KR20070089144A - 칼코겐화물－계 메모리 장치들을 위한 금속 캡들의 무전해도금 - Google Patents

칼코겐화물－계 메모리 장치들을 위한 금속 캡들의 무전해도금 Download PDF

Info

Publication number
KR20070089144A
KR20070089144A KR1020077012504A KR20077012504A KR20070089144A KR 20070089144 A KR20070089144 A KR 20070089144A KR 1020077012504 A KR1020077012504 A KR 1020077012504A KR 20077012504 A KR20077012504 A KR 20077012504A KR 20070089144 A KR20070089144 A KR 20070089144A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive material
cap
chalcogenide
metal
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020077012504A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101208757B1 (ko
Inventor
패트리시아 씨. 엘킨스
존 티. 무어
리타 제이. 클레인
Original Assignee
마이크론 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 filed Critical 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드
Publication of KR20070089144A publication Critical patent/KR20070089144A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101208757B1 publication Critical patent/KR101208757B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76849—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
    • H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

칼코겐화물-계 메모리 장치에서 도전성 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판(10) 위에 제1 도전성 재료(21)의 층을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전성 재료 및 상기 기판 위에 절연층(20)을 증착하는 단계, 상기 제 1 도전성 재료의 적어도 일부를 노출시키기 위해 상기 절연 층 내에 개구(22)를 형성하는 단계, 상기 절연 층 위 및 상기 개구 내에서 제2 도전성 재료(30)를 증착하는 단계, 상기 개구 내에 도전성 영역을 형성하기 위하여 상기 제2 도전성 재료의 부분들을 제거하는 단계, 상기 개구 내의 상기 도전성 영역을 상기 졀연층의 상부면보다 아래의 레벨로 리세스하는 단계, 상기 개구 내에서 리세스된 도전성 영역 위에 제 3 도전성 재료의 캡(40)을 형성하는 단계로서, 상기 제3 도전성 재료는 코발트, 은, 금,구리,니켈, 팔라듐, 백금, 및 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 캡 형성 단계, 상기 캡 위에 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료(50)의 스택을 증착하는 단계, 및 상기 칼코겐화물 스택 위에 도전성 재료(60)를 증착하는 단계를 포함한다.
기판, 도전성 재료, 절연층, 캡, 칼코겐화물-계 메모리 장치

Description

칼코겐화물－계 메모리 장치들을 위한 금속 캡들의 무전해 도금{ELECTROLESS PLATING OF METAL CAPS FOR CHALCOGENIDE-BASED MEMORY DEVICES}
본 발명은 전기화학적 증착 분야에 관한 것이며, 특히 도전성 상호접속부 위에 금속 캡을 무전해 도금하는 방법 및 이와 같은 구조를 포함하는 칼코겐화물-계 메모리 장치들에 관한 것이다.
집적 회로들의 성능 특성들 및 신뢰도는 집적 회로들 또는 칩들 상의 반도체 장치들 사이에서 전자 신호들을 전달하는데 사용되는 비아(via)들 및 상호접속부들의 구조 및 속성들에 점점 좌우되고 있다. 집적 회로들을 제조하는데 있어서의 진보들에 의하여 전형적인 칩 상에 포함되는 반도체 장치들의 밀도, 수, 및 속도가 증가하게 되었다. 상호 접속부 구조 및 형성 기술은 고속으로 진보하지 않았고, 집적 회로들의 신호 속도에 점점 한계가 되고 있다.
요즘, 고-성능 집적 회로들은 전형적으로 다수의 층들의 금속 도전 라인들을 갖는다. 이들 금속층들은 이산화 실리콘과 같은 재료들의 비교적 두꺼운 절연층들에 의해 분리된다. 비아들은 금속 라인들 사이를 접속시키는 절연층들을 통해 만들 어진다. 금속 도전 라인들이 상기 금속 라인들 상의 과도한 응력을 피하기 위하여 가능한 한 플레인의 많은 부분에서 유지되는 것이 종종 바람직하다. 제1 금속 패드 또는 라인을 커버하는 절연층 내에 비아를 충전하여, 위에 놓인 막이 절연층의 평면 상에 유지되도록 하기 위하여 텅스텐 금속 플러그가 종종 사용된다. 플러그가 없다면, 위에 놓인 막은 아래에 놓인 금속과 접촉하기 위하여 비아 내로 침지되어야 한다.
티타늄(Ti)의 층은 전형적으로 그 다음 텅스텐 접촉부들을 위한 부착 층으로서 아래에 놓인 제1 금속과 접촉하여 배치된다. 그 후, 비아가 전형적으로 화학적 기상 증착(CVD) 공정에 의해 텅스텐 금속을 증착함으로써 충전된다. 높은 애스팩트 비(aspect ratio)의 비아들이 충전되어야 할 때, 증착 공정 동안 바이의 측벽들 상에 증착된 텅스텐은 개구를 핀치 오프(pinch off)하여, 비아 내에 매립된 "키홀"이라 칭하는 보이드(void)를 남길 수 있다. 전형적으로 화학적-기계적 평탄화(CMP) 공정을 사용하여 CVD 증착 공정으로부터 여분의 텅스텐이 제거될 때, 매립된 "키홀들"은 위로 개방되어, 비아들의 최상부들에서 노출된 비아들을 남길 수 있다. 이와 같은 보이드들은 그 다음에 다른 층들 및 층들 간의 전기 접속부들을 형성하는데 악영향을 준다.
따라서, 반도체 장치들의 제조 공정의 그 다음 층들로의 양호한 전기 접속부들을 발생시키는 금속 충전된 높은 애스펙트 비 비아들을 제공하는 공정이 당업계에서 요구된다.
본 발명은 상기 요구를 충족시키고, 플러그, 비아, 또는 전기 접속부를 커버하거나 플러그, 비아, 또는 전기 접속부에 키홀을 충전하고 반도체 장치에서 그 다음 층들에 양호한 전기 접촉부를 제공하기 위하여 도전성 플러그, 비아, 또는 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법을 제공한다. 금속 캡은 바람직하게는, 코발트, 은, 구리, 금, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진다. 금속 캡은 바람직하게는, 예를 들어, 텅스텐 플러그 또는 상호접속부 위에 금속을 무전해 증착함으로써 형성된다. 금속 캡 구성을 사용하는 칼코겐화물-계 메모리 장치들이 또한 게시된다.
특히, 본 발명의 제1 양상에 따르면, 칼코겐화물-계 메모리 장치 내의 도전성 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법이 제공되며, 상기 방법은 기판 위에 제1 도전성 재료의 층을 형성하는 단계 및 상기 제1 도전성 재료 및 상기 기판 위에 절연층을 증착하는 단계를 포함한다. 제1 도전성 재료의 적어도 일부를 노출시키기 위하여 절연층 내에 개구가 형성되고, 제2 도전성 재료가 상기 절연층 위 및 상기 개구 내에 증착된다. 제2 도전성 재료의 부분들은 개구 내에 도전성 영역을 형성하기 위하여 제거되고, 상기 개구 내의 도전성 영역은 절연층의 상부면 아래의 레벨로 리세스된다. 제 3 도전성 재료의 캡이 상기 개구 내에서 리세스된 도전성 영역 위에 형성된다. 칼코겐화물 재료가 캡 위에 증착되고, 도전성 재료가 칼코겐화물 재료 위에 증착되어, 메모리 장치를 형성한다.
상기 제3 도전성 재료는 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 상기 제3 도전성 재료의 캡은 바람직하게는 무전해 도금에 의해 형성된다. 무전해 도금 공정이 사용되는 경우, 리세스된 도전성 영역의 표면은 제3 도전성 재료의 무전해 증착 이전에 선택적으로 활성화될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 칼코겐화물-계 메모리 장치 내의 도전성 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판 위에 절연층을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 절연층은 내부에 개구를 가지고, 상기 개구는 상기 기판 상에 제1 도전성 재료의 적어도 일부를 노출시킨다. 제2 도전성 재료가 상기 절연층 위 및 상기 개구 내에 증착된다. 상기 제2 도전성 재료의 부분들은 개구 내에 도전성 영역을 형성하기 위하여 제거되고, 상기 개구 내의 상기 도전성 영역은 절연층의 상부면 아래의 레벨로 리세스된다. 제3 도전성 재료의 캡이 상기 개구 내에서 리세스된 도전성 영역 위에 형성된다. 바람직하게는, 상기 제3 도전성 재료는 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택(stack)이 캡 위에 증착되고, 도전성 재료가 상기 칼코겐화물 스택 위에 증착된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 켈코게나이드-계 메모리 장치 내의 도전성 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판 위에 절연층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 절연층은 내부에 개구를 가지고, 상기 개구는 기판 상에 제1 도전성 재료의 적어도 일부를 노출시킨다. 제2 도전성 코재료가 상기 절연층 위 및 상기 개구 내에 증착된다. 상기 제2 도전성 재료의 부분들은 개구 내에 도전성 영역을 형성하기 위하여 제거되고, 상기 개구 내의 상기 도전성 영역은 절연층의 상부면 아래의 레벨로 리세스된다. 코발트 금속의 캡이 리세스된 도전성 영역 위에 형성된다. 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택이 캡 위에 증착되고, 도전성 재료가 상기 칼코겐화물 스택 위에 증착된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 칼코겐화물-계 메모리 장치 내의 텅스텐 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법에 제공되는데, 상기 방법은 절연층 내의 개구 내에서 리세스된 텅스텐 상호접속부를 형성하는 단계, 및 금속의 무전해 증착에 의해 상기 리세스된 텅스텐 층 위에 금속 캡을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 금속은 바람직하게는, 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 반도체 회로용 도전성 금속 상호접속부를 형성하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 상부에 반도체 장치가 형성되는 반도체 구조를 제공하는 단계, 상기 반도체 구조 위에 절연층을 형성하는 단계, 및 상기 반도체 구조까지 아래로 절연층 내에 트렌치를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 트렌치는 실질적으로 텅스텐으로 충전되고, 상기 텅스텐은 절연층의 상부면 아래의 레벨로 리세스된다. 금속 캡은 상기 리세스된 텅스텐 위에 무전해 증착된다. 바람직하게는, 금속 캡은 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 칼코겐화물-계 메모리 장치용 도전성 상호접속부가 제공되는데, 상기 장치는 반도체 기판 상에서 내부에 개구를 갖는 절연층, 상기 개구 내의 리세스된 텅스텐 층, 및 상기 텅스텐 층 상의 무전해 증착된 금속 캡을 포함한다. 상기 금속 캡은 바람직하게는, 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함한다. 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택이 캡 위에 있고, 도전성 재료가 상기 칼코겐화물 스택 위에 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 프로세서-기반 시스템이 제공되는데, 상기 시스템은 프로세서 및 상기 프로세서에 결합되는 칼코겐화물-계 메모리 장치를 포함한다. 상기 칼코겐화물-계 메모리 장치는 반도체 기판 상에서 내부에 개구를 갖는 절연층, 상기 개구 내의 리세스된 텅스텐 층, 및 상기 텅스텐 층 상의 무전해 증착된 금속 캡을 포함한다. 상기 금속 캡은 바람직하게는, 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함한다. 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택이 캡 위에 있고, 도전성 재료가 상기 칼코겐화물 스택 위에 있다.
따라서, 본 발명의 특징은 도전성 플러그, 비아 또는 상호접속부를 보호하고 반도체 장치에서 그 다음 층들에 대한 양호한 전기적인 접촉부를 제공하기 위하여 도전성 플러그, 비아, 또는 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 특징은 또한 금속 캡 구성을 사용하는 칼코겐화물-계 메모리 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 이들 특징들과 장점들 및 다른 특징들 및 장점들은 첨부 도면들과 관련하에 제공되고 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명하는 다음의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 표면 상에 금속 1 층들을 포함한 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 예의 단면도.
도 2는 기판의 표면 위에 절연층을 포함하는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 3은 절연층에 형성되는 개구들을 포함하는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 4는 선택적인 컨포멀한 접착층(conformal adhesion layer)을 포함하는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 5는 절연층 내의 개구를 충전하는 도전성 재료를 포함하는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 6은 여분의 도전성 재료가 제거된 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 7은 도전성 재료의 표면이 절연 층의 상부면 아래로 리스스되는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 8은 개구를 충전하는 도전성 재료 상에 도전성 재료의 캡을 포함하는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 9는 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택이 캡 위에 위치되고, 다른 도전성 재료의 층이 칼코겐화물-계 메모리 셀 스택 위에 위치되는 부분적으로 제조된 칼코겐화물-계 메모리 장치의 일부의 단면도.
도 10은 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 하나 이상의 칼코겐화물-계 메모리 장치들을 갖는 프로세서 시스템을 도시한 도면.
본원에 설명된 공정 단계들 및 구조들이 집적 회로들을 제조하기 위한 완전한 공정 흐름을 형성하지 않는다는 것이 인식된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 현재 사용되는 다양한 집적 회로 제조 기술들과 함께 실행될 수 있다. 이와 같이, 통상적으로 실행되는 공정 단계들은 이들 단계들이 본 발명의 이해를 위해 필요한 경우에만 본 명세서에 포함된다.
본원에 사용된 바와 같은 용어 "기판"은 노출된 반도체 표면을 갖는 임의의 반도체-기반 구조를 포함할 수 있다. 상기 용어는 예를 들어, 실리콘, 실리콘-온 인슐레이터(SOI), 실리콘-온-사파이어(SOS), 도핑된 반도체 및 도핑되지 않은 반도체, 베이스 반도체 파운데이션(base semiconductor foundation)에 의해 지원되는 실리콘의 에피택셜 층들, 및 다른 반도체 구조들과 같은 구조들을 포함한다. 반도체는 실리콘-계일 필요는 없다. 반도체는 실리콘-게르마늄, 또는 게르마늄일 수 있다. 본원에서 "기판"이 언급되는 경우, 베이스 반도체 또는 파운데이션 내에 또는 그 상에 영역들 또는 접합들을 형성하기 위하여 사전 공정 단계들이 사용될 수 있다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "위에"는 아래에 있는 층 또는 기판의 표면 위에 형성되는 것을 의미한다.
이제 동일한 요소들에는 동일한 참조 번호들이 병기되어 있는 도면들을 참조하면, 도1 내지 9는 금속 캡을 포함하는 적어도 하나의 상호접속부를 갖는 칼코겐화물-계 메모리 장치를 제조하는 방법의 예시적인 실시예를 도시한다. 상기 공정은 집적 회로 구조(10)의 형성 이후에 시작된다. 그러나, 상기 공정은 집적 회로 제조의 임의의 레벨에서 적용될 수 있다. 간소화를 위하여, 본 발명의 이 실시예는 상부 금속화 층과 관련하여 설명된다.
도1 내지 9는 베이스 기판(11) 및 총괄하여 13으로 도시된 다수의 제조된 층들을 갖는 부분적으로-제조된 집적 회로 구조(10)를 도시한다. 아래의 회로 내의 하나 이상의 층들 또는 장치들에 전기적으로 접속되는 일련의 도전성 영역들(21)이 종래의 기술들에 의해 회로 구조 상에 형성된다. 도시되지는 않았을지라도, 집적 회로 구조(10)가 기판(110) 위의 층(13)에서 제조된 트랜지스터들, 커패시터들, 워드선들, 비트선들, 활성 영역들, 등을 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 절연층(20)이 구조(10) 위에 제공된다. 절연층(20)은 바람직하게는, 테트라에틸오소실리케이트(TEOS) 또는 예를 들어, 보로포스포실리케이트 유리(BPSG), 보로실리케이트 유리(BSG), 또는 다른 비-도전성 산화물들(도핑되거나 도핑되지 않음), 질화물들, 및 질산화물들과 같은 다른 유전체 재료를 포함한다. 다수의 층들로 형성될 수 있는 절연층(20)은 바람직하게는, 두께가 약 5,00에서 약 20,000 옹스트롬까지이다. 도3에 도시된 바와 같이, 개구들(22) 적어도 일부는 상호접속부들이 구조(10)의 최상 부분에 제공되는 도전성 영역들(21)과 전기적으로 연통되는 위치들에서 제공된다.
도3을 다시 참조하면, 상호접속 트랜치들(22)와 같은 다수의 개구들이 절연층(20)에서 패터닝되고 에칭된다. 개구들(22)은 도전성 영역들(21)의 부분들을 노출시키도록 정렬된다. 도4에 도시된 바와 같이, 선택적인 접착층(24)이 구조(10)의 표면 위에 증착되어, 상기 층이 절연층(20) 및 상호접속 트렌치(22)를 컨포멀하게 커버하게 된다. 도전성 영역들(21) 및 그 다음에 증착되는 도전성 재료들 사이의 접합을 개선시키기 위하여 당업계에서 통상적인 바와 같이 선택적 접착층(24)이 사용될 수 있다. 장치의 제조에서 사용되는 재료들에 따라, 접착층(24)이 필요하지 않은 경우들이 존재할 것이다.
선택적 접착 층(24)은 바람직하게는, 티타늄(Ti)과 같은 내화성 금속으로 형성된다. 도4에 도시된 바와 같이, 하나의 실시예에서, 선택적인 얇은 Ti 막(24)은 물리적 기상 증착(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), EH는 원자 층 증착(ALD)을 사용하여 증착될 수 있다. 그러나, 임의의 적절한 재료, 예를 들어, 질화 텅스텐, 텅스텐 탄탈륨, 질화 탄탈륨 실리콘, 또는 다른 3원 화합물들이 접착층에 사용될 수 있다. 선택적인 접착층(24)은 바람직하게는, 약 100 옹스트롬 내지 약 500 옹스트롬 사이의 두께이고, 더 바람직하게는, 약 200 옹스트롬의 두께이다.
이제 도5를 참조하면, 바람직하게는, 텅스텐을 포함하는 도전성 상호접속부 재료가 구조(10) 및 상호접속 트렌치들(22) 위에 형성된다. 도전성 상호접속부들(30)은 예를 들어, CVD 또는 ALD 기술들을 포함하는 당업계에서 통상적인 임의의 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 기술들 둘 모두는 트렌치들(22)를 컨포멀하게 충전시킨다. 그러나, 트렌치들의 애스펙트 비 및 폭에 따라서, 이와 같은 컨포멀한 증착 기술들은 텅스텐 플러그 내에서 키홀 형성을 초래할 수 있다. 전형적으로, 상호접속부들(30)은 약 1,000에서 약 5,000 옹스트롬, 및 바람직하게는, 약 2,000 옹스트롬의 두께를 가질 것이다. 도6을 참조하면, 도전성 상호접속부들(30)로부터의 여분의 재료가 제거된다. 전형적으로, 이와 같은 재료는 당업계에 널리 공지되어 있는 화학적-기계적 평탄화(CMP) 기술들을 사용하여 제거된다. 바람직하게, 여분의 재료의 제거는 절연층(20)의 상부면(25)과 실질적으로 동일한 레벨에서 중단된다.
이제 도7을 참조하면, 도전성 상호접속부(30)는 절연층(20)의 상부면(25) 아래의 적절한 거리에 디쉬(dish) 또는 리세스를 생성하기 위하여 더 평탄화되거나 과연마된다. 상호접속부 재료를 리세스하기 위한 임의의 적절한 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도전성 상호접속부(30)는 트렌치들(22) 내 및 절연층(20)의 표면 아래에서 상호접속부 재료를 리세스하기 위하여 선택적으로 과연마되거나, 화학적 기계적으로 평탄화되거나, 습식 에칭되거나, 건식 에칭될 수 있다. 전형적으로, 약 200에서 약 500 옹스트롬까지의 리세스가 바람직하다.
하나의 실시예에서, 상호접속부 재료(30)의 리세스된 표면은 선택적으로 활성화되어, 상기 표면이 다음과 같이 금속 도금에 선택적이게 될 수 있다. 그러나, 일부 실시예들에서, 표면 활성화가 필요하지 않다는 것을 당업자들은 인식할 것이다. 표면 활성화는 다수의 기술들을 사용하여 성취될 수 있다. 바람직하게는, 표면은 예를들어, 염화 팔라듐 용액과 같은 무전해 도금 업계에 공지되어 있는 임의의 활성화 용액으로의 노출에 의해 활성화된다. 표면 노출에 대한 전형적인 시간 프레임은 선택되는 특정 활성 용액에 따라 약 10초에서 약 2분 동안까지 일 수 있다.
이제 도8을 참조하면, 금속은 그 후에 무전해 도금 공정을 사용하여 리세스 내에 선택적으로 증착된다. 리세스 내에 형성된 금속층들은 반도체 구조 내의 인접한 재료들과 호환 가능한 임의의 적절한 금속을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 금속층들은 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 또는 이의 합금들을 포함한다. 가장 바람직하게는, 금속은 코발트를 포함하는데, 그 이유는 코발트가 용이하게 입수 가능하고, 후속 처리 동안 표면을 더 부드럽게 하는 미세한 그레인 구조를 제공하기 때문이다.
바람직하게는, 약 200에서 약 500 옹스트롬의 두께를 갖는 금속 캡들이 형성된다. 캡들의 도금의 레이트를 제어함으로써, 절연층(20)의 상부면과 실질적으로 동일-평면인 캡들을 생성할 수 있다. 여분의 금속이 기판 위에 도금되는 경우에, 상기 여분은 도시된 바와 같이 금속층을 개별적인 금속 캡들(40) 내로 격리시키기 위하여 구조의 평탄화와같은 종래의 처리 방법들에 의해 제거될 수 있다. 그 후, 도8의 구조는 기능적인 회로를 생성하기 위하여 더 처리될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 메모리 장치는 절연층(20) 및 금속 캡(40) 위에 적절한 칼코겐화물 재료들(50)의 스택을 증착함으로써 형성된다. 칼코겐화물 재료는 인가된 전압이 존재할 시에, 유리 내의 은과 같은 확산된 금속 이온들을 위한 도전성 경로들을 형성할 수 있는 Ge3Se7Ge4Se6과 같은 칼코겐화된 유리로부터 형성될 수 있다. 제 2 도전성 전극(60)이 칼코겐화물 스택(50) 위에 형성되어, 메모리 장치의 형성을 완료한다. 비휘발성 메모리 장치의 예는 Moore 및 Gilton에 의한 미국 특허 제 6,348,365 호에서 제시되어 있다. "스택"에 의하여, 우리는 메모리 셀을 형성하는데 충분한, 확산된 금속 이온들을 포함하는 칼코겐화물 유리 재료의 하나 이상의 층을 나타내고자 한다.
이제 도 10을 참조하면, 집적 회로(448)를 포함하는 전형적인 캘코게나이드-계 메모리 시스템(400)이 도시되어 있다. 집적 회로(448)는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 제조되는 도전성 상호접속부 및 칼코겐화물-계 메모리를 사용한다. 컴퓨터 시스템과 같은 프로세스 시스템은 일반적으로, 버스(452)를 통하여 입/출력(I/O) 장치(446)와 통신하는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서, 또는 다른 프로그램 가능한 디지털 논리 장치들과 같은 중앙 처리 장치(CPU)(444)를 포함한다. 집적 회로(448) 내의 칼코겐화물-계 메모리는 전형적으로 메모리 제어기를 경유하여 버스(542)를 통해 시스템과 통신한다.
컴퓨터 시스템의 경우에, 상기 시스템은 버스(452)를 통해 CPU(444)와 또한 통신하는 플로피 디스크 드라이브(454) 및 콤팩트 디스크(CD) ROM 드라이브(456)과 같은 주변 장치들을 포함할 수 있다. 집적 회로(448)는 하나 이상의 도전성 상호접속부들 및 칼코겐화물-계 메모리 장치들을 포함할 수 있다. 원한다면, 집적 회로(448)는 단일 집적 회로 내에서 프로세서, 예를 들어, CPU(444)와 결합될 수 있다. 켈코게나이드-계 메모리 장치들의 포함할 수 있는 장치들의 다른 예들로는 시계들, 텔레비전들, 셀룰러 전화들, 자동차들, 항공기들 등이 있다.
명세서 및 도면들에서 설명되는 특정 실시예들로 제한되는 것으로 간주되는 것이 아니라, 첨부된 청구항들의 범위에 의해서만 제한되는 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 변경들이 행해질 수 있다는 것이 당업자들에게는 명백할 것이다.

Claims (17)

  1. 칼코겐화물-계 메모리 장치(chalcogenide-based memory device)에서 도전성 상호접속부 위에 금속 캡을 형성하는 방법에 있어서,
    기판 위에 제1 도전성 재료 층을 형성하는 단계,
    상기 제1 도전성 재료 및 상기 기판 위에 절연층을 증착하는 단계,
    상기 제1 도전성 재료의 적어도 일부를 노출시키기 위해 상기 절연층에 개구를 형성하는 단계,
    상기 절연층 위 및 상기 개구 내에서 제 2 도전성 재료를 증착하는 단계,
    상기 개구 내에 도전성 영역을 형성하기 위하여 상기 제2 도전성 재료의 부분들을 제거하는 단계,
    상기 개구 내의 상기 도전성 영역을 상기 절연층의 상부면보다 아래의 레벨로 리세스하는 단계,
    상기 개구 내에서 리세스된 도전성 영역 위에 제3 도전성 재료의 캡을 형성하는 단계로서, 상기 제 3 도전성 재료는 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 및 이들의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 상기 제 3 도전성 재료의 캡 형성 단계,
    상기 캡 위에 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택을 증착하는 단계, 및
    상기 칼코겐화물 스택 위에 도전성 재료를 증착하는 단계를 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 도전성 재료의 캡은 무전해 도금에 의해 형성되는, 금속 캡 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리세스된 도전성 영역의 표면을 활성화시키는 단계를 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 도전성 재료는 코발트를 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 도전성 재료는 텅스텐을 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 도전성 재료의 증착 이전에 상기 개구 내에 내화성금속 또는 내화성 질화 금속 층을 증착하는 단계를 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 내화성 금속은 티타늄을 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 내화성 질화 금속은 질화 티타늄을 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡을 평탄화시키기 위하여 상기 캡의 부분들을 제거하는 단계를 포함하는, 금속 캡 형성 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡은 약 200 내지 약 500 옹스트롬의 두께를 가지도록 형성되는, 금속 캡 형성 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 보로포스포실리케이트 유리(borophosphosilicate glass), 테트라에틸오소실리케이트 유리(tetraethylorthosilicate glass), 및 질화 실리콘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 금속 캡 형성 방법.
  12. 칼코겐화물-계 메모리 장치용 도전성 상호접속부에 있어서,
    반도체 기판 상에서 내부에 개구를 갖는 절연층,
    상기 개구 내의 리세스된 텅스텐 층,
    상기 텅스텐 층 상의 무전해 증착된 금속 캡으로서, 상기 금속 캡은 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 및 이들의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는, 금속 캡,
    상기 캡 위의 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택, 및
    상기 칼코겐화물 스택 위의 도전성 재료를 포함하는, 도전성 상호접속부.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 금속은 코발트를 포함하는, 도전성 상호접속부.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 금속 캡은 상기 절연 층의 상부면과 동일평면이 되도록 평탄화되는, 도전성 상호접속부.
  15. 프로세서 및 상기 프로세서에 결합된 칼코겐화물-계 메모리 장치를 포함하는 프로세서-기반 시스템에 있어서,
    상기 칼코겐화물-계 메모리 장치는 반도체 기판상에서 내부에 개구를 갖는 절연층, 상기 개구 내의 리세스된 텅스텐 층, 및 상기 텅스텐 층 상의 무전해 증착된 금속 캡으로서, 상기 금속 캡은 코발트, 은, 금, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 및 이들의 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는, 금속 캡, 상기 캡 위의 칼코겐화물-계 메모리 셀 재료의 스택, 및 상기 칼코겐화물 스택 위의 도전성 재료를 포함하는, 프로세서-기반 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 금속은 코발트를 포함하는, 프로세서-기반 시스템.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 금속 캡은 상기 절연 층의 상부면과 동일평면이 되도록 평탄화되는, 프로세스-기반 시스템.
KR1020077012504A 2004-11-03 2005-10-18 칼코겐화물－계 메모리 장치들을 위한 금속 캡들의 무전해도금 KR101208757B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/980,658 US7189626B2 (en) 2004-11-03 2004-11-03 Electroless plating of metal caps for chalcogenide-based memory devices
US10/980,658 2004-11-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070089144A true KR20070089144A (ko) 2007-08-30
KR101208757B1 KR101208757B1 (ko) 2012-12-05

Family

ID=35695541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077012504A KR101208757B1 (ko) 2004-11-03 2005-10-18 칼코겐화물－계 메모리 장치들을 위한 금속 캡들의 무전해도금

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7189626B2 (ko)
EP (1) EP1812977B1 (ko)
JP (1) JP5154942B2 (ko)
KR (1) KR101208757B1 (ko)
CN (1) CN101080825B (ko)
TW (1) TWI286818B (ko)
WO (1) WO2006052394A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190100975A (ko) * 2017-01-20 2019-08-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 상호 접속 구조체 및 그 형성 방법

Families Citing this family (369)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7959577B2 (en) * 2007-09-06 2011-06-14 Baxano, Inc. Method, system, and apparatus for neural localization
US7812404B2 (en) * 2005-05-09 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
US7407885B2 (en) * 2005-05-11 2008-08-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming electrically conductive plugs
US7686874B2 (en) * 2005-06-28 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Electroless plating bath composition and method of use
US7348238B2 (en) * 2005-08-22 2008-03-25 Micron Technology, Inc. Bottom electrode for memory device and method of forming the same
US7834338B2 (en) 2005-11-23 2010-11-16 Sandisk 3D Llc Memory cell comprising nickel-cobalt oxide switching element
US7808810B2 (en) * 2006-03-31 2010-10-05 Sandisk 3D Llc Multilevel nonvolatile memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
US7875871B2 (en) * 2006-03-31 2011-01-25 Sandisk 3D Llc Heterojunction device comprising a semiconductor and a resistivity-switching oxide or nitride
US7829875B2 (en) * 2006-03-31 2010-11-09 Sandisk 3D Llc Nonvolatile rewritable memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
KR100780865B1 (ko) * 2006-07-19 2007-11-30 삼성전자주식회사 상변화막을 포함하는 반도체 소자의 형성 방법
JP4740071B2 (ja) * 2006-08-31 2011-08-03 株式会社東芝 半導体装置
KR100852206B1 (ko) * 2007-04-04 2008-08-13 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법.
KR100881055B1 (ko) * 2007-06-20 2009-01-30 삼성전자주식회사 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
US7824956B2 (en) * 2007-06-29 2010-11-02 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US7846785B2 (en) * 2007-06-29 2010-12-07 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US8233308B2 (en) 2007-06-29 2012-07-31 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
KR101447176B1 (ko) * 2007-06-29 2014-10-08 쌘디스크 3디 엘엘씨 선택적으로 증착된 가역 저항-스위칭 소자를 사용하는 메모리 셀과 상기 메모리 셀을 형성하는 방법
US7902537B2 (en) * 2007-06-29 2011-03-08 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US20090072348A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Ulrich Klostermann Integrated Circuits; Methods for Manufacturing an Integrated Circuit and Memory Module
US7768812B2 (en) 2008-01-15 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices
US8034655B2 (en) 2008-04-08 2011-10-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays
US8211743B2 (en) 2008-05-02 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes
US8134137B2 (en) 2008-06-18 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Memory device constructions, memory cell forming methods, and semiconductor construction forming methods
US9343665B2 (en) 2008-07-02 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory cell and methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
WO2010022036A2 (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Contour Semiconductor, Inc. Method for forming self-aligned phase-change semiconductor diode memory
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN101996943B (zh) * 2009-08-18 2013-12-04 展晶科技(深圳)有限公司 材料层分离方法
JP5468087B2 (ja) * 2009-11-30 2014-04-09 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置
US8427859B2 (en) 2010-04-22 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8411477B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8289763B2 (en) 2010-06-07 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Memory arrays
US9570678B1 (en) 2010-06-08 2017-02-14 Crossbar, Inc. Resistive RAM with preferental filament formation region and methods
US9601692B1 (en) 2010-07-13 2017-03-21 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US8946046B1 (en) 2012-05-02 2015-02-03 Crossbar, Inc. Guided path for forming a conductive filament in RRAM
US9012307B2 (en) 2010-07-13 2015-04-21 Crossbar, Inc. Two terminal resistive switching device structure and method of fabricating
KR101883236B1 (ko) 2010-06-11 2018-08-01 크로스바, 인크. 메모리 디바이스를 위한 필러 구조 및 방법
US8441835B2 (en) 2010-06-11 2013-05-14 Crossbar, Inc. Interface control for improved switching in RRAM
US8374018B2 (en) 2010-07-09 2013-02-12 Crossbar, Inc. Resistive memory using SiGe material
US8884261B2 (en) 2010-08-23 2014-11-11 Crossbar, Inc. Device switching using layered device structure
US8467227B1 (en) 2010-11-04 2013-06-18 Crossbar, Inc. Hetero resistive switching material layer in RRAM device and method
US8569172B1 (en) 2012-08-14 2013-10-29 Crossbar, Inc. Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications
US8947908B2 (en) 2010-11-04 2015-02-03 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US8168506B2 (en) 2010-07-13 2012-05-01 Crossbar, Inc. On/off ratio for non-volatile memory device and method
US8492195B2 (en) 2010-08-23 2013-07-23 Crossbar, Inc. Method for forming stackable non-volatile resistive switching memory devices
US8841196B1 (en) 2010-09-29 2014-09-23 Crossbar, Inc. Selective deposition of silver for non-volatile memory device fabrication
US8889521B1 (en) 2012-09-14 2014-11-18 Crossbar, Inc. Method for silver deposition for a non-volatile memory device
US9401475B1 (en) 2010-08-23 2016-07-26 Crossbar, Inc. Method for silver deposition for a non-volatile memory device
US8404553B2 (en) 2010-08-23 2013-03-26 Crossbar, Inc. Disturb-resistant non-volatile memory device and method
US8558212B2 (en) 2010-09-29 2013-10-15 Crossbar, Inc. Conductive path in switching material in a resistive random access memory device and control
US8391049B2 (en) 2010-09-29 2013-03-05 Crossbar, Inc. Resistor structure for a non-volatile memory device and method
US8351242B2 (en) 2010-09-29 2013-01-08 Micron Technology, Inc. Electronic devices, memory devices and memory arrays
US8759809B2 (en) 2010-10-21 2014-06-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells having platelike electrode and ion conductive material layer
US8187945B2 (en) 2010-10-27 2012-05-29 Crossbar, Inc. Method for obtaining smooth, continuous silver film
US8526213B2 (en) 2010-11-01 2013-09-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of programming memory cells, and methods of forming memory cells
US8796661B2 (en) 2010-11-01 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell
US8502185B2 (en) 2011-05-31 2013-08-06 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
USRE46335E1 (en) 2010-11-04 2017-03-07 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
US8258020B2 (en) 2010-11-04 2012-09-04 Crossbar Inc. Interconnects for stacked non-volatile memory device and method
US8088688B1 (en) 2010-11-05 2012-01-03 Crossbar, Inc. p+ polysilicon material on aluminum for non-volatile memory device and method
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8930174B2 (en) 2010-12-28 2015-01-06 Crossbar, Inc. Modeling technique for resistive random access memory (RRAM) cells
US9153623B1 (en) 2010-12-31 2015-10-06 Crossbar, Inc. Thin film transistor steering element for a non-volatile memory device
US8791010B1 (en) 2010-12-31 2014-07-29 Crossbar, Inc. Silver interconnects for stacked non-volatile memory device and method
US8815696B1 (en) 2010-12-31 2014-08-26 Crossbar, Inc. Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8488365B2 (en) 2011-02-24 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Memory cells
US8524599B2 (en) 2011-03-17 2013-09-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming at least one conductive element and methods of forming a semiconductor structure
US8537592B2 (en) 2011-04-15 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8450710B2 (en) 2011-05-27 2013-05-28 Crossbar, Inc. Low temperature p+ silicon junction material for a non-volatile memory device
US20120309188A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Crossbar, Inc. Method to improve adhesion for a silver filled oxide via for a non-volatile memory device
US9620206B2 (en) 2011-05-31 2017-04-11 Crossbar, Inc. Memory array architecture with two-terminal memory cells
US8394670B2 (en) 2011-05-31 2013-03-12 Crossbar, Inc. Vertical diodes for non-volatile memory device
US8619459B1 (en) 2011-06-23 2013-12-31 Crossbar, Inc. High operating speed resistive random access memory
US9627443B2 (en) 2011-06-30 2017-04-18 Crossbar, Inc. Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field
US8659929B2 (en) 2011-06-30 2014-02-25 Crossbar, Inc. Amorphous silicon RRAM with non-linear device and operation
US9564587B1 (en) 2011-06-30 2017-02-07 Crossbar, Inc. Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects
US8946669B1 (en) 2012-04-05 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive memory device and fabrication methods
US9166163B2 (en) 2011-06-30 2015-10-20 Crossbar, Inc. Sub-oxide interface layer for two-terminal memory
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9252191B2 (en) 2011-07-22 2016-02-02 Crossbar, Inc. Seed layer for a p+ silicon germanium material for a non-volatile memory device and method
US9729155B2 (en) 2011-07-29 2017-08-08 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
US10056907B1 (en) 2011-07-29 2018-08-21 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
US8674724B2 (en) 2011-07-29 2014-03-18 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
CN102437098A (zh) * 2011-09-08 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 一种降低接触孔电阻的接触孔形成方法
CN102437099A (zh) * 2011-09-08 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 一种降低接触孔电阻的接触孔结构形成方法
CN102437097A (zh) * 2011-09-08 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 一种新的接触孔的制造方法
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8716098B1 (en) 2012-03-09 2014-05-06 Crossbar, Inc. Selective removal method and structure of silver in resistive switching device for a non-volatile memory device
US9087576B1 (en) 2012-03-29 2015-07-21 Crossbar, Inc. Low temperature fabrication method for a three-dimensional memory device and structure
US8946667B1 (en) 2012-04-13 2015-02-03 Crossbar, Inc. Barrier structure for a silver based RRAM and method
US9685608B2 (en) 2012-04-13 2017-06-20 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
US8658476B1 (en) 2012-04-20 2014-02-25 Crossbar, Inc. Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device
US8796658B1 (en) 2012-05-07 2014-08-05 Crossbar, Inc. Filamentary based non-volatile resistive memory device and method
US8765566B2 (en) 2012-05-10 2014-07-01 Crossbar, Inc. Line and space architecture for a non-volatile memory device
US9070859B1 (en) 2012-05-25 2015-06-30 Crossbar, Inc. Low temperature deposition method for polycrystalline silicon material for a non-volatile memory device
US9583701B1 (en) 2012-08-14 2017-02-28 Crossbar, Inc. Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation
US9741765B1 (en) 2012-08-14 2017-08-22 Crossbar, Inc. Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes
US8946673B1 (en) 2012-08-24 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive switching device structure with improved data retention for non-volatile memory device and method
US8796102B1 (en) 2012-08-29 2014-08-05 Crossbar, Inc. Device structure for a RRAM and method
US9312483B2 (en) 2012-09-24 2016-04-12 Crossbar, Inc. Electrode structure for a non-volatile memory device and method
US9576616B2 (en) 2012-10-10 2017-02-21 Crossbar, Inc. Non-volatile memory with overwrite capability and low write amplification
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11068620B2 (en) 2012-11-09 2021-07-20 Crossbar, Inc. Secure circuit integrated with memory layer
US8982647B2 (en) 2012-11-14 2015-03-17 Crossbar, Inc. Resistive random access memory equalization and sensing
US9412790B1 (en) 2012-12-04 2016-08-09 Crossbar, Inc. Scalable RRAM device architecture for a non-volatile memory device and method
US9406379B2 (en) 2013-01-03 2016-08-02 Crossbar, Inc. Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship
US9324942B1 (en) 2013-01-31 2016-04-26 Crossbar, Inc. Resistive memory cell with solid state diode
US9112145B1 (en) 2013-01-31 2015-08-18 Crossbar, Inc. Rectified switching of two-terminal memory via real time filament formation
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8934280B1 (en) 2013-02-06 2015-01-13 Crossbar, Inc. Capacitive discharge programming for two-terminal memory cells
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9577192B2 (en) 2014-05-21 2017-02-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Method for forming a metal cap in a semiconductor memory device
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9603247B2 (en) * 2014-08-11 2017-03-21 Intel Corporation Electronic package with narrow-factor via including finish layer
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9852990B1 (en) 2016-08-17 2017-12-26 International Business Machines Corporation Cobalt first layer advanced metallization for interconnects
US9941212B2 (en) 2016-08-17 2018-04-10 International Business Machines Corporation Nitridized ruthenium layer for formation of cobalt interconnects
US9859215B1 (en) 2016-08-17 2018-01-02 International Business Machines Corporation Formation of advanced interconnects
US10115670B2 (en) 2016-08-17 2018-10-30 International Business Machines Corporation Formation of advanced interconnects including set of metal conductor structures in patterned dielectric layer
US9716063B1 (en) 2016-08-17 2017-07-25 International Business Machines Corporation Cobalt top layer advanced metallization for interconnects
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN108695235B (zh) * 2017-04-05 2019-08-13 联华电子股份有限公司 改善钨金属层蚀刻微负载的方法
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10566519B2 (en) 2017-08-18 2020-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a flat bottom electrode via (BEVA) top surface for memory
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) * 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
TWI751406B (zh) * 2018-03-06 2022-01-01 美商應用材料股份有限公司 形成金屬硫系化物柱體之方法
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0257948A3 (en) 1986-08-25 1988-09-28 AT&T Corp. Conductive via plug for cmos devices
JP2768390B2 (ja) * 1990-12-11 1998-06-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 無電解金属付着のために基体をコンディショニングする方法
US5600182A (en) 1995-01-24 1997-02-04 Lsi Logic Corporation Barrier metal technology for tungsten plug interconnection
US6420725B1 (en) 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
US5702981A (en) 1995-09-29 1997-12-30 Maniar; Papu D. Method for forming a via in a semiconductor device
US5998244A (en) * 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
TW357413B (en) 1997-12-05 1999-05-01 United Microelectronics Corp Manufacturing process of transistors
JPH11297112A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electron Corp 反射鏡付き管球
US6165902A (en) 1998-11-06 2000-12-26 Advanced Micro Devices, Inc. Low resistance metal contact technology
US6451698B1 (en) * 1999-04-07 2002-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. System and method for preventing electrochemical erosion by depositing a protective film
US6383821B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Conexant Systems, Inc. Semiconductor device and process
US6713378B2 (en) 2000-06-16 2004-03-30 Micron Technology, Inc. Interconnect line selectively isolated from an underlying contact plug
US6479902B1 (en) 2000-06-29 2002-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor catalytic layer and atomic layer deposition thereof
US6501111B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-31 Intel Corporation Three-dimensional (3D) programmable device
US7247876B2 (en) * 2000-06-30 2007-07-24 Intel Corporation Three dimensional programmable device and method for fabricating the same
US6455424B1 (en) 2000-08-07 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Selective cap layers over recessed polysilicon plugs
JP4644924B2 (ja) 2000-10-12 2011-03-09 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
AU2002239604A1 (en) 2000-12-11 2002-06-24 Handy And Harman Barrier layer for electrical connectors and methods of applying the layer
US6531373B2 (en) * 2000-12-27 2003-03-11 Ovonyx, Inc. Method of forming a phase-change memory cell using silicon on insulator low electrode in charcogenide elements
US6709874B2 (en) * 2001-01-24 2004-03-23 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a metal cap layer for preventing damascene conductive lines from oxidation
US6348365B1 (en) 2001-03-02 2002-02-19 Micron Technology, Inc. PCRAM cell manufacturing
US6468858B1 (en) * 2001-03-23 2002-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of forming a metal insulator metal capacitor structure
US7102150B2 (en) 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
US6884724B2 (en) * 2001-08-24 2005-04-26 Applied Materials, Inc. Method for dishing reduction and feature passivation in polishing processes
US6737312B2 (en) 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6764894B2 (en) * 2001-08-31 2004-07-20 Ovonyx, Inc. Elevated pore phase-change memory
KR100449949B1 (ko) * 2002-04-26 2004-09-30 주식회사 하이닉스반도체 강유전체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
US6731528B2 (en) 2002-05-03 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation
KR100437458B1 (ko) * 2002-05-07 2004-06-23 삼성전자주식회사 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들
JP2004015028A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Ebara Corp 基板処理方法及び半導体装置
US20030227091A1 (en) 2002-06-06 2003-12-11 Nishant Sinha Plating metal caps on conductive interconnect for wirebonding
KR100448893B1 (ko) * 2002-08-23 2004-09-16 삼성전자주식회사 상전이 기억 소자 구조 및 그 제조 방법
JP2004193298A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US6869883B2 (en) 2002-12-13 2005-03-22 Ovonyx, Inc. Forming phase change memories
KR100543445B1 (ko) * 2003-03-04 2006-01-23 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자 및 그 형성방법
US6893959B2 (en) * 2003-05-05 2005-05-17 Infineon Technologies Ag Method to form selective cap layers on metal features with narrow spaces
JP2005032855A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置及びその製造方法
US20050124155A1 (en) 2003-12-03 2005-06-09 Brooks Joseph F. Electrode structures and method to form electrode structures that minimize electrode work function variation
US6937507B2 (en) * 2003-12-05 2005-08-30 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device and method of operating same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190100975A (ko) * 2017-01-20 2019-08-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 상호 접속 구조체 및 그 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1812977B1 (en) 2011-12-21
US7550380B2 (en) 2009-06-23
US7189626B2 (en) 2007-03-13
EP1812977A1 (en) 2007-08-01
TW200633131A (en) 2006-09-16
US20070123039A1 (en) 2007-05-31
CN101080825B (zh) 2010-11-24
WO2006052394A1 (en) 2006-05-18
JP2008519465A (ja) 2008-06-05
KR101208757B1 (ko) 2012-12-05
US20060094236A1 (en) 2006-05-04
CN101080825A (zh) 2007-11-28
TWI286818B (en) 2007-09-11
JP5154942B2 (ja) 2013-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101208757B1 (ko) 칼코겐화물－계 메모리 장치들을 위한 금속 캡들의 무전해도금
US6144099A (en) Semiconductor metalization barrier
US7338896B2 (en) Formation of deep via airgaps for three dimensional wafer to wafer interconnect
US7051934B2 (en) Methods of forming metal layers in integrated circuit devices using selective deposition on edges of recesses
US6147404A (en) Dual barrier and conductor deposition in a dual damascene process for semiconductors
US20030139034A1 (en) Dual damascene structure and method of making same
US20020121699A1 (en) Dual damascene Cu contact plug using selective tungsten deposition
US20030227091A1 (en) Plating metal caps on conductive interconnect for wirebonding
US9269586B2 (en) Selective metal deposition over dielectric layers
US8674404B2 (en) Additional metal routing in semiconductor devices
US6469385B1 (en) Integrated circuit with dielectric diffusion barrier layer formed between interconnects and interlayer dielectric layers
US6320263B1 (en) Semiconductor metalization barrier and manufacturing method therefor
JP3415081B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US6979903B1 (en) Integrated circuit with dielectric diffusion barrier layer formed between interconnects and interlayer dielectric layers
KR100571386B1 (ko) 반도체 소자의 구리 배선 및 그의 제조 방법
KR20040074240A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성 방법
US20070155151A1 (en) Semiconductor device and a manufacturing method
KR20050028524A (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
KR20100028957A (ko) 반도체 소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151102

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171030

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 7