JP4309413B2

JP4309413B2 - 情報記録再生装置

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Publication number: JP4309413B2
Application number: JP2006236741A
Authority: JP
Inventors: 光一久保; 隆大平井; 伸也青木; 章浩古賀; 純一秋山; 晋司高倉; 博昭中村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-08-31
Filing date: 2006-08-31
Publication date: 2009-08-05
Anticipated expiration: 2026-08-31
Also published as: KR100906534B1; US7961586B2; JP2008059699A; US20080068743A1; CN101136226A; KR20080021543A

Description

本発明は、情報記録再生装置に関する。

近年、小型携帯機器が世界的に普及し、同時に、高速情報伝送網の大幅な進展に伴い、小型大容量不揮発性メモリの需要が急速に拡大してきている。その中でも、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ及び小型ＨＤＤ(hard disk drive)は、特に、急速な記録密度の進化を遂げ、大きな市場を形成するに至っている。

このような状況の下、記録密度の限界を大幅に超えることを目指した新規メモリのアイデアがいくつか提案されている。

例えば、ＰＲＡＭ(相変化メモリ)は、記録材料として、アモルファス状態（オン）と結晶状態（オフ）の２つの状態をとることができる材料を使用し、この２つの状態を２値データ“０”，“１”に対応させてデータを記録する、という原理を採用する。

書き込み／消去に関しては、例えば、大電力パルスを記録材料に印加することによりアモルファス状態を作り、小電力パルスを記録材料に印加することにより結晶状態を作る。

読み出しに関しては、記録材料に、書き込み／消去が起こらない程度の小さな読み出し電流を流し、記録材料の電気抵抗を測定することにより行う。アモルファス状態の記録材料の抵抗値は、結晶状態の記録材料の抵抗値よりも大きく、その差は、10³程度である。

ＰＲＡＭの最大の特長は、素子サイズを10nm程度にまで縮小しても動作できるという点にあり、この場合には、約10Tbpsi (tera bite par square inch)の記録密度を実現できるため、高記録密度化への候補の一つとされる（例えば、非特許文献１を参照）。

また、ＰＲＡＭとは異なるが、これと非常に似た動作原理を有する新規メモリが報告されている（例えば、非特許文献２を参照）。

この報告によれば、データを記録する記録材料の代表例は、酸化ニッケルであり、ＰＲＡＭと同様に、書き込み／消去には、大電力パルスと小電力パルスとを使用する。この場合、ＰＲＡＭに比べて、書き込み／消去時の消費電力が小さくなる、という利点が報告されている。

現在までのところ、この新規メモリの動作メカニズムについては解明されていないが、再現性については確認されており、高記録密度化への候補の他の一つとされる。また、動作メカニズムについても、いくつかのグループが解明を試みている。

これらの他、ＭＥＭＳ(micro electro mechanical systems)技術を使ったＭＥＭＳメモリが提案されている（例えば、非特許文献３を参照）。

特に、ミリピード(Millipede)と呼ばれるＭＥＭＳメモリは、アレイ状の複数のカンチレバーと有機物質が塗布された記録媒体とが対向する構造を有し、カンチレバーの先端のプローブは、記録媒体に適度な圧力で接触している。

書き込みに関しては、選択的に、プローブに付加されるヒータの温度を制御することにより行う。即ち、ヒータの温度を上げると、記録媒体が軟化し、プローブが記録媒体にめり込んで、記録媒体に窪みを形成する。

読み出しに関しては、記録媒体が軟化しない程度の電流をプローブに流しながら、記録媒体の表面に対し、このプローブをスキャンさせることにより行う。プローブが記録媒体の窪みに落ち込むとプローブの温度が低下し、ヒータの抵抗値が上昇するため、この抵抗値の変化を読み取ることによりデータをセンスできる。

ミリピードのようなＭＥＭＳメモリの最大の特長は、ビットデータを記録する各記録部に配線を設ける必要がないため、記録密度を飛躍的に向上できる点にある。現状で、既に、1Tbpsi程度の記録密度を達成している（例えば、非特許文献４を参照）。

また、ミリピードの発表を受けて、最近、ＭＥＭＳ技術と新たな記録原理とを組み合わせ、消費電力、記録密度や、動作速度などに関して大きな改善を達成しようという試みがなされている。

例えば、記録媒体に強誘電体層を設け、記録媒体に電圧を印加することにより強誘電体層に誘電分極を引き起こしてデータの記録を行う方式が提案されている。この方式によれば、ビットデータを記録する記録部同士の間隔（記録最小単位）を結晶の単位胞レベルにまで近づけることができる、との理論的予測がある。

仮に、記録最小単位が強誘電体層の結晶の１単位胞になると、記録密度は、約4Pbpsi(pico bite par square inch)という巨大な値になる。

最近では、ＳＮＤＭ(走査型非線形誘電率顕微鏡)を用いた読み出し方式の提案により、この新規メモリは、実用化に向けてかなり進展してきている（例えば、非特許文献５を参照）。
特開２００５−２５２０６８号公報特開２００４−２３４７０７号公報特開２００４−１８５７５６号公報 T. Gotoh, K. Sugawara and K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 6B, 2004, L818 A.Sawa, T.Fuji, M. Kawasaki and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett., 85, 18, 4073 (2004) P. Vettiger, G. Cross, M. Despont, U. Drechsler, U. Durig, B. Gotsmann, W. Haberle, M. A. Lants, H. E. Rothuizen, R. Stutz and G. K. Binnig, IEEE Trans. Nanotechnology 1, 39(2002) P. Vettiger, T. Albrecht, M. Despont, U. Drechsler, U. Durig, B. Gotsmann, D. Jubin, W. Haberle, M. A. Lants, H. E. Rothuizen, R. Stutz, D. Wiesmann and G. K. Binnig, P. Bachtold, G. Cherubini, C. Hagleitner, T. Loeliger, A. Pantazi, H. Pozidis and E. Eleftheriou, in Technical Digest, IEDM03 pp.763-766 A. Onoue, S. Hashimoto, Y. Chu, Mat. Sci. Eng. B120, 130(2005)

本発明の例では、高記録密度を実現するための高精度の位置制御技術について提案する。

本発明の例に関わる情報記録再生装置は、第１及び第２ヘッドと、第１ヘッドにより記録データが読み出されるデータエリア、及び、第２ヘッドによりサーボバースト信号が読み出されるサーボバーストエリアを有する記録媒体と、サーボバースト信号に基づいて第２ヘッドの位置決めを行うドライバと、サーボバーストエリアの表面を覆い、データエリアの表面を覆わない抵抗体とを備え、記録データ及びサーボバースト信号は、記録媒体の電気抵抗変動により記録される。

本発明の例によれば、高精度の位置制御技術により情報記録再生装置の高記録密度を実現できる。

以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための最良の形態について詳細に説明する。

１．概要
本発明の例は、記録原理が記録媒体の電気抵抗変動にあって、記録媒体に対するデータの記録、消去及び読み出しがヘッドを用いて行われる情報記録再生装置に関し、その特徴は、サーボバースト信号を記録するサーボバーストエリアの表面を覆い、データエリアの表面を覆わない抵抗体を新たに付加した点にある。

この抵抗体は、ヘッドと記録ビットとの距離（位置ずれ）に応じて両者間の抵抗値を滑らかに変化させる機能を有するため、例えば、４相千鳥型サーボバーストパターンを利用することにより高精度の位置制御が可能になる。

また、抵抗体の比抵抗を最適化することにより、データの記録、消去及び読み出し時に記録媒体に流す電流を最適化できる。

抵抗体の比抵抗については、記録媒体内の記録ビットの最大の比抵抗よりも小さい値、例えば、１桁以上小さい値にするのが好ましい。

これは、抵抗体の比抵抗が大き過ぎると、その抵抗分によってサーボバースト信号が検出し難くなるためである。

これにより、ヘッドから放出される電子は、抵抗体を介して記録媒体内の記録ビットに到達することになる。

つまり、ヘッドが記録ビットの直上にないときは、電子が抵抗体を移動する距離が長く、抵抗値が大きくなり、ヘッドが記録ビットの直上にあるときは、電子が抵抗体を移動する距離が短く、抵抗値が小さくなる。

ところで、抵抗体の有力候補としては、ボロン(B)、窒素(N)又はリン(P)がドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ボロン、窒素又はリンがドープされたＳｉ（シリコン）、導電性酸化物、導電性窒化物などがある。

但し、これらの抵抗体は、データの記録、消去及び読み出し時に記録媒体に印加する電圧によって相変化を起こさないように、共有結合性結晶、又は、２価以下のイオンを含まないイオン性結晶などとすることが好ましい。

ここで、抵抗体を設けても、記録ビットの最大抵抗値と最小抵抗値との差は十分に確保できるため、例えば、複数のデータトラックに対して共通に１つのサーボバースト信号を記録することもできる。

即ち、サーボバースト信号の記録ビットのサイズをデータエリア内の記録ビット（データビット）のサイズと同じにしたままで、サーボバースト信号の記録ビットを規則的に間引くことで、記録ビットのサイズのばらつきに起因するサーボバースト信号の読み取り誤差を小さくできる。

２．実施の形態
(1) ＭＥＭＳメモリ
本発明の例の適用が可能なＭＥＭＳメモリについて説明する。

図１は、ＭＥＭＳメモリの概要を示している。
ＸＹスキャナー１１上には、記録媒体１２が配置される。この記録媒体に対向する形でプローブアレイが配置される。

プローブアレイは、半導体基板１３と、半導体基板１３の一面側にアレイ状に配置される複数のプローブ（ヘッド）１４とを有する。複数のプローブ１４の各々は、例えば、カンチレバーから構成され、マルチプレクスドライバ１５，１６により駆動される。

複数のプローブ１４は、それぞれ、半導体基板１３内のマイクロアクチュエータを用いて個別に動作可能であるが、ここでは、全てをまとめて同じ動作をさせて記録媒体のデータエリアに対するアクセスを行う例を説明する。

まず、マルチプレクスドライバ１５，１６を用いて、全てのプローブ１４をＸ方向に一定周期で往復動作させ、記録媒体１２からＹ方向の位置情報を読み出す。Ｙ方向の位置情報は、ＸＹスキャナー１１に転送される。

ＸＹスキャナー１１は、この位置情報に基づいて、記録媒体１２をＹ方向に移動させ、記録媒体１２とプローブ１４との位置決めを行う。

両者の位置決めが完了したら、データエリア上のプローブ１４の全てに対して、同時、かつ、連続的に、データの読み出し及び書き込みを行う。

データの読み出し及び書き込みは、プローブ１４がＸ方向に往復動作していることから連続的に行われる。また、データの読み出し及び書き込みは、記録媒体１２のＹ方向の位置を順次変えることにより、データエリアに対して、一行ずつ、実施される。

尚、記録媒体１２をＸ方向に一定周期で往復運動させて記録媒体１２から位置情報を読み出し、プローブ１４をＹ方向に移動させるようにしてもよい。

図２は、記録媒体の概要を示している。
記録媒体１２は、複数のデータエリア、並びに、複数のデータエリアのＸ方向の両端にそれぞれ配置されるアドレスエリア及びサーボバーストエリアから構成される。複数のデータエリアは、記録媒体１２の主要部を占める。

アドレスエリア内には、アドレス信号が記録され、サーボバーストエリア内には、サーボバースト信号が記録される。いずれの信号も、データエリア内のＹ方向の位置情報を示している。即ち、アドレス信号は、大まかな位置情報（範囲）を示し、サーボバースト信号は、その範囲内の中心位置を特定する。

記録媒体内には、これらの情報の他に、さらに、同期をとるためのプリアンブルエリアを設けてもよい。

データ、アドレス信号及びサーボバースト信号は、記録ビット（電気抵抗変動）として記録媒体に記録される。記録ビットの“１”，“０”情報は、記録媒体の電気抵抗を検出することにより読み出す。

記録媒体１２の１つのデータエリアに対応して１つのプローブ（ヘッド）が設けられる。本例では、アドレスエリア及びサーボバーストエリアのサイズは、データエリアのサイズと同じにしてある。この場合、１つのアドレスエリアに対して１つのプローブを設けると共に、１つのサーボバーストエリアに対して１つのプローブを設ける。

データエリアは、複数のトラックから構成される。アドレスエリアから読み出されるアドレス信号によりデータエリアのトラックが特定される。

また、サーボバーストエリアから読み出されるサーボバースト信号は、プローブ１４をトラックの中心に移動させ、記録ビットの読み取り誤差をなくすためのものである。

ここで、Ｘ方向をダウントラック方向、Ｙ方向をトラック方向に対応させることにより、ＨＤＤのヘッド位置制御技術を利用することが可能になる。

例えば、図２に示すように、４相千鳥型サーボバーストパターンをサーボバーストエリアに記録し、記録媒体とプローブとの位置制御を行うことができる。この場合、サーボバースト信号は、プローブが接触する記録媒体のトラック方向の位置に応じて一定の周期で変化する。

図２の例では、その周期は、１つのデータトラックの幅に相当する。

また、図３に示すように、サーボバースト信号の記録ビットのサイズをデータビットのサイズと同じにしたままで、サーボバースト信号の記録ビットを規則的に間引くことで、記録ビットのサイズのばらつきに起因するサーボバースト信号の読み取り誤差を小さくできる。

この場合、サーボバースト信号の周期は、１つのデータトラックの幅よりも大きくなる。図３の例では、サーボバースト信号の周期を複数のデータトラックの幅に対応させている。

尚、アドレスエリア及びサーボバーストエリアに関しては、例えば、図４に示すように、それらの合計のサイズをデータエリアのサイズと同じにし、記録媒体の一端側のアドレスエリアとサーボバーストエリアに対して１つのプローブを用いてデータを共通に読み出すようにしてもよい。

図４の例では、サーボバーストエリアを挟み込む形でアドレスエリアが配置される。１つのプローブを、１つのデータトラック内でＸ方向にサンプリング周波数(ex. 10kHz)で往復運動させ、アドレスデータとサーボバースト信号とを連続的に読み出す。データビットを読み出すスキャン周波数は、例えば、サンプリング周波数よりも低い値(ex. 1kHz)に設定される。

サーボバースト信号の周期は、複数のデータトラック分の幅とし、サーボバースト信号の読み取り誤差を小さくする。

但し、サーボバースト信号の周期を大きくし過ぎると、トラック方向の位置に対する抵抗変化の割合が小さくなり、位置検出が難しくなるため、その周期は、20データトラック分の幅以下にすることが好ましい。

ところで、サーボバーストエリアから位置情報を読み出すに当っては、プローブと記録ビットとの距離（ずれ）に応じて、信号強度が滑らかに変化することが好ましい。

しかし、このような抵抗変化原理を用いたプローブメモリにおいては、記録ビットの抵抗変化幅が10⁴〜10⁶に達するため、プローブと記録ビットとの距離（ずれ）に対する信号強度の変化が急峻となり過ぎる。

従って、プローブの位置が記録ビットの直上から少しでもずれると、信号をほとんど検出できなくなり、プローブと記録媒体との位置制御が難しくなる。

(2) 基本原理
本発明の基本原理を図１乃至図４の情報記録再生装置を例に説明する。

記録／再生／消去ヘッドとしてのプローブ１４は、電子発生源又はホットエレクトロン発生源となり、その先端部は尖っている。記録媒体１２は、例えば、図５に示すように、基板２１と、基板２１上の電極層２２と、電極層２２上の記録層２３と、記録層２３上の表面保護層２５とから構成される。

また、サーボバーストエリア内においては、記録層２３と表面保護層２５との間に抵抗体２４が配置される。即ち、サーボバーストエリアは、抵抗体２４により覆われるが、それ以外のエリアは、抵抗体２４により覆われない。

尚、サーボバーストエリアは、抵抗体２４により覆われるため、この抵抗体２４に表面保護層としての機能を持たせ、サーボバーストエリア内の表面保護層２５を省略してもよい。

電極層２２には、接地電位が印加される。

記録層２３にデータを書き込むときは、プローブ１４から記録媒体１２にパルス電流を流し、記録層２３の一部（記録ビット）を相変化させ、その抵抗値を変化させる。データの読み出しは、記録層２３が相変化を起こさない程度の微少な電流を記録ビットに流し、その抵抗値を読み取ることにより行う。

記録層２３のデータを消去（リセット）するときは、プローブ１４から記録媒体１２に、書き込み時のパルス電流よりも大きなパルス電流を流し、記録ビットを初期状態に戻す。

図１に示される情報記録再生装置では、プローブ１４がＸＹ平面内に多数並べられてプローブアレイを構成している。

記録媒体１２とプローブ１４とは、ＸＹ平面内で相対位置を自由に変えることができる。既に述べたように、データ読み出し時には、例えば、記録媒体１２をプローブ１４に対して、常時、Ｘ方向に一定周期で往復動作させた状態にしておき、プローブ１４については、その位置を、Ｙ方向に、一行ずつ、移動させることにより読み出しを行う。

データ読み出しは、記録媒体１２上に配置される全てのプローブについて同時に行う。この時、記録媒体１２とプローブ１４とのＹ座標の微小な位置ずれを検出し、これを補正することが正確な読み出しを行うに当たって重要になる。そのために、記録媒体１２に位置補正のためのサーボパターンを記録する。

サーボパターンは、記録媒体１２の左端と右端のサーボバーストエリア内にそれぞれ記録される。また、サーボパターンを読み出すために、プローブアレイの左端と右端にそれぞれ配置されるプローブ１４を使用する。

ここで、サーボバーストエリアは、抵抗体２４に覆われているため、記録ビットの抵抗変化幅が大きくても、プローブと記録ビットとの距離（ずれ）に対する信号強度は、連続的、かつ、緩やかに変化する。

従って、記録媒体１２とプローブ１４とのＹ座標の微小な位置ずれを高精度に補正できるため、10Tbpsi(tera bite par square inch)を超えるような高記録密度を実現するための位置制御を容易かつ安価に実現できる。

尚、抵抗体２４の厚さは、記録媒体１２のトラック方向の記録ビットのピッチよりも小さいくするのが高精度の位置制御にとっては好ましい。抵抗体２４の抵抗値が記録ビットの抵抗値に対して大きくなり過ぎないようにするためである。

(3) 実施例
図６は、本発明の例に関わる情報記録再生装置を示している。
プローブアレイは、全てのプローブ１４がＸ方向に一定ピッチで並んでいるものと仮定すると、そのピッチは、約10μmに設定される。この時、記録媒体１２は、Ｘ方向に、周波数約1kHz、振幅約10μmで往復運動する。

データエリアでは、プローブ１４により記録ビット２６の抵抗値（データ）が読み出され、同時に、サーボバーストエリアでは、プローブ１４によりサーボバースト信号が読み出され、プローブ１４のＹ方向の位置補正が実施される。

記録媒体１２は、以下の製造方法により形成する。

基板２１としては、例えば、縦サイズ約100mm、横サイズ約100mm、厚さ約１mmのシリコン基板を使用する。

基板２１上に、プラチナ(Pt)から構成される電極層２２を約500nmの厚さで形成する。続けて、基板温度約300℃〜600℃、アルゴン(Ar) 95％、酸素(O) 25％の雰囲気中において、電極層２２上に、ZnMn₂O₄から構成される記録層２３を厚さ約10nmで形成する。

記録層２３の形成は、その組成がZnMn₂O₄となるように調整されたターゲットを使用したＲＦマグネトロンスパッタにより実行する。

この後、データエリア内の記録層２３上に、例えば、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)から構成される表面保護層２５を形成し、サーボバーストエリア内の記録層２３上に、記録層２３の記録ビット２６の最大の比抵抗よりも小さい比抵抗を有する抵抗体２４を形成する。

抵抗体２４は、記録ビット２６の最大の比抵抗に比べて１桁〜４桁小さい比抵抗を有する材料、例えば、ボロンドープダイヤモンドライクカーボンを使用するのが好ましい。

抵抗体２４及び表面保護層２５は、それぞれ約３nm厚となるようにＣＶＤ法により形成する。

以上の工程により記録媒体１２が完成する。

位置決め精度の評価について説明する。
ここでは、先端の径が10nm以下のプローブ対を使用する。２つのプローブの先端の距離は変えられるようになっている。

このプローブ対の１つを用いて、記録媒体１２のサーボバーストエリア内に、約10nsec幅、約1Ｖのパルス電圧を印加し、データ（記録ビット）の書き込みを行う。また、この書き込み後、プローブ対の他の１つを用いて、記録媒体１２のサーボバーストエリア内に、約10nsec幅、約0.1Ｖのパルス電圧を印加し、先ほど書き込んだデータの抵抗値を読み取る。

２つのプローブの先端の距離が、読み出し時における記録ビットとプローブとのずれに相当する。

その結果、図７に示すように、プローブ対の他の１つにより検出される電流値は、２つのプローブの先端の距離、即ち、記録ビットとプローブ（読み出し用）との距離に応じて緩やかに変化することが確認された。

つまり、このサーボバーストエリア内にサーボパターンを記録することにより高精度な位置決めを行うことが可能になる。

これに対し、データエリア内において同様の評価を行った。

データエリア内には、本発明の例に関わる抵抗体２４が形成されないため、この評価は、データエリアの評価であると共に、抵抗体２４を有しない従来のサーボバーストエリアの評価でもある。

その結果、図８に示すように、プローブ対の他の１つにより検出される電流値は、２つのプローブの先端の距離、即ち、記録ビットとプローブ（読み出し用）との距離に応じて急峻に変化することが確認された。

これは、記録媒体１２の書き込み前後の抵抗値の差があまりにも大きいため、書き込みが行われた部分（記録ビット）以外では、ほとんど電流が流れないことを意味する。つまり、記録ビットの直上でしか信号が検出できないため、これをサーボバースト信号とする場合には高精度な位置決めを行うことができない。

尚、データエリアに関しては、位置決め後にデータビットを読み出すため、抵抗体により覆われていないほうが好ましい。

(4) その他
本発明の例は、記録原理が記録媒体の電気抵抗変動にあって、記録媒体に対するデータの記録、再生及び消去がヘッド（例えば、プローブ）を用いて行われる情報記録再生装置全般に適用可能である。

特に、記録媒体上にヘッドがアレイ状に配置されるミリピードのようなＭＥＭＳメモリに有効である。

３．まとめ
本発明の例によれば、高精度の位置制御技術により情報記録再生装置の高記録密度を実現できる。

本発明の例は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施の形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明の例に関わる情報記録再生装置の概要を示す斜視図。記録媒体を示す平面図。記録媒体を示す平面図。記録媒体を示す平面図。記録媒体の構造を示す断面図。書き込み時の様子を示す図。プローブと記録ビットとの相対位置と抵抗値との関係を示す図。プローブと記録ビットとの相対位置と抵抗値との関係を示す図。

符号の説明

１１：ＸＹスキャナー、１２：記録媒体、１３：半導体基板、１４：プローブ、１５，１６：マルチプレクスドライバ、１７：ドライバ、２１：基板、２２：電極層、２３：記録層、２４：抵抗体、２５：表面保護層、２６：記録ビット。

Claims

第１及び第２ヘッドと、
前記第１ヘッドにより記録データが読み出されるデータエリア、及び、前記第２ヘッドによりサーボバースト信号が読み出されるサーボバーストエリアを有する記録媒体と、
前記サーボバースト信号に基づいて前記第１ヘッドと前記記録媒体との位置決めを行う第１ドライバと、
前記サーボバーストエリアの表面を覆い、前記データエリアの表面を覆わない抵抗体とを具備し、
前記記録データ及び前記サーボバースト信号は、前記記録媒体の電気抵抗変動により記録されることを特徴とする情報記録再生装置。
前記抵抗体の比抵抗は、前記電気抵抗変動の最大の比抵抗よりも小さい値を有することを特徴とする請求項１に記載の情報記録再生装置。
前記抵抗体は、ボロン、窒素又はリンがドープされたダイヤモンドライクカーボン、ボロン、窒素又はリンがドープされたシリコン、導電性酸化物、及び、導電性窒化物のうちの１つであることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録再生装置。
前記抵抗体は、共有結合性結晶、及び、２価以下のイオンを含まないイオン性結晶のうちの１つであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。
前記抵抗体の厚さは、前記記録媒体のトラック方向の記録ビットのピッチよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。
前記サーボバーストエリアに記録される記録ビットは、前記サーボバースト信号の周期が複数のデータトラックに跨るように間引かれていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。
前記第１及び第２ヘッドを第１方向に一定周期で往復運動させる第２ドライバをさらに具備し、前記第１ドライバは、前記第１方向に直交する第２方向について前記第１ヘッドと前記記録媒体との位置決めを行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。