JP4514587B2 - 基板保持部材 - Google Patents
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Description
2:板状基体
2a:載置面
2b:溝
3:電極
4:給電端子
5:貫通孔
6:金属接合材
7:Al−Si−SiC台座
7a:凹部
7b:凸部
8:冷却部材
8a:流路
9:冷却配管
20:基板保持部材
21:板状基体
21a:載置面
22:電極
23:リード線
24:貫通孔
25:金属接合材
26:Alプレート
26a:流路
30:基板保持部材
31:板状基体
31a:載置面
32:電極
33:金属接合材
34:Al−Si−SiC台座
Claims (10)
- 板状基体の一方の主面がウェハを載せる載置面とされ、他方の主面が板状の台座の一方の主面に接合された基板保持部材であって、上記台座は、上記板状基体より熱伝導率の大きなものが用いられ、かつ、他方の主面の中央部にリング状の凹部が形成され、該凹部には冷却媒体を通す流路を内蔵する冷却部材が、上記板状基体および上記台座の接合体を上記冷却部材上に載置することにより配設されていることを特徴とする基板保持部材。
- 上記板状基体の内部に上記ウェハ吸着用の電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板保持部材。
- 上記凹部の直径が、上記載置面の直径より小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の基板保持部材。
- 上記凹部の深さtcが、上記台座の厚みtの0.3〜0.7倍であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の基板保持部材。
- 上記凹部のコーナ部のC面及び、又はR面の大きさが0.5〜5.0mmであることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の基板保持部材。
- 上記凹部により形成される凸部に上記板状基体と上記台座とを貫通する貫通孔を備え、該貫通孔と連通する溝を上記載置面に形成したことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の基板保持部材。
- 上記台座の熱伝導率が160W/(m・K)以上であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の基板保持部材。
- 上記板状基体は、窒化物及び炭化物の何れか一つを含むセラミックスからなることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の基板保持部材。
- 上記台座が金属とセラミックスとからなる複合材料であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の基板保持部材。
- 上記台座がAlとSi及びSiCを主成分とすることを特徴とする請求項9に記載の基板保持部材。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH0824117B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1996-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JPH08316299A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-11-29 | Souzou Kagaku:Kk | 静電チャック |
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JP2001102436A (ja) * | 1999-05-07 | 2001-04-13 | Applied Materials Inc | 静電チャック及びその製造方法 |
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JP3306677B2 (ja) * | 1993-05-12 | 2002-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置 |
JP2614422B2 (ja) * | 1993-12-20 | 1997-05-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 静電チャック装置およびその製造方法 |
JPH08316299A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-11-29 | Souzou Kagaku:Kk | 静電チャック |
JP2001102436A (ja) * | 1999-05-07 | 2001-04-13 | Applied Materials Inc | 静電チャック及びその製造方法 |
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