JP4966501B2 - 走査型プローブメモリ装置 - Google Patents
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Description
ECRスパッタカーボン膜2に情報を記録する際には、導電性ダイヤモンド探針4を記録材料すなわちECRスパッタカーボン膜2に接触させる。すなわち、制御回路13からの制御信号により圧電素子駆動回路7は圧電素子6にこれを伸長させるような電圧信号を印加する。圧電素子6が伸びると導電性カンチレバー5は図の下方にたわみ、導電性ダイヤモンド探針4はECRスパッタカーボン膜2の表面に接触する。
ECRスパッタカーボン膜への情報の記録密度を向上させるには、膜表面にできるだけ微小な情報ビットを形成する必要がある。本発明の走査型プローブメモリでは、記録箇所と周囲の領域との電気抵抗の差違を利用して情報の記録、再生を行うため、情報の記録密度を向上させるにはECRスパッタカーボン膜が成膜時より有する導電性分布すなわち膜表面の場所による電気抵抗のばらつきを無くし、導電性を均一にする必要がある。あるいは電気抵抗の場所によるばらつきのサイズを記録ビットの大きさよりも十分小さくする必要がある。なぜなら、電気抵抗を変化させて形成した記録ビットを読み取る際には、周囲の領域が成膜時より有する電気抵抗の分布とは区別される必要があるからである。
上記の実施形態では、記録再生ヘッドとして単一の導電性ダイヤモンド探針を使用したが、多数の探針を1次元アレイまたは2次元アレイ状に配置し、並列的に記録再生を行うことにより、記録再生の速度が探針の数に比例して増加し、高速で書き込み・読み出し可能な走査型プローブメモリ装置を実現することができる。
2 ECRスパッタカーボン膜
3 記録媒体
4 導電性ダイヤモンド探針
5 導電性カンチレバー
6 圧電素子
7 圧電素子駆動回路
8 圧電アクチュエータ
9 圧電アクチュエータ駆動回路
10 入力回路
11 パルス発生回路
12 切り替え回路
13 制御回路
14 直流電源
15 電流検出回路
16 出力回路
Claims (1)
- 基板上に、sp2結合されたグラーフェンが互いにsp3結合されて前記基板に対して垂直方向に配向されたナノグラファイト構造を有し、電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法により成膜されたカーボン材料の膜の形成された記録媒体と、
前記カーボン材料の膜に接触可能であり、少なくとも前記カーボン材料の膜との接触部が導電性ダイヤモンドまたは前記カーボン材料で構成された導電性探針と、
前記カーボン材料の膜と前記導電性探針との間に第1の電圧を印加する手段と、
前記カーボン材料の膜と前記導電性探針との間に第2の電圧を印加し、前記導電性探針を流れる電流を検出する手段と、
前記導電性探針を前記記録媒体の表面に沿って走査させる手段とを有することを特徴とする走査型プローブメモリ装置。
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