DE102006059046B4 - Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen - Google Patents

Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen Download PDF

Info

Publication number
DE102006059046B4
DE102006059046B4 DE102006059046A DE102006059046A DE102006059046B4 DE 102006059046 B4 DE102006059046 B4 DE 102006059046B4 DE 102006059046 A DE102006059046 A DE 102006059046A DE 102006059046 A DE102006059046 A DE 102006059046A DE 102006059046 B4 DE102006059046 B4 DE 102006059046B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
treatment liquid
treatment
nozzle
jet
spray jet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102006059046A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006059046A1 (de
Inventor
Marcus Lang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dambacher Wolfgang De
Original Assignee
VERMARKTUNGS GmbH AND CO KG LP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VERMARKTUNGS GmbH AND CO KG LP filed Critical VERMARKTUNGS GmbH AND CO KG LP
Priority to DE102006059046A priority Critical patent/DE102006059046B4/de
Priority to TW096126040A priority patent/TWI331056B/zh
Priority to US12/374,889 priority patent/US20090179006A1/en
Priority to ES200950003A priority patent/ES2341700B1/es
Priority to PCT/DE2007/001306 priority patent/WO2008011870A1/de
Priority to CN2007800312571A priority patent/CN101573474B/zh
Priority to KR1020097003813A priority patent/KR101096326B1/ko
Priority to JP2009521103A priority patent/JP5284957B2/ja
Priority to GB0901297A priority patent/GB2453482B/en
Publication of DE102006059046A1 publication Critical patent/DE102006059046A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006059046B4 publication Critical patent/DE102006059046B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/02Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
    • B05B12/06Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery for effecting pulsating flow
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/20Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/068Apparatus for etching printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/0746Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1492Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1509Horizontally held PCB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (6), wie einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadanlage oder Durchlaufanlage, wobei mittels der Vorrichtung die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2) in Richtung zum Gut (6) transportierbar ist, wobei die Vorrichtung mindestens ein Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3) aufweist, welches so verlagerbar ist, dass sich der Spritzstrahl (2) als pulsierender Strahl (4) diskontinuierlich auf das Gut (6) lenken lässt, wobei sich der Spritzstrahl (2) mittels einer Düse (1) erzeugen lässt, wobei das Unterbrechungsmittel (3), bezogen auf die Strömungsrichtung der Behandlungsflüssigkeit, nach der Düse (1) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) eine mit Öffnungen (13) versehene Lochscheibe (11) mit Mitnehmern (12) oder ein um die Düse (1) drehbarer und mit Öffnungen (16) versehener Zylinder (15) mit Kragen (17) ist, wobei die Behandlungsflüssigkeit (2) vor dem Unterbrechungsmittel und der nach dem Unterbrechungsmittel strömende pulsierende Strahl (4) in einer Linie...

Description

  • Die Erfindung betrifft die nasschemische Behandlung der Oberfläche von Gut mittels gesprühter oder gespritzter Behandlungsflüssigkeit. Bei den hierzu erforderlichen Anlagen kann es sich um Tauchbadanlagen oder um Durchlaufanlagen handeln. Aus ruhenden, bewegten oder oszillierenden Düsen oder Düsenstöcken strömt die Behandlungsflüssigkeit gegen die Oberfläche des zu behandelnden Gutes. Dabei ist es das Ziel, dass bei möglichst kleiner Behandlungszeit ein präzises Behandlungsergebnis erzielt wird. Dies ist in der Praxis der Oberflächenbehandlung ein Widerspruch. Mit zunehmender Behandlungsintensität, d. h. kürzerer Behandlungszeit, nimmt die Präzision des Ergebnisses ab. Typische Anwendungsbeispiele zur Oberflächenbehandlung bestehen in der Leiterplattentechnik. Hier gibt es mehrere Prozesse, bei denen die Erfindung vorteilhaft angewendet werden kann. Als Beispiel sollen das Reinigen oder Spülen, Film- oder Resistentwickeln, Kupferätzen, Film- oder Resiststrippen und das Metallresistätzen genannt werden. Diese Verfahren erfolgen in der Regel durch Besprühen oder Bespritzen des Gutes. Dabei erfolgt der erforderliche Stoffaustausch in der Diffusionsschicht an der zu behandelnden Oberfläche. Mit zunehmendem Spritzdruck kann dieser Stoffaustausch beschleunigt werden, was die Behandlungszeit verringert. Allerdings treten dabei unerwünschte Nebeneffekte auf, die die Präzision des Behandlungsergebnisses negativ beeinflussen. Als Beispiel sei hier das Ätzen von allgemeinen Strukturen auf einem Gut, oder des Leiterbildes von Leiterplatten genannt. Die nicht zu ätzenden Bereiche sind mit einem Film oder Resist abgedeckt. Dieser Resist ist beständig gegen die Ätzflüssigkeit. Beim Sprüh- oder Spritzätzen aus Düsen oder Düsenstöcken werden nicht nur die freien Stellen des Ätzkanales zwischen den mit Resist abgedeckten Bereichen geätzt, sondern auch die Flanken des Ätzkanales. Dies bewirkt ein so genanntes Unterätzen der Resistschicht, das nur sehr begrenzt zulässig ist. Das Behandlungsergebnis der verbleibenden Strukturen bzw. Leiterzüge ist in Folge des Unterätzens letztendlich unvorhersehbar bezüglich ihrer Abmessungen und der Form der Strukturquerschnitte. Insbesondere in der Feinleitertechnik ist eine zunehmend größere und reproduzierbare Präzision der Behandlungsergebnisse erforderlich. Aus gleichen Gründen ist auch bei den anderen genannten Prozessen eine unvorhersehbare Flankenbearbeitung der Strukturen unzulässig. Im Allgemeinen wird zur Erzielung der erforderlichen Präzision der Behandlung die Behandlungszeit verringert, was jedoch aus wirtschaftlichen Gründen unerwünscht ist.
  • Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Lösung der genannten Probleme bei der Behandlung von Oberflächen ist in der Druckschrift DE 195 24 523 A1 beschrieben. In speziellen Düsen wird unter hohem Druck ein mit Kavitationsblasen behafteter Flüssigkeitsstrahl erzeugt. Der Strahl führt den erforderlichen unverbrauchten Stoff zur Diffusionsschicht an der Oberfläche des Gutes. Dort implodieren die Kavitationsblasen und bewirken den Stoffaustausch. Dieses Verfahren ist für die oben genannten Anwendungen und besonders für die Leiterplattentechnik geeignet. Der technische Aufwand, der für die Hochdruckaggregate erforderlich ist, ist jedoch sehr hoch.
  • Zum nasschemischen Ätzen von Strukturen beschreibt die Druckschrift DE 31 04 522 A1 einen Inhibitor, der der Ätzlösung zugesetzt wird. Der Inhibitor bildet eine schützende Haut als Flankenschutz an den Ätzflanken der Strukturen, wodurch der seitliche Ätzangriff verringert werden soll. Dieses Verfahren erfordert für die jeweiligen Prozesse individuelle Inhibitoren, was einer allgemeinen Verbreitung entgegensteht.
  • Ein weiteres Verfahren zum Ätzen von unterschiedlich dicken Schichten auf den beiden Seiten eines flachen Trägergegenstandes beschreibt die Druckschrift DE 199 08 960 C2 . Hier wird die individuelle Behandlungszeit an jeder Seite des Trägergegenstandes proportional zur Dicke der zu ätzenden Schicht eingestellt.
  • Dies geschieht durch zeitliche Unterbrechungen der Behandlung, wenn eine kleinere Zeit im Vergleich zur längsten erforderlichen Behandlungszeit nötig ist. Für die maximal zu bearbeitende Schichtdicke kann die Dauer der Unterbrechungen Null sein.
  • In DE 199 08 960 C2 wird in Absatz [0021] darauf hingewiesen, dass bei jeder Unterbrechung des Ätzvorganges durch die anhaftende Ätzlösung ein zeitlich begrenztes Nachätzen erfolgt. Unterbrechungszeiten, die kleiner sind als dieses Nachätzen, sind für die genannte Anwendung nicht sinnvoll. Die Verringerung der Ätzzeiten zur Anpassung an die dünnere zu ätzende Schichtdicke kann unter Beachtung der Nachätzzeit auch periodisch erfolgen.
  • Ein Verfahren zur Verringerung des Flankenangriffs beim Ätzen beschreibt die Druckschrift DE 101 54 886 A1 . Der Metallabtrag erfolgt in zwei Verfahrensschritten. Zunächst wird das Metall unter Anlegen eines gepulsten elektrischen Feldes elektrolytisch abgetragen. Dieses Ätzen erfolgt bevorzugt in die Tiefe des Ätzkanales. Die Flanken werden weniger angegriffen. Für das vollständige elektrolytische Ätzen der Kanäle geht bei Erreichen einer bestimmten Tiefe der Ätzkanäle die elektrische Verbindung einzelner Strukturen verloren. Deshalb müssen die Bereiche am Boden der Ätzkanäle chemisch in einem weiteren Prozeß nachgeätzt werden, was einen zusätzlichen technischen Aufwand erfordert.
  • In DE 44 16 747 A1 ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Leiterplatten offenbart. Auf einer Welle sind Abdeckkörper montiert, die mit Ausnehmungen versehen sind. Eine Flüssigkeit, die durch Eintrittsöffnungen vor den Abdeckkörpern in die Vorrichtung eindringt, gelangt mit Hilfe der Ausnehmungen an Öffnungen in einem Rohr, welches um die Abdeckkörper angebracht ist. Die Öffnungen in dem Rohr sind als Düsen ausgebildet, so dass Flüssigkeit auf eine unterhalb des Rohres und der Düsen angeordnete Leiterplatte gepulst zugeführt werden kann.
  • In US 6,307,240 B1 ist ein Pulsätzverfahren und ein zugehöriges System offenbart. Das System weist eine Fluid-Steuervorrichtung auf, die entweder die Fluidströmung oder den Fluiddruck steuert. Die Vorrichtung kann eine Pumpe, ein Ventil oder ein gepulst arbeitendes Ventil sein. Das Fluid wird durch die Pumpe zu einem Düsenkörper zugeführt, so dass das Fluid auf eine unterhalb des Düsenkörpers angeordnete Leiterplatte gesprüht werden kann.
  • US 2004/0060906 A1 beschreibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Strahlätzen von Halbleiterstrukturen. Aus einem Behälter führt eine Pumpe Ätzflüssigkeit zu einem Ätzmittelzuführsystem, welches mit Düsen versehen ist. Das Ätzmittelzuführsystem kann so ausgebildet sein, dass das Ätzmittel zu allen oder ausgewählten Düsen in einer solchen Weise zugeführt werden kann, dass deren Flüssigkeitsdruck variieren kann, entweder kontinuierlich oder gepulst.
  • Nachteilig an den drei letztgenannten Vorrichtungen ist, dass nur mit relativ geringen Pulsfrequenzen gearbeitet werden kann, so dass relativ lange Behandlungszeiten erforderlich sind.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung vorzuschlagen, die nasschemische Prozesse zur präzisen Behandlung von Strukturen an Oberflächen bei gleichzeitig kleiner Behandlungszeit ermöglicht.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die Vorrichtung gemäß Patentanspruch 1. Vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
  • Die Erfindung wird an Hand der Beispiele in den 1 bis 5 detailliert beschrieben.
  • 1 zeigt schematisch das grundsätzliche Prinzip zur beschleunigten nasschemischen Behandlung von Oberflächen.
  • 2a zeigt im Ausschnitt eine erste Ausführung mit einem rotierenden Unterbrechungsmittel als Scheibe vor den Düsen.
  • 2b zeigt das Unterbrechungsmittel der 2a im Detail.
  • 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel in zwei Ansichten mit einem rotierenden Zylinder als Unterbrechungsmittel.
  • 4 zeigt die Abwicklung des rotierenden Zylinders der 3 in zwei Ansichten.
  • 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einem vibrierenden Unterbrechungsmittel in zwei Positionen desselben.
  • In 1 strömt aus einer Öffnung oder Düse 1 ein Strahl 2 der Behandlungsflüssigkeit, der von einem bewegten und mit Durchbrüchen versehenen Unterbrechungsmittel 3 zerhackt, d. h. regelmäßig wiederkehrend unterbrochen wird. Der zyklisch unterbrochene Strahl gelangt als Wirkstrahl 4 hydrodynamisch pulsierend an die zu behandelnde Oberfläche 5 des Gutes 6. Diese Flüssigkeit wird nachfolgend Wirkflüssigkeit 8 genannt. Die in den Pulspausen am Unterbrechungsmittel 3 anfallende und nicht genutzte Behandlungsflüssigkeit soll als Blindflüssigkeit 9 bezeichnet werden. Diese Blindflüssigkeit 9 wird vom Unterbrechungsmittel 3 weitgehend von der Oberfläche 5 des zu behandelnden Gutes 6 fern gehalten. Dies verringert anhaftende Behandlungsflüssigkeit an der Oberfläche 5 des Gutes 6. Dadurch wird der dynamische Einfluß des unterbrochenen und pulsierenden Wirkstrahles 4 bei der chemischen Behandlung wesentlich erhöht. Durch diesen Wirkstrahl 4 wird nämlich an der zu behandelnden Oberfläche 5 des Gutes 6 ein ständiges Einschlagen und Durchschlagen der mit Behandlungsflüssigkeit benetzten Oberfläche 5 erreicht. Diese Schlagwirkung fördert ganz entscheidend den eigentlichen nasschemischen Prozess durch die Verringerung der Dicke der Diffusionsschicht. Diese hydrodynamische Unterstützung ist für alle oben genannten Prozesse einschließlich der Spülprozesse hilfreich. Durch die Schlagwirkung ist es möglich, die Behandlungszeit nahezu zu halbieren. Dabei liegt ein wesentlicher Vorteil darin, dass die Präzision bei einer Strukturbehandlung nicht nachteilig beeinflußt wird. Dies ist sehr überraschend, weil sich bisherige Verfahren zur Beschleunigung der nasschemischen Prozesse nachteilig auf die Qualität der Behandlungsergebnisse auswirken.
  • Die zyklische Unterbrechung der Behandlungsstrahlen erfolgt mit einer Frequenz, die mindestens 0,5 Hz beträgt, bevorzugt 10 Hz bis 100 Hz oder größer. Das Puls/Pause Verhältnis beträgt 10:1 bis 1:10, bevorzugt 2:1 bis 1:2. Hierzu kann der Antrieb des Unterbrechungsmittels elektromotorisch, elektromagnetisch, pneumatisch, hydraulisch oder durch andere Aktorbetätigungsmittel erfolgen. Die Erfindung kann in Kombination mit anderen bekannten Maßnahmen zur Verbesserung des nasschemischen Behandlungsergebnisses kombiniert werden, z. B. mit Inhibitoren in der Behandlungsflüssigkeit.
  • Mit dem Verfahren wurde z. B. beim Ätzen von Feinleitern auf Leiterplatten trotz Verringerung der bisher üblichen Behandlungszeit um 33% kein stärkeres Unterätzen des Resistes festgestellt, als dies beim Stand der Technik der Fall ist. Die Flanken in den Ätzkanälen blieben auch bei dem intensiveren Ätzen beim Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtung stehen. Als Ursache hierfür wird vermutet, dass die Schlagwirkung am Boden des Ätzkanales im Gegensatz zur Wirkung an den Flanken der Strukturen sehr viel größer ist. Ferner ist anzunehmen, dass durch das pulsartige Ätzen in den Pulspausen einerseits die Behandlungsflüssigkeit nicht zur Oberfläche des Gutes strömt und andererseits die Behandlungsflüssigkeit aus den Ätzkanälen ungehindert abfließen kann. Beim darauf folgenden Ätzpuls ist die im Ätzkanal verbliebene Behandlungsflüssigkeit drucklos und der Wirkstrahl 4 durchdringt die dünnere Diffusionsschicht in einer größeren Tiefe. Besonders bei der Feinleitertechnik, der so genannten HDI Technik, erreicht die erforderliche Ätztiefe der Ätzkanäle die Breite der Leiterzüge. Dies stellt für alle Prozesse der Leiterplattentechnik eine große Herausforderung dar. Durch das pulsierende Behandeln der tiefen Strukturkanäle wird der sonst übliche seitliche Druckaufbau der Behandlungsflüssigkeit weitgehend vermieden. Dadurch werden die Flanken der Strukturen deutlich weniger nasschemisch bearbeitet als der Grund der Strukturkanäle. Damit ist es mit dem Verfahren möglich, bei gegebener Behandlungszeit die Präzision der nasschemischen Behandlung wesentlich zu erhöhen und/oder die Behandlungszeit wesentlich zu verringern, ohne Einbußen bei der Qualität der Behandlung in Kauf nehmen zu müssen.
  • Der Abstand der Düsen 1 zur Oberfläche 5 des Gutes 6 betrug bei den Ätzversuchen mit Leiterplatten 100 mm. Bei einem Druck von 3 bar betrug die Durchflussmenge der Behandlungsflüssigkeit durch jede der 30°-Kegeldüsen 1,6 Liter pro Minute.
  • Die 2a zeigt partiell einen rohrförmigen Sprühstock 10, der mit mindestens einer Reihe von Düsen 1 ausgerüstet ist An Stelle der Düsen können sich kostengünstig auch nur Löcher mit z. B. 0,5 mm bis 3 mm Durchmesser als Düsenöffnungen befinden. Die Behandlungsflüssigkeit strömt durch den Zulauf 7 unter Druck in den Düsenstock 10 ein und aus den Düsen 1 unter Druck verteilt wieder aus. Der Druck kann in einem großen Bereich variieren. Abhängig vom Prozeß, den Strukturabmessungen und von der Positionierung an der Unterseite oder Oberseite des zu transportierenden Gutes kann er 1,1 bis 100 bar betragen. Vor den Düsen 1 befindet sich ein rotierend gelagertes Unterbrechungsmittel als gelochte oder geschlitzte Lochscheibe 11. Die Lochscheibe 11 ist mit aufgestellten Mitnehmern 12 versehen, gegen die ein Teil des Strahles 2 der Behandlungsflüssigkeit gerichtet ist. Dadurch wird die Lochscheibe in Rotation versetzt. Die Lochscheibe 11 zerhackt den Strahl 2, so dass die Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl 4 pulsförmig die Oberfläche 5 des Gutes 6 erreicht. Dargestellt ist eine Lochscheibe 11 für je zwei Düsen 1. Die jeweils zwei Düsen 1 sind entsprechend der Drehrichtung des Lochscheibe 11 unterschiedlich geneigt am Düsenstock 10 angeordnet, damit beide zum Antrieb der Lochscheibe beitragen. In der Lochscheibe 11 befinden sich Öffnungen 13 als Löcher oder Schlitze. Details der Lochscheibe 11 zeigt die 2b in zwei Ansichten.
  • Das Unterbrechungsmittel kann auch als gelochte oder geschlitzte Leiste axial vor den Düsen oder Löchern über der gesamten Länge eines Düsenstockes angeordnet sein. Die Leiste wird in axialer Richtung zyklisch zur Unterbrechung des Strahles 2 bewegt.
  • Die Düsenstöcke 10 können z. B. in einer Durchlaufanlage mit horizontalem oder vertikalem Transport des Gutes 6 ortsfest im Abstand von z. B. 100 mm in Transportrichtung angeordnet werden. Sie können jedoch auch bewegt angeordnet sein, wie es in derartigen nasschemischen Anlagen bekannt ist. Hierzu können die erfindungsgemäßen Düsenstöcke 10 zusammen mit den Unterbrechungsmitteln 3 z. B. radial und/oder axial schwenkende oder oszillierende Bewegungen ausführen. Durch diese Kombinationen kann bei Anwendung des Verfahrens u. a. der bekannte Pfützeneffekt an der Oberseite des Gutes verringert oder vermieden werden.
  • 3 zeigt im Ausschnitt einen weiteren Düsenstock 10 mit Düsenlöchern 14, der jedoch auch mit Düsen bestückt sein könnte. Koaxial zum Düsenstock 10 ist ein Zylinder 15 drehbar gelagert angeordnet, der mit Schlitzen 16 oder Löchern versehen ist. Die Löcher im Zylinder 15 sind an dessen Umfang kongruent zu den Löchern im Düsenstock 10 angeordnet. Die Schlitze 16 oder Löcher sind innerhalb des Zylinders 15 beidseitig mit einem Kragen 17 versehen. Diese Kragen 17 dienen als Angriffsfläche für die geringfügig schräg gerichteten Strahlen 2, wodurch der Zylinder in Rotation versetzt wird. Des Weiteren fangen die Kragen 17 sehr vorteilhaft die Behandlungsflüssigkeit auf, die in den Pulspausen nicht an die Oberfläche 5 des Gutes 6 gelangen soll. Sie würde dort die Benetzung der Oberfläche des Gutes nachteiligerweise vergrößern. Die Behandlungsflüssigkeit wird seitlich aus dem Zylinder ausgeleitet. Durch geringfügige Schrägstellung des Düsenstockes 10 und des Zylinders 15 kann das seitliche Abfließen dieser Behandlungsflüssigkeit beschleunigt werden. Somit gelangt diese Behandlungsflüssigkeit nicht auf die Oberfläche des Gutes. Dadurch wird die Benetzung der zu behandelnden Oberfläche auf ein Mindestmaß verringert, was die beschriebene Schlagwirkung verstärkt. Diese Vorrichtung eignet sich besonders vorteilhaft zur nasschemischen Behandlung der Oberseite von Gut, wenn dieses horizontal durch eine Durchlaufanlage transportiert wird. Nicht benötigte Behandlungsflüssigkeit wird von der Oberseite des Gutes ferngehalten.
  • Der Zylinder kann an den Enden des Düsenstockes gelagert werden. Hierzu kann je ein Wälzlager 18 dienen, das in der jeweils verwendeten Behandlungsflüssigkeit chemisch resistent ist. Geeignet sind z. B. Kugellager aus Kunststoff oder Keramik.
  • Auch motorisch kann das zylinderförmige Unterbrechungsmittel ebenso wie andere Unterbrechungsmittel durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb in Bewegung versetzt werden. Dadurch wird die Drehzahl unabhängig von den physikalischen Eigenschaften der Strahlen 2. Insbesondere lassen sich große Drehzahlen und damit eine schnellere Pulsfolge einstellen, z. B. 1000 Impulse pro Sekunde. Dadurch geht der Wirkstrahl bei hohem Druck des Zulaufes 7 in eine schnelle Folge von hoch beschleunigten Tropfen der Behandlungsflüssigkeit über. Dies ist für den nasschemischen Prozess besonders wirksam. Als Motoren eignen sich wegen der rauhen Atmosphäre besonders luftgekühlte Motoren oder entsprechend geschützte Elektromotoren.
  • Elektrische und elektronische Steuerungsmittel der nasschemischen Anlage stellen die Prozeßparameter in Abhängigkeit der erforderlichen Behandlung des Gutes ein, einschließlich der Wahl der Unterbrechungsfrequenz und des Puls/Pause Verhältnisses des Wirkstrahles 4.
  • Die 4 zeigt die Abwicklung des Zylinders 15 in zwei Ansichten. Zur Stabilisierung des mit Schlitzen 16 versehenen Zylinders 15 können Stege 19 so zwischen Düsenpositionen angeordnet werden, dass die Strahlen 2 nicht behindert werden. Im die Behandlungsflüssigkeit auffangenden Bereich des Zylinders 15 kann am Boden ein elastischer Werkstoff als Dämpfer 20 eingelegt sein. Dieser Dämpfer 20 verringert ein unkontrolliertes Spritzen der Behandlungsflüssigkeit beim Auftreffen auf die Innenwand des Zylinders. Dies beschleunigt zugleich das seitliche Abfliegen der Behandlungsflüssigkeit aus dem Zylinder 15.
  • Die 5a und 5b zeigen eine Düse 1 mit einem Unterbrechungsmittel 3 als vibrierendes Plättchen 21. Dieses elastische Konstruktionselement ist in einem Festpunkt 23 eingespannt. Es ist so vor der Düse 1 angeordnet, dass der Strahl 2 das obere Ende des Plättchens 21 trifft. Der Strahl wird ablenkt. Dadurch wird das Plättchen in Strahlrichtung gebogen, wodurch ein Durchlaß 22 im Plättchen 21 in die Strahlrichtung gelangt. Diese Situation zeigt die 5b. Der Durchlaß 22 gibt den Weg zur Oberfläche des Gutes 6 frei. Das Gut wird von der Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl schlagartig erreicht. Zugleich geht der Staudruck auf das Plättchen 21 verloren. Es geht dadurch schlagartig in die Ausgangsposition zurück, wie sie die 5a zeigt. In dieser Position wird der Strahl 2 der Behandlungsflüssigkeit als Blindstrahl abgelenkt und von einer Auffangrinne 24 aufgefangen. Die Auffangrinne 24 leitet die Behandlungsflüssigkeit, die nicht auf die Oberfläche des Gutes gelangen soll seitlich und quer zum Düsenstock ab. Deshalb eignet sich auch diese Ausführungsform der Erfindung zur beidseitigen Behandlung von Gut bei horizontalem Transport desselben. Die elastischen Eigenschaften und Abmessungen des Plättchens sowie die hydrodynamischen Bedingungen der Behandlungsflüssigkeit bestimmen die optimale Frequenz der pulsförmigen nasschemischen Behandlung.
  • Dieses Unterbrechungsmittel eignet sich sinngemäß mit entsprechend kleinen Abmessungen auch zum Einbau in die Düsen selbst. Mit derartig oder ähnlich ausgerüsteten Düsen wird das Ausströmen der Behandlungsflüssigkeit in den Pulspausen vermieden. Damit eignen sich diese speziellen Düsen ebenfalls zur Anordnung an der Oberseite des horizontal transportierten Gutes.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Düse, Öffnung
    2
    Strahl, Strahl der Behandlungsflüssigkeit
    3
    Unterbrechungsmittel
    4
    Wirkstrahl, pulsierender Strahl
    5
    Oberfläche, die zu behandeln ist
    6
    Gut, Behandlungsgut
    7
    Zulauf
    8
    Wirkflüssigkeit
    9
    Blindflüssigkeit
    10
    Sprühstock, Düsenstock
    11
    Lochscheibe, rotierend
    12
    Mitnehmer
    13
    Öffnungen
    14
    Düsenlöcher
    15
    Zylinder
    16
    Schlitze
    17
    Kragen
    18
    Wälzlager, Lager
    19
    Steg
    20
    Dämpfer
    21
    Plättchen, vibrierend
    22
    Durchlass
    23
    Festpunkt
    24
    Auffangrinne

Claims (3)

  1. Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (6), wie einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadanlage oder Durchlaufanlage, wobei mittels der Vorrichtung die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2) in Richtung zum Gut (6) transportierbar ist, wobei die Vorrichtung mindestens ein Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3) aufweist, welches so verlagerbar ist, dass sich der Spritzstrahl (2) als pulsierender Strahl (4) diskontinuierlich auf das Gut (6) lenken lässt, wobei sich der Spritzstrahl (2) mittels einer Düse (1) erzeugen lässt, wobei das Unterbrechungsmittel (3), bezogen auf die Strömungsrichtung der Behandlungsflüssigkeit, nach der Düse (1) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3) eine mit Öffnungen (13) versehene Lochscheibe (11) mit Mitnehmern (12) oder ein um die Düse (1) drehbarer und mit Öffnungen (16) versehener Zylinder (15) mit Kragen (17) ist, wobei die Behandlungsflüssigkeit (2) vor dem Unterbrechungsmittel und der nach dem Unterbrechungsmittel strömende pulsierende Strahl (4) in einer Linie verlaufen.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch eine Kraft erreichbar ist, welche von dem mit Überdruck strömenden Spritzstrahl (2) der Behandlungsflüssigkeit ausgeübt wird.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (3) durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb erzielbar ist.
DE102006059046A 2006-07-25 2006-12-14 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen Expired - Fee Related DE102006059046B4 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006059046A DE102006059046B4 (de) 2006-07-25 2006-12-14 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
TW096126040A TWI331056B (en) 2006-07-25 2007-07-17 Method and device for a forced wet-chemical treatment of surfaces
ES200950003A ES2341700B1 (es) 2006-07-25 2007-07-21 Procedimiento y dispositivo para el tratamiento quimico humedo de superficies.
PCT/DE2007/001306 WO2008011870A1 (de) 2006-07-25 2007-07-21 Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen
US12/374,889 US20090179006A1 (en) 2006-07-25 2007-07-21 Method and Device for a Forced Wet-Chemical Treatment of Surfaces
CN2007800312571A CN101573474B (zh) 2006-07-25 2007-07-21 用于加速表面湿化学处理的方法和装置
KR1020097003813A KR101096326B1 (ko) 2006-07-25 2007-07-21 가속 습식-화학 표면처리를 위한 방법 및 장치
JP2009521103A JP5284957B2 (ja) 2006-07-25 2007-07-21 表面の湿式化学処理を増進させる方法および装置
GB0901297A GB2453482B (en) 2006-07-25 2007-07-21 Method of, and apparatus for, the accelerated wet-chemical treatment of surfaces

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006035523 2006-07-25
DE102006035523.7 2006-07-25
DE102006059046A DE102006059046B4 (de) 2006-07-25 2006-12-14 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006059046A1 DE102006059046A1 (de) 2008-01-31
DE102006059046B4 true DE102006059046B4 (de) 2011-12-29

Family

ID=38859522

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202006018111U Expired - Lifetime DE202006018111U1 (de) 2006-07-25 2006-11-29 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
DE102006059046A Expired - Fee Related DE102006059046B4 (de) 2006-07-25 2006-12-14 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202006018111U Expired - Lifetime DE202006018111U1 (de) 2006-07-25 2006-11-29 Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20090179006A1 (de)
JP (1) JP5284957B2 (de)
KR (1) KR101096326B1 (de)
CN (1) CN101573474B (de)
DE (2) DE202006018111U1 (de)
ES (1) ES2341700B1 (de)
GB (1) GB2453482B (de)
TW (1) TWI331056B (de)
ZA (1) ZA200901269B (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013101629A1 (de) 2013-02-19 2014-08-21 Wolfgang DAMBACHER Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
CN104815777A (zh) * 2015-04-28 2015-08-05 苏州杰东纺织新材料科技有限公司 一种电气石负载纳米TiO2复合织物的复合装置
CN205393066U (zh) * 2016-03-07 2016-07-27 成都京东方光电科技有限公司 喷淋设备
DE102016112797B3 (de) * 2016-07-12 2017-12-21 Eisenmann Se Vorrichtung und Verfahren zum Maskieren von Befestigungsbohrungen in Felgen

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3104522A1 (de) * 1980-11-05 1982-06-09 Philip A. Hunt Chemical Corp., Palisades Park, N.J. Ammoniakalische aetzloesung fuer kupfer und kupferlegierungen
DE4416747A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-16 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen
DE19524523A1 (de) * 1995-07-05 1997-01-09 Atotech Deutschland Gmbh Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik
US6307240B1 (en) * 2000-12-22 2001-10-23 Visteon Global Technologies, Inc. Pulsed etching manufacturing method and system
DE19908960C2 (de) * 1999-03-02 2003-04-30 Bosch Gmbh Robert Ätzverfahren
DE10154886A1 (de) * 2001-11-05 2003-07-31 Schmid Gmbh & Co Geb Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen
US20040060906A1 (en) * 2001-08-17 2004-04-01 Bachrach Robert Z. Method for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1468961A (en) * 1973-09-04 1977-03-30 Teledyne Ind Spray nozzle
US3937175A (en) * 1973-12-26 1976-02-10 American Hoechst Corporation Pulsed spray of fluids
JPS6166938A (ja) * 1984-09-10 1986-04-05 Bridgestone Corp 押付け力測定方法
US4875067A (en) * 1987-07-23 1989-10-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Processing apparatus
JPH01142091A (ja) * 1987-11-30 1989-06-02 Hitachi Ltd エッチング方法および装置
JPH01297162A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Noritz Corp 多機能シャワーヘッド
DE3923405A1 (de) * 1989-07-14 1991-01-24 Wacker Chemitronic Vorrichtung zum transportieren und positionieren von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung derselben
JPH0598552A (ja) * 1991-10-03 1993-04-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd 不織布の製法
JPH05226810A (ja) * 1992-02-12 1993-09-03 Nippon Tec Kk プリント基板のエッチング装置
JPH07249376A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd ブラウン管部材の脱脂洗浄方法
JP2000104182A (ja) * 1998-09-30 2000-04-11 Seiko Epson Corp ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置
JP3706770B2 (ja) * 1999-06-28 2005-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板メッキ装置
US6443639B1 (en) * 1999-06-29 2002-09-03 Applied Science Fiction, Inc. Slot coater device for applying developer to film for electronic film development
US6375088B1 (en) * 1999-08-11 2002-04-23 International Business Machines Corp. Fluid delivery device with pulsating linear discharge and fluid cleaning method
JP4478251B2 (ja) * 1999-08-25 2010-06-09 学校法人トヨタ学園 レーザとウォータジェットの複合加工装置
TW512131B (en) * 2000-06-08 2002-12-01 Mosel Vitelic Inc Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment
JP2002027099A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd コードレス電話装置
JP2005223363A (ja) * 2001-03-30 2005-08-18 Minebea Co Ltd Ni−Znフェライト薄膜の製造方法
JP3700085B2 (ja) * 2001-03-30 2005-09-28 ミネベア株式会社 フェライト薄膜の製造方法
JP3981874B2 (ja) * 2002-04-11 2007-09-26 日立化成工業株式会社 薬液処理方法および薬液処理装置
JP2004111444A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Canon Inc Ic部品の外装樹脂の除去装置
US7582180B2 (en) * 2004-08-19 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for processing microfeature workpieces
KR100882910B1 (ko) * 2007-07-19 2009-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 식각장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3104522A1 (de) * 1980-11-05 1982-06-09 Philip A. Hunt Chemical Corp., Palisades Park, N.J. Ammoniakalische aetzloesung fuer kupfer und kupferlegierungen
DE4416747A1 (de) * 1994-05-12 1995-11-16 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen
DE19524523A1 (de) * 1995-07-05 1997-01-09 Atotech Deutschland Gmbh Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik
DE19908960C2 (de) * 1999-03-02 2003-04-30 Bosch Gmbh Robert Ätzverfahren
US6307240B1 (en) * 2000-12-22 2001-10-23 Visteon Global Technologies, Inc. Pulsed etching manufacturing method and system
US20040060906A1 (en) * 2001-08-17 2004-04-01 Bachrach Robert Z. Method for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures
DE10154886A1 (de) * 2001-11-05 2003-07-31 Schmid Gmbh & Co Geb Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen

Also Published As

Publication number Publication date
US20090179006A1 (en) 2009-07-16
GB2453482A (en) 2009-04-08
ZA200901269B (en) 2010-03-31
TW200821051A (en) 2008-05-16
GB2453482B (en) 2011-08-17
KR20090040448A (ko) 2009-04-24
DE102006059046A1 (de) 2008-01-31
CN101573474B (zh) 2013-03-27
GB0901297D0 (en) 2009-03-11
TWI331056B (en) 2010-10-01
CN101573474A (zh) 2009-11-04
DE202006018111U1 (de) 2007-02-08
JP5284957B2 (ja) 2013-09-11
KR101096326B1 (ko) 2011-12-20
JP2009544845A (ja) 2009-12-17
ES2341700A1 (es) 2010-06-24
ES2341700B1 (es) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19544353C2 (de) Waschvorrichtung
EP0973620B2 (de) Vorrichtung und verfahren zum reinigen oder trocknen von werkstücken
DE19740996B4 (de) Zweifluid-Reinigungsstrahldüse sowie Reinigungsvorrichtung und Anwendungsverfahren dafür
DE69729578T2 (de) Flüssigkeitsabgabevorrichtung und -verfahren
DE69610763T2 (de) Flüssigkeitenabgabevorrichtung und -verfahren
DE102006059046B4 (de) Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen
EP0399325B1 (de) Anordnung zur Behandlung und/oder Reinigung von Gut, insbesondere von mit Bohrungen versehenen Leiterplatten (Fall A)
WO2008011870A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen behandeln von oberflächen
DE4031234C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von bandförmigem Behandlungsgut
DE102004047050B3 (de) Verfahren zur Behandlung eines Werkstückes mit CO2-Schnee, Düse zur Durchführung des Verfahrens und Karussellträger zur Aufnahme mindestens einer Düse
EP1800524A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten von leiterplatten
DE3916694A1 (de) Anordnung zur chemischen behandlung und/oder reinigung von gut, insbesondere von mit bohrungen versehenen leiterplatten, sowie dazugehoeriges verfahren
DE19926084B4 (de) Absaugvorrichtung und Vorrichtung enthaltend eine Absaugvorrichtung
EP1266546B1 (de) Behandlung von schaltungsträgern mit impulsartiger anregung
EP0486711B1 (de) Vorrichtung zum Abblasen einer Flüssigkeit von einem Gegenstand
DE2751013A1 (de) Kuehleinrichtung
EP2860007A1 (de) Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen eines Stranges aus Reaktivkunststoff
DE102018104734A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln eines Fahrzeugs
DE102007006661A1 (de) Vorrichtung zum Entgraten, Entspanen und/oder Reinigen der Wasser- oder Ölkammern eines Zylinderkopfes
EP3609650A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum aufrauen von zylinderlaufflächen
DE3150946A1 (de) "vorrichtung zum entzundern eines stahlstrangs"
DE69303831T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum entfernen von flüssigkeit auf einem gazeförderband
DE102010013909A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Besprühen einer Oberfläche eines Substrates
EP3530408A1 (de) Vorrichtung zum hochdruckfluidstrahlschneiden
DE4223542A1 (de) Vorrichtung zur Behandlung von Leiterplatten mit einer Behandlungsflüssigkeit

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LP VERWALTUNGS GMBH, 73579 SCHECHINGEN, DE

8181 Inventor (new situation)

Inventor name: LANG, MARCUS, 73579 SCHECHINGEN, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LP VERMARKTUNGS GMBH & CO. KG, 73579 SCHECHING, DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20120330

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: DAMBACHER, WOLFGANG, DE

Free format text: FORMER OWNER: LP VERMARKTUNGS GMBH & CO. KG, 73579 SCHECHINGEN, DE

Effective date: 20121129

R082 Change of representative

Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE PARTG MBB, DE

Effective date: 20121129

Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20121129

Representative=s name: WEBER, GERHARD, DIPL.-PHYS., DE

Effective date: 20121129

R082 Change of representative

Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE PARTG MBB, DE

Representative=s name: BAUR & WEBER PATENTANWAELTE, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee