KR20040033004A - 고분자 화합물 및 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 구조 중에 복수개의 배위자를 갖는 1개 이상의 금속 착체 부분을 주쇄 또는 측쇄에 도입한 주쇄형 또는 측쇄형 고분자 화합물을 제공한다. 상기 고분자 화합물이 주쇄형 고분자 화합물인 경우, 상기 금속 착체 부분은 1개 이상의 배위자에 의해 고분자 주쇄를 구성하고, 상기 배위자가 갖는 탄소 원자 또는 산소 원자와 금속 원자가 결합한다. 한편, 상기 고분자 화합물이 측쇄형 고분자 화합물인 경우, 고분자 주쇄는 공액 구조, 바람직하게는 공액 이중 결합을 갖는다. 상기 고분자 화합물의 배위자로서는 쇄상 및 환상 배위자를 들 수 있지만, 유기 환상 구조를 갖는 2자리 배위자가 바람직하고, 상기 배위자는 중심 금속 원자, 바람직하게는 이리듐과 상기 배위자를 구성하는 1개 이상의 탄소 원자 또는 산소 원자를 통해 결합한다. 상기 고분자 화합물을 발광 재료로서 발광층을 형성한 경우, 얻어지는 유기 발광 소자는 농도 소광이 일어나기 어렵고, 고발광 효율로 안정성이 우수한 소자가 된다.

Description

고분자 화합물 및 유기 발광 소자 {High-Molecular Compounds and Organic Luminescent Devices}
유기 발광 소자는 예전에는 안트라센 증착막에 전압을 인가하여 발광시킨 예[Thin Solid Films, 94(1982) 171] 등이 있다. 그러나, 최근 무기 발광 소자에 비해 대면적화가 용이하고, 각종 신재료의 개발에 의해 원하는 발색을 얻을 수 있으며, 저전압에서 구동 가능하다는 등의 이점에 의해, 또한 고속 응답성 및 고효율의 발광 소자로서, 재료 개발을 포함하여 소자화를 위한 응용 연구가 활발히 행해지고 있다.
예를 들면, 문헌[Macromol. Symp. 125, 1 내지 48(1997)]에 상술되어 있는바와 같이, 일반적으로 유기 EL 소자는 투명 기판상에 형성된 상하 2층의 전극과, 이 사이에 발광층을 포함하는 유기물층이 형성된 구성을 갖는다.
발광층에는 전자 수송성과 발광 특성을 갖는 알루미늄-퀴놀리놀 착체, 대표예로서 이하에 나타내는 Alq3 등이 사용된다. 또한, 홀 수송층에는, 예를 들면 트리페닐디아민 유도체, 대표예로서는 이하에 나타내는 α-NPD 등, 전자 공여성을 갖는 재료가 사용된다.
이들 소자는 전기적 정류성을 나타내고, 전극 사이에 전계를 인가하면, 음극으로부터 전자가 발광층에 주입되고, 양극으로부터는 홀이 주입된다.
주입된 홀과 전자는 발광층내에서 재결합하여 여기자를 발생시키고, 이것이 기저 상태로 전이할 때 발광한다.
이 과정에서, 여기 상태에는 여기 1중항 상태와 3중항 상태가 있고, 전자로부터 기저 상태로의 전이는 형광이라고 불리고, 후자로부터의 전이는 인광이라고 불리며, 이러한 상태에 있는 물질을 각각 1중항 여기자, 3중항 여기자라고 부른다.
지금까지 검토되어 온 유기 발광 소자는 그 대부분이 1중항 여기자로부터 기저 상태로 전이할 때의 형광이 사용되고 있다. 한편, 최근 3중항 여기자를 경유한 인광 발광을 이용하는 소자의 검토가 이루어지고 있다.
발표된 대표적인 문헌은,
문헌 1: Improved energy transfer in electrophosphorescent device(디.에프. 오브리언(D. F. O' Brien) 외, Applied Physics Letters Vol 74, No. 3, p 422(1999))과,
문헌 2: Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence(엠. 에이. 발도(M. A. Baldo) 외, Applied Physics Letters Vol 75, No. 1, p 4(1999))이다.
이들 문헌에서는, 전극 사이에 개재된 유기층을 4층 적층하는 구성이 주로 사용되고, 사용되는 재료는 이하에 나타내는 구조를 갖는 캐리어 수송 재료와 인광 발광성 재료이다.
각 재료의 약칭은 이하와 같다.
Alq3: 알루미늄-퀴놀리놀 착체
α-NPD: N4,N4'-디-나프탈렌-1-일-N4,N4'-디페닐-비페닐-4,4'-디아민
CBP: 4,4'-N,N'-디카르바졸-비페닐
BCP: 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,1O-페난트롤린
PtOEP: 백금-옥타에틸포르피린 착체
Ir(ppy)3: 이리듐-페닐피리미딘 착체
문헌 1, 2 모두, 고효율이 얻어진 소자는, 홀 수송층에 α-NPD, 전자 수송층에 Alq3, 여기자 확산 방지층에 BCP, 발광층에 CBP를 호스트 재료로 하여, 이것에 인광 발광성 재료인 PtOEP 또는 Ir(ppy)3을 6 % 정도의 농도로 분산 혼입한 재료가 사용되고 있다.
현재 인광성 발광 재료가 특히 주목받는 이유는 이하의 이유로 원리적으로 고발광 효율을 기대할 수 있기 때문이다.
캐리어 재결합에 의해 생성되는 여기자는 1중항 여기자와 3중항 여기자를 포함하고, 그 확률은 1:3이다. 지금까지의 유기 EL 소자는 형광 발광을 이용하고 있었지만, 원리적으로 그 발광 수율은 생성된 여기자수에 대하여 25 %이며, 이것이 상한이었다. 그러나, 3중항 여기자로부터 발생하는 인광을 사용하면, 원리적으로 적어도 3배의 수율이 기대되고, 또한 에너지적으로 높은 1중항에서 3중항으로의 항간 교차에 의한 전이를 고려하면, 원리적으로는 4배인 100 %의 발광 수율을 기대할 수 있다.
상기 3중항으로부터의 발광을 기재한 문헌으로서는, 일본 특허 공개 (평)11-329739호 공보(유기 EL 소자 및 그의 제조 방법), 일본 특허 공개 (평)11-256148호 공보(발광 재료 및 이것을 사용한 유기 EL 소자), 일본 특허 공개 (평)8-319482호 공보(유기 전계발광 소자) 등을 들 수 있다.
그러나, 상기 인광 발광을 사용한 유기 발광 소자는 일반적으로 형광 발광형 소자와 같이, 발광 효율의 열화와 소자 안정성에 관해 한층 더 개량이 요구되고 있다. 이 열화 원인은 상세하게 밝혀지지 않았지만, 본 발명자들은 인광 발광의 메카니즘을 근거로 이하와 같이 생각하고 있다.
유기 발광층이 캐리어 수송성의 호스트 재료와 인광 발광성의 게스트를 포함하는 경우, 3중항 여기자로부터 인광 발광에 이르는 주된 과정은 이하의 몇개 과정으로 이루어진다.
1. 발광층내에서의 전자ㆍ홀의 수송
2. 호스트의 여기자 생성
3. 호스트 분자간의 여기 에너지 전달
4. 호스트로부터 게스트로의 여기 에너지 이동
5. 게스트의 3중항 여기자 생성
6. 게스트의 3중항 여기자로부터 기저 상태 전이와 인광 발광
각각의 과정에 있어서의 목적하는 에너지 이동 및 발광은 여러 가지 에너지 실활 과정과의 경쟁 반응이다.
유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해서는, 발광 중심 재료 그 자체의 발광 양자 수율을 크게 하는 것은 말할 것도 없지만, 그의 농도를 높이는 것도 중요한 인자이다. 그러나, 발광 여기자의 농도가 너무 높으면, 일본 특허 공개 (평)5-078655호 공보나 일본 특허 공개 (평)5-320633호 공보에도 개시되어 있는 바와 같이, 반대로 발광 효율이 떨어진다. 이것은 농도 소광 또는 농도 실활로서 알려져 있고, 그의 원인으로서 상기 경쟁 반응으로서 발광 중심 재료끼리 또는 그의 주변 분자와의 다량체화 반응의 진행에 의한 발광을 수반하지 않는 무복사 전이가 관계하고 있다고 생각된다. 따라서, 형광 발광 물질 또는 인광 발광 물질을 막론하고, 발광 효율 향상에는 발광 여기자의 공간적 밀도로서 적절한 농도가 존재하는 것이 알려져 있다.
특히 인광 발광 물질에 있어서는, 일반적으로 상기 3중항 여기자의 수명이 1중항 여기자의 수명보다 3 자릿수 이상 긴 것에서 유래하는 것이라고 생각된다. 즉, 에너지가 높은 여기 상태로 유지되는 시간이 길기 때문에, 주변 물질과의 반응이나 여기자끼리의 다량체 형성 등에 의해, 실활 과정이 발생할 확률이 많아지고,나아가서는 물질의 변화를 초래하여 수명 열화에 쉽게 연결된다고 본 발명자들은 생각하고 있다.
발광 재료로서, 금속 착체 부분을 주쇄의 일부로서 포함하는 주쇄형 고분자 화합물을 사용하고 있는 문헌 3 (Photophysics of metal-organic π-conjugated polymers, K. D. Ley 등, Coordination Chemistry Reviews 171(1998), page 287-307)에 의하면, 하기 화학식의 화합물을 사용하여 광 발광을 측정하고, 유기 EL 소자에의 응용도 시사하고 있다.
그러나 상기 주쇄형 고분자 화합물에 대해서는 본 발명자들의 경험상, Re 착체 중에 포함되는 C=O 결합이 불안정하고, 화합물로서의 안정성이 부족하다고 생각된다. 또한, 고분자 화합물 주쇄에도 3중 결합을 가지고, 광안정성도 부족한 것으로 생각된다.
한편, 인광 발광성 재료로서, 고분자 측쇄에 금속 착체 부분을 갖는 이하의 화학식으로 표시되는 측쇄형 고분자 화합물을 사용하는 예가 문헌 4 (Polymer electrophosphorescent devices using a copolymer of Ir(ppy)2-bound 2-(4-Vinylphenyl pyridine with N-vinylcarbazole, Chang-Lyoul Lee 등, 3rd International Conference on Electroluminescence of Molecular materials andRelated Phenomena, Program and Abstracts, 0-18, September 5th - 8th(2001))에 기재되어 있다.
그러나, 고분자 화합물 골격에 금속 착체 부분을 도입할 때, 금속 착체 부분이 공액 구조를 갖는 경우, 이 공액 구조에 의해 고분자 주쇄 골격을 구성한 쪽이 측쇄에 금속 착체 부분을 갖는 경우보다, 최종적으로 고분자 화합물 중의 공액(구조) 비율을 높이는 것이 용이하다. 고분자 화합물 중에 보다 높은 공액 비율을 갖도록 함으로써, 높은 도전율이 얻어지는 경향이 있고, 보다 높은 발광 효율을 갖는 소자를 만드는 것이 가능해진다.
본 발명은 평면 광원이나 평면상 디스플레이 등에 사용되는 유기 발광 소자(이하, 유기 EL(전계 발광) 소자라고도 함)와 이것에 사용되는 고분자 화합물에 관한 것이다.
특히 금속 착체 부분을 갖는 고분자 화합물을 사용한 발광 소자에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 복수개의 배위자와 금속의 결합을 포함하는 주쇄형 또는 측쇄형의 고분자 화합물을 발광 재료로서 사용하는 것으로서, 발광 효율이 높고, 경시 변화가 적은 발광 소자에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 소자의 구성을 나타내는 개략 단면도.
(a) 유기 막층이 2층 구성인 경우,
(b) 유기 막층이 3층 구성인 경우,
(c) 유기 막층이 4층 구성인 경우.
도 2는 XY 매트릭스형 유기 EL 소자의 구성을 나타내는 사시도.
도 3은 구동 신호 파형을 나타낸 도면.
도 4는 TFT를 이용한 매크릭스형 유기 EL 소자의 설명도.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 기본적인 소자 구성을 도 1(a), (b) 및 (c)에 나타낸다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 일반적으로 유기 EL 소자는 투명 기판 (15) 상에 50 내지 200 nm의 막 두께를 갖는 투명 전극 (14), 복수층의 유기 막층 및 이것을 협지하도록 금속 전극 (11)이 형성된다.
도 1(a)에는, 유기층이 발광층(12)와 홀 수송층(13)으로 이루어지는 예를 나타낸다. 투명 전극(14)로서는, 일 함수가 큰 ITO 등이 사용되어, 투명 전극(14)로부터 홀 수송층(13)으로의 홀 주입을 용이하게 한다. 금속 전극(11)에는 알루미늄, 마그네슘 또는 이들을 사용한 합금 등, 일 함수가 작은 금속 재료를 사용하여 유기층으로의 전자 주입을 용이하게 한다.
발광층(12)에는 본 발명의 고분자 화합물을 사용하고 있지만, 홀 수송층(13)에는, 예를 들면 트리페닐디아민 유도체, 대표예로서는 상기 α-NPD 등, 전자 공여성을 갖는 재료를 적절하게 사용할 수 있다.
이상의 구성을 갖는 소자는 전기적 정류성을 나타내고, 금속 전극(11)을 음극으로, 투명 전극(14)을 양극이 되도록 전계를 인가하면, 금속 전극(11)로부터 전자가 발광층(12)에 주입되고, 투명 전극(15)로부터는 홀이 주입된다.
주입된 홀과 전자는 발광층(12) 내에서 재결합하여 여기자가 생기고, 발광한다. 이 때 홀 수송층(13)은 전자 블로킹층의 역할을 하고, 발광층(12)와 홀 수송층(13) 사이의 계면에서의 재결합 효율이 높아지고, 발광 효율이 높아진다.
또한, 도 1(b)의 소자에서는, 도 1(a)의 금속 전극(11)과 발광층(12) 사이에 전자 수송층(16)이 설치되어 있다. 발광 기능과, 전자 및 홀 수송 기능을 분리하여, 보다 효과적인 캐리어 블로킹 구성으로 함으로써 발광 효율을 높인다. 전자 수송층(16)으로서는, 예를 들면 옥사디아졸 유도체 등을 사용할 수 있다.
또한, 도 1(c)에 나타낸 바와 같이, 양극인 투명 전극(14) 측으로부터, 홀 수송층(13), 발광층(12), 여기자 확산 방지층(17), 전자 수송층(16) 및 금속 전극(11)로 이루어지는 4층 구성으로 하는 것도 바람직한 형태이다.
본 발명의 고분자 화합물은 수평균 분자량(Mn) 2000 이상의 화합물을 가리키고, 분자 내에 고분자 주쇄를 구성하거나 또는 직접 또는 간접적으로 고분자 주쇄와 결합하는 1개 이상의 금속 착체 부분을 가지며, 인광 발광을 하는 것이고, 그의 최저 여기 상태는 3중항 상태의 MLCT*(Metal-to-Ligand charge transfer) 여기 상태 또는 π-π* 여기 상태가 존재한다고 생각된다. 이러한 여기 상태로부터 기저 상태로 에너지 전이할 때에 인광이 발생한다.
본 발명의 고분자 화합물의 인광 수율은 0.15 내지 0.9로 높은 값이 얻어지고, 인광 수명은 0.1 내지 100 μ초로 인광 물질 중에서는 단수명이었다.
상기 인광 수명이 너무 길면 에너지 포화 상태가 일어나기 때문에, 발광 효율이 현저히 저하되어 발광 소자에는 사용되지 않는다. 또한, 발광 대기 상태의 3중항 여기 상태의 분자가 많아지면, 상술한 바와 같이 각종 경쟁 반응을 수반하여, 발광 효율을 저하시키는 요인이 된다. 특히 소자에 흘리는 전류가 고밀도가 되었을 때, 발광 효율이 저하된다는 문제가 있었다.
본 발명의 특징은 인광 발광성 물질을 금속 착체의 형태로 고분자 화합물 중에 일정 비율로 고정화시킴으로써, 상술한 농도 소광을 감소시켜 안정된 발광을 기대할 수 있고, 유기 발광 소자의 실용 사용 온도인 -20 ℃에서 (+)60 ℃의 온도 범위에서 높은 인광 발광 수율을 제공하면서, 인광 수명이 비교적 짧은 특성을 나타내는 유기 EL 소자용의 발광 재료를 사용한 점에 있다.
또한, 상기 고분자 재료는 금속 착체 부분의 구조의 차이에 따라서도 다양한 발광 파장을 갖기 때문에, 구조가 다른 배위자 또는 중심 금속을 갖는 복수개의 금속 착체 부분을 고분자 주쇄에 조립함으로써, 넓은 발광 파장을 갖는 재료로 만들어, 발광 특성이 양호한 소자의 제조를 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 고분자 화합물의 금속 착체 부분이 갖는 중심 금속 원자로서는, 예를 들면 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 금(Au), 팔라듐(pd), 구리(Cu) 및 코발트(Co)를 들 수 있지만, 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)이 바람직하고, 이리듐(Ir)이 특히 바람직하다. 상기 중심 금속 원자는 각 배위자 중의 1개 이상의 탄소 원자 또는 산소 원자와 결합하는 것이 바람직하다.
금속 착체 부분을 구성하는 배위자의 구체예로서는, 이하에 나타내는 페닐피리딘, 티에닐피리딘, 페닐이소퀴놀린, 아세틸아세톤, 피콜린산 및 이들 골격을 갖는 유도체 및 페닐기 골격을 갖는 유도체 및 피리딘 골격을 갖는 유도체 등이 바람직하다. 또한, 각 구조식 중의 수소 원자는 다른 원자나 분자로 치환될 수도 있다. 또한, 미결합수는 메틸기를 나타낸다.
또한, 본 발명에 있어서 금속 착체 부분을 구성하는 금속 원자나 배위자의 종류나 수를 적절하게 변경하고, 예를 들면 복수개의 다른 금속 착체 부분을 갖는 고분자 화합물을 사용하는 것도 가능하고, 또한 본 발명의 고분자 화합물에 대하여 1종 이상의 다른 화합물을 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명의 고분자 화합물을, 통상 캐리어 이동층으로서 사용되는 화합물 등으로 복수종 혼합하는 것도 가능하고, 이에 의해 넓은 발광 파장을 갖는 소자를 제조하거나 또는 발광 효율이 보다 높은 소자의 제조가 가능해진다. 또한, 소자 제조시의 결정 석출을 방지하는 등, 막 형성성을 양호하게 하는 일에도 기여할수 있다.
상기 혼합 가능한 다른 화합물 중 고분자 화합물을 예로 들면, 이하에 나타낸 바와 같은 PPV(폴리파라페닐렌비닐렌) 및 그의 유도체인 RO-PPV, CN-PPV, DMOS-PPV, MEH-PPV, PAT(폴리알킬티오펜) 및 그의 유도체인 PEDOT, PCHMT, POPT, PTOPT, PDCHT, PCHT, PPP 및 그의 유도체인인 RO-PPP, FP-PPP, PDAF(폴리디알킬플루오렌), PVK(폴리비닐카르바졸), 폴리아세틸렌 유도체인 PPA, PDPA, PAPA, 폴리실란계의 시그마 공액계 중합체인 PDBS, PDHS, PMPS, PBPS, 폴리실롤, 트리페닐아민계의 중합체인 TPDPES, TPDPEK 등이 있다.
다음으로 본 발명의 고분자 화합물에 대해서는, 앞서 서술한 것과 같이 크게 구별하면,
1) 주쇄형 고분자 화합물(고분자 주쇄에 금속 착체 부분의 배위자가 직접 도입되어 있는 경우)과
2) 측쇄형 고분자 화합물(고분자 주쇄에 직접 또는 간접적으로 금속 착체 부분이 결합하고 있는 경우)의 2 가지가 있다.
우선, 1)의 주쇄형 고분자 화합물에 대하여 설명한다. 그의 합성 방법은 크게 구별하면, 하기에 나타낸 바와 같이
a) 고분자 반응형 고분자 화합물,
b) 금속 착체 단량체형 고분자 화합물
에 대한 2 가지의 방법이 있다. 또한, 동시에 복수개의 금속 착체 부분을 함유하는 화합물을 제조하는 경우에도 동일하다.
이하 본 발명에서 의도하고 있는 주쇄형 고분자 화합물의 일반적인 합성예를 나타낸다. 여기서,
A, B 및 C는 각각 배위 부위를 갖지 않는 단량체 또는 2가의 유기기이고, L은 배위 원자 또는 기이고, M, Ml및 M2는 각각 금속 이온 또는 금속 착체를 나타낸다. 또한, A, B 및 C는 없어도 좋고, 고분자 주쇄가 전부 L로 구성되어 있을 수도 있다.
a) 고분자 반응형 고분자 화합물
b) 금속 착체 단량체형 고분자 화합물
다음으로, 2)의 측쇄형 고분자 화합물에 대하여 설명한다. 본 발명의 측쇄형 고분자 화합물의 화학식의 예를 이하에 나타낸다. 또한, 본 발명의 고분자 화합물은 다른 고분자 화합물 전구체와 공중합을 행할 수도 있다. 본 발명의 고분자 화합물의 주쇄는 하기 화학식의 -(X)n-(Y)m- 부분을 나타내고, 측쇄는 -Z-L1-M-L2(L3)을 나타낸다.
식 중, X는 비닐렌, 페닐렌, 페닐렌비닐렌, 티오펜 등의 도전성을 갖는 기를 들 수 있다. Y는 페닐렌비닐렌, 티오펜, 플루오렌 등의 도전성을 갖는 고분자가 바람직하지만, 단결합일 수도 있다. 또한, Y는 측쇄를 갖지 않는다. Z는 특별히 제한은 없지만, 메틸렌, 에틸렌 등의 알킬기나 페닐렌 등의 방향족기나 이들의 조합 또는 단결합 등을 들 수 있다. M은 중심 금속이고, 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 금(Au), 팔라듐(Pd), 구리(Cu) 및 코발트(Co)로부터 선택되는 것이 좋고, 특히 백금, 로듐, 루테늄, 이리듐이 바람직하다. L1은적어도 중심 금속 사이에 탄소-금속 결합 또는 산소-금속 결합을 갖는 기를 나타내고, 상기 배위자나 피콜린산 및 이러한 골격을 갖는 유도체, 및 페닐기 골격을 갖는 유도체, 및 피리딘 골격을 갖는 유도체, β-디케톤류를 들 수 있다. L2, L3은 특별히 제한은 없지만, 상기 배위자나 피콜린산 및 이들 골격을 갖는 유도체 및 페닐기 골격을 갖는 유도체 및 피리딘 골격을 갖는 유도체, β-디케톤류 등의 2자리 배위자가 바람직하다. 금속이 4 배위인 경우에는 L3은 없어도 좋다. 또한, L2와 L3은 동일하거나 상이할 수 있다. m 및 n은 중합도를 나타내고, 발광 효율이나 도전성 등의 관점에 의해 적절하게 결정된다. 단, n은 0이 아니다.
또한, 하기 화학식과 같이, 측쇄형 고분자 화합물의 분자 내에 금속 원자나 배위자가 복수개 포함되어 있을 수도 있다. 하기 화학식에 있어서 본 발명의 고분자 화합물의 주쇄란 -(X1)k-(X2)1- 부분을 나타내고, 측쇄란 -Z1-L11-Ml-L12(L13) 및 -Z2-L21-M2-L22-(L23)을 나타낸다.
상기 화학식에 있어서, X1, X2는 상기 X에, Z1, Z2는 상기 Z에, Ml, M2는 상기 M에, L11, L21은 상기 L1에, L12, L22는 상기 L2에, L13, L23은 상기 L3에, k, l은 상기 m, n에 각각 독립적으로 대응한다.
상술한 주쇄형 및 측쇄형 고분자 화합물을 합성하는 경우, 고분자화 반응의 특징으로서, 상기 단량체나 금속 착체 부분의 결합에는 다양한 결합 형태가 예상되기 때문에, 반응 생성물의 구조는 상기 화학식으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 금속 원자가 다른 반복 단위 내의 측쇄를 구성하는 배위자와 결합하거나, 복수개의 분자 사이에서 가교 구조를 형성하는 것도 생각된다. 동일하게, 중합도에 대해서도 조건에 따라서 변화하고, 수평균 분자량(Mn)이 수천 정도의 것부터 수백만 정도까지 변화시키는 것도 가능하다.
그러나, 유기 발광 소자의 제조상, 이들 고분자 화합물을 함유하는 발광층은 기판 상에 막을 형성시키는 것이 필요해진다. 이 경우, 수평균 분자량(Mn)이 너무 작으면, 도장 공정시에 습윤성이 나빠지거나 도장 후에 막 벗겨짐이 일어나기 쉬워지는 등 바람직하지 않다. 한편 수평균 분자량(Mn)이 100 만을 초과하면, 도장 공장에서 사용되는 용매에 용해되기 어려워져 석출되거나, 또한 용액의 점성이 너무 커서 도장 성능이 나빠지기도 하는 경우가 있다.
따라서, 본 발명의 고분자 화합물의 일반적으로 바람직한 수평균 분자량(Mn)으로서는 2,000 내지 1,000,000 정도가 바람직하고 또한 화합물로서 사용하기 쉽다. 보다 바람직한 범위는 3,000 내지 100,O00 정도의 범위이다.
또한, 본 발명의 고분자 화합물은 다른 고분자 화합물과 병용하거나 혼합하여 사용하는 것도 가능하다. 다른 고분자 화합물로서는, 본 발명의 화합물과 유사한 화합물이나 상기 PVK, PPV라는 캐리어 수송능을 갖는 고분자 화합물, 또는 막 형성 특성을 향상시키는 것과 같은 고분자 화합물이 바람직하다. 이러한 다른 고분자 화합물은 본 발명의 고분자 화합물과 혼합하여 단일층을 형성하거나, 또는 개별적인 층으로서 적층하여 사용할 수 있다.
본 발명의 주쇄형 및 측쇄형의 고분자 화합물의 합성 경로를 이리듐 배위 고분자 화합물을 예로 들어 구체적으로 나타낸다.
주쇄형 고분자 화합물
고분자 주쇄에 금속 착체 부분의 배위자를 도입한 화합물의 합성 방법은 미리 고분자 주쇄를 형성한 후에 금속 착체를 반응시키는 방법과, 금속 착체를 결합시킨 고분자 전구체를 공중합시키는 방법이 있다.
[합성예 1]
최종 화합물은 Ir 금속을 중심으로 하여 보면, 고분자 주쇄를 구성하는 2자리 배위자의 피리딘 환 부분의 질소 원자와 벤젠환의 탄소 원자에 직접 결합하고, 또한 다른 2개의 2자리 배위자 중의 피리딘 환 및 벤젠환도 동일하게 결합하고 있는 것을 알 수 있다.
(상기 식에 있어서, 2개의 반복 단위의 비율은 반응시의 [Ir(L)2Cl]2또는 Ir(L)2acac의 농도나 반응 조건 등에 의존하기 때문에, 2개 단위의 반복 방법은 임의로 제어 가능하다.)
[합성예 2]
(상기 식의 2개의 반복 단위의 비율은 반응시의 단량체 a, b의 농도나 반응 조건 등에 의존하고, 2개 단위의 반복 방법은 임의로 제어 가능하다.)
(상기 식에 있어서, 3개의 반복 단위의 비율은 출발 원료나 반응에 사용되는[Ir(L)2Cl]2또는 Ir(L)2acac의 농도, 반응 조건 등에 의존하고, 이들의 반복 방법은 임의로 제어 가능하다. 이하의 합성예에 대해서도 동일하다.)
[합성예 3]
[합성예 4]
[합성예 5]
[합성예 6]
측쇄형 고분자 화합물
다음으로 본 발명에 따른 고분자 주쇄에 직접 또는 간접적으로 금속 착체 부분이 결합한 고분자 화합물의 구체예를 나타낸다.
여기에서는 금속 착체 부분으로서, 페닐피리딘 등을 배위자로 한 이리듐 착체, 로듐 착체, 백금 착체를 고분자 측쇄에 도입한 고분자 화합물을 예시한다.
이상, 본 발명의 고분자 화합물의 화합물 예를 나타내었다. 또한, 상기 각종 고분자 화합물 예의 구조는 원료나 농도, 반응 온도 등의 반응 조건에 따라 변화하기 때문에 반드시 일정하지는 않다. 여기서는 대표적인 예를 나타내었을 뿐이고, 본 발명이 이것으로 한정되는 것은 아니다.
또한, 금속 원자가 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 금(Au), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 코발트(Co)이어도 동일한 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 발광 소자로서는, 주로 유기 발광층으로서 도 1(b)에 나타낸 바와 같은 적층 구조가 바람직하지만, 도 1(a)나 (c)와 같이 본 발명의 고분자 화합물과, 전자 및(또는) 홀 등의 캐리어 수송 능력을 갖는 화합물을 적층하여 사용할 수도 있다. 또한, 도시하고 있지는 않지만, 전극 사이에 본 발명의 고분자 화합물과, 전자 및(또는) 홀 등의 캐리어 수송 능력을 갖는 화합물을 혼합하고, 1개의 유기층(발광층)으로서 발광 소자를 구성하는 것도 가능하다. 이 구성은 도 1에 나타내는 구성에 비해 간단하고, 발광 소자의 생산성을 높일 수 있다.
이하에 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에서는, 주로 금속 착체로서 이리듐(Ir) 착체를 예로 들어 본 발명의 효과를 설명한다.
[발명의 개시]
본 발명의 목적은 신규한 금속 착체 부분을 갖는 인광 발광성 고분자 화합물과, 이것을 이용한, 고효율이며 안정성이 양호한 유기 발광 소자를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 1개 이상의 금속 착체 부분을 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 주쇄형 또는 측쇄형 고분자 화합물로서, 상기 주쇄형 고분자 화합물은 상기 금속 착체 부분이 갖는 배위자가 고분자 주쇄를 구성하며, 상기 배위자가 갖는 탄소 원자 또는 산소 원자와 금속 원자가 결합하고 있는 것을 특징으로 하고, 상기 측쇄형 고분자 화합물은 고분자 주쇄에 공액 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물을 제공한다.
또한, 본 발명은 기체 상에 설치된 한쌍의 전극 사이에 1종 이상의 유기 화합물을 포함하는 발광층을 구비하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기 화합물은 상기 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 고분자 화합물에는 상술한 바와 같이 주쇄형 고분자 화합물과 측쇄형 고분자 화합물이 있고, 주쇄형 고분자 화합물은 그의 금속 착체 부분이 갖는 복수개의 배위자 중 1개 이상이 고분자 주쇄를 구성하고, 상기 배위자가 갖는 탄소 원자 또는 산소 원자와 상기 금속 착체 부분의 금속 원자가 결합하고 있는 것을, 측쇄형 고분자 화합물은 그의 금속 착체 부분이 직접 또는 간접적으로 고분자 주쇄와 결합하고 있는 것을 특징으로 한다.
주쇄형 고분자 화합물에 있어서, 고분자 주쇄를 구성하는 배위자로서는 유기 환상 배위자가 바람직하지만, 쇄상 배위자일 수도 있다.
측쇄형 고분자 화합물은 그의 주쇄 골격에 공액 구조를 갖지만, 상기 공액 구조로서는 공액 2중 결합이 바람직하다. 한편, 주쇄형 고분자 화합물의 경우에도 상기 공액 구조를 갖는 것이 바람직하지만, 상기 공액 구조가 없어도 상관없다.
본 발명의 고분자 화합물에 있어서 복수개의 배위자는 금속 착체 부분의 중심 금속 원자에 대하여 상호 독립적으로 결합하는 분자, 이온 또는 원자를 의미하고, 각각 쇄상 또는 환상의 배위자일 수 있지만, 유기 환상 배위자인 것이 바람직하고, 상기 배위자는 다수 자리 배위자, 특히 2자리 배위자인 것이 바람직하다.
본 발명자들은 인광 발광 중심 재료를 주쇄형 또는 측쇄형 고분자 화합물 중에 적절한 농도로 고정화함으로써 농도 소광이나 여기 다량체의 형성을 억제하고, 소자의 발광 효율의 향상을 실현할 수 있음을 발견하였다.
(실시예 1)
고분자 화합물 5의 합성
이하에 나타내는 방법으로, 본 발명의 고분자 Ir 금속 착체 화합물을 얻었다.
충분히 정제한 원료 화합물 1(2.0 mmol, 1.29 g)과 원료 화합물 2(2.0 mmol, 0.47 g)를, 질소 치환한 20 ml의 가지가 달린 플라스크에 넣고, 테트라히드로푸란(THF) 8 ml, 2M-K2CO3수용액 6 ml의 혼합 용액과 혼합하여, 질소하에 충분히 교반하여 용해하였다. 또한, Pd(PPh3)4(17.3 mg, 0.0015 mmol)를 첨가하여 48 시간 환류를 행하였다. 반응 후, 상기 혼합액에 메탄올을 첨가하여 반응 생성물을 재침전시키고, 이 침전물을 물로 세정한 후, 또한 아세톤을 사용하여 속슬레 추출을 24 시간 행하여 중간 화합물 3인 황색 분말을 얻었다. (0.79 g, 수율 85 %, Mn=11,000 Mw(중량 평균 분자량)/Mn=2.1(THF 중, 폴리스티렌 기준))
100 ml의 가지가 달린 플라스크에 탈수 글리세롤 50 ml를 넣고, 130 ℃에서2 시간 질소 치환한 후, 상기 화합물 3(0.47 g, 1.0 mmol)과 화합물 4(0.13 g, 0.2 mmol)을 첨가하고, 질소 기류하에 18 시간 가열 교반하였다. 반응 생성물을 실온까지 냉각시켜 1규정 염산 300 ml에 주입하고, 침전물을 여과 분리 후 수세하였다. 클로로포름에 용해시켜 불용물을 여과, 제거한 후, 아세톤을 사용하여 속슬레 추출을 24 시간 행하고, 목적하는 본 발명에 따른 주쇄형 고분자(Ir 금속 착체) 화합물 5인 황색 분말 0.50 g(Mn=13,000, Mw/Mn=2.1(THF 중, 폴리스티렌 기준))을 얻었다.
이 고분자 화합물에 대하여 이하의 방법으로 발광 수명을 조사하였다.
고분자 화합물을 클로로포름에 용해시키고, 석영 기판 상에 약 O.1 μm의 두께로 스핀 코팅한 것을 측정 시료로 하였다. 이것을 하마마쯔 포토닉스사 제조의 발광 수명 측정 장치를 이용하여, 실온에서 여기 파장 337 nm의 질소 레이저 광을 펄스 조사하고, 여기 펄스가 끝난 후의 발광 강도의 감쇠 시간을 측정하였다.
초기의 발광 강도를 I0라 하였을 때, t 초 후의 발광 강도 I는 발광 수명 τ를 이용하여 이하의 식으로 정의된다.
고분자 화합물 5는 인광 발광성을 나타내고, 그의 인광 수명은 10 μ초 이하로 인광 물질 중에서는 단수명이었다.
(실시예 2)
다른 주쇄형 고분자 화합물로서, 실시예 1에서 사용된 화합물 3과 화합물 4, 및 하기 화학식의 화합물 6을 원료로 하여 등몰씩 혼합하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 반응을 행하여, 고분자 화합물 7을 합성하여 평가하였다.
본 실시예의 고분자 화합물 7은 고분자 주쇄 중에 2종류의 Ir 착체 구조가 포함된다. 또한, 이러한 배치나 Ir 착체의 밀도에 대해서는, 반응 조건 등에 따라서 다르기 때문에, 상기 구조식으로 한정되는 것은 아니다.
고분자 화합물 7은 인광 발광성을 가지고, 상술한 방법으로 측정한 인광 수명은 10 μ초 이하로 인광 물질 중에서는 단수명이었다.
(실시예 3)
상기 실시예 2에서 얻은 화합물을 사용하고, 도 1(b)에 나타내는 유기층이 3층(12, 13, 16)인 유기 발광 소자를 제조하여 소자 특성을 평가하였다.
우선, 투명 기판 (15)로서 무알칼리 유리 기판을 사용하고, 이 위에 투명 전극 (14)로서 100 nm의 산화인듐(ITO)을 스퍼터링법으로써 형성하여 패턴화하였다.
이 위에 홀 수송층 (13)으로서, 하기 구조식으로 표시되는 PEDOT와 PSS(몰비 1:1)를 포함하는 고분자막을 스핀 코팅법으로써 막 두께 40 nm(건조 후)로 형성하였다. 그 위에 실시예 2에서 제조한 고분자 화합물 7의 0.5 %-클로로포름 용액을 다수회 스핀 코팅하고, 60 ℃의 오븐 중에서 60 분 건조하여 막 두께 30 nm의 발광층 (12)를 얻었다. 또한, 전자 수송층 (16)으로서, 하기 Bphen으로 표시되는 화합물을 10-4Pa의 진공도로 저항 가열 증착하여 막 두께 40 nm의 유기 막을 얻었다.
이 전자 수송층 (16) 상에 금속 전극층 (11)의 하도층으로서, 불화칼륨(KF)을 5 nm 배치하였다.
또한, 상기 하도층 위에 금속 전극 (11)로서, 100 nm의 막 두께의 알루미늄(Al)막을 증착하여, 투명 전극 (14)와 대향하는 전극 면적(유효 표시 면적)이 3 mm2가 되는 형상으로 패턴화하였다.
유기 발광 소자의 특성은 실온에서 전류 전압 특성을 휴렛 패커드사 제조의 미소 전류계 4140B로 측정하고, 발광 휘도를 탑콘사 제조 BM7로 측정하였다. 본 실시예의 화합물을 사용한 소자는 양호한 정류성을 나타내었다. 또한, 상하 전극 사이에 전압 15 V 인가시에, 상기 유기 발광 소자로부터의 발광이 확인되었다. 본 실시예 3에 있어서, 화합물 4와 화합물 6에서 유래한다고 생각되는, 2종류의 Ir 착체에서 유래하는 2개의 발광 파장(550 nm과 620 nm)의 빛을 확인하였다.
다음으로, 발광이 인광임을 확인하기 위해서 실시예 1, 2에서 제조한 고분자화합물을 각각 클로로포름에 용해시킨 후 2개로 나누었다. 산소 치환한 용액과 질소 치환한 용액을 제조 후 각각에 광 조사하여 광 발광을 비교하였다. 결과는 산소 치환한 용액에서는 이리듐 착체에서 유래하는 발광이 거의 보이지 않았음에 비해, 질소 치환한 용액에서는 광 발광이 확인되었다. 이러한 결과로부터, 본 발명의 고분자 화합물은 인광 발광성을 갖는 고분자 화합물임을 확인하였다.
또한, 형광 재료의 발광 수명은 일반적으로 수 nsec 내지 수십 nsec인 데 비해, 본 발명의 고분자 화합물의 인광 수명은 모두 100 nsec 이상이었다.
(실시예 4)
소자 수명을 평가하기 위해서, 실시예 4, 5 및 비교예 1에 있어서 3 종류의 소자를 제조하고, 실온에서 실제로 구동하여 그의 휘도 반감 시간을 측정하였다.
실시예 4에서는, 실시예 1에서 제조한 고분자 화합물 5를 사용하여 이하의 층 구성으로 하는 것 이외에는 실시예 3과 동일한 조건으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
홀 수송층 (13)(40 nm) : PEDOT:PSS (몰비 1:1)
전자 수송층 (16)(60 nm): Bphen
이 소자에 도 3에 나타내는 구동 파형을 인가하고, 실온에서의 발광 휘도의 경시 변화를 측정하여 초기 휘도가 반감하는 데 걸리는 시간을 조사하였다.
(실시예 5)
고분자 화합물로서, 실시예 4에서 제조한 고분자 화합물 5 및 금속 착체 부분을 포함하지 않는 고분자 화합물로서 이하에 나타내는 PVK(폴리비닐카르바졸)을중량비로 1:10이 되도록 혼합한 것을 발광층으로서 사용하는 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제조하고 평가하였다.
(비교예 1)
발광 재료로서, 이리듐-ppy 착체(Ir(ppy)3)를 상술한 금속 착체 부분을 갖지 않는 고분자 화합물 3 중에 중량비로 1:10이 되도록 분산 혼합한 막을 이용하여 발광층을 형성하는 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제조하여 평가하였다.
하기 표 1에 실시예 4, 실시예 5 및 비교예 1의 결과를 통합하여 나타낸다.
각 고분자 화합물을 사용한 소자의 통전 내구 테스트의 결과에 의하면, 종래의 발광 재료를 사용한 소자보다 분명히 휘도 반감 시간이 길어져, 본 발명의 발광 재료의 안정성에서 유래한 내구성이 높은 소자가 가능해지는 것을 알았다.
(실시예 6)
하기 반응에 의해, 고분자 측쇄에 이리듐 착체를 갖는 고분자 화합물 9를 얻었다.
화합물 2 및 화합물 3의 합성
염화이리듐과 페닐피리딘을 원료로 하고, 문헌[Sergey Lamansky et. al. Inorg. Chem. 40 p1704(2001)]을 참고로 하여 이리듐 착체의 중간체인 화합물 2 및 화합물 3을 합성하였다.
화합물 5의 합성
100 ml의 가지가 달린 플라스크에 탈수 글리세롤 50 ml를 130 ℃에서 2 시간 질소 치환한 후, 화합물 3(1.2 g, 2 mmol) 및 화합물 4(1.2 g, 2.5 mmol)을 첨가하고, 질소 기류하에 18 시간 가열 교반하였다. 반응 생성물을 실온까지 냉각시켜 1규정 염산 600 ml에 주입하고, 침전물을 여과 분리 후 수세하였다. 그 후, 분취 HPLC(고성능 액체 크로마토그래피)를 이용하여 정제하여, 분말상의 6 배위 이리듐 화합물 5를 300 mg 얻었다.
화합물 7의 합성
화합물 5(300 mg, 0.22 mmol), 화합물 6(42 mg, 0.22 mmol)을 질소 치환한 20 ml의 가지가 달린 플라스크에 넣고, 톨루엔 2 ml, 에탄올 1 ml, 2M-K2CO3의 수용액 2 ml에 혼합하여 질소하에 충분히 교반한 후, Pd(PPh3)4를 40 mg(O.035 mmol) 첨가하여 8 시간 환류를 행하였다. 반응 후 혼합액에 톨루엔과 물을 첨가하고 추출하여, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후, 알루미나 크로마토그래피로 정제하여 화합물 7의 분말 150 mg을 얻었다.
고분자 화합물 9의 합성
충분히 정제한 화합물 7 150 mg(0.2 mmol), 고분자 단량체 8 129 mg(0.2 mmol)을 질소 치환한 20 ml의 가지가 달린 플라스크에 넣고, 테트라히드로푸란(THF) 1 ml, 2M-K2CO3수용액 0.6 ml에 혼합하고, 질소하에 충분히 교반한 후 Pd(PPh3)4를 1.73 mg(0.00015 mmol) 첨가하여 48 시간 환류시켰다. 반응 후 혼합액을 메탄올로써 재침전하여 물로 세정하였다. 그 후, 아세톤을 사용하여 속슬레 추출을 24 시간 행하여, 본 발명의 측쇄형 고분자 화합물 9의 분말 195 mg을 얻었다.
또한, 발광이 형광인 지, 인광인 지의 식별은 상기 고분자 화합물 9를 사용하여 실시예 3과 동일하게 하여 행하였다. 결과는, 산소 치환한 용액에서는 이리듐 착체에서 유래하는 발광이 거의 보이지 않는 데 비해, 질소 치환한 용액에서는 광 발광이 확인되었다. 이러한 결과로부터, 고분자 화합물 9는 인광 발광성임을 확인하였다. 본 고분자 화합물 9의 인광 수명은 상술한 측정 방법으로 행한 결과, 10μ 초 이하로 인광 물질 중에서는 단수명이었다.
(실시예 7)
실시예 1에서 얻은 고분자 화합물 9를 사용하여, 도 1(b)에 나타내는 유기층이 3층인 유기 발광 소자를 제조하고, 소자 특성을 평가하였다.
투명 기판 (15)로서 무알칼리 유리 기판을 사용하고, 그 위에 투명 전극 (14)로서 100 nm의 산화인듐(ITO)을 스퍼터링법으로써 형성하여 패턴화하였다. 이 위에 홀 수송층 (13)으로서, 하기 구조식으로 표시되는 PEDOT과 PSS (몰비 1:1)를 포함하는 고분자막을 스핀 코팅법으로써 막 두께 40 nm로 형성하였다. 그 위에 실시예 1에서 제조한 고분자 화합물 9의 0.5 %-클로로포름 용액을 다수회 스핀 코팅하여 60 ℃의 오븐 중에서 60 분 건조하여, 막 두께 30 nm의 발광층 (12)를 얻었다. 또한, 전자 수송층 (16)으로서, 하기 Bphen으로 표시되는 화합물을 사용하여,10-4Pa의 진공도에서 저항 가열 증착을 행하여 막 두께 40 nm의 유기 막을 얻었다.
이 위에 금속 전극층 (11)의 하도층으로서 불화칼륨(KF)을 5 nm 배치하였다.
또한, 하도층의 위에 금속 전극 (11)로서, 100 nm의 막 두께의 알루미늄(Al)막을 증착하여, 투명 전극 (14)와 대향하는 전극 면적(유효 표시 면적)이 3 mm2가 되는 형상으로 패턴화하였다.
유기 발광 소자의 특성은 전류 전압 특성을 휴렛 패커드사 제조의 미소 전류계 4140B로 측정하고, 발광 휘도를 탑콘사 제조 BM7로 측정하였다. 본 실시예의 화합물을 사용한 소자는 양호한 정류성을 나타내었다. 또한, 상하 전극 사이에 전압 15 V 인가시에, 상기 유기 발광 소자로부터의 발광이 확인되었다. 또한, 이 발광은, 본 실시예에서 사용한 발광 재료를 톨루엔 용액 중에 용해시켜 측정한 광 발광과 유사하였기 때문에, 이리듐 착체인 발광 재료로부터의 발광인 것이 확인되었다.
또한, 본 실시예의 유기 발광 소자의 발광 특성을 측정한 결과, 형광 재료의 발광 수명은 일반적으로 수 nsec 내지 수십 nsec인 데 비해, 이 소자의 인광 수명은 2 μ초 이하였다.
(실시예 8)
실시예 6과 같은 합성 방법으로 화합물 10을 합성하고, 이하의 방법으로 본 발명의 측쇄형 고분자 화합물 11을 합성하였다.
충분히 정제한 화합물 7 75 mg(0.1 mmol)과 화합물 10 81 mg(0.1 mmol) 및 화합물 8 129 mg(0.2 mmol)을 질소 치환한 20 ml의 가지가 달린 플라스크에 넣고, THF 1 ml와 2M-K2CO3수용액 0.6 ml를 더 첨가하여 혼합하고, 질소 중에서 충분히 교반한 후, Pd(PPh3)4를 1.73 mg(0.00015 mmol) 첨가하여 48 시간 환류시켰다. 반응 후, 혼합액을 메탄올에 재침전시키고, 물로 세정하였다. 그 후, 아세톤을 사용하여 속슬레 추출을 24 시간 행하여, 본 발명의 고분자 화합물 11의 분말 120 mg을 얻었다.
이 발광도 얻어진 고분자 화합물 11을 톨루엔 용액 중에 용해시켜 측정한 광 발광과 유사하였기 때문에, 이 발광 재료로부터의 발광인 것을 확인하였다.
유기 발광 소자의 특성은 실온에서 전류 전압 특성을 휴렛 패커드사 제조의 미소 전류계 4140B로, 또한 발광 휘도를 탑콘사 제조 BM7로 측정하였다. 본 실시예의 고분자 화합물 11을 사용한 소자는 양호한 정류성을 나타내었다. 또한, 상하 전극 사이에 전압 15 V 인가시에, 실용 사용 온도 범위(-20 ℃ 내지 60 ℃)에서 상기 유기 발광 소자로부터의 발광이 확인되었다. 본 실시예 8에 있어서는, 화합물 4와 화합물 6에서 유래한다고 생각되는, 2종류의 Ir 착체에서 유래하는 넓은 피크 (530 nm와 550 nm)의 발광을 확인하였다. 이 발광에 대해서도, 상기 방법에 의해 인광임을 확인하였다.
(실시예 9)
실시예 8에서 합성한 고분자 화합물 11과, PVK(폴리비닐카르바졸)를 중량비 1:10으로 혼합한 혼합물을 발광층(12)로서 사용한 것 이외에는 실시예 7과 동일하게 유기 발광 소자를 제조하여 평가하였다.
얻어진 발광 소자는 양호한 정류성을 나타냄과 동시에, 전압 13 V 인가시에 발광 소자로부터의 발광을 확인하였다. 또한, 그 빛이 본 실시예에서 사용된 발광 재료를 톨루엔 용액 중에 용해시켜 측정한 광 발광과 유사하였기 때문에, 고분자 화합물 11(이리듐 착체)로부터의 발광임을 확인하였다.
(실시예 10)
실시예 7 및 실시예 9의 발광 소자를 사용하는 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 휘도 반감 시간을 측정하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
(비교예 2)
발광층 (12)용의 발광 재료로서, 상기 Ir(ppy)3을 실시예 1과 동일한 방법으로 합성한 하기 금속 착체 부분을 갖지 않는 고분자 화합물 12 중에 1:10의 중량비로 혼합한 것을 사용하는 것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제조하여 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
본 발명의 고분자 화합물을 사용한 소자는, 종래의 발광 재료를 사용한 소자보다 분명히 휘도 반감 시간이 길어지고, 본 발명의 재료의 안정성에서 유래한 내구성이 높은 소자가 가능해진다.
(실시예 11)
이하, 표시 장치의 두가지 예를 설명한다. 우선 XY(단순) 매트릭스 배선을 갖는 화상 표시 장치를 제조한 예를 도 2에 나타낸다.
세로 150 mm, 가로 150 mm, 두께 1.1 mm의 유리 기판 (21) 상에 투명 전극(양극측)으로서 약 100 nm 두께의 ITO 막을 스퍼터링법으로써 형성한 후, 단순 매트릭스 전극 (22)로서 100 μm 폭의 전극을 간격 40 μm로 100 라인을 패턴화하였다.이어서, 실시예 3과 동일한 조건으로 3층으로 이루어지는 유기 화합물층 (23)을 제조하였다.
계속해서 마스크 증착으로써, 100 μm 폭의 전극을 간격 40 μm로 100 라인분의 금속 전극 (24)를, 투명 전극과 직교하도록 진공도 2×10-5Torr의 조건에서 진공 증착법으로써 막을 형성하였다. 금속 전극 (24)는 하도층으로서 KF를 막 두께 5 nm로 형성한 후, Al을 150 nm의 막 두께로 형성하였다. 이 100×100 화소의 단순 매트릭스형 유기 EL 소자를, 질소 분위기로 만든 글로브 박스 중에서, 도 3에 나타내는 10 볼트의 주사 신호와 ±3 볼트의 정보 신호를 사용하여, 7 볼트 내지 13 볼트의 전압으로 단순 매트릭스 구동을 행하였다. 프레임 주파수 30 Hz에서 인터레이스 구동한 결과, 흑백 2값 화상을 확인할 수 있었다.
본 발명의 고효율 발광 소자는 화상 표시 장치에의 응용으로서는, 에너지 절약이나 고시인성을 구비한 경량의 플랫 패널 디스플레이가 가능해진다. 또한, 프린터용 광원으로서는, 본 발명의 발광 소자를 라인상으로 형성하여, 감광 드럼에 근접하게 놓고, 각 소자를 독립적으로 구동하여 감광 드럼에 원하는 노광을 행하는, 라인 셔터로서 이용 가능하다. 한편, 조명 장치나 액정 표시 장치의 백 라이트에의 이용으로서는, 에너지 절약 효과를 기대할 수 있다.
화상 표시 소자에의 별도의 응용으로서는, 먼저 기술한 XY 매트릭스 배선 대신에 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한 액티브 매트릭스 방식 화상 표시 소자(패널)이 특히 유용하다.
도 4는 상기 패널의 평면도의 모식도이다. 패널 주변에는, 주사 신호 드라이버나 전류 공급원을 포함하는 구동 회로와, 정보 신호 드라이버인 표시 신호 입력 수단(이들을 화상 정보 공급 수단이라 부름)가 배치되고, 각각 게이트 선이라고 불리는 X 방향 주사선, 정보선이라고 불리는 Y 방향 배선 및 전류 공급선에 접속된다. 주사 신호 드라이버는 게이트 주사선을 차례로 선택하여, 이것에 동기하여 정보 신호 드라이버로부터 화상 신호가 인가된다. 게이트 주사선과 정보선의 교점에는 표시용 화소 전극이 배치된다.
본 발명에서 사용되는 액티브 소자에는 특별히 한정되지 않고, 단결정 실리콘 TFT나 비정질 실리콘(a-Si) TFT 등에도 사용할 수 있다.
상기 화소 전극상에 다층 또는 단층의 유기 발광층을 형성하고, 음극인 금속 전극을 차례로 적층하여 액티브 유기 발광 표시 소자를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 인광 발광성을 나타내는 신규한 주쇄형 또는 측쇄형의 고분자 화합물을 얻을 수 있다. 이 고분자 화합물을 발광층으로서 사용함으로써, 농도 소광(실활)이 일어나기 어렵고 높은 발광 효율을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다. 또한, 이 소자의 수명을 늘리는 것에도 유효하다. 또한, 특히 박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 액티브 소자의 조합으로, 양호한 중간조를 부여하여 장시간 표시에도 안정한 표시가 가능해진다.

Claims (25)

1개 이상의 금속 착체 부분을 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 주쇄형 또는 측쇄형 고분자 화합물로서, 상기 주쇄형 고분자 화합물은 상기 금속 착체 부분이 갖는 배위자가 고분자 주쇄를 구성하고, 상기 배위자가 갖는 탄소 원자 또는 산소 원자와 금속 원자가 결합하고 있는 것을 특징으로 하며, 상기 측쇄형 고분자 화합물은 고분자 주쇄에 공액 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제1항에 있어서, 상기 고분자 화합물이 주쇄형 고분자 화합물이고, 상기 금속 착체 부분이 복수개의 배위자를 가지고, 1개 이상의 배위자가 고분자 주쇄를 구성하고, 상기 금속 착체 부분의 금속 원자에 대하여 상기 배위자가 갖는 1개 이상의 탄소 원자 또는 산소 원자를 통해 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제2항에 있어서, 상기 고분자 화합물이 여기 상태로부터 기저 상태로 에너지 전이할 때 인광을 발생하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제2항에 있어서, 상기 금속 착체 부분이 상호 다른 구조의 복수개의 금속 착체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제2항에 있어서, 상기 금속 착체 부분의 금속 원자가 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 금(Au), 팔라듐(pd), 구리(Cu) 또는 코발트(Co)로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제5항에 있어서, 상기 금속 착체 부분의 금속 원자가 이리듐(Ir)인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제2항에 있어서, 상기 고분자 화합물이 공중합체인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제2항에 있어서, 상기 고분자 화합물의 수평균 분자량이 2,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
기체 상에 설치된 한쌍의 전극 사이에 1종 이상의 유기 화합물을 포함하는 발광층을 구비하며, 상기 유기 화합물은 제2항에 기재된 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제9항에 있어서, 상기 발광층이 여기 상태로부터 기저 상태로 에너지 전이할 때 인광을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제9항에 있어서, 상기 고분자 화합물의 금속 착체 부분이 상호 다른 구조를 갖는 복수개의 금속 착체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제9항에 있어서, 상기 고분자 화합물의 수평균 분자량이 2,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제9항에 있어서, 상기 발광층이 1종 이상의 상기 유기 화합물의 층과, 캐리어 수송 물질을 포함하는 층의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제9항에 있어서, 상기 발광층이 1종 이상의 상기 유기 화합물과, 캐리어 수송 물질의 혼합물을 포함하는 단일층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제1항에 있어서, 상기 고분자 화합물이 측쇄형 고분자 화합물이고, 상기 금속 착체 부분이 직접 또는 간접적으로 고분자 주쇄와 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제15항에 있어서, 상기 금속 착체 부분의 금속 원자가 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 금(Au), 팔라듐(pd), 구리(Cu) 및코발트(Co)로부터 선택되고, 각 배위자에 대하여 이 배위자를 구성하는 1개 이상의 탄소 원자 또는 산소 원자를 통해 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제15항에 있어서, 상기 고분자 화합물이 여기 상태로부터 기저 상태로 에너지 전이할 때 인광을 발생하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제15항에 있어서, 상기 금속 착체 부분이 상호 다른 구조의 복수개의 금속 착체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제15항에 있어서, 상기 고분자 화합물이 공중합체인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
제15항에 있어서, 상기 고분자 화합물의 수평균 분자량이 2,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
기체 상에 설치된 한쌍의 전극 사이에 1종 이상의 유기 화합물을 포함하는 발광층을 구비하고, 상기 유기 화합물은 제15항에 기재된 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제21항에 있어서, 상기 발광층이 여기 상태로부터 기저 상태로 에너지 전이할 때 인광을 발생하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제21항에 있어서, 상기 고분자 화합물의 금속 착체 부분이 상호 다른 구조를 갖는 복수개의 금속 착체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제21항에 있어서, 상기 발광층이 1종 이상의 상기 유기 화합물의 층과, 캐리어 수송 물질을 포함하는 층의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
제21항에 있어서, 상기 발광층이 1종 이상의 상기 유기 화합물과 캐리어 수송 물질의 혼합물을 포함하는 단일층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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