KR20200141494A - 하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램 - Google Patents

하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램 Download PDF

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Abstract

대전 현상에 의한 위치 이탈을 고정밀도로 보정한다. 하전 입자 빔 묘화 장치(100)는, 패턴 밀도 분포 및 도스량 분포를 이용하여 하전 입자 빔의 조사량 분포를 산출하는 조사량 분포 산출부(33)와, 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수의 각각과, 조사량 분포를 각각 합성곱 적분함으로써, 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 산출하는 포깅 하전 입자량 분포 산출부(34)와, 패턴 밀도 분포, 도스량 분포 및 조사량 분포를 이용하여, 직접 대전에 의한 대전량 분포를 산출하고, 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 이용하여, 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포를 산출하는 대전량 분포 산출부(35)와, 직접 대전에 의한 대전량 분포 및 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포에 기초하는 묘화 위치의 위치 이탈량을 산출하는 위치 이탈량 산출부(38)와, 위치 이탈량을 이용하여, 조사 위치를 보정하는 보정부(42)와, 보정된 조사 위치에 하전 입자 빔을 조사하는 묘화부(150)를 구비한다.

Description

하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램
본 발명은, 하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선 폭은 해마다 미세화되어 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 이용하여, 석영 상에 형성된 고정밀도의 원화 패턴(마스크, 혹은 특히 스테퍼 또는 스캐너로 이용되는 것은 레티클이라고도 함)을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 수법이 채용되어 있다. 고정밀도의 원화 패턴은, 전자 빔 묘화 장치에 의하여 묘화되며, 소위, 전자 빔 리소그래피 기술이 이용되어 있다.
마스크 등의 기판에 전자 빔을 조사하는 경우, 과거에 조사한 전자 빔에 의하여 조사 위치 또는 그 주위가 대전하여, 조사 위치가 이탈된다. 종래, 이 빔 조사 위치 이탈을 없애는 방법의 하나로서, 기판 상에 대전 방지막(CDL：Charge　Dissipation　Layer)을 형성하여, 기판 표면의 대전을 방지하는 방법이 알려져 있다. 그러나, 이 대전 방지막은, 기본적으로 산의 특성을 가지고 있으므로, 기판 상에 화학 증폭형 레지스트가 도포되어 있는 경우 등에 있어서 상성(相性)이 좋지 않다. 또한, 대전 방지막을 형성하기 위하여 새로운 설비를 설치할 필요가 있어, 제조 코스트가 더 증대되어 버린다. 이 때문에, 대전 방지막을 이용하지 않고, 대전 효과 보정(CEC：Charging　Effect Correction)을 행하는 것이 요구되고 있다.
대전량 분포를 구하여 빔 조사 위치의 보정량을 산출하는 대전 효과 보정의 수법을 이용한 묘화 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2 참조). 그러나, 종래의 대전 효과 보정에서는, 일부의 영역에서, 오늘날에 요구되는 치수 정밀도에 충분히 대응할 수 없다고 하는 문제가 생기고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 공보 제2009-260250호 특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 공보 제2011-040450호 특허 문헌 3 : 일본 특허 공개 공보 제2018-133552호 특허 문헌 4 : 일본 특허 등록 공보 제5617947호
본 발명은, 대전 현상에 의한 위치 이탈을 보정하는 하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일 태양에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔을 편향기에 의하여 편향시켜 스테이지 상의 기판에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 장치이며, 상기 기판의 묘화 영역을 메쉬 형상으로 가상 분할하고, 메쉬 영역마다의 상기 패턴의 배치 비율을 나타내는 패턴 밀도 분포를 산출하는 패턴 밀도 분포 산출부와, 상기 패턴 밀도 분포를 이용하여 메쉬 영역마다의 도스량을 나타내는 도스량 분포를 산출하는 도스량 분포 산출부와, 상기 패턴 밀도 분포 및 상기 도스량 분포를 이용하여, 상기 방출부로부터 방출되고, 상기 기판에 조사되는 상기 하전 입자 빔의 조사량 분포를 산출하는 조사량 분포 산출부와, 분포 중심 및 포깅 효과의 영향 반경이 상이한 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수의 각각과, 상기 조사량 분포를 각각 합성곱 적분함으로써, 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 산출하는 포깅 하전 입자량 분포 산출부와, 상기 패턴 밀도 분포, 상기 도스량 분포 및 상기 조사량 분포를 이용하여, 직접 대전에 의한 대전량 분포를 산출하고, 상기 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 이용하여, 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포를 산출하는 대전량 분포 산출부와, 상기 직접 대전에 의한 대전량 분포 및 상기 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포에 기초하는 묘화 위치의 위치 이탈량을 산출하는 위치 이탈량 산출부와, 상기 위치 이탈량을 이용하여, 조사 위치를 보정하는 보정부와, 보정된 조사 위치에 하전 입자 빔을 조사하는 묘화부를 구비하는 것이다.
본 발명에 의하면, 대전 현상에 의한 위치 이탈을 고정밀도로 보정할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 묘화 장치의 개략도이다.
도 2는, 스테이지 이동의 모습을 설명하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는, 분포 중심이 이탈된 포깅 전자를 발생시킨다고 상정되는 메카니즘을 설명하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는, 분포 중심이 이탈된 포깅 전자를 발생시킨다고 상정되는 메카니즘을 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는, 포깅 전자의 에너지마다의 포깅 전자 대전의 예를 도시하는 도면이다.
도 6은, 동일 실시 형태에 따른 묘화 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 7은, 대전량 분포를 일반화하여 기술한 수식을 나타내는 도면이다.
도 8은, 대전량 분포의 일예를 기술한 수식을 나타내는 도면이다.
도 9a는, 묘화 결과의 일예를 도시하는 도면이며, 도 9b는, 묘화한 패턴을 도시하는 도면이다.
도 10a는, 비교예에 의한 묘화 결과의 일예를 도시하는 도면이며, 도 10b는, 동일 실시 형태에 의한 묘화 결과의 일예를 도시하는 도면이다.
도 11a는, 비교예에 의한 묘화 위치의 오차를 나타내는 그래프이며, 도 11b는, 동일 실시 형태에 의한 묘화 위치의 오차를 나타내는 그래프이다.
도 12는, 다른 실시 형태에 따른 묘화 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 13a 및 도 13b는, 평가 패턴의 예를 도시하는 도면이다.
도 14a 내지 도 14c는, 묘화 결과의 예를 도시하는 도면이다.
도 15a 내지 도 15c는, 저에너지 포깅 전자 대전량 분포를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 실시 형태에서는, 하전 입자 빔의 일예로서, 전자 빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자 빔은 전자 빔에 한정되지 않으며, 이온 빔 등이어도 된다.
도 1은, 실시 형태에 따른 묘화 장치의 개략 구성도이다. 도 1에 도시하는 묘화 장치(100)는, 묘화부(150) 및 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는, 전자 빔 묘화 장치의 일예이다. 묘화부(150)는, 전자 경통(1)과 묘화실(14)을 가지고 있다. 전자 경통(1) 내에는, 전자 총(5), 조명 렌즈(7), 제1 애퍼처(8), 투영 렌즈(9), 성형 편향기(10), 제2 애퍼처(11), 대물 렌즈(12), 대물 편향기(13), 및 정전 렌즈(15)가 배치된다.
묘화실(14) 내에는, XY 스테이지(3)가 배치된다. XY 스테이지(3) 상에는, 묘화 대상이 되는 기판(2)이 배치된다. 기판(2)에는, 반도체 제조의 노광에 이용하는 포토마스크 또는 반도체 장치를 형성하는 반도체 웨이퍼 등이 포함된다. 또한, 묘화되는 포토마스크에는, 아직 아무것도 묘화되어 있지 않은 마스크 블랭크스가 포함된다. 묘화되는 때에는, 기판 상에, 전자 빔에 의하여 감광하는 레지스트층이 형성되어 있다. XY 스테이지(3) 상에는, 기판(2)이 배치되는 위치와는 상이한 위치에, 스테이지 위치 측정용의 미러(4)가 배치된다.
제어부(160)는, 제어 계산기(110, 120), 스테이지 위치 검출부(45), 스테이지 제어부(46), 편향 제어 회로(130), 메모리(142), 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(21, 140) 등을 가지고 있다. 편향 제어 회로(130)는, 성형 편향기(10), 대물 편향기(13)에 접속된다.
제어 계산기(110)는, 묘화 제어부(30), 패턴 밀도 분포 산출부(31), 도스량 분포 산출부(32), 조사량 분포 산출부(33), 포깅 전자량 분포 산출부(34), 대전량 분포 산출부(35), 묘화 경과 시간 연산부(36), 누적 시간 연산부(37), 및 위치 이탈량 분포 산출부(38)의 기능을 가진다. 제어 계산기(110)의 각 부는, 전기 회로, 컴퓨터, 프로세서, 회로 기판, 양자 회로, 혹은 반도체 장치 등을 포함하는 하드웨어로 구성되어 있어도 되고, 소프트웨어로 구성되어 있어도 된다. 소프트웨어로 구성하는 경우에는, 그 기능을 실현하는 프로그램을 기록 매체에 수납하고, 프로세서를 구비한 컴퓨터에 읽어들이게 하여 실행시켜도 된다. 제어 계산기(110)의 각 부의 입력 데이터 또는 연산 결과는 메모리(142)에 저장된다.
제어 계산기(120)는, 샷 데이터 생성부(41) 및 위치 이탈 보정부(42)의 기능을 가진다. 샷 데이터 생성부(41) 및 위치 이탈 보정부(42)는, 소프트웨어로 구성되어도 되고, 하드웨어로 구성되어도 된다.
편향 제어 회로(130)는, 성형 편향기 제어부(43) 및 대물 편향기 제어부(44)의 기능을 가진다. 성형 편향기 제어부(43) 및 대물 편향기 제어부(44)는, 소프트웨어로 구성되어도 되고, 하드웨어로 구성되어도 된다.
기억 장치(140)에는, 묘화되는 복수의 도형 패턴이 정의되는 묘화 데이터(레이아웃 데이터)가 저장된다.
전자 총(5)(방출부)으로부터 방출된 전자 빔(6)은, 조명 렌즈(7)에 의하여 직사각형의 홀을 가지는 제1 애퍼처(8) 전체를 조명한다. 여기서, 전자 빔(6)을 우선 직사각형으로 성형한다. 제1 애퍼처(8)를 통과한 제1 애퍼처상의 전자 빔(6)은, 투영 렌즈(9)에 의하여 제2 애퍼처(11) 상에 투영된다. 제2 애퍼처(11) 상에서의 제1 애퍼처상의 위치는, 성형 편향기 제어부(43)에 의하여 제어된 성형 편향기(10)에 의하여 편향되어, 빔 형상과 치수를 변화시킬 수 있다(가변 성형).
제2 애퍼처(11)를 통과한 제2 애퍼처상의 전자 빔(6)은, 대물 렌즈(12)에 의하여 초점을 맞추고, 대물 편향기 제어부(44)에 제어된, 예를 들면, 정전형의 편향기(대물 편향기(13))에 의하여 편향되어, 이동 가능하게 배치된 XY 스테이지(3) 상의 기판(2)의 원하는 위치에 조사된다. XY 스테이지(3)는 스테이지 제어부(46)에 의하여 구동 제어된다. XY 스테이지(3)의 위치는, 스테이지 위치 검출부(45)에 의하여 검출된다. 스테이지 위치 검출부(45)에는, 예를 들면, 미러(4)에 레이저를 조사하고, 입사광과 반사광과의 간섭에 기초하여 위치를 측정하는 레이저 측장 장치가 포함된다. 정전 렌즈(15)는, 기판(2)면의 요철에 대응하여, 동적으로 전자 빔(6)의 초점 위치를 보정한다(다이나믹 포커스).
도 2는, 스테이지 이동의 모습을 설명하기 위한 도면이다. 기판(2)에 묘화하는 경우, XY 스테이지(3)를, 예를 들면, X 방향으로 연속 이동시킨다. 묘화 영역이 전자 빔(6)의 편향 가능 폭으로 복수의 직사각형 형상의 스트라이프 영역(SR)에 가상 분할된다. 묘화 처리는, 스트라이프 영역 단위로 행해진다. XY 스테이지(3)의 X 방향의 이동은, 예를 들면, 연속 이동으로 하고, 동시에 전자 빔(6)의 샷 위치도 스테이지 이동에 추종시킨다. 연속 이동시킴으로써 묘화 시간을 단축시킬 수 있다.
1 개의 스트라이프 영역의 묘화가 종료되면, XY 스테이지(3)를 Y 방향으로 스텝 이송하여 X 방향(역방향)으로 다음의 스트라이프 영역의 묘화 동작을 행한다. 각 스트라이프 영역의 묘화 동작을 사행(蛇行)시키도록 진행함으로써 XY 스테이지(3)의 이동 시간을 단축할 수 있다.
묘화 장치(100)에서는, 레이아웃 데이터(묘화 데이터)를 처리함에 있어서, 묘화 영역을 직사각형 형상의 복수의 프레임 영역에 가상 분할하여, 프레임 영역마다 데이터 처리가 행해진다. 다중 노광을 행하지 않는 경우, 통상, 프레임 영역과 스트라이프 영역이 같은 영역이 된다. 다중 노광을 행하는 경우에는, 다중도에 따라 프레임 영역과 스트라이프 영역이 이탈되게 된다. 이와 같이, 기판(2)의 묘화 영역은, 복수의 묘화 단위 영역이 되는 프레임 영역(스트라이프 영역)에 가상 분할되고, 묘화부(150)는, 프레임 영역(스트라이프 영역)마다 묘화한다.
기판(2)의 레지스트층에 전자 빔이 조사되면, 레지스트 대전 효과에 의하여 빔 조사 위치가 이탈됨이 알려져 있다. 종래의 대전 효과 보정에서는, 기판(2)에 조사되는 전자 빔의 조사량 분포와, 전자 빔이 조사되는 조사역으로부터 비조사역으로 확대되는 포깅 전자의 확대 분포에 기초하여 포깅 전자량 분포를 산출하고, 조사량 분포 및 포깅 전자량 분포를 이용하여 조사역의 대전량 분포와 비조사역의 대전량 분포를 산출하고 있었다. 그리고, 조사역의 대전량 분포와 비조사역의 대전량 분포로부터, 기판(2) 상에서의 전자 빔의 위치 이탈량 분포를 산출하고, 빔 조사 위치를 보정하고 있었다.
그러나, 종래의 대전 효과 보정에서는, 조사 위치의 보정이 충분치 않았다. 본 발명자들은, 후술하는 바와 같이, 포깅 전자의 에너지에 의하여 포깅 전자 분포의 중심 위치 및 포깅 효과의 영향 반경이 상이하다고 하는 모델에 기초함으로써, 빔의 조사 위치의 이탈을 고정밀도로 보정할 수 있음을 알아냈다.
도 3a는, 본 실시 형태에서 복수의 상이한 포깅 전자 분포가 존재한다고 상정되는 메카니즘을 설명하기 위한 도면이다. 도 3a에서, 기판(2)면은, 그라운드 전위로 보지된다. 한편, 기판(2)의 상방에 배치되는 정전 렌즈(15)에는, 음의 전위가 인가된다. 따라서, 기판(2)면으로부터 정전 렌즈(15)의 배치 높이면까지의 사이에는, 기판(2)면으로부터 정전 렌즈(15)를 향하여(z 방향으로) 전기력선이 늘어나는 전기장이 생기고 있다. 이러한 전기장이 오차 등에 의하여 방향이 기울어져 있는 경우, 및/또는, 더 누설 전기장이 생기고 있는 경우, 기판(2) 상에서 좌우(x 방향)의 위치에서 전위차가 생겨, 좌우 방향의 전기장이 생긴다.
전자 빔(6)(e) 자체는 에너지가 높으므로, 이 전기장에 의하여 구부러지지 않는다. 또한, 기판(2) 및 묘화실(14) 천판에서 탄성적으로 산란되어 기판(2)에 쏟아지는 포깅 전자도, 에너지가 높으므로, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 이 전기장에서 구부러지지 않는다.
그러나, 기판(2)으로의 빔 조사에 의하여 생성되어, 정전 렌즈에 의한 z 방향의 전기장에 의하여 기판(2)으로 되돌려지는 2 차 전자는, 에너지가 낮으므로, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 좌우 방향의 전기장의 영향을 받아 양전위측으로 이탈된다. 그 결과, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 포깅 전자(F)의 분포 중심이, 조사역(E)의 중심으로부터 이탈된다.
이에, 본 발명자들은, 이러한 메카니즘을 이용하여, 도 5a에 도시하는 바와 같이, 조사되는 전자 빔(e)에 의한 직접 대전(R1)과, 기판(2) 및 묘화실(14) 천판에서의 탄성 산란에 의하여 기판(2)에 쏟아지는 고에너지의 포깅 전자 대전(R2)과, 기판(2)으로의 빔 조사에 의하여 생성되고 정전 렌즈(15)의 전위에 의하여 되돌려지게 하여 기판(2)에 쏟아지는 저에너지의 포깅 전자 대전(R3)을 포함하는 대전 모델을 이용함으로써, 빔의 조사 위치의 이탈을 고정밀도로 보정할 수 있음을 알아냈다.
또한, 기판(2)으로의 빔 조사에 의하여 생성되는 2 차 전자에는, 다양한 에너지의 전자가 포함된다고 상정된다. 따라서, 포깅 전자의 에너지에 의하여 궤도가 상이하여, 기판이 상이한 위치에 포깅 전자가 도달한다고 생각된다. 도 5b는, 포깅 전자의 에너지의 차이에 따라, 상이한 포깅 전자 대전(R3_1 내지 R3_3)이 발생하는 예를 나타내고 있다.
본 실시 형태에서는, 이러한 모델을 고려하여, 복수의 포깅 전자량 분포를 이용하여 대전 효과 보정을 행한다.
도 6은, 본 실시 형태에 따른 묘화 방법을 설명하는 플로우차트이다. 이 묘화 방법은, 패턴 면적 밀도 분포 연산 공정(스텝 S100)과, 도스량 분포 산출 공정(스텝 S102)과, 조사량 분포 산출 공정(스텝 S104)과, 포깅 전자량 분포 산출 공정(스텝 S106)과, 대전량 분포 산출 공정(스텝 S108)과, 위치 이탈량 분포 산출 공정(스텝 S110)과, 편향 위치 보정 공정(스텝 S112)과, 묘화 공정(스텝 S114)을 가진다.
패턴 면적 밀도 분포 연산 공정(스텝 S100)에서는, 패턴 밀도 분포 산출부(31)가, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 묘화 영역(혹은 프레임 영역)을 소정 치수(그리드 치수)로 메쉬 형상으로 가상 분할하여, 메쉬 영역마다, 묘화 데이터에 정의되는 도형 패턴의 배치 비율을 나타내는 패턴 면적 밀도(ρ(x, y))를 연산한다. 그리고, 메쉬 영역마다의 패턴 밀도의 분포(ρ(x, y))를 작성한다.
도스량 분포 산출 공정(스텝 S102)에서는, 도스량 분포 산출부(32)가, 패턴 밀도 분포(ρ(x, y))를 이용하여, 메쉬 영역마다의 도스량 분포(D(x, y))를 산출한다. 도스량의 연산에는, 후방 산란 전자에 의한 근접 효과 보정을 행하면 바람직하다. 도스량(D)은, 이하의 식 (1)으로 정의할 수 있다.
Figure pct00001
식 (1)에서, D0은 기준 도스량이며, η는 후방 산란율이다.
기준 도스량(D0) 및 후방 산란율(η)은, 묘화 장치(100)의 유저에 의하여 설정된다. 후방 산란율(η)은, 전자 빔(6)의 가속 전압, 기판(2)의 레지스트 막 두께 또는 하지 기판의 종류, 프로세스 조건(예를 들면, PEB 조건 또는 현상 조건) 등을 고려하여 설정할 수 있다.
조사량 분포 산출 공정(스텝 S104)에서는, 조사량 분포 산출부(33)가, 패턴 밀도 분포(ρ(x, y))의 각 메쉬값과, 도스량 분포(D(x, y))의 대응 메쉬값을 곱함으로써, 메쉬 영역마다의 조사량 분포(E(x, y))(「조사 강도 분포」라고도 함)를 산출한다.
포깅 전자량 분포 산출 공정(스텝 S106)에서는, 포깅 전자량 분포 산출부(34)(포깅 하전 입자량 분포 연산부)가, 포깅 전자의 분포 함수(g)와, 단계 S104에서 산출된 조사량 분포(E=ρD)를 합성곱 적분함으로써, 포깅 전자량 분포(F)(포깅 하전 입자량 분포)를 산출한다.
본 실시 형태에서는, 포깅 전자의 에너지에 따른 복수의 분포 함수(g1 내지 gn)를 이용한다. 그 때문에, 포깅 전자의 에너지에 따른 복수의 포깅 전자량 분포(F1 내지 Fn)가 산출된다. 분포 함수(g1 내지 gn)는, 예를 들면, 가우스 분포를 이용할 수 있다. 기판(2) 상에 생기고 있는 전기장의 영향을 받아, 포깅 전자의 기판(2)으로의 도달 위치가 이탈된다. 또한, 도달 위치의 이탈량은, 포깅 전자의 에너지에 따라 상이하다. 따라서, 분포 함수(g1 내지 gn)는, 각각 분포 중심 위치 및 포깅 효과의 영향 반경이 상이한 것이 될 수 있다. 즉, j 번째의 분포 함수(gj(x, y)) 및 j 번째의 포깅 전자 분포(Fj(x, y))는 각각 이하의 식으로 정의할 수 있다.
Figure pct00002
식 (2)에서, Δxj, Δyj는 j 번째의 포깅 전자 분포의 분포 중심 위치, σj는 j 번째의 포깅 전자의 영향 반경을 나타내는 정수이다.
대전량 분포 산출 공정(스텝 S108)에서는, 대전량 분포 산출부(35)가, 조사량 분포(E)와, 포깅 전자량 분포(F1 내지 Fn)와, 시간의 경과에 수반하는 대전 감쇠량을 이용하여, 대전량 분포(C(x, y))를 산출한다.
우선, 대전 부분을 묘화(조사)한 후의 경과 시간(t)을 산출한다. 묘화 경과 시간 연산부(36)가, 기판(2) 상의 각 위치에 대하여 묘화 개시 시각(레이아웃 선두 혹은 선두 프레임의 묘화를 개시하는 시각)으로부터 실제로 묘화하는 시각까지의 경과 시간(T1(x, y))을 연산한다. 예를 들면, 해당하는 프레임 영역(스트라이프 영역)이 i 번째의 제i 프레임 영역인 경우에는, 묘화 개시 위치의 묘화를 개시하는 묘화 개시 시각으로부터 1 개 전의 제i-1 프레임 영역(스트라이프 영역)까지의 각 위치(x, y)를 묘화할 때까지의 예상 시간을 경과 시간(T1(x, y))으로서 연산한다.
이어서, 누적 시간 연산부(37)가, 이미 묘화가 종료한 묘화 단위 영역(예를 들면, 프레임 영역, 스트라이프 영역)의 묘화에 걸린 묘화 시간을 누적한 누적 시간(T2)을 연산한다. 예를 들면, 현재, 해당하는 프레임 영역이 i 번째의 제i 프레임 영역인 경우에는, 제1 프레임 영역을 묘화하기 위한 시간(T2)(1), 제2 프레임 영역을 묘화하기 위한 시간(T2)(2), ...제i 프레임 영역을 묘화하기 위한 시간(T2)(i)까지를 누적 가산한 가산값을 산출한다. 이에 의하여, 해당하는 프레임 영역까지의 누적 시간(T2)을 얻을 수 있다.
여기서, 현재, 처리를 행하고 있는 해당 프레임 영역 내를 실제로 묘화하는 경우, 1 개 전의 프레임 영역까지는 묘화가 이미 완료되어 있으므로, 1 개 전까지의 프레임 영역 내에서 전자 빔(6)이 조사된 개소는 대전 부분이 된다. 따라서, 해당 프레임 영역의 누적 시간(T2)으로부터 대전 부분이 있는 1 개 전까지의 프레임 영역 내의 각 위치(x, y)의 묘화 경과 시간(T1(x, y))을 뺀 차분값(T2-T1)이 대전 부분을 묘화한 후의 경과 시간(t)이 된다.
대전량 분포(C(x, y))를 구하기 위한 함수는, 조사 전자가 기여하는 직접 대전항과, 포깅 전자가 기여하는 포깅 대전항을 포함한다. 포깅 전자의 에너지에 따라 복수의 포깅 대전항이 포함된다. 직접 대전항 및 복수의 포깅 대전항은, 각각, 경과 시간이 기여하는 감쇠항과, 경과 시간이 기여하지 않는 정적항을 포함한다. 각각의 감쇠항에는, 묘화 후 충분히 시간이 경과한 후의 대전량을 기준으로 하는 묘화 직후의 대전량인 대전 감쇠량과, 대전 감쇠 시정수가 이용된다.
포깅 전자의 에너지에 의하여 레지스트에 트랩되어, 레지스트 대전에 기여하는 확률, 즉, 포깅 전자 강도에 대한 대전량은 상이하다고 생각된다. 또한, 그 감쇠의 시정수 및 감쇠량도 마찬가지로 상이하다고 생각된다. 이에 우선, 대전량 분포(C(x, y))를 구하기 위한 함수(C(E, F1, F2, ..., Fn, t))를 가정했다. 구체적으로는, 조사 전자가 기여하는 변수(CE(E, t))와, 포깅 전자가 기여하는 변수(CF1(F1, t) 내지 CFn(Fn, t))로 분리했다. 또한, 각각의 변수를, 경과 시간이 기여하는 감쇠항(CET(t), CFT1(t) 내지 CFTn(t)), 및 경과 시간이 기여하지 않는 정적항(CES(E), CFS1(F1) 내지 CFSn(Fn))으로 분리했다. 함수(C(E, F1, F2, ...Fn, t))는 이하의 식 (4)로 정의한다.
Figure pct00003
또한, 변수CES(E), CET(t), CFSj(Fj), CFTj(t)는 이하의 식 (5), (6), (7), (8)로 정의한다.
Figure pct00004
여기서, d0, d1, d2, d3은 정수이다. 또한, f1,1, f2,1, f3,1, ..., f1,n, f2,n, f3,n는 각각 값이 상이할 수 있는 정수이며, 포깅 전자 강도(Fj)의 대전으로의 기여가 포깅 전자의 에너지에 따라 상이함을 표현하고 있다.
또한, 식 (6), 식 (8)에 이용되는, 패턴 면적 밀도(ρ)에 의존한 대전 감쇠량(κE(ρ), κFj(ρ))은, 예를 들면, 이하의 식 (9), 식 (10)으로 근사할 수 있다. 여기에서는, 식 (9), 식 (10)이 2 차 함수로 되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 고차의 함수여도 되고, 저차의 함수여도 된다.
Figure pct00005
Figure pct00006
여기서, κE0, κE1, κE2는 정수이다. 또한, κF0,1, κF1,1, κF2,1, ..., κF0,n, κF1,n, κF2,n는 각각 값이 상이할 수 있는 정수이며, 포깅 전자의 에너지에 의하여 대전 감쇠량이 상이함을 표현하고 있다.
그리고, 식 (4)에 이용되는, 패턴 면적 밀도(ρ)에 의존한 대전 감쇠 시정수(λE(ρ), λFj(ρ))는, 예를 들면, 다음의 식 (11), 식 (12)으로 근사할 수 있다. 여기에서는, 식 (11), 식 (12)가 2 차 함수로 되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 고차의 함수여도 되고, 저차의 함수여도 된다.
Figure pct00007
여기서, λE0, λE1, λE2는 정수이다. 또한 λF0,1, λF1,1, λF2,1, ..., λF0,n, λF1,n, λF2,n는 각각 값이 상이할 수 있는 정수이며, 포깅 전자의 에너지에 의하여 대전 감쇠 시정수가 상이함을 표현하고 있다. 즉, 대전량 분포(C(x, y))는 도 7에 도시하는 바와 같은 식으로 정의할 수 있다.
또한, 각 포깅 대전항은, 상술한 특허 문헌 1, 2, 3과 마찬가지로, 더 조사부, 비조사부로 항을 나누어도 된다.
식 (2), (3), (5), (7), (9) 내지 (12)의 각 계수, △x1, △x2, ..., △xn, △y1, △y2, ..., △yn, d0, d1, d2, d3, f1,1, f2,1, f3,1, ..., f1,n, f2,n, f3,n, κE0, κE1, κE2, κF0,1, κF1,1, κF2,1, ..., κF0,n, κF1,n, κF2,n, λE0, λE1, λE2, λF0,1, λF1,1, λF2,1, ..., λF0,n, λF1,n, λF2,n는, 상술한 특허 문헌 1, 2, 3과 마찬가지로, 실험 결과 및/또는 시뮬레이션 결과를 피팅(근사)하여 구하면 된다. 이들 계수에 관한 데이터는 기억 장치(21)에 저장되어 있다.
도 5a에 도시하는 바와 같은 고에너지 포깅 전자에 의한 대전과, 저에너지 포깅 전자에 의한 대전을 고려한 모델의 경우는, 대전량 분포를 도 8에 도시하는 바와 같은 식으로 정의할 수 있다. 여기서, 고에너지 포깅 전자에 의한 대전은 비조사부에만 대전하고, 저에너지 포깅 전자에 의한 대전은 조사부 및 비조사부에 대전한다고 가정하였다.
위치 이탈량 분포 산출 공정(스텝 S110)에서는, 위치 이탈량 분포 산출부(38)(위치 이탈량 연산부)가, 대전량 분포에 기초하는 위치 이탈량을 연산한다. 구체적으로는, 위치 이탈량 분포 산출부(38)가, 단계 S108에서 산출한 대전량 분포에 응답 함수(r(x, y))를 합성곱 적분함으로써, 대전량 분포(C(x, y))의 각 위치(x, y)의 대전량에 기인한 묘화 위치(x, y)의 위치 이탈량(P)을 연산한다.
이 대전량 분포(C(x, y))를 위치 이탈량 분포(P(x, y))로 변환하는 응답 함수(r(x, y))를 가정한다. 여기에서는, 대전량 분포(C(x, y))의 각 위치에서 나타나는 대전 위치를 (x', y')로 나타내고, 현재, 데이터 처리를 행하고 있는 해당하는 프레임 영역(예를 들면, 제i 프레임 영역)의 빔 조사 위치를 (x, y)로 나타낸다. 여기서, 빔의 위치 이탈은, 빔 조사 위치 (x, y)로부터 대전 위치 (x', y')까지의 거리의 함수로서 나타낼 수 있으므로, 응답 함수를 r(x-x', y-y')와 같이 기술할 수 있다. 응답 함수 r(x-x', y-y')는, 미리 실험을 행하고, 실험 결과와 적합하도록 미리 구해두거나, 상술한 특허 문헌 1, 2와 마찬가지로 수치 계산에 의하여 미리 구해두면 된다. 이하, (x, y)는, 현재, 데이터 처리를 행하고 있는 해당하는 프레임 영역의 빔 조사 위치를 나타낸다.
그리고, 위치 이탈량 분포 산출부(38)는, 해당하는 프레임 영역의 묘화하고자 하는 각 위치(x, y)의 위치 이탈량(P)으로부터 위치 이탈량 분포(Pi(x, y))(혹은, 위치 이탈량 맵(Pi(x, y))이라고도 함)를 작성한다. 연산된 위치 이탈량 맵(Pi(x, y))은, 기억 장치(21)에 저장됨과 동시에, 제어 계산기(120)로 출력된다.
한편, 제어 계산기(120) 내에서는, 샷 데이터 생성부(41)가, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 복수 단의 데이터 변환 처리를 행하여, 묘화 장치(100) 고유의 포맷의 샷 데이터를 생성한다. 묘화 데이터에 정의되는 도형 패턴의 사이즈는, 통상, 묘화 장치(100)가 1 회의 샷으로 형성할 수 있는 샷 사이즈보다 크다. 그 때문에, 묘화 장치(100) 내에서는, 묘화 장치(100)가 1 회의 샷으로 형성 가능한 사이즈가 되도록, 각 도형 패턴을 복수의 샷 도형으로 분할한다(샷 분할). 그리고, 샷 도형마다, 도형 종을 나타내는 도형 코드, 좌표, 및 사이즈라고 하는 데이터를 샷 데이터로서 정의한다.
편향 위치 보정 공정(스텝 S112)(위치 이탈 보정 공정)에서는, 위치 이탈 보정부(42)가, 단계 S110에서 산출한 위치 이탈량을 이용하여, 조사 위치를 보정한다. 여기에서는, 각 위치의 샷 데이터를 보정한다. 구체적으로는, 샷 데이터의 각 위치 (x, y)에 위치 이탈량 맵(Pi(x, y))이 나타내는 위치 이탈량을 보정하는 보정값을 가산한다. 보정값은, 예를 들면, 위치 이탈량 맵(Pi(x, y))이 나타내는 위치 이탈량의 음양의 부호를 반대로 한 값을 이용하면 바람직하다. 이에 의하여, 전자 빔(6)이 조사되는 경우에, 그 조사처의 좌표가 보정되므로, 대물 편향기(13)에 의하여 편향되는 편향 위치가 보정되게 된다. 샷 데이터는 샷 순서대로 배열되도록 데이터 파일로 정의된다.
묘화 공정(스텝 S114)에서, 편향 제어 회로(130) 내에서는, 샷 순서대로, 성형 편향기 제어부(43)가, 샷 도형마다, 샷 데이터로 정의된 도형 종 및 사이즈로부터 전자 빔(6)을 가변 성형하기 위한 성형 편향기(10)의 편향량을 연산한다. 또한, 대물 편향기 제어부(44)가, 해당 샷 도형을 조사하는 기판(2) 상의 위치로 편향하기 위한 대물 편향기(13)의 편향량을 연산한다. 바꾸어 말하면, 대물 편향기 제어부(44)(편향량 연산부)가, 보정된 조사 위치로 전자 빔을 편향하는 편향량을 연산한다. 그리고, 전자 경통(1) 내에 배치된 대물 편향기(13)가, 연산된 편향량에 따라 전자 빔을 편향함으로써, 보정된 조사 위치로 전자 빔을 조사한다. 이에 의하여, 묘화부(150)는, 기판(2)의 대전 보정된 위치에 패턴을 묘화한다.
도 9는, 본 실시 형태에 있어서의 빔의 조사부 및 그 주변의 묘화 결과의 일예를 도시하는 도면이다. 도 9a에서는, 도 9b에 도시하는 바와 같이, 조사역(IR) 상에 패턴 밀도 25%의 패턴을 묘화한 후, 조사역/비조사역에 걸쳐 일정한 피치로 x 방향(컬럼 방향)으로 41 개, y 방향(로우 방향)으로 23 개 배치된 그리드 상에 묘화한 위치 측정용의 십자 패턴(CP)의, 각 그리드 상에서의 설계 위치로부터의 위치 이탈량(위치 오차 맵)을 나타내고 있다. 도 9a에서는, 빔 조사역 및 그 주변역을 맞춘 영역의 윤곽이 직사각형으로 도드라지도록 보여지고 있다.
도 10a는, 종래의 대전 보정의 수법과 마찬가지로, 포깅 전자의 에너지의 차이를 고려하지 않고, 포깅 대전항을 1 개만 포함하는 대전량 분포에 기초하여 조사 위치를 보정한 경우의 위치 오차 맵의 예를 도시한다. 도 10a에서는, 조사역의 좌단의 영역(A) 및 우단의 영역(B)에서, 보정 잔차가 큰 영역이 있음을 알 수 있다. 이는 포깅 대전항을 1 개만 포함하는 대전량 분포에 기초하는 위치 이탈의 계산에서는, 도 5a에 있어서의 저에너지 포깅 전자에 의한 대전(R3)에 의한 위치 이탈을 재현할 수 없었기 때문이라고 생각된다. 도 10b는, 본 실시 형태에 의한 묘화 방법을 이용하여 묘화한 경우의 위치 오차 맵의 예를 도시한다. 도 10a와 비교하여 보정 잔차가 개선되어 있음을 알 수 있다.
도 11a 및 도 11b는, 도 10a 및 도 10b의 파선 영역 내의 위치 오차를 나타내는 그래프이다. 컬럼 번호마다 로우 번호 4 내지 21의 로우 데이터를 평균화하여 위치 오차를 계산하였다. 포깅 전자의 에너지의 차이를 고려하지 않는 경우에는, 영역 A 및 B에 ±2nm 정도 있던 보정 잔차가, 본 실시 형태에 의한 방법에 따라 ±1nm 정도로 저감될 수 있음이 확인되었다.
이와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 고에너지의 포깅 전자에 의한 대전량 분포와, 저에너지의 포깅 전자에 의한 대전량 분포를 나누어 계산하여, 위치 이탈량 분포를 구하므로, 대전 현상에 기인한 위치 이탈을 고정밀도로 보정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 전자의 에너지의 차이에 의하여 복수의 포깅 전자 분포의 존재를 가정하였으나, 광학계의 구조나 장치의 구조에 기인하여 복수의 포깅 전자 분포가 존재하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 예를 들면, 전술한 고에너지 포깅 전자 외에, 전자 경통(1) 내에서 전자 빔(6)의 일부가 애퍼처 또는 경통 내에서 난반사한 후, 전자 빔(6)과는 상이한 궤도에서 묘화실(14) 내에 쏟아지는 포깅 전자가 존재하는 경우, 또는 묘화실(14) 천판 부근에 비대칭인 구조물이 있으므로, 고에너지 포깅 전자의 일부가 비대칭으로 산란되어 기판에 쏟아지는 포깅 전자가 존재하는 경우 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. 예를 들면, 이러한 포깅 전자에 대응하는 분포 함수를 이용하여, 포깅 전자량 분포를 산출한다.
상기 실시 형태에서는, 포깅 전자의 에너지에 따른 복수의 분포 함수(g1 내지 gn)는, 분포 중심 위치 및 포깅 효과의 영향 반경이 서로 상이하긴 하지만, (묘화 중) 일정한 예에 대하여 설명했으나, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수에 대해서는, 예를 들면, 프레임 영역 단위로, 분포 중심 위치 및 영향 반경을 대전량 분포에 기초하여 새롭게 산출해도 된다.
저에너지 포깅 전자는, 대물 렌즈(12)의 누설 자기장을 받아, 사이클로트론 운동을 행한다. 이 사이클로트론 운동은, 누설 자기장과 묘화 완료된 영역의 대전이 만드는 전기장에 기초하는 방향으로 드리프트(이른바 E 크로스 B 드리프트)한다. 그 때문에, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수에 대해서는, 대전량 분포(묘화 이력에 의하여 산출되는 전기장의 크기와 방향)에 기초하여 분포 중심 위치 및 영향 반경을 결정하는 것이 바람직하다. 고에너지 포깅 전자는 속도가 빠르므로, 사이클로트론 운동은 하지 않고, 묘화 완료된 영역의 대전이 만드는 전기장에 의한 편향량도 충분히 작으므로, 고에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수는, 분포 중심 위치를 설계 상의 분포 중심(빔의 조사 위치)으로 함과 동시에, 분포 중심 위치 및 영향 반경은 일정하게 한다.
도 12는, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수를 갱신하면서 묘화하는 방법을 설명하는 플로우차트이다. 제i 프레임 영역의 묘화 데이터를 읽어내고, 메쉬 영역마다의 패턴 면적 밀도를 산출하여, 패턴 밀도 분포(ρi(x, y))를 작성한다(스텝 S201, S202).
패턴 밀도 분포(ρi(x, y))를 이용하여, 메쉬 영역마다의 도스량 분포(Di(x, y))를 산출한다(스텝 S203). 패턴 밀도 분포(ρi(x, y))의 각 메쉬값과 도스량 분포(Di(x, y))의 대응 메쉬값을 곱하고, 곱셈 결과에, 제(i-1) 프레임 영역의 조사량 분포(Ei-1(x, y))를 가산하여, 제i 프레임 영역의 조사량 분포(Ei(x, y))를 산출한다(스텝 S204).
고에너지 포깅 전자의 분포 함수(g1 및 ρiDi)를 합성곱 적분하고, 연산 결과에 제(i-1) 프레임 영역의 고에너지 포깅 전자량 분포(F1 i-1(x, y))를 가산하고, 제i 프레임 영역의 고에너지 포깅 전자량 분포(F1 i(x, y))를 산출한다(스텝 S205). 고에너지 포깅 전자의 분포 함수(g1)는, 플로우차트로 나타낸 연산 공정 중에는 분포 중심 및 영향 반경이 일정하다.
이미 산출하고 있는 제(i-1) 프레임 영역의 대전량 분포(Ci-1(x, y))에 기초하여, 저에너지 포깅 전자의 분포 함수(g2)의 중심 쉬프트량 및 영향 반경을 갱신한다(스텝 S206). 갱신 후의 저에너지 포깅 전자의 분포 함수(g2 및 ρiDi)를 합성곱 적분하고, 연산 결과에 제(i-1) 프레임 영역의 저에너지 포깅 전자량 분포(F2 i-1(x, y))를 가산하고, 제i 프레임 영역의 저에너지 포깅 전자량 분포(F2 i(x, y))를 산출한다(스텝 S207). 이와 같이, 저에너지 포깅 전자의 분포 함수(g2)는, 플로우차트로 나타낸 연산 공정 중, 갱신되는 것이다.
조사량 분포(Ei)를 이용한 직접 대전항(CE(Ei)), 고에너지 포깅 전자량 분포(F1 i)를 이용한 고에너지 포깅 대전항(CF1(F1 i)), 저에너지 포깅 전자량 분포(F2 i)를 이용한 저에너지 포깅 대전항(CF2(F2 i))을 가산하고, 제i 프레임 영역의 대전량 분포(Ci(x, y))를 산출한다(스텝 S208).
대전량 분포(Ci(x, y))로부터, 제i 프레임 영역의 위치 이탈량 분포를 산출한다(스텝 S209). 산출한 위치 이탈량을 이용하여, 빔 편향 위치를 보정하고, 제i 프레임 영역의 묘화를 행한다(스텝 S210, S211). 모든 프레임 영역에 대하여, 상술한 처리를 순서대로 행한다(스텝 S201 내지 S213).
이와 같이, 제i 프레임 영역에 있어서의 위치 이탈량 분포를 작성하는 때에는, 제(i-1) 프레임 영역까지 묘화가 완료된 상태에서의 대전량 분포를 이용하여, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을 결정(갱신)한다. 그리고, 제i 프레임 영역의 처리에 있어서의 저에너지 포깅 전자량 분포는, 갱신 후의 분포 함수를 이용하여 산출한다.
분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경은, 예를 들면, 제(i-1) 프레임 영역까지 묘화가 완료된 상태에서의 대전량 분포를 이용한, 제i 프레임 위치에 있어서의 xy 평면 방향의 정전기력의 강도 및 방향의 계산 결과로부터 결정한다. 이 정전기력에 대한 분포 중심 위치 및 영향 반경의 관계는, 예를 들면, 정전 렌즈의 설계 상의 축상 z 방향 전기장 분포와 대물 렌즈의 설계 상의 축상 z 방향 자기장 분포, 및 대전 분포를 이용하여 계산된 정전기력의 하에서, 축상에서 발생한 저에너지 2 차 전자를 궤도 시뮬레이션함으로써 결정한다. 또는, 정전 렌즈의 설계 상의 축상 z 방향 전기장 분포와 대물 렌즈의 설계 상의 축상 z 방향 자기장 분포, 및 각각 상이한 방향 및 강도를 가정한 xy 평면 방향의 정전기력의 하에서, 저에너지 2 차 전자의 궤도 시뮬레이션함으로써, 묘화 위치에 있어서의 xy 평면 방향의 정전기력에 대응하는 분포 위치 중심 및 영향 반경을 미리 구해두어도 된다.
도 13 내지 도 15를 이용하여, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을 갱신함에 의한 위치 이탈 보정 효과를 설명한다. 우선, 도 13a에 도시하는 바와 같이, 평가 기판의 중앙부를 제외한 각 그리드 상에, 십자의 기준 패턴(P1)을 묘화한다. 설명의 편의 상, 일부의 기준 패턴(P1)의 도시를 생략하고 있다. 이어서, 도 13b에 도시하는 바와 같이, 평가 기판의 중앙부에 면적 밀도 25% 정도의 테스트 패턴(TP)을 묘화한다. 이어서, 각 그리드 상의 기준 패턴(P1)의 근방에, L 자 모양의 평가 패턴(P2)을 묘화한다.
그리고, 테스트 패턴(TP)을 묘화한 영역의 주연의 그리드에 있어서의, 기준 패턴(P1)을 기준으로 한 평가 패턴(P2)의 위치 이탈량을 측정한다. 도 14a는, 종래의 대전 보정의 수법과 마찬가지로, 포깅 전자의 에너지의 차이를 고려하지 않고, 포깅 대전항을 1 개만 포함하는 대전량 분포에 기초하여 평가 패턴(P2)의 조사 위치를 보정한 경우의 위치 이탈량(위치 오차 맵)을 벡터 도면으로 도시하고 있다. 도 14b는, 고에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수 및 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을 일정하게 하여, 평가 패턴(P2)의 조사 위치를 보정한 경우의 위치 오차 맵을 도시한다. 도 14c는, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을, 대전량 분포에 의하여 갱신하면서, 평가 패턴(P2)의 조사 위치를 보정한 경우의 위치 오차 맵을 도시한다. 도 14a 내지 14c에서, 위치 이탈량의 절대값을 나타내는 벡터의 길이의 스케일은 공통이다.
도 14a 내지 14c의 보정 시에 계산된 저에너지 포깅 전자 대전 분포를 도 15a 내지 15c에 도시한다. 도면 중의 파선으로 둘러싼 영역은 도 12b에 있어서의 테스트 패턴(TP)의 영역을 나타낸다. 도 15a에서는, 종래의 대전 보정의 수법과 마찬가지로, 포깅 전자의 에너지의 차이를 고려하지 않고, 저에너지 포깅 전자 분포는 제로로 하고 있다. 도 15b에서는, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을 일정하게 하여 대전 분포를 계산했으므로, 테스트 패턴(TP)의 영역으로부터 이탈된 위치에, 일정한 저에너지 포깅 전자 대전이 계산되어 있다. 도 15c에서는, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을, 대전량 분포에 의하여 갱신하면서 대전 분포를 계산하였다. 이 때, 도 2에 도시한 바와 같이, 묘화를 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 행하였으므로, 예를 들면, 제i 프레임 영역에서 발생하는 저에너지의 2 차 전자는 -Y 측의 묘화가 끝난 제(i-1) 프레임까지의 영역의 대전 분포로부터 +Y 방향의 정전기력을 받아 그 방향으로 편향됨과 동시에, 대물 렌즈의 누설 자기장의 작용에 의하여 -X 방향으로 E 크로스 B 드리프트도 행한 후, 기판에 도달하여 저에너지 포깅 전자가 된다. 이들을 고려하면, 저에너지 포깅 전자 대전 분포는, 도 15b와 같이, 테스트 패턴(TP)의 영역으로부터 이탈됨과 동시에, 도 15b와는 달리, X 방향에는 마이너스측, Y 방향에는 보다 플러스측의 대전량이 큰, 편향을 가진 분포로서 계산된다. 도 15a 내지 15c에서, 대전량을 나타내는 그레이 스케일은 임의 눈금으로 표시하고 있다.
도 14a 내지 14c로부터, 도 15b에 도시하는 바와 같이, 고에너지의 포깅 전자에 의한 대전량 분포와, 저에너지의 포깅 전자에 의한 대전량 분포를 나누어 대전량을 계산함으로써, 보정 잔차가 개선됨을 알 수 있다. 또한, 도 15c에 도시하는 바와 같이, 저에너지 포깅 전자에 대응하는 분포 함수의 분포 중심 위치 및 영향 반경을, 대전량 분포에 의하여 갱신함으로써, 보정 잔차가 더 개선됨을 알 수 있다.
대전 현상에 기인한 조사 위치의 이탈은, 전자 빔 묘화 장치에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 전자 빔 등의 하전 입자 빔으로 패턴을 검사하는 검사 장치 등, 목표로 한 위치에 하전 입자 빔을 조사함으로써 얻어지는 결과를 이용하는 하전 입자 빔 장치에 적응할 수 있다.
본 발명을 특정의 태양을 이용하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명의 의도와 범위를 떨어뜨리지 않고 다양한 변경이 가능함은 당업자에게 명백하다. 본 출원은, 2018 년 11 월 9 일자로 출원된 일본 특허 출원 제2018-211526에 기초하고 있으며, 그 전체가 인용에 의하여 원용된다.
1 : 전자 경통
2 : 기판
3 : XY 스테이지
4 : 미러
5 : 전자 총
6 : 전자 빔
7 : 조명 렌즈
8 : 제1 애퍼처
9 : 투영 렌즈
10 : 편향기
11 : 제2 애퍼처
12 : 대물 렌즈
13 : 편향기
14 : 묘화실
15 : 정전 렌즈
21, 140 : 기억 장치
30 : 묘화 제어부
31 : 패턴 밀도 분포 산출부
32 : 도스량 분포 산출부
33 : 조사량 분포 산출부
34 : 포깅 전자량 분포 산출부
35 : 대전량 분포 산출부
36 : 묘화 경과 시간 연산부
37 : 누적 시간 연산부
38 : 위치 이탈량 분포 산출부
41 : 샷 데이터 생성부
42 : 위치 이탈 보정부
43 : 성형 편향기 제어부
44 : 대물 편향기 제어부
45 : 스테이지 위치 검출부
46 : 스테이지 제어부
100 : 묘화 장치
150 : 묘화부
160 : 제어부

Claims (14)

  1. 하전 입자 빔을 편향기에 의하여 편향시켜 스테이지 상의 기판에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 장치로서,
    상기 기판의 묘화 영역을 메쉬 형상으로 가상 분할하고, 메쉬 영역마다의 상기 패턴의 배치 비율을 나타내는 패턴 밀도 분포를 산출하는 패턴 밀도 분포 산출부와,
    상기 패턴 밀도 분포를 이용하여 메쉬 영역마다의 도스량을 나타내는 도스량 분포를 산출하는 도스량 분포 산출부와,
    상기 패턴 밀도 분포 및 상기 도스량 분포를 이용하여, 상기 방출부로부터 방출되고, 상기 기판에 조사되는 상기 하전 입자 빔의 조사량 분포를 산출하는 조사량 분포 산출부와,
    분포 중심 및 포깅 효과의 영향 반경이 상이한 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수의 각각과, 상기 조사량 분포를 각각 합성곱 적분함으로써, 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 산출하는 포깅 하전 입자량 분포 산출부와,
    상기 패턴 밀도 분포, 상기 도스량 분포 및 상기 조사량 분포를 이용하여, 직접 대전에 의한 대전량 분포를 산출하고, 상기 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 이용하여, 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포를 산출하는 대전량 분포 산출부와,
    상기 직접 대전에 의한 대전량 분포 및 상기 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포에 기초하는 묘화 위치의 위치 이탈량을 산출하는 위치 이탈량 산출부와,
    상기 위치 이탈량을 이용하여, 조사 위치를 보정하는 보정부와,
    보정된 조사 위치에 하전 입자 빔을 조사하는 묘화부
    를 구비하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대전량 분포 산출부는, 묘화 후 충분히 시간이 경과한 후의 대전량을 기준으로 하는 묘화 직후의 대전량인 대전 감쇠량과, 대전 감쇠 시정수를 이용하여, 상기 직접 대전에 의한 대전량 분포 및 상기 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포를 산출하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수는, 제1 분포 함수와 제2 분포 함수를 포함하고, 상기 제1 분포 함수의 분포 중심 위치는, 포깅 하전 입자의 설계 상의 분포 중심이며, 상기 제2 분포 함수의 분포 중심 위치는, 포깅 하전 입자의 설계 상의 분포 중심으로부터 이탈되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 분포 함수는, 상기 대전량 분포에 기초하여 상기 분포 중심 위치 및 상기 포깅 효과의 영향 반경이 갱신되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상방에 음의 전위가 인가된 정전 렌즈가 배치되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  6. 하전 입자 빔을 편향기에 의하여 편향시켜 스테이지 상의 기판에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 방법으로서,
    상기 기판의 묘화 영역을 메쉬 형상으로 가상 분할하고, 메쉬 영역마다의 상기 패턴의 배치 비율을 나타내는 패턴 밀도 분포를 산출하는 공정과,
    상기 패턴 밀도 분포를 이용하여 메쉬 영역마다의 도스량을 나타내는 도스량 분포를 산출하는 공정과,
    상기 패턴 밀도 분포 및 상기 도스량 분포를 이용하여, 상기 기판에 조사되는 상기 하전 입자 빔의 조사량 분포를 산출하는 공정과,
    분포 중심 및 포깅 효과의 영향 반경이 상이한 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수의 각각과, 상기 조사량 분포를 각각 합성곱 적분함으로써, 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 산출하는 공정과,
    상기 패턴 밀도 분포, 상기 도스량 분포 및 상기 조사량 분포를 이용하여, 직접 대전에 의한 대전량 분포를 산출하고, 상기 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 이용하여, 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포를 산출하는 공정과,
    상기 직접 대전에 의한 대전량 분포 및 상기 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포에 기초하는 묘화 위치의 위치 이탈량을 산출하는 공정과,
    상기 위치 이탈량을 이용하여, 조사 위치를 보정하는 공정과,
    보정된 조사 위치에 하전 입자 빔을 조사하는 공정
    을 구비하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 대전량 분포의 산출에는, 묘화 후 충분히 시간이 경과한 후의 대전량을 기준으로 하는 묘화 직후의 대전량인 대전 감쇠량과, 대전 감쇠 시정수가 이용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수는 제1 분포 함수와 제2 분포 함수를 포함하고, 상기 제1 분포 함수의 분포 중심 위치는, 포깅 하전 입자의 설계 상의 분포 중심이며, 상기 제2 분포 함수의 분포 중심 위치는, 포깅 하전 입자의 설계 상의 분포 중심으로부터 이탈되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 대전량 분포에 기초하여, 상기 제2 분포 함수의 분포 중심 위치 및 포깅 효과의 영향 반경을 갱신하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 정전 렌즈에 음의 전위가 인가되는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  11. 하전 입자 빔을 편향기에 의하여 편향시켜 패턴이 묘화되는 기판의 묘화 영역을 메쉬 형상으로 가상 분할하고, 메쉬 영역마다의 상기 패턴의 배치 비율을 나타내는 패턴 밀도 분포를 산출하는 처리와,
    상기 패턴 밀도 분포를 이용하여 메쉬 영역마다의 도스량을 나타내는 도스량 분포를 산출하는 처리와,
    상기 패턴 밀도 분포 및 상기 도스량 분포를 이용하여, 상기 기판에 조사되는 상기 하전 입자 빔의 조사량 분포를 산출하는 처리와,
    분포 중심 및 포깅 효과의 영향 반경이 상이한 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수의 각각과, 상기 조사량 분포를 각각 합성곱 적분함으로써, 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 산출하는 처리와,
    상기 패턴 밀도 분포, 상기 도스량 분포 및 상기 조사량 분포를 이용하여, 직접 대전에 의한 대전량 분포를 산출하고, 상기 복수의 포깅 하전 입자량 분포를 이용하여, 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포를 산출하는 처리와,
    상기 직접 대전에 의한 대전량 분포 및 상기 복수의 포깅 대전에 의한 대전량 분포에 기초하는 묘화 위치의 위치 이탈량을 산출하는 처리와,
    상기 위치 이탈량을 이용하여, 조사 위치를 보정하는 처리와,
    보정된 조사 위치에 하전 입자 빔을 조사하는 처리를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 대전량 분포의 산출에는, 묘화 후 충분히 시간이 경과한 후의 대전량을 기준으로 하는 묘화 직후의 대전량인 대전 감쇠량과, 대전 감쇠 시정수가 이용되는 것을 특징으로 하는 프로그램.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 복수의 포깅 하전 입자의 분포 함수는 제1 분포 함수와 제2 분포 함수를 포함하고, 상기 제1 분포 함수의 분포 중심 위치는, 포깅 하전 입자의 설계 상의 분포 중심이며, 상기 제2 분포 함수의 분포 중심 위치는, 포깅 하전 입자의 설계 상의 분포 중심으로부터 이탈되어 있는 것을 특징으로 하는 프로그램.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 대전량 분포에 기초하여, 상기 제2 분포 함수의 분포 중심 위치 및 포깅 효과의 영향 반경을 갱신하는 것을 특징으로 하는 프로그램.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140344942A1 (en) 2013-05-17 2014-11-20 Veritrix, Inc. Methods for Activating End-User Software Licenses
JP2021180224A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617947B2 (ko) 1977-09-06 1981-04-25
KR20090102659A (ko) * 2008-03-25 2009-09-30 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
JP2010250286A (ja) * 2009-03-23 2010-11-04 Toshiba Corp フォトマスク、半導体装置、荷電ビーム描画装置
JP2011040450A (ja) 2009-08-07 2011-02-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2011108968A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP2018133552A (ja) 2016-09-28 2018-08-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの位置ずれ補正方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2863558B2 (ja) * 1989-08-25 1999-03-03 株式会社日立製作所 集束イオンビーム装置の電荷中和装置
JP4987554B2 (ja) * 2007-04-26 2012-07-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5570774B2 (ja) 2009-08-04 2014-08-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および方法
JP2012044044A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法
JP6013089B2 (ja) * 2012-08-30 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5617947B2 (ja) 2013-03-18 2014-11-05 大日本印刷株式会社 荷電粒子線照射位置の補正プログラム、荷電粒子線照射位置の補正量演算装置、荷電粒子線照射システム、荷電粒子線照射位置の補正方法
JP6823823B2 (ja) * 2015-07-23 2021-02-03 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法
WO2017195766A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム照射装置
JP6861543B2 (ja) * 2017-03-09 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617947B2 (ko) 1977-09-06 1981-04-25
KR20090102659A (ko) * 2008-03-25 2009-09-30 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
JP2009260250A (ja) 2008-03-25 2009-11-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2010250286A (ja) * 2009-03-23 2010-11-04 Toshiba Corp フォトマスク、半導体装置、荷電ビーム描画装置
JP2011040450A (ja) 2009-08-07 2011-02-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2011108968A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
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