JP6975050B2 - 金属錯体および有機発光素子 - Google Patents

Description

活性有機材料を含む電子素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光応答性素子（特に、有機光起電性素子および有機光センサ）、有機トランジスタならびに記憶配列素子などの素子において使用するために、注目を集めている。活性有機材料を含む素子は、軽量、低消費電力および可撓性などの利点をもたらす。さらに、可溶性有機材料の使用により、素子製造において、例えば、インクジェット印刷またはスピンコーティングなどの溶液処理が可能となる。

ＯＬＥＤは、アノード、カソードおよびアノードとカソードとの間に１つ以上の有機発光層を含む。アノードとカソードとの間には、例えば、電荷輸送層などの非発光層が設けられてよい。

素子の動作時には、アノードから素子に正孔が注入され、カソードから電子が注入される。発光材料の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）における正孔と最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）における電子とが結合し、そのエネルギーを光として放射する励起子を形成する。

発光材料としては、小分子、ポリマー材料およびデンドリマー材料が挙げられる。蛍光発光ポリマーとしては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（アリーレンビニレン）およびポリフルオレンなどのポリアリーレンが挙げられる。

発光ドーパント、例えば蛍光性または燐光性ドーパントは、電荷輸送ホスト材料と共に使用されてよい。

ＯＬＥＤ内で生成される光のかなりの部分は、素子内部で反射するか吸収され、素子の外部量子効率を制限することがある。

Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２６（２３），３８４４−３８４７，２０１４”Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ ｗｉｔｈ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｅｍｉｔｔｅｒｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｈｉｇｈ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ ａｎｄ Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｄｉｐｏｌｅ Ｍｏｍｅｎｔｓ”は、水平方向に好ましい双極子配向を有するヘテロレプティックイリジウム錯体を開示している。

米国特許第８８０９８４１号は、発光中心材料の遷移双極子モーメントが基板の上面と平行であり、ホスト材料の遷移双極子モーメントが基板の上面と平行である素子を開示している。

Ｋｏｚｈｅｖｎｉｋｏｖ ｅｔ ａｌ，Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．，２０１３，２５（１１），ｐｐ２３５２−２３５８は、式：

の化合物１および５を開示している。

米国特許第８８０９８４１号

Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２６（２３），３８４４−３８４７，２０１４"Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ ｗｉｔｈ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｅｍｉｔｔｅｒｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｈｉｇｈ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ ａｎｄ Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｄｉｐｏｌｅ Ｍｏｍｅｎｔｓ Ｋｏｚｈｅｖｎｉｋｏｖ ｅｔ ａｌ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２０１３，２５（１１），ｐｐ ２３５２−２３５８ 本発明の目的は、有機発光素子の効率を改善することである。

第１の態様では、本発明は、式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ^１）ｘ（Ｌ^２）ｙの金属錯体を提供し、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ^１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ^２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
各Ｌ^１は式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：

の基であり、
式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ^１のＲ^３、Ｒ^５およびＲ^９の少なくとも１つが式−（Ａｒ）_ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である。

第２の態様では、本発明は、式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ^１）ｘ（Ｌ^２）ｙの金属錯体を提供し、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ^１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ^２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ^１は式−（Ａｒ） _ｐ （式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、
金属錯体の遷移双極子モーメントベクトルと少なくとも１つのＬ^１−（Ａｒ）_ｐ結合の結合ベクトルとの間の角度が１５°未満である。

第３の態様では、本発明は、式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ^１）ｘ（Ｌ^２）ｙの金属錯体を提供し、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ^１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ^２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ^１は式−（Ａｒ）_ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、その結果、金属錯体のａ：ｂ比は少なくとも３：１であり、ａは錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における錯体の大きさであり、ｂは錯体の遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における錯体の大きさである。

第４の態様では、本発明は、第１、第２または第３の態様による金属錯体およびホストを含む組成物を提供する。

第５の態様では、本発明は、第４の態様による組成物および少なくとも１つの溶媒を含む配合物を提供する。

第６の態様では、本発明は、アノード、カソードおよび第５の態様による組成物を含むアノードとカソードとの間の発光層を含む有機発光素子を提供する。

第７の態様では、本発明は、第６の態様による素子を形成する方法を提供し、該方法は、第５の態様の配合物をアノードおよびカソードの一方の上に堆積させるステップと、少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、発光層を形成するステップと、発光層上にアノードおよびカソードの他方を形成するステップとを含む。

第８の態様において、本発明は、式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）：

の発光繰り返し単位を含む発光ポリマーを提供し、
式中、Ｍは金属、好ましくは遷移金属であり、式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、Ｌ^２は、式（Ｉ）の錯体に関して記載されるように配位子であり、ｎは、１または２である。Ｌ^２は、式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の配位子とは異なる。好ましくは、ｎは１である。

好ましくは、Ｍは、式（Ｉ）の錯体に関して記載されるとおりである。イリジウム（ＩＩＩ）が特に好ましい。

好ましくは、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^１０は、それぞれ独立して、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位子に関して記載されるとおりである。

式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の繰り返し単位は、隣接する共繰り返し単位に直接結合されてよく、またはそこから離間されてよく、式（ＸＩＩＩａ−ｍ）および（ＸＩＩＩｂ−ｍ）に関して記載されるように、式（Ａｒ^４）_ｚの基によって離間されていてもよい。

第９の態様では、本発明は、アノード、カソードおよびアノードとカソードとの間の発光層を含む有機発光素子を提供し、発光層は第８の態様によるポリマーを含む。

第１０の態様では、本発明は、式（ＸＩＩＩａ−ｍ）または（ＸＩＩＩｂ−ｍ）：

のモノマーを提供し、
式中、Ｍ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^１０、ｎおよびＬ^２は、式（ＸＩＩＩａ）および（ＸＩＩＩｂ）の繰り返し単位に関して記載されるとおりであり、ＬＧは脱離基であり、Ａｒ^４はアリールまたはヘテロアリール基であり、ｚは０、１、２または３である。

好ましくは、ＬＧは存在するごとに、ハロゲン、ボロン酸およびそのエステル、ならびにスルホン酸およびそのエステル、より好ましくは、臭素、ヨウ素、ボロン酸またはボロン酸エステルから選択される。

Ａｒ^４は、好ましくは、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ_１〜１２アルキル基で置換されていてもよい１，４−連結フェニレンであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子は、Ｏ、Ｓ、ＣＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよい。ｚは好ましくは０または１である。Ａｒ^４の２つ以上の置換基とＡｒ^４が連結して、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ_１〜１２アルキル基で置換されていてもよい縮合芳香族基を形成してよく、１つ以上の非隣接Ｃ原子はＯ、Ｓ、ＣＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよい。

第１１の態様では、本発明は、ポリマーを形成する方法を提供し、該方法は、第１０の態様によるモノマーを重合するステップを含む。好ましくは、第１０の態様によるモノマーは、１つ以上のコモノマーと共重合して１つ以上の共繰り返し単位を形成する。

本発明を、図面を参照してより詳細に説明する。図中、
本発明の一実施形態によるＯＬＥＤの概略図である。 本発明の一実施形態による化合物を示す。 本発明の一実施形態によるさらなる化合物を示す。 本発明の一実施形態による素子および比較素子の外部量子効率のグラフである。

図１を参照すると、本発明の一実施形態によるＯＬＥＤ１００は、アノード１０１、カソード１０５およびアノードとカソードとの間の発光層１０３を有する。素子は、ガラスまたはプラスチック基板であってよい基板１０７上に支持される。

１つ以上のさらなる層を、アノードとカソードとの間に設けてよい。さらなる層が、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、電子輸送層および電子ブロッキング層の１つ以上から選択されていてもよい。

例示的なＯＬＥＤ層構造としては、以下が挙げられる。

アノード／発光層／カソード
アノード／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード。

好ましくは、アノードと発光層との間に正孔注入層が存在する。

好ましくは、アノードと発光層との間に正孔輸送層が存在する。

好ましくは、正孔注入層および正孔輸送層の両方が存在する。

一実施形態では、実質的にすべての光が発光層１０３から放射される。他の実施形態では、発光層１０３に加え、１つ以上のさらなる層が発光してよい。正孔輸送層および電子輸送層の一方は、発光材料を含んでいてもよく、使用時に発光してもよい。

発光層１０３は、ホスト材料およびヘテロレプティック燐光性金属錯体を含み、金属錯体の配位子の上記または各置換基Ｘは、少なくとも１つの置換基Ｘが金属錯体のＳ_１遷移双極子モーメントと整列するように選択される。発光層１０３は、ホスト材料および金属錯体から構成されるか、または１つ以上のさらなる材料を含んでいてもよく、１つ以上のさらなる発光材料を含んでいてもよい。

本明細書で使用する場合「ヘテロレプティック」とは、燐光性金属錯体の配位子が、異なる配位基を有する少なくとも２つの配位子を含むことを意味する。

本明細書で使用する場合「Ｓ_１遷移双極子モーメントと整列した」は、少なくとも１つの置換基Ｘが、Ｓ^１遷移双極子モーメントベクトルと配位子−Ｘ結合との間の角度が１５°以下であるか、１０°以下であってよく、５°以下であってよく、０であってよいように配位子で置換されることを意味する。

本明細書で使用する場合、「発光配位子」は、例えばＭＬＣＴによって金属錯体の最低一重項励起状態（Ｓ_１）に寄与する分子軌道を有する配位子を意味する。

本明細書で使用する場合「補助配位子」は、例えばＭＬＣＴによって金属錯体の最低一重項励起状態（Ｓ_１）に寄与しない分子軌道を有する配位子を意味する。

ヘテロレプティック燐光性金属錯体は、限定されないが、赤色、緑色または青色発光材料であってよい。

青色発光材料は、４００〜４９０ｎｍの範囲内にピークを有するフォトルミネッセンススペクトルを有してよい。

緑色発光材料は、４９０ｎｍ超〜最大で５８０ｎｍの範囲内にピークを有するフォトルミネッセンススペクトルを有してよい。

赤色発光材料は、そのフォトルミネッセンススペクトルに５８０ｎｍ超〜最大で６５０ｎｍ、好ましくは６００〜６３０ｎｍのピークを有していてもよい。

発光材料のフォトルミネッセンススペクトルは、ＰＭＭＡ膜の材料５重量％を石英基板上に流し込んで０．３〜０．４の透過率値を達成し、Ｈａｍａｍａｔｓｕ製の装置Ｃ９９２０−０２を使用して窒素環境下で測定することによって測定してよい。

式（Ｉ）の金属錯体は、ＯＬＥＤが使用される場合に一緒になって白色光を生成する、１つ以上のさらなる発光材料を有してもよい。白色発光ＯＬＥＤは、２５００〜９０００Ｋの範囲内の温度で黒体によって放射されるＣＩＥｘ座標と等しいＣＩＥｘ座標、および黒体によって放射される上記光のＣＩＥｙ座標の０．０５または０．０２５以内のＣＩＥｙ座標を有していてもよく、２７００〜６０００Ｋの範囲内の温度で黒体によって放射されるＣＩＥｘ座標と等しいＣＩＥｘ座標を有していてもよい。

さらなる発光材料は、発光層１０３および／または素子の別の層もしくは他の層に提供されてよい。さらなる発光材料は、蛍光性または燐光性であってよい。

本発明者らは、本明細書に記載の燐光性金属錯体を素子の発光材料として使用することによって、高外部量子効率を有するＯＬＥＤが得られることを見出した。いかなる理論にも束縛されるものではないが、Ｓ_１遷移双極子モーメントと整列される置換基Ｘを提供することにより、金属錯体のＳ_１遷移双極子モーメントが、燐光性金属錯体がその上に堆積させられる表面の平面と整列すると考えられる。好ましくは、発光層は、０．８５未満、好ましくは０．５０または０．４０未満の異方性因子αを有する膜である。

好ましくは、式（Ｉ）の錯体は、八面体構造を有する。

式Ａの化合物は、本発明の一実施形態による金属錯体：

を例示する。

本明細書に記載の量子化学モデリングにより決定されるＳ_１遷移双極子モーメントは、式（Ａ）のＩｒ−Ｎ結合と平行に伸びる。式Ａの配位子−Ｘ結合と遷移双極子モーメントは、実質的に平行である。以下に図示する錯体（Ｂ）および（Ｃ）：

についても同様である。

少なくとも１つの置換基Ｘが、遷移双極子モーメントと整列される。

式（Ｉ）のｘが２である場合、金属−Ｎ結合は好ましくは平行である。式Ａ、ＢおよびＣに関して、ａｃａｃ配位子をさらなるフェニルピリジン配位子で置換することにより、錯体の他のＩｒ−Ｎ結合と平行ではないＩｒ−Ｎ結合を有する錯体が生成される。

式（Ｉ）のＭは、第２列および第３列のｄブロック元素、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金から選択されてよい。イリジウムが特に好ましい。

式（Ｉ）の化合物の上記または各Ｌ^１は、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：

の配位子から選択されてよく、
式中、Ｒ^１〜^１０は、Ｈ、置換基ＸまたはＸ以外の置換基からそれぞれ独立して選択され、
（ａ）金属錯体は式ＭＬ^１（Ｌ^２）_２を有し、式中、Ｒ^３、Ｒ^５およびＲ^９の１つ、２つもしくはそれ以上は置換基Ｘであり、または
（ｂ）金属錯体は式Ｍ（Ｌ^１）_２Ｌ^２を有し、式中、１つのＬ^１のＲ^３、Ｒ^５およびＲ^９の１つ、２つもしくはそれ以上は置換基Ｘであり、他のＬ^１のＲ^１〜Ｒ^１０の１つ以上は置換基Ｘである。

好ましくは、化合物は、式Ｍ（Ｌ^１）_２Ｌ^２を有し、Ｒ^３のみが式Ｘの基である。

１つ超の配位子Ｌ^１が存在する場合、基Ｘの置換は、異なる配位子Ｌ^１において同一でも異なっていてもよい。

好ましくは、各配位子Ｌ^１は、合成の容易さについて同じである。

置換基Ｘではない基Ｒ^１〜Ｒ^１０は、好ましくはＨ、Ｄ、ＦおよびＣ_１〜１０アルキルから選択され、１つ以上の非隣接Ｃ原子がＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦによって置換されていてもよい。アルキルではない２つ以上の隣接基Ｒ^１〜Ｒ^１０は、連結して、芳香族または非芳香族環（フェニルでもよい）を形成してよく、それは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。より好ましくは、置換基Ｘではない基Ｒ^１〜Ｒ^１０はＨである。

好ましくは、式（Ｉ）の錯体は、少なくとも３：１のアスペクト比ａ：ｂを有し、ａは錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における錯体の大きさであり、ｂは錯体の遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における錯体の大きさである。ａ：ｂ比は、少なくとも４：１または少なくとも５：１であってもよい。置換基Ｘは、式−（Ａｒ）_ｐを有し、式中、ｐは少なくとも２であり、３であってもよく、各Ａｒは独立して非置換または置換アリールもしくはヘテロアリール基である。大きさは本明細書に記載の分子モデリングによって決定されてよい。

置換基Ｘが発光体コアよりも高いＴ^１を有する場合、ｐは１〜１０であり得る。

好ましくは、各ＡｒがＣ_６〜２０アリール基（フェニルでもよい）、またはＣ原子およびＮ原子の６員ヘテロアリール（トリアジンでもよい）から独立して選択される。

各Ａｒは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換される。例示的な置換基はＣ_１〜２０アルキルであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子はＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子はＦで置換されていてもよい。

Ｌ^１とＸとの間の結合に隣接したＡｒ基の位置が、このような置換基で置換されていてもよく、Ｌ^１とＸとの間にねじれが生じる。

少なくとも１つのＡｒ基はＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよく、本明細書に記載の溶媒に対する式（Ｉ）の化合物の溶解性を高める。

式−（Ａｒ）_ｐの基は、直鎖状または分岐鎖状のＡｒ基であってよい。分岐鎖状の−（Ａｒ）_ｐ基は、デンドロンを形成してよい。

デンドロンは、置換されていてもよい式（ＩＩＩ）：

を有していてよく、
式中、ＢＰはコアへ結合するための分岐点を表し、Ｇ_１は第１世代の分岐基を表す。

デンドロンは、第１、第２、第３またはより高い世代のデンドロンであってよい。置換されていてもよい式（ＩＩＩａ）：

における場合と同様に、Ｇ_１は２つ以上の第２世代の分岐基Ｇ_２などで置換されていてもよく、
式中、ｕは０または１であり、ｖはｕが０である場合０、またはｕが１である場合０もしくは１であってよく、ＢＰはコアへ結合するための分岐点を表し、Ｇ_１、Ｇ_２およびＧ_３は第１、第２および第３世代のデンドロン分岐基を表す。好ましい一実施形態では、ＢＰおよびＧ_１、Ｇ_２．．．Ｇ_ｎのそれぞれはフェニルであり、各フェニルＢＰ、Ｇ_１、Ｇ_２ ．．．Ｇ_ｎ−１は３，５−連結フェニルである。

例示的な基Ｘとしては以下のものが挙げられ、それぞれが非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい：

式中、＊はＬ^１への結合点である。

例示的な配位子Ｌ^２は、
Ｎ，Ｎ−キレート配位子（ピリジンカルボキサミドでもよい）、ピリジルピラゾレート、ピリジルトリアゾレート、アミデート、
Ｎ，Ｏ−−キレート配位子（ピコリネートもしくはイミノフェノールでもよい）、および
Ｏ，Ｏ−−キレート配位子（ジケトネートでもよい）、または酢酸塩である。

例示的なジケトネートは、式：

を有し、
式中、Ｒ^２０およびＲ^２２はそれぞれ独立して置換基であり、Ｒ^２１はＨまたは置換基であり、Ｒ^２０およびＲ^２１、またはＲ^２１およびＲ^２２は連結して、環を形成してよい。好ましくは、Ｒ^２０、およびＲ^２２は、それぞれ独立してＣ_１〜１０アルキル基である。好ましくは、Ｒ^２１は、ＨまたはＣ_１〜１０アルキル基である。Ｒ^２０およびＲ^２１は、連結して、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、Ｃ_１〜２０のヒドロカルビル基から選択されてもよい１つ以上の置換基で置換されていてもよい６〜１０員芳香族または複素環式芳香族環を形成してよい。

例示的なジケトネートはａｃａｃおよび

である。Ｎ，Ｏ−キレート配位子としては式（Ｖ）：

の配位子が挙げられ、
式中、Ａｒ^２は、ヘテロアリール、好ましくは、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ_１〜１０アルキル基で置換されていてもよいＣ原子およびＮ原子の５〜１０員ヘテロアリール基である。

例示的なＮ，Ｎ−キレート配位子は、式（ＩＶ）：

を有し
式中、Ａｒ^２０は存在するごとに、独立して５〜１０員ヘテロアリール基であり、Ｎ原子およびＣ原子を含む５員ヘテロアリールでもよく、ピラゾールまたはトリアゾールでもよい。

式（ＩＶ）の配位子は、非置換であってもよく、または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。例示的な置換基は、Ｃ_６〜１０アリールまたは５〜１０員ヘテロアリール基（非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいフェニルでもよい）、およびＣ_１〜１０アルキルであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子がＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、Ｈ原子はＦで置換されていてもよい。

式（ＩＶ）の例示的な配位子は

である。

式（Ｉ）の化合物のＳ^１遷移双極子モーメントベクトルは、以下のステップに従ってＧａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．から入手可能なＧａｕｓｓｉａｎ０９ソフトウェアを使用して量子化学モデリングにより決定されてよい。

（ｉ）Ｂ３ＬＹＰ／６−３１ｇ（ｄ）を使用するＤＦＴ計算を使用して、分子の基底状態の構造を最適化する。

（ｉｉ）この構造を使用し、時間依存密度汎関数理論を使用して分子の励起状態を計算する。Ｓ_１遷移双極子モーメントは一重項励起状態のエネルギーと共に計算され、最低三重項励起状態の遷移双極子モーメントが最低一重項励起状態の遷移双極子モーメントと一致させられる。「ｌａｎｌ２ｄｚ」は、燐光性発光繰り返し単位、特にイリジウム発光繰り返し単位に使用される。

結合の長さおよび結合のベクトルは、このモデルから決定されてよい。

ホスト
式（Ｉ）の金属錯体と共に使用されるホストは、小分子、デンドリマーまたはポリマー材料であってよい。好ましくは、ホストはポリマーである。

式（Ｉ）の金属錯体とホストとの組成物の膜の異方性因子αの値は、ホストの構造の影響を受けることがある。

好ましくは、ホスト材料は、本明細書に記載されるように測定したα吸収値が、０．８５、好ましくは０．５０または０．４０未満である。

ポリマーホストは、棒状骨格を有してよい。

ホストポリマーは、アリーレンまたはヘテロアリーレン繰り返し単位を含む共役ポリマーであってもよい。

ポリマーは、式（ＶＩ）：

の共繰り返し単位を含んでよく、
式中、Ａｒは、アリーレンまたはヘテロアリーレン基、より好ましくは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいＣ_６〜２０アリール基であり、角度θは１４０°〜１８０°である。

式（ＶＩ）の例示的なアリーレン繰り返し単位としては１，４−連結フェニレン繰り返し単位、２，７−連結フルオレン繰り返し単位、２−８−連結フェナントレン繰り返し単位、２，８−連結ジヒドロフェナントレン繰り返し単位、および２，７−連結トリフェニレン繰り返し単位が挙げられるが、これらに限定されず、それぞれ非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

角度θは、１６０°〜１８０°であってよく、１７０°〜１８０°でもよい。１〜１００モル％でもよく、１０〜９５モル％または２０〜８０モル％でもよいポリマーの繰り返し単位は、式（ＶＩ）の繰り返し単位であってよい。

１，４−フェニレン繰り返し単位は、式（ＶＩＩ）：

を有してよく、
式中、ｗは存在するごとに、独立して０、１、２、３または４であり、１または２でもよく、Ｒ^７は存在するごとに、独立して置換基である。

存在する場合、各Ｒ^７は、
Ｃ_１〜２０アルキルでもよいアルキル（１つ以上の非隣接Ｃ原子が置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦで置換されていてもよい）；
非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールおよびヘテロアリール基、好ましくは１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されたフェニル；ならびに
各Ａｒ^１が独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｃは少なくとも１であり、１ ２または３であってもよい−（Ａｒ^１）_ｃ
からなる群から独立して選択されてよい。

Ａｒ^１は存在するごとに、好ましくはＣ_６〜２０アリール基、より好ましくはフェニルである。 基−（Ａｒ^１）_ｃは、ｃが少なくとも２である場合に、直鎖状または分岐鎖状のアリールまたはヘテロアリール基を形成してよい。 好ましいＡｒ^１の置換基は、Ｃ_１〜２０アルキル基である。

存在する場合、置換されたＮは−ＮＲ^２−であってよく、式中、Ｒ^２は、Ｃ_１〜２０アルキル、非置換フェニル、または１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されたフェニルである。

好ましくは、各Ｒ^７は、Ｃ_１〜４０ヒドロカルビルから独立して選択され、より好ましくはＣ_１〜２０アルキル、非置換フェニル、１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されたフェニル、直鎖状または分岐鎖状のフェニル基（各フェニルは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてよい）から選択される。

存在する場合、式（ＶＩＩ）の置換基Ｒ^７は、繰り返し単位の連結位置に隣接し、式（ＶＩＩ）の繰り返し単位と隣接した繰り返し単位との間で立体障害を引き起こし、隣接する繰り返し単位の一方または両方に対して式（ＶＩＩ）の繰り返し単位が面外にねじれることがある。

特に好ましい式（ＶＩＩ）の繰り返し単位は、式（ＶＩＩａ）：

を有する。２，７−連結フルオレン繰り返し単位は、式（ＩＸ）：

を有してよく、
式中、Ｒ^８は存在するごとに、同一または異なり、置換基であり、２つの基Ｒ^８が連結して環を形成してよく、上記のとおりＲ^７は置換基であり、ｄは０、１、２または３である。

各Ｒ^８は、
Ｃ_１〜２０アルキルでもよいアルキル（１つ以上の非隣接Ｃ原子が置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦによって置換されていてもよい）；
非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールおよびヘテロアリール基、好ましくは１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されたフェニル；
直鎖状または分岐鎖状のアリールまたはヘテロアリール基であって、それらの各基は、例えば式−（Ａｒ^７）_ｄの基（式中、各Ａｒ^７は独立してアリールまたはヘテロアリール基であり、ｄは少なくとも２であり、２または３でもよい）で独立して置換されていてもよく、好ましくは分岐鎖状または直鎖状のフェニル基であり、それらのそれぞれが非置換または１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよい、直鎖状または分岐鎖状のアリールおよびヘテロアリール基
からなる群から独立して選択されてよい。

好ましくは、各Ｒ^８は、独立してＣ_１〜４０ヒドロカルビル基である。

様々な基Ｒ^８は、国際公開第２０１２／１０４５７９号に開示されており、その内容は参照により全体が組み込まれる。

存在する場合、置換されたＮは−ＮＲ^２−であってよく、Ｒ^２は上記のとおりである。

例示的な置換基Ｒ^７は、アルキル、例えばＣ_１〜２０アルキルであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子がＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、置換アリールによって置換されていてもよく、置換ヘテロアリール、フッ素、シアノおよびアリールアルキルで置換されていてもよい。特に好ましい置換基としては、Ｃ_１〜２０アルキルおよび置換または非置換アリール、例えばフェニルが挙げられる。置換されていてもよいアリールの置換基としては、１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基が挙げられる。

ポリマー骨格における隣接した繰り返し単位のアリールまたはヘテロアリール基に対する式（ＩＸ）の繰り返し単位の共役の程度は、隣接した１または複数の繰り返し単位（例えば、３位および６位の一方または両方においてＣ_１〜２０アルキル置換基を担持する２，７−連結フルオレン）でねじれを生成するために、連結位置に隣接する１つ以上の位置における１つ以上の置換基Ｒ^８で繰り返し単位を置換することによって制御されてよい。

式（ＶＩ）の繰り返し単位は、式（Ｘ）または（ＸＩ）：

を有してよく、式中、Ｒ^７、Ｒ^８およびｄは、上記の式（ＶＩＩ）および（ＩＸ）に関して記載されるとおりである。

式（Ｘ）および（ＸＩ）のＲ^７基のいずれかが、他のいずれかのＲ^７基に連結して、環を形成してよい。そのように形成された環は、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。

式（ＸＩ）のＲ^８基のいずれかが、他のいずれかのＲ^８基に連結して、環を形成してよい。そのように形成された環は、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。

ホストポリマーは、式（Ｘ）：

の繰り返し単位を含んでよく、
式中、Ａｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１０は、それぞれ独立して非置換または１つ以上の置換基、１、２、３または４つでもよい置換基で置換され、ｚは存在するごとに独立して少なくとも１であり、１、２または３でもよく、好ましくは１であり、ＹはＮまたはＣＲ^１４であり、Ｒ^１４はＨまたは置換基、好ましくはＨまたはＣ_１〜１０アルキルであり、ただし少なくとも１つのＹはＮである。好ましくは、式（Ｘ）のＡｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１０はそれぞれフェニルであり、各フェニルは独立して１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。

Ａｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１０の置換基は、Ｃ_１〜２０アルキルでもよい置換または非置換アルキルから選択されてもよく、１つ以上の非隣接Ｃ原子が置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール（好ましくはフェニル）、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏまたは−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦで置換されていてもよい。

存在する場合、Ａｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１０の好ましい置換基は、Ｃ_１〜４０ヒドロカルビル、好ましくはＣ_１〜２０アルキルまたはヒドロカルビル架橋基である。

好ましい一実施形態では、基Ｙの３つすべてがＮである。

式（Ｘ）のＡｒ^１０は、好ましくはフェニルであり、１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基または架橋性単位で置換されていてもよい。架橋性単位は、Ａｒ^１０に直接結合されるか、またはスペーサー基によってＡｒ^１０から離間されてよい。

好ましくは、ｚは１であり、Ａｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１０のそれぞれは、非置換フェニルまたは１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されたフェニルである。

式（Ｘ）の特に好ましい繰り返し単位は、非置換または１つ以上の置換基Ｒ^５、好ましくは１つ以上のＣ_１〜２０アルキル基で置換されていてもよい式（Ｘａ）を有する。

式（Ｉ）の金属錯体は、ホストおよび式（Ｉ）の金属錯体を含む組成物の０．１〜４０重量％の範囲内の量で提供されてよい。

ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、金属錯体の最低三重項励起状態のエネルギー準位と少なくとも同じまたはより高い。三重項エネルギー準位は、低温燐光分光法（Ｙ．Ｖ．Ｒｏｍａｏｖｓｋｉｉ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０００，８５（５），ｐ１０２７，Ａ．ｖａｎ Ｄｉｊｋｅｎ ｅｔ ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００４，１２６，ｐ７７１８）によって測定される燐光スペクトルのエネルギー開始から測定されてよい。

金属錯体は、ホストと混合されてよく、またはホストに共有結合されてよい。ホストポリマーの場合には、金属錯体は、ポリマー骨格の側基あるいは末端基として、またはポリマーの骨格における繰り返し単位として提供されてよい。

発光ポリマー
式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の発光繰り返し単位を含む発光ポリマーは、０．８以下、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．５以下の異方性因子αを有することが好ましい。異方性因子αの値は、発光繰り返し単位および／または共繰り返し単位の構造および／またはモル百分率によって影響を受けてよい。共繰り返し単位は、整列した発光繰り返し単位と組み合わさって、ポリマーの必要な異方性因子αを与えるように選択されてよい。

適切な共繰り返し単位としては、電子輸送共繰り返し単位、正孔輸送共繰り返し単位、および発光共繰り返し単位が挙げられ、発光共繰り返し単位の遷移双極子モーメントは、ポリマー骨格とは整列されない。

共繰り返し単位は、棒状骨格を形成してよい。

好ましくは、発光ポリマーは、式（ＶＩ）の共繰り返し単位を含んでよい。式（ＶＩ）の共繰り返し単位は、ホストに関して上記したとおりである。

式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の発光繰り返し単位を含む発光ポリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定した、約１ｘ１０^３〜１ｘ１０^８、好ましくは１ｘ１０^３〜５ｘ１０^６の範囲のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）を有していてもよい。本明細書に記載されるポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１ｘ１０^３〜１ｘ１０^８、好ましくは１ｘ１０^４〜１ｘ１０^７であってよい。

重合法
本明細書に記載の共役ポリマーは、その内容が参考により本明細書に組み込まれる、国際公開第００／５３６５６号、国際公開第０３／０９１３５５号および欧州特許第１２４５６５９号に開示されるように、ヤマモト重合およびスズキ重合などの金属触媒重合によって形成されてよい。

好ましくは、ポリマーは、モノマーの重合時に脱離する脱離基を含むモノマーを重合することによって形成される。好ましくは、ポリマーは、モノマーの芳香族炭素原子に結合するボロン酸およびエステル基を含むモノマーと、ハロゲン、スルホン酸またはスルホン酸エステル、好ましくは臭素またはヨウ素から選択され、パラジウム（０）またはパラジウム（ＩＩ）触媒および塩基の存在下でモノマーの芳香族炭素原子に結合する脱離基を含むモノマーとを重合することによって形成される。

例示的なボロン酸エステルは、式（ＸＩＩ）：

を有し、
式中、Ｒ^６は存在するごとに、独立してＣ_１〜２０アルキル基であり、＊はボロン酸エステルがモノマーの芳香環に結合する点を表し、２つの基Ｒ^６は連結して環を形成してよい。

溶液処理
本明細書に記載の発光層は、式（Ｉ）の化合物の溶液、ホストおよび、存在する場合は、溶媒または溶媒混合物中に溶解させた発光層のその他の成分を堆積させることによって形成されてよい。

例示的な溶媒は、Ｃ_１〜１０アルキル、Ｃ_１〜１０アルコキシおよび塩素、例えばトルエン、キシレンおよびメチルアニソールから選択される１つ以上の置換基で置換されたベンゼンである。

例示的な溶液堆積技法としては、スピンコーティング、ディップコーティング、フレキソ印刷、インクジェット印刷、スロットダイコーティングおよびスクリーン印刷などの印刷技法およびコーティング技法が挙げられる。スピンコーティングおよびインクジェット印刷が、特に好ましい。

スピンコーティングは、発光層のパターニングが不必要な素子、例えば照明用途または単純なモノクロセグメントディスプレイなどの素子に特に適している。

発光層は、堆積後アニールされてよい。好ましくは、アニーリングは、ポリマーのガラス転移温度未満である。

インクジェット印刷は、情報量の多いディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに特に適している。素子は、パターン化層を第１電極上に提供すること、および１色（モノクロ素子の場合）または多色（多色の場合、特にフルカラー素子の場合）の印刷用ウェルを画定することによってインクジェット印刷されてよい。パターン化層は、典型的には、例えば欧州特許第０８８０３０３号に記載されるように、ウェルを画定するためにパターニングされるフォトレジストの層である。

ウェルの代替として、インクは、パターン化層内で画定されたチャネルに印刷されてよい。特に、ウェルとは異なり、複数の画素にわたって広がり、チャネル端で閉鎖または開放されてよいチャネルを形成するために、フォトレジストをパターニングしてもよい。

存在する場合、ＯＬＥＤのアノードとカソードとの間のさらなる層は、本明細書に記載の溶液堆積法によって形成されてよい。

正孔注入層
導電性有機材料または無機材料から形成されてよい導電性正孔注入層は、アノードから半導体ポリマーの１または複数の層への正孔注入を改善するために、アノードと発光層との間またはＯＬＥＤの層間に設けられてよい。ドープされる有機正孔注入材料の例としては、置換されていてもよいドープされたポリ（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）、特に、欧州特許第０９０１１７６号および欧州特許第０９４７１２３号に開示されるようなポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などの電荷平衡ポリ酸でドープされたＰＥＤＴ、ポリアクリル酸またはフッ素化スルホン酸（例えばＮａｆｉｏｎ（登録商標））、米国特許第５７２３８７３号および米国特許第５７９８１７０号に開示されるようなポリアニリン、および置換されていてもよいポリチオフェンまたはポリ（チエノチオフェン）が挙げられる。 導電性無機材料の例としては、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｄ：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ （１９９６），２９（１１），２７５０−２７５３に開示されるようなＶＯｘ ＭｏＯｘおよびＲｕＯｘなどの遷移金属酸化物が挙げられる。

正孔輸送層が存在する場合、正孔注入層は、アノードと正孔輸送層との間に設けられてよい。

電荷輸送層および電荷ブロッキング層
正孔輸送層は、アノードと１または複数の発光層との間に設けられてよい。 電子輸送層は、カソードと１または複数の発光層との間に設けられてよい。

電子ブロッキング層は、アノードと発光層との間に設けられてよく、正孔ブロッキング層は、カソードと発光層との間に設けられてよい。輸送層とブロッキング層は、組み合わせて使用されてよい。単層のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位に応じて、単層は、正孔および電子の一方の輸送と、正孔および電子のもう一方のブロックとの両方を行ってよい。

正孔輸送層は、サイクリックボルタンメトリーによる測定で、好ましくは５．５ｅＶ以下、より好ましくは約４．８〜５．５ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する。 正孔輸送層のＨＯＭＯ準位は、（発光層などの）隣接層の０．２ｅＶ以内（０．１ｅＶ以内でもよい）となるように選択されてもよく、これは、これらの層間の正孔輸送に対して小さいバリアを設けることが目的である。上記のとおり、正孔輸送層は、式（Ｉ）の繰り返し単位を含むポリマーであってよい。

発光層とカソードとの間に位置する電子輸送層は、サイクリックボルタンメトリーによる測定で、約２．５〜３．５ｅＶのＬＵＭＯ準位を有することが好ましい。例えば、０．２〜２ｎｍの範囲内の厚さを有する一酸化ケイ素もしくは二酸化ケイ素の層、または他の薄誘電体層が、カソードに最も近い発光層とカソードとの間に設けられてよい。ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位を、サイクリックボルタンメトリーを使用して測定してよい。

正孔輸送ポリマーは、式（ＶＩＩＩ）：

の繰り返し単位を含むホモポリマーまたはコポリマーであってよく、
式中、Ａｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１０は存在するごとに置換または非置換アリールまたはヘテロアリールから独立して選択され、ｇは０、１または２、好ましくは０または１であり、Ｒ^１３は存在するごとに独立してＨまたは置換基、好ましくは置換基であり、ｃ、ｄおよびｅはそれぞれ独立して１、２または３である。

ｇが１または２である場合、同一でも異なっていてもよいＲ^１３は存在するごとに、好ましくは、アルキル、例えばＣ_１〜２０アルキル、Ａｒ^１１、分岐鎖状もしくは直鎖状のＡｒ^１１基、または式（ＶＩＩＩ）のＮ原子に直接結合される、もしくはスペーサー基によってそこから離間される架橋性単位からなる群から選択され、Ａｒ^１１は存在するごとに、独立して置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールである。例示的なスペーサー基は、Ｃ_１〜２０アルキル、フェニルおよびフェニル−Ｃ_１〜２０アルキルである。

同一のＮ原子に直接結合するＡｒ^８、Ａｒ^９、存在する場合はＡｒ^１０およびＡｒ^１１から選択される任意の２つの芳香族または複素環式芳香族基は、別のＡｒ^８、Ａｒ^９、Ａｒ^１０およびＡｒ^１１に直接結合または二価連結原子もしくは基によって連結されてよい。好ましい二価連結原子および基としては、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、および置換Ｃが挙げられる。

Ａｒ^８およびＡｒ^１０は、好ましくはＣ_６〜２０アリール、より好ましくはフェニルであり、これは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

ｇ＝０である場合、Ａｒ^９は好ましくはＣ_６〜２０アリール、より好ましくはフェニルであり、これは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

ｇ＝１である場合、Ａｒ^９は好ましくはＣ_６〜２０アリール、より好ましくはフェニルまたは多環式芳香族基、例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセンまたはフルオレンであり、これは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

Ｒ^１３は、好ましくはＡｒ^１１または分岐鎖状もしくは直鎖状のＡｒ^１１基である。Ａｒ^１１は存在するごとに、好ましくは、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいフェニルである。

例示的な基Ｒ^１３としては、以下が挙げられ、それぞれが非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、＊はＮに結合する点を表す。

ｃ、ｄおよびｅは、好ましくはそれぞれ１である。

Ａｒ^８、Ａｒ^９および存在する場合Ａｒ^１０およびＡｒ^１１は、それぞれ独立して非置換または１つ以上の置換基、１、２、３または４つの置換基で置換されていてもよい。例示的な置換基は、
Ｃ_１〜２０アルキルでもよい置換または非置換アルキル（１つ以上の非隣接Ｃ原子は、アリールまたはヘテロアリール（好ましくはフェニル）で置換されていてもよく、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯおよび１つ以上のＨ原子はＦで置換されていてもよい）、ならびに
Ａｒ^８、Ａｒ^９、Ａｒ^１０もしくはＡｒ^１１に直接結合する、またはその一部を形成する、またはスペーサー基によってそこから離間される架橋性基、例えばそうした二重結合およびビニルもしくはアクリレート基、またはベンゾジクロロブタン基を含む基から選択されてよい。

Ａｒ^８、Ａｒ^９および存在する場合、Ａｒ^１０およびＡｒ^１１の好ましい置換基は、Ｃ_１〜４０ヒドロカルビル、好ましくはＣ_１〜２０アルキルまたはヒドロカルビル架橋基である。

式（ＶＩＩＩ）の好ましい繰り返し単位としては、式１〜３：

の単位が挙げられる。

好ましくは、式１の繰り返し単位のＡｒ^８、Ａｒ^１０およびＡｒ^１１はフェニルであり、Ａｒ^９はフェニルまたは多環式芳香族基である。

好ましくは、式２および式３の繰り返し単位のＡｒ^８、Ａｒ^９およびＡｒ^１１はフェニルである。

好ましくは、式３の繰り返し単位のＡｒ^８およびＡｒ^９はフェニルであり、Ｒ^１１はフェニルまたは分岐鎖状または直鎖状のフェニル基である。

式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位を含むポリマーは、式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位および１つ以上の共繰り返し単位を含むホモポリマーまたはコポリマーであってよい。

コポリマーの場合、式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位は、約１〜９９モル％の範囲内、約１〜５０モル％であってもよいモル量で提供されてよい。

上記のとおり、例示的な共繰り返し単位としては、アリーレン単位でもよいアリーレン繰り返し単位が挙げられる。

電子輸送層は、フルオレン繰り返し単位鎖などの置換されていてもよいアリーレン繰り返し単位鎖を含むポリマーを含んでよい。

カソード
カソードは、発光層への電子の注入を可能にする仕事関数を有する材料から選択される。カソードと発光材料との間の有害な相互作用の可能性などの他の要素が、カソードの選択に影響を与える。カソードは、アルミニウムの層などの単一の材料から構成されていてよい。あるいは、複数の導電性材料、例えば国際公開第９８／１０６２１号に開示されるように、低仕事関数材料とカルシウムおよびアルミニウムなどの高仕事関数材料との２層といった複数の導電性金属を含んでよい。カソードは、例えば、国際公開第９８／５７３８１号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，８１（４），６３４、および国際公開第０２／８４７５９号に開示されるような元素状バリウムの層を含んでよい。カソードは、電子注入を助けるために、有機半導体層と１つ以上の導電性カソード層との間の金属化合物の薄層（例、１〜５ｎｍ）、特にアルカリまたはアルカリ土類金属の酸化物またはフッ化物を含んでよく、例えば、国際公開第００／４８２５８号に開示されるようにフッ化リチウム、例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９（５），２００１に開示されるようにフッ化バリウム、および酸化バリウムを含んでよい。素子への効率的な電子注入を提供するために、カソードは、好ましくは３．５ｅＶ未満、より好ましくは３．２ｅＶ未満、最も好ましくは３ｅＶ未満の仕事関数を有する。金属の仕事関数は、例えば、Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４８（１１），４７２９，１９７７に見出すことができる。

カソードは、不透明または透明であってよい。アクティブマトリクス素子には透明なカソードが特に有利である。なぜならこのような素子において、透明なアノードを通した発光は、発光画素の下に位置する駆動回路によって少なくとも部分的にブロックされるためである。透明なカソードは、透明になるように十分薄い電子注入材料の層を含む。典型的には、この層の横方向の導電率は、その薄さにより低い。この場合、電子注入材料の層は、酸化インジウムスズなどの透明な導電性材料のより厚い層と組み合わせて使用される。

透明なアノードを有する必要がない透明なカソード素子（もちろん、十分に透明な素子が望まれない限り）、そして下部発光型素子に使用する透明なアノードは、アルミニウム層などの反射性材料の層で置換または補足されてよいことが理解されるであろう。透明なカソード素子の例は、例えば、英国特許第２３４８３１６号に開示されている。

カプセル化
有機光電子素子は、水分および酸素に敏感な傾向がある。したがって、基板は、素子への水分および酸素の進入を防止するために、良好なバリア特性を有することが好ましい。基板は一般にガラスであるが、特に素子の可撓性が望まれる場合、代替基板が使用されてよい。例えば、基板は、１つ以上のプラスチック層、例えばプラスチック層と誘電体バリア層との交互の基板、または薄ガラスとプラスチックとの積層体を含んでよい。

素子は、水分および酸素の進入を防止するために、カプセル化材料（図示せず）でカプセル化されてよい。適切なカプセル化材料としては、ガラスシート、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ素またはポリマーの交互積層体などの適切なバリア特性を有する膜、および誘電体または気密容器が挙げられる。透明なカソード素子の場合、一酸化ケイ素または二酸化ケイ素などの透明なカプセル化層は、ミクロンレベルの厚さに堆積させてよいが、好ましい一実施形態では、そのような層の厚さは２０〜３００ｎｍの範囲内である。基板またはカプセル化材料に浸透してよいいかなる大気中の水分および／または酸素も吸収するためのゲッタ材料は、基板とカプセル化材料との間に配置されてよい。

測定
異方性因子αは、Ｍ Ｆｌａｍｍｉｃｈ ｅｔ ａｌ，Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １２，２０１１，ｐ．１６６３−１６６８に記載されるように、発光分光法を使用して測定され、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。平均双極子配向は、ｚ方向が薄膜の平面に対して垂直であるベクトル（ｘ、ｙ、ｚ）によって表すことが可能である。本明細書の全体で使用されるように、これはさらにＦｌａｍｍｉｃｈらにおいて使用される垂直成分ｐ_｜｜：ｐ_⊥＝（ｘ＋ｙ）：ｚに平行な比率として、またはあるいは異方性因子α＝ｚ／ｘ＝ｚ／ｙとしてパラメータ化され得る。この方法で、等方配向は（１、１、１）によって表すことが可能であり、ｐ_｜｜：ｐ_⊥＝２：１であり、α＝１である。加えて、異方配向の一例は、（０．３５７１、０．３５７１、０．２８５８）として表すことができ、ｐ_｜｜：ｐ_⊥＝２．５：１およびα＝０．８である。

吸収異方性は、Ｒａｍｓｄａｌｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｖｏｌ．１４（３），ｐ２１２（２００２）に記載されている分光偏光解析法を使用して最低エネルギー吸収のピークを分析することによって測定される。

特に指定しない限り、本明細書で提供されるα値は、上記のとおり、発光分光法によって測定される。

本明細書のあらゆる箇所に記載される矩形波サイクリックボルタンメトリーは、作用電極の電位を、時間に対して線形に勾配をなすことによって実施されてよい。矩形波ボルタンメトリーが設定電位に達すると、作用電極の電位勾配が反転する。この反転は、１回の実験中に複数回起こり得る。作用電極で電流は、印加電圧に対してプロットされ、サイクリックボルタモグラムトレースが得られる。

ＣＶによってＨＯＭＯまたはＬＵＭＯのエネルギー準位を測定する装置は、ｔｅｒｔ−ブチル過塩素酸アンモニウム／またはｔｅｒｔブチル六フッ化リン酸アンモニウムのアセトニトリル溶液を含むセル、試料が膜としてコーティングされるガラス状炭素作用電極、白金対極（電子の供与体または受容体）および参照ガラス電極Ａｇ／ＡｇＣｌリークなしを含んでもよい。計算目的で、実験の最後にフェロセンをセルに添加する。

Ａｇ／ＡｇＣｌ／フェロセンと試料／フェロセンとの間の電位差の測定。

方法および設定：
直径３ｍｍのガラス状炭素作用電極
Ａｇ／ＡｇＣｌ／リークなしの参照電極
Ｐｔワイヤ補助電極
０．１Ｍテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート アセトニトリル溶液
ＬＵＭＯ＝４．８−フェロセン（ピークからピークまでの最大平均）＋開始
試料：３０００ｒｐｍで回転させたトルエン溶液１滴５ｍｇ／ｍＬのＬＵＭＯ（還元）測定
２００ｍＶ／ｓおよび−２．５Ｖのスイッチング電位で測定した厚膜に、良好な可逆性還元事象が典型的に観察される。還元事象は、１０サイクルにわたって測定および比較されるべきであり、通常第３サイクルで測定値が取られる。開始は、還元事象の最勾配部分の最適ラインとベースラインとの交差で取られる。 ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ値は、周囲温度で測定されてよい。

［実施例］
［化合物の実施例１］
以下の反応スキームに従ってステップ１〜４を実施した。

ステップ１：中間体２の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、熱ソケット、窒素導入口および出口を備えた５Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１） ４−ブロモピリジン塩酸塩（８０ｇ、０．４１１３モル）のＴＨＦ懸濁液（２０００ｍＬ）をフラスコに入れた。

２） 反応混合物を−７８℃まで冷却し、１Ｍの臭化フェニルマグネシウム（９１７ｍＬ、０．９１７２モル）を追加の漏斗から添加し、１時間、内部温度を７５℃〜−７０℃に維持した。

３） 反応混合物を−７８℃で３０分間維持した。

４） クロロギ酸フェニル（５４．２ｍＬ、０．４３１９モル）を−７８℃で反応混合物に滴下した。

５） 反応混合物をゆっくりと室温まで温め、室温で１６時間維持した。

６） ２０％塩化アンモニウム溶液（１０００ｍＬ）を反応混合物に添加した。

７） 反応混合物を、酢酸エチル（２×１０００ｍＬ）で抽出した。

８） 合わせた有機層をＮａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ濃縮し、薄茶色の粘性油として１８０ｇの粗中間体２を得た。

９） 粗製物を、溶離液として２％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するシリカゲル（２３０〜４００メッシュ）を通してフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色の粘性油として７８．１％のＨＰＬＣ純度を有する１１２ｇの中間体２を得た（収率＝７６．５％）。

ステップ２：

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、窒素導入口および出口を備えた５Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１． 中間体２（１１２ｇ、０．３１４４モル）を、トルエン（２０００ｍＬ）の入った５Ｌの反応フラスコに入れた。

２． ｏ−クロラニル（８５ｇ、０．３４５８モル）の酢酸溶液（１５００ｍＬ）を、室温で３０分間にわたり、反応混合物に添加した。

３． 反応混合物を、室温で１６時間撹拌した。

４． 次いで、混合物を氷浴中で０℃まで冷却した。

５． ２０％ＮａＯＨ水溶液（５Ｌ）を反応混合物にゆっくり添加し、ｐＨを１０〜１１の範囲に調整した。

６． 溶液を、メチルｔ−ブチルエーテル（２０００ｍＬ×３）で抽出した。

７． 合わせた有機層を、水（２０００ｍＬ）、ブライン溶液（１５００ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ濃縮し、薄茶色の粘性油として１０８ｇの粗生成物を得た。

８． 粗生成物を、溶離液として２％のＥｔＯＡｃのヘキサン溶液を使用するＧｒａｃｅカラムクロマトグラフィーにより３バッチ（各３６ｇ）で精製し、淡黄色の粘性油として９７．８％のＨＰＬＣ純度を有する５８．８ｇの生成物を得た。それは、不純物として生成物のクロロ誘導体１．８８％を含有していた（収率＝８０％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ［ｐｐｍ］７．４３（ｄｄ，Ｊ＝１．７６，５．２８Ｈｚ，１Ｈ），７．４７−７．５３（ｍ，３Ｈ），７．９３ （ｄ，Ｊ＝１．７２Ｈｚ，１Ｈ），７．９８−８．００（ｍ，２Ｈ），８．５３（ｄ，Ｊ＝５．２８Ｈｚ，１Ｈ）．
ステップ３：中間体３の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた３Ｌの４口丸底フラスコ。

実験手順：
１． ジオキサン（１０９０ｍＬ）中のステップ２の生成物（５８．８ｇ、０．２５１１モル）を、Ｒ．Ｂ．フラスコに入れた。

２． ビス（ピナコラト）ジボロン（９５．６７ｇ、０．３７６８モル）および酢酸カリウム（７４ｇ、０．７５３３モル）を、混合物に添加した。

３． 混合物を、Ｎ_２ガスで１時間脱気した。

４． ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）（４．１ｇ、０．００５モル）を、混合物に添加した。

５． 反応混合物を９０℃まで加熱し、３時間維持した。

６． 反応混合物を室温まで冷却し、ｎ−ヘキサン（２Ｌ）で希釈し、４０分間撹拌し、セライト床を通して濾過した。

７． 濾液を濃縮して、粗生成物として１０８ｇの中間体３を得た。

８． 粗製物を、溶離液として中性Ａｌ_２Ｏ_３および５％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９５．９３％のＨＰＬＣ純度を有する６８ｇの中間体３を得た（収率＝９６．３％）。

ステップ４

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた５Ｌの４口丸底フラスコ。

実験手順：
１． 中間体３（６５ｇ、０．２３１３モル）および５−ブロモ−２−ヨードトルエン（４）（６８．６７ｇ、０．２３１３モル）を、トルエン／エタノール（３：１）混合物（１３６０ｍＬ）に入れた。

２． 混合物を、Ｎ_２ガスで４０分間脱気した。

３． 炭酸ナトリウム（７３．５５ｇ、０．６９３９モル）を添加し、続いて水（３４０ｍＬ）を添加し、Ｎ_２ガスで３０分間パージした。

４． Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（５．３４ｇ、０．００４６モル）を添加し、Ｎ_２ガスでさらに３０分間パージした。

５． 反応混合物を８０℃まで加熱し、２０時間維持した。

６． 反応混合物を室温まで冷却し、水（１．５Ｌ）を添加した。

７． 有機層を分離し、水層をＥｔＯＡｃ（１０００ｍＬ×３）で抽出した。

８． 合わせた有機層を、水（１．５Ｌ）、ブライン（１．５Ｌ）で洗浄し、Ｎａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ濃縮し、薄茶色の粘性油として８０ｇの粗生成物を得た。

９． 粗製物を、２３０〜４００シリカゲルおよび溶離液として６％のジエチルエーテルのヘキサン溶液を使用する反復カラムクロマトグラフィーにより精製し、９９．７８％のＨＰＬＣ純度を有する薄オレンジ色の固体として３０ｇの生成物を得た（収率＝４０％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ［ｐｐｍ］２．３１（ｓ，３Ｈ），７．１４−７．１９（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．５２（ｍ，５Ｈ），７．６７ （ｓ，１Ｈ），８．０３（ｄ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ，２Ｈ），８．７５（ｄ，Ｊ＝５．２０Ｈｚ，１Ｈ）．
ステップ５

５ｇ（１５．４ミリモル）の２−フェニル−４−（２−メチル−４−ブロモフェニル）ピリジンおよび４’−ｎ−オクチルビフェニル−４−ボロン酸ピナコールエステル（１．２当量）を、トルエン（５０ｍＬ）に溶解し、窒素で１時間バブリングした。Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（０．０１当量）およびＳＰｈｏｓ（０．０２当量）をを添加し、混合物を窒素でさらに１０分間バブリングした。窒素でバブリングすることによりＥｔ_４ＮＯＨ（２０％水溶液、４当量）を脱気し、反応物に添加し、混合物を撹拌し、１１５℃で２０時間加熱した。

室温まで冷却した後、有機部分を分離し、水で洗浄し、次いで溶媒を除去して灰色固体を得た。これをジクロロメタン溶液からアセトニトリルに沈殿させ、続いてメタノールによる粉砕によって精製した。最後に、この材料を酢酸エチルに溶解し、残った未溶解材料を濾過により除去した。濾液からの溶媒除去により、５．７ｇの白色固体を得た（収率７３％）。

ステップ６

５．７ｇの出発材料（１１．１８ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）（０．４当量）を、フラスコに入れ、２−エトキシエタノールと水との混合物（７６ｍＬ、３：１混合物）に懸濁した。混合物を撹拌しながら窒素で１時間バブリングし、次いで１２０℃まで１７時間加熱した。室温まで冷却した後、２００ｍＬの水を添加し、混合物を３０分間撹拌した。黄色沈殿物を濾過により回収した。生成物をジクロロメタンからヘプタンに沈殿させ、続いてトルエンからメタノールに沈殿させることによって精製した。これにより３．２７ｇの黄色固体を得た（収率８５％）。

ステップ７

３．２７ｇ（１．３１ミリモル）の出発材料、炭酸ナトリウム（５当量）、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（５当量）および２−エトキシエタノール（６５ｍＬ）をフラスコに入れ、窒素で１時間バブリングした。次いで反応物を撹拌し、１２０℃で２０時間加熱した。室温まで冷却した後、２００ｍＬの水をフラスコに添加し、次いで混合物を４００ｍＬの水が入ったビーカーに注いだ。得られた沈殿物をブフナー漏斗に回収し、メタノールで洗浄した。得られた黄色固体を、ジクロロメタンとヘプタンとの混合物中での再結晶によって精製し、１．８５ｇの生成物を得た（収率５１％）。

生成物を図２に図示した。

^１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−ｄ）δ＝８．４６（２Ｈ，ｄ，Ｊ_{２，２’，３，３’}＝５．８Ｈｚ，Ｈ−２，２’），７．８４（２Ｈ，ｓ，Ｈ−５，５’），７．７４−７．７７（４Ｈ，ｍ，Ｈ−２１”‘，２１’，２１，２１”），７．７０−７．７３（４Ｈ，ｍ，Ｈ−２２”‘，２２’，２２，２２”），７．６５（２Ｈ，ｓ，Ｈ−１７，１７’），７．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ｈ−１５，１５’），７．６１（１Ｈ，ｓ，Ｈ−９’，９），７．６０（５Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ｈ−２５”‘，２５’，２５，２５”），７．４８（２Ｈ，ｄ，Ｊ_{１４，１４’，１２，１２’}＝７．７Ｈｚ，Ｈ−１４，１４’），７．２６−７．３２（４Ｈ，ｍ，Ｈ−２６”‘，２６’，２６，２６”），７．１１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ_{３，３’，２，２’}＝５．８Ｈｚ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，Ｈ−３，３’），６．８５（２Ｈ，ｔ，Ｊ_{１０，１０’，１１，１１’}＝７．３Ｈｚ，Ｈ−１０，１０’），６．７６（２Ｈ，ｔ，Ｊ_{１１，１１’，１０，１０’}＝７．４Ｈｚ，Ｈ−１１，１１’），６．５７（２Ｈ，ｄ，Ｊ_{１２，１２’，１４，１４’}＝８．１Ｈｚ，Ｈ−１２，１２’），５．５５（１Ｈ，ｓ，Ｈ−３８），２．６８（４Ｈ，ｔ，Ｊ_{２８’，２８，２９’，２９}＝７．８Ｈｚ，Ｈ−２８’，２８），２．４９（６Ｈ，ｓ，Ｈ−１９’，１９），１．６８（４Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ_{２９’，２９，２８’，２８}＝７．６Ｈｚ，Ｈ−２９’，２９），１．３０−１．４１（１２Ｈ，ｍ，Ｈ−３２’，３２，３１’，３１，３０’，３０），１．２６−１．３１（５Ｈ，ｍ，Ｈ−３３’，３３），１．２５−１．４２（４Ｈ，ｍ，Ｈ−３４’，３４），０．９５（１８Ｈ，ｓ，Ｈ−４３’，４３，４３”‘，４１’，４１，４１”），０．８７−０．９３（６Ｈ，ｍ，Ｈ−３５’，３５）
［化合物の実施例２］

ステップ１：中間体３の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１） ４−ｔｅｒｔ−ブチル−ベンゾニトリル（１）（１００ｇ、０．６２８９モル）、尿素（９．４５ｇ、０．１５７２モル）のＤＭＳＯ溶液（８００ｍＬ）に、水素化ナトリウム（１３ｇ、０．３１４５モル）を、室温で少しずつゆっくりと添加し、１６時間撹拌した。

２） 反応混合物の完了後、５％酢酸水溶液（２Ｌ）を添加し、１時間撹拌した。

３） 生成した白色固体を濾過し、水（１０００ｍＬ）、石油エーテル（２００ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥させ、７３ｇの４，６−ビス−（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−［１，３，５］トリアジン−２−オール（３）を白色固体として得た。

４） それをそのまま次のステップに使用した。

ステップ２：中間体４の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器および凝縮器を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１） 中間体（３）（７３ｇ、０．２０１９モル）とＰＯＣｌ_３（７３０ｍＬ）との混合物を９０℃で３時間加熱した。

２） 反応終了後、高真空下でＰＯＣｌ_３を留去した。

３） 得られた残渣を、氷水（１０００ｍＬ）に注意深く添加し、３０分間撹拌した。

４） 形成された固体を濾過し、水で洗浄し、真空下で乾燥させ、中間体（４）を白色固体として得た（３３ｇ、２ステップで１３．８％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］８．４７（ｄ，Ｊ＝７．８８Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ，４Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ）．

ステップ３：中間体６の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１） ４−ブロモ−２−ピリジン塩酸塩（４５ｇ、０．２３１４モル）のＴＨＦ溶液（７００ｍＬ）を、フラスコに入れた。

２） 反応混合物を−７８℃まで冷却し、２Ｍの臭化フェニルマグネシウム（２８１ｍＬ、０．５６２２モル）を追加の漏斗から１時間にわたり−７５℃〜−７０℃を維持しながら加えた。

３） 反応マスを−７８℃で１時間維持した。

４） クロロギ酸フェニル（４２．０２ｇ、０．２６８４モル）のＴＨＦ溶液（２００ｍＬ）を、反応マスに−７８℃で添加した。

５） 反応マスをゆっくりと室温まで温め、室温で１６時間維持した。

６） ２０％塩化アンモニウム溶液（４００ｍＬ）を、反応マスに添加した。

７） 反応マスを酢酸エチル（２×５００ｍＬ）で抽出した。

８） 合わせた有機層をＮａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ留去し、７２ｇの粗製物を得た。

９） 粗製物を、精製することなくそのまま次のステップに用いた。

ステップ４：中間体７の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１． 粗製物（４５ｇ）を、トルエン（９００ｍＬ）の入った２Ｌの反応フラスコに入れた。

２． ｏ−クロラニル（６９．９７ｇ、０．２８４６モル）の酢酸溶液（５２０ｍＬ）を、室温で３０分間にわたり反応マスに添加した。

３． 反応マスを室温で１６時間撹拌した。

４． １０％ＮａＯＨ水溶液を、反応マスにゆっくりと添加し、ｐＨを１０〜１１の範囲に調整した。

５． 反応マスをセライト床を通して濾過した。

６． トルエン層に濃塩酸（１００ｍＬ）を添加し、１０分間撹拌した。

７． 有機層を分離し、ｐＨを１０〜１１の範囲に調整することによって１０％ＮａＯＨ溶液で２回洗浄した。

８． 有機層をメチルｔ−ブチルエーテル（２００ｍＬ×３）で抽出した。

９． 合わせた有機層をＮａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ、留去し、ＨＰＬＣにより純度９０．７％を有する中間体（７）４０ｇを得た。

１０． 粗製物を、溶離液として中性Ａｌ_２Ｏ_３および２％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９７．２％のＨＰＬＣ純度を有する３４ｇの（７）を得た。

ステップ５：中間体８の合成

装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの４口丸底フラスコ。

実験手順：
１． 中間体（７）（３４ｇ、０．１４５２モル）、ビス（ピナコラト）ジボロン（５５．３２ｇ、０．２１７９モル）および酢酸カリウム（４２．７７ｇ、０．４３５７モル）を、ジオキサン（５５０ｍＬ）に入れた。

２． 上記混合物をＮ_２ガスで３０分間脱気した。

３． ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）（５．９３ｇ、０．００７３モル）を添加した。

４． 反応混合物を１００℃まで加熱し、２時間維持した。

５． 反応混合物を室温まで冷却し、セライト床を通して濾過した。

６． 濾液を濃縮し、粗生成物として８を５８ｇ得た。

７． 粗製物を、溶離液として中性Ａｌ_２Ｏ_３および２％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９６．４％のＨＰＬＣ純度を有する４５ｇの（８）を得た。

ステップ６

装置の設定：
機械的撹拌器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。

実験手順：
１） 窒素雰囲気下での、中間体４（４９ｇ、０．１２９０モル）、中間体８（３９．８８ｇ、０．１４１９モル）および炭酸ナトリウム（３４．１８ｇ、０．３２２５モル）、トルエン（８００ｍＬ）および蒸留水（２００ｍＬ）。

２） 上記反応混合物を脱気し、アルゴンで３０分間パージした。

３） Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（７．４５ｇ、０．００６４モル）を添加し、反応マスを１００℃で１６時間加熱した。

４） 暗褐色粗製物マスを室温まで冷却し、セライト床を通して濾過し、酢酸エチル（５００ｍＬ）で洗浄した。

５） 濾液に水（５００ｍＬ）を添加した。

６） 有機相を分離し、ブライン（５００ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、濃縮して、粗生成物として約６１ｇの暗褐色油を得た。

７） アセトニトリル（４００ｍＬ）を粗製物に添加し、室温で２時間撹拌した。

８） 固体を濾別し、アセトニトリル（２×１００ｍＬ）で洗浄した。

９） 粗製物を、シリカゲル（２３０〜４００メッシュ）および溶離液として５％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９８．９％のＨＰＬＣ純度を有する３８ｇの生成物を得た。

１０） 化合物（３８ｇ）を、アセトニトリル（５６０ｍＬ）と酢酸エチル（２４０ｍＬ）との混合物に溶解し、室温まで冷却した。

１１） 固体を濾別し、真空下で乾燥させ、９９．６７％のＨＰＬＣ純度を有する３１ｇを得た（収率：４８．２％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ［ｐｐｍ］９．０３（ｓ，１Ｈ），８．９７（ｄ，Ｊ＝５．０４Ｈｚ，１Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，４Ｈ），８．５３（ｄ，Ｊ＝５．０４Ｈｚ，１Ｈ），８．２０（ｄ，Ｊ＝７．１６ Ｈｚ，２Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，４Ｈ），７．５７−７．６１ （ｍ，２Ｈ），７．５２−７．５３（ｍ，１Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ）．

^１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ［ｐｐｍ］１７２．００，１７０．０６，１５８．３９，１５６．５６，１５０．４２，１４４．８７，１３９．２０，１３３．１１，１２９．２６，１２８．９３，２８．８６，１２７．１６，１２５．７６，１２０．８０，１１９．２３，３５．１６，３１．２２
ステップ７

６．４５ｇの塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（１８．２ミリモル）および出発材料（２．２当量）をフラスコに入れ、２−エトキシエタノール／水（３６０ｍＬ）の３：１の混合物に懸濁した。混合物を、１２５℃で１４時間撹拌する前に１時間脱気した。反応の間、容器を光から保護した。室温まで冷却した後、水２００ｍＬを添加し、混合物を１５分間撹拌した。沈殿固体を濾過により回収し、水２００ｍＬ、続いてエタノール３００ｍＬおよびメタノール５００ｍＬで洗浄した。さらに精製することなく使用した生成物−１８．９８ｇ（収率８５％）。

ステップ８

３ｇ（１．２３ミリモル）の出発材料および炭酸ナトリウム（１０．０当量）を、フラスコに入れ、８０ｍＬの２−エトキシエタノールに懸濁した。滴下漏斗中で、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（４．０当量）を、２０ｍＬの２−エトキシエタノールに溶解した。両溶液を窒素で４０分間バブリングした。反応フラスコを撹拌し、６０℃まで加熱し、次いで滴下漏斗からの溶液を添加した。温度を１３０℃まで上げ、反応物を１８時間撹拌した。室温まで冷却した後、水１００ｍＬをフラスコに添加し、２０分間撹拌した。沈殿生成物を濾過によって回収し、水で洗浄した。得られた濃赤色固体を、カラムクロマトグラフィー、続いてトルエン／アセトニトリルからの再結晶によって精製した。

生成物を図３に図示した。

^１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−ｄ）δ＝９．１７（２Ｈ，ｓ，Ｈ−５，５’），８．７５（８Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ｈ−１８”，１８””‘，１８”””‘，１８’，１８，１８””，１８”‘，１８”””），８．７１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｈ−２，２’），８．３７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，Ｈ−３，３’），７．８５−７．９０（２Ｈ，ｍ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｈ−１２，１２’），７．６６（８Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ｈ−１９”，１９””‘，１９”””‘，１９’，１９，１９””，１９”‘，１９””），６．９２−６．９７（１Ｈ，ｍ，Ｍ０２），６．９４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ｈ−１１，１１’），６．７６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ｈ−１０，１０’），６．４６−６．５０（２Ｈ，ｍ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｈ−９，９’），５．５８（１Ｈ，ｓ，Ｈ−２５），１．４４（３７Ｈ，ｓ，Ｈ−２２”，２２””‘，２２＊，２２’，２２”””‘，２２”””，２２＊’，２２，２２””，２２”‘，２２”””，２２””””‘），０．９８（１５Ｈ，ｓ，Ｈ−２８”，２８，２８’，３０，３０”，３０’）
［組成物の実施例１］
化合物の実施例２の組成物（５重量％）およびホストポリマー１（９５重量％）の膜を、スピンコーティングによって形成し、異方性因子αを、本明細書に記載されるように、発光分光法によって測定した。

ホストポリマー１は、国際公開第００／５３６５６号に記載されるように、スズキ重合によって形成されたポリマーであり、上記のとおり式ＶＩＩａ（５０モル％）、ＸＩ（４０モル％）およびＸ（１０モル％）の繰り返し単位を含む。

α値は０．７９であった。

比較組成物１
下記の比較化合物１を化合物の実施例２の代わりに使用した以外は、組成物の実施例１について記載されるように、膜を調製した。

α値は１．０９であった。

比較化合物１
［組成物の実施例２］
化合物の実施例１の組成物（５重量％）およびホストポリマー２（９５重量％）の膜を、スピンコーティングすることによって形成し、異方性因子αを、本明細書に記載されるように、発光分光法によって測定した。

ホストポリマー２は、国際公開第００／５３６５６号に記載されるように、スズキ重合によって形成されたポリマーであり、上記のとおり式ＶＩＩａ（５０モル％）およびＸＩ（５０モル％）の繰り返し単位を含む。

α値は０．３３であった。

比較素子１
以下の構造を有する有機発光素子を調製した。ＩＴＯ／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＬＥＬ／カソード
であって、ＩＴＯがインジウム−スズ酸化物アノードであり、ＨＩＬが正孔注入材料を含む正孔注入層であり、ＨＴＬが正孔輸送層であり、ＬＥＬが発光層である。

ＵＶ／オゾンを使用してＩＴＯを担持する基板（４５ｎｍ）を洗浄した。正孔注入材料の配合物をスピンコーティングすることによって、正孔注入層を約６５ｎｍの厚さに形成した。式（ＶＩＩ）のフェニレン繰り返し単位、式（ＶＩＩＩ−１）のアミン繰り返し単位および式（ＩＸａ）の架橋性繰り返し単位を含む正孔輸送ポリマーをスピンコーティングし、加熱することによってポリマーを架橋することによって正孔輸送層を約２２ｎｍの厚さに形成した。ホストポリマー３：比較化合物２（７０重量％：３０重量％）の混合物をスピンコーティングすることによって、発光層を約８３ｎｍの厚さに形成した。約２ｎｍの厚さのフッ化ナトリウムの第１の層、約１００ｎｍの厚さのアルミニウムの層および約１００ｎｍの厚さの銀の層の発光層上に、カソードを形成した。

ホストポリマー３は、セット１のモノマーの重合によって形成された第１のブロック、およびセット２のモノマーの重合によって形成された第２のブロックについて国際公開第００／５３６５６号に記載されるように、スズキ重合によって形成されたブロックポリマーである。

セット１：

セット２：

比較化合物２は、以下の構造を有する。

［素子の実施例１］
５重量％の比較化合物１を５重量％の化合物の実施例１で置き換えた以外は、比較素子１について記載されるように、素子を調製した。

素子の実施例１の効率は約９７ｃｄ／Ａであったのに対し、比較素子１の効率は約７６ｃｄ／Ａであった。

図４を参照すると、素子の実施例１（実線）の外部量子効率は、比較素子１（点線）の外部量子効率よりもかなり高い。

本発明を特定の例示的な実施形態に関して説明してきたが、本明細書に開示された特徴の様々な変更、改変および／または組み合わせが、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱することなく当業者には明らかであることが理解されよう。
本発明は一態様において、以下を提供する。
[項目１]
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ ^１ ）ｘ（Ｌ ^２ ）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ ^１ は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ ^２ は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
各Ｌ ^１ は式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：

の基であり、
式中、Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１０ は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ ^１ のＲ ^３ 、Ｒ ^５ およびＲ ^９ の少なくとも１つが式−（Ａｒ） _ｐ （式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である、金属錯体。
[項目２]
ｘが２である、項目１に記載の金属錯体。
[項目３]
式（Ｉ）の前記化合物が、式（Ｉａ）：

を有する、項目２に記載の金属錯体。
[項目４]
各配位子Ｌ ^１ が、式−（Ａｒ） _ｐ の少なくとも１つの置換基で置換されている、項目２または３に記載の金属錯体。
[項目５]
前記２つの配位子Ｌ ^１ が同じである、項目４に記載の金属錯体。
[項目６]
少なくとも１つの配位子Ｌ ^１ のＲ ^３ のみが置換基−（Ａｒ） _ｐ である、項目１〜５のいずれかに記載の金属錯体。
[項目７]
ｙが１である、項目１〜６のいずれかに記載の金属錯体。
[項目８]
前記または各Ｌ ^２ が、独立して二座配位子である、項目１〜７のいずれかに記載の金属錯体。
[項目９]
前記または各Ｌ ^２ が、Ｎ，Ｎ−キレート配位子、Ｎ，Ｏ−−キレート配位子、およびＯ，Ｏ−−キレート配位子からなる群から独立して選択される、項目８に記載の金属錯体。
[項目１０]
Ｍがイリジウムである、項目１〜９のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１１]
各Ａｒが、独立して、炭素原子および窒素原子の非置換もしくは置換フェニルまたは非置換もしくは置換ヘテロアリールである、項目１〜１０のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１２]
前記または各配位子Ｌ ^１ の唯一の置換基または複数の置換基が、式−（Ａｒ）ｐの置換基である、項目１〜１１のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１３]
Ａｒが、非置換または１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、項目１〜１２のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１４]
−（Ａｒ）ｐが、式：

の基であり、
式中、各フェニルは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換され、Ｒ ^１２ はＨまたは置換基である、項目１３に記載の金属錯体。
[項目１５]
項目１〜１４のいずれかに記載の金属錯体およびホストを含む、組成物。
[項目１６]
前記ホストがポリマーである、項目１５に記載の組成物。
[項目１７]
項目１５または１６に記載の組成物および少なくとも１つの溶媒を含む、配合物。
[項目１８]
アノード、カソードおよび項目１５または１６に記載の組成物を含む前記アノードと前記カソードとの間の発光層を含む、有機発光素子。
[項目１９]
項目１７に記載の前記配合物を、前記アノードおよび前記カソードの一方の上に堆積させるステップと、
前記少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、前記発光層を形成するステップと、
前記発光層上に前記アノードおよびカソードの他方を形成するステップと、
を含む、項目１８に記載の素子を形成する方法。
[項目２０]
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ ^１ ）ｘ（Ｌ ^２ ）ｙ （Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ ^１ は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ ^２ は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ ^１ は、式−（Ａｒ） _ｐ （式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、
前記金属錯体の遷移双極子モーメントベクトルと少なくとも１つのＬ１−（Ａｒ） _ｐ 結合の結合ベクトルとの間の角度が１５°未満である、金属錯体。
[項目２１]
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ ^１ ）ｘ（Ｌ ^２ ）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ ^１ は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ ^２ は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ ^１ は式−（Ａｒ） _ｐ （式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、その結果、前記金属錯体のａ：ｂ比は少なくとも３：１であり、ａは前記錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における前記錯体の大きさであり、ｂは前記錯体の前記遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における前記錯体の大きさである、金属錯体。

Claims (14)

1. 式（Ｉ）の燐光発光性金属錯体：
   Ｍ（Ｌ^１）ｘ（Ｌ^２）ｙ （Ｉ）
   式中、
   Ｍはイリジウムであり、
   Ｌ^１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
   Ｌ^２は補助配位子であり、Ｌ^２が１つの場合の前記Ｌ^２、またはL²が２以上ある場合の各Ｌ^２は、Ｎ，Ｎ−キレート配位子、Ｎ，Ｏ−−キレート配位子、およびＯ，Ｏ−−キレート配位子からなる群から独立して選択され、
   ｘは少なくとも１であり、
   ｙは少なくとも１であり、
   各Ｌ^１は式（ＩＩａ）：
   

   

   
   の基であり、
   式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ^１のＲ^３ およびＲ^５の少なくとも１つが式−（Ａｒ）_ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいフェニレンまたはトリアジン基であり、ｐは少なくとも２であり、＊で示される原子はMに直接結合する）の基である燐光発光性金属錯体、およびホストを含む組成物であって、
   該ホストはアリーレンまたはヘテロアリーレン繰り返し単位を含む共役ポリマーである、前記組成物。
2. ｘが２である、請求項１に記載の組成物。
3. 式（Ｉ）の前記発光性金属錯体が、式（Ｉａ）：
   

   

   
   を有する、請求項２に記載の組成物。
4. 各配位子Ｌ^１が、式−（Ａｒ）_ｐの少なくとも１つの置換基で置換されている、請求項２または３に記載の組成物。
5. 前記２つの配位子Ｌ^１が同じである、請求項４に記載の組成物。
6. 少なくとも１つの配位子Ｌ^１のＲ^３のみが置換基−（Ａｒ）_ｐである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
7. ｙが１である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
8. Ｌ^２が１つの場合の前記Ｌ^２、またはL²が２以上ある場合の各Ｌ^２が、独立して二座配位子である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
9. 配位子Ｌ^１が１つの場合の前記配位子Ｌ^１、または配位子Ｌ^１が２以上ある場合の各配位子Ｌ^１の唯一の置換基または複数の置換基が、式−（Ａｒ）ｐの置換基である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
10. Ａｒが、非置換または１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
11. −（Ａｒ）ｐが、式：
    

    

    
    の基であり、
    式中、各フェニルは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換され、Ｒ^１２はＨまたは置換基である、請求項１０に記載の組成物。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物および少なくとも１つの溶媒を含む、配合物。
13. アノード、カソードおよび請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物を含む前記アノードと前記カソードとの間の発光層を含む、有機発光素子。
14. 請求項１２に記載の前記配合物を、前記アノードおよび前記カソードの一方の上に堆積させるステップと、
    前記少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、前記発光層を形成するステップと、
    前記発光層上に前記アノードおよびカソードの他方を形成するステップと、
    を含む、請求項１３に記載の素子を形成する方法。

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