KR20040049290A - 비휘발성 메모리 장치 - Google Patents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
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- 망간을 함유하는 페로브스카이트 구조의 산화물로 형성되고, 전압 펄스의 인가에 의해 전기 저항이 변화하고, 전압 진폭의 크기에 따라 상기 전기 저항의 변화량이 변할 수 있는 가변 저항 소자를 구비하는 각각의 메모리 셀이 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 메모리 셀을 구비하는 메모리 어레이; 및1개의 소거 상태와 2이상의 프로그램 상태에 대응하는 3레벨 이상의 다중 레벨 데이터를 상기 가변 저항 소자에 프로그래밍하기 위해 상기 프로그램 상태에 대응하는 2이상의 상이한 전압 진폭를 가진 프로그램 펄스를 프로그램 데이터에 대응하여 개별적으로 발생할 수 있는 프로그램 펄스 발생회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가변 저항 소자는 상기 전압 진폭이 소정 전압 이하인 상태에서 상기 전압 진폭을 증가시키면 전기 저항이 단조롭게 증가 또는 감소하는 전압-저항 특성을 가지며;상기 프로그램 펄스가 상기 소거 상태에 있는 상기 가변 저항 소자에 인가된 경우, 상기 프로그램 펄스의 전압 진폭은, 상기 소거 상태에 있어서의 제 1 저항값으로부터 상기 제 1 저항 값의 변화 범위를 초과하도록 저항값이 변화하기에 충분한 전압 진폭의 최소값의 형태로 부여되는 프로그램 식별 한계 전압 이상인 것을특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가변 저항 소자는 상기 전압 진폭이 소정전압 이하인 상태에서 상기 전압 진폭을 증가시키면 전기 저항이 단조롭게 증가 또는 감소하고, 상기 전압 진폭의 미소증가에 대한 상기 전기 전압의 미소 증가 또는 감소량이 최대로 되는 최대 저항 변화 전압이 존재하며;상기 프로그램 펄스의 2 이상의 상이한 전압 진폭중에서, 하나이상의 전압 진폭은 상기 최대 저항 변화 전압이하이며, 다른 하나이상의 전압 진폭은 상기 최대 저항 변화 전압이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
- 망간을 함유하는 페로브스카이트 구조의 산화물로 형성되고, 전압 펄스의 인가에 의해 전기 저항이 변화하고, 전압 진폭의 크기에 따라 상기 전기 저항의 변화량이 변할 수 있는 가변 저항 소자를 구비하는 각각의 메모리 셀이 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 메모리 셀을 구비하는 메모리 어레이; 및1개의 소거 상태와 1개의 프로그램 상태에 대응하는 프로그램 2진 데이터를 상기 가변 저항 소자에 프로그래밍하기 위해 상기 프로그램 상태에 대응하는 2이상의 상이한 전압 진폭를 가진 프로그램 펄스를 프로그램 데이터에 대응하여 개별적으로 발생할 수 있는 프로그램 펄스 발생회로를 포함하며:상기 가변 저항 소자는 상기 전압 진폭이 소정 전압 이하인 상태에서 상기전압 진폭을 증가시키면 전기 저항이 단조롭게 증가 또는 감소하는 전압-저항 특성을 가지며;상기 프로그램 펄스가 상기 소거 상태에 있는 상기 가변 저항 소자에 인가된 경우, 상기 프로그램 펄스의 전압 진폭은, 상기 소거 상태에 있어서의 제 1 저항값으로부터 상기 제 1 저항 값의 변화 범위를 초과하도록 저항값이 변화하기에 충분한 전압 진폭의 최소값의 형태로 부여되는 프로그램 식별 한계 전압 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002353735A JP4205938B2 (ja) | 2002-12-05 | 2002-12-05 | 不揮発性メモリ装置 |
JPJP-P-2002-00353735 | 2002-12-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040049290A true KR20040049290A (ko) | 2004-06-11 |
KR100530908B1 KR100530908B1 (ko) | 2005-11-23 |
Family
ID=32310740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0087852A KR100530908B1 (ko) | 2002-12-05 | 2003-12-05 | 비휘발성 메모리 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6888745B2 (ko) |
EP (1) | EP1426972B1 (ko) |
JP (1) | JP4205938B2 (ko) |
KR (1) | KR100530908B1 (ko) |
TW (1) | TWI240280B (ko) |
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TWI240280B (en) | 2005-09-21 |
EP1426972B1 (en) | 2013-04-17 |
EP1426972A2 (en) | 2004-06-09 |
JP4205938B2 (ja) | 2009-01-07 |
US20040114429A1 (en) | 2004-06-17 |
TW200506951A (en) | 2005-02-16 |
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