KR20070082031A - 패턴 작성 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 시료의 패턴 작성 영역으로부터 가상 분할된 복수의 메쉬 형상 영역의 메쉬 형상 영역마다 포함되는 패턴의 면적과, 상기 패턴의 외주 변의 길이의 총합을 이용하여 상기 패턴의 치수를 변경하여, 로딩 효과에 의해 생기는 상기 패턴의 치수 오차를 보정하고,변경된 치수의 패턴을 상기 시료에 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 작성 방법은,상기 패턴의 면적과 패턴의 외주 변의 길이의 총합을 이용하여, 상기 패턴의 치수 오차가 소정의 범위 내로 될 때까지 패턴 치수 보정량을 반복하여 계산하고,상기 변경은 계산된 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 작성 방법은,로딩 효과에 의해 상기 패턴에서 생기는 패턴 치수 변동량을 상기 패턴의 변의 총합을 이용하여 변조한 패턴 치수 보정량을 구하고,상기 변경은, 구한 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 패턴 치수 보정량은, 상기 패턴 치수 보정량의 제곱을 곱함으로써 패턴의 정점의 면적이 구해지는 정점의 정수를 이용하여 변조되는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 작성 방법은,로딩 효과에 의해 상기 패턴에서 생기는 패턴 치수 변동량을 상기 패턴의 변의 총합을 이용하여 변조한 제1 패턴 치수 보정량을 계산하고,상기 제1 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 상기 패턴의 치수 오차가 소정의 범위 내가 될 때까지 제2 패턴 치수 보정량을 반복하여 계산하고,상기 변경은 상기 제2 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 시료의 패턴 작성 영역으로부터 가상 분할된 복수의 메쉬 형상 영역의 메쉬 형상 영역마다 포함되는 패턴의 면적과, 상기 패턴의 외주 변의 길이의 총합을 이용하여 하전 입자빔의 조사량을 변경하여, 로딩 효과에 의해 생기는 상기 패턴의 치수 오차를 보정하고,변경된 조사량으로 상기 하전 입자빔을 조사하여 상기 시료에 패턴을 작성하는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 패턴 작성 방법은,상기 패턴의 면적과 패턴의 외주 변의 길이의 총합을 이용하여, 상기 패턴의 치수 오차가 소정의 범위 내로 될 때까지 패턴 치수 보정량을 반복하여 계산하고,상기 변경은 계산된 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 패턴 작성 방법은,로딩 효과에 의해 상기 패턴에서 생기는 패턴 치수 변동량을 상기 패턴의 변의 총합을 이용하여 변조한 패턴 치수 보정량을 구하고,상기 변경은, 구한 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 패턴 치수 보정량은, 상기 패턴 치수 보정량의 제곱을 곱함으로써 패턴의 정점의 면적이 구해지는 정점의 정수를 이용하여 변조되는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 패턴 작성 방법은,로딩 효과에 의해 상기 패턴에서 생기는 패턴 치수 변동량을 상기 패턴의 변의 총합을 이용하여 변조한 제1 패턴 치수 보정량을 계산하고,상기 제1 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 상기 패턴의 치수 오차가 소정의 범위 내로 될 때까지 제2 패턴 치수 보정량을 반복하여 계산하고,상기 변경은 상기 제2 패턴 치수 보정량을 기초로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 패턴 작성 방법.
- 시료의 패턴 작성 영역으로부터 가상 분할된 복수의 메쉬 형상 영역의 메쉬 형상 영역마다 포함되는 패턴의 면적과, 상기 패턴의 외주 변의 길이의 총합을 이용하여 하전 입자빔의 조사량을 보정하는 보정부와,상기 보정된 조사량으로 상기 하전 입자빔을 조사하여, 상기 시료에 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
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