KR20060016813A - 직하형 백라이트식 액정 표시 장치 및 광확산판 - Google Patents

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KR20060016813A
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Abstract

본 발명은 높은 광확산성을 갖고, 우수한 색조를 유지하고, 높은 휘도를 갖는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 백라이트 광원, 광확산판, 광선 조절 필름 및 액정 패널을 포함하여 이루어지고, 원하는 바에 따라 광확산판의 백라이트 광원측 또는 광확산판의 양면에 보호막을 갖는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치이고, 광확산판이, (A) 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 및 (B) 평균 입경이 0.01∼50μm 인 고분자 미립자 (B 성분) 의 합계 100중량부에 대하여, (C) 포스페이트 화합물 (C-1 성분), 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열안정제 (C 성분), (D) 자외선 흡수제 (D 성분) 및 (E) 형광 증백제 (E 성분) 를 소정량 함유한 조성물로 형성되는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치이다.
광확산판, 백라이트 광원, 광선 조절 필름, 액정패널

Description

직하형 백라이트식 액정 표시 장치 및 광확산판{DIRECT BACK LIGHT TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND LIGHT DEFFUSE PLATE}
기술분야
본 발명은 용융 체류시의 변색이 억제되어, 열 및 광에 노출되더라도 우수한 색조를 유지함과 함께, 사용하는 열안정제를 최적화하여 광흡수를 최소한으로 억제함으로써 휘도를 향상시킨 폴리카보네이트 수지 조성물로 형성되는 직하형 백라이트용 광확산판 및 그것을 사용한 액정 표시 장치에 관한 것이다.
배경기술
액정 텔레비전 등 여러 가지의 액정 디스플레이의 광원으로서 사용되고 있는 백라이트 유닛의 구성 요소의 일부인 광확산판에 있어서는, 아크릴 수지나 폴리카보네이트 수지를 매트릭스 수지에 사용하고, 거기에 여러 가지의 광확산제를 첨가한 수지 조성물로 형성되는 확산판이 사용되었다.
최근 15∼39인치로 대형화되고 있는 액정 텔레비전 등의 액정 디스플레이에서는 면적의 증대에 따라 직하형 백라이트 방식이 주류가 되었다.
아크릴 수지제의 광확산판은 흡습성이 높고 또한 내열성이 열등하기 때문에 대형화에 따른 영향을 받기 쉽다. 그래서 이 용도에 아크릴 수지제의 광확산판을 사용하면, 사용 환경 조건의 변화에 의해 광확산판의 휘어짐이 커지는 경향이 있었다. 따라서, 광확산판이 액정판에 접촉한다는 중대한 결함이 발생되는 문 제가 있었다.
이에 비하여 폴리카보네이트 수지제 광확산판은 흡습성, 내열성, 기계적 특성, 내후성이 우수하고, 높은 광선 투과율을 구비하고 있다는 점에서, 이러한 용도에 바람직하게 사용된다.
폴리카보네이트 수지에 대하여, 일반적으로 사용되는 광확산제로서는 가교 구조를 갖는 유기계 입자가 있다. 더욱 상세하게는 가교 아크릴계 입자, 가교 규소계 입자 등이 폴리카보네이트 수지와의 굴절률차의 관점에서 바람직하게 사용되었다.
여기서, 액정 백라이트 용도에 사용하는 광확산판에 있어서, 가장 중요한 특성 중 하나로 휘도를 들 수 있다. 휘도란, 일반적으로는 우리들이 시각으로서 느끼는 밝기를 말하고, 광의 세기와 색도 (백색도) 의 상관으로서 생각된다. 따라서, 광확산판 내에서의 광흡수에 의한 투과 광량의 저하에 의해 휘도는 저하되고, 또한 광확산판의 황변 (黃變) 에 의해서도 휘도는 저하된다. 폴리카보네이트 수지는 아크릴 수지에 비하여 휘도가 열등하기 때문에 그 개선이 요망된다.
일반적으로 알려진 바와 같이, 폴리카보네이트 수지는 그 제조 과정 (반응, 파우더화, 건조, 펠릿화 등) 에 있어서 열이력을 받음으로써 황변되기 쉽다. 또한 광확산성을 발현하기 위해서 광확산제를 첨가하는데, 성형시 등에 광확산제 자체가 황변되거나, 또는 매트릭스 수지의 황변을 유발한다.
광확산제를 배합한 폴리카보네이트 수지 조성물의 열안정성을 개량하는 방법은 몇 가지 개시되었다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는 폴리카보네이트 수지에 포스핀 화합물 및 힌더드 (hindered) 페놀계 산화 방지제를 배합함으로써 유기 광확산제를 사용한 경우에도 폴리카보네이트 수지의 황변을 방지하는 것으로 기재되었다.
특허문헌 2 에는 광확산제를 함유하는 폴리카보네이트 수지에 안정제로서 유기 포스파이트 화합물이나 힌더드 페놀을 사용하는 것으로 기재되었다.
또한, 특허문헌 3 에는 광확산제를 함유하는 폴리카보네이트 수지에 포스포네이트 화합물, 트리메틸포스페이트 및 힌더드 페놀을 배합한 조성물은 열이나 습기에 의한 변색이 억제되는 것으로 기재되었다.
또한 특허문헌 4 에는 광확산제를 함유하는 폴리카보네이트 수지에 포스포네이트 화합물, 트리알킬포스페이트, 펜타에리트리톨디포스파이트 및 힌더드 페놀을 배합한 조성물은 열에 의한 변색이 억제되는 것으로 기재되었다.
그러나, 상기 기술한 특허문헌 1∼4 에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물은 기본적으로는 폴리카보네이트 수지의 변색 방지라는 관점에서만 도출된 기술이다. 따라서 변색 방지의 효과는 있지만, 여러 가지의 안정제, 첨가제를 배합함으로써 광흡수종도 증가시키게 되어, 광확산판으로서 사용한 경우, 투과 광량의 저하를 야기하게 된다.
휘도 향상의 방법으로서는 상기한 바와 같이, 광확산판 내에서의 광흡수를 억제하고, 또한 황변 등의 변색을 억제할 필요가 있다. 즉, 변색 방지와 광흡수의 억제에 의해서 더욱 휘도를 향상시킨 직하형 백라이트용 광확산판이 요망된다.
(특허문헌 1) 일본 공개특허공보 평07-138464호
(특허문헌 2) 일본 공개특허공보 평07-149995호
(특허문헌 3) 일본 공개특허공보 2001-214049호
(특허문헌 4) 일본 공개특허공보 2001-323149호
발명의 개시
본 발명의 목적은 높은 광확산성을 갖고, 변색이 억제되어, 열 및 광에 노출되더라도 우수한 색조를 유지하고, 아크릴 수지와 비교하더라도 손색이 없는 높은 휘도를 갖는 직하형 백라이트용 광확산판을 제공하는 데에 있다. 또한 본 발명의 목적은 이러한 광확산판을 포함하는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, (A) 방향족 폴리카보네이트 수지와 (B) 고분자 미립자로 이루어진 조성물에, (C) 열안정제, (D) 자외선 흡수제 및 (E) 형광 증백제를 특정량 함유시킨 수지 조성물을 발견하였다.
본 발명자는 이러한 폴리카보네이트 수지 조성물의 용융 체류시의 변색이 억제되는 것, 또한 이러한 수지 조성물은 열 및 광에 노출되더라도 우수한 색조를 유지함과 함께, 광흡수를 최소한으로 억제할 수 있음을 발견하였다.
또한 본 발명자는 그 수지 조성물로 이루어진 백라이트용 확산판의 휘도가 향상되는 것을 발견하여 본 발명에 도달하였다.
즉 본 발명은 방향족 폴리카보네이트 수지와 고분자 미립자의 조성물에 배합 하는 열안정제, 자외선 흡수제 및 형광 증백제의 종류나 배합량을 최적화함으로써 상기 효과를 얻는 것을 특징으로 한다.
이러한 효과를 발휘하는 원인은 특정되어 있지 않지만 이하와 같이 예상된다. 즉, 방향족 폴리카보네이트 수지에 각종 고분자 미립자를 첨가한 조성물이 용융 성형이나 장시간 광원의 열 등의 열부하를 받는 경우, 고분자 미립자의 내열 안정성에 기인하는 변질이 생기고, 그것이 인자가 되어 방향족 폴리카보네이트 수지의 변질도 가속되는 것으로 생각된다.
예를 들어 생성된 라디칼이 방향족 폴리카보네이트 수지의 이성화 반응을 촉진시키는 것 등이 생각된다. 또한 고분자 미립자가 유화 중합법으로 제조되는 경우, 유화 중합에 있어서 사용되는 유화제 등의 잔류물이 용융 성형시나 열에 노출되었을 때의 변질을 촉진시키는 것으로 생각된다.
따라서, 본 발명에 있어서의 특정한 열안정제의 조합은, 단지 방향족 폴리카보네이트 수지의 인자에 의해 생기는 변질을 억제할 뿐만 아니라, 고분자 미립자 자체의 변질을 억제하여, 고분자 미립자 중에 함유되는 불순물이 변질을 촉진시키지 않는 작용을 발휘하는 것으로 예상된다. 또한, 포스페이트계 열안정제, 포스파이트계 열안정제, 포스포나이트계 열안정제는 전술한 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물의 황변 방지 효과와 함께 광흡수능이 작기 때문에 광확산판으로서 사용하였을 때에 고휘도를 유지하는 것으로 생각된다.
즉, 본 발명에 의하면, 백라이트 광원, 광확산판, 광선 조절 필름 및 액정 패널을 포함하여 이루어지고, 원하는 바에 따라 광확산판의 백라이트 광원측 또는 광확산판의 양면에 보호막을 갖는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치이고,
광확산판이,
(A) 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 80∼99.995중량%, 및
(B) 평균 입경이 0.01∼50μm 인 고분자 미립자 (B 성분) 0.005∼20중량%, 그리고
A 성분 및 B 성분의 합계 100중량부에 대하여,
(C) 포스페이트 화합물 (C-1 성분), 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열안정제 (C 성분) 0.001∼5중량부,
(D) 자외선 흡수제 (D 성분) 0∼2중량부, 및
(E) 형광 증백제 (E 성분) 0.0001∼3중량부를 함유하는 조성물로 형성되는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치가 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, (A) 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 80∼99.995중량%, 및
(B) 평균 입경이 0.01∼50μm 인 고분자 미립자 (B 성분) 0.005∼20중량%, 그리고
A 성분 및 B 성분의 합계 100중량부에 대하여,
(C) 포스페이트 화합물 (C-1 성분), 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열안정제 (C 성분) 0.001∼5중량부,
(D) 자외선 흡수제 (D 성분) 0∼2중량부, 및
(E) 형광 증백제 (E 성분) 0.0001∼3중량부를 함유하는 조성물로 형성되는 직하형 백라이트용 광확산판이 제공된다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명의 광확산판에 있어서의 평균 휘도의 평가 장치의 단면 간략도이다.
도 2 는 본 발명의 광확산판에 있어서의 평균 휘도의 평가 장치의 평면 간략도이다.
도 3 은 본 발명에 있어서의 분산도의 측정 방법을 나타내는 개략도이다.
(부호의 설명)
1: 시험편
2: 백색 반사 수지판
3∼10: 광원 (냉음극관)
11∼19: 측정점
A: 시험편 (평판상)
B: 광원
γ: 확산광 각도
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 직하형 백라이트식 액정 표시 장치에 관해서 설명한다.
본 발명의 직하형 백라이트식 액정 표시 장치는 백라이트 광원, 광확산판, 광선 조절 필름 및 액정 패널을 포함한다. 본 장치는 백라이트 광원, 광확산판, 광선 조절 필름 및 액정 패널을 이 순서로 배치하여 제조할 수 있다. 바람직하게는 본 장치는 원하는 바에 따라 광확산판의 백라이트 광원측 또는 광확산판의 양면에 보호막을 갖는다.
<백라이트 광원>
백라이트 광원은 발광면의 바로 아래에 배치되어 있으면, 형상은 평면상, 점상, 선상 등의 어느 형상이어도 된다. 백라이트 광원은 가시광선을 조사할 수 있는 것이면 되고, 백열 전구, 형광 방전관, 발광 다이오드 소자, 및 형광 발광 소자 등을 사용할 수 있지만, 휘도, 색온도 등의 관점에서 형광 방전관, 그 중에서도 냉음극 형광 램프가 바람직하다. 특히 최근에는 소비 전력을 적게 하여, 고휘도성·고연색 (高演色) 성이 실현된 3파장 형광체를 사용한 냉음극 형광 램프가 사용된다.
백라이트 광원에 사용되고 있는 냉음극 형광 램프의 구조는, 적량의 수은과 불활성 가스 (아르곤, 네온, 혼합 가스 등) 가 봉입된 유리관 내벽에 형광체가 도포되고, 유리관의 양단에는 주상의 전극이 장착된 상태이다.
그 냉음극 형광 램프의 발광의 메카니즘은, 전극 간에 고전압이 인가되면, 관 내에 미소하게 존재하는 전자가 전극으로 고속으로 당겨져 충돌하고, 이 때에 2차 전자가 방출되어 방전이 시작된다. 이 방전에 의해, 양극으로 당겨지는 전자와 관 내의 수은 분자가 충돌하여 자외선 (250 nm 전후) 이 방사되고, 이 자외선이 형광체를 여기하여 가시광선을 발광시킨다.
<광선 조절 필름>
광선 조절 필름으로서는 확산판으로부터 나온 광을 집광하거나, 확산시키거나, 편광시키기도 하는 기능을 갖는 필름을 들 수 있다. 광선 조절 필름은 통상, 광확산판과 액정 패널 사이에 배치된다. 집광 필름으로서는 표면을 프리즘 형상으로 한 필름 (예를 들어, 야마가타 3M 제조 BEF) 등을 들 수 있고, 확산 필름으로서는 확산제를 함유하는 필름 등을 들 수 있고, 편광 필름으로서는 다층 필름 (예를 들어, 야마가타 3M 제조 D-BEF) 등을 들 수 있다.
이들은, 예를 들어 확산판측에서 집광 필름, 확산 필름, 편광 필름, 확산 필름의 순서로 구성되고, 확산 필름을 투과한 광은 액정 패널부에 입사된다.
<액정 패널>
액정 패널은 액정 셀의 적어도 일방에 편광판을 갖는 구성이다. 액정 셀은 전극이 형성되어 있고, 그 적어도 일방의 면이 투명한 것이 바람직하다. 또한, 원하는 바에 따라 컬러 필터를 액정 셀과 편광판 사이에 개재한 구성으로 할 수도 있다. 액정 셀은 유리나 고분자 필름 등의 플라스틱으로 제작할 수 있다.
<광확산판>
광확산판은 A∼E 성분을 함유하는 조성물로 형성된다. 이하 각 성분에 관해서 설명한다. 본원 발명은 광확산판 자체도 포함한다.
(방향족 폴리카보네이트 수지)
방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 란, 통상 2가 페놀과 카보네이트 전구체를 계면 중축합법, 용융 에스테르 교환법으로 반응시켜 얻어진 것 이외에, 카보 네이트 프리폴리머를 고상 에스테르 교환법에 의해 중합시킨 것, 또는 고리형 카보네이트 화합물의 개환 중합법에 의해 중합시켜 얻어진 것이다.
여기서 사용된 2가 페놀의 대표적인 예로서는 하이드로퀴논, 레졸시놀, 4,4'-디히드록시디페닐, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스{(4-히드록시-3,5-디메틸)페닐}메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판(통칭 비스페놀 A), 2,2-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}프로판, 2,2-비스{(4-히드록시-3,5-디메틸)페닐}프로판, 2,2-비스{(4-히드록시-3,5-디브로모)페닐}프로판, 2,2-비스{(3-이소프로필-4-히드록시)페닐}프로판, 2,2-비스{(4-히드록시-3-페닐)페닐}프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3-메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3,3-디메틸부탄, 2,4-비스(4-히드록시페닐)-2-메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)펜탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-4-이소프로필시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}플루오렌,
Figure 112005073239317-PCT00001
,
Figure 112005073239317-PCT00002
'-비스(4-히드록시페닐)-o-디이소프로필벤젠,
Figure 112005073239317-PCT00003
,
Figure 112005073239317-PCT00004
'-비스(4-히드록시페닐)-m-디이소프로필벤젠,
Figure 112005073239317-PCT00005
,
Figure 112005073239317-PCT00006
'-비스(4-히드록시페닐)-p-디이소프로필벤젠, 1,3-비스(4-히드록시페닐)-5,7-디메틸아다만탄, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술폭시드, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시디페닐케톤, 4,4'-디히드록시디페닐에테르 및 4,4'-디히드록시디페닐에스테르 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
그 중에서도 비스페놀 A, 2,2-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3-메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-3,3-디메틸부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 9,9-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}플루오렌 및
Figure 112005073239317-PCT00007
,
Figure 112005073239317-PCT00008
'-비스(4-히드록시페닐)-m-디이소프로필벤젠으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 비스페놀로부터 얻어지는 단독 중합체 또는 공중합체가 바람직하고, 특히 비스페놀 A 의 단독 중합체, 비스페놀 A 와 9,9-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}플루오렌과의 공중합체 및 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산과 비스페놀 A, 2,2-비스{(4-히드록시-3-메틸)페닐}프로판 또는
Figure 112005073239317-PCT00009
,
Figure 112005073239317-PCT00010
'-비스(4-히드록시페닐)-m-디이소프로필벤젠과의 공중합체가 바람직하게 사용된다.
카보네이트 전구체로서는 카르보닐할라이드, 카보네이트에스테르 또는 할로포르메이트 등이 사용되고, 구체적으로는 포스겐, 디페닐카보네이트 또는 2가 페놀의 디할로포르메이트 등을 들 수 있다.
상기 2가 페놀과 카보네이트 전구체를 계면 중축합법 또는 용융 에스테르 교환법에 의해서 반응시켜 폴리카보네이트 수지를 제조함에 있어서는, 필요에 따라 촉매, 말단 정지제, 2가 페놀의 산화 방지제 등을 사용해도 된다. 또 폴리카보네이트 수지는 3관능 이상의 다관능성 방향족 화합물을 공중합한 분지 폴리카보네이트 수지여도 되고, 방향족 또는 지방족의 2관능성 카르복실산을 공중합한 폴리에스테르카보네이트 수지여도 되고, 또한 얻어진 폴리카보네이트 수지의 2종 이상을 혼합한 혼합물이어도 된다.
3관능 이상의 다관능성 방향족 화합물로서는 플로로글루신, 플로로글루시드, 또는 4,6-디메틸-2,4,6-트리스(4-히드록시디페닐)헵텐,-2,2,4,6-트리메틸-2,4,6-트리스(4-히드록시페닐)헵탄, 1,3,5-트리스(4-히드록시페닐)벤젠, 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1,1-트리스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에탄, 2,6-비스(2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페놀, 4-{4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠}-
Figure 112005073239317-PCT00011
,
Figure 112005073239317-PCT00012
-디메틸벤질페놀 등의 트리스페놀, 테트라(4-히드록시페닐)메탄, 비스(2,4-디히드록시페닐)케톤, 1,4-비스(4,4-디히드록시트리페닐메틸)벤젠, 또는 트리멜리트산, 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 및 이들의 산클로라이드 등을 들 수 있고, 그 중에서도 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1,1-트리스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에탄이 바람직하고, 특히 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄이 바람직하다.
이러한 분지 폴리카보네이트 수지를 생성시키는 다관능성 화합물을 함유하는 경우, 이러한 비율은 방향족 폴리카보네이트 전량 중, 0.001∼1몰%, 바람직하게는 0.005∼0.5몰%, 특히 바람직하게는 0.01∼0.3몰% 이다. 또한, 특히 용융 에스테르 교환법의 경우 부반응으로서 분지 구조가 생기는 경우가 있지만, 이러한 분지 구조량에 관해서도, 방향족 폴리카보네이트 전량 중, 0.001∼1몰%, 바람직하게는 0.005∼0.5몰%, 특히 바람직하게는 0.01∼0.3몰% 인 것이 바람직하다. 또, 이러한 비율에 대해서는 1H-NMR 측정에 의해 산출할 수 있다.
계면 중축합법에 의한 반응은 통상 2가 페놀과 포스겐의 반응이고, 산결합제 및 유기 용매의 존재 하에 반응시킨다. 산결합제로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리금속수산화물 또는 피리딘 등의 아민 화합물이 사용된다. 유기 용매로서는, 예를 들어 염화메틸렌, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소가 사용된다. 또한, 반응 촉진을 위해, 예를 들어 트리에틸아민, 테트라-n-부틸암모늄 브로마이드, 테트라-n-부틸포스포늄 브로마이드 등의 제3급 아민, 제4급 암모늄 화합물, 제4급 포스포늄 화합물 등의 촉매를 사용할 수도 있다. 그 때, 반응 온도는 통상 0∼40℃, 반응 시간은 10분∼5시간 정도, 반응 중의 pH 는 9 이상으로 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 이러한 중합 반응에 있어서, 통상 말단 정지제가 사용된다. 이러한 말단 정지제로서 단관능 페놀류를 사용할 수 있다. 단관능 페놀류는 말단 정지제로서 분자량 조절을 위해 일반적으로 사용된다. 이러한 단관능 페놀류로서는, 일반적으로는 페놀 또는 저급 알킬 치환 페놀으로서, 하기 일반식으로 나타낸 단관능 페놀류를 들 수 있다.
Figure 112005073239317-PCT00013
(식 중, A 는 수소원자 또는 탄소수 1∼9 의 직쇄 또는 분지의 알킬기 또는 페닐기로 치환된 알킬기이고, r 은 1∼5, 바람직하게는 1∼3 의 정수이다.)
상기 단관능 페놀류의 구체예로서는, 예를 들어 페놀, p-tert-부틸페놀, p-쿠밀페놀 및 이소옥틸페놀을 들 수 있다.
용융 에스테르 교환법에 의한 반응은, 통상 2가 페놀과 카보네이트에스테르와의 에스테르 교환 반응이고, 불활성 가스의 존재 하에 2가 페놀과 카보네이트에스테르를 가열하면서 혼합하여, 생성되는 알코올 또는 페놀을 유출시키는 방법에 의해 행해진다. 반응 온도는 생성되는 알코올 또는 페놀의 비점 등에 따라 달라지지만, 통상 120∼350℃ 의 범위이다. 반응 후기에는 계를 1.33×103∼13.3Pa 정도로 감압하여 생성되는 알코올 또는 페놀의 유출을 용이하게 한다. 반응 시간은 통상 1∼4시간 정도이다.
카보네이트에스테르로서는 치환되어도 되는 탄소수 6∼10 의 아릴기, 아르알킬기 또는 탄소수 1∼4 의 알킬기 등의 에스테르를 들 수 있다. 구체적으로는, 디페닐카보네이트, 비스(클로로페닐)카보네이트, 디나프틸카보네이트, 비스(디페닐)카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디부틸카보네이트 등을 들 수 있고, 그 중에서도 디페닐카보네이트가 바람직하다.
또한, 중합 속도를 빠르게 하기 위해서 중합 촉매를 사용할 수 있고, 이러한 중합 촉매로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 2가 페놀의 나트륨염, 칼륨염 등의 알칼리금속 화합물, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화마그네슘 등의 알칼리 토금속 화합물, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 트리메틸아민, 트리에틸아민 등의 함질소 염기성 화합물, 알칼리금속이나 알칼리 토금속의 알콕시드류, 알칼리금속이나 알칼리 토금속의 유기산염류, 아연 화합물류, 붕소 화합물류, 알루미늄 화합물류, 규소 화합물류, 게르마늄 화합물류, 유기 주석 화합물류, 납 화합물류, 오스뮴 화합물류, 안티몬 화합물류, 망간 화합물류, 티탄 화합물류, 지르코늄 화합물류 등의 통상 에스테르화 반응, 에스테르 교환 반응에 사용되는 촉매를 사용할 수 있다.
촉매는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들의 중합 촉매의 사용량은 원료의 2가 페놀 1몰에 대하여, 바람직하게는 1×10-8∼1×10-3 당량, 보다 바람직하게는 1×10-7∼5×10-4 당량의 범위에서 선택된다.
또한 이러한 중합 반응에 있어서 촉매의 활성을 중화시키는 실활제를 사용하는 것이 바람직하다. 이 실활제의 구체예로서는, 예를 들어 옥틸술폰산산테트라부틸포스포늄염, 데실술폰산테트라부틸포스포늄염, 벤젠술폰산테트라부틸포스포늄염, 도데실벤젠술폰산테트라에틸포스포늄염, 도데실벤젠술폰산테트라부틸포스포늄염, 도데실벤젠술폰산테트라헥실포스포늄염, 도데실벤젠술폰산테트라옥틸포스포늄염, 데실암모늄부틸설페이트, 데실암모늄데실설페이트, 도데실암모늄메틸설페이트, 도데실암모늄에틸설페이트, 도데실메틸암모늄메틸설페이트, 도데실디메틸암모늄테트라데실설페이트, 테트라데실디메틸암모늄메틸설페이트, 테트라메틸암모늄헥실설페이트, 데실트리메틸암모늄헥사데실설페이트, 테트라부틸암모늄도데실벤질설페이트, 테트라에틸암모늄도데실벤질설페이트, 테트라메틸암모늄도데실벤질설페이트 등의 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들의 화합물을 2종 이상 병용할 수도 있다.
이러한 촉매의 양으로서는 잔존하는 촉매 1몰에 대하여 0.5∼50몰의 비율로 사용하는 것이 바람직하고, 또한 중합 후의 폴리카보네이트 수지에 대하여, 0.01∼500ppm 의 비율, 보다 바람직하게는 0.01∼300ppm, 특히 바람직하게는 0.01∼100ppm 의 비율로 사용한다.
폴리카보네이트 수지의 분자량은 특정되지 않지만, 분자량이 10,000 미만이면 고온 특성 등이 저하되고, 50,000 을 초과하면 성형 가공성이 저하되게 되므로, 점도 평균 분자량으로 나타내어 10,000∼50,000 인 것이 바람직하고, 14,000∼30,000 인 것이 특히 바람직하다. 또한, 폴리카보네이트 수지의 2종 이상을 혼합하여도 무방하다. 본 발명에서 말하는 점도 평균 분자량은 우선 다음식에 의해 산출되는 비점도를 염화메틸렌 100ml 에 폴리카보네이트 수지 0.7g 을 20℃ 에서 용해한 용액으로부터 오스트왈드 점도계를 사용하여 구하고,
비점도 (ηSP)=(t-to)/to [to 는 염화메틸렌의 낙하 초수, t 는 시료 용액의 낙하 초수]
구해진 비점도를 다음식에 삽입하여 점도 평균 분자량 (M) 을 구한다.
ηSP/c=[η]+0.45×[η]2c
[η]=1.23×10-4M0 .83
c=0.7
(고분자 미립자)
고분자 미립자 (B 성분) 는 광확산성의 관점에서 구상 (球狀) 인 것이 바람 직하고, 진구상 (眞球狀) 에 가까운 형태일수록 보다 바람직하다.
고분자 미립자로서 가교 실리콘 입자나, 비가교성 모노머와 가교성 모노머를 중합하여 얻어지는 가교 유기 입자를 들 수 있다. 여기서 비가교성 모노머로서는 아크릴계 모노머, 스티렌계 모노머, 아크릴로니트릴계 모노머, 올레핀계 모노머 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한 이러한 모노머 이외의 다른 공중합가능한 모노머를 사용할 수도 있다.
한편, 폴리에테르술폰 입자 등의 비정성 (非晶性) 내열 폴리머의 입자도 본 발명의 고분자 미립자로서 들 수 있다. 이러한 폴리머의 입자의 경우에는, A 성분과 가열 용융 혼련한 경우이더라도 미립자의 형태가 손상되는 경우가 없기 때문에, 반드시 가교성 모노머를 필요로 하지는 않는다.
또한 본 발명에 있어서, 고분자 미립자로서는 각종 에폭시 수지 입자, 우레탄 수지 입자, 멜라민 수지 입자, 벤조구아나민 수지 입자, 페놀 수지 입자 등도 사용할 수 있다.
또한, 이러한 B 성분의 평균 입경으로서는 0.01∼50μm 의 것이 사용되고, 바람직하게는 0.1∼10μm, 보다 바람직하게는 1∼10μm 의 것이 사용된다. 또한 입경의 분포에 관해서는 좁은 것이 바람직하고, 평균 입경 ±2μm 인 입자가 전체의 70중량% 이상의 범위인 분포를 갖는 것이 보다 바람직하다.
또한, B 성분의 고분자 미립자의 굴절률과 A 성분의 굴절률의 차의 절대값이 0.02∼0.3 인 것이 바람직하고, 0.10∼0.25 인 것이 보다 바람직하고, 0.12∼0.20인 것이 더욱 바람직하고, 0.14∼0.20 인 것이 특히 바람직하다. 상기 굴절률 의 범위에서 굴절률차가 큰 편이 바람직하고, 이 점에서 고분자 미립자의 재질로서는 특히 가교 실리콘 입자가 바람직하다.
여기서 가교 실리콘 입자로서는, 실록산 결합을 주골격으로 하여 규소원자에 유기 치환기를 갖는 것으로, 폴리메틸실세스퀴옥산으로 대표되는 가교도가 높은 것과 메틸실리콘 고무 입자로 대표되는 가교도가 낮은 것이 있는데, 본 발명에서는 폴리메틸실세스퀴옥산으로 대표되는 가교도가 높은 것이 바람직하다. 이러한 가교 실리콘 입자의 규소원자에 치환되는 유기기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알칸기, 페닐기 등의 아릴기, 벤질기 등의 아르알킬기 등 외에, 카르복실기, 카르보닐기, 에스테르기, 에테르기 등을 사용할 수 있다.
이러한 가교 실리콘 입자의 제조법으로서는, 3관능성의 알콕시실란 등을 수중에서 가수 분해와 축합 반응에 의해서 실록산 결합을 성장시키면서 3차원 가교한 입자를 형성시키는 방법이 일반적이고, 이러한 입자 직경은, 예를 들어 촉매의 알칼리량이나 교반 공정 등에 의해 제어할 수 있다.
또한, 가교 유기 입자에 있어서 사용되는 아크릴계 모노머로서는, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도 메틸메타크릴레이트가 특히 바람직하다.
스티렌계 모노머로서는, 스티렌,
Figure 112005073239317-PCT00014
-메틸스티렌, 메틸스티렌(비닐톨루엔), 에틸스티렌 등의 알킬스티렌, 브로모화 스티렌 등의 할로겐화 스티렌을 사용할 수 있고, 그 중에서도 특히 스티렌이 바람직하다. 아크릴로니트릴계 모노머로서는 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴을 사용할 수 있다. 또한, 올레핀계 모노머로서는 에틸렌, 각종 노르보르넨형 화합물 등을 사용할 수 있다. 또, 다른 공중합가능한 다른 모노머로서는, 글리시딜메타크릴레이트, N-메틸말레이미드, 무수말레인산 등을 예시할 수 있고, 또한 결과적으로 N-메틸글루탈이미드 등의 단위를 가질 수도 있다.
한편, 상기 비가교성 모노머에 대한 가교성 모노머로서는, 예를 들어 디비닐벤젠, 알릴메타크릴레이트, 트리알릴시아누레이트, 트리알릴이소시아네이트, 에틸렌글리콜디(메스)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메스)아크릴레이트, 프로필렌글리콜(메스)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메스)아크릴레이트, 트리메틸올프로판(메스)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메스)아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메스)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메스)아크릴레이트, 디시클로펜테닐디(메스)아크릴레이트, N-메틸올(메스)아크릴아미드 등을 들 수 있다.
아크릴계 모노머 등으로 이루어지는 가교 유기 입자의 제조 방법으로서는, 일반적인 유화 중합법 외에, 과황산칼륨 등의 개시제를 사용하는 소프 프리 (soap-free) 중합법, 시드 중합법, 2단계 팽윤 중합법 등을 들 수 있다. 또한, 현탁 중합법에 있어서도, 수상 (水相) 과 모노머상을 개별적으로 유지하여 양자를 정확히 연속식 분산기에 공급하여, 입자 직경을 분산기의 회전수로 제어하는 방법이나, 마찬가지로 연속식 제조 방법에 있어서 분산능을 갖는 수성 액체 중에 모노머상을 수∼수십μm 의 미세 직경 오리피스 또는 다공질 필터를 통과시킴으로써 공급하여 입경을 제어하는 방법 등도 가능하다.
가교 유기 입자 이외의 고분자 미립자의 제조 방법으로서는, 스프레이 드라이법, 액중 경화법 (응고법), 상 분리법 (코아세르베이션법), 용매 증발법, 재침전법 등 이외에, 이들을 행할 때에 노즐 진동법 등을 조합한 것을 들 수 있다.
B 성분의 형태로서는, 단상 중합체 외에, 코어-쉘 중합체의 형태, 또한 2종 이상의 성분이 서로 얽힌 구조를 갖는 IPN 구조를 취할 수도 있다. 또한 무기 미립자를 코어로 하고 유기 가교 입자의 성분을 쉘로 하거나, 또는 유기 가교 입자를 코어로 하고 에폭시 수지, 우레탄 수지 등을 쉘로 하는 등의 복합형 입자도 사용할 수 있다.
B 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량% 당, 0.005∼20중량%, 바람직하게는 0.01∼15중량%, 보다 바람직하게는 0.02∼5중량%, 특히 바람직하게는 0.1∼2중량% 이다. 0.005중량% 미만에서는 충분한 광확산성이 얻어지지 않고, 20중량% 를 초과하면 광선 투과율이 불충분해지므로 바람직하지 못하다.
(열안정제)
본 발명에 있어서, C 성분인 포스페이트 화합물 (C-1 성분), 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열안정제는, 폴리카보네이트 수지 조성물의 황변 방지 효과와 함께 광확산판으로서 사용하였을 때에 고휘도를 유지하는 효과가 있다.
C 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 0.001∼5중량 부이고, 바람직하게는 0.002∼3중량부이고, 보다 바람직하게는 0.005∼2중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.01∼1중량부이고, 특히 바람직하게는 0.02∼0.5중량부이다. 0.001중량부 미만에서는 충분한 용융 가공시의 내변색성 (이하 “내용융 변색성” 이라고도 함) 및 장기간 공기 속에서 열에 노출된 경우의 내변색성 (이하 “내건열 변색성” 이라고도 함) 이 얻어지지 않고, 5중량부를 초과하면 습도의 영향 등도 받아 반대로 내건열 변색성이 떨어지는 경우가 있고, 또한 폴리카보네이트 수지 조성물이 변질을 일으키는 경우가 있어 바람직하지 못하다.
(C-1 성분)
포스페이트 화합물 (C-1 성분) 은 하기 식 (1) 로 나타낸 화합물인 것이 바람직하다.
Figure 112005073239317-PCT00015
(식 중, R 은 동일하거나 또는 상이하고, 탄소수 1∼15 의 알킬기를 나타낸다.)
포스페이트 화합물 (C-1 성분) 은 탄소수 1∼12 의 알킬기를 갖는 것이 바람직하고, 탄소수 1∼5 의 알킬기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 특히 바람직하게는 트리메틸포스페이트이다. C-1 성분은 특히 충분한 내용융 변색성이 필요한 조건에 적합한 화합물이고, 구체적으로는 폴리카보네이트 수지 조성물을 용융 압출하여 광확산판으로 가공할 때의 변색을 방지하는 효과가 있다.
C-1 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.001∼3중량부이고, 보다 바람직하게는 0.01∼2중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.01∼0.5중량부이고, 특히 바람직하게는 0.02∼0.1중량부이다.
(C-2 성분)
포스파이트 화합물 (C-2 성분) 은 하기 식 (2-1) 또는 하기 식 (2-2) 로 나타낸 화합물이 바람직하게 사용된다. 특히, 하기 식 (2-1) 로 나타낸 화합물인 것이 바람직하다.
Figure 112005073239317-PCT00016
(식 중, R1, R2 는 각각 수소원자, 탄소수 1∼20 의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6∼30 의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7∼30 의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 4∼20 의 시클로알킬기 또는 탄소수 15∼25 의 2-(옥시페닐)프로필 치환 아릴기를 나타낸다.)
탄소수 1∼20 의 알킬기로서, 노닐기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. 탄소수 6∼30 의 아릴기로서 페닐기를 들 수 있다. 탄소수 4∼20 의 시클로알킬기로서 시클로헥실기 등을 들 수 있다.
상기 아릴기, 아르알킬기 및 시클로알킬기로 치환되는 치환기는 탄소수 1∼10 의 알킬기인 것이 바람직하다.
식 (2-1) 로 나타낸 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물은 고분자 미립자를 함유하는 폴리카보네이트 수지 조성물에 있어서, 내용융 변색성 및 내건열 변색성이 필요한 조건에 적합한 화합물이고, 구체적으로는 폴리카보네이트 수지 조성물을 용융 압출하여 광확산판으로 가공할 때의 변색 및 확산판을 광원에 노출시켰을 때의 변색을 방지하는 효과가 있다.
식 (2-1) 로 나타낸 화합물의 구체예로서는, 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트, 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)펜타에리트리톨디포스파이트, 비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페닐)펜타에리트리톨디포스파이트, 페닐비스페놀 A 펜타에리트리톨디포스파이트, 디시클로헥실펜타에리트리톨디포스파이트 등을 들 수 있고, 바람직하게는 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트, 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)펜타에리트리톨디포스파이트, 비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페닐)펜타에리트리톨디포스파이트를 들 수 있다. 이러한 포스파이트 화합물은 1종, 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
포스파이트 화합물 (C-2 성분) 로서, 하기 식 (2-2) 로 나타낸 포스파이트 화합물을 사용할 수 있다.
Figure 112005073239317-PCT00017
(식 중, Ar2 은 서로 동일하거나 상이하고, 2∼4개의 알킬기에 의해 치환된 탄소수 8∼20 의 아릴기를 나타낸다.)
치환하는 알킬기로서 탄소수 1∼5 의 알킬기를 들 수 있다. 아릴기로서 페닐기를 들 수 있다.
상기 식 (2-2) 로 나타낸 포스파이트 화합물의 구체적 예로서는, 트리스(디메틸페닐)포스파이트, 트리스(디에틸페닐)포스파이트, 트리스(디-iso-프로필페닐)포스파이트, 트리스(디-n-부틸페닐)포스파이트, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트, 트리스(2,6-디-tert-부틸페닐)포스파이트 등을 들 수 있고, 트리스(디알킬치환페닐)포스파이트가 바람직하고, 트리스(디-tert-부틸페닐)포스파이트가 보다 바람직하고, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트가 특히 바람직하다. 이들의 화합물의 1종 또는 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
C-2 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.001∼5중량부이고, 보다 바람직하게는 0.002∼3중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.005∼2중량부이고, 특히 바람직하게는 0.01∼1중량부이고, 가장 바람직하게는 0.02∼0.5중량부이다. 0.001중량부 이상에서 충분한 내용융 변색성 및 내건열 변색성이 얻어지고, 5중량부 이하에서는 습도의 영향 등도 받아 반대로 내건열 변색성이 떨어지는 경우가 없어 바람직하다.
(C-3 성분)
포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 은 하기 식 (3-1) 로 나타낸 화합물인 것이 바람직하다.
Figure 112005073239317-PCT00018
(식 중, Ar3 은 서로 동일하거나 또는 상이하고, 비치환 또는 알킬기에 의해 치환된 탄소수 6∼20 의 아릴기를 나타낸다.)
치환하는 알킬기로서 탄소수 1∼5 의 알킬기를 들 수 있다. 아릴기로서 페닐기를 들 수 있다.
상기 식 (3-1) 로 나타낸 포스포나이트 화합물의 구체적 예로서는, 테트라키스(2,4-디-iso-프로필페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,4-디-n-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4,3'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-3,3'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,6-디-iso-프로필페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,6-디-n-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,6-디-tert-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,6-디-tert-부틸페닐)-4,3'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,6-디-tert-부틸페닐)-3,3'-비페닐렌디포스포나이트 등을 들 수 있고, 테트라키스(디-tert-부틸페닐)-비페닐렌디포스포나이트가 바람직하고, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-비페닐렌디포스포나이트가 보다 바람직하다. 이 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-비페닐렌디포스포나이트는 2종 이상의 혼합물이 바람직하고, 구체적으로는 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌 디포스포나이트 (C-3-a-1 성분), 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4,3'-비페닐렌디포스포나이트 (C-3-a-2 성분), 및 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-3,3'-비페닐렌디포스포나이트 (C-3-a-3 성분) 의 3종의 혼합물이 보다 바람직하다. 또한, 이 혼합물의 혼합비는 C-3-a-1 성분, C-3-a-2 성분 및 C-3-a-3 성분을 중량비로 100:37∼64:4∼14 의 범위가 바람직하고, 100:40∼60:5∼11 의 범위가 보다 바람직하다.
또한, 하기 식 (3-2) 로 나타낸 포스포나이트 화합물을 사용할 수 있다.
Figure 112005073239317-PCT00019
(식 중, Ar3 은 서로 동일하거나 또는 상이하고, 비치환 또는 알킬기에 의해 치환된 탄소수 6∼20 의 아릴기를 나타낸다.)
치환하는 알킬기로서 탄소수 1∼5 의 알킬기를 들 수 있다. 아릴기로서 페닐기를 들 수 있다.
상기 식 (3-2) 로 나타낸 포스포나이트 화합물의 구체예로서는, 비스(2,4-디-iso-프로필페닐)-4-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,4-디-n-부틸페닐)-3-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-3-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,6-디-iso-프로필페닐)-4-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,6-디-n-부틸페닐)-3-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,6-디-tert-부틸페닐)-4-페닐-페닐포스포나이트, 비스(2,6-디-tert-부틸페닐)-3-페닐- 페닐포스포나이트 등을 들 수 있고, 비스(디-tert-부틸페닐)-페닐-페닐포스포나이트가 바람직하고, 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-페닐-페닐포스포나이트가 보다 바람직하다.
이 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-페닐-페닐포스포나이트는 2종 이상의 혼합물이 바람직하고, 구체적으로는 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4-페닐-페닐포스포나이트 (C-3-b-1 성분), 및 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-3-페닐-페닐포스포나이트 (C-3-b-2 성분) 의 혼합물이 보다 바람직하다. 또한, 이 혼합물의 혼합비는 C-3-b-1 성분, 및 C-3-b-2 성분을 중량비로 5:1∼4 의 범위가 바람직하고, 5:2∼3 의 범위가 보다 바람직하다.
C-3 성분을 사용하는 경우, 그 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001∼1.0중량부이고, 보다 바람직하게는 0.001∼0.4중량부이고, 특히 바람직하게는 0.002∼0.3중량부이다. C-3 성분을 사용함으로써 충분한 내용융 변색성 및 내건열 변색성이 얻어지기 때문에 바람직하다.
본 발명의 광확산판을 형성하는 폴리카보네이트 수지 조성물은 힌더드 페놀 화합물을 실질적으로 함유하지 않는다. 힌더드 페놀 화합물은 폴리카보네이트 수지의 열안정제로서 일반적으로 사용되는 화합물이고, 특히 장기간 공기 속에서 열에 노출된 경우의 내변색성 (내건열 변색성) 이 우수한 효과를 나타내는 화합물이다. 그러나, 힌더드 페놀 화합물을 폴리카보네이트 수지 조성물에 배합하면, 이 수지 조성물로 형성된 광확산판은 충분한 휘도를 갖지 않는다는 문제가 일어난다. 따라서, 폴리카보네이트 수지 조성물에 대한 힌더드 페놀 화합물의 함유량 은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 0.01중량부 미만이 바람직하고, 0.005중량부 미만이 보다 바람직하고, 0.001중량부 미만이 특히 바람직하다.
구체적인 힌더드 페놀 화합물로서는, n-옥타데실-β-(4'-히드록시-3',5'-디-tert-부틸페닐)프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-tert-부틸페놀), 트리에틸렌글리콜-N-비스-3-(3-tert-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트, 1,6-헥산디올비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 3,9-비스{2-[3-(3-tert-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시]-1,1,-디메틸에틸}-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5,5]운데칸을 들 수 있다.
(자외선 흡수제)
본 발명에 있어서는, D 성분으로서 자외선 흡수제가 사용된다. 폴리카보네이트 수지 조성물로 형성되는 광확산판은 광원으로부터 장시간 자외선 영역∼가시광 영역의 여러 가지의 파장 분포, 여러 가지의 강도의 광이 단속적 또는 연속으로 조사됨으로써 변색되기 쉽다. 이 변색을 방지하기 위해서, 자외선 흡수제가 사용된다.
본 발명에서 사용되는 자외선 흡수제로서는, 구체적으로 벤조페논계 자외선 흡수제로는, 2,4-디히드록시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논, 2-히드록시-4-옥톡시벤조페논, 2-히드록시-4-벤질옥시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시-5-술폭시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시-5-술폭시트리하이드레이트벤조페논, 2,2'-디히드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,2'-디히드록시-4,4'- 디메톡시벤조페논, 2,2'-디히드록시-4,4'-디메톡시-5-소듐술폭시벤조페논, 비스(5-벤조일-4-히드록시-2-메톡시페닐)메탄, 2-히드록시-4-n-도데실옥시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시-2'-카르복시벤조페논 등을 들 수 있다.
벤조트리아졸계 원자외선 흡수제로는, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디쿠밀페닐)페닐벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-tert-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-6-(2H-벤조트리아졸-2-일)페놀], 2-(2-히드록시-3,5-디-tert-부틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-tert-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-tert-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-tert-부틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-4-옥톡시페닐)벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스(4-쿠밀-6-벤조트리아졸페닐), 2,2'-p-페닐렌비스(1,3-벤조옥사진-4-온), 2-[2-히드록시-3-(3,4,5,6-테트라히드로프탈이미드메틸)-5-메틸페닐]벤조트리아졸을 들 수 있다.
바람직하게는 2-(2-히드록시-5-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디쿠밀페닐)페닐벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-tert-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-6-(2H-벤조트리아졸-2-일)페놀] 이다.
벤조옥사진계 자외선 흡수제로서, 구체적으로는 2,2'-p-페닐렌비스(3,1-벤조옥사진-4-온), 2,2'-m-페닐렌비스(3,1-벤조옥사진-4-온), 및 2,2'-p,p'-디페닐렌비스(3,1-벤조옥사진-4-온) 등이 예시된다.
또한, 히드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제로서, 구체적으로는 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-헥실옥시페놀, 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-메틸옥시페놀, 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-에틸옥시페놀, 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-프로필옥시페놀, 및 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-부틸옥시페놀 등이 예시된다. 또한 2-(4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일)-5-헥실옥시페놀 등, 상기 예시 화합물의 페닐기가 2,4-디메틸페닐기로 된 화합물이 예시된다.
또한, 자외선 흡수제는 라디칼 중합이 가능한 단량체 화합물의 구조를 취함으로써, 이러한 자외선 흡수성 단량체 및/또는 광안정성 단량체와 알킬(메스)아크릴레이트 등의 단량체를 공중합한 폴리머형의 자외선 흡수제이어도 된다. 상기 자외선 흡수성 단량체로서는 (메스)아크릴산에스테르의 에스테르 치환기 중에 벤조트리아졸 골격, 벤조페논 골격, 트리아진 골격, 및 벤조옥사진 골격을 함유하는 화합물이 바람직하게 예시된다. 이들의 자외선 흡수제는 1종 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
상기 자외선 흡수제 중에서도 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 및 벤조옥사진계 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 자외선 흡수제가 바람직하게 사용된다.
D 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 0∼2중량부이고, 보다 바람직하게는 0.01∼1중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.01∼0.8중량부이고, 특히 바람직하게는 0.02∼0.5중량부이다. 자외선 흡수제의 함유량이 2중량 부를 초과하면 본 발명의 광확산판이 변질을 일으키게 되어 바람직하지 못하다.
또한, 광확산판이 자외선 흡수제를 함유하는 보호막을 갖는 경우에는, D 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0∼0.5중량부이고, 보다 바람직하게는 0∼0.3중량부이다. 한편, 광확산판이 보호막을 갖지 않는 경우에는, D 성분의 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼2중량부이고, 보다 바람직하게는 0.02∼1중량부이다.
(형광 증백제)
폴리카보네이트 수지 조성물에 있어서 E 성분으로서 형광 증백제가 사용된다. 형광 증백제를 사용함으로써, 폴리카보네이트 수지 조성물의 색조를 백색 또는 청백색으로 개선하고, 또한 폴리카보네이트 수지 조성물로 형성되는 확산판의 휘도를 향상시키는 효과가 있다. 여기서, 형광 증백제는 광선의 자외부의 에너지를 흡수하여, 이 에너지를 가시부에 방사하는 작용을 갖는 것이다.
본 발명에서 사용되는 형광 증백제로서는, 스틸벤계, 벤즈이미다졸계, 벤즈옥사졸계, 나프탈이미드계, 로다민계, 쿠마린계, 옥사진계 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 벤즈옥사졸계 화합물 및 쿠마린계 화합물이 바람직하다. 이들의 형광 증백제는 1종 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 구체적으로는, 닛폰 화약 (주) 제조 카야라이트 OS (CI Fluorescent Brightener 219:1, 벤즈옥사졸계 화합물), 학콜 케미컬 (주) 제조 학콜 PSR (쿠마린계 화합물), 이스트만 케미컬사 제조 EASTOBRITE OB-1 등을 들 수 있다.
형광 증백제의 배합 비율은 A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여, 0.0001∼3중량부이고, 바람직하게는 0.0002∼0.5중량부이고, 보다 바람직하게는 0.0003∼0.1중량부이고, 특히 바람직하게는 0.0005∼0.05중량부이다. 0.0001중량부 미만에서는 색조의 개선 및 휘도의 향상의 효과가 얻어지지 않고, 3중량부를 초과하더라도 색조의 개량 효과는 작다.
(이형제)
본 발명에서는 필요에 따라 이형제를 사용할 수 있다. 여기서, 이형제는 그 90% 중량 이상이 1가 알코올과 1가 지방산의 에스테르 및/또는 다가 알코올과 지방산의 에스테르로 이루어진 이형제를 들 수 있다.
이형제로서의 1가 또는 다가 알코올의 고급지방산에스테르는 탄소원자수 1∼20 의 1가 또는 다가 알코올과 탄소원자수 5∼30 의 포화 지방산과의 에스테르인 것이 바람직하다. 이러한 1가 또는 다가 알코올과 포화 지방산의 에스테르로서는, 스테아릴스테아레이트, 팔미틸팔미테이트, 부틸스테아레이트, 메틸라우레이트, 이소프로필팔미테이트, 2-에틸헥실스테아레이트, 스테아린산모노글리세리드, 스테아린산트리글리세리드, 소르비탄디스테아레이트, 펜타에리트리톨테트라스테아레이트, 펜타에리트리톨테트라페라르고네이트, 프로필렌글리콜디스테아레이트 등을 들 수 있고, 단독 또는 2종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다. 그 중에서도, 스테아린산모노글리세리드, 스테아린산트리글리세리드, 스테아릴스테아레이트, 펜타에리트리톨테트라스테아레이트가 바람직하게 사용된다.
이러한 이형제를 사용하는 경우에는, 목적에 따라 여러 가지의 비율을 취할 수 있지만, A 성분과 B 성분의 합계 100중량부에 대하여 0.02∼1중량부 정도가 바 람직하다.
(염료)
또한, 폴리카보네이트 수지 조성물에는, 안트라퀴논계 염료, 페릴렌계 염료, 쿠마린계 염료, 티오인디고계 염료, 티오크산톤계 염료 등으로 대표되는 각종 형광 염료나, 감청 등의 페로시안화물, 페리논계 염료, 퀴놀린계 염료, 퀴나크리돈계 염료, 디옥사진계 염료, 이소인돌리논계 염료, 프탈로시아닌계 염료 등으로 대표되는 유기계 염료를 배합할 수 있다.
특히, 폴리카보네이트 수지나 자외선 흡수제에 기초하는 성형품의 황색미를 제거하기 위해서 블루잉제를 배합할 수 있다. 블루잉제로서는, 폴리카보네이트 수지에 사용되는 것이면 특별한 지장없이 사용할 수 있다. 일반적으로는, 안트라퀴논계 염료가 입수하기 쉬워 바람직하다.
구체적인 블루잉제로서는, 예를 들어 일반명 Solvent Violet 13 [CA. No (컬러 인덱스 No) 60725; 상표명 바이엘사 제조 「마크로렉스 바이올렛 B」, 미츠비시 화학 (주) 제조 「다이아레진 블루 G」, 스미토모 화학공업 (주) 제조 「스미플라스트 바이올렛 B」], 일반명 Solvent Violet 31 [CA. No 68210; 상표명 미츠비시 화학 (주) 제조 「다이아레진 바이올렛 D」], 일반명 Solvent Violet 33 [CA. No 60725; 상표명 미츠비시 화학 (주) 제조 「다이아레진 블루 J」], 일반명 Solvent Blue 94 [CA. No 61500; 상표명 미츠비시 화학 (주) 제조 「다이아레진 블루 N」], 일반명 Solvent Violet 36 [CA. No 68210; 상표명 바이엘사 제조 「마크로렉스 바이올렛 3R」], 일반명 Solvent Blue 97 [상표명 바이엘사 제조 「마크로렉스 블 루 RR」] 및 일반명 Solvent Blue 45 [CA. No 61110; 상표명 산도사 제조 「테트라졸 블루 RLS」] 를 대표예로서 들 수 있다. 이들 블루잉제의 사용량은 A 성분 및 B 성분의 합계 100중량부에 대하여 0.00001∼0.0006중량부 정도가 바람직하다.
(폴리카보네이트 수지 조성물의 제조법)
폴리카보네이트 수지 조성물은 텀블러, V 형 블렌더, 슈퍼 믹서, 나우터 믹서, 밴버리 믹서, 혼련 롤, 1축 압출기나 2축 압출기 등의 압출기 등으로 A∼E 의 각 성분을 혼합하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 기타, 용융 중합 종료 후 폴리카보네이트 수지를 용융 상태로 유지한 채로 첨가제를 첨가하는 방법이나, 용액 상태의 방향족 폴리카보네이트 수지와 유화액상의 고분자 미립자를 혼합하고 추가로 첨가제를 배합하여, 그 후 용매 등을 제거하는 방법도 취할 수 있다.
또한, 본 발명의 광확산판은 통상 고도의 광학적 특성이 요구되는 분야에 사용되는 경우가 많다는 점에서, 이러한 광학 특성을 저해하는 이물의 존재를 적게 하는 것이 바람직하다. 이들의 용도에 바람직한 폴리카보네이트 수지 조성물을 얻기 위해서는 원료로서 이물량이 적은 것을 사용함과 함께, 압출기나 펠릿타이저 등의 제조 장치를 청정한 공기의 분위기 하에 설치함과 함께, 냉각 배스용의 냉각수에 대해서도 이물량이 적은 것을 사용하고, 또한 원료의 공급 호퍼, 공급 유로나, 얻어진 펠릿의 저장 탱크 등에 대해서도 보다 청정한 공기 등으로 채우는 것이 바람직하다. 예를 들어 일본 공개특허공보 평11-21357호에 제안된 것과 동일한 방법을 취할 수 있다.
(광확산판의 제조 방법)
이렇게 하여 얻어지는 폴리카보네이트 수지 조성물은 각종 압출기나 사출 성형기 등을 사용하여 용융 압출 성형이나 사출 성형에 의해 필름상 또는 시트상의 성형품 형상으로 하여 광확산판을 얻을 수 있다. 광확산판의 두께는 0.5∼10mm 가 바람직하고, 0.5∼8mm 가 보다 바람직하고, 1∼8mm 가 더욱 바람직하다.
<보호막>
보호막은 원하는 바에 따라 광확산판의 백라이트 광원측 또는 광확산판의 양면에 배치할 수 있다.
보호막은 자외선 흡수제 (Dp 성분) 를 0.1∼50중량% 함유하는 두께 0.1∼500μm 의 유기 고분자막인 것이 바람직하다.
보호막을 구성하는 유기 고분자가 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지 또는 폴리에스테르 수지인 것이 바람직하고, 그 중에서도 아크릴 수지 또는 폴리카보네이트 수지가 보다 바람직하다.
아크릴 수지는 아크릴계 모노머를 중합하여 얻어지는 수지이고, 아크릴계 모노머로서는 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
폴리에스테르 수지로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지를 들 수 있다. 또한, 폴리에스 테르 엘라스토머도 사용할 수 있다.
보호막 중에는 자외선 흡수제 (Dp 성분) 로서, 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 및 벤조옥사진계 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 자외선 흡수제를 함유시키는 것이 바람직하다. 이들의 자외선 흡수제의 구체예로서, 전술한 D 성분과 동일한 것이 예시된다. 보호막 중의 자외선 흡수제 (Dp 성분) 의 농도는 0.1∼50중량% 가 바람직하고, 0.5∼40중량% 가 보다 바람직하고, 1∼30중량% 가 더욱 바람직하다.
광확산판에 보호막을 적층하는 방법으로서는, 압출 성형된 폴리카보네이트 수지 조성물의 필름 또는 시트 상에 보호막을 형성하는 유기 고분자 조성물을 T 다이로부터 용융 압출하는 라미네이트 방법, 미리 필름상으로 성형된 보호막을 폴리카보네이트 수지 조성물의 필름 또는 시트의 제조 공정 도중에 가열 롤 등을 사용하여 그 필름 또는 시트 표면에 연속적으로 라미네이트하는 방법, 폴리카보네이트 수지 조성물의 필름 또는 시트와 보호막을 형성하는 유기 고분자 조성물을 동시에 용융 압출하여 적층하는 공압출법, 또는 보호막을 형성하는 유기 고분자 조성물을 함유하는 도료를 사용하여 딥 코팅법, 플로 코팅법, 롤 코팅법 등의 코팅법에 의해 폴리카보네이트 수지 조성물의 필름 또는 시트 상에 도포하는 방법 등 어느 방법이나 무방하다.
또, 보호막의 두께는 0.1∼500μm 의 범위가 바람직하고, 1∼100μm 의 범위가보다 바람직하고, 2∼70μm 의 범위가 더욱 바람직하다. 그 중에서도, 라미 네이트 방법 또는 공압출법의 경우에는, 10∼500μm 의 범위가 바람직하고, 20∼100μm 의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 코팅법의 경우에는, 0.1∼20μm 의 범위가 바람직하고, 1∼10μm 의 범위가 보다 바람직하다.
보호막 중에 자외선 흡수제를 함유시킴으로써, 백라이트 광원으로부터의 광에 의한 폴리카보네이트 수지제 광확산판의 수지의 열화를 효율적으로 억제하여, 휘도의 저하 및 색조의 변화를 방지하는 효과가 있다. 백라이트 광원으로부터의 광에 의한 폴리카보네이트 수지제 광확산판의 수지의 열화는 백라이트 광원측의 광확산판의 표면으로부터 진행되기 때문에, 표면에 자외선 흡수제의 밀도를 높게 하는 것이 중요하다.
보호막 중의 자외선 흡수제의 양 W (g) 은 이하의 식으로 표현된다.
W (g)=t (m)×A (㎡)×r (g/㎤)×106×u (wt%)×10-2
W: 보호막 중의 자외선 흡수제의 양 (g)
t: 보호막의 두께 (m)
A: 보호막의 면적 (㎡)
r: 보호막의 수지의 비중 (g/㎤)
u: 보호막 중의 자외선 흡수제의 농도 (wt%)
따라서, 보호막 중의 자외선 흡수제의 단위 면적당 함유량 W/A (g/㎡) 는 이하의 식으로 표현된다.
W/A (g/㎡)=t×r×u×104
본 발명에서는 W/A 가, 바람직하게는 0.01∼20g/㎡, 보다 바람직하게는 0.1∼10g/㎡, 더욱 바람직하게는 0.2∼5 g/㎡, 특히 바람직하게는 0.3∼2 g/㎡ 의 범위이다. 따라서, 본 발명에 있어서는 보호막을 두껍게 하면 보호막 중의 자외선 흡수제의 농도 (u) 를 작게 하고, 보호막의 두께를 얇게 하면 보호막 중의 자외선 흡수제의 농도 (u) 를 크게 하는 것이 바람직하다.
또한, 보호막의 두께 (t: 단위 m) 와 광확산판의 두께 (T:단위 m) 의 비 (t/T) 는, 바람직하게는 1/10000∼1/10 의 범위이고, 보다 바람직하게는 1/8000∼1/15 의 범위이고, 더욱 바람직하게는 1/5000∼1/20 의 범위이다.
보호막의 두께를 상기 범위로 함으로써, 아크릴 수지막을 사용하였을 때, 아크릴 수지의 흡수나 폴리카보네이트 수지와의 수축률의 차이에 따른 휘어짐의 문제가 현재화하지 않아 바람직하다.
<직하형 백라이트식 액정 표시 장치의 제조 방법>
직하형 백라이트 광원은 상면이 개구된 케이스체와 광원 (예를 들어, 냉음극광 램프) 으로 이루어지고, 케이스체 내는 고반사 도료를 도포하거나, 고반사 필름재 등을 부착시키는 등의 처리를 행한다. 냉음극 형광 램프는 원하는 바에 따라 임의의 개수를 사용할 수 있다. 이 직하형 백라이트 광원의 개구부에 광확산판을 배치시키고, 그 위에 광선 조정 필름을 배치시켜, 직하형 백라이트 유닛을 제작한다. 직하형 백라이트식 액정 표시 장치는 상기 직하형 백라이트 유닛과 액정 패널을 조합하여 제작할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 설명한다.
또, 실시예 1∼22, 비교예 1∼5 에 있어서의 평가 항목 및 방법은 이하와 같다.
(1) 전체 광선 투과율: 1변 50mm, 두께 2mm 의 평판상 시험편을 사용하여 JIS K-7361 에 따라서, 닛폰 덴쇼쿠 공업 (주) 제조의 헤이즈미터 NDH 2000 에 의해 측정하였다.
(2) 평균 휘도: NEC 제조 10.4형 TFT 컬러 액정 디스플레이 모듈 (NL6448CC33-30W) 에 사용된 직하형 백라이트 유닛에 1변 150mm, 두께 2mm 의 시험편을 삽입하고, 시험편의 9점의 휘도 (cd/㎡) 를 토프콘 (주) 제조의 휘도계 BM-7 로 측정하여, 그 평균값을 평균 휘도로 하였다. 평가 장치를 도 1 및 도 2 에 나타냈다. 또, 실시예 20∼22 및 비교예 5 의 시험편은 보호막의 면이 냉음극 램프측이 되도록 삽입하여 평가하였다.
(3) 체류 시험 후 평균 휘도: 사출 성형기 내에서 10분간 체류시킨 후 성형한 1변 150mm, 두께 2mm 의 시험편에 대해서, 상기 (2) 와 동일하게 평균 휘도를 측정하였다.
(4) 확산도: 1변 150mm, 두께 2mm 의 평판상 시험편을 닛폰 덴쇼쿠 공업 (주) 제조의 분산도 측정계를 사용하여 측정하였다. 측정 방법을 도 3 에 나타냈다. 또, 확산도란 도 3 에 있어서 광선을 상방으로부터 수직으로 시험편면에 조사하였을 때 γ=0도일 때의 투과 광량을 100 으로 한 경우, 그 투과 광량이 50 이 될 때의 γ 의 각도를 말한다.
(5) 색상 YI 값: 1변 50mm, 두께 2mm 의 시험편을 사용하여 컬러 머신 〔닛폰 덴쇼쿠 공업 (주) 제조 Z-1001 DP〕 에 의해 C 광원 투과법으로 측정하였다.
(6) 내후성: 촉진 시험으로서, SUGA TEST INSTRUMENTS 사 제조의 강에너지 크세논 웨더 미터를 사용하고, 방사 조도 90W/㎡, 시험기내 온도 60℃ 에서 250시간 조사 후의 초기값에 대한 ΔYI 값을 측정하였다.
(I) 사출 성형
<실시예 1∼11, 비교예 1∼2>
비스페놀 A 와 포스겐으로부터 얻은 점도 평균 분자량 18,000 의 폴리카보네이트 수지 파우더 (굴절률 1.59) 에, 하기에 나타낸 고분자 미립자, 열안정제, 자외선 흡수제 및 형광 증백제를 표 1 및 표 2 에 나타내는 비율로 혼합한 파우더를 벤트식 2축 압출기 [코베 제강 (주) 제조 KTX-30] 에 의해 표 1 및 표 2 에 나타내는 실린더 온도에서 탈기하면서 용융 혼련하여, 압출, 스트랜드 커트하여 펠릿을 얻었다. 얻어진 펠릿을 파낙 (주) 제조 150t 사출 성형기를 사용하여 사출 성형하여 각종 평판상 시험편 (각판) 을 얻었다. 이 시험편을 사용하여 각종 평가를 행하여, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타냈다.
Figure 112005073239317-PCT00020
Figure 112005073239317-PCT00021
Figure 112005073239317-PCT00022
Figure 112005073239317-PCT00023
Figure 112005073239317-PCT00024
Figure 112005073239317-PCT00025
(II) 압출 성형
<실시예 12∼19, 비교예 3∼4>
비스페놀 A 와 포스겐으로부터 얻은 점도 평균 분자량 23,900 의 폴리카보네이트 수지 파우더 (굴절률 1.59) 에, 하기에 나타낸 고분자 미립자, 열안정제, 자외선 흡수제 및 형광 증백제를 표 3 및 표 4 에 나타내는 비율로 혼합한 파우더를, 벤트가 형성된 T 다이 압출기에 의해, 압출기 온도 250∼300℃, 다이스 온도 260∼300℃ 에서 벤트부의 진공도를 26.6kPa 로 유지하여, 두께 2mm, 폭 1,000mm 의 폴리카보네이트 수지제 시트 (광확산판) 를 용융 압출하였다. 얻어진 두께 2mm 의 시트를 1변 50mm 와 1변 150mm 의 크기로 잘라내어 각종 평판상 시험편 (각판) 을 얻었다. 이 시험편을 사용하여 각종 평가를 행하여, 그 결과를 표 3 및 표 4 에 나타냈다.
Figure 112005073239317-PCT00026
Figure 112005073239317-PCT00027
Figure 112005073239317-PCT00028
Figure 112005073239317-PCT00029
Figure 112005073239317-PCT00030
Figure 112005073239317-PCT00031
또, 표 1∼표 4 에 나타내는 각 성분은 이하와 같다.
B 성분; 고분자 미립자
(1) 가교 실리콘 수지〔토시바 실리콘 (주) 제조 토스펄 120, 중량 평균 입경 2μm, 굴절률 1.44〕
(2) 불용성 아크릴계 중합체 미립자 〔롬·앤드·하즈·컴퍼니 제조 파랄로이드 EXL-5136, 중량 분포 평균 입경 7μm, 굴절률 1.46〕
(3) 가교 아크릴 입자〔세키스이 화성 공업 (주) 제조 MBX-3S 중량 평균 입경 3μm, 굴절률 1.49〕
C-1 성분; 포스페이트 화합물 ( 열안정제 )
(1) 트리메틸포스페이트 (다이하치 화학 공업 (주) 제조 TMP)
C-2 성분; 포스파이트 화합물 ( 열안정제 )
(1) 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (아사히덴카 공업 (주) 제조 아데카스타브 PEP-8),
(2) 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 (일본 치바가이기 (주) 제조 이르가포스 168)
(3) 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 (C-2-c 성분)
C-3 성분; 포스포나이트 화합물 ( 열안정제 )
(1) 이하의 C-3-a 성분, C-3-b 성분 및 상기 C-2-c 성분의 71:15:14 (중량비) 의 혼합물 (산도사 제조 산도스타브 P-EPQ)
C-3-a 성분: 테트라키스(2,4-디-t-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 테트라키스(2,4-디-t-부틸페닐)-4,3'-비페닐렌디포스포나이트 및 테트라키스(2,4-디-t-부틸페닐)-3,3'-비페닐렌디포스포나이트의 100:50:10 (중량비) 혼합물,
C-3-b 성분: 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4-페닐-페닐포스포나이트 및 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)-3-페닐-페닐포스포나이트의 5:3 (중량비) 혼합물,
기타 열안정제 ( 힌더드 페놀계 열안정제 )
(1) 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] (치바스페셜리티 케미컬 (주) 제조 이르가녹스 1010)
D 성분; 자외선 흡수제
(1) 벤조옥사진계 자외선 흡수제; 2,2'-m-페닐렌비스(3,1-벤조옥사진-4-온) (타케모토 유지 (주) 제조 CEi-P)
(2) 벤조트리아졸계 자외선 흡수제; 2-(2'-히드록시-5'-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸 (케미프로 화성 (주) 제조 케미소브 79)
E 성분; 형광 증백제
(1) 쿠마린계 형광 증백제 (학콜 케미컬 (주) 제조 학콜 PSR)
(2) 벤조옥사졸계 형광 증백제 (닛폰 화약 (주) 제조 카야라이트 OS)
그 밖의 성분
블루잉제 (바이엘사 제조 「마크로렉스 바이올렛 B」)
<실시예 20>
비스페놀 A 와 포스겐으로부터 얻은 점도 평균 분자량 23,900 의 폴리카보네이트 수지 파우더 (굴절률 1.59) 에, 고분자 미립자, 열안정제, 자외선 흡수제 및 형광 증백제를 표 4 에 나타내는 비율로 혼합한 파우더를, 벤트가 형성된 T 다이 압출기에 의해, 압출기 온도 250∼300℃, 다이스 온도 260∼300℃ 에서 벤트부의 진공도를 26.6kPa 로 유지하여, 두께 2mm, 폭 1,000mm 의 폴리카보네이트 수지제 시트 (광확산판) 를 용융 압출하였다. 얻어진 시트의 일면에 하기 조성으로 조정한 아크릴 수지 도료 A (도료의 고형분 농도 14중량%) 를 플로 코트법으로 도포하여, 25분간 실온에 방치시킨 후, 120℃ 의 열풍 순환 건조기 속에서 40분간 가열 건조시켜, 자외선 흡수제를 함유하는 아크릴 경화층 (두께 4μm) 을 피복한 투명 피복 폴리카보네이트 수지제 광확산판을 얻었다. 또, 얻어진 투명 피복 폴리카보네이트 수지제 광확산판은 보호막의 단위 면적 (1㎡) 당 자외선 흡수제의 양이 0.67g/㎡ 이고, {보호막의 두께 (mm)/광확산판의 두께 (mm)} 는 1/500 이었다. 얻어진 광확산판을 1변 50mm 와 1변 150mm 의 크기로 잘라내어 각종 평판상 시험편 (각판) 을 얻었다. 이 시험편을 사용하여 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 4 에 나타냈다.
아크릴 수지 도료 A 의 조성
(가) 경화 수지; 폴리메틸메타아크릴레이트 11.5중량부
(나) 자외선 흡수제; 2-(2'-히드록시-5'-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸 2.5중량부
(다) 용제; 이소부틸알코올 28중량부
(라) 용제; 에틸렌글리콜모노에틸에테르 28중량부
(마) 용제; 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논 30중량부
<실시예 21, 비교예 5>
비스페놀 A 와 포스겐으로부터 얻어진 점도 평균 분자량 23,900 의 폴리카보네이트 수지 파우더 (굴절률 1.59) 에, 고분자 미립자, 열안정제, 자외선 흡수제 및 형광 증백제를 표 4 에 나타내는 비율로 혼합한 파우더를, 벤트가 형성된 T 다이 압출기에 의해, 압출기 온도 250∼300℃, 다이스 온도 260∼300℃ 에서 벤트부의 진공도를 26.6kPa 로 유지하여, 두께 2mm, 폭 1,000mm 의 폴리카보네이트 수지제 시트 (광확산판) 를 용융 압출하였다. 폴리카보네이트 수지제 시트를 용융 압출할 때, 그 시트의 표면 온도가 140℃ 를 유지하고 있는 사이에 직경 300mm 의 2쌍의 롤로 협지하여 0.05MPa 로 가압하고, 그 시트의 일방의 면 (표면) 에 두께 50μm, 폭 1,000mm 의 폴리메타아크릴산에스테르계의 필름 B [미츠비시 레이온 (주) 제조 아크리프렌 HBS006; 자외선 흡수제는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 양은 아크릴계 수지 100중량부에 대하여 약 1중량부] 를 삽입하여 열압착하였다. 또, 얻어진 보호막 부착 확산판은 보호막의 단위 면적 (1㎡) 당 자외선 흡수제의 양이 0.47g/㎡ 이고, {보호막의 두께 (mm)/광확산판의 두께 (mm)} 는 1/40 이었다. 얻어진 광확산판을 1변 50mm 와 1변 150mm 의 크기로 잘라내어 각종 평판상 시험편 (각판) 을 얻었다. 이 시험편을 사용하여 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 4 에 나타냈다.
<실시예 22>
비스페놀 A 와 포스겐으로부터 얻어진 점도 평균 분자량 23,900 의 폴리카보네이트 수지 파우더 (굴절률 1.59) 에, 고분자 미립자, 열안정제, 자외선 흡수제 및 형광 증백제를 표 4 에 나타내는 비율로 혼합한 파우더를, 스크류 직경 120mm 의 압출기에 공급하여 250∼300℃ 에서 벤트부의 진공도를 26.6kPa 로 유지하여 용융하고, 한편 스크류 직경 50mm 의 보조 압출기에 비스페놀 A 와 포스겐으로부터 얻어진 점도 평균 분자량 24,300 의 폴리카보네이트 수지 100중량부와 자외선 흡수제로서 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-(헥실)옥시-페놀 (치바가이기사 제조: 상품명; 티누빈 1577FF) 3중량부를 첨가 혼합하여 압출 조립한 자외선 흡수제 함유 폴리카보네이트 수지 조성물을 공급하여, 압출기 온도 250∼300℃ 에서 용융하고, 피드 블록 및 T 다이를 경유하여, 자외선 흡수제 함유 수지 피복층 C 의 두께 50μm, 폴리카보네이트 수지 시트의 두께 2mm 로 제어하여 폭 1,000mm 의 적층체 (보호막 부착 광확산판) 를 공압출하였다. 또, 얻어진 보호막 부착 광확산판은, 보호막의 단위 면적 (1㎡) 당 자외선 흡수제의 양이 1.8g/㎡ 이고, {보호막의 두께 (mm)/광확산판의 두께 (mm)} 는 1/40 이었다. 얻어진 광확산판을 1변 50mm 와 1변 150mm 의 크기로 잘라내어 각종 평판상 시험편 (각판) 을 얻었다. 이 시험편을 사용하여 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 4 에 나타냈다.
<직하형 백라이트식 액정 표시 장치의 실시예>
<실시예 23 및 비교예 6>
실시예 21 및 비교예 5 에서 얻어진 시험편을, CHI MEI 제조 15형 컬러 액정 디스플레이 모듈 (A150X1) 의 확산판으로서 보호막의 면이 냉음극 램프측이 되도록 삽입하고, 이러한 액정 디스플레이를 육안으로 관찰하였다. 실시예 21 에서 얻어진 시험편을 삽입한 액정 디스플레이의 휘도는 360cd/㎡ 가 되고, 한편 비교예 5 에서 얻어진 시험편을 삽입한 액정 디스플레이의 휘도는 330cd/㎡ 으로 되었다. 실시예 21 에서 얻어진 시험편을 삽입한 액정 디스플레이보다 비교예 5 에서 얻어진 시험편을 삽입한 액정 디스플레이는 화면이 어두워졌다.
발명의 효과
본 발명의 광확산판 및 직하형 백라이트식 액정 표시 장치는 높은 휘도, 높은 광확산성을 갖고, 열 및 광에 노출되더라도 우수한 색조를 유지한다.
산업상이용가능성
본 발명의 직하형 백라이트식 액정 표시 장치는 액정 텔레비전, 15∼39인치의 대형 액정 디스플레이 등에 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims (30)

  1. 백라이트 광원, 광확산판, 광선 조절 필름 및 액정 패널을 포함하여 이루어지고, 원하는 바에 따라 상기 광확산판의 백라이트 광원측 또는 상기 광확산판의 양면에 보호막을 갖는 직하형 백라이트식 액정 표시 장치로서,
    상기 광확산판은,
    (A) 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 80∼99.995중량%, 및
    (B) 평균 입경이 0.01∼50μm 인 고분자 미립자 (B 성분) 0.005∼20중량%, 그리고
    상기 A 성분 및 상기 B 성분의 합계 100중량부에 대하여,
    (C) 포스페이트 화합물 (C-1 성분), 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열안정제 (C 성분) 0.001∼5중량부,
    (D) 자외선 흡수제 (D 성분) 0∼2중량부, 및
    (E) 형광 증백제 (E 성분) 0.0001∼3중량부를 함유하는 조성물로 형성된, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 미립자 (B 성분) 는 그 평균 입경이 0.1∼10μm 인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 미립자 (B 성분) 의 굴절률과 상기 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 의 굴절률과의 차의 절대값은 0.02∼0.3 인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 미립자 (B 성분) 는 가교 실리콘 입자 또는 가교 아크릴 입자인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 트리알킬포스페이트 (C-1 성분) 및 하기 일반식 (2-1) 로 나타낸 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물 (C-2 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이고,
    Figure 112005073239317-PCT00032
    상기 식 중, R1, R2 는 각각 수소원자, 탄소수 1∼20 의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6∼30 의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7∼30 의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 4∼20 의 시클로알킬기 또는 탄소수 15∼25 의 2- (4-옥시페닐)프로필 치환 아릴기를 나타내는, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 트리메틸포스페이트 (C-1 성분) 인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (C-2 성분) 인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 트리메틸포스페이트 (C-1 성분) 및 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (C-2 성분) 로 이루어진, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (C-2 성분), 하기 일반식 (2-2) 로 나타낸 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 하기 일반식 (3-1) 로 나타낸 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지고,
    Figure 112005073239317-PCT00033
    Figure 112005073239317-PCT00034
    상기 식 중, Ar2 은 서로 동일하거나 상이하고, 2∼4개의 알킬기에 의해 치환된 탄소수 8∼20 의 아릴기를 나타내고, Ar3 은 서로 동일하거나 또는 상이하고, 비치환 또는 알킬기에 의해 치환된 탄소수 6∼20 의 아릴기를 나타내는, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 하기 일반식 (2-2) 로 나타낸 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 하기 일반식 (3-1) 로 나타낸 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지고,
    Figure 112005073239317-PCT00035
    Figure 112005073239317-PCT00036
    상기 식 중, Ar2 은 서로 동일하거나 상이하고, 2∼4개의 알킬기에 의해 치 환된 탄소수 8∼20 의 아릴기를 나타내고, Ar3 은 서로 동일하거나 또는 상이하고, 비치환 또는 알킬기에 의해 치환된 탄소수 6∼20 의 아릴기인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 광확산판은 두께가 0.5∼10mm 인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 자외선 흡수제 (D 성분) 는 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 및 벤조옥사진계 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 자외선 흡수제인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막을 갖지 않는 경우에는, 상기 광확산판을 형성하는 조성물 중의 상기 자외선 흡수제 (D 성분) 의 함유량이 상기 A 성분 및 상기 B 성분의 합계 100중량부에 대하여 0.01∼2중량부인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막을 갖는 경우에는, 상기 보호막은 자외선 흡수제 (Dp 성분) 를 0.1∼50중량% 함유하는 두께 0.1∼500μm 의 유기 고분자막이고, 상기 광확산판을 형성하는 조성물 중의 상기 자외선 흡수제 (D 성분) 의 함유량이 상기 A 성분 및 상기 B 성분의 합계 100중량부에 대하여 0∼0.5중량부인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막을 구성하는 유기 고분자는 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지 또는 폴리에스테르 수지인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막 중의 자외선 흡수제 (Dp 성분) 는 벤조페논계 원자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 및 벤조옥사진계 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 자외선 흡수제인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광 증백제 (E 성분) 는 벤조옥사졸계 형광 증백제 및/또는 쿠마린계 형광 증백제인, 직하형 백라이트식 액정 표시 장치.
  18. (A) 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 80∼99.995중량%, 및
    (B) 평균 입경이 0.01∼50μm 인 고분자 미립자 (B 성분) 0.005∼20중량%, 그리고
    상기 A 성분 및 상기 B 성분의 합계 100중량부에 대하여,
    (C) 포스페이트 화합물 (C-1 성분), 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 열안정제 (C 성분) 0.001∼5중량부,
    (D) 자외선 흡수제 (D 성분) 0∼2중량부, 및
    (E) 형광 증백제 (E 성분) 0.0001∼3중량부를 함유하는 조성물로 형성된, 직하형 백라이트용 광확산판.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 고분자 미립자 (B 성분) 는 그 평균 입경이 0.1∼10μm 인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 고분자 미립자 (B 성분) 의 굴절률과 상기 방향족 폴리카보네이트 수지 (A 성분) 의 굴절률과의 차의 절대값은 0.02∼0.3 인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 고분자 미립자 (B 성분) 는 가교 실리콘 입자 또는 가교 아크릴 입자인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 트리알킬포스페이트 (C-1 성분) 및 하기 일반식 (2-1) 로 나타낸 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물 (C-2 성분) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이고,
    Figure 112005073239317-PCT00037
    상기 식 중, R1, R2 는 각각 수소원자, 탄소수 1∼20 의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6∼30 의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7∼30 의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 4∼20 의 시클로알킬기 또는 탄소수 15∼25 의 2-(4-옥시페닐)프로필 치환 아릴기를 나타내는, 직하형 백라이트용 광확산판.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 트리메틸포스페이트 (C-1 성분) 인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  24. 제 18 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (C-2 성분) 인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  25. 제 18 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 트리메틸포스페이트 (C-1 성분) 및 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (C-2 성분) 으로 이루어진, 직하형 백라이트용 광확산판.
  26. 제 18 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트 (C-2 성분), 하기 일반식 (2-2) 로 나타낸 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 하기 일반식 (3-1) 로 나타낸 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지고,
    Figure 112005073239317-PCT00038
    Figure 112005073239317-PCT00039
    상기 식 중, Ar2 은 서로 동일하거나 상이하고, 2∼4개의 알킬기에 의해 치환된 탄소수 8∼20 의 아릴기를 나타내고, Ar3 은 서로 동일하거나 또는 상이하고, 비치환 또는 알킬기에 의해 치환된 탄소수 6∼20 의 아릴기를 나타내는, 직하형 백 라이트용 광확산판.
  27. 제 18 항에 있어서,
    상기 열안정제 (C 성분) 는 하기 일반식 (2-2) 로 나타낸 포스파이트 화합물 (C-2 성분) 및 하기 일반식 (3-1) 로 나타낸 포스포나이트 화합물 (C-3 성분) 로 이루어지고,
    Figure 112005073239317-PCT00040
    Figure 112005073239317-PCT00041
    상기 식 중, Ar2 은 서로 동일하거나 상이하고, 2∼4개의 알킬기에 의해 치환된 탄소수 8∼20 의 아릴기이고, Ar3 은 서로 동일하거나 또는 상이하고, 비치환 또는 알킬기에 의해 치환된 탄소수 6∼20 의 아릴기를 나타내는, 직하형 백라이트용 광확산판.
  28. 제 18 항에 있어서,
    상기 자외선 흡수제 (D 성분) 는 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 및 벤조옥사진계 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 자외선 흡수제인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  29. 제 18 항에 있어서,
    두께가 0.5∼10mm 인, 직하형 백라이트용 광확산판.
  30. 제 18 항에 있어서,
    상기 형광 증백제 (E 성분) 는 벤조옥사졸계 형광 증백제 및/또는 쿠마린계 형광 증백제인, 직하형 백라이트용 광확산판.
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