JP2005057231A - ウェハ保持部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとアルミニウムとシリコンを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面に金属層を備え、上記複合材プレートの表面に金属層を備え、これら二つの金属層の間に金属接合材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートが接合され、前記複合材プレート側の金属層の厚みtと前記金属接合材の厚みtmの比tm/tを0.01〜1とする。
【選択図】図1
Description
2:ウェハ保持部
3:金属接合材
4:複合材プレート
4a:流路
5:給電端子
6:ガス導入孔
7:板状セラミックス体
7a:載置面
7b:溝
8:金属層
9:金属層
10:電極
21:スルーホール
22:接合材
23:複合材プレート
34:基台
35:電極
36:絶縁層
37:金属層
Claims (11)
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとアルミニウムとシリコンを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面に金属層を備え、上記複合材プレートの表面に金属層を備え、これら二つの金属層の間に金属接合材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートが接合され、前記複合材プレート側の金属層の厚みtmと前記金属接合材の厚みtの比tm/tが0.01〜1であることを特徴とするウェハ保持部材。
- 前記複合材プレートの表面の金属層がアルミニウム、金、銀、銅、ニッケルから選ばれる一種または二種以上を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載のウェハ保持部材。
- 前記金属接合材がアルミニウムまたはインディウムを主成分とするロウ材であることを特徴とする請求項1または2に記載のウェハ保持部材。
- 前記電極が静電吸着電極であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のウェハ保持部材。
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備え、上記板状セラミックス体の体積固有抵抗が108〜1011Ω・cmであって、上記載置面とは反対側の面に導体層を備え、前記導体層の面積が上記載置面の面積の100%以上であることを特徴とするウェハ保持部材。
- 上記導体層の面積が上記載置面の面積の115%以上であることを特徴とする請求項5に記載のウェハ保持部材。
- 上記板状セラミックス体の厚みが15mm以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1つに記載のウェハ支持部材。
- 上記板状セラミックス体を貫通する貫通孔と、上記載置面に前記貫通孔に連通した溝を備え、該溝の深さが10〜500μmであることを特徴とする請求項1〜7の何れか1つに記載のウェハ支持部材。
- 上記溝が上記板状セラミックス体の中心から周辺に放射状に延びる放射溝を備えたことを特徴とする請求項1〜8の何れか1つに記載のウェハ支持部材。
- 上記放射溝の長さが上記板状セラミックス体の半径の1/3以上であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1つに記載のウェハ支持部材。
- 上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面と、上記複合部材の表面にそれぞれ金属層を形成し、前記2つの金属層を挟むようにロウ材を設置して、加圧しながら加熱し、ウェハ保持部と前記複合部材を接合することを特徴とする請求項1〜10の何れかに記載のウェハ保持部材の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005247662A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Kyocera Corp | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 |
JP4583053B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2010-11-17 | 京セラ株式会社 | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 |
JP2007043128A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Kyocera Corp | 接合体とこれを用いたウェハ支持部材及びウェハ処理方法 |
JP2008159831A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 接合体とこれを用いたウェハ支持部材及びウェハの処理方法 |
KR101543695B1 (ko) | 2013-10-31 | 2015-08-11 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
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