KR20080066822A - 열전달 코팅 - Google Patents

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KR20080066822A
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KR1020087012620A
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필립 이. 투마
게리 엠. 팜그렌
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

열전달 코팅은 복수의 금속체와, 복수의 금속체들 사이에 배치되어 이들을 서로 연결하는 간극 요소를 포함한다. 금속체는 제1 금속을 함유하는 내측 부분과, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 합금을 함유하는 외측 부분을 포함한다. 간극 요소는 외측 부분의 합금을 함유한다.
열전달, 코팅, 금속체, 간극 요소, 합금, 복합체

Description

열전달 코팅{THERMAL TRANSFER COATING}
본 발명은 전반적으로 열전달 코팅에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 다공성 금속 코팅과 그의 제작 및 사용 방법에 관한 것이다.
방열 구성요소를 위한 하나의 냉각 시스템은 증발 또는 비등하는 유체를 포함한다. 생성된 증기는 이어서 외부 수단을 사용하여 응축되고 비등장치(boiler)로 다시 복귀된다. 비등장치에서의 유체의 열전달을 향상시키기 위해, 다공성 비등 표면이 사용될 수 있다.
예를 들어 화염 또는 플라즈마 분사에 의해 제작된 코팅을 포함한, 다양한 다공성 비등 표면이 이용 가능하다. 이러한 공정에서, 다공성을 제어하고 3차원 기판을 균일하게 코팅하는 것은 어려울 수 있다. 다른 공지된 코팅은 유기 결합제로 접합된 전도성 입자들을 포함한다. 이러한 코팅은 대체로 벌크 열전도성(bulk thermal conductivity)이 좋지 않고, 그러므로 3차원 표면을 구비한 기판 상에서 어려운 정밀한 두께 제어를 요구한다.
집적 회로 및 다른 방열 전자 장치가 더욱 강력해지고 소형화됨에 따라, 이러한 방열 구성요소로부터의 열전달율이 증가될 필요가 있다. 따라서, 높은 열전달 계수를 갖는 다공성 비등 표면을 개발하기 위한 지속적인 필요성이 존재한다. 또한, 제조 공정에서 쉽게 적용될 수 있는 저렴한 다공성 비등 표면에 대한 지속적인 필요성이 존재한다.
발명의 개요
본 발명은 전반적으로 열전달 코팅에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 다공성 금속 코팅과 그의 제작 및 사용 방법에 관한 것이다. 코팅은 냉장 시스템 및 전자 냉각 시스템과 같은 냉각 장치를 위한 증발기를 제작하기 위해 사용될 수 있다. 코팅은 단상(single phase) 또는 2상 열전달 시스템에서 사용될 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, 코팅은 예를 들어 마이크로프로세서와 같은 집적 회로를 냉각하기 위해 사용되는 열사이펀(thermosyphon)의 비등장치에 도포될 수 있다.
일 태양에서, 본 발명은 복수의 금속체와, 복수의 금속체들 사이에 배치되어 이들을 서로 연결하는 복수의 간극 요소(interstitial element)를 포함하는 열전달 코팅을 제공한다. 금속체는 알루미늄, 구리, 은 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 제1 금속을 함유하는 내측 부분과, 구리, 은 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 제2 금속 및 제1 금속을 포함하는 합금을 함유하는 외측 부분을 포함한다. 간극 요소는 외측 부분의 합금을 함유하고, 열전달 코팅은 10% 이상의 유효 다공성을 갖는다.
몇몇 실시 형태에서, 제1 금속은 구리를 포함하고, 제2 금속은 은을 포함하고, 간극 요소는 은과 구리의 합금을 함유한다. 다른 실시 형태에서, 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 제2 금속은 마그네슘을 포함하고, 간극 요소는 알루미늄과 마그네슘의 합금을 함유한다.
몇몇 태양에서, 금속체는 그의 내측 부분에서 다이아몬드를 포함한다. 제1 금속에 더하여, 다이아몬드는 크롬, 코발트, 망간, 몰리브덴, 니켈, 규소, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐, 지르코늄 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 탄화물 형성제를 함유하는 중간 코팅으로 코팅될 수 있다.
다른 태양에서, 본 발명은 열전달 코팅의 형성 방법을 제공한다. 상기 방법은 외측 표면을 갖는 방열 기판을 제공하는 단계와, 열적으로 제거 가능한 결합제 및 복수의 금속체를 포함하는 조성물을 방열 기판 상으로 적층하는 단계를 포함한다. 금속체는 융점(Tmp1)을 갖는 제1 금속을 함유하는 내측 부분과, 융점(Tmp2)을 갖는 제2 금속을 함유하는 외측 부분을 포함한다. 그리고 나서, 조성물은 Tmp1 및 Tmp2 미만의 온도로 가열되어, 상기 복수의 금속체들을 서로에 대해 그리고 방열 기판에 결합시키는, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 합금을 형성한다. 이러한 공정은 등온 재응고(isothermal re-solidification)로서 지칭된다.
다른 태양에서, 본 발명의 열전달 코팅을 사용하여 방열 장치를 냉각하기 위한 방법이 제공된다.
본 발명과 관련하여:
"유효 다공성"이라는 용어는 매트릭스 내에서의 유체 유동 또는 투과성에 기여하는 몸체 내의 상호 연결된 기공(pore) 체적 또는 공극(void) 공간을 지칭한다. 유효 다공성은 매트릭스 내에 존재할 수도 있는 격리된 기공은 배제한다.
"단위 밀도"라는 용어는 규정된 체적당 할당된 단위의 양을 지칭한다. 예를 들어, 본 발명에서 설명되는 바와 같은 다공성 매트릭스가 1 입방 센티미터의 체적을 점유하는 100개의 금속체를 포함하면, 금속체의 단위 밀도는 입방 센티미터당 100개의 금속체일 것이다.
"종횡비"라는 용어는 3차원 몸체의 최장 치수(즉, "전체 길이")와 전체 길이 치수에 직교하는 최장 치수(즉, "전체 폭")의 비를 지칭한다.
"실질적으로 구형인"이라는 용어는 약 1 내지 1.5의 종횡비와 대체로 구형인 형상을 갖는 3차원 몸체를 지칭한다.
"3차원 표면"이라는 용어는 0.1 밀리미터 이상의 높이차를 갖는 상승 부분 및 오목 부분을 갖는 표면을 지칭한다. 오목 부분으로부터 상승 부분으로의 전이는 점진적이거나 급격할 수 있다. 도 1의 비등장치(10)는 예를 들어 핀(20: fin)에 의해 형성된 상승 부분과 오목 부분 사이에서 비교적 급격한 전이를 갖는 3차원 표면을 포함한다.
본 발명의 상기 개요는 본 발명의 열전달 코팅의 모든 구현예의 각각의 개시된 실시 형태를 설명하려는 것은 아니다. 이하의 도면들과 상세한 설명에서 예시적인 실시 형태들을 보다 상세히 설명한다. 종점(endpoint)에 의한 수치 범위의 언급은 그 범위 내에 포함되는 모든 수 (예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 4, 4.80, 및 5를 포함함)를 포함한다.
도 1은 본 발명의 열전달 코팅을 갖는 비등장치의 사시도.
도 2A는 본 발명의 열전달 코팅을 제작하기 위해 사용되는 2개의 예시적인 전구체 금속체(precursor metal body)의 측면도.
도 2B는 도 2A에 도시된 2개의 예시적인 전구체 금속체의 단면도.
도 2C는 본 발명의 방법을 사용하여 2개의 금속체들을 함께 부착하기 위한 간극 요소(interstitial element)가 형성된 후의, 도 2A에 도시된 2개의 예시적인 금속체의 측면도.
도 3은 본 발명의 예시적인 열전달 코팅의 일부분의 예시적인 사시도.
도 4는 코팅된 다이아몬드를 포함하는 예시적인 전구체 금속체의 단면도.
도 5 내지 도 7은 예시적인 실시 형태의 실험 결과를 도시하는 그래프.
이상화된 이들 도면은 축척에 맞지 않고, 본 발명의 열전달 코팅을 예시할 뿐이며 제한하려는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 열전달 코팅(30)을 갖는 비등장치(10)의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 열전달 코팅은 3차원 표면을 갖는 비등장치(10)에 도포될 수 있다. 3차원 표면은 핀(20)과 같은 돌출부 또는 비등장치의 표면적을 증가시키는 다른 구조물들의 어레이를 포함할 수 있다.
도 2A 내지 도 2C는 본 발명의 열전달 코팅이 형성되는 순서를 도시한다. 이 도면들은 접합되는 2개의 예시적인 전구체 금속체를 도시하는 단순화된 도면이다. 본 발명의 열전달 코팅은 전형적으로 3차원 다공성 매트릭스로 함께 접합되는 많은 수의 전구체 금속체로부터 형성된다.
도 2A는 본 발명의 열전달 코팅을 제작하기 위해 사용되는 2개의 예시적인 전구체 금속체의 측면도이다. 도 2A에 도시된 바와 같이, 전구체 금속체(200, 200')들은 대략 동일한 크기일 수 있다. 다른 실시 형태에서, 전구체 금속체들은 크기가 다를 수 있다. 전구체 금속체는 도 2A에 도시된 바와 같이 실질적으로 구형일 수 있다.
본 발명에 따른 코팅을 제작하는 데 유용한 전구체 금속체는 전형적으로 1 마이크로미터 이상의 평균 직경을 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 전구체 금속체는 5 마이크로미터 이상의 평균 직경을 갖는다. 또 다른 실시 형태에서, 전구체 금속체는 10 마이크로미터 이상의 평균 직경을 갖는다.
본 발명에 따른 코팅을 제작하는 데 유용한 전구체 금속체는 전형적으로 1,000 마이크로미터 이하의 평균 직경을 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 전구체 금속체는 500 마이크로미터 이하의 평균 직경을 갖는다. 또 다른 실시 형태에서, 전구체 금속체는 50 마이크로미터 이하의 평균 직경을 갖는다.
몇몇 실시 형태는 1 내지 2 범위 내의 종횡비를 갖는 전구체 금속체를 사용한다. 다른 실시 형태에서, 전구체 금속체는 타원형 형상이며, 1.5 초과의 종횡비를 갖는다. 또 다른 실시 형태에서, 전구체 금속체는 다면체(예를 들어, 정팔면체) 또는 예를 들어 박편(flake), 칩, 섬유, 판(plate), 원통, 및 바늘형 몸체를 포함한 다른 임의의 형상의 몸체일 수 있다. 전구체 금속체가 비구형이면, 금속체의 "직경"은 각각의 금속체에서의 최소 축 상의 치수를 지칭하고, "평균 직경"은 모집단 내의 개별 금속체 직경(즉, 각각의 금속체에서의 최소 축 상의 치수)의 평균을 지칭한다.
도 2B는 도 2A에 도시된 2개의 예시적인 전구체 금속체(200, 200')의 단면도이다. 도 2B에 도시된 바와 같이, 각각의 전구체 금속체는 내측 부분(250, 250') 및 외측 부분(240, 240')을 포함한다. 몇몇 실시 형태에서, 내측 부분(250, 250')은 알루미늄, 구리, 은, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 함유한다. 몇몇 실시 형태에서, 외측 부분(240, 240')은 구리, 은, 마그네슘, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 함유한다. 또 다른 실시 형태에서, 내측 부분은 융점(Tmp1)을 갖는 금속을 갖고, 외측 부분은 융점(Tmp2)을 갖는 금속을 가지며, Tmp1 또는 Tmp2 미만의 온도로 가열 시, 내측 및 외측 부분의 금속들을 함유하는 합금이 형성된다. 몇몇 실시 형태에서, 전구체 금속체의 내측 및 외측 부분 내의 금속들은 그들의 열전도성 및/또는 그들의 합금 형성 특징에 기초하여 선택된다.
몇몇 실시 형태에서, 외측 부분은 외측 부분이 균일한 두께를 갖도록 내측 부분에 균일하게 도포된다. 다른 실시 형태에서, 외측 코팅의 두께는 변할 수 있다. 몇몇 바람직한 실시 형태에서, 외측 부분은 내측 부분의 외측 표면의 대부분을 덮는다. 몇몇 실시 형태에서, 외측 부분은 내측 부분의 외측 표면의 90%보다 많이 덮는다. 또 다른 실시 형태에서, 외측 부분은 내측 부분의 외측 표면을 완전히 덮는다.
외측 부분을 형성하기 위해 사용되는 재료의 양은 상대 중량 또는 두께로 표현될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시 형태에서, 외측 부분은 금속체 전구체의 약 1 중량%를 구성한다. 외측 부분은 전형적으로 금속체 전구체의 약 0.05 내지 30 중량%를 구성한다. 다른 실시 형태에서, 외측 부분은 0.001 내지 0.5 마이크로미터의 범위 내의 평균 두께를 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 외측 부분은 0.01 내지 0.05 마이크로미터의 범위 내의 평균 두께를 갖는다.
구리 내측 부분 및 은 외측 부분을 갖는 예시적인 유용한 전구체 금속체는 페로 코포레이션(Ferro Corp.)(미국 뉴저지주 플레인필드 소재)으로부터 "실버 코티드 카퍼 파우더(SILVER COATED COPPER POWDER) #107"로서 입수가능하다. 다른 유용한 전구체 금속체는 예를 들어 마그네슘으로 코팅된 알루미늄 입자를 포함한다. 전구체 금속체는 예를 들어 물리 증착(예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2005/0095189 A1호(브레이(Brey) 등) 참조), 플라즈마 증착, 무전해 도금, 전해 도금, 또는 침지 도금을 포함한, 당업자에게 공지된 임의의 방법을 사용하여 형성될 수 있다.
도 2C는 함께 접합되어 구조물(260)을 형성한, 도 2A 및 도 2B에 도시된 2개의 예시적인 전구체 금속체(200, 200')의 측면도이다. 도 2C에 도시된 바와 같이, 간극 요소(270)가 본 발명의 방법을 사용하여 2개의 금속체들을 함께 부착하기 위해 형성된다. 간극 요소(270)는 전구체 금속체의 내측 및 외측 부분의 금속들이 금속체들을 함께 결합시킨 합금을 형성하도록 전구체 금속체가 승온을 겪게 함으로써 형성된다. 이러한 공정은 등온 재응고로서 공지되어 있다. 몇몇 실시 형태에서, 합금을 형성하는 개별 금속들보다 낮은 융점을 갖는 공융 혼합물(eutectic)이 형성된다. 공융 혼합물의 형성은, 등온 재응고 공정 중의 확산이 다양한 금속들의 계면의 조성의 연속적인 변화를 일으킬 수 있으므로 일시적일 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, 등온 재응고 공정은 예를 들어 미국 로드아일랜드주 크랜스턴 소재의 헤이즈(Hayes)로부터 입수가능한 VCT 모델 진공로(vacuum furnace)와 같은 진공로 또는 환원로 내에서 일어난다.
도 4는 코팅된 다이아몬드를 내측 부분 내에 포함하는 예시적인 전구체 금속체의 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 전구체 금속체의 내측 부분은 다이아몬드(452), 중간 코팅(454), 및 제1 금속(450)을 포함한다. 외측 부분(440)은 제2 금속을 함유한다. 다이아몬드를 코팅하는 중간 코팅은 예를 들어 크롬, 코발트, 망간, 몰리브덴, 니켈, 규소, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐, 지르코늄, 및 이들의 합금을 포함한, 임의의 공지된 탄화물 형성제를 함유할 수 있다. 중간 코팅은 예를 들어 물리 증착, 화학 증착, 용융 염 침착(예를 들어, 유럽 특허 공개 제0 786 506 A1호(카라스(Karas) 등) 참조), 용융 염 내에서의 전해, 및 기계적 도금을 포함한, 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기술을 사용하여 다이아몬드에 도포될 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, 다이아몬드를 코팅하는 중간 코팅은 복수의 층을 포함한다.
임의의 이론에 의해 구애되고자 하지 않지만, 캡슐화된 다이아몬드의 열전도성은 열전달 코팅의 성능을 향상시키는 것으로 여겨진다. 몇몇 실시 형태에서, 다이아몬드(코팅되거나 코팅되지 않음)는 (내부 다이아몬드가 있거나 없는) 복수의 전구체 금속체와 조합되어, 간극 요소와 함께 유지되는 금속체 및 다이아몬드의 혼합물을 갖는 열전달 코팅을 형성할 수 있다. 예를 들어 다결정 다이아몬드, 합성 다이아몬드, 다결정 다이아몬드 콤팩트(PDC), 동위원소적으로 순수한 다이아몬드, 및 이들의 조합을 포함한 다른 재료들이 또한 금속체와 함께 캡슐화되거나 조합될 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 2A 내지 도 2C는 접합되는 2개의 예시적인 전구체 금속체를 도시하는 단순화된 도면이다. 본 발명의 열전달 코팅은 전형적으로 3차원 다공성 매트릭스로 함께 접합되는 많은 수의 전구체 금속체로부터 형성된다. 각각의 금속 전구체 금속체는 1, 2, 3, 4, 5개 또는 그 이상의 다른 금속 전구체 금속체와 접합되어 3차원 다공성 매트릭스를 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 예시적인 열전달 코팅의 일부분의 예시적인 사시도이다(기판은 도시되지 않음). 도 3에 도시된 바와 같이, 열전달 코팅(360)은 3차원 다공성 매트릭스를 형성하기 위해 간극 요소(370)로 서로에 대해 연결된 복수의 금속체(300)를 포함한다. 간극 요소(370)는 또한 금속체(300)를 기판에 결합시킬 수 있다.
몇몇 실시 형태에서, 본 발명의 열전달 코팅은 입방 센티미터당 약 106 내지 1011개의 금속체의 범위 내의 금속체 밀도를 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 본 발명의 열전달 코팅은 입방 센티미터당 약 107 내지 109개의 금속체의 범위 내의 금속체 밀도를 갖는다.
본 발명의 열전달 코팅의 다공성은 전형적으로 10 내지 60%의 범위 내이다. 몇몇 실시 형태에서, 열전달 코팅의 다공성은 20% 이상이다. 또 다른 실시 형태에서, 열전달 코팅의 다공성은 30% 이상이다.
간극 요소(370)를 형성하기 위해 사용되는 합금은 기판에 대한 열전달 코팅(360)의 부착을 또한 촉진시킬 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, 기판은 간극 요소를 형성하는 합금을 형성하기 위해 사용되는 금속들 중 적어도 하나를 함유하는 금속 표면을 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 예를 들어, 기판은 구리를 함유하고, 전구체 금속체의 내측 부분은 구리를 함유하고, 전구체 금속체의 외측 부분은 은을 함유하고, 형성되는 간극 요소는 구리 및 은의 합금을 함유하는데, 여기서 금속체들 중 일부를 기판에 결합시키는 간극 요소의 적어도 일부분은 기판으로부터 유래한 구리를 함유한다.
전구체 금속체들은 예를 들어 중력, 주형, 및 결합제(예를 들어, 열적으로 제거 가능한 결합제)를 포함한, 3차원 다공성 매트릭스를 제조하기 위해 금속체들을 위치시키기 위한 임의의 공지된 기술을 사용하여 기판 상에 배열될 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, 전구체 금속체들의 얇은 층이 실질적으로 평탄한 표면 상에 위치되고 가열되어 열전달 코팅을 형성한다. 다른 실시 형태에서, 등온 재응고 단계 이전에 그리고 그 동안에 전구체 금속체들을 보유하기 위해 주연 벽(즉, 주형)이 사용될 수 있다. 또 다른 실시 형태에서, 등온 재응고 단계 이전에 그리고 그 동안에 전구체 금속체들을 위치시키기 위해 결합제가 사용된다.
결합제는 등온 재응고 공정 이전에 그리고 그 동안에 전구체 금속체들을 함께 충분히 점착시키는 임의의 공지된 결합제일 수 있다. 유용한 결합제로는 광유, 실리콘유, 등유, 및 폴리비닐 부티랄을 들 수 있다. 몇몇 바람직한 실시 형태에서, 결합제는 재응고 공정 중에 연소되고, 생성된 열전달 코팅으로부터 실질적으로 제거된다. 결합제는 페이스트형 주도(consistency)를 갖는 슬러리를 형성하도록 선택될 수 있다. 몇몇 실시 형태에서, 결합제는 전구체 금속체들이 예를 들어 수직 평면을 포함한 3차원 표면의 다양한 평면들 상에 위치될 수 있도록 선택된다.
몇몇 실시 형태에서, 다우-코닝 코퍼레이션(Dow-Corning Corp.)(미국 미시건주 미들랜드 소재)으로부터 "다우 코닝 704 디퓨젼 펌프 플루이드(DIFFUSION PUMP FLUID)"로서 입수가능한 오일 및 쓰리엠 컴퍼니(3M Co.)(미국 미네소타주 세인트 폴 소재)로부터 "노벡 엔지니어드 플루이드(NOVEC ENGINEERED FLUID) HFE-72DE"로서 입수가능한 유체의 혼합물이 결합제로서 사용된다. 혼합물은 예를 들어 미술가용 공기 브러시를 사용하여 표면 상으로 분무될 수 있다. 혼합물을 도포한 후에, 전구체 금속체는 습윤된 표면으로 도입될 수 있다. 공정은 원하는 두께가 달성될 때까지 반복될 수 있다.
본 발명의 열전달 코팅은 전형적으로 20 내지 1,000 마이크로미터의 범위 내의 평균 두께를 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 열전달 코팅은 50 내지 500 마이크로미터의 범위 내의 평균 두께를 갖는다.
본 발명의 열전달 코팅은 예를 들어 열사이펀과 같은 냉각 시스템 내에서 사용될 수 있다. 열전달 코팅은 발열 장치 또는 발열 장치와 열적으로 연통하는 방열 장치에 직접 도포될 수 있다.
본 발명의 열전달 코팅은 전형적으로 10 W/㎠ 이상의 열속(heat flux)에서 3 W/㎠-℃ 이상의 열전달 계수를 갖는다. 몇몇 실시 형태에서, 본 발명의 열전달 코팅은 10 W/㎠ 이상의 열속에서 6 W/㎠-℃ 이상의 열전달 계수를 갖는다.
본 발명의 열전달 코팅의 이점 및 다른 실시 형태는 하기의 실시예에 의해 추가로 예시되지만, 이러한 실시예에서 인용되는 특정 재료 및 그의 양뿐만 아니라 다른 조건 및 상세 사항은 본 발명의 열전달 코팅을 부당하게 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 예를 들어, 전구체 금속체를 형성하기 위해 사용되는 금속은 변할 수 있다. 모든 부 및 백분율은 달리 표시되지 않으면 중량 기준이다.
Figure 112008037557795-PCT00001
후술하는 방법을 사용하여, 코팅을 준비하고 비등 실험을 수행하였다.
시험 방법
풀 비등(pool boiling) 1
2 밀리미터 두께의 평평한 54 밀리미터 직경의 스탬핑된 구리 디스크로 시험 디스크들을 제작하였다. 이들 디스크의 일 표면의 중앙 28 밀리미터 직경 영역을 대체로 다음과 같이 코팅하였다. 코팅될 구리 표면을 먼저 잔류 산화물을 제거하기 위해 황산 용액으로 세척한 다음, 물과 이어서 아세톤으로 헹구고, 건조시켰다. 필요하다면, 상기 부품을 특정 영역에 대한 코팅을 제한하기 위해 스텐실(stencil)을 사용하여 마스킹하였다.
미술가용 공기 브러시를 사용하여, 쓰리엠 노벡 엔지니어드 플루이드 HFE-72de 중 다우 704 디퓨젼 펌프 오일의 50% 혼합물을 시험 디스크 표면에 분무하였다. 이러한 혼합물을 표면이 균일하게 습윤될 때까지 도포하였다. 그리고 나서, 오일이 포화되어 과잉 입자가 쉽게 떨어질 때까지, 표면에 입자 또는 입자 혼합물을 뿌렸다. 이러한 코팅 단계를 원하는 두께를 달성하기 위해 필요한 바대로 반복하였다. 각각의 단계는 코팅 두께에 대략 80 마이크로미터를 추가하였다.
코팅된 구리 디스크를 진공로 내에 두었다. 진공로 온도를 분당 약 섭씨 14도로 섭씨 300도까지 상승시켜서 15분 동안 섭씨 300도로 유지하면서 압력을 0.001 밀리미터 수은주 미만으로 감소시켜, 오일을 제거하였다. 그리고 나서, 진공로를 분당 약 섭씨 14도로 섭씨 850도까지 가열한 다음, 진공이 파괴되고 부품이 제거되기 전에 거의 실온까지 냉각되게 하였다.
많은 시험 디스크의 신속한 시험을 가능케 하도록 장치를 구성하였다. 상기 장치는 31.8 밀리미터 x 31.8 밀리미터이고 높이가 3.0 밀리미터인 정사각형 구리 기부(base)와, 정사각형 기부의 일 표면으로부터 3.0 밀리미터 돌출된 28.5 밀리미터 직경의 둥근 상승 영역을 구비한 구리 받침대 가열기를 포함하였다. 둥근 돌출부의 평평한 표면을 평평하게 래핑(lapping)하고 연마하였다. 25.4 밀리미터 x 25.4 밀리미터의 캡톤(Kapton) 가열기(민코(Minco) HK5318 R7.6 L24 E)를 열 전도성 에폭시(미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 입수가능한 쓰리엠 스카치-웰드(Scotch-Weld) DP460-EG Al1)를 사용하여 정사각형 기부의 노출된 표면에 부착하였다.
가열기를 실리콘 고무 화합물 내에서 주조하였고, 이는 직경이 55 밀리미터이고 높이가 13 밀리미터인 디스크를 형성하였다. 실리콘의 상부 표면은 가열기의 래핑된 표면과 동일 높이이다. 구리 가열기의 외경으로부터 2 밀리미터에서 실리콘 위에 위치된 소형 열전쌍을 사용하여, 시험 디스크 또는 벽 온도(Tw)를 측정하였다.
시험 표면을 장착하기 위해, 소량의 은 그리스(grease)를 먼저 가열기 표면에 도포하였다. 그리고 나서, 시험 디스크를 디스크가 열전쌍 상에 가압되도록 실리콘 및 그리스 도포된 가열기 표면 위에 배치하였다. PTFE 개스킷을 보유하는 28 밀리미터 내경의 유리 튜브를 시험 디스크 위에 클램핑하여, 시험 디스크의 주연부를 밀봉하였다. 그리고 나서, 약 20 밀리리터의 쓰리엠 노벡 엔지니어드 플루이드 HFE-7000(미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 입수가능함)을 튜브의 개방 상부를 통해 첨가하였다. 수냉식 응축기 코일을 튜브의 상부 내로 삽입하였다. 구리 코일의 바닥과 유체의 메니스커스의 상부 사이의 영역 내의 열전쌍을 사용하여 유체 포화 온도(Tsat)를 측정하였다.
자동화된 데이터 획득 시스템이 DC 전압(V)을 가열기에 인가하였다. 이러한 전압은 4 VDC에서 시작하였고, 전압이 미리 설정된 한계를 초과할 때까지 3분마다 2 VDC 증분으로 진행하였다. 100개의 온도 측정치를 평균함으로써 다음으로 진행하기 전에 각각의 데이터 지점을 기록하였다. 가열기로의 열속(Q")을 시험 디스크의 코팅된 표면의 면적으로 나눈, 그의 최대 온도에서의 가열기 저항(R)으로 나누어진 평균 제곱 전압으로서 기록하였다:
Figure 112008037557795-PCT00002
그리고 나서, 열전달 계수(H)를 하기와 같이 계산하였다:
Figure 112008037557795-PCT00003
풀 비등 2
두께가 0.317 ㎝인 5.8 ㎝ 직경의 기계가공된 구리 디스크로 시험 디스크들을 제작하였다. 이들 디스크의 일 표면은 약 2 밀리미터의 깊이로 기계가공되어 디스크 중심선에서 종결되는 1 밀리미터 열전쌍 홈을 포함하였다. 반대 표면의 중앙의 2.54 센티미터 직경이 코팅 표면이었다. 시험 디스크들을 전술한 바와 같이 코팅하고 융합시켰다.
이러한 시험 방법은 시험 디스크 온도(Tw)를 디스크 내의 전술한 열전쌍 홈 내에 매설된 열전쌍으로 측정한 것을 제외하고는 풀 비등 1에 대해 설명된 것과 유사하였다. 또한, 2.54 ㎝ 직경의 원형 영역으로 균일한 열속을 전달하도록 가열기를 구성하였다. 시험 디스크를 가열기와 시험 디스크 사이의 계면 내에서 은 그리스를 가지고 전과 같이 클램핑하였다. 또한, 이들 시험을 미리 설정된 전압에서 종결시키지 않았지만, 대신에 디스크 온도와 포화 온도 사이의 차이가 섭씨 20도를 초과하여 표면이 건조되었고 더 이상 비등을 지속할 수 없음(임계 열속(Critical Heat Flux, CHF))을 나타낼 때까지 실행되게 하였다.
2상 강제 대류
본 발명의 열전달 용품은 또한 훨씬 더 높은 열속을 방출하는 용품을 생성하기 위해 종래의 강제 대류 기술과 함께 사용될 수 있다. 입증을 위해, 레이저 다이오드 어레이에 의해 방출되는 출력을 시뮬레이션하는 1 밀리미터 x 10 밀리미터의 평평한 표면으로 최대 100 와트를 전달할 수 있는 구리 가열기를 구성하였다. 가열된 표면으로부터 1 밀리미터에 있는 열전쌍이 가열기 표면 온도의 계산을 가능케 하였다. 열교환기를 이러한 열원에 납땜하였다. 열교환기는 0.25 ㎜(0.010 인치) 두께의 구리 시트로 구성되어진 납땜된 표면을 포함하였다. 1 밀리미터 x 10 밀리미터 x 0.76 밀리미터 두께의 다공성 매트릭스를 납땜 또는 가열된 표면에 직접 대향하여 구리 시트에 융합시켰다. 매니폴드 판(manifold plate)을 이러한 열전달 용품의 상부에 그리고 구리 시트의 에지에 결합시켜서, 쓰리엠 노벡 엔지니어드 플루이드 HFE-7000이 하나의 10 밀리미터 x 0.76 밀리미터 표면으로부터 다공성 매트릭스를 통해 그리고 다공성 매트릭스만을 통해 다른 표면으로 가압되도록 하였다. 입구 매니폴드 포트에서 유체 컬럼의 높이를 측정함으로써 인가된 압력차를 측정하였다.
실시예 1 - 9를 전술한 바와 같이 준비하여 시험하였다. 사용된 코팅 재료, 코팅 공정 및 시험 방법은 표 1에 개괄되어 있다. 실시예 1 - 8에 대한 열전달 계수 대 열속을 작동 유체로서 쓰리엠 노벡 HFE-7000을 사용하여 측정하였다. 결과가 도 5 - 도 7에 도시되어 있다.
Figure 112008037557795-PCT00004
전술한 열전달 코팅은 전형적으로 CHF에 도달하기 전에 제곱 센티미터 당 30 - 45 와트를 방출할 수 있었지만, 실시예 9의 열교환기는 입구에 인가되는 30 센티미터의 수두로 제곱 센티미터 당 89 와트를 방출할 수 있었다.
열전달 코팅의 구조 및 기능의 상세 사항과 함께, 상기 설명 및 실시예에서 기재된 본 발명의 열전달 코팅의 많은 특징 및 이점에서도, 개시 내용은 단지 예시적이라는 것을 이해하여야 한다. 특히 본 발명의 원리 내에서의 금속체의 형상 및 크기와 사용 방법에 관해서, 첨부된 청구의 범위가 표현되는 용어의 의미 그리고 그러한 구조 및 방법의 등가물에 의해 나타내어지는 완전한 범위까지 상세하게 변경이 이루어질 수 있다.

Claims (39)

  1. 알루미늄, 구리, 은 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 제1 금속을 함유하는 내측 부분과, 구리, 은, 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된, 상기 제1 금속과는 상이한 제2 금속 및 제1 금속을 포함하는 합금을 함유하는 외측 부분을 포함하는 복수의 금속체; 및
    상기 외측 부분의 상기 합금을 함유하고, 상기 복수의 금속체들 사이에 배치되어 이들을 서로 연결하는 복수의 간극 요소를 포함하며,
    10% 이상의 유효 다공성을 갖는 열전달 코팅.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리를 포함하고, 상기 제2 금속은 은을 포함하는 열전달 코팅.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리이고, 상기 간극 요소는 은과 구리의 합금을 함유하는 열전달 코팅.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 금속은 마그네슘을 포함하는 열전달 코팅.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄이고, 상기 간극 요소는 알루미늄 과 마그네슘의 합금을 함유하는 열전달 코팅.
  6. 제1항에 있어서, 상기 내측 부분은 다이아몬드를 추가로 포함하는 열전달 코팅.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다이아몬드는 크롬, 코발트, 망간, 몰리브덴, 니켈, 규소, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐, 지르코늄, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 탄화물 형성제를 함유하는 중간 코팅을 포함하는 열전달 코팅.
  8. 제1항에 있어서, 상기 복수의 금속체는 입방 센티미터당 107 내지 109개의 금속체의 범위 내의 단위 밀도를 갖는 열전달 코팅.
  9. 제1항에 있어서, 상기 금속체는 실질적으로 구형인 열전달 코팅.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속체는 5 내지 50 마이크로미터의 범위 내의 평균 직경을 포함하는 열전달 코팅.
  11. 제1항에 있어서, 상기 금속체는 1 내지 2의 범위 내의 종횡비를 포함하는 열전달 코팅.
  12. 제1항에 있어서, 상기 코팅은 20 내지 500 마이크로미터의 범위 내의 두께를 포함하는 열전달 코팅.
  13. 제1항에 있어서, 상기 열전달 코팅은 20% 이상의 유효 다공성을 갖는 열전달 코팅.
  14. 알루미늄, 구리, 은 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 제1 금속 및 다이아몬드를 함유하는 내측 부분과, 구리, 은 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된, 상기 제1 금속과는 상이한 제2 금속 및 제1 금속을 포함하는 합금을 함유하는 외측 부분을 포함하는 복수의 복합체; 및
    상기 외측 부분의 상기 합금을 함유하고, 상기 복수의 금속체들 사이에 배치되어 이들을 서로 연결하는 복수의 간극 요소
    를 포함하는 열전달 코팅.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리를 포함하고, 상기 제2 금속은 은을 포함하는 열전달 코팅.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리이고, 상기 간극 요소는 은과 구리의 합금을 함유하는 열전달 코팅.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 금속은 마그네슘을 포함하는 열전달 코팅.
  18. 제14항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄이고, 상기 간극 요소는 알루미늄과 마그네슘의 합금을 함유하는 열전달 코팅.
  19. 제14항에 있어서, 상기 복수의 금속체는 입방 센티미터당 107 내지 109개의 금속체의 범위 내의 단위 밀도를 갖는 열전달 코팅.
  20. 제14항에 있어서, 크롬, 코발트, 망간, 몰리브덴, 니켈, 규소, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐, 지르코늄, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 탄화물 형성제를 함유하는, 상기 다이아몬드에 부착된 중간 코팅을 추가로 포함하고, 상기 제1 금속은 상기 중간 코팅에 부착되는 열전달 코팅.
  21. 제14항에 있어서, 상기 금속체는 정팔면체인 열전달 코팅.
  22. 제14항에 있어서, 상기 금속체는 1 내지 2의 범위 내의 종횡비를 포함하는 열전달 코팅.
  23. 제14항에 있어서, 상기 금속체는 5 내지 50 마이크로미터의 범위 내의 평균 직경을 포함하는 열전달 코팅.
  24. 제14항에 있어서, 상기 코팅은 20 내지 500 마이크로미터의 범위 내의 두께를 포함하는 열전달 코팅.
  25. 제14항에 있어서, 상기 열전달 코팅은 10% 이상의 유효 다공성을 갖는 열전달 코팅.
  26. 제1항의 열전달 코팅을 포함하는 냉각 시스템.
  27. 제14항의 열전달 코팅을 포함하는 냉각 시스템.
  28. 외측 표면을 갖는 방열 기판을 제공하는 단계;
    융점(Tmp1)을 갖는 제1 금속을 함유하는 내측 부분 및 융점(Tmp2)을 갖는 제2 금속을 함유하는 외측 부분을 포함하는 복수의 금속체와, 결합제를 포함하는 조성물을 상기 방열 기판 상으로 침착시키는 단계; 및
    상기 조성물을 Tmp1 및 Tmp2 미만의 온도로 가열하여, 상기 복수의 금속체들을 서로에 대해 그리고 상기 방열 기판에 결합시키는, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속을 함유하는 합금을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 금속체 및 상기 합금은 10% 이상의 유효 다공성을 갖는 다공성 매트릭스를 형성하는, 방열 기판의 코팅 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 제1 금속은 알루미늄, 구리, 은 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방열 기판의 코팅 방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 제2 금속은 구리, 은, 마그네슘 및 이들의 합금으로 이루어진 군인, 방열 기판의 코팅 방법.
  31. 제28항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리를 포함하고, 상기 제2 금속은 은을 포함하는, 방열 기판의 코팅 방법.
  32. 제28항에 있어서, 상기 결합제는 광유, 실리콘유, 등유 및 폴리비닐 부티랄로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방열 기판의 코팅 방법.
  33. 제28항에 있어서, 상기 금속체는 다이아몬드를 추가로 포함하는, 방열 기판의 코팅 방법.
  34. 제28항에 있어서, 상기 방열 기판의 상기 외측 표면은 3차원 표면을 포함하는, 방열 기판의 코팅 방법.
  35. 외측 표면을 갖는 방열 기판을 제공하는 단계;
    제1항의 열전달 코팅을 상기 외측 표면 상으로 도포하는 단계; 및
    상기 열전달 코팅을 냉각 유체와 접촉시키는 단계
    를 포함하는, 방열 장치의 냉각 방법.
  36. 제35항에 있어서, 단상 열전달을 포함하는, 방열 장치의 냉각 방법.
  37. 제35항에 있어서, 2상 열전달을 포함하는, 방열 장치의 냉각 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 냉각 유체는 열사이펀 내에 수용되는, 방열 장치의 냉각 방법.
  39. 제35항에 있어서, 상기 방열 기판을 발열 장치에 부착하는 단계를 추가로 포함하는, 방열 장치의 냉각 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190131834A (ko) * 2018-05-17 2019-11-27 한국세라믹기술원 파울링을 감소시키는 보일러 튜브 코팅용 복합 세라믹 코팅재 및 이를 이용한 코팅 방법

Families Citing this family (342)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7360581B2 (en) * 2005-11-07 2008-04-22 3M Innovative Properties Company Structured thermal transfer article
US20090151907A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 International Business Machines Corporation Compliant thermal interface design and assembly method
US20090176148A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 3M Innovative Properties Company Thermal management of electrochemical cells
US20090269521A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 3M Innovative Properties Company Porous structured thermal transfer article
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP2011011366A (ja) 2009-06-30 2011-01-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属積層構造体の製造方法
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8323524B2 (en) 2009-10-01 2012-12-04 3M Innovative Properties Company Apparatus including hydrofluoroether with high temperature stability and uses thereof
JP5583985B2 (ja) * 2010-02-19 2014-09-03 住友電気工業株式会社 金属積層構造体
US9694562B2 (en) 2010-03-12 2017-07-04 Xtalic Corporation Coated articles and methods
US20110220511A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Xtalic Corporation Electrodeposition baths and systems
US8535559B2 (en) * 2010-03-26 2013-09-17 3M Innovative Properties Company Nitrogen-containing fluoroketones for high temperature heat transfer
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP6159726B2 (ja) * 2011-09-14 2017-07-05 エクスタリック コーポレイションＸｔａｌｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 被覆された製品、電着浴、及び関連するシステム
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP2013115083A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP2807347A2 (en) 2011-12-30 2014-12-03 Scrutiny, INC. Apparatus comprising frame (forced recuperation, aggregation and movement of exergy)
WO2013177547A1 (en) * 2012-05-24 2013-11-28 Purdue Research Foundation Apparatus and method for increasing boiling heat transfer therein
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP6209891B2 (ja) * 2013-07-29 2017-10-11 アイシン精機株式会社 冷却用部材の製造方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
KR20150091905A (ko) * 2014-02-04 2015-08-12 엘지전자 주식회사 증기 챔버
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10152099B2 (en) * 2014-03-14 2018-12-11 Qualcomm Incorporated Skin material design to reduce touch temperature
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) * 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
CN107118598A (zh) * 2017-06-06 2017-09-01 界首市七曜新能源有限公司 气体冷却器外涂层、气体冷却器及其制备方法
CN107192175A (zh) * 2017-06-06 2017-09-22 界首市七曜新能源有限公司 蒸发器内涂层、蒸发器及其制备方法
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
CN110998217B (zh) * 2017-07-27 2021-12-28 牛津纳米系统有限公司 带有微结构化涂层的热交换元件及其制造方法
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11137220B2 (en) 2018-06-18 2021-10-05 Purdue Research Foundation Boiling processes and systems therefor having hydrophobic boiling surfaces
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3384154A (en) 1956-08-30 1968-05-21 Union Carbide Corp Heat exchange system
US3587730A (en) 1956-08-30 1971-06-28 Union Carbide Corp Heat exchange system with porous boiling layer
US3523577A (en) 1956-08-30 1970-08-11 Union Carbide Corp Heat exchange system
BE757262A (fr) 1969-10-10 1971-04-08 Union Carbide Corp Couche metallique poreuse et procede pour la former
US3753757A (en) 1970-05-15 1973-08-21 Union Carbide Corp Two step porous boiling surface formation
US3689346A (en) 1970-09-29 1972-09-05 Rowland Dev Corp Method for producing retroreflective material
US4064914A (en) 1974-05-08 1977-12-27 Union Carbide Corporation Porous metallic layer and formation
US3990862A (en) 1975-01-31 1976-11-09 The Gates Rubber Company Liquid heat exchanger interface and method
US4129181A (en) 1977-02-16 1978-12-12 Uop Inc. Heat transfer surface
US4381818A (en) 1977-12-19 1983-05-03 International Business Machines Corporation Porous film heat transfer
US4182412A (en) 1978-01-09 1980-01-08 Uop Inc. Finned heat transfer tube with porous boiling surface and method for producing same
US4232056A (en) 1979-04-16 1980-11-04 Union Carbide Corporation Thermospray method for production of aluminum porous boiling surfaces
JPS5788967A (en) * 1980-11-21 1982-06-03 Showa Alum Corp Formation of porous layer on metallic surface
JPS57164292A (en) 1981-03-31 1982-10-08 Mitsubishi Electric Corp Boiling heat transfer surface
US4354550A (en) 1981-05-07 1982-10-19 The Trane Company Heat transfer surface for efficient boiling of liquid R-11 and its equivalents
JPS6057509B2 (ja) * 1981-11-13 1985-12-16 日本ダイアクレバイト株式会社 ステンレス鋼板等を基材とする複合材料の製造方法
US4663243A (en) 1982-10-28 1987-05-05 Union Carbide Corporation Flame-sprayed ferrous alloy enhanced boiling surface
JPH0240420B2 (ja) * 1982-12-24 1990-09-11 Showa Aluminium Co Ltd Aruminiumuzainohyomennitakoshitsusookeiseisuruhoho
JPS61273253A (ja) 1985-05-30 1986-12-03 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 熱交換器の伝熱部及びその製造法
US4890669A (en) 1986-07-02 1990-01-02 Carrier Corporation Porous coating for enhanced tubes
JP2916198B2 (ja) * 1989-03-29 1999-07-05 日清製粉株式会社 超微粒子で表面が被覆された粒子の製造方法
US5045972A (en) * 1990-08-27 1991-09-03 The Standard Oil Company High thermal conductivity metal matrix composite
US5570502A (en) 1991-04-08 1996-11-05 Aluminum Company Of America Fabricating metal matrix composites containing electrical insulators
FR2693185B1 (fr) 1992-07-03 1994-08-26 France Grignotage Revêtement composite à base de quasi-cristaux et son procédé de fabrication.
AU2126295A (en) 1994-03-23 1995-10-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Boiling enhancement coating
ES2197300T3 (es) 1996-01-26 2004-01-01 General Electric Company Abrasivos revestidos para herramientas abrasivas.
JPH1062096A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Kubota Corp 熱交換用部材
KR19990050184A (ko) 1997-12-16 1999-07-05 이구택 방식 및 방열성이 우수한 아연계 무기도료
US6196307B1 (en) 1998-06-17 2001-03-06 Intersil Americas Inc. High performance heat exchanger and method
US6896039B2 (en) 1999-05-12 2005-05-24 Thermal Corp. Integrated circuit heat pipe heat spreader with through mounting holes
US20020023733A1 (en) * 1999-12-13 2002-02-28 Hall David R. High-pressure high-temperature polycrystalline diamond heat spreader
JP2002228391A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Daikin Ind Ltd フィン付き空気熱交換器
JP2002368168A (ja) 2001-06-13 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置用複合部材、それを用いた絶縁型半導体装置、又は非絶縁型半導体装置
KR100624877B1 (ko) 2002-07-08 2006-09-18 한국과학기술연구원 젖음성 향상을 위한 습표면 열교환기의 표면처리방법
JP2004300415A (ja) 2003-03-20 2004-10-28 Eco Cosmo:Kk 塗料及びその製造方法
US6994152B2 (en) * 2003-06-26 2006-02-07 Thermal Corp. Brazed wick for a heat transfer device
US7109581B2 (en) 2003-08-25 2006-09-19 Nanoconduction, Inc. System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler
EP2316567B1 (en) 2003-09-26 2018-01-24 3M Innovative Properties Co. Nanoscale gold catalysts, activating agents, support media, and related methodologies useful for making such catalyst systems especially when the gold is deposited onto the support media using physical vapor deposition
US7353860B2 (en) 2004-06-16 2008-04-08 Intel Corporation Heat dissipating device with enhanced boiling/condensation structure
US7360581B2 (en) * 2005-11-07 2008-04-22 3M Innovative Properties Company Structured thermal transfer article

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190131834A (ko) * 2018-05-17 2019-11-27 한국세라믹기술원 파울링을 감소시키는 보일러 튜브 코팅용 복합 세라믹 코팅재 및 이를 이용한 코팅 방법

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