KR20080074923A - 공정 저감 반응로 - Google Patents

공정 저감 반응로 Download PDF

Info

Publication number
KR20080074923A
KR20080074923A KR1020087013127A KR20087013127A KR20080074923A KR 20080074923 A KR20080074923 A KR 20080074923A KR 1020087013127 A KR1020087013127 A KR 1020087013127A KR 20087013127 A KR20087013127 A KR 20087013127A KR 20080074923 A KR20080074923 A KR 20080074923A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
porous
chamber
reduction
semiconductor manufacturing
used during
Prior art date
Application number
KR1020087013127A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101036734B1 (ko
Inventor
다니엘 오. 클락
세바스티엔 라오욱스
로버트 엠. 버뮬렌
샤운 더블유. 크로포드
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20080074923A publication Critical patent/KR20080074923A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101036734B1 publication Critical patent/KR101036734B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/38—Removing components of undefined structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/68—Halogens or halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/72—Organic compounds not provided for in groups B01D53/48 - B01D53/70, e.g. hydrocarbons
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/79—Injecting reactants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/86—Catalytic processes
    • B01D53/8659—Removing halogens or halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/86—Catalytic processes
    • B01D53/8659—Removing halogens or halogen compounds
    • B01D53/8662—Organic halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23C—METHODS OR APPARATUS FOR COMBUSTION USING FLUID FUEL OR SOLID FUEL SUSPENDED IN  A CARRIER GAS OR AIR 
    • F23C7/00—Combustion apparatus characterised by arrangements for air supply
    • F23C7/02—Disposition of air supply not passing through burner
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
    • F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
    • F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
    • F23G7/061—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating
    • F23G7/065—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating using gaseous or liquid fuel
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23M—CASINGS, LININGS, WALLS OR DOORS SPECIALLY ADAPTED FOR COMBUSTION CHAMBERS, e.g. FIREBRIDGES; DEVICES FOR DEFLECTING AIR, FLAMES OR COMBUSTION PRODUCTS IN COMBUSTION CHAMBERS; SAFETY ARRANGEMENTS SPECIALLY ADAPTED FOR COMBUSTION APPARATUS; DETAILS OF COMBUSTION CHAMBERS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F23M5/00—Casings; Linings; Walls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2251/00—Reactants
    • B01D2251/10—Oxidants
    • B01D2251/104—Ozone
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2251/00—Reactants
    • B01D2251/10—Oxidants
    • B01D2251/106—Peroxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2251/00—Reactants
    • B01D2251/20—Reductants
    • B01D2251/206—Ammonium compounds
    • B01D2251/2062—Ammonia
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23D—BURNERS
    • F23D2900/00—Special features of, or arrangements for burners using fluid fuels or solid fuels suspended in a carrier gas
    • F23D2900/00016—Preventing or reducing deposit build-up on burner parts, e.g. from carbon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Incineration Of Waste (AREA)

Abstract

임의의 실시예에서, 가스 스트림으로부터 오염물을 제거하는데 사용하기 위한 장치가 제공된다. 상기 장치는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함한다. 제 1 다공성 세라믹 링은 제 1 열 팽창 계수(CTE)를 가지며 제 2 다공성 세라믹 링은 제 2 CTE를 가진다. 다른 특징들도 제공된다.

Description

공정 저감 반응로 {PROCESS ABATEMENT REACTOR}
본 발명은 전체적으로 본 발명에 참조된 미국 가 출원 번호 60/731,719호를 우선권으로 주장한다.
본 발명은 시스템 내의 반응 생성물의 증착을 감소시키는 동시에, 반도체 제조 공정 중에 생성되는 유출 가스와 같은 산업 유출액을 저감시키기 위한 개선된 시스템과 방법에 관한 것이다.
반도체 재료, 소자, 제품 및 메모리 부품의 제조로 인해 생성되는 가스 유출물은 제조 설비에 사용되고 그로부터 생성되는 다양한 화학적 화합물을 포함한다. 이들 화합물은 무기 및 유기 화합물, 포토레지스트와 다른 시약들의 파손물, 및 공정 설비로부터 대기로 배출되기 이전에 폐기 가스로부터 제거되어야 하는 다양한 다른 가스들을 포함한다.
반도체 제조 공정은 다양한 화학물을 사용하는데, 그 대섹션은 인간에 극히 낮은 허용도를 가진다. 그러한 재료는 안티몬, 비소, 붕소, 게르마늄, 질소, 인, 실리콘, 셀레늄, 실란, 포스핀을 함유한 실란 혼합물, 아르곤, 수소, 유기실란, 할로실란(halosilanes), 할로겐, 유기금속 및 다른 유기 화합물의 가스 수산화물들을 포함한다.
할로겐, 예를 들어 불화물(F2)과 다른 불화물 화합물은 저감을 요하는 다양한 화합물들 중에서도 특히 문제가 있다. 전자 산업에서는 증착 단계로부터 잔류물을 제거하고 얇은 필름을 에칭하기 위해 웨이퍼 처리 공구에 불소 화합물(PFCs)을 사용한다. PFCs는 지구 온난화의 강력한 주범으로 여겨지며 전자 산업에서는 이들 가스의 방출을 감소시키고자 노력한다. 가장 일반적으로 사용되는 PFCs은 CF4, C2F6, SF6, C3F8, C4H8, C4H8O 및 NF3이지만, 이에 한정되지 않는다. 실제로, 이들 PFCs은 에칭 및/또는 세정을 수행하기 위해서 고 반응성 불화물과 불소 라디칼을 생성하도록 플라즈마 내에서 분해된다. 이러한 처리 작업으로부터의 유출물은 대섹션 불소, 4불화 실리콘, 불화 수소, 카보닐 불화물(COF2), CF4 및 C2F6를 포함한다.
그러한 유출 스트림을 저감시키기 위한 개선된 방법 및 장치가 바람직하다.
어떤 실시예에서, 열 반응로는 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하기 위해 제공된다. 열 반응로는 중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공 섹션으로 형성되는 내측 다공 벽과; 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 가스 폐 스트림을 상기 중앙 챔버로 도입하도록 구성되는 적어도 하나의 폐 가스 입구와; 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐 스트림을 분해하도록 구성되는 열 기구(thermal mechanism)와; 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 갖춘 열 반응 유닛을 포함한다. 상기 다공성 섹션들은 다공성 섹션 내에서 변화하는 특성과 상기 내측 다공성 벽의 적어도 다른 하나의 다공성 섹션의 특성과 상이한 특성 중에 하나 또는 그 이상을 가진다.
임의의 실시예에서, 저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품이 제공된다. 상기 대체가능한 부품은 반도체 제조 공정으로부터의 가스 폐기물의 분해 중에 사용하기 위한 중앙 챔버를 형성하는 다공성 벽을 형성하도록 다공성 챔버 섹션이 다른 다공성 챔버 섹션과 적층될 수 있는 복수의 특징을 갖는 적층 및 대체 가능한 다공성 챔버 섹션을 포함하며, 상기 다공성 챔버 섹션은 상기 다공성 챔버 섹션의 내측면 쪽으로 반응 생성물의 이동을 감소시키도록 상기 중앙 챔버 내에서 수행되는 분해 공정 중에 상기 다공성 챔버 섹션의 외측으로부터 상기 다공성 챔버 섹션을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 전달시킬 수 있는 충분한 다공도를 가진다. 상기 다공성 챔버 섹션은 원형, 타원형, 삼각형, 정방형, 장방형, 다각형, 오각형, 육각형, 및 팔각형으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 형상을 가진다. 또한, 상기 다공성 섹션은 다공성 섹션 내에서 변화하는 특성과 상기 내측 다공성 벽의 적어도 다른 하나의 다공성 섹션의 특성과 상이한 특성 중에 하나 또는 그 이상을 가진다.
임의의 실시예에서, 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치가 제공된다. 상기 장치는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함한다. 상기 제 1 다공성 세라믹 링은 제 1 열 팽창 계수(CTE)를 가지며 제 2 다공성 세라믹 링은 제 2 CTE를 가진다.
임의의 실시예에서, 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치가 제공된다. 상기 장치는 제 1 다공성 세라믹 링이 제 1 순도를 가지며 제 2 다공성 세라믹 링이 제 2 순도를 가지는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함한다.
임의의 실시예에서, 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치가 제공된다. 상기 장치는 제 1 다공성 세라믹 링이 제 1 도펀트 레벨을 가지며 제 2 다공성 세라믹 링이 제 2 도펀트 레벨을 가지는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함한다.
임의의 실시예에서, 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치가 제공된다. 상기 장치는 제 1 다공성 세라믹 링이 제 1 도펀트 레벨을 가지며 제 2 다공성 세라믹 링이 제 2 도펀트 레벨을 가지는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함한다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과, 중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과, 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와, 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는 열 반응 유닛을 포함한다. 상기 외측 벽 내의 천공은 상기 열 반응 유닛 전체에 걸쳐서 약 0.1 내지 약 5 psi의 압력 강하를 제공한다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과, 중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과, 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와, 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는 열 반응 유닛을 포함한다. 상기 유체 분배 시스템은 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기, 불활성 가스, 시약, 산화제 및 고갈 공기 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성되며, 약 600 psi 또는 그 미만의 압력으로 유체를 제공하도록 구성된다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과, 중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과, 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와, 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는, 열 반응 유닛을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 외측 벽 내의 천공은 상기 열 반응 유닛 전체에 걸쳐서 약 0.1 내지 약 5 psi의 압력 강하를 제공한다. 상기 반도체 장치 제조 공정을 저감시키도록 상기 열 반응 유닛을 사용하는 단계도 포함한다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과, 중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과, 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와, 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지며, 상기 유체 분배 시스템이 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기, 불활성 가스, 시약, 산화제 및 고갈 공기 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성되며, 약 600 psi 또는 그 미만의 압력으로 유체를 제공하도록 구성되는, 열 반응 유닛을 제공하는 단계; 및 상기 반도체 장치 제조 공정을 저감시키도록 상기 열 반응 유닛을 사용하는 단계를 포함한다.
임의의 실시예에서, 전자 장치 제조용 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 복수의 처리 툴과, 상기 처리 툴로부터의 오염물을 저감시키며 복수의 입구 포트를 가지는 저감 시스템과, 및 상기 복수의 처리 툴의 오염물 출구 포트를 상기 저감 시스템의 복수의 입구 포트에 연결하는 매니폴드를 포함한다.
임의의 실시예에서, 전자 장치 제조용 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 처리 툴과, 상기 처리 툴로부터의 오염물을 저감시키며 복수의 입구 포트를 가지는 복수의 챔버를 포함하는 저감 시스템과, 및 상기 처리 툴의 오염물 출구 포트를 상기 저감 시스템의 복수의 입구 포트에 연결하는 매니폴드를 포함한다.
임의의 실시예에서, 전자 장치 제조용 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 복수의 처리 툴과, 상기 처리 툴로부터의 오염물을 저감시키며 복수의 입구 포트를 가지는 복수의 챔버를 포함하는 저감 시스템과, 및 상기 복수의 처리 툴의 오염물 출구 포트를 상기 저감 시스템의 챔버의 복수의 입구 포트에 연결하는 매니폴드를 포함한다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 복수의 폐기물 스트림 입구 포트를 각각 포함하는 복수의 챔버, 및 상기 챔버의 복수의 폐기물 스트림 입구 포트에 복수의 처리 툴의 오염물 출구 포트를 선택적으로 연결하는 매니폴드를 포함한다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 중앙 챔버를 형성하며, 적어도 하나가 상기 중앙 챔버의 내용물 특성을 감지할 수 있도록 구성되는 복수의 적층형 세라믹 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과, 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 가스 폐기물 스트림을 상기 중앙 챔버로 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와, 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는, 열 반응 유닛을 포함한다. 적어도 하나의 상기 적층형 세라믹 섹션은 중앙 챔버의 내용물의 특징을 감지할 수 있도록 구성된다.
임의의 실시예에서, 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 중앙 챔버를 형성하며, 복수의 적층형 세라믹 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과, 상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 가스 폐기물 스트림을 상기 중앙 챔버로 유입시키도록 구성되며 상기 가스 폐기물 스트림을 상기 챔버의 다공성 벽으로부터 멀리 이격시키도록 배열되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와, 상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및 상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는, 열 반응 유닛을 포함한다.
본 발명의 다른 특징 및 일면들이 다음의 상세한 설명, 청구의 범위 및 첨부 도면으로부터 보다 더 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 사용될 수 있는 열 반응로, 입구 어댑터, 및 하부의 퀀칭(quenching) 챔버를 도시하는 단면도이며,
도 2는 도 1의 입구 어댑터의 내측 판을 도시하는 평면도이며,
도 3은 도 1의 입구 어댑터의 섹션 절단도이며,
도 4는 도 1의 센터 제트의 사시도이며,
도 5는 도 1의 입구 어댑터와 열 반응로 유닛의 절단도이며,
도 6a는 도 1의 열 반응로의 세라믹 링의 평면도이며,
도 6b는 도 6a의 세라믹 링의 섹션 절단도이며,
도 6c는 도 1의 열 반응 챔버를 형성하도록 서로 적층된 세라믹 링의 섹션 절단도이며,
도 7은 도 1의 챔버에 사용될 수 있는 천공 금속 외피의 섹션들을 도시하는 도면이며,
도 8은 도 1의 열 반응 유닛의 일 실시예를 도시하는 도면이며,
도 9는 도 1의 열 반응 유닛을 위한 예시적인 입구 어댑터/열 반응 유닛 조 인트의 섹션 절단도이며,
도 10은 도 1의 열 반응 유닛과 하부 퀀칭 챔버 사이에 위치될 수 있는 예시적인 쉴드의 섹션 절단도이며,
도 11a는 열 반응 챔버가 복수의 적층된 다공성 세라믹 섹션들로 형성되는 열 반응 유닛의 섹션 절단도이며,
도 11b는 각각의 세라믹 섹션이 두 개의 보조 세라믹 섹션으로 형성되는 도 11a의 열 반응 챔버의 일 실시예를 도시하는 도면이며,
도 12는 복수의 세라믹 섹션들에 의해 형성되는 예시적인 열 반응 챔버의 개략도이며,
도 13은 반응 챔버로의 입구 포트가 경사져 있는 열 반응 유닛의 예시적인 실시예의 평면도이다.
본 발명은 시스템 내에 증착물의 퇴적을 감소시키면서 열 반응로 내의 유출 가능를 제어가능하게 분해하기 위한 방법과 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 또한 유출 가스의 고온 열 분해 중에 열 분해 유닛의 균열을 감소시키기 위한 개선된 열 반응로 설계에 관한 것이다.
저감될 폐 가스로는 예를 들어, 반도체 공정에 의해 생성되는 종 및/또는 화학적 변경 없이 반도체 공정으로부터 분배되고 유출되는 종을 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용된 바와 같이, "반도체 공정"은 반도체 제품, 평판 디스플레이 및/또는 LCD 제품의 제조와 관련된 어떤 그리고 모든 처리 공정과 장치의 작동뿐만 아니 라, 반도체, 평판 디스플레이 및/또는 LCD 제조 설비에 의해 생성되거나 이들에 사용되는 재료의 취급 또는 처리 공정을 포함하는 모든 작동뿐만 아니라, (예를 들어, 처리 장비의 컨디셔닝, 작동의 준비에 사용되는 화학적 분배 라인의 세정, 처리 공구 챔버의 에칭 세정, 반도체, 평판 디스플레이 및/또는 LCD 제조 설비에 의해 생성되는 독성 또는 유해 가스의 저감 등을 포함하는)능동적인 제조를 포함하지 않는, 반도체, 평판 디스플레이 및/또는 LCD과 관련하여 수행되는 모든 작동들을 포함하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다.
(본 발명에 전체적으로 참조되고 '921 출원'으로 지칭되는 변호사 참조 번호 723호인)2004년 11월 24일자 출원된 미국 특허 출원 번호 10/987,921호에는 도 1에 도시한 바와 같이 열 반응 유닛(30) 및 하부 퀀칭 챔버(150)를 갖춘 개선된 열 반응 시스템을 설명하고 있다. 열 반응 유닛(30)은 열 반응 챔버(32); 및 상부 판(18), 적어도 하나의 폐 가스 입구(14), 적어도 하나의 연료 입구(17), 선택적으로 적어도 하나의 산화제 입구(11), 버너 제트(15), 센터 제트(16) 및 상기 열 반응 챔버(32)에 또는 열 반응 챔버(32) 내에 위치되는 중간 판을 포함하는 입구 어댑터(10)를 포함한다(열 반응 유닛과 무관하게 입구 어댑터를 개략적으로 도시하는 도 3 참조). 입구 어댑터는 연료 부화 가스 혼합물을 오염물 파괴를 위한 시스템으로 제공하기 위한 연료 및 산화제 가스 입구를 포함한다. 산화제가 사용되면, 연료와 산화제는 열 반응 챔버의 내측으로 도입되기 이전에 미리 혼합될 수 있다. 고려된 연료로는 수소, 메탄, 천연 가스,프로판, LPG 및 도시 가스, 바람직하게 천연 가스를 포함하나, 이에 한정되지는 않는다. 숙고된 산화제로는 산소, 오존, 공 기, 청정 건조 공기(CDA) 및 산소 부화 공기를 포함하나, 이에 한정되지는 않는다. 저감될 폐 가스는 CF4, C2F6, SF6, C3F8, C4H8, C4H8O, SiF4, BF3, NF3, BH3, B2H6, B5H9, NH3, PH3, SiH4, SeH2, F2, Cl2, HCl, HF, HBr, WF6, H2, Al(CH3)3, 1차 및 2 아민, 유기실란, 유기금속, 및 할로실란으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 종을 포함한다.
종래 기술의 공기 입구 어댑터는 입구 어댑터 내측 판으로서 한정된 다공성 세라믹 판을 포함했다. 이러한 한정된 다공성 내측 판의 단점은 표면 상의 입자를 가속시킴으로써, 결국에는 입구 포트의 막힘과 연기 검출 에러를 초래한다는 점이다. 상기 '921 출원의 발명은 몇몇 실시예에서, 내측 판(12)으로서 망상 세라믹 폼(foam)을 사용함으로써 전술한 단점을 해결했다. 도 2는 내측 판의 입구 포트(14), 버너 제트(15), 센터 제트 포트(16) 및 망상 세라믹 폼(20)을 포함하는 내측 판(12)의 평면도이다. 망상 세라믹 폼(20)은 관통 배열되는 복수의 공극을 가진다. 그와 같이, 내측 판의 공극을 통한 열 반응 챔버(32)로의 유체의 통행은 내측 판(32) 근처에 있는 열 반응 유닛(30)의 벽과 내측 판(12)의 표면에 입자들의 증착을 감소시킬 것이다. 상기 유체는 상기 재료들을 통한 확산시 열 반응 챔버 내에서의 저감 처리에 치명적인 영향을 끼치지 않으면서 내측 판 상의 증착을 감소시키기에 충분한 적합한 압력으로 적합하게 가압되는 어떤 가스를 포함할 수 있다. 내측 판(12)의 공극을 통한 통행에 고려되는 가스는 공기, CDA, 산소 부화 공기, 산소, 오존 및 불활성 가스, 예를 들어 Ar, N2, 등을 포함하며 연료는 포함하지 않아야 한다. 또한, 연료는 연속적으로, 또는 펄스 형태로 도입될 수 있다.
망사혀 세라믹 폼 내측 판은 내측 판 상의 입자 퇴적을 섹션적으로 방지하는데 도움을 주는 것으로 판단되는데, 이는 노출 평면 표면적이 감소됨으로써 퇴적에 이용되는 표면의 양을 감소시키기 때문이며, 또한 내측 판을 통한 순환으로 임계 질량의 포함시 내측 판을 이탈하는 입자들의 성장을 위한 보다 작은 부착 지점을 제공하며 내측 판의 포트를 통한 공기의 통행으로 입자들이 증착 표면으로 이동하는 것을 방지하는 "경계 층"을 형성하기 때문이다.
세라믹 폼 몸체는 세라믹 구조물의 웨브에 의해 에워싸인 복수의 상호 연결된 공동을 특징으로 하는 개방형 셀 구조를 가진다. 이들은 고 강도, 낮은 열 질랑, 높은 열 충격 저항성, 및 고온에서의 높은 내식성과 같은 우수한 물리적 특성을 나타낸다. 상기 공동은 상기 재료 전체에 걸쳐 균일하게 분포되며 상기 공동은 유체가 상기 재료를 통해 용이하게 확산할 수 있는 크기를 가진다. 세라믹 폼 몸체는 높은 휘발성 할로겐 종을 형성하도록 유출물 내의 PFCs에 적절히 도달하지 않아야 한다. 세라믹 폼 몸체는 알루미늄 재료, 마그네슘 산화물, ZrO2와 같은 내화성 재료 산화물, 실리콘 탄화물 및 실리콘 질화물, 바람직하게 높은 순도의 알루미늄 재료, 예를 들어 스피넬(spinel) 및 이트리아 도프된 알루미늄 재료를 포함할 수 있다. 더 바람직하게, 세라믹 폼 몸체는 이트리아 도프된 알루미늄 재료 및 이트리아 안정화된 지르코니아-알루미나(YZA)로부터 형성되는 세라믹 몸체이다. 세라믹 폼 몸체의 준비는 본 기술 분야의 당업자들에게 공지되어 있다.
내측 판(12) 상의 입자 퇴적을 더욱 감소시키기 위해, 유체 입구 통로는 입 구 어댑터(10)의 센터 제트(16)의 내측에 결합될 수 있다(예를 들어, 입구 어댑터 내에 센터 제트를 위치시키기 위한 도 1, 도 3, 및 도 5 참조). 센터 제트(16)의 실시예는 도 4에 도시되어 있으며, 상기 센터 제트는 파일럿 분사 매니폴드 튜브(24), 파일럿 포트(26), 파일럿 불꽃 보호 판(22) 및 체결 수단(28), 예를 들어 내측 어댑터 상의 나사와 상호보완되는 나사를 포함함으로써, 센터 제트와 입구 어댑터는 누출 방지 방식으로 서로 상호보완되게 결합될 수 있다. 센터 제트(16)의 파일럿 불꽃은 입구 어댑터의 버너 제트(15)를 점화시키는데 사용된다. 센터 제트(16)의 중앙은 공극 구멍(25)이 관통되어서 상기 공극 구멍을 통해 고속 유체의 스트림이 열 반응 챔버(32)의 내측으로 분사될 수 있다(도 5 참조). 고속 공기는 공기 역학을 변화시켜 열 반응 챔버의 가스 및/또는 특성 성분을 챔버의 중앙 쪽으로 당김으로써, 특정 매체들이 상부 판 근처에, 그리고 상기 상부 판 근처의 챔버 벽에 유지시킨다. 고속 유체는 열 반응 챔버 내의 저감 처리에 악영향을 끼치지 않으면서 열 반응 유체의 내측 벽 상의 증착을 감소시키는데 충분한 어떤 가스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유체는 연속 또는 펄스 형태, 바람직하게 연속 형태로 도입될 수 있다. 고려 대상의 가스는 공기, CDA, 산소 부화 공기, 산소, 오존 및 불활성 가스, 예를 들어 Ar, N2, 등을 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 가스는 CDA이고 산소 부화 가스일 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 고속 유체는 열 반응 챔버의 내측으로 도입되기 이전에 가열될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 열 반응 유닛은 열 반응 챔버(32)를 형성하는 다공성 세라믹 실린더 설계를 포함한다. 고속 공기는 열 반응 유닛의 내측 벽 상에 입자 퇴적을 적어도 섹션적으로 감소시키기 위해 열 반응 유닛(30)의 공극을을 통과하도록 지향시킬 수 있다. 세라믹 실린더는 예를 들어, 도 6c에 도시한 바와 같이 서로 적층된 적어도 두 개의 세라믹 링을 포함한다. 더 바람직하게, 세라믹 실린더는 서로 적층된 적어도 두 개 내지 20 개의 링을 포함한다. 용어 "링"은 원형 링 자체에만 한정되는 것이 아니며, 어떤 다각형 또는 타원 형상을 포함할 수도 있다. 바람직하게, 상기 링은 일반적으로 관형 형태일 수 있다.
도 6c는 상호보완 쉽-랩-조인트(ship lap joint) 설계를 갖는 별도의 세라믹 링(36)의 적층을 도시하는 세라믹 실린더 설계의 섹션 절단도이며, 여기서 적층된 세라믹 링이 열 반응 챔버(32)를 형성한다. 최상부 세라믹 링(40)은 입구 어댑터를 수용하도록 설계된다. 조인트 설계는 랩 조인트에만 한정되는 것이 아니며, 경사 조인트, 맞대기 조인트, 랩 조인트 및 쪽매 이음(tongue and groove joint)을 포함할 수 있다. 가스켓 또는 시일 수단, 예를 들어 GRAFOIL(등록상표) 또는 상기 적층 링들 사이에 위치되는 다른 고온 재료가 특히, 적층 세라믹 링이 맞대기 이음되어 있을 때 고려될 수 있다. 바람직하게, 적층 세라믹 링들 사이의 조인트들은 열 반응 챔버로부터 적외선의 방출을 방지하도록 중첩, 예를 들어 십-랩 이음될 수 있다.
각각의 세라믹 링은 원주변의 연속적인 세라믹 링일 수 있거나, 이와는 달리 세라믹 링을 형성하도록 함께 이음될 수 있는 적어도 두 개의 섹션들일 수 있다. 도 6a는 후자의 실시예를 도시하는데, 여기서 세라믹 링(36)은 제 1 아치형 섹션과 제 2 아치형 섹션(40)을 포함하며 상기 제 1 및 제 2 아치형 섹션이 서로 결합될 때 열 반응 챔버(32)의 일부분을 형성하는 링이 형성된다. 세라믹 링은 바람직하게, 전술한 세라믹 폼 몸체와 동일한 재료, 예를 들어 YZA로 형성될 수 있다.
개개의 적층형 세라믹 링에 의해 형성된 열 반응 챔버를 구비함에 따른 장점은 열 충격으로 인한 세라믹 링의 균열을 감소시키며 그에 따른 장비 비용을 감소시킬 수 있다는 점이다. 예를 들어, 하나의 세라믹 링이 균열되면, 손상된 링은 일부의 비용만으로 용이하게 교체되어 열 반응로에 곧바로 투입될 수 있다.
세라믹 링은 고속 공기가 열 반응 유닛의 세라믹 링의 공극을 통해 지향됨으로써 열 반응 유닛의 내측 벽에 입자 축적을 적어도 섹션적으로 감소시킬 수 있는 열 반응 유닛(30)을 형성하도록 서로 유지된다. 그러한 목적을 위해, 열 반응 유닛의 적층형 세라믹 링을 에워쌀뿐만 아니라 연 반응 유닛의 다공성 내측 벽을 통한 축방향으로의 공기 흐름을 지향시키기 위해 천공된 금속 외피가 사용될 수 있다. 도 7은 천공된 금속 외피(110)의 실시예를 도시하는데, 여기서 금속 외피는 적층형 세라믹 링의 동일한 일반적인 형태, 예를 들어 원형 실린더 또는 다각형 실린더일 수 있으며 상기 금속 외피는 일반적인 형태의 세라믹 실린더를 형성하도록 서로 결합될 수 있는 적어도 두 개의 부착가능한 섹션(112)을 포함한다. 두 개의 부착가능한 섹션(112)은 결합시, 압력을 세라믹 링에 가함으로써 링을 서로 유지하는 리브(114), 예를 들어 클램프 고정가능한 연장부(114)를 포함한다.
금속 외피(110)는 바람직하게 많은 공기가 열 반응 유닛의 상부, 예를 들어 열 반응 유닛의 바닥, 예를 들어 하부 챔버보다 입구 어댑터(10)에 더 가까운 섹션 쪽으로 지향시키는 천공 패턴을 가진다(도 7 및 도 8 참조). 대체예에서, 천공 패턴은 금속 외피 전반에 걸쳐서 동일하다. 여기서 정의된 바와 같은 "천공"은 다공성 내측 벽을 통한 축방향으로 지향된 공기의 흐름이 제어될 수 있게 하면서, 금속 외피의 통합성과 강도를 손상시키지 않는 금속 외피를 통과하는 어떤 개구의 배열일 수 있다. 예를 들어, 천공은 원형, 다각형 또는 타원형의 구멍일 수 있으며, 대안으로서 상기 천공은 다양한 길이와 폭을 갖는 슬릿일 수 있다. 일 실시예에서, 천공은 1/16"의 직경을 가지는 구멍이며, 열 반응 유닛의 상부 쪽으로의 천공 패턴은 제곱인치 당 1 개의 구멍을 가지는데 비해서 열 반응 유닛의 바닥 쪽으로의 천공 패턴은 제공 인치 당 0.5 개의 구멍(환언하면, 4 제곱인치 당 2 개의 구멍)을 가진다. 바람직하게, 천공 영역은 금속 외피 영역의 약 0.1% 내지 1 %이다. 금속 외피는 스테인레스 스틸, 인코넬(등록 상표) 600, 617, 625 LCF, 706, 718 SPF, X-750, MA 754, 783, 792, 및 HX와 같은 오스테나이트 니켈-크롬-철 합금, 및 하스텔로이(Hastelloy) B, B2, C, C22, C276, C2000, G, G2, G3 및 G30과 같은 니켈계 합금을 포함하는 내식성 금속으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 8을 참조하면, 세라믹 링(36)은 서로 적층되며, 섬유질 블랭킷의 적어도 하나의 층이 적층형 세라믹 링의 외측 주변부를 감싼 후에 금속 외피(110)의 섹션(112)들이 섬유질 블랭킷의 주변에 위치되고 리브(114)를 결합시킴으로써 함께 밀착된다. 섬유질 블랭킷은 낮은 열 전도율 및 금속 외피와 세라믹 링의 열 팽창 계수의 불일치를 처리할 수 있는 성능을 갖는 어떤 섬유질 무기 재료일 수 있다. 고려될 수 있는 섬유질 블랭킷 재료는 스피넬 섬유, 글라스 울 및 알루미늄 실리케 이트를 포함하는 다른 재료를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 대체예에서, 섬유질 블랭킷은 유연한 세라믹 슬리브일 수 있다.
실제로, 유체 흐름은 금속 외피의 천공, 섬유질 블랭킷 및 실린더의 망상 세라믹 링을 통해 축방향으로 제어가능하게 유입된다. 유체는 약 0.5 psi 내지 약 0.30 psi, 바람직하게 약 0.1 psi 내지 0.2 psi 범위에 있을 때까지 열 반응 유닛의 외측으로부터 열 반응 유닛의 내측으로 압력 강하를 겪는다. 상기 유체는 열 반응 챔버 내의 유체의 순환을 감소시키도록 연속적으로 또는 펄스 모드로, 바람직하게 연속 모드로 도입될 수 있다. 가스가 순환되는 열 반응 챔버 내의 증가된 잔류 시간은 반응로 내의 증착 가능성을 증가시키고 보다 큰 입자 재료의 형성을 초래한다. 상기 유체는 열 반응 챔버 내의 저감 처리에 치명적인 영향을 끼치지 않으면서 세라믹 링의 내측 상에의 증착을 감소시키기에 충분한 어떤 가스를 포함할 수 있다. 고려될 수 있는 가스는 공기, CDA, 산소 부화 공기, 산소, 오존 및 불활성 가스, 예를 들어 Ar, N2, 등을 포함할 수 있다.
열 반응 챔버(32)로의 통행을 위해 열 반응 유닛의 벽으로 유체를 유입시키기 위해, 전체 열 반응 유닛(30)은 외측 스테인레스 스틸 반응로 외피(60) 내에 둘러싸임으로써(예를 들어, 도 1 참조), 환형 공간(62)이 외측 반응로 외피(60)의 내측 벽과 열 반응로(30)의 외측 벽 사이에 형성된다. 열 반응 유닛의 벽을 통해 도입될 유체는 외측 반응로 외피(60) 상에 위치된 포트(64)에서 유입될 수 있다.
도 1을 참조하면, 입구 어댑터(10)의 내측 판(12)은 열 반응 유닛(30)의 열 반응 챔버(32)에, 또는 챔버 내에 위치된다. 입구 어댑터가 열 반응 유닛과 접촉하는 영역으로부터 열 반응 유닛 내의 가스가 누출되지 않게 하기 위해서, 가스켓 또는 시일(42)이 바람직하게, 상부 세라믹 링(40)과 상부 판(18) 사이에 위치된다(예를 들어, 도 9 참조). 가스켓 또는 시일(42)은 상부 판/열 반응 유닛 조인트를 통해 공기의 누출을 방지하기 위한, 즉 가스 분포를 위한 세라믹 링 뒤의 백-업을 유지하기 위한 그라포일[GRAFOIL(등록 상표)] 또는 몇몇 다른 고온 재료일 수 있다.
열 반응 챔버의 하류에는 열 반응 챔버로부터 탈출하는 입자를 포획하기 위해 하부 퀀칭 챔버(150) 내에 물 퀀칭 수단이 위치된다. 물 퀀칭 수단은 본 발명에 전체적으로 참조된 발명이 명칭이 "내측 벽 상의 고체 증착을 방지하기 위한 물 커튼을 포함하는 가스 처리 시스템"이 그렌 톰 등에 의해 출원된 미국 출원 번호 10/249,703호에 설명되어 있다. 도 1을 참조하면, 물 커튼을 위한 물은 입구(52)를 통해 유입되어 물 커튼(156)이 형성됨으로써, 물 커튼은 열 반응 유닛(30)에서 발생하는 연소 및 분해 반응의 열을 흡수하며, 하부 퀀칭 챔버(150)의 벽 상에 입자들의 퇴적을 제거하며, 수용성 가스 분해 생성물과 연소 반응물, 예를 들어 CO2, HF 등을 흡수한다.
대섹션의 바닥 세라믹 링이 젖지 않게 하기 위해서, 차폐물(202: 예를 들어 도 12 참조)이 바닥 세라믹 링(198)과 하부 챔버(150) 내의 물 커튼 사이에 형성될 수 있다. 바람직하게, 쉴드는 L형상이며 3차원 형태의 바닥 세라믹 링, 예를 들어 원형 링이어서 물이 바닥 세라믹 링과 접촉하지 않게 된다. 쉴드는 스테인레스 스틸; 인코넬(등록 상표) 600, 601, 617, 625, 625 LCF, 706, 718, 718 SPF, X-750, 783, 792, 및 HX와 같은 오스테나이트 니켈-크롬-철 합금; 기타 하스텔로이 B, B2, C, C22, C276, C2000, G, G2, G3 및 G30과 같은 니켈계 합금을 포함하는 물 부식 저항 및 열적으로 안정한 어떤 재료로 구성될 수 있다.
실제로, 유출 가스는 입구 어댑터(10) 내에 제공된 적어도 하나의 입구로부터 열 반응 챔버(32)로 유입되며, 연료/산화제 혼합물은 적어도 하나의 버너 제트(15)로부터 열 반응 챔버(32)로 유입된다. 센터 제트(16)의 파일럿 불꽃은 입구 어댑터의 버너 제트를 점화하는데 사용되어서, 약 500 내지 약 2000℃ 범위의 열 반응 유닛의 온도를 생성한다. 이러한 고온은 열 반응 챔버 내에 존재하는 유출물 가스의 분해를 촉진시킨다. 또한 연료/산화제 혼합물의 존재하에서 일부 유출 가스의 연소/산화를 가능하게 한다. 열 반응 챔버 내의 압력은 약 0.5 atm 내지 약 5 atm, 바람직하게 약간 대기 이하의 압력, 예를 들어 약 0.98 atm 내지 약 0.99 atm 범위이다.
분해/연소 이후에, 유출 가스는 하부 챔버의 벽을 냉각시키고 입자들의 벽 상의 퇴적을 방지하기 위해 물 커튼(156)이 사용될 수 있는 하부 챔버를 통과한다. 일부의 입자들과 수용성 가스들은 물 커튼(156)을 사용하여 가스 스트림으로부터 제거될 수 있다고 고려될 수 있다. 물 커튼의 더 하류에, 물 분사 수단(154)이 하부 퀀칭 챔버(150) 내에 위치되어 가스 스트림을 냉각시키고 입자와 수용성 가스를 제거할 수 있다. 가스 스트림의 냉각으로 저온 재료를 물 분사 수단의 하류에 사 용가능하게 함으로써 재료 비용을 감소시킬 수 있다. 하부 퀀칭 챔버를 통과하는 가스는 대기로 방출되거나 액체/액체 스크러빙, 물리적 및/또는 화학적 흡착, 석탄 포획, 정전기적 편석, 및 사이클론을 포함한 추가의 처리 유닛으로 지향될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 열 반응 유닛과 하부 퀀칭 챔버를 통과한 이후에, 유출 가스의 농도는 바람직하게 탐지 한계, 예를 들어 1 ppm 이하로 된다.
대체 실시예에서, "에어 나이프"가 열 반응 유닛 내에 위치된다. 도 10을 참조하면, 유체는 거의 바닥 세라믹 링(198)과 하부 퀀칭 챔버(150) 내의 물 퀀칭 수단 사이에 위치되는 에어 나이프 입구(206)의 내측으로 간헐적으로 분사될 수 있다. 에어 나이프 입구(206)는 설명하는 바와 같이 물이 바닥 세라믹 링(198)을 젖시는 것을 방지하는 쉴드(202)와 결합될 수 있다. 에어 나이프 유체는 열 반응 유닛 내에서의 분해 처리에 악영향을 끼치지 않으면서 상기 유닛의 내측 벽 상의 퇴적을 감소시키기에 충분한 어떤 가스를 포함할 수 있다. 상기 가스로 고려될 수 있는 것은 CDA, 산소-부화 공기, 산소, 오존 및 불활성 가스, 예를 들어 Ar, N2, 등을 포함할 수 있다. 작동시, 가스는 에어 나이프 입구(206)를 통해 간헐적으로 분사될 수 있으며 열 반응 챔버(32)의 내측 벽에 평행하게 위치되는 매우 얇은 슬릿(204)을 통해 빠져 나간다. 이와 같이, 가스는 (도 10의 화살표 방향으로) 벽을 따라 상방향으로 지향되어 내측 벽의 표면으로부터 어떤 증착된 입자들을 압박한다.
개선된 반응로 설계
본 발명에 따라, 도 1의 열 반응 유닛(30)이 개선된다. 예를 들어, 도 11a는 열 반응 챔버(32)가 복수의 적층된 다공성 세라믹 섹션(36a-h)으로 형성되는 열 반응 챔버(32)의 섹션 절단도이다. 8 개의 적층된 다공성 세라믹 섹션들이 도 11a에 도시되어 있지만, 이는 8 개보다 많거나 작은 적층 섹션들이 사용될 수 있다고 이해해야 한다. 예를 들어, 하나의 특정 실시예에서, 11 개의 다공성 세라믹 섹션들이 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 11 개 보다 많거나 작은 다공성 세라믹 섹션들이 사용될 수 있다. 세라믹 섹션(36a-36h)은 원형, 타원형, 삼각형, 정방형, 장방형, 다각형, 오각형, 육각형, 팔각형, 또는 다른 형상일 수 있다. 세라믹 섹션은 적층가능한 워셔, 세브론(Chevron), 링 또는 어떤 다른 적합한 형상 및/또는 구성일 수 있다. 링은 (원형, 타원형, 다각형 등과 같은 전술한)어떤 적합한 형상일 수 있다.
하나 또는 그 이상의 실시예에서, 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 비 경질 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다공성 섹션들은 이트리아 도프 알루미늄 섬유를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 몇몇 실시예에서 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 세라믹, 소결 세라믹, 소결 금속, 다공성 금속 재료, 도프된 알루미늄 섬유, 유리 및/또는 다공성 중합체 재료를 포함할 수 있다.
특정 실시예에서, 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 MgAl2O4, Al2O3, SiC, 및/또는 MgO를 포함할 수 있다. 이트리아, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및/또는 다른 적합한 도펀트로 도프된 세라믹과 같은 도프 된 세라믹도 사용될 수 있다.
도 11b는 각각의 세라믹 섹션(36a-h)이 두 개의 세라믹 보조 섹션(1102a,1102b)으로 형성되는 도 11a의 열 반응 챔버(32)의 실시예를 도시한다. 제 1 세라믹 섹션(1102a)은 랩 조인트(1104a-b)를 형성하도록 제 2 세라믹 보조 섹션(1102b) 내에 맞춰지고 결합될 수 있는 크기이다. 램프 조인트(1104a-b)는 도시한 바와 같이 세라믹 섹션(36a-h)을 결합하는데 사용될 수 있다. 세라믹 보조 섹션(1102a,1102b)을 함께 결합하는데 아교 또는 다른 적합한 접착 기술이 사용될 수 있다. 그러한 접합된 세라믹 섹션들의 사용으로 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
적어도 하나의 실시예에서, 열 반응 챔버(32)는 여러 등급 및/또는 가변 열 팽창 계수(CTE)를 가질 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버(32)의 입구에 가까운 세라믹 섹션(도 11a의 반응 유닛의 상부)는 입구로부터 더 멀리 떨어진 세라믹 섹션들 보다 작은 CTE를 가질 수 있다. 하나의 특정 실시예에서, (입구에 가장 가까운)제 1 세라믹 섹션(36a)은 가장 작은 CTE를 가질 수 있으며 (입구로부터 가장 먼)제 8 세라믹 섹션(36h)은 가장 큰 CTE를 가질 수 있다. 나머지 세라믹 섹션(36b-g)들은 가장 큰 CTE로부터 가장 낮은 CTE로, 몇몇 실시예에서는 그 반대로 CTE를 가질 수 있다. 상기 실시예는 더욱 고가의 낮은 CTE 세라믹이 반응 챔버(32)의 입구에 가까운 곳(예를 들어, 온도가 가장 높은 곳)에 사용되고 보다 저렴하고 높은 CTE 세라믹이 낮은 온도에 노출되는 반응 챔버(32)의 영역에 사용되므로, 열 반응 챔버(32)의 비용을 감소시킬 수 있다.
몇몇 또는 다른 실시예에서, 더욱 높은 내열성 및/또는 화학적 저항성을 갖 는 99.99% Al2O3와 같은 고 품질 세라믹이 열 반응 챔버(32)의 입구에 가장 가까운 세라믹 섹션(들)에 사용될 수 있는 반면에, 98% Al2O3와 같은 저 품질의 세라믹이 열 반응 챔버(32)의 입구로부터 멀리 떨어진 세라믹 섹션(들)에 사용될 수 있다.
몇몇 또는 다른 실시예에서, 세라믹 섹션의 CTE는 여러 등급을 갖거나 변화될 수 있다. 예를 들어, 세라믹 섹션의 CTE는 가장 높은 온도에 노출되는 세라믹 섹션이 가장 낮은 CTE를 가질 수 있다. 도 11a의 실시예에서, 예를 들어 각각의 세라믹 섹션은 세라믹 섹션의 상부로부터 바닥 및/또는 세라믹 섹션의 내측으로부터 외측으로 감소되는 CTE 등급을 가질 수 있다.
몇몇 또는 다른 실시예에서, 세라믹 섹션들 사이의 각각의 세라믹 섹션의 다공도, 조성, 도펀트 형태 및/또는 농도 등은 여러 등급을 갖거나 변화될 수 있다. 유사하게, 세라믹 섹션 내부 및/또는 세라믹 섹션들 사이의 공극은 크기, 형상, 밀도 등이 변화될 수 있다. 또한, 상기 공극은 크기가 균일할 수 있으며 테이퍼질 수 있거나(예를 들어, 상기 섹션들의 내측 또는 외측에 보다 큰 개구를 가질 수 있거나) 다른 형상을 가질 수 있다. 세라믹 섹션들 내에서 다중 공극 크기를 가질 수 있다(예를 들어, 공극 2, 3, 4는 상이한 직경을 가질 수 있다).
하나 또는 그 이상의 실시예에서, 제 1 다공성 섹션은 제 1 도핑 레벨을 가지며 제 2 다공성 섹션은 제 2의 상이한 도핑 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 보다 높은 도펀트 레벨의 다공성 섹션은 열 반응 챔버의 입구에 가장 가까운 곳에 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 각각의 다공성 섹션의 CTE, 순도 및 도핑 레벨 은 저감 중에 열 반응 유닛 내의 온도 프로파일을 기준으로 선택될 수 있다. 또한, 각각의 다공성 섹션의 CTE, 순도 및 도핑 레벨은 저감 중에 열 반응 챔버 내에서 거의 균일하다. 하나 또는 그 이상의 실시예에서, 각각의 세라믹 링은 상이한 CTE, 순도 및 도핑 레벨을 가질 수 있다.
또 다른 실시예에서, 하나 또는 그 이상의 세라믹 섹션들은 (예를 들어, 하나 또는 그 이상의 센서를 위한 공동 또는 다른 공간을 가짐으로써)하나 또는 그 이상의 센서의 사용을 수용 및/또는 촉진하도록 포함 또는 채용될 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 세라믹 섹션은 온도, NOX, 압력, 방사선 또는 다른 적합한 센서를 포함할 수 있다. 하나 또는 그 이상의 그러한 센서는 제어기에 연결되어서 (예를 들어, 유동률, 가스 농도 등의 조절을 가능하게 하는 피이드백 루프를 경유하여)열 반응 챔버(32) 내의 저감 공정의 모니터링 또는 보다 양호한 제어를 제공하는데 사용된다. 하나 또는 그 이상의 세라믹 섹션들은 이와는 달리 또는 추가적으로 (예를 들어, 세정 작동 중에)세라믹 섹션들을 통해 가스가 유동될 수 있게 및/또는 (예를 들어, 샘플링 작동 중에)열 반응 챔버(32)로부터 가스가 추출될 수 있게 하는 하나 또는 그 이상의 포트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반응 가스 및/또는 생성물의 주기적 또는 임의의 샘플링은 (연소 공정의 분석을 가능하게 하도록)세라믹 섹션 내의 일부분을 통해 수행될 수 있다.
도 12는 복수의 세라믹 섹션(1202a-f)에 의해 형성되는 예시적인 열 반응 챔버(1200)의 개략적인 다이어그램이다. 다소간의 세라믹 섹션들이 사용될 수 있다. 각각의 세라믹 섹션(1202a-f)은 챔버(1200)의 세정 및/또는 샘플링을 위한 포 트(1204a-f)를 포함한다. 추가로, 각각의 세라믹 섹션(1202a-f)은 챔버(1200)의 특성(예를 들어, 온도, NOX 레벨, 등)을 감지하기 위한 센서(1206a-f)를 포함한다. 각각의 포트(1204a-f) 및/또는 센서(1206a-f)는 제어기(1208)를 통해 연통 및/또는 제어될 수 있다. 제어기(1208)는 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 미세 제어기, 미세 프로세서, 명령 하드웨어, 이들 조합 등을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서, 제어기(1208)는 열 반응 챔버(1200)과 관련된 공정 변수(예를 들어, 유동률, 가스 농도 등)를 제어하기 위해 포트(1204a-f) 및/또는 센서(1206a-f)로부터 모아진 정보를 사용할 수 있다.
하나 또는 그 이상의 실시예에서, 다중 처리 툴(예를 들어, 클러스터 또는 그와 유사한 툴)이 열 반응 챔버(30) 및/또는 퀀칭 유닛(150)와 같은 단일 열 저감 시스템을 사용하여 저감될 수 있다. 예를 들어, 2,3,4,5,6 등의 처리 툴이 그렇게 저감될 수 있다. 유사하게, 다중 열 저감 시스템은 그러한 동일한 툴(예를 들어, 중복성을 위한)의 역할을 할 것이다. 예를 들어, 본 발명에서 설명하는 두 개의 열 저감 시스템이 3 개 또는 그 이상의 처리 툴을 저감시키는데 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 각각의 처리 툴은 하나의 저감 시스템 당 처리 툴 보다 훨씬 더 적은 중복성 저감 시스템을 포함한다. 다른 유사한 구성(예를 들어, 4,5,6 등의 처리 툴로서의 역할을 하는 3 개의 저감 시스템)이 사용될 수 있다. 추가의 입구가 다중 처리 툴(예를 들어, 2,3,4,5,6,7,8,9,10 등의 입구)의 역할을 하는데 필요한 것과 같이 각각의 저감 시스템에 제공될 수 있다. 또한, 다중 저감 시스템은 단일 툴(예를 들어, 2,3,4,5 등의 저감 시스템 당 툴)의 역할을 할 수 있다. 따라 서, 상기 시스템은 다중 열 저감 챔버에 의해 역할을 하는 다중 처리 툴; 단일 열 저감 챔버에 의해 역할을 하는 다중 처리 툴; 및/또는 다중 열 저감 챔버에 의해 역할을 하는 단일 처리 툴로 구성될 수 있다. 열 저감 챔버의 성능이 오염물 출력 부하를 초과하는 몇몇 실시예에 있어서, 하나 또는 그 이상의 저감 챔버는 1차 열 저감 챔버가 오프라인 되지 않는 한 2차 또는 백업 저감 챔버로서의 역할을 할 수 있다. 그러한 실시예에서, 매니폴드가 비 능동 챔버로부터 이격되어 있는 능동 저감 챔버로 폐기물을 선택적으로 지향시키도록 사용될 수 있다. 매니폴드는 시스템 제어기의 제어 하에서 작동되며 저감 챔버로부터의 피이드백 및/또는 처리 툴로부터 흐르는 폐기물의 양과 조성에 관한 정보 및/또는 매니폴드 상류의 센서에 응답할 수 있다.
도 13은 반응 챔버(32)로의 입구 포트(14)가 (예를 들어, 수직에 대해)경사져 있어서 유출물 및/또는 다른 가스들을 중앙 반응 영역(1302) 쪽으로 반응 챔버(32)의 내측(1300)으로부터 멀리 떨어지게 지향시키는 열 반응 유닛(30)의 예시적 실시예를 도시하는 평면도이다. 입구 포트(14)도 경사질 수 있어서 도시한 바와 같이 난류 및/또는 와류 연소를 생성한다. 입구 포트를 위한 예시적인 각도는 수직에 대해 2 내지 45도이나, 다른 각도도 사용될 수 있다. 입구 포트는 모든 폐기물의 연소를 증대시키도록 반응 챔버 내의 폐기물 잔류 시간을 최대화하는 나선형 소용돌이 패턴으로 폐기물을 지향시키는 각도를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 입구 포트(14)의 각도는 폐기물의 주어진 형태를 위한 소정의 나선형 소용돌이에 기초하여 조정될 수 있다. 예를 들어, 어떤 폐기물은 보다 긴 잔류 시간이 유 리한 반면에 다른 형태의 폐기물은 긴 잔류 시간이 필요 없으며 보다 가파른(예를 들어, 더욱 하향의) 각도로 유입될 때 가장 효율적으로 연소될 수 있다. 입구 포트(14)의 각도는 처리 툴로부터의 피이드백, 매니폴드 내의 센서(예를 들어, 압력, 유동률, 조성 등), 및/또는 반응 챔버(32) 내의 센서에 기초하여 시스템 제어기에 의해 제어될 수 있다. 입구 포트(14)의 각도는 폐기물 자체에 관한 센서 정보 또는 공지의 정보(예를 들어, 양, 조성 등) 및/또는 폐기물의 발생시키는 공정에 기초하여 선택될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 금속 외피 내의 천공은 약 0.1 내지 약 5 psi의 열 반응 유닛 전반에 걸친 압력 강하를 제공한다. 일 실시예에서, 약 22 개의 적층 세라믹 링이 챔버(32)를 위해 사용될 수 있다.
가스 스트림으로부터 오염물을 제거하기 위한 2단 반응로는 상부 열 반응 챔버와 하부 열 반응 챔버를 포함할 수 있다. 상부 열 반응 챔버는 외측 벽, 중앙 분해 및 변환 챔버를 형성하는 내측 다공 벽, 내부에 가스 폐기물 스트림을 유입하기 위해 상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 적어도 하나의 폐가스 입구, 가스 폐기물 스트림을 분해 및 변환시키는 열 수단, 및 유체를 내측 공간으로 유입시키는 수단을 포함할 수 있다. 상기 내측 다공성 벽은 내측 다공성 벽 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 내측 공간으로부터 상기 중앙의 분해 및 변환 챔버로 유체를 전달할 수 있도록 구성된다. 내측 다공성 벽은 또한 내측 공간을 형성하기 위해 충분한 거리로 상기 외측 벽으로부터 위치될 수 있다.
하부 반응 챔버는 중앙의 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 가스 유동 챔 버를 포함할 수 있다. 가스 유동 챔버는 가스 폐기물 스트림과 그를 통한 반응 생성물을 통과시키기 위한 입구 및 출구를 포함할 수 있다. 하부 반응 챔버도 가스 유동 챔버의 내측 표면 상에 하향 유동 액체 필름을 생성하기 위한 수단도 포함할 수 있다. 하향 유동 액체 필름은 하부 반응 챔버 상의 입자형 고체의 증착 및 퇴적을 감소시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서, 물 및/또는 분사 제트가 하향 유동 액체 필름을 형성하는데 사용될 수 있다.
외측 벽과 내측 다공성 벽 사이에 위치되는 내측 공간은 내측 환형 공간일 수 있다. 유체를 내측 공간으로 유동시키기 위한 수단이 내측 환형 공간으로 가압된 유체를 유입시키도록 구성될 수 있다. 내측 공간으로 유체의 유입 수단은 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기(예를 들어, 대기상의 산소 함량 보다 낮은 산소 함량을 갖는 공기), 불활성 가스(예를 들어, 질소), 고갈 공기 또는 불활성 가스, 및/또는 이들의 혼합물을 유입시키도록 구성될 수 있다. 유체를 내측 공간으로 유입시키기 위한 수단은 이와는 달리 단지 물 또는 단지 공기만을 유입시키도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 내측 공간으로 유체를 유입시키기 위한 수단은 펄싱 조건 하에서 내측 공간으로 유체를 유입하도록 구성될 수 있다. 유체를 내측 공간으로 유입시키는 수단은 또한 주기적인 펄싱 하에서 중앙의 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유체를 분사시키도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 펄싱 조건은 약 3 ms 내지 1초의 펄스 주기를 사용할 수 있다.
2단 반응로는 하부 반응 챔버가 산화제를 가스 유동 챔버로 유입시키도록 위 치되는 적어도 하나의 산화제 입구를 포함하도록 구성될 수 있다. 2단 반응로는 또한, 연소가능한 연료, 반응물, 및/또는 가스성 폐기물 스트림과 혼합되기 위한 산화제를 유입시키기 위한 적어도 하나의 추가 가스 입구도 포함할 수 있다. 반응로는 또한 연소가능한 연료가 산소, 도시 가스, LPG, 프로판, 메탄, 및/또는 수소를 공급하도록 구성되는 적어도 하나의 추가의 가스 입구에 연결되는 연소가능한 연료 공급기도 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 내측 공간으로 유체를 유입시키는 수단은 가스 유동 챔버의 입구 근처에 위치되는 액체 소용돌이를 포함한다. 액체 소용돌이는 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 중앙 개구를 갖춘 상부 판을 구비한 외측 외피를 포함할 수 있다. 가스 스트림 유동 챔버의 내측 표면과 일반적으로 정렬되는 중앙 개구와 내측 표면을 갖춘 외측 외피 내에는 원추형 배플이 제공될 수 있다. 원추형 배플은 동심의 챔버를 형성하도록 외측 외피의 내측면과 일반적으로 동심으로 정렬될 수 있다. 액체 소용돌이도 동심 챔버의 내측으로 액체를 접선으로 유입시키도록 정렬되는 액체 입구를 포함할 수 있다. 이러한 액체는 동심 챔버가 액체로 채워져 액체가 원추형 배플 위로 넘쳐 흘러 가스 스트림 유동 챔버의 내측 표면 상으로 하향으로 유동하는 원추형 배플의 내측 상에 시이트 유체를 형성하는 소용돌이 운동을 생성한다. 원추형 배플의 내측 표면 상의 시이트 유체는 가스 스트림 유동 챔버의 내측 표면과 유입 가스 스트림이 접촉하는 것을 방지함으로써 상부에 반응 생성물의 퇴적을 방지한다.
몇몇 실시예에서, 내측 다공성 벽은 세라믹, 소결 세라믹, 소결 금속, 다공 성 금속 재료, 다공성 중합체 재료, 유리, 및/또는 이들의 혼합 및/또는 조합물을 포함하는 재료로 제작될 수 있다. 내측 다공성 벽은 다공성 재료 내에 균일하게 분포된 공극을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 공극은 구배를 포함하는 변화하는 밀도로 분포될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 외측 벽 및 내측 다공성 벽은 충분한 거리만큼 분리되어서 내측 다공성 벽을 통과하기 위한 가압 공기를 분포시키기 위한 환형 공간을 제공한다. 반응 챔버는 대기압 보다 낮은 압력에서 작동할 수 있다.
내측 다공성 벽은 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 내측 다공성 벽을 통한 가압 가스의 통행을 위한 복수의 구멍을 포함할 수 있다. 복수의 구멍은 원추형 돌기일 수 있다.
내측 공간의 내측으로 유체를 유입시키는 수단은 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측 면 상에 입자의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 유체의 강력한 방출을 촉진시키기에 적합한 압력으로 압박되는 유체를 유입시키도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 압력은 약 60 내지 약 100 psi 범위일 수 있다. 상기 시스템은 상부 열 반응 챔버 및 하부 반응 챔버를 포함할 수 있다. 상부 열 반응 챔버는 외측 벽, 중앙의 분해 및 변환 챔버를 형성하는 내측 다공성 벽, 유체를 상기 내측 환형 공간으로 유입시키는 수단, 반응 생성물을 형성하도록 가스 폐기물 스트림을 분해 및 변환시키는 열 수단, 및 가스 폐기물 스트림을 상부 열 반응로로 유도하는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구를 포함할 수 있다. 내측 다공성 벽은 내측 환형 공간을 형성하기에 충분한 거리만큼 외측 벽으로부터 위치될 수 있다.
상기 하부 반응 챔버는 중앙의 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 가스 유동 챔버, 및 산화제를 상기 가스 스트림 유동 챔버로 유입시키도록 위치되는 적어도 하나의 산화제 입구를 포함할 수 있다.
폐기물 가스 입구는 중앙의 분해 및 변환 챔버 내에서 종결되는 도관을 포함할 수 있다. 중앙의 분해 및 변환 챔버의 내부에 종결되는 도관의 일부는 불꽃 형성을 위한 튜브 내에 챔버를 형성하도록 도관의 단부를 넘어 돌출하는 튜브 내에 위치될 수 있다. 상기 튜브는 중앙의 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 개방 단부를 가질 수 있다.
하부 반응 챔버는 중앙의 분해 및 변환 챔버와 가스 유동 챔버의 사이에 위치되는 액체 소용돌이를 포함할 수 있다. 액체 소용돌이는 상부 판을 갖춘 외측 외피, 외측 외피 내부의 원추형 배플, 및 액체 입구를 포함할 수 있다. 외측 외피는 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 중앙 개구를 포함할 수 있다. 외측 외피 내의 원추형 배플은 내측면 및 상기 가스 스트림 유동 챔버의 내측면과 일반적으로 정렬되는 중앙 개구를 포함할 수 있다. 원추형 배플은 동심의 챔버를 형성하도록 외측 외피의 내측면과 동심으로 정렬될 수 있다. 액체 입구는 동심 챔버의 내측으로 액체를 접선으로 도입시키도록 정렬될 수 있다. 액체는 동심 챔버가 액체로 채워지도록 유입되어 소용돌이 운동을 생성함으로써 액체가 가스 스트림 유동 챔버의 내측으로 상기 원추형 배플을 상승하여 넘쳐 흐르게 한다. 이와 같이 넘쳐 흐른 액체는 가스 스트림 유동 챔버의 내측면 상으로 하향으로 유동하는 원추형 배플의 내측 면 상에 유체 시이트를 형성한다.
내측 다공성 벽은 내측 환형 공간으로부터 중앙의 분해 및 변환 챔버로 충분한 압력으로 유체를 전달하여 내측 다공성 벽 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키도록 제공될 수 있다. 내측 다공성 벽은 약 20% 미만의 다공도를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 내측 환형 공간으로 유체를 유입시키는 수단은 가압 유체를 환형 공간으로 유입시키도록 구성될 수 있다. 유체 유입 수단은 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기(예를 들어, 대기상의 산소 함량 보다 낮은 산소 함량을 갖는 공기), 불활성 가스(예를 들어, 질소), 고갈 공기 또는 불활성 가스, 및/또는 이들의 혼합물을 유입시키도록 구성될 수 있다. 유체를 내측 공간으로 유입시키기 위한 수단은 이와는 달리 단지 물 또는 단지 공기만을 유입시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 내측 환형 공간으로 유체를 유입시키는 수단은 내측 다공성 벽을 통해 스트림을 분사시키도록 구성될 수 있다. 또한, 내측 환형 공간으로 유체를 유입시키는 수단은 펄싱 조건 하에서 유체를 유입시키도록 구성될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 유체 분배 시스템 또는 내측 환형 공간으로의 유체를 유입시키는 다른 수단은 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기, 불활성 가스, 시약, 산화제 및 고갈 공기 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성될 수 있다. 하나 또는 그 이상의 실시예에서, 유체 분배 시스템 또는 다른 수단이 오존, 과산화 수소 및 암모니아 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성될 수 있다.
저감 시스템은 연소가능한 연료, 반응물, 및/또는 가스 폐기물 스트림과 혼 합을 위한 산화제를 유입시키기 위한 하나 또는 그 이상의 추가의 가스 입구를 더 포함할 수 있다. 저감 시스템은 또한, 적어도 하나의 추가의 가스 입구에 연결되는 연소가능한 연료 공급기를 포함할 수 있다. 연소가능한 연료 공급기는 산소, 부탄, 에탄올, LPG, 도시 가스, 천연 가스, 프로판, 메탄, 수소 및/또는 이들의 혼합물을 공급하도록 구성될 수 있다.
본 발명은 또한, 2단 열 반응로 내에 가스 폐기물 스트림 내의 가스 오염물의 제어된 분해 및 변환을 위한 방법도 포함할 수 있다. 상기 방법은 가스 폐기물 스트림을 적어도 하나의 폐 가스 입구를 통해 상부 열 반응로로 유입시키는 단계; 연료 부화 연소가능한 가스 스트림 혼합물을 형성하도록 가스 폐기물 스트림과 혼합하기 위한 적어도 하나의 연소가능한 연료를 제공하는 단계; 반응 생성물을 형성하도록 분해 및 변환 챔버 내의 연료 부화 연소가능한 가스 스트림 혼합물을 점화하는 단계; 상기 분해 및 변환 챔버의 내측면으로 접근하는 반응 생성물의 힘보다 큰 힘으로 분사되는 추가의 연료를, 연료 부화 연소가능한 가스 스트림 혼합물의 분해 및 변환과 동시에 상기 분해 및 변환 챔버의 다공성 벽을 통해 상기 분해 및 변환 챔버의 내측으로 분사시키는 단계; 상기 반응 생성물을 하부 반응 챔버의 내측으로 유동시키는 단계; 상기 하부 반응 챔버의 내측면의 일부를 따라 물을 유동시키는 단계; 및 상기 반응 생성물을 상기 하부 반응 챔버의 일부를 통해 유동시키는 단계를 포함하며; 상기 유동하는 물은 상기 하부 반응 챔버의 내측면 상의 반응 생성물의 증착을 방지한다.
몇몇 실시예에서, 추가의 연료를 상기 분해 및 변환 챔버의 다공성 벽을 통 해 상기 분해 및 변환 챔버의 내측으로 분사시키는 단계는 추가의 유체를 상기 다공성 벽을 통해 펄스시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 연료 빈화 혼합물을 형성하도록 공기 함유 가스를 상기 반응 생성물의 내측으로 유입시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 하부 반응 챔버의 내측면의 일부를 따라 물을 유동시키는 단계는 물 소용돌이를 사용하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하기 위한 장치도 포함한다. 상기 장치는 중앙 분해 및 변환 챔버를 형성하는 내측 다공성 벽을 갖춘 열 반응 챔버; 상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통하며 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구; 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내부에 위치되며 상기 중앙 분해 및 변환 챔버 내의 상기 가스 폐기물 스트림을 연소시킴으로써 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구; 및 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상의 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 내측 다공성 벽을 에워싸며 상기 외측 벽과 내측 다공성 벽 사이에 내측 공간을 형성하는 외측 벽을 더 포함한다. 상기 유체 분배 시스템은 외측 벽과 내측 다공성 벽 사이의 내측 공간으로 유체를 제공함으로써 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙의 분배 및 변환 챔버로 유체를 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 중앙의 분해 및 변환 챔버는 원통형일 수 있다. 유체 분배 시스템은 물, 공기, 청정 건조 공기, 고갈 공기 및/또는 청정 부화 공기를 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙의 분해 및 변환 챔버로 제공하도록 구성될 수 있다. 유체 분배 시스템은 또한, 유체를 펄싱함으로써 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙의 분해 및 변환 챔버로 유체를 제공하도록 구성될 수도 있다. 펄싱은 주기적이다. 유체 분배 시스템은 약 600 psig 미만의 압력, 몇몇 실시예에서 약 100 psig 미만의 압력에서 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙의 분해 및 변환 챔버로 유체를 제공하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 유체 분배 시스템은 약 50 psig 내지 약 100 psig, 또는 약 5 psig 내지 약 50 psig, 또는 약 1/10 psig 내지 약 5 psig의 압력에서 유체를 제공하도록 구성될 수 있다. 다른 압력 범위도 사용될 수 있다.
유체 분배 시스템은 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측면에 인접한 비 증착 영역을 형성하도록 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로 유체를 제공하도록 구성될 수 있다. 유체 분배 시스템은 또한, 상기 내측 다공성 벽의 외측면의 길이를 따라 유체를 분배하도록 구성되는 복수의 입구를 포함할 수 있다.
상기 내측 다공성 벽은 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로부터 어떤 유체나 반응 생성물의 백-업을 감소시키면서 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유체의 통행을 제공하도록 다공성 형상을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 내측 다공성 벽은 다공성 세라믹을 포함할 수 있다. 상기 벽은 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로부터 어떤 유체나 반응 생성물의 백-업을 감소시키면서 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유체의 통행을 제공하도록 다공성 형상을 가질 수 있다.
상기 열 반응 챔버는 복수의 폐기물 가스 입구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 반응 챔버는 적어도 4 개 또는 6 개의 폐기물 가스 입구를 포함할 수 있다. 상기 입구는 챔버의 측벽 상의 증착을 방지하도록 난류를 유입시키도록 경사 및/또는 지향될 수 있다.
상기 장치는 열 반응 챔버에 연결되는 제 2 반응 챔버를 더 포함한다. 제 2 반응 챔버는 상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 가스 유동 챔버를 포함할 수 있다. 가스 유동 챔버는 가스 유동 챔버를 통해 반응 생성물과 가스 폐기물 스트림을 통행시키기 위한 입구와 출구를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제 2 반응 챔버는 상기 가스 유동 챔버의 내측면 상의 입자형 고체의 증착 및 퇴적을 감소시키도록 가스 유동 챔버의 내측면 상에 유동하는 액체 필름을 생성하도록 구성되는 물 분배 시스템도 포함할 수 있다.
상기 물 분배 시스템은 가스 유동 챔버의 내측면을 냉각시키도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 물 분배 시스템은 냉각수 소용돌이를 생성하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제 2 반응 챔버가 열 반응 챔버의 아래에 위치될 수 있다. 제 2 반응 챔버는 또한 가스 폐기물 스트림으로 산화제를 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 입구를 포함할 수 있다.
본 발명은 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용되는 장치로서 구현될 수 있다. 상기 장치는 상부 반응 챔버 및 하부 반응 챔버를 포함할 수 있다. 상부 반응 챔버는 중앙 분해 및 변환 챔버를 형성하는 내측 다공성 벽; 상기 내측 다공성 벽을 에워싸며 상기 외측 벽과 내측 다공성 벽 사이에 내측 공간을 형성하는 외측 벽; 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되며 상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구; 상기 중앙 분해 및 변환 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내에 있는 가스 폐기물 스트림을 연소시킴으로써 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구; 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측 다공성 벽의 내측면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 분해 및 변환 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 포함할 수 있다.
상기 하부 반응 챔버는 상부 반응 챔버에 연결될 수 있다. 상기 하부 반응 챔버는 상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 가스 유동 챔버를 포함하며, 상기 가스 유동 챔버는 가스 유동 챔버를 통해 가스 폐기물 스트림과 반응 생성물을 통행시키기 위한 입구 및 출구를 가진다. 상기 하부 반응 챔버도 상기 가스 유동 챔버의 내측 면 상의 입자형 고체의 증착 및 퇴적을 감소시키도록 상기 가스 유동 챔버의 내측 면 상에 유동 액체 필름을 생성하도록 구성되는 물 분배 시스템을 포함할 수 있다. 상기 하부 반응 챔버도 상기 가스 폐기물 스트림으로 산화제를 유동시키도록 구성되는 입구를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 열 반응 챔버를 위한 교체가능한 라이너도 포함할 수 있다. 상기 교체가능한 라이너는 세라믹 또는 다른 유사한 재료로 구성되는 다공성 모듈러일 수 있다. 다공성 세라믹 라이너는 반도체 제조 공정으로부터의 가스 폐기물의 분해 및 변환 중에 사용하기 위한 중앙 분해 및 변환 챔버를 형성하는 형상을 가질 수 있다. 상기 다공성 세라믹 라이너 또는 벽은 다공성 세라믹 벽 또는 라이너의 내측면 쪽으로 반응 생성물의 이동을 감소시키도록 상기 중앙 분해 및 변환 챔버 내에서 수행되는 분해 및 변환 공정 중에 다공성 세라믹 벽의 외측으로부터 다공성 세라믹 벽을 통해 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유체의 전달을 가능하게 하는 충분한 다공도를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 다공성 세라믹 벽/라이너는 중앙 분해 및 변환 챔버로부터의 어떤 유체나 반응 생성물의 역류를 감소시키면서 다공성 세라믹 벽에 의해 형성되는 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유체의 통행을 제공하도록 형성된 공극을 포함할 수 있다. 상기 다공성 세라믹 벽은 세라믹, 소결 세라믹, MgAl2O4, Al2O3, SiC, MgO, 및/또는 이들의 어떤 조합을 포함할 수 있다.
본 발명은 이와는 달리 반도체 제조 공정으로부터의 가스 폐기물의 분해 및 변환 중에 사용하기 위한 중앙 분해 및 변환 챔버를 형성하는 형상을 갖는 다공성 재료로 된 벽을 포함할 수 있다. 상기 다공성 재료의 벽은 다공성 재료의 벽의 내측면 쪽으로 반응 생성물의 이동을 감소시키도록 상기 중앙 분해 및 변환 챔버 내에서 수행되는 분해 및 변환 공정 중에 다공성 재료의 벽의 외측으로부터 다공성 재료 벽을 통해 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유체 전달을 가능하게 하는 충분한 다공도를 가질 수 있다. 상기 다공성 재료의 벽은 소결 세라믹, 소결 금속, 다공성 금속 재료, 다공성 중합체 재료, 및/또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 대해 예시적인 실시예와 특징들과 관련하여 전술하였지만, 전술한 실시예와 특징들은 본 발명을 한정하려는 것이 아니며, 다른 변형예, 변경예 및 다른 실시예들이 전술한 설명에 근거하여 본 기술 분야의 당업자들에게 용이하게 제안될 수 있다고 이해해야 한다. 그러므로, 본 발명은 다음의 청구의 범위에 일치되게 폭넓게 구성될 수 있다.

Claims (133)

  1. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로로서,
    중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션들로 형성되는 내측 다공 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 가스 폐기물 스트림을 상기 중앙 챔버로 유입하도록 구성되는 적어도 하나의 가스 입구,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 갖춘 열 반응 유닛을 포함하며,
    상기 적어도 하나의 다공성 섹션들은 다공성 섹션 내에서 변화하는 특성과 상기 내측 다공성 벽의 적어도 다른 하나의 다공성 섹션의 특성과 상이한 특성 중에 하나 또는 그 이상을 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 적어도 8 개의 다공성 세라믹 링으로 형성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 적어도 약 11 개의 다공성 세라믹 링으로 형성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션은 원형, 타원형, 삼각형, 정방형, 장방형, 다각형, 오각형, 육각형, 및 팔각형으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 형상을 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션은 적층 가능한 와셔, 세브론 및 링으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 비 경질 재료를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  7. 제 8 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 이트리아 도프된 알루미늄 섬유를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 열 팽창 등급 계수(CTE)를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 상기 다공성 섹션의 상부로부터 바닥으로 증가하는 CTE를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 상기 다공성 섹션의 내측으로부터 외측으로 증가하는 CTE를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 상기 다공성 섹션 내에서 변화하는 공극 크기, 공극 형상 및 공극 밀도 중의 적어도 하나를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 테이퍼형과 원추형 중의 적어도 하나인 공극을 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 상기 다공성 섹션 내에서 변화하는 조성, 도펀트 형태 및 도펀트 농도 중의 적어도 하나를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 세라믹, 소결 세라믹, 소결 금속, 다공성 금속 재료, 도프된 알루미늄 섬유, 유리 및 다공성 중합체 재료들 중의 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 MgAl2O4, Al2O3, SiC, 및 MgO 중의 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 도프된 세라믹을 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 다공성 섹션들 중의 적어도 하나는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu 중의 하나 또는 그 이상으로 도프된 세라믹을 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  18. 제 1 항에 있어서,
    제 1 다공성 섹션은 제 1 열 팽창 계수(CTE)를 가지며 제 2 다공성 섹션은 제 2 CTE를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 다공성 섹션은 상기 열 반응로 유닛의 입구 근처에 위치되며 상기 제 1 다공성 섹션의 제 1 CTE는 상기 제 2 다공성 섹션의 제 2 CTE 보다 작은,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 다공성 섹션은 상이한 CTE를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 다공성 섹션은 제 1 순도를 가지며 제 2 다공성 섹션은 제 2 순도를 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 다공성 섹션은 상기 열 반응 유닛의 입구 근처에 위치되며 상기 제 1 다공성 섹션의 제 1 순도는 상기 제 2 다공성 섹션의 제 2 순도보다 큰,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  23. 제 1 항에 있어서,
    제 1 다공성 섹션은 제 1 도핑 레벨을 가지며 제 2 다공성 섹션은 제 2 도핑 레벨을 가지는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 다공성 섹션의 CTE, 순도 및 도핑 레벨 중의 적어도 하나는 저감 중의 상기 열 반응 유닛 내의 온도 프로파일에 기초하여 선택되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 다공성 섹션의 CTE, 순도 및 도핑 레벨 중의 적어도 하나는 각각의 다공성 섹션의 팽창이 저감 중에 상기 열 반응 유닛 내에서 거의 동일하도록 선택되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 열 반응로.
  26. 저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품으로서,
    반도체 제조 공정으로부터의 가스 폐기물의 분해 중에 사용하기 위한 중앙 챔버를 형성하는 다공성 벽을 형성하도록 다공성 챔버 섹션이 다른 다공성 챔버 섹션과 적층될 수 있는 복수의 특징을 갖는 적층 및 대체 가능한 다공성 챔버 섹션을 포함하며, 상기 다공성 챔버 섹션은 상기 다공성 챔버 섹션의 내측면 쪽으로 반응 생성물의 이동을 감소시키도록 상기 중앙 챔버 내에서 수행되는 분해 공정 중에 상기 다공성 챔버 섹션의 외측으로부터 상기 다공성 챔버 섹션을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 전달시킬 수 있는 충분한 다공도를 가지며,
    상기 다공성 챔버 섹션은 원형, 타원형, 삼각형, 정방형, 장방형, 다각형, 오각형, 육각형, 및 팔각형으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 형상을 가지며,
    상기 다공성 섹션은 다공성 섹션 내에서 변화하는 특성과 상기 내측 다공성 벽의 적어도 다른 하나의 다공성 섹션의 특성과 상이한 특성 중에 하나 또는 그 이상을 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 제 1 세라믹 서브섹션과 제 2 세라믹 서브섹션으로 형성되는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 1 세라믹 서브섹션은 상기 제 2 세라믹 서브섹션 내에 끼워 맞춰지고 제 2 세라믹 서브섹션에 결합될 수 있는 크기를 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  29. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 세라믹 서브섹션들은 랩 조인트를 형성하도록 함께 끼워 맞춰지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  30. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 열 팽창 등급 계수(CET)를 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 상기 다공성 섹션의 상부로부터 바닥으로 증가하는 CTE를 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 상기 다공성 섹션의 내측으로부터 외측으로 증가하는 CTE를 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  33. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 상기 다공성 섹션 내에서 변화하는 공극 크기, 공극 형상 및 공극 밀도 중의 적어도 하나를 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  34. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 테이퍼형과 원추형 중의 적어도 하나인 공극을 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  35. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 상기 다공성 섹션 내에서 변화하는 조성, 도펀트 형태 및 도펀트 농도 중의 적어도 하나를 가지는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  36. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 세라믹, 소결 세라믹, 소결 금속, 다공성 금속 재료, 도프된 알루미늄 섬유, 유리 및 다공성 중합체 재료들 중의 적어도 하나를 포함하는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  37. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 MgAl2O4, Al2O3, SiC, 및 MgO 중의 적어도 하나를 포함하는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  38. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 도프된 세라믹을 포함하는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu 중의 하나 또는 그 이상으로 도프된 세라믹을 포함하는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  40. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션의 CTE, 순도 및 도핑 레벨 중의 적어도 하나는 저감 중의 상기 중앙 챔버 내의 온도 프로파일에 기초하여 선택되는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  41. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 상기 중앙 챔버 내의 가스가 저감 중에 샘플링될 수 있게 하는 개구를 포함하는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  42. 제 26 항에 있어서,
    상기 다공성 챔버 섹션은 저감 중에 상기 다공성 챔버 섹션 내의 온도를 측정하도록 구성되는 센서를 수용할 수 있는 개구를 포함하는,
    저감 시스템에 사용하는 대체가능한 부품.
  43. 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치로서,
    복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함하며, 제 1 다공성 세라믹 링은 제 1 열 팽창 계수(CTE)를 가지며 제 2 다공성 세라믹 링은 제 2 CTE를 가지는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  44. 제 43 항에 있어서,
    상기 제 1 다공성 세라믹 링은 상기 열 반응 유닛의 입구 근처에 위치되며 상기 제 1 다공성 세라믹 링의 제 1 순도는 상기 제 2 다공성 세라믹 링의 제 2 순도보다 큰,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  45. 제 43 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 적어도 약 11 개의 다공성 세라믹 링으로 형성되는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  46. 제 45 항에 있어서,
    상기 각각의 세라믹 링은 상이한 CTE를 가지는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  47. 제 43 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 11 개 미만의 다공성 세라믹 링으로 형성되는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  48. 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치로서,
    제 1 다공성 세라믹 링이 제 1 순도를 가지며 제 2 다공성 세라믹 링이 제 2 순도를 가지는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함하는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 제 1 다공성 세라믹 링은 상기 열 반응 유닛의 입구 근처에 위치되며 상기 제 1 다공성 세라믹 링의 제 1 순도는 상기 제 2 다공성 세라믹 링의 제 2 순도보다 큰,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  50. 제 48 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 적어도 약 11 개의 다공성 세라믹 링으로 형성되는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  51. 제 48 항에 있어서,
    상기 각각의 세라믹 링은 상이한 순도를 가지는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  52. 가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치로서,
    제 1 다공성 세라믹 링이 제 1 도펀트 레벨을 가지며 제 2 다공성 세라믹 링이 제 2 도펀트 레벨을 가지는 복수의 적층형 다공성 세라믹 링으로 형성되는 열 반응 유닛을 포함하는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  53. 제 52 항에 있어서,
    상기 제 1 다공성 세라믹 링은 상기 열 반응 유닛의 입구 근처에 위치되며 상기 제 1 다공성 세라믹 링의 제 1 도펀트 레벨은 상기 제 2 다공성 세라믹 링의 제 2 도펀트 레벨보다 큰,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  54. 제 52 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 적어도 약 11 개의 다공성 세라믹 링으로 형성되는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  55. 제 52 항에 있어서,
    상기 각각의 세라믹 링은 상이한 도펀트 레벨을 가지는,
    가스 스트림으로부터의 오염물을 제거하는데 사용되는 장치.
  56. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치로서,
    유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과,
    중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는 열 반응 유닛을 포함하며,
    상기 외측 벽 내의 천공은 상기 열 반응 유닛 전체에 걸쳐서 약 0.1 내지 약 5 psi의 압력 강하를 제공하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  57. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치로서,
    유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과,
    중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는 열 반응 유닛을 포함하며,
    상기 유체 분배 시스템은 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기, 불활성 가스, 시약, 산화제 및 고갈 공기 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성되며, 약 600 psi 또는 그 미만의 압력으로 유체 를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  58. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 오존, 과산화수소 및 암모니아 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  59. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 단지 물 또는 단지 공기만을 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  60. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 주기적 펄싱 하에서 유체를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  61. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 약 3 ms 내지 1 초의 펄스 지속 기간을 사용하여 유체를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  62. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 약 100 psig 미만의 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  63. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 약 50 psig 내지 약 100 psig 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  64. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 약 5 psig 내지 약 50 psig 압력에서 유체를 제공 하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  65. 제 57 항에 있어서,
    상기 유체 분배 시스템은 약 1/10 psig 내지 약 5 psig 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  66. 제 57 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 상기 중앙 챔버로 산화제를 유입시키도록 위치되는 적어도 하나의 산화제 입구를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  67. 제 57 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 상기 중앙 챔버로 연소가능한 연료를 유입시키는 적어도 하나의 추가의 가스 입구를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  68. 제 67 항에 있어서,
    상기 연소가능한 연료는 산소, 도시 가스, LPG, 프로판, 메탄, 수소, 부탄, 에탄올, 13A 및 천연 가스 중의 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  69. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법으로서,
    유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과,
    중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지며,
    상기 외측 벽 내의 천공이 상기 열 반응 유닛 전체에 걸쳐서 약 0.1 내지 약 5 psi의 압력 강하를 제공하는, 열 반응 유닛을 제공하는 단계; 및
    상기 반도체 장치 제조 공정을 저감시키도록 상기 열 반응 유닛을 사용하는 단계를 포함하는;
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  70. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법으로서,
    유체를 통행시키도록 구성되는 복수의 천공을 가지는 외측 벽과,
    중앙 챔버를 형성하며 복수의 적층형 다공성 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 상기 중앙 챔버로 가스 폐기물 스트림을 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 외측 벽의 천공을 통해 유체를 제공하고 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지며,
    상기 유체 분배 시스템이 물, 스트림, 공기, 청정 건조 공기, 청정 부화 공기, 산소 부화 공기, 산소 고갈 공기, 불활성 가스, 시약, 산화제 및 고갈 공기 중 의 적어도 하나를 제공하도록 구성되며, 약 600 psi 또는 그 미만의 압력으로 유체를 제공하도록 구성되는, 열 반응 유닛을 제공하는 단계; 및
    상기 반도체 장치 제조 공정을 저감시키도록 상기 열 반응 유닛을 사용하는 단계를 포함하는;
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  71. 제 70 항에 있어서,
    저감 중에 오존, 과산화수소 및 암모니아 중의 적어도 하나를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  72. 제 70 항에 있어서,
    저감 중에 단지 물 또는 단지 공기만을 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  73. 제 70 항에 있어서,
    저감 중에 주기적 펄싱 하에서 유체를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  74. 제 73 항에 있어서,
    약 3 ms 내지 1 초의 펄스 지속 기간을 사용하여 유체를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는 ,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  75. 제 70 항에 있어서,
    약 100 psig 미만의 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  76. 제 70 항에 있어서,
    약 50 psig 내지 약 100 psig 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  77. 제 70 항에 있어서,
    약 5 psig 내지 약 50 psig 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  78. 제 70 항에 있어서,
    약 1/10 psig 내지 약 5 psig 압력에서 유체를 제공하도록 구성되는 상기 유체 분배 시스템을 사용하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  79. 제 70 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 상기 중앙 챔버로 산화제를 유입시키도록 위치되는 적어도 하나의 산화제 입구를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  80. 제 70 항에 있어서,
    상기 열 반응 유닛은 상기 중앙 챔버로 연소가능한 연료를 유입시키는 적어도 하나의 추가의 가스 입구를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  81. 제 70 항에 있어서,
    산소, 도시 가스, LPG, 프로판, 메탄, 수소, 부탄, 에탄올, 13A 및 천연 가스 중의 적어도 하나를 저감 중에 상기 중앙 챔버로 유입시키는 단계를 더 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 방법.
  82. 전자 장치 제조용 시스템으로서,
    복수의 처리 툴과,
    상기 처리 툴로부터의 오염물을 저감시키며 복수의 입구 포트를 가지는 저감 시스템과, 및
    상기 복수의 처리 툴의 오염물 출구 포트를 상기 저감 시스템의 복수의 입구 포트에 연결하는 매니폴드를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  83. 제 82 항에 있어서,
    상기 저감 시스템은 열 반응 챔버와 퀀칭 유닛 중의 적어도 하나를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  84. 제 82 항에 있어서,
    상기 저감 시스템의 복수의 입구 포트는 적어도 하나의 제 1 입구 포트와 적어도 하나의 제 2 입구 포트를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  85. 제 84 항에 있어서,
    상기 제 1 입구 포트는 상기 매니폴드를 경유하여 제 1 처리 툴에 연결되며 상기 제 2 입구 포트는 상기 매니폴드를 경유하여 제 1 처리 툴에 연결되는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  86. 전자 장치 제조용 시스템으로서,
    처리 툴과,
    상기 처리 툴로부터의 오염물을 저감시키며 복수의 입구 포트를 가지는 복수의 챔버를 포함하는 저감 시스템과, 및
    상기 처리 툴의 오염물 출구 포트를 상기 저감 시스템의 복수의 입구 포트에 연결하는 매니폴드를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  87. 제 86 항에 있어서,
    상기 저감 시스템의 챔버는 열 반응 챔버와 퀀칭 유닛 중의 적어도 하나를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  88. 제 86 항에 있어서,
    상기 각각의 챔버의 복수의 입구 포트는 적어도 하나의 1차 입구 포트와 적어도 하나의 백-업 입구 포트를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  89. 제 88 항에 있어서,
    상기 백-업 입구 포트는 매니폴드에 연결되며 이용하지 않는 챔버로부터 재지향된 오염물을 수용하는데 이용가능한,
    전자 장치 제조용 시스템.
  90. 전자 장치 제조용 시스템으로서,
    복수의 처리 툴과,
    상기 처리 툴로부터의 오염물을 저감시키며 복수의 입구 포트를 가지는 복수의 챔버를 포함하는 저감 시스템과, 및
    상기 복수의 처리 툴의 오염물 출구 포트를 상기 저감 시스템의 챔버의 복수의 입구 포트에 연결하는 매니폴드를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  91. 제 90 항에 있어서,
    상기 저감 시스템의 챔버는 열 반응 챔버와 퀀칭 유닛 중의 적어도 하나를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  92. 제 90 항에 있어서,
    상기 매니폴드는 복수의 처리 툴로부터의 오염물을 상기 저감 시스템의 챔버들 사이로 분배하도록 구성되는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  93. 제 92 항에 있어서,
    상기 매니폴드는 상기 경감 시스템의 챔버들 사이의 오염물을 흡착하도록 구성되는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  94. 제 92 항에 있어서,
    상기 매니폴드는 상기 개별 챔버들의 이용가능성에 기초하여 상기 저감 시스템의 챔버로 오염물을 지향시키도록 구성되는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  95. 제 92 항에 있어서,
    상기 매니폴드는 상기 개별 챔버에 관한 상황 정보를 수용하며 상기 상황 정보에 기초하여 상기 저감 시스템의 챔버로 오염물을 지향시키도록 구성되는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  96. 제 95 항에 있어서,
    상기 챔버는 개별적으로 저감 성능을 가지며 집단적으로 전체 저감 성능을 가지며, 상기 처리 툴은 개별적으로 오염물 출력 부하를 생성하며 집단적으로 전체 오염물 출력 부하를 생성하며, 상기 전체 저감 성능은 전체 오염물 출력 부하를 초과하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  97. 제 96 항에 있어서,
    상기 챔버 보조 세트의 조합된 저감 성능은 상기 전체 오염물 출력 부하를 초과하여 챔버가 이용될 수 없는 경우에 상기 매니폴드는 상기 챔버 보조 세트의 조합된 저감 성능을 초과하는 전체 오염물 출력 부하 없이 이용하지 않는 챔버를 제외한 챔버 보조 세트로 상기 처리 툴로부터의 오염물을 지향시키는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  98. 제 90 항에 있어서,
    상기 각각의 챔버의 복수의 입구 포트는 적어도 하나의 1차 입구 포트와 적어도 하나의 백-업 입구 포트를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  99. 제 98 항에 있어서,
    상기 백-업 입구 포트는 매니폴드에 연결되며 이용하지 않는 챔버로부터 재지향된 오염물을 수용하는데 이용가능한,
    전자 장치 제조용 시스템.
  100. 제 90 항에 있어서,
    상기 복수의 처리 툴 각각은 상기 챔버 중의 적어도 하나와 관련되어 있으며,
    상기 복수의 챔버의 적어도 하나는 백-업 챔버가 상기 처리 툴의 어느 하나와 관련되어 있지 않은 경우에 지정되며,
    상기 백-업 챔버는 처리 툴과 관련된 챔버 중의 하나가 이용되지 않는 경우에만 오염물을 상기 백-업 챔버로 지향시키도록 구성되는 매니폴드를 경유하여 상기 처리 툴의 각각에 연결되는 복수의 입구 포트를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  101. 제 90 항에 있어서,
    상기 저감 시스템은 가스 폐기물 스트림 내의 가스 오염물을 분해 및 변환시키는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  102. 제 101 항에 있어서,
    상기 저감 시스템의 상기 챔버는 상부 열 반응 챔버와 하부 열 반응 챔버를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  103. 제 102 항에 있어서,
    상기 상부 열 반응 챔버는,
    외측 외벽과,
    중앙 분해 및 변환 챔버를 형성하는 내측 다공성 벽과,
    하나 또는 그 이상의 유체를 상기 중앙 분해 및 변환 챔버의 내측으로 유입시키는 유체 입구와,
    반응 생성물을 형성하도록 상기 가스 폐기물 스트림을 분해 및 변환시키는 열 수단, 및
    상기 가스 폐기물 스트림을 상기 상부 열 반응 챔버의 내측으로 유도하는 폐기물 가스 입구를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  104. 제 103 항에 있어서,
    상기 내측 다공성 벽은 내측 환형 공간을 형성하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  105. 제 103 항에 있어서,
    상기 하부 반응 챔버는,
    상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 가스 스트림 유동 챔버와,
    상기 가스 스트림 유동 챔버로 산화제를 유입시키도록 배열되는 적어도 하나 의 산화제 입구를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  106. 제 105 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 분해 및 변환 챔버 내에서 종결되는 도관을 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  107. 제 106 항에 있어서,
    상기 도관의 일부분은 불꽃 형성을 위한 튜브 내에 챔버를 형성하도록 상기 도관의 단부를 넘어 돌출하는 튜브 내에 위치되는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  108. 제 107 항에 있어서,
    상기 튜브는 상기 중앙 분해 및 변환 챔버와 유체 연통되는 개방 단부를 포함하는,
    전자 장치 제조용 시스템.
  109. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치로서,
    복수의 폐기물 스트림 입구 포트를 각각 포함하는 복수의 챔버, 및
    상기 챔버의 복수의 폐기물 스트림 입구 포트에 복수의 처리 툴의 오염물 출구 포트를 선택적으로 연결하는 매니폴드를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  110. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치로서,
    중앙 챔버를 형성하며, 적어도 하나가 상기 중앙 챔버의 내용물 특성을 감지할 수 있도록 구성되는 복수의 적층형 세라믹 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 가스 폐기물 스트림을 상기 중앙 챔버로 유입시키도록 구성되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는, 열 반응 유닛을 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  111. 제 110 항에 있어서,
    하나 또는 그 이상의 상기 적층형 세라믹 섹션은 하나 또는 그 이상의 센서의 사용을 촉진시키도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  112. 제 111 항에 있어서,
    하나 또는 그 이상의 상기 복수의 적층형 세라믹 섹션은 하나 또는 그 이상의 센서를 위한 공간을 제공하는 공동을 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  113. 제 112 항에 있어서,
    상기 공동은 적층형 세라믹 섹션 내에 배열되며 온도 센서를 포함하는 것에 적합한,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  114. 제 113 항에 있어서,
    상기 온도 센서는 상기 온도 센서로부터의 출력에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 열 반응 유닛의 작동을 제어하도록 구성되는 제어기에 연결되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  115. 제 110 항에 있어서,
    하나 또는 그 이상의 상기 복수의 적층형 세라믹 섹션은 하나 또는 그 이상의 센서를 위한 공간을 제공하는 관통 구멍을 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  116. 제 115 항에 있어서,
    상기 관통 구멍은 적어도 하나의 NOX 센서, 압력 센서, 온도 센서, 유동 센서, 및 방사선 센서를 포함하는 것에 적합하도록 배열되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  117. 제 116 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 센서로부터의 출력에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 열 반응 유닛의 작동을 제어하도록 구성되는 제어기에 결합되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  118. 제 117 항에 있어서,
    상기 제어기는 센서에 의해 생성된 피이드백 신호에 기초하여 상기 열 반응 유닛과 관련된 처리 변수를 조절하도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  119. 제 118 항에 있어서,
    상기 처리 변수는 유동률, 온도 및 가스 농도 중의 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  120. 제 111 항에 있어서,
    하나 또는 그 이상의 상기 복수의 적층형 세라믹 섹션은 상기 열 반응 유닛으로부터 샘플이 추출될 수 있도록 구성되는 포트를 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  121. 제 120 항에 있어서,
    상기 포트는 열 반응 유닛 내의 가스가 수집을 위해 상기 세라믹 섹션을 통해 유출될 수 있도록 구성되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  122. 반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치로서,
    중앙 챔버를 형성하며, 복수의 적층형 세라믹 섹션으로 형성되는 내측 다공성 벽과,
    상기 중앙 챔버와 유체 연통되며 가스 폐기물 스트림을 상기 중앙 챔버로 유입시키도록 구성되며 상기 가스 폐기물 스트림을 상기 챔버의 다공성 벽으로부터 멀리 이격시키도록 배열되는 적어도 하나의 폐기물 가스 입구와,
    상기 중앙 챔버 내에 위치되며 상기 중앙 챔버 내의 가스 폐기물 스트림을 분해하여 반응 생성물을 형성하도록 구성되는 열 기구, 및
    상기 중앙 챔버의 내측 다공성 벽의 내측 면 상에 반응 생성물의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내측 다공성 벽을 통해 상기 중앙 챔버로 유체를 제공하도록 구성되는 유체 분배 시스템을 가지는, 열 반응 유닛을 포함하는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  123. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버의 중심 쪽으로 경사져 있는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  124. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버 내의 중앙 반응 영역 쪽으로 경사져 있는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  125. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버 내에 난류 연소 영역을 형성하도록 배열되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  126. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버 내에 소용돌이 연소 영역을 형성하도록 배열되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  127. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버의 중앙 쪽으로 대략 2 내지 대략 45 도 범위 내에서 수직선으로부터 경사져 있는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  128. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버 내에 폐기물 가스의 나선형 와류를 형성하도록 배열되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  129. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구는 상기 중앙 챔버 내에서의 폐기물 가스의 잔류 시간을 최대화하도록 배열되는,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  130. 제 122 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구의 각도는 조절가능한,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  131. 제 130 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구의 각도는 상기 중앙 챔버 내에서의 폐기물 가스의 소정 잔류 시간에 기초하여 조절가능한,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  132. 제 130 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구의 각도는 상기 폐기물 가스의 조성에 기초하여 조절가능한,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
  133. 제 130 항에 있어서,
    상기 폐기물 가스 입구의 각도는 상기 중앙 챔버의 온도에 기초하여 조절가능한,
    반도체 제조 공정의 저감 중에 사용하는 장치.
KR1020087013127A 2005-10-31 2006-10-30 공정 저감 반응로 KR101036734B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US73171905P 2005-10-31 2005-10-31
US60/731,719 2005-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080074923A true KR20080074923A (ko) 2008-08-13
KR101036734B1 KR101036734B1 (ko) 2011-05-24

Family

ID=38006466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087013127A KR101036734B1 (ko) 2005-10-31 2006-10-30 공정 저감 반응로

Country Status (7)

Country Link
US (4) US20070169889A1 (ko)
EP (1) EP1954926A2 (ko)
JP (2) JP5102217B2 (ko)
KR (1) KR101036734B1 (ko)
CN (1) CN101300411B (ko)
TW (1) TWI336633B (ko)
WO (1) WO2007053626A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160003670A (ko) * 2013-04-25 2016-01-11 에드워즈 리미티드 방사 버너
KR20160030945A (ko) * 2013-07-17 2016-03-21 에드워즈 리미티드 헤드 조립체
KR20200027965A (ko) * 2017-07-07 2020-03-13 에스아이더블유 엔지니어링 피티이. 엘티디. 가스 오염물의 분해 및 산화를 위한 장치 및 시스템

Families Citing this family (300)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569193B2 (en) * 2003-12-19 2009-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
US7771514B1 (en) * 2004-02-03 2010-08-10 Airgard, Inc. Apparatus and method for providing heated effluent gases to a scrubber
US7736599B2 (en) 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
CN101300411B (zh) 2005-10-31 2012-10-03 应用材料公司 制程减降反应器
US20070256704A1 (en) 2006-03-16 2007-11-08 Peter Porshnev Method and apparatus for improved operation of an abatement system
US7611684B2 (en) * 2006-08-09 2009-11-03 Airgard, Inc. Effluent gas scrubber and method of scrubbing effluent gasses
WO2008024461A2 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for operating and monitoring abatement systems
WO2008147524A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for efficient operation of an abatement system
US20090018688A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Methods and systems for designing and validating operation of abatement systems
US8469686B2 (en) * 2007-07-25 2013-06-25 Oerlikon Textile Components Gmbh Apparatus for treating a multifilament thread
JP2011501102A (ja) * 2007-10-26 2011-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良された燃料回路を使用した高性能な除害の方法及び装置
US20090149996A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Applied Materials, Inc. Multiple inlet abatement system
US7854792B2 (en) * 2008-09-17 2010-12-21 Airgard, Inc. Reactive gas control
US20100119984A1 (en) * 2008-11-10 2010-05-13 Fox Allen G Abatement system
US8986002B2 (en) * 2009-02-26 2015-03-24 8 Rivers Capital, Llc Apparatus for combusting a fuel at high pressure and high temperature, and associated system
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20120028201A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 General Electric Company Subsurface heater
DE102010041091B4 (de) * 2010-09-21 2012-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Fluid-Direkt-Kühlung der inneren Reaktionsraumwand eines Flugstromvergasers mit Kaltgasraum
DE102011007806B4 (de) * 2011-04-20 2012-11-15 Siemens Aktiengesellschaft Reaktor zur Vergasung aschefreier und aschearmer Brennstoffe mit einem Kaltgasraum
DE102011007808B3 (de) * 2011-04-20 2012-09-20 Siemens Aktiengesellschaft Reaktor zur Vergasung aschefreier und aschearmer Brennstoffe mit mehreren Kalträumen
SE536161C2 (sv) * 2011-06-17 2013-06-04 Chemrec Ab Reaktor med eftergivlig struktur för förgasning av förgasningsråvara
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
DE102011080533A1 (de) * 2011-08-05 2013-02-07 Bayer Technology Services Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Halogen-Siliziumorganischen Verbindungen aus Abgasen
GB2493750A (en) * 2011-08-17 2013-02-20 Edwards Ltd Apparatus for treating a gas stream
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2013086217A1 (en) 2011-12-06 2013-06-13 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
JP5466732B2 (ja) * 2012-06-21 2014-04-09 月島機械株式会社 反応凝集粒子の製造方法、リチウムイオン電池用正極活物質の製造方法、リチウムイオン電池の製造方法及び反応凝集粒子の製造装置
GB2504335A (en) * 2012-07-26 2014-01-29 Edwards Ltd Radiant burner for the combustion of manufacturing effluent gases.
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR101278178B1 (ko) * 2012-10-15 2013-07-05 씨에스케이(주) 스크러버용 버너
WO2014113179A1 (en) * 2013-01-16 2014-07-24 Applied Materials, Inc Quartz upper and lower domes
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20140262033A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Gas sleeve for foreline plasma abatement system
US9023303B2 (en) * 2013-04-15 2015-05-05 Airgard, Inc. Extended or multiple reaction zones in scrubbing apparatus
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6310765B2 (ja) * 2014-05-12 2018-04-11 日本パイオニクス株式会社 排ガスの燃焼式浄化装置
CN105090999B (zh) * 2014-05-12 2018-11-20 日本派欧尼株式会社 废气的燃烧式净化装置
JP6258797B2 (ja) * 2014-06-27 2018-01-10 日本パイオニクス株式会社 排ガスの燃焼式浄化装置
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
GB2533293A (en) * 2014-12-15 2016-06-22 Edwards Ltd Inlet assembly
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN106211790B (zh) * 2015-03-26 2018-06-22 韩国能源技术研究院 用于难分解性有害气体焚烧处理的节能型燃烧装置及其方法
GB201505447D0 (en) * 2015-03-30 2015-05-13 Edwards Ltd Radiant burner
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9746397B2 (en) * 2015-07-20 2017-08-29 Cooper Environmental Services Llc Sample fluid stream probe gas sheet nozzle
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN115093008B (zh) 2015-12-21 2024-05-14 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6698871B2 (ja) * 2016-04-15 2020-05-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 酸素プラズマ洗浄サイクルの使用によるプラズマ軽減固形物回避
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6951785B2 (ja) * 2017-01-06 2021-10-20 アルゼタ コーポレイションＡｌｚｅｔａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 改良された排ガス削減のためのシステムおよび方法
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
CN114797403A (zh) 2017-02-09 2022-07-29 应用材料公司 利用水蒸气和氧试剂的等离子体减量技术
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
AU2018229962B2 (en) 2017-03-07 2023-02-16 8 Rivers Capital, Llc System and method for combustion of solid fuels and derivatives thereof
BR112019018466A2 (pt) 2017-03-07 2020-04-14 8 Rivers Capital Llc sistema e método para a operação de um combustor de combustível flexível para uma turbina de gás
GB2560916B (en) * 2017-03-27 2020-01-01 Edwards Ltd Nozzle for an abatement device
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
GB2561190A (en) 2017-04-04 2018-10-10 Edwards Ltd Purge gas feeding means, abatement systems and methods of modifying abatement systems
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP7458370B2 (ja) 2018-07-23 2024-03-29 ８ リバーズ キャピタル，エルエルシー 無炎燃焼による発電のためのシステムおよび方法
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
GB2579197B (en) * 2018-11-22 2021-06-09 Edwards Ltd Abatement method
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
KR102099599B1 (ko) * 2019-09-26 2020-04-14 (주)상원기계 산업용 하이브리드 방식 모듈형 VOCs 처리장치
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
CN111412481B (zh) * 2020-03-19 2023-01-10 长江存储科技有限责任公司 废气处理装置
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
GB2599898A (en) * 2020-10-07 2022-04-20 Edwards Ltd Burner Liner
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112915718B (zh) * 2021-01-25 2022-05-17 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 半导体制程废气处理设备
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
EP4113008A1 (de) * 2021-07-01 2023-01-04 Siemens Energy Global GmbH & Co. KG Wasserstoffbefeuertes brennkammersystem, verfahren und anlage
GB2608820A (en) * 2021-07-13 2023-01-18 Edwards Ltd Inlet assembly
GB2609436A (en) * 2021-07-30 2023-02-08 Edwards Ltd Inlet head assembly
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
BE1030332B1 (nl) * 2022-03-11 2023-10-09 D Crbn Bv Reactor en gebruik van een reactor voor het omzetten van chemische verbindingen in materialen, gassen of energie
GB2625846A (en) * 2022-12-27 2024-07-03 Csk Inc Scrubber burner
US12005389B1 (en) 2023-10-02 2024-06-11 Globalfoundries U.S. Inc. Retrofittable dry media abatement reactor

Family Cites Families (233)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2819151A (en) * 1954-03-02 1958-01-07 Flemmert Gosta Lennart Process for burning silicon fluorides to form silica
BE609721A (fr) 1960-11-03 1962-02-15 Goesta Lennart Flemmert Méthode de récupération du bioxyde de silicium finement divisé obtenu en faisant réagir en phase gazeuse des composés de silicium et de fluor avec de l'eau
US3185846A (en) * 1961-05-16 1965-05-25 Bailey Meter Co Ultra-violet radiation flame monitor
US3181846A (en) * 1963-04-05 1965-05-04 United States Steel Corp Method and apparatus for open coil annealing
DE1221755B (de) 1963-12-19 1966-07-28 Appbau Eugen Schrag Kommanditg Steuer- und Sicherheitsvorrichtung fuer Gas- oder OElfeuerung
BE756604A (fr) 1969-09-26 1971-03-01 Electronics Corp America Dispositif analyseur, notamment pour la regulation d'une combustion
US3983021A (en) 1971-06-09 1976-09-28 Monsanto Company Nitrogen oxide decomposition process
US3698696A (en) 1971-06-14 1972-10-17 Standard Int Corp Combustion mixture control system for calenders
US3969485A (en) 1971-10-28 1976-07-13 Flemmert Goesta Lennart Process for converting silicon-and-fluorine-containing waste gases into silicon dioxide and hydrogen fluoride
NO131825C (ko) * 1972-03-22 1975-08-13 Elkem Spigerverket As
US3845191A (en) 1972-06-02 1974-10-29 Du Pont Method of removing halocarbons from gases
US3898040A (en) 1972-06-29 1975-08-05 Universal Oil Prod Co Recuperative form of thermal-catalytic incinerator
US3949057A (en) * 1973-01-29 1976-04-06 Croll-Reynolds Company, Inc. Air pollution control of oxides of nitrogen
JPS5643771B2 (ko) * 1973-12-18 1981-10-15
US3969482A (en) 1974-04-25 1976-07-13 Teller Environmental Systems, Inc. Abatement of high concentrations of acid gas emissions
US4059386A (en) 1976-01-21 1977-11-22 A. O. Smith Corporation Combustion heating apparatus to improve operation of gas pilot burners
US4083607A (en) * 1976-05-05 1978-04-11 Mott Lambert H Gas transport system for powders
US4206189A (en) * 1977-01-04 1980-06-03 Belov Viktor Y Method of producing hydrogen fluoride and silicon dioxide from silicon tetra-fluoride
NL7704399A (nl) 1977-04-22 1978-10-24 Shell Int Research Werkwijze en reactor voor de partiele ver- branding van koolpoeder.
US4154141A (en) * 1977-05-17 1979-05-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Ultrafast, linearly-deflagration ignition system
US4296079A (en) 1978-02-10 1981-10-20 Vinings Chemical Company Method of manufacturing aluminum sulfate from flue gas
US4236464A (en) 1978-03-06 1980-12-02 Aerojet-General Corporation Incineration of noxious materials
DE2932129A1 (de) 1978-08-25 1980-02-28 Satronic Ag Flammenwaechter an oel- oder gasbrennern
US4238460A (en) 1979-02-02 1980-12-09 United States Steel Corporation Waste gas purification systems and methods
US4243372A (en) * 1979-02-05 1981-01-06 Electronics Corporation Of America Burner control system
US4519999A (en) * 1980-03-31 1985-05-28 Union Carbide Corporation Waste treatment in silicon production operations
CH649274A5 (de) 1980-10-14 1985-05-15 Maerz Ofenbau Kalzinierofen zum brennen von kalkstein und aehnlichen mineralischen rohstoffen.
US4374649A (en) * 1981-02-12 1983-02-22 Burns & Roe, Inc. Flame arrestor
US4479443A (en) 1982-03-08 1984-10-30 Inge Faldt Method and apparatus for thermal decomposition of stable compounds
US4479809A (en) 1982-12-13 1984-10-30 Texaco Inc. Apparatus for gasifying coal including a slag trap
US4483672A (en) 1983-01-19 1984-11-20 Essex Group, Inc. Gas burner control system
US4584001A (en) * 1983-08-09 1986-04-22 Vbm Corporation Modular oxygen generator
US4541995A (en) 1983-10-17 1985-09-17 W. R. Grace & Co. Process for utilizing doubly promoted catalyst with high geometric surface area
US4788036A (en) 1983-12-29 1988-11-29 Inco Alloys International, Inc. Corrosion resistant high-strength nickel-base alloy
CA1225441A (en) * 1984-01-23 1987-08-11 Edward S. Fox Plasma pyrolysis waste destruction
US4555389A (en) 1984-04-27 1985-11-26 Toyo Sanso Co., Ltd. Method of and apparatus for burning exhaust gases containing gaseous silane
US5137701A (en) 1984-09-17 1992-08-11 Mundt Randall S Apparatus and method for eliminating unwanted materials from a gas flow line
JPS61204022A (ja) * 1985-02-12 1986-09-10 Taiyo Sanso Kk ガス中の酸分の除去方法及び装置
DE3539127C1 (de) * 1985-11-05 1987-01-02 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung eines Traegerkatalysators
US4801437A (en) * 1985-12-04 1989-01-31 Japan Oxygen Co., Ltd. Process for treating combustible exhaust gases containing silane and the like
US4661056A (en) * 1986-03-14 1987-04-28 American Hoechst Corporation Turbulent incineration of combustible materials supplied in low pressure laminar flow
US4941957A (en) 1986-10-22 1990-07-17 Ultrox International Decomposition of volatile ogranic halogenated compounds contained in gases and aqueous solutions
DE3751094D1 (de) 1986-11-27 1995-03-30 Suppan Friedrich Verfahren und Anlage zur Energiegewinnung aus giftigen Abfallstoffen bei deren gleichzeitiger Entsorgung.
US5364604A (en) 1987-03-02 1994-11-15 Turbotak Technologies Inc. Solute gas-absorbing procedure
FR2616884B1 (fr) 1987-06-19 1991-05-10 Air Liquide Procede de traitement d'effluents gazeux provenant de la fabrication de composants electroniques et appareil d'incineration pour sa mise en oeuvre
US4908191A (en) * 1987-07-21 1990-03-13 Ethyl Corporation Removing arsine from gaseous streams
US4834020A (en) * 1987-12-04 1989-05-30 Watkins-Johnson Company Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus
US5009869A (en) * 1987-12-28 1991-04-23 Electrocinerator Technologies, Inc. Methods for purification of air
US5251654A (en) 1988-04-07 1993-10-12 David Palmer Flow regulator adaptable for use with exhaust from a process chamber
US5320124A (en) * 1988-04-07 1994-06-14 Palmer David W Regulator adaptable for maintaining a constant partial vacuum in a remote region
US5000221A (en) * 1989-09-11 1991-03-19 Palmer David W Flow control system
US5456280A (en) 1988-04-07 1995-10-10 Palmer; David W. Process-chamber flow control system
US5255710A (en) 1988-04-07 1993-10-26 David Palmer Process-chamber flow control system
US5255709A (en) 1988-04-07 1993-10-26 David Palmer Flow regulator adaptable for use with process-chamber air filter
US5220940A (en) * 1988-04-07 1993-06-22 David Palmer Flow control valve with venturi
US5450873A (en) 1988-04-07 1995-09-19 Palmer; David W. System for controlling flow through a process region
US4954320A (en) 1988-04-22 1990-09-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Reactive bed plasma air purification
US4975098A (en) 1988-05-31 1990-12-04 Lee John H S Low pressure drop detonation arrestor for pipelines
US5417934A (en) * 1988-06-04 1995-05-23 Boc Limited Dry exhaust gas conditioning
GB8813270D0 (en) * 1988-06-04 1988-07-06 Plasma Products Ltd Dry exhaust gas conditioning
US5123836A (en) * 1988-07-29 1992-06-23 Chiyoda Corporation Method for the combustion treatment of toxic gas-containing waste gas
DD274830A1 (de) * 1988-08-12 1990-01-03 Elektromat Veb Vorrichtung zur gasphasenbearbeitung von scheibenfoermigen werkstuecken
DE3841847C1 (ko) * 1988-12-13 1990-02-01 Man Technologie Ag, 8000 Muenchen, De
EP0382984A1 (en) * 1989-02-13 1990-08-22 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Thermal decomposition trap
US5199856A (en) * 1989-03-01 1993-04-06 Massachusetts Institute Of Technology Passive structural and aerodynamic control of compressor surge
US4966611A (en) 1989-03-22 1990-10-30 Custom Engineered Materials Inc. Removal and destruction of volatile organic compounds from gas streams
US5183646A (en) * 1989-04-12 1993-02-02 Custom Engineered Materials, Inc. Incinerator for complete oxidation of impurities in a gas stream
US5176897A (en) * 1989-05-01 1993-01-05 Allied-Signal Inc. Catalytic destruction of organohalogen compounds
US4986838A (en) * 1989-06-14 1991-01-22 Airgard, Inc. Inlet system for gas scrubber
US5206003A (en) * 1989-07-07 1993-04-27 Ngk Insulators, Ltd. Method of decomposing flow
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
JPH0649086B2 (ja) 1989-08-05 1994-06-29 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 塩弗化アルカンの接触分解法
US5160707A (en) 1989-08-25 1992-11-03 Washington Suburban Sanitary Commission Methods of and apparatus for removing odors from process airstreams
US5207836A (en) * 1989-08-25 1993-05-04 Applied Materials, Inc. Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus
US5045288A (en) 1989-09-15 1991-09-03 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University Gas-solid photocatalytic oxidation of environmental pollutants
US5011520A (en) * 1989-12-15 1991-04-30 Vector Technical Group, Inc. Hydrodynamic fume scrubber
US5077525A (en) 1990-01-24 1991-12-31 Rosemount Inc. Electrodeless conductivity sensor with inflatable surface
US5045511A (en) 1990-02-26 1991-09-03 Alusuisse-Lonza Services, Ltd. Ceramic bodies formed from yttria stabilized zirconia-alumina
US5113789A (en) * 1990-04-24 1992-05-19 Watkins Johnson Company Self cleaning flow control orifice
US5136975A (en) 1990-06-21 1992-08-11 Watkins-Johnson Company Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface
US5840897A (en) 1990-07-06 1998-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for chemical vapor deposition
US6110529A (en) 1990-07-06 2000-08-29 Advanced Tech Materials Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US5453494A (en) 1990-07-06 1995-09-26 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for MOCVD
JPH0663357A (ja) 1990-10-26 1994-03-08 Tosoh Corp 有機ハロゲン化合物を含む排ガスの処理装置
GB2251551B (en) 1991-01-10 1994-08-31 Graviner Ltd Kidde Detonation suppression and fire extinguishing
US5118286A (en) * 1991-01-17 1992-06-02 Amtech Systems Closed loop method and apparatus for preventing exhausted reactant gas from mixing with ambient air and enhancing repeatability of reaction gas results on wafers
DE4102969C1 (ko) 1991-02-01 1992-10-08 Cs Halbleiter- Und Solartechnologie Gmbh, 8000 Muenchen, De
US5122391A (en) * 1991-03-13 1992-06-16 Watkins-Johnson Company Method for producing highly conductive and transparent films of tin and fluorine doped indium oxide by APCVD
US5147421A (en) 1991-07-12 1992-09-15 Calvert Environmental, Inc. Wet scrubber particle discharge system and method of using the same
US5371828A (en) 1991-08-28 1994-12-06 Mks Instruments, Inc. System for delivering and vaporizing liquid at a continuous and constant volumetric rate and pressure
US5211729A (en) * 1991-08-30 1993-05-18 Sematech, Inc. Baffle/settling chamber for a chemical vapor deposition equipment
US5378444A (en) * 1991-12-11 1995-01-03 Japan Pionics Co., Ltd. Process for cleaning harmful gas
DE4202158C1 (ko) * 1992-01-27 1993-07-22 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5280664A (en) * 1992-03-20 1994-01-25 Lin Mary D Disposable household cleaning devices
US5271908A (en) 1992-04-07 1993-12-21 Intel Corporation Pyrophoric gas neutralization chamber
US5252007A (en) 1992-05-04 1993-10-12 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Apparatus for facilitating solids transport in a pneumatic conveying line and associated method
US5510066A (en) * 1992-08-14 1996-04-23 Guild Associates, Inc. Method for free-formation of a free-standing, three-dimensional body
US5393394A (en) * 1992-08-18 1995-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for decomposing organic halogen-containing compound
US5417948A (en) 1992-11-09 1995-05-23 Japan Pionics Co., Ltd. Process for cleaning harmful gas
EP0673492A4 (en) 1992-12-17 1997-12-29 Thermatrix Inc METHOD AND APPARATUS FOR LIMITING FUGITIVE EMISSIONS OF VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS.
JP3421954B2 (ja) 1992-12-18 2003-06-30 株式会社ダイオー オゾン層破壊物質の処理方法
DE4311061A1 (de) 1993-04-03 1994-10-06 Solvay Fluor & Derivate Zersetzung von NF¶3¶ in Abgasen
TW279137B (en) * 1993-06-01 1996-06-21 Babcock & Wilcox Co Method and apparatus for removing acid gases and air toxics from a flue gas
US5304398A (en) * 1993-06-03 1994-04-19 Watkins Johnson Company Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane
DE4319118A1 (de) 1993-06-09 1994-12-15 Breitbarth Friedrich Wilhelm D Verfahren und Vorrichtung zur Entsorgung von Fluorkohlenstoffen und anderen fluorhaltigen Verbindungen
DE4320044A1 (de) 1993-06-17 1994-12-22 Das Duennschicht Anlagen Sys Verfahren und Einrichtung zur Reinigung von Abgasen
US5425886A (en) * 1993-06-23 1995-06-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy On demand, non-halon, fire extinguishing systems
DE4321762A1 (de) 1993-06-30 1995-01-12 Bayer Ag Verfahren zur Spaltung von Fluor und anderes Halogen enthaltenden C¶1¶-Verbindungen in der Gasphase
BR9407068A (pt) * 1993-07-16 1996-08-13 Thermatrix Inc Aparelhagem para destruiçao de compostos orgánicos voláteis (voc's) provenientes de emanaçoes de processo e processo para reduzir emissoes de composto orgánico volátil (voc) de uma corrente de gás contendo quantidades variáveis de emissoes de composto orgánico volátil (voc)
DE69421577T2 (de) 1993-08-16 2000-07-13 Ebara Corp Vorrichtung zur Behandlung von Abfall in einer Poliervorrichtung
AT404431B (de) 1993-09-09 1998-11-25 Chemie Linz Gmbh Verfahren zur umweltgerechten entsorgung von triazinabfällen
US5451388A (en) 1994-01-21 1995-09-19 Engelhard Corporation Catalytic method and device for controlling VOC. CO and halogenated organic emissions
US5453125A (en) 1994-02-17 1995-09-26 Krogh; Ole D. ECR plasma source for gas abatement
TW299345B (ko) 1994-02-18 1997-03-01 Westinghouse Electric Corp
US6030591A (en) * 1994-04-06 2000-02-29 Atmi Ecosys Corporation Process for removing and recovering halocarbons from effluent process streams
US5622682A (en) 1994-04-06 1997-04-22 Atmi Ecosys Corporation Method for concentration and recovery of halocarbons from effluent gas streams
US5663476A (en) 1994-04-29 1997-09-02 Motorola, Inc. Apparatus and method for decomposition of chemical compounds by increasing residence time of a chemical compound in a reaction chamber
US5572866A (en) 1994-04-29 1996-11-12 Environmental Thermal Oxidizers, Inc. Pollution abatement incinerator system
US5495893A (en) * 1994-05-10 1996-03-05 Ada Technologies, Inc. Apparatus and method to control deflagration of gases
US5407647A (en) * 1994-05-27 1995-04-18 Florida Scientific Laboratories Inc. Gas-scrubber apparatus for the chemical conversion of toxic gaseous compounds into non-hazardous inert solids
US5575636A (en) 1994-06-21 1996-11-19 Praxair Technology, Inc. Porous non-fouling nozzle
US5510093A (en) * 1994-07-25 1996-04-23 Alzeta Corporation Combustive destruction of halogenated compounds
US5494004A (en) * 1994-09-23 1996-02-27 Lockheed Corporation On line pulsed detonation/deflagration soot blower
AU706663B2 (en) 1994-09-23 1999-06-17 Standard Oil Company, The Oxygen permeable mixed conductor membranes
JP3566995B2 (ja) 1994-10-05 2004-09-15 日本パイオニクス株式会社 ハロゲンガスの精製方法
JP3280173B2 (ja) 1994-11-29 2002-04-30 日本エア・リキード株式会社 排ガス処理装置
US5650128A (en) 1994-12-01 1997-07-22 Thermatrix, Inc. Method for destruction of volatile organic compound flows of varying concentration
DE19501914C1 (de) * 1995-01-23 1996-04-04 Centrotherm Elektrische Anlage Vorrichtung zur Reinigung von Abgasen
JP3404981B2 (ja) * 1995-04-21 2003-05-12 日本鋼管株式会社 気体加熱装置
US5520536A (en) 1995-05-05 1996-05-28 Burner Systems International, Inc. Premixed gas burner
JP2872637B2 (ja) 1995-07-10 1999-03-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マイクロ波プラズマベースアプリケータ
US5785741A (en) 1995-07-17 1998-07-28 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
US5858065A (en) * 1995-07-17 1999-01-12 American Air Liquide Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
DE19526737C2 (de) 1995-07-21 2003-04-03 Werkstoffpruefung Mbh Ges Absorber zum Entfernen von gasförmigen fluorhaltigen und/oder chlorhaltigen Verbindungen aus einem Gasgemisch sowie dessen Verwendung
US5720931A (en) * 1995-07-21 1998-02-24 Guild Associates, Inc. Catalytic oxidation of organic nitrogen-containing compounds
DE19532279C2 (de) * 1995-09-01 1998-07-23 Cs Halbleiter Solartech Vorrichtung zur Reinigung von Gasen, die ozonabbauende und/oder klimawirksame halogenierte Verbindungen enthalten
US6187072B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions
US5609736A (en) 1995-09-26 1997-03-11 Research Triangle Institute Methods and apparatus for controlling toxic compounds using catalysis-assisted non-thermal plasma
JP3486022B2 (ja) * 1995-10-16 2004-01-13 ジャパン・エア・ガシズ株式会社 排ガス処理装置
US5817284A (en) 1995-10-30 1998-10-06 Central Glass Company, Limited Method for decomposing halide-containing gas
US5649985A (en) * 1995-11-29 1997-07-22 Kanken Techno Co., Ltd. Apparatus for removing harmful substances of exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing process
US6009827A (en) * 1995-12-06 2000-01-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films
KR100197335B1 (ko) * 1995-12-22 1999-06-15 윤종용 반도체 장치의 가스 세정기 및 이를 이용한 필터링법
JP3263586B2 (ja) * 1995-12-26 2002-03-04 享三 須山 排煙処理システム
US5665317A (en) 1995-12-29 1997-09-09 General Electric Company Flue gas scrubbing apparatus
US5720444A (en) * 1996-01-24 1998-02-24 Guild International Inc. Strip accumulators
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5914091A (en) 1996-02-15 1999-06-22 Atmi Ecosys Corp. Point-of-use catalytic oxidation apparatus and method for treatment of voc-containing gas streams
DE19607862C2 (de) 1996-03-01 1998-10-29 Volkswagen Ag Verfahren und Vorrichtungen zur Abgasreinigung
DE69707033T2 (de) * 1996-03-05 2002-02-14 Hitachi Ltd Verfahren zur Behandlung von Gasen die Organohalogenzusammensetzungen enthalten
USH1701H (en) * 1996-03-15 1998-01-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for using molten aluminum to abate PFC gases from a semiconductor facility
US5989412A (en) 1996-04-08 1999-11-23 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Hydrodemetallizing catalyst for hydrocarbon oil and process of hydrodemetallizing hydrocarbon oil therewith
GB9608061D0 (en) 1996-04-16 1996-06-19 Boc Group Plc Removal of noxious substances from gas streams
US5759237A (en) * 1996-06-14 1998-06-02 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et, L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and system for selective abatement of reactive gases and recovery of perfluorocompound gases
IE80909B1 (en) 1996-06-14 1999-06-16 Air Liquide An improved process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
EP0907402B1 (de) 1996-06-26 2001-05-23 Cs Clean Systems Ag Verfahren zur entfernung ozonabbauender und/oder klimawirksamer fluorierter verbindungen aus einem gasstrom sowie anwendung des verfahrens
FR2751565B1 (fr) 1996-07-26 1998-09-04 Air Liquide Procede et installation de traitement de gaz perfluores et hydrofluorocarbones en vue de leur destruction
JPH10110926A (ja) 1996-08-14 1998-04-28 Nippon Sanso Kk 燃焼式除害装置
TW342436B (en) * 1996-08-14 1998-10-11 Nippon Oxygen Co Ltd Combustion type harm removal apparatus (1)
JPH1089637A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Ishikawa Tekkosho:Kk 焼却炉及びその製造方法
US5788778A (en) 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US5790934A (en) 1996-10-25 1998-08-04 E. Heller & Company Apparatus for photocatalytic fluid purification
US5759498A (en) * 1996-12-12 1998-06-02 United Microelectronics Corp. Gas exhaust apparatus
US5833888A (en) 1996-12-31 1998-11-10 Atmi Ecosys Corporation Weeping weir gas/liquid interface structure
US5955037A (en) 1996-12-31 1999-09-21 Atmi Ecosys Corporation Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US5935283A (en) 1996-12-31 1999-08-10 Atmi Ecosys Corporation Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system
WO1998029181A1 (en) 1996-12-31 1998-07-09 Atmi Ecosys Corporation Effluent gas stream treatment system for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US6322756B1 (en) 1996-12-31 2001-11-27 Advanced Technology And Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US20010001652A1 (en) * 1997-01-14 2001-05-24 Shuichi Kanno Process for treating flourine compound-containing gas
US5779863A (en) 1997-01-16 1998-07-14 Air Liquide America Corporation Perfluorocompound separation and purification method and system
US6338312B2 (en) * 1998-04-15 2002-01-15 Advanced Technology Materials, Inc. Integrated ion implant scrubber system
US6013584A (en) * 1997-02-19 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications
US6277347B1 (en) 1997-02-24 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Use of ozone in process effluent abatement
US5843239A (en) 1997-03-03 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Two-step process for cleaning a substrate processing chamber
US5935540A (en) 1997-04-25 1999-08-10 Japan Pionics Co., Ltd. Cleaning process for harmful gas
US20010009652A1 (en) 1998-05-28 2001-07-26 Jose I. Arno Apparatus and method for point-of-use abatement of fluorocompounds
US6759018B1 (en) 1997-05-16 2004-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Method for point-of-use treatment of effluent gas streams
JP3294151B2 (ja) 1997-05-20 2002-06-24 三菱重工業株式会社 燃焼器の火炎検知装置
US5855648A (en) * 1997-06-05 1999-01-05 Praxair Technology, Inc. Solid electrolyte system for use with furnaces
EP1340533B1 (en) 1997-06-20 2010-06-16 Hitachi, Ltd. A method of treatment for decomposing fluorine compounds, and catalyst and apparatus therefor
DE29712026U1 (de) 1997-07-09 1998-11-12 EBARA Germany GmbH, 63452 Hanau Brenner für die Verbrennung von Abgasen mit mindestens einer kondensationsfähigen Komponente
US5972078A (en) 1997-07-31 1999-10-26 Fsi International, Inc. Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus
US5855822A (en) * 1997-08-22 1999-01-05 Chen; Tsong-Maw Water discharge module for semi-conductor exhaust treatment apparatus
WO1999011572A1 (en) 1997-09-01 1999-03-11 Laxarco Holding Limited Electrically assisted partial oxidation of light hydrocarbons by oxygen
US6059858A (en) * 1997-10-30 2000-05-09 The Boc Group, Inc. High temperature adsorption process
TW550112B (en) 1997-11-14 2003-09-01 Hitachi Ltd Method for processing perfluorocarbon, and apparatus therefor
JP4066107B2 (ja) 1997-11-21 2008-03-26 株式会社荏原製作所 排ガス処理用燃焼器
US6153150A (en) 1998-01-12 2000-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for controlled decomposition oxidation of gaseous pollutants
US6261524B1 (en) * 1999-01-12 2001-07-17 Advanced Technology Materials, Inc. Advanced apparatus for abatement of gaseous pollutants
JPH11218318A (ja) 1998-02-03 1999-08-10 Air Liquide Japan Ltd 排ガス処理設備
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6185839B1 (en) * 1998-05-28 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber having improved gas distributor
US6190507B1 (en) * 1998-07-24 2001-02-20 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method for generating a highly reactive plasma for exhaust gas aftertreatment and enhanced catalyst reactivity
EP1129775A4 (en) 1998-08-17 2002-05-02 Ebara Corp METHOD AND DEVICE FOR TREATING EXHAUST GAS WITH FLUOROUS COMPOUNDS
US6010576A (en) * 1998-08-27 2000-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for cleaning an exhaust gas reactor
DE69909701T2 (de) 1998-10-07 2004-06-03 Haldor Topsoe A/S Keramisches Laminatmaterial
JP4497726B2 (ja) 1998-12-01 2010-07-07 株式会社荏原製作所 排ガス処理装置
JP4203183B2 (ja) * 1999-06-03 2008-12-24 パロマ工業株式会社 貯湯式ボイラーのコントロールバルブ
JP3460122B2 (ja) * 1999-07-14 2003-10-27 日本酸素株式会社 燃焼式除害装置及び燃焼式除害装置用バーナー
US6468490B1 (en) 2000-06-29 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Abatement of fluorine gas from effluent
US6217640B1 (en) * 1999-08-09 2001-04-17 United Microelectronics Corp. Exhaust gas treatment apparatus
US6187080B1 (en) * 1999-08-09 2001-02-13 United Microelectronics Inc. Exhaust gas treatment apparatus including a water vortex means and a discharge pipe
AU769548B2 (en) 1999-10-15 2004-01-29 Abb Lummus Global Inc. Conversion of nitrogen oxides in the presence of a catalyst supported of a mesh-like structure
US6423284B1 (en) 1999-10-18 2002-07-23 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US6361584B1 (en) * 1999-11-02 2002-03-26 Advanced Technology Materials, Inc. High temperature pressure swing adsorption system for separation of oxygen-containing gas mixtures
KR100729253B1 (ko) * 1999-11-02 2007-06-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 배기가스처리용 연소기
US6491884B1 (en) 1999-11-26 2002-12-10 Advanced Technology Materials, Inc. In-situ air oxidation treatment of MOCVD process effluent
GB0005231D0 (en) 2000-03-03 2000-04-26 Boc Group Plc Abatement of semiconductor processing gases
US6544482B1 (en) * 2000-03-14 2003-04-08 Advanced Technology Materials, Inc. Chamber cleaning mechanism
US6905663B1 (en) 2000-04-18 2005-06-14 Jose I. Arno Apparatus and process for the abatement of semiconductor manufacturing effluents containing fluorine gas
WO2002016830A1 (fr) 2000-08-22 2002-02-28 Ebara Corporation Procede et dispositif de traitement par combustion des gaz d'echappement
JP4211227B2 (ja) 2001-03-16 2009-01-21 株式会社日立製作所 過弗化物の処理方法及びその処理装置
US6527828B2 (en) * 2001-03-19 2003-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. Oxygen enhanced CDA modification to a CDO integrated scrubber
US6824748B2 (en) 2001-06-01 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Heated catalytic treatment of an effluent gas from a substrate fabrication process
US6655137B1 (en) * 2001-06-25 2003-12-02 Amir A. Sardari Advanced combined cycle co-generation abatement system
KR100568093B1 (ko) 2001-06-26 2006-04-05 니치아스 가부시키가이샤 공기 청정 방법 및 이것에 이용하는 공기 청정 장치
US7160521B2 (en) * 2001-07-11 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Treatment of effluent from a substrate processing chamber
US6551381B2 (en) * 2001-07-23 2003-04-22 Advanced Technology Materials, Inc. Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds
CN101417205B (zh) 2001-12-04 2011-06-15 株式会社荏原制作所 处理废气的方法和装置
US7047893B2 (en) * 2002-06-03 2006-05-23 Loving Ronald E Pollution abatement incinerator system
US6712603B2 (en) * 2002-08-07 2004-03-30 General Motors Corporation Multiple port catalytic combustion device and method of operating same
KR100461758B1 (ko) * 2002-09-16 2004-12-14 한국화학연구원 폐가스 중의 과불화화합물 분해제거용 촉매와 이를 이용한폐가스중의 과불화화합물 분해제거 방법
US7341609B2 (en) 2002-10-03 2008-03-11 Genesis Fueltech, Inc. Reforming and hydrogen purification system
US6805728B2 (en) 2002-12-09 2004-10-19 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus for the abatement of toxic gas components from a semiconductor manufacturing process effluent stream
GB2396402B (en) 2002-12-21 2006-01-11 Aeromatix Ltd Gas burner
US6813943B2 (en) 2003-03-19 2004-11-09 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for conditioning a gas flow to improve a rate of pressure change measurement
US6843830B2 (en) * 2003-04-15 2005-01-18 Advanced Technology Materials, Inc. Abatement system targeting a by-pass effluent stream of a semiconductor process tool
US20040216610A1 (en) 2003-05-01 2004-11-04 Glenn Tom Gas processing system comprising a water curtain for preventing solids deposition of interior walls thereof
JP2005098680A (ja) * 2003-08-20 2005-04-14 Japan Pionics Co Ltd 有害ガスの浄化装置
US7569193B2 (en) * 2003-12-19 2009-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
US7316721B1 (en) * 2004-02-09 2008-01-08 Porvair, Plc Ceramic foam insulator with thermal expansion joint
US7736599B2 (en) 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
CN101300411B (zh) 2005-10-31 2012-10-03 应用材料公司 制程减降反应器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160003670A (ko) * 2013-04-25 2016-01-11 에드워즈 리미티드 방사 버너
KR20160030945A (ko) * 2013-07-17 2016-03-21 에드워즈 리미티드 헤드 조립체
US11162676B2 (en) 2013-07-17 2021-11-02 Edwards Limited Head assembly for a radiant burner
KR20200027965A (ko) * 2017-07-07 2020-03-13 에스아이더블유 엔지니어링 피티이. 엘티디. 가스 오염물의 분해 및 산화를 위한 장치 및 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
US20070190469A1 (en) 2007-08-16
EP1954926A2 (en) 2008-08-13
WO2007053626A3 (en) 2007-12-21
JP2009513347A (ja) 2009-04-02
CN101300411B (zh) 2012-10-03
WO2007053626A2 (en) 2007-05-10
US20070172398A1 (en) 2007-07-26
JP5102217B2 (ja) 2012-12-19
KR101036734B1 (ko) 2011-05-24
CN101300411A (zh) 2008-11-05
TW200727969A (en) 2007-08-01
JP2011174695A (ja) 2011-09-08
TWI336633B (en) 2011-02-01
US20070169889A1 (en) 2007-07-26
US7700049B2 (en) 2010-04-20
US7736600B2 (en) 2010-06-15
US20070172399A1 (en) 2007-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101036734B1 (ko) 공정 저감 반응로
US7985379B2 (en) Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
US7569193B2 (en) Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
EP0694735B9 (en) Combustive destruction of noxious substances
CN110461437B (zh) 用于改善废气消减的系统和方法
JP2013160456A (ja) 難分解物質の分解処理装置
WO2008015855A1 (fr) brûleur de décomposition de matériau retardateur de flamme

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee