JP4583053B2 - 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 107
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 107
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 66
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 71
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N Cloperastine hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CC(Cl)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)OCCN1CCCCC1 UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- -1 alumina Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Ceramic Products (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
AlとSiとを含む複合材プレートの表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、これら二つの金属層の間にAlを主成分とする接合材を介して上記セラミックス体と上記複合材プレートとが接合され、上記接合材が少なくとも一方の上記金属層の主成分を0.1〜10質量%含有することを特徴とするものである。
混合粉末を得る。そして、該混合粉末にアクリル系のバインダーと溶媒とを混合してAlN質のスリップを作成し、ドクターブレード法にてテープを成形する。得られたAlNのテープを複数枚積層し、その上に静電吸着用の電極10としてWをスクリーン印刷法で形成し、無地のテープに所望の密着液を塗り、テープを複数枚重ねてプレス成形して成形体を得る。
2:ウェハ保持部
3:Al接合材
4:複合材プレート
4a:流路
5a:給電端子
5b:給電端子
6:ガス導入孔
7:板状セラミックス体
7a:載置面
8:金属層
9:金属層
10:電極
20a:吸着面
21:スルーホール
22:接合材
23:複合材プレート
34:基台
35:電極
36:絶縁層
37:金属層
Claims (3)
- ウェハ保持部材用の接合体であって、セラミックス体の表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、SiCとAlとSiとを含む複合材プレートの表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、これら二つの金属層の間にAlを主成分とする接合材を介して上記セラミックス体と上記複合材プレートとが接合され、上記接合材が少なくとも一方の上記金属層の主成分を0.1〜10質量%含有することを特徴とする接合体。
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとAlとSiとを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、上記複合材プレートの表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、これら二つの金属層の間にAlを主成分とする接合材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートとが接合され、上記接合材が少なくとも一方の上記金属層の主成分を0.1〜10質量%含有することを特徴とするウェハ保持部材。
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとAlとSiとを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、上記複合材プレートの表面にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とする金属層を備え、これら二つの金属層の間に、少なくとも一方の上記金属層の主成分を0.1〜10質量%含有するAlを主成分とするロウ材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートとを接合することを特徴とするウェハ保持部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004062937A JP4583053B2 (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004062937A JP4583053B2 (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005247662A JP2005247662A (ja) | 2005-09-15 |
JP4583053B2 true JP4583053B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=35028517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004062937A Expired - Fee Related JP4583053B2 (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4583053B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9624137B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-04-18 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Low temperature method for hermetically joining non-diffusing ceramic materials |
US11229968B2 (en) | 2011-11-30 | 2022-01-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Semiconductor substrate support with multiple electrodes and method for making same |
US8932690B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-01-13 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Plate and shaft device |
US8684256B2 (en) * | 2011-11-30 | 2014-04-01 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Method for hermetically joining plate and shaft devices including ceramic materials used in semiconductor processing |
WO2022049878A1 (ja) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 接合体、保持装置、および、静電チャック |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000219578A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス部材と金属部材との接合体およびその製造方法 |
JP2000243821A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2001048669A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-20 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料とセラミックスとの接合体及びその接合方法 |
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JP2005057231A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Kyocera Corp | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-03-05 JP JP2004062937A patent/JP4583053B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1032239A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Toto Ltd | 静電チャックステージ及びその製造方法 |
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JP2001048669A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-20 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料とセラミックスとの接合体及びその接合方法 |
JP2004296579A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
JP2005057231A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Kyocera Corp | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005247662A (ja) | 2005-09-15 |
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