JP4792095B2 - 不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Description
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、同図(a)は平面図であり、同図(b)は同図(a)のA−A’線断面図である。
図1に表したように、本発明の第1の実施形態の不揮発性記憶装置110は、抵抗が変化する記憶層7と、その記憶層7の上の面(第1主面7a)に設けられた複数の第1電極8と、複数のプローブ電極9と、駆動部10と、を備える。なお、図1(a)においては、プローブ電極9及び駆動部10は省略されている。
記憶層7には、例えば、NiOx、TiOx、CoOx、TaOx、MnOx、WOx、Al2O3、FeOx、HfOx、ZnMn2O4、ZnFe2O4、ZnCo2O4、ZnCr2O4、ZnAl2O4、CuCoO2、CuAlO2、NiWO4、NiTiO3、CoAl2O4、MnAl2O4、ZnNiTiO4、及び、PrxCa1−xMnO3などを用いることができる。
また、記憶層7には、上記の各種の金属酸化物にドーパントを添加したものを用いても良い。
すなわち、同図は、不揮発性記憶装置110における記憶層7の特性を例示しており、横軸は記憶層7に印加される電圧Vであり、縦軸は記憶層7に流れる電流Iである。なお、縦軸は、電流Iを対数で表している。
基板5の上に記憶層7となる抵抗変化膜(例えばNiOx)を成膜した後、リソグラフィとドライエッチングにより、抵抗変化膜に穴パターンを形成する。その後、穴の中に、第1電極8となる導電性材料のW(タングステン)を、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法により埋め込み、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により平坦化する。これにより、図1に例示した第1電極8が記憶層7に埋め込まれた構造を形成できる。
すなわち、図3(a)〜(c)は、不揮発性記憶装置110における複数のプローブ電極9の配置の異なる例を示している。なお、同図では、プローブ基板9sにおけるプローブ電極9の先端部分の平面配置を例示している。
同図(a)は、不揮発性記憶装置110における第1電極8の配置を例示しており、同図(b)は、不揮発性記憶装置110のメモリセルの構成を例示している。
以下では、まず、説明を簡単にするために、第1電極8が、X軸方向とY軸方向とに並んだ3×3(計9個)のマトリクス状に配置される例として説明する。
図5に表したように、本実施形態に係る別の不揮発性記憶装置111においては、XYスキャナ4の上に、記憶層7が配置される。例えば、記憶層7には、データを格納するデータエリア7dと、データエリアの外側に設けられ、プローブ電極9の動作を制御するためのサーボエリア7sが設けられる。
プローブアレイ9mは、プローブ基板9sと、プローブ基板9sの主面にアレイ状に配置された複数のプローブ電極9と、を有する。複数のプローブ電極9の各々は、例えば、カンチレバーを有し、マルチプレクスドライバ9x及び9yにより駆動される。
複数のプローブ電極9は、それぞれ、プローブ基板9s内のマイクロアクチュエータを用いて個別に動作可能であるが、全てをまとめて同じ動作をさせて記憶層7のデータエリア7dに対してアクセスを行っても良い。
ドライバ20は、この位置情報に基づいてXYスキャナ4を駆動し、記憶層7をX軸方向及びY軸方向に移動させ、記憶層7の第1電極8とプローブ電極9との位置を決めることができる。
すなわち、同図(a)、(b)及び(c)は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置における第1電極8の構成の変形例を例示しており、図1(a)のA−A’線断面に相当する断面図である。なお、これらの図においては、駆動部10は省略されている。
すなわち、同図(a)及び(b)は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置における第1電極8の構成の変形例を例示しており、図1(a)のA−A’線断面に相当する断面図である。なお、これらの図においては、駆動部10は省略されている。
すなわち、同図(a)、(b)及び(c)は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置における第1電極8の各種の平面形状を例示している。
これにより、X軸方向及びY軸方向において互いに隣接する第1電極8どうしは、四角形の角C1の部分の小さな面積で互いに対向する。これによって、四角形の角C1の部分において第1電極8どうしの間の電界が集中し、記憶層7の所望の部分に効率的に電界を印加し、また、電流を通電できる。
以上のように、第1電極8の平面形状は、各種の変形が可能である。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、同図(a)は平面図であり、同図(b)は同図(a)のA−A’線断面図である。
図9に表したように、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性記憶装置120は、第1の実施形態の不揮発性記憶装置110において、記憶層7の第1主面7aとは反対の側の第2主面7bに設けられた第2電極6をさらに備えている。そして、駆動部10は、第2電極6にさらに接続されている。
すなわち、同図は図9(a)のA−A’線断面に相当する断面図である。
図10に表したように、本発明の第2の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置121においては、第2電極6が複数設けられている。これに以外は不揮発性記憶装置120と同様とすることができるので説明を省略する。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した不揮発性記憶装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての不揮発性記憶装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
5 基板
6 第2電極
7 記録層
7a 第1主面
7b 第2主面
7d データエリア
7s サーボエリア
8、8a〜8i 第1電極
8p 突出部
9、9a〜9d プローブ電極
9m プローブアレイ
9s プローブ基板
9x、9y マルチプレクスドライバ
10 駆動部
20 ドライバ
110、110a、110b、111〜117、120、121 不揮発性記憶装置
C1、C2、C3 角
E1、E2 電界
HRS 高抵抗状態
I1、I2 電流
LRS 低抵抗状態
V1 第1遷移電圧
V2 第2遷移電圧
p11、p12、p21、p22、q11、q12、q21、q22、x11、x12、x21、x22、x31、x32、y11、y12、y21、y22、y31、y32 メモリセル
Claims (13)
- 印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する記憶層と、
前記記憶層の第1主面に設けられた複数の第1電極と、
前記複数の第1電極に対向して設置され前記第1電極との相対的な位置関係が可変の複数のプローブ電極と、
前記複数のプローブ電極に接続され、前記複数のプローブ電極を介して前記複数の第1電極のうちの少なくとも2つの間で、前記第1主面に対して平行な成分を有する電界及び前記第1主面に対して平行な成分を有する方向に流れる電流の少なくともいずれかを生じさせることによって前記記憶層に情報の記録を行う駆動部と、
を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 前記プローブ電極は、前記第1主面に対して平行な平面内で可動可能に構成されていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極は、前記第1主面において露出されつつ前記記憶層に埋め込まれていることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極は、前記記憶層を貫通していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極を前記第1主面に対して垂直な方向から見たときの平面形状は、前記複数の第1電極どうしの間で電界を集中させる突出部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極は、前記第1主面に対して平行な平面内の第1方向と、前記平面内において前記第1方向に対して垂直な第2方向と、にマトリクス状に配列し、前記複数のプローブ電極は、前記第1方向及び前記第2方向の少なくともいずれかの方向において互いに隣接する前記複数の第1電極に接触可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極の前記第1主面に対して垂直な方向から見たときの平面形状は、前記少なくともいずれかの方向において、前記複数の第1の電極どうしの間で電界を集中させる突出部を有していることを特徴とする請求項6記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数のプローブ電極は、さらに前記第1方向及び前記第2方向とは異なる方向において、互いに隣接する前記複数の第1電極に接触可能に構成されていることを特徴とする請求項6または7に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極の前記第1主面に対して垂直な方向から見たときの平面形状は、前記第1方向及び前記第2方向とは異なる前記方向において、前記複数の第1の電極どうしの間で電界を集中させる突出した形状を有していることを特徴とする請求項8記載の不揮発性記憶装置。
- 前記記憶層の前記第1主面とは反対の側の第2主面に設けられた第2電極をさらに備え、前記駆動部は、前記複数の第1電極のうちの前記複数のプローブ電極の少なくともいずれかに接続された第1電極と、前記第2電極と、の間において、さらに電界の印加及び電流の通電の少なくともいずれかを行うことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1電極どうしの間における前記記憶層の抵抗と、前記の複数の第1電極との少なくともいずれかと前記第2電極との間における前記記憶層の抵抗と、を異なる記憶要素として用いられることを特徴とする請求項10記載の不揮発性記憶装置。
- 前記第2電極は、前記第2主面において複数設けられ、前記駆動部は、前記複数の第1電極の少なくともいずれかと、前記複数の第2電極の少なくともいずれかと、の間において電界の印加及び電流の通電の少なくともいずれかを行うことを特徴とする請求項10または11に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記記憶層は、抵抗変化材料及び相変化材料の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
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