirkstrahles 4 bei der chemischen Behandlung wesentlich erhöht. Durch diesen Wirkstrahl 4 wird nämlich an der zu behandelnden Oberfläche 5 des Gutes 6 ein ständiges Einschlagen und Durchschlagen der mit Behandlungsflüssigkeit benetzten Oberfläche 5 erreicht. Diese Schlagwirkung fördert ganz entscheidend den eigentlichen nasschemischen Prozess durch die Verringerung der Dicke der Diffusionsschicht. Diese hydrodynamische Unterstützung ist für alle oben genannten Prozesse einschließlich der Spülprozesse hilfreich. Durch die Schlagwirkung ist es möglich, die Behandlungszeit nahezu zu halbieren. Dabei liegt ein wesentlicher Vorteil darin, dass die Präzision bei einer Strukturbehandlung nicht nachteilig beeinflußt wird. Dies ist sehr überraschend, weil sich bisherige Verfahren zur Beschleunigung der nasschemischen Prozesse nachteilig auf die Qualität der Behandlungsergebnisse auswirken. Die zyklische Unterbrechung der Behandlungsstrahlen erfolgt mit einer Frequenz, die mindestens 0,5 Hz beträgt, bevorzugt 10 Hz bis 100 Hz oder größer. Das Puls/Pause Verhältnis beträgt 10:1 bis 1 :10, bevorzugt 2:1 bis 1 :2. Hierzu kann der Antrieb des Unterbrechungsmittels elektromotorisch, elektromagnetisch, pneumatisch, hydraulisch oder durch andere Aktorbetätigungsmittel erfolgen. Die Erfindung kann in Kombination mit anderen bekannten Maßnahmen zur Verbesserung des nasschemischen Behandlungsergebnisses kombiniert werden, z.B. mit Inhibitoren in der Behandlungsflüssigkeit.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wurde z.B. beim Ätzen von Feinleitern auf Leiterplatten trotz Verringerung der bisher üblichen Behandlungszeit um 33% kein stärkeres Unterätzen des Resistes festgestellt, als dies beim Stand der Technik der Fall ist. Die Flanken in den Ätzkanälen blieben auch bei dem intensiveren Ätzen beim Einsatz des erfindungsgemäßen Verfahrens und der Vorrichtung stehen. Als Ursache hierfür wird vermutet, dass die Schlagwirkung am Boden des Ätzkanales im Gegensatz zur Wirkung an den Flanken der Strukturen sehr viel größer ist. Ferner ist anzunehmen, dass durch das pulsartige Ätzen in den Pulspausen einerseits die Behandlungsflüssigkeit nicht zur Oberfläche des Gutes strömt und andererseits die Behandlungsflüssigkeit aus den Ätzkanälen ungehindert abfließen kann. Beim darauf folgenden Ätzpuls ist die im Ätzkanal verbliebene Behandlungsflüssigkeit drucklos und der Wirkstrahl 4 durchdringt die dünnere Diffusionsschicht in einer größeren Tiefe. Besonders bei der Feinleitertechnik, der so genannten HDI Technik, erreicht die erforderliche Ätztiefe der Ätzkanäle die Breite der Leiterzüge. Dies stellt für alle Prozesse der Leiterplattentechnik eine große Herausforderung dar. Durch das pulsierende Behandeln der tiefen Strukturkanäle wird der sonst übliche seitliche Druckaufbau der Behandlungsflüssigkeit weitgehend vermieden. Dadurch werden die Flanken der Strukturen deutlich weniger nasschemisch bearbeitet als der Grund der Strukturkanäle. Damit ist es mit dem erfindungsgemäßen Verfahren möglich, bei gegebener Behandlungszeit die Präzision der nasschemischen Behandlung wesentlich zu erhöhen und/oder die Behandlungszeit wesentlich zu verringern, ohne Einbußen bei der Qualität der Behandlung in Kauf nehmen zu müssen. Der Abstand der Düsen 1 zur Oberfläche 5 des Gutes 6 betrug bei den Ätzversuchen mit Leiterplatten 100 mm. Bei einem Druck von 3 bar betrug die Durchflussmenge der Behandlungsflüssigkeit durch jede der 30°-Kegeldüsen 1,6 Liter pro Minute.
Die Figur 2 a zeigt partiell einen rohrförmigen Sprühstock 10, der mit mindestens 5 einer Reihe von Düsen 1 ausgerüstet ist. An Stelle der Düsen können sich kostengünstig auch nur Löcher mit z.B. 0,5 mm bis 3 mm Durchmesser als Düsenöffnungen befinden. Die Behandlungsflüssigkeit strömt durch den Zulauf 7 unter Druck in den Düsenstock 10 ein und aus den Düsen 1 unter Druck verteilt wieder aus. Der Druck kann in einem großen Bereich variieren. Abhängig vom 0 Prozeß, den Strukturabmessungen und von der Positionierung an der Unterseite oder Oberseite des zu transportierenden Gutes kann er 1 ,1 bis 100 bar betragen. Vor den Düsen 1 befindet sich ein rotierend gelagertes Unterbrechungsmittel als gelochte oder geschlitzte Lochscheibe 11. Die Lochscheibe 11 ist mit aufgestellten Mitnehmern 12 versehen, gegen die ein Teil des Strahles 2 der 5 Behandlungsflüssigkeit gerichtet ist. Dadurch wird die Lochscheibe in Rotation versetzt. Die Lochscheibe 11 zerhackt den Strahl 2, so dass die Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl 4 pulsförmig die Oberfläche 5 des Gutes 6 erreicht. Dargestellt ist eine Lochscheibe 11 für je zwei Düsen 1. Die jeweils zwei Düsen 1 sind entsprechend der Drehrichtung des Lochscheibe 11 unterschiedlich 0 geneigt am Düsenstock 10 angeordnet, damit beide zum Antrieb der Lochscheibe beitragen. In der Lochscheibe 11 befinden sich Öffnungen 13 als Löcher oder Schlitze. Details der Lochscheibe 11 zeigt die Figur 2 b in zwei Ansichten. Das Unterbrechungsmittel kann auch als gelochte oder geschlitzte Leiste axial vor den Düsen oder Löchern über der gesamten Länge eines Düsenstockes
15 angeordnet sein. Die Leiste wird in axialer Richtung zyklisch zur Unterbrechung des Strahles 2 bewegt.
Die Düsenstöcke 10 können z.B. in einer Durchlaufanlage mit horizontalem oder vertikalem Transport des Gutes 6 ortsfest im Abstand von z.B. 100 mm in Transportrichtung angeordnet werden. Sie können jedoch auch bewegt
)0 angeordnet sein, wie es in derartigen nasschemischen Anlagen bekannt ist. Hierzu können die erfindungsgemäßen Düsenstöcke 10 zusammen mit den Unterbrechungsmitteln 3 z. B. radial und/oder axial schwenkende oder oszillierende Bewegungen ausführen. Durch diese Kombinationen kann bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens u.a. der bekannte Pfützeneffekt an der Oberseite des Gutes verringert oder vermieden werden. Figur 3 zeigt im Ausschnitt einen weiteren Düsenstock 10 mit Düsenlöchem 14, der jedoch auch mit Düsen bestückt sein könnte. Koaxial zum Düsenstock 10 ist ein Zylinder 15 drehbar gelagert angeordnet, der mit Schlitzen 16 oder Löchern versehen ist. Die Löcher im Zylinder 15 sind an dessen Umfang kongruent zu den Löchern im Düsenstock 10 angeordnet. Die Schlitze 16 oder Löcher sind innerhalb des Zylinders 15 beidseitig mit einem Kragen 17 versehen. Diese Kragen 17 dienen als Angriffsfläche für die geringfügig schräg gerichteten Strahlen 2, wodurch der Zylinder in Rotation versetzt wird. Des Weiteren fangen die Kragen 17 sehr vorteilhaft die Behandlungsflüssigkeit auf, die in den Pulspausen nicht an die Oberfläche 5 des Gutes 6 gelangen soll. Sie würde dort die Benetzung der Oberfläche des Gutes nachteiligerweise vergrößern. Die Behandlungsflüssigkeit wird seitlich aus dem Zylinder ausgeleitet. Durch geringfügige Schrägstellung des Düsenstockes 10 und des Zylinders 15 kann das seitliche Abfließen dieser Behandlungsflüssigkeit beschleunigt werden. Somit gelangt diese Behandlungsflüssigkeit nicht auf die Oberfläche des Gutes. Dadurch wird die Benetzung der zu behandelnden Oberfläche auf ein Mindestmaß verringert, was die beschriebene Schlagwirkung verstärkt. Diese Vorrichtung eignet sich besonders vorteilhaft zur nasschemischen Behandlung der Oberseite von Gut, wenn dieses horizontal durch eine Durchlaufanlage transportiert wird. Nicht benötigte Behandlungsflüssigkeit wird von der Oberseite des Gutes ferngehalten. Der Zylinder kann an den Enden des Düsenstockes gelagert werden. Hierzu kann je ein Wälzlager 18 dienen, das in der jeweils verwendeten Behandlungsflüssigkeit chemisch resistent ist. Geeignet sind z.B. Kugellager aus Kunststoff oder Keramik.
Auch motorisch kann das zylinderförmige Unterbrechungsmittel ebenso wie andere Unterbrechungsmittel durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb in Bewegung versetzt werden. Dadurch wird die Drehzahl unabhängig von den physikalischen Eigenschaften der Strahlen 2. Insbesondere lassen sich große Drehzahlen und damit eine schnellere Pulsfolge einstellen, z.B. 1000 Impulse pro Sekunde. Dadurch geht der Wirkstrahl bei hohem Druck des Zulaufes 7 in eine schnelle Folge von hoch beschleunigten Tropfen der Behandlungsflüssigkeit über. Dies ist für den nasschemischen Prozess besonders wirksam. Als Motoren eignen sich wegen der rauhen Atmosphäre besonders luftgekühlte Motoren oder entsprechend geschützte Elektromotoren. Elektrische und elektronische Steuerungsmittel der nasschemischen Anlage stellen die Prozeßparameter in Abhängigkeit der erforderlichen Behandlung des Gutes ein, einschließlich der Wahl der Unterbrechungsfrequenz und des Puls/Pause Verhältnisses des Wirkstrahles 4.
Die Figur 4 zeigt die Abwicklung des Zylinders 15 in zwei Ansichten. Zur Stabilisierung des mit Schlitzen 16 versehenen Zylinders 15 können Stege 19 so zwischen Düsenpositionen angeordnet werden, dass die Strahlen 2 nicht behindert werden. Im die Behandlungsflüssigkeit auffangenden Bereich des Zylinders 15 kann am Boden ein elastischer Werkstoff als Dämpfer 20 eingelegt sein. Dieser Dämpfer 20 verringert ein unkontrolliertes Spritzen der Behandlungsflüssigkeit beim Auftreffen auf die Innenwand des Zylinders. Dies beschleunigt zugleich das seitliche Abfließen der Behandlungsflüssigkeit aus dem Zylinder 15. Die Figuren 5a und 5b zeigen eine Düse 1 mit einem Unterbrechungsmittel 3 als vibrierendes Plättchen 21. Dieses elastische Konstruktionselement ist in einem Festpunkt 23 eingespannt. Es ist so vor der Düse 1 angeordnet, dass der Strahl 2 das obere Ende des Plättchens 21 trifft. Der Strahl wird ablenkt. Dadurch wird das Plättchen in Strahlrichtung gebogen, wodurch ein Durchlaß 22 im Plättchen 21 in die Strahlrichtung gelangt. Diese Situation zeigt die Figur 5 b. Der Durchlaß 22 gibt den Weg zur Oberfläche des Gutes 6 frei. Das Gut wird von der Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl schlagartig erreicht. Zugleich geht der Staudruck auf das Plättchen 21 verloren. Es geht dadurch schlagartig in die Ausgangsposition zurück, wie sie die Figur 5 a zeigt. In dieser Position wird der Strahl 2 der Behandlungsflüssigkeit als Blindstrahl abgelenkt und von einer Auffangrinne 24 aufgefangen. Die Auffangrinne 24 leitet die Behandlungsflüssigkeit, die nicht auf die Oberfläche des Gutes gelangen soll seitlich und quer zum Düsenstock ab. Deshalb eignet sich auch diese Ausführungsform der Erfindung zur beidseitigen Behandlung von Gut bei horizontalem Transport desselben. Die elastischen Eigenschaften und Abmessungen des Plättchens sowie die hydrodynamischen Bedingungen der Behandlungsflüssigkeit bestimmen die optimale Frequenz der pulsförmigen nasschemischen Behandlung. Dieses Unterbrechungsmittel eignet sich sinngemäß mit entsprechend kleinen Abmessungen auch zum Einbau in die Düsen selbst. Mit derartig oder ähnlich ausgerüsteten Düsen wird das Ausströmen der Behandlungsflüssigkeit in den Pulspausen vermieden. Damit eignen sich diese speziellen Düsen ebenfalls zur Anordnung an der Oberseite des horizontal transportierten Gutes. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist eine zusätzliche Absaugvorrichtung zum Absaugen der Behandlungsflüssigkeit, die während der Strahlbeaufschlagung von der Oberfläche 5 des Gutes 6 reflektiert, vorgesehen. Damit wird einem Flüssigkeitsstau auf der Oberfläche des Gutes vorgebeugt und unnötige Rückstände von Fluid werden vermieden, so dass das Unterätzen noch besser verhindert werden kann.
Liste der Bezugszeichen
1 Düse, Öffnung
2 Strahl, Strahl der Behandlungsflüssigkeit
3 Unterbrechungsmittel
4 Wirkstrahl, pulsierender Strahl
5 Oberfläche, die zu behandeln ist
6 Gut, Behandlungsgut
7 Zulauf
8 Wirkflüssigkeit
9 Blindflüssigkeit
10 Sprühstock, Düsenstock
11 Lochscheibe, rotierend
12 Mitnehmer
13 Öffnungen
14 Düsenlöcher
15 Zylinder
16 Schlitze
17 Kragen
18 Wälzlager, Lager
19 Steg
20 Dämpfer
21 Plättchen, vibrierend
22 Durchlass
23 Festpunkt
24 Auffangrinne

Claims

Patentansprüche
5 1. Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (6) wie zum Beispiel einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadanlage oder Durchlaufanlage, wobei die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2) in Richtung zum Gut (6) transportiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein0 Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3) so verlagert wird, dass der Spritzstrahl
(2) diskontinuierlich auf das Gut (6) trifft.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Spritzstrahl (2) mittels einer Düse (1) erzeugt wird, wobei die Behandlungsflüssigkeit auf das Unterbrechungsmittel (3) trifft, welches vor der Düse (1), innerhalb der 5 Düse (1) oder nach der Düse (3) angeordnet ist.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch eine Rotation, Schwenkbewegung oder Linearbewegung erzielt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass »0 das diskontinuierliche Auftreffen des Spritzstrahls (2) auf das Gut (6) zyklisch erfolgt, wobei eine Unterbrechungsfrequenz von mindestens 0,5 Hz, insbesondere 10 Hz bis 100 Hz, erreicht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Spritzstrahl (2) mit Überdruck tropfenförmig mit bis zu 1000 Tropfen pro
5 Sekunde gegen das Gut (6) strömt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der diskontinuierlich auf das Gut (6) treffende Spritzstrahl (2) in einem Verhältnis von einer Auftreffdauer auf das Gut (6) zu einer Auftreffpause in einer Höhe von 10:1 bis 1 :10, vorzugsweise 2:1 bis 1:2 auftrifft.
0 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) als rotierendes, schwingendes oder vibrierendes Konstruktionselement durch die mit Überdruck ausströmende Behandlungsflüssigkeit in Rotation, Schwingung bzw. in Vibration versetzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass 5 flaches Gut (6) einseitig oder zugleich beidseitig behandelt wird.
10.Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass
Betriebsparameter wie zum Beispiel eine Frequenz des diskontinuierlichen
Auftreffens des Spritzstrahls (2) auf das Gut (6) oder das Verhältnis aus
Auftreffdauer zu Auftreffpause des Spritzstrahls auf das Gut (6) durch ein 0 Steuerungsmittel eingestellt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die nasschemische Behandlung von Leiterplatten durch Reinigung, Spülen, Filmentwickeln, Kupferätzen, Filmstrippen und Metallresistätzen erfolgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, 5 dass die Düsen (1) mit Schwenkeinrichtungen oder oszillierenden
Einrichtungen zusammenwirken.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) Behandlungsflüssigkeit auffängt und von der zu behandelnden Oberfläche des Gutes (6) fernhält.
20 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsflüssigkeit mittels eines Kragens (17) oder einer Auffangrinne (24) von der Oberfläche des Gutes ferngehalten wird.
15. Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (6), wie zum Beispiel einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines
>5 Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadanlage oder Durchlaufanlage, wobei mittels der Vorrichtung die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2) in Richtung zum Gut (6) transportierbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung mindestens ein Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3) aufweist, welches so verlagerbar ist,
>0 dass sich der Spritzstrahl (2) diskontinuierlich auf das Gut (6) lenken lässt.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Spritzstrahl (2) mittels einer Düse (1) erzeugen lässt, und das Unterbrechungsmittel (3), bezogen auf die Strömungsrichtung der Behandlungsflüssigkeit, vor der Düse (1), innerhalb der Düse (1) oder nach der Düse (1) angeordnet ist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch eine Rotation, Schwenkbewegung oder Linearbewegung erzielbar ist.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch eine Kraft erreichbar ist, welche von dem mit Überdruck strömenden Spritzstrahl (2) der Behandlungsflüssigkeit ausgeübt wird.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb erzielbar ist.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) zwischen der Düse (1) und dem zu behandelnden Gut (6) angeordnet und als Zylinder (15) ausgebildet ist, welcher um die Düse (1) drehbar oder schwenkbar ist.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) in den Düsen (1) als vibrierendes oder schwingendes Konstruktionselement ausgebildet ist.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) als vibrierendes Plättchen (21) ausgebildet ist.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) eine rotierende und mit Öffnungen versehene Lochscheibe (11) ist.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) eine Auffangrinne (24) oder einen Kanal aufweist, die/der sich parallel zur zu behandelnden Oberfläche erstreckt und geeignet ist, nicht benötigte Anteile des Spritzstrahls von der Oberfläche (5) des Gutes (6) aufzufangen.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) als zyklisch bewegte Leiste mit Öffnungen ausgebildet ist.
26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) so ausgebildet ist, dass sich Behandlungsflüssigkeit auffangen und von der zu behandelnden Oberfläche des Gutes (6) fernhalten lässt.
27. Vorrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass sich aufgefangene Behandlungsflüssigkeit mittels eines Kragens (17) oder einer Auffangrinne (24) von der Oberfläche des Gutes (6) fernhalten lässt.
28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Absaugvorrichtung zum Absaugen von Behandlungsflüssigkeit aufweist.
PCT/DE2007/001306 2006-07-25 2007-07-21 Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen WO2008011870A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/374,889 US20090179006A1 (en) 2006-07-25 2007-07-21 Method and Device for a Forced Wet-Chemical Treatment of Surfaces
JP2009521103A JP5284957B2 (ja) 2006-07-25 2007-07-21 表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置
CN2007800312571A CN101573474B (zh) 2006-07-25 2007-07-21 用于加速表面湿化学处理的方法和装置
KR1020097003813A KR101096326B1 (ko) 2006-07-25 2007-07-21 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치
GB0901297A GB2453482B (en) 2006-07-25 2007-07-21 Method of, and apparatus for, the accelerated wet-chemical treatment of surfaces

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006035523 2006-07-25
DE102006035523.7 2006-07-25
DE102006059046A DE102006059046B4 (de) 2006-07-25 2006-12-14 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
DE102006059046.5 2006-12-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008011870A1 true WO2008011870A1 (de) 2008-01-31

Family

ID=38610994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2007/001306 WO2008011870A1 (de) 2006-07-25 2007-07-21 Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2008011870A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009221596A (ja) * 2008-02-20 2009-10-01 Mec Kk エッチング液及びこれを用いた銅配線の形成方法
WO2012048720A1 (de) 2010-10-14 2012-04-19 Rena Gmbh Vorrichtung und verfahren zur sprühbehandlung von leiterplatten oder leiterfolien
WO2015063080A1 (de) * 2013-10-31 2015-05-07 Schmid, Holger Manfred Vorrichtung und verfahren zur bearbeitung von metallischen oberflächen mit einer ätzflüssigkeit
CN108139717A (zh) * 2015-09-11 2018-06-08 汉高知识产权控股有限责任公司 粘合剂的远程监控系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2461121A1 (de) * 1973-12-26 1975-07-10 Hoechst Co American Verfahren zum automatischen aufspruehen einer fluessigkeit auf die oberflaeche eines sich bewegenden gegenstandes
JPH01142091A (ja) * 1987-11-30 1989-06-02 Hitachi Ltd エッチング方法および装置
DE4416747A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-16 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen
US6307240B1 (en) * 2000-12-22 2001-10-23 Visteon Global Technologies, Inc. Pulsed etching manufacturing method and system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2461121A1 (de) * 1973-12-26 1975-07-10 Hoechst Co American Verfahren zum automatischen aufspruehen einer fluessigkeit auf die oberflaeche eines sich bewegenden gegenstandes
JPH01142091A (ja) * 1987-11-30 1989-06-02 Hitachi Ltd エッチング方法および装置
DE4416747A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-16 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen
US6307240B1 (en) * 2000-12-22 2001-10-23 Visteon Global Technologies, Inc. Pulsed etching manufacturing method and system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009221596A (ja) * 2008-02-20 2009-10-01 Mec Kk エッチング液及びこれを用いた銅配線の形成方法
WO2012048720A1 (de) 2010-10-14 2012-04-19 Rena Gmbh Vorrichtung und verfahren zur sprühbehandlung von leiterplatten oder leiterfolien
WO2015063080A1 (de) * 2013-10-31 2015-05-07 Schmid, Holger Manfred Vorrichtung und verfahren zur bearbeitung von metallischen oberflächen mit einer ätzflüssigkeit
CN108139717A (zh) * 2015-09-11 2018-06-08 汉高知识产权控股有限责任公司 粘合剂的远程监控系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2953732B1 (de) Applikationsverfahren und applikationsanlage
EP0973620B2 (de) Vorrichtung und verfahren zum reinigen oder trocknen von werkstücken
DE69610763T2 (de) Flüssigkeitenabgabevorrichtung und -verfahren
DE69729578T2 (de) Flüssigkeitsabgabevorrichtung und -verfahren
EP0037483B1 (de) Verfahren zur Intensivierung von Spül- und Reinigungsprozessen für Perforationen in Formstücken
WO2008011870A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen
DE102006059046B4 (de) Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
DE4031234C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von bandförmigem Behandlungsgut
EP0399325B1 (de) Anordnung zur Behandlung und/oder Reinigung von Gut, insbesondere von mit Bohrungen versehenen Leiterplatten (Fall A)
WO2006021423A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten von leiterplatten
EP0832545B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von sich in werkstücke erstreckenden löchern oder vertiefungen mit flüssigen behandlungsmitteln
EP0838134B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum chemischen und elektrolytischen behandeln von leiterplatten und leiterfolien
DE3916694A1 (de) Anordnung zur chemischen behandlung und/oder reinigung von gut, insbesondere von mit bohrungen versehenen leiterplatten, sowie dazugehoeriges verfahren
EP1266546B1 (de) Behandlung von schaltungsträgern mit impulsartiger anregung
DE19926084B4 (de) Absaugvorrichtung und Vorrichtung enthaltend eine Absaugvorrichtung
DE2751013C3 (de) Kühleinrichtung
EP0486711B1 (de) Vorrichtung zum Abblasen einer Flüssigkeit von einem Gegenstand
DE102007006661A1 (de) Vorrichtung zum Entgraten, Entspanen und/oder Reinigen der Wasser- oder Ölkammern eines Zylinderkopfes
DE3150946A1 (de) "vorrichtung zum entzundern eines stahlstrangs"
EP2553146A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum besprühen einer oberfläche eines substrates
DE9011675U1 (de) Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung und Galvanisierung von plattenförmigem Material
WO1996038027A1 (de) Verfahren zur behandlung von gegenständen, insbesondere von elektronischen leiterplatten, sowie vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens
DE1214972B (de) Duesenkoerper zur AEtzbehandlung von Halbleiteranordnungen, Verfahren zum Herstelleneines solchen Duesenkoerpers und Vorrichtung mit einem solchen
DE139935C (de)
DE102010004172A1 (de) Vorrichtung zur Beaufschlagung von flächigem Material mittels unter Druck stehenden Fluiden

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780031257.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07785671

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12009500176

Country of ref document: PH

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 200950003

Country of ref document: ES

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12374889

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009521103

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 190/MUMNP/2009

Country of ref document: IN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 0901297

Country of ref document: GB

Kind code of ref document: A

Free format text: PCT FILING DATE = 20070721

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 0901297.2

Country of ref document: GB

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: KR

Ref document number: 1020097003813

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07785671

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 200950003

Country of ref document: ES

Kind code of ref document: A