TW201716421A - 金屬錯合物及有機發光裝置 - Google Patents

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Abstract

一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)其中：M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；各L1為式(IIa)或(IIb)之基團：□其中R1至R10各自獨立地為H或取代基，其限制條件為至少一個L1的R3、R5及R9中之至少一者為式-(Ar)p之基團，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2。

Description

金屬錯合物及有機發光裝置
含有活性有機材料之電子裝置正吸引愈來愈多的注意力，供用於諸如有機發光二極體(OLED)、有機光響應裝置(尤其係有機光伏打裝置及有機光感測器)、有機電晶體及記憶體陣列裝置之裝置中。含有活性有機材料之裝置供應諸如低重量、低功率消耗及可撓性之益處。此外，可溶有機材料之使用允許在裝置製造中使用溶液處理，例如，噴墨印刷或旋轉塗佈。
OLED包含陽極、陰極及陽極與陰極之間的一或多個有機發光層。可在陽極與陰極之間提供非發光層，例如，電荷傳輸層。
在裝置之操作期間經由陽極將電洞注入至裝置中，且經由陰極注入電子。發光材料的最高佔用分子軌域(HOMO)中之電洞及最低未佔用分子軌域(LUMO)中之電子組合而形成將其能量作為光釋放之激子。
發光材料包括小分子、高分子及樹狀體材料。螢光發光聚合物包括諸如聚(對-伸苯基伸乙烯基)之聚(伸芳基伸乙烯基)，及諸如聚茀之聚伸芳基。
發光摻雜劑，例如，螢光或磷光摻雜劑，可與電荷傳輸主體材料配合使用。
在OLED內所產生光之顯著比例可反射或在裝置內吸收，從而限制裝置之外部量子效率。
金姆等人在Adv.Mater.26(23),3844-3847,2014「Highly Efficient Organic Light-Emitting Diodes with Phosphorescent Emitters Having High Quantum Yield and Horizontal Orientation of Transition Dipole Moments」中揭示了一種在水平方向中具有較佳偶極定向之雜配位銥錯合物。
US8809841揭示一種裝置，其中發光中心材料之躍遷偶極矩平行於基板之頂部表面，且其中主體材料之躍遷偶極矩平行於基板之頂部表面。
Kozhevnikov等人在Chem.Mater.,2013,25(11),pp 2352-2358中揭示下式之化合物1及5：
本發明之目標為改良有機發光裝置之效率。
在第一態樣中，本發明提供一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)
其中：M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；且 各L1為式(IIa)或(IIb)之基團：
其中R1至R10各自獨立地為H或取代基，其限制條件為至少一個L1的R3、R5及R9中之至少一者為式-(Ar)p之基團，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2。
在第二態樣中，本發明提供一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)
其中：M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；至少一個L1經至少一個式-(Ar)p之基團取代，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2，且該金屬錯合物之躍遷偶極矩向量與至少一個L1-(Ar)p鍵的鍵向量之間的角度小於15°。
在第三態樣中，本發明提供一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)
其中： M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；至少一個L1經至少一個式-(Ar)p之基團取代，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2，使得該金屬錯合物之a：b比率至少為3：1，其中a為該錯合物在平行於該錯合物之躍遷偶極矩的方向中之尺寸，且b為該錯合物在垂直於該錯合物之該躍遷偶極矩的任何方向中之尺寸。
在第四態樣中，本發明提供一種組合物，該組合物包含根據該第一、第二或第三態樣之金屬錯合物及主體。
在第五態樣中，本發明提供一種調配物，該調配物包含根據該第四態樣之組合物及至少一種溶劑。
在第六態樣中，本發明提供一種有機發光裝置，該有機發光裝置包含陽極、陰極及該陽極與該陰極之間的發光層，該發光層包含根據該第五態樣之組合物。
在第七態樣中，本發明提供一種形成根據該第六態樣之裝置的方法，該方法包含以下步驟：將該第五態樣之該調配物沈積於該陽極及該陰極中之一者上方，及蒸發該至少一種溶劑以形成該發光層，及在該發光層上方形成該陽極及該陰極中之另一者。
在第八態樣中，本發明提供一種發光聚合物，該發光聚合物包含式(XIIIa)或(XIIIb)之發光重複單位：
其中M為金屬，較佳地過渡金屬；其中R1、R2、R3、R4、R6、R7、R8及R10各自獨立地為H或取代基；L2為如參考該式(I)之錯合物所描述之配位體；且n為1或2。L2不同於該式(XIIIa)或(XIIIb)之配位體。較佳地，n為1。
較佳地，M如參考該式(I)之錯合物所描述。銥(III)尤其較佳。
較佳地，R1、R2、R3、R4、R6、R7、R8及R10各自獨立地如參考該式(IIa)或(IIb)之配位體所描述。
該等式(XIIIa)或(XIIIb)之重複單位可直接鍵結至鄰近共同重複單位或可自其間隔開，視情況由式(Ar4)z之基團間隔開，如參考式(XIIIa-m)及(XIIIb-m)所描述。
在第九態樣中，本發明提供一種有機發光裝置，該有機發光裝置包含陽極、陰極及該陽極與該陰極之間的發光層，其中該發光層包含根據該第八態樣之聚合物。
在第十態樣中，本發明提供一種式(XIIIa-m)或(XIIIb-m)之單體：
其中M、R1、R2、R3、R4、R6、R7、R8及R10、n及L2如參考式(XIIIa)及(XIIIb)之重複單位所描述；LG為脫離基；Ar4為芳基或雜芳基；且z為0、1、2或3。
較佳地，LG在每次出現時係選自鹵素；其硼酸及酯；及其磺酸及酯，更佳地溴、碘、硼酸或硼酸酯。
Ar4較佳地為1,4-連結伸苯基，該伸苯基可未經取代或經一或多個取代基，視情況一或多個C1-12烷基取代，其中一或多個不相鄰C原子可由O、S、CO或COO置換。z較佳地為0或1。Ar4之兩個或更多個取代基可經連結以與Ar4形成經融合芳族基，該芳族基可未經取代或經一或多個取代基，視情況一或多個C1-12烷基取代，其中一或多個不 相鄰C原子可由O、S、CO或COO置換。
在第十一態樣中，本發明提供一種形成聚合物之方法，該方法包含聚合根據該第十態樣之單體的步驟。較佳地，根據該第十態樣之該單體與一或多個共聚單體共聚合以用於形成一或多個共同重複單位。
100‧‧‧有機發光二極體(OLED)
101‧‧‧陽極
103‧‧‧發光層
105‧‧‧陰極
107‧‧‧基板
現將參考圖式更詳細地描述本發明；其中：圖1為根據本發明之一實施例的OLED之示意性說明；圖2說明根據本發明之一實施例的化合物；圖3說明根據本發明之一實施例的又一化合物；且圖4為根據本發明之一實施例的裝置及比較性裝置之外部量子效率的圖形。
參看圖1，根據本發明之一實施例的OLED 100具有陽極101、陰極105、及陽極與陰極之間的發光層103。裝置支撐於基板107上，基板107可為玻璃或塑膠基板。
可在陽極與陰極之間提供一或多個其他層。視情況，其他層可選自電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層及電子阻擋層中之一或多者。
例示性OLED層結構包括以下各者：陽極/發光層/陰極
陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極
陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極
陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極。
較佳地，電洞注入層存在於陽極與發光層之間。
較佳地，電洞傳輸層存在於陽極與發光層之間。
較佳地，電洞注入層及電洞傳輸層兩者皆存在。
在一個實施例中，大體上所有光自發光層103發射。在其他實施例中，除了發光層103以外，一或多個其他層亦可發射光。視情況，電洞傳輸層及電子傳輸層中之一者包含發光材料，且在使用中發射光。
發光層103含有主體材料及雜配位磷光金屬錯合物，其中選擇金屬錯合物之配位體的取代基X或各取代基X，使得至少一個取代基X與金屬錯合物之S1躍遷偶極矩對準。發光層103可由主體材料及金屬錯合物組成，或可包含一或多個其他材料，視情況一或多個其他發光材料。
如本文所使用之「雜配位」意謂磷光金屬錯合物之配位體包括具有不同配位基之至少兩個配位體。
如本文所使用之「與S1躍遷偶極矩對準」意謂至少一個取代基X在配位體上經取代，使得S1躍遷偶極矩向量與配位體-X鍵之間的角度不大於15°，視情況不大於10°，視情況不大於5°，視情況為0。
如本文所使用之「發光配位體」意謂具有(例如，藉由MLCT)促成金屬錯合物的最低單重激發態(S1)之分子軌域的配位體。
如本文所使用之「輔助配位體」意謂具有並不(例如，藉由MLCT)促成金屬錯合物的最低單重激發態(S1)之分子軌域的配位體。
雜配位磷光金屬錯合物可為(但不限於)發射紅色、綠色或藍色光之材料。
發射藍色光之材料可具有具有在400至490nm範圍內之峰值的光致發光光譜。
發射綠色光之材料可具有具有在大於490nm多至580nm範圍內之峰值的光致發光光譜。
發射紅色光之材料可視情況在其光致發光光譜中具有大於580 nm多至650nm，較佳地為600至630nm之峰值。
可藉由將PMMA薄膜中之5wt%材料鑄造至石英基板上以達成0.3至0.4之透射率值，及使用由濱松(Hamamatsu)供應之設備C9920-02在氮氣環境中進行量測來量測發光材料之光致發光光譜。
式(I)之金屬錯合物可配備有在OLED使用時組合起來產生白色光之一或多個其他發光材料。發射白光之OLED可具有等效於由黑體在2500至9000K範圍內之溫度下發射的CIE x座標，及由黑體發射之該光的CIE y座標之0.05或0.025內的CIE y座標，視情況等效於由黑體在2700至6000K範圍內之溫度下發射的CIE x座標。
可在發光層103中及/或在裝置之另一層或其他層中提供其他發光材料。其他發光材料可為螢光或磷光的。
本發明入已發現可藉由使用如本文所描述之磷光金屬錯合物，及裝置之發光材料來獲得具有高外部量子效率之OLED。在不希望受任何理論束縛之情況下，咸信提供與S1躍遷偶極矩對準之取代基X使得金屬錯合物之S1躍遷偶極矩與磷光金屬錯合物沈積於上之表面的平面對準。較佳地，發光層為具有小於0.85，較佳地小於0.50或0.40之各向異性因數α的薄膜。
較佳地，式(I)之錯合物具有八面體幾何形狀。
式A之化合物說明根據本發明之一實施例的金屬錯合物：
S1躍遷偶極矩，如藉由如本文所描述之量子化學模型化判定，平行於式(A)之Ir-N鍵而延伸。式A之配位體-X鍵與躍遷偶極矩大體上平 行。此同樣適用於下文所說明之錯合物(B)與(C)：
至少一個取代基X與躍遷偶極矩對準。
在式(I)之x為2的情況下，金屬-N鍵較佳地平行。參考式A、B及C，以又一苯基吡啶配位體置換acac配位體將產生錯合物，該錯合物具有並不平行於錯合物之另一Ir-N鍵的Ir-N鍵。
式(I)之M可選自列2及3d區元素，且較佳地選自釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑及金。銥尤其較佳。
視情況，式(I)之化合物之L1或各L1係選自式(IIa)或(IIb)之配位體：
其中：R1至R10各自獨立地選自H、取代基X或除X以外之取代基；且(a)金屬錯合物具有式ML1(L2)2，且R3、R5及R9中之一者、兩者或更多者為取代基X；或(b)金屬錯合物具有式M(L1)2L2，其中一個L1的R3、R5及R9中之一者、兩者或更多者為取代基X，且另一L1的R1至R10中之一或多者 為取代基X。
較佳地，化合物具有式M(L1)2L2，且僅R3為式X之基團。
若多於一個配位體L1存在，則基團X之取代物可在不同配位體L1上相同或不同。
較佳地，各配位體L1為了易於合成而相同。
並非取代基X之基團R1至R10較佳地選自H、D、F及C1-10烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由O、S、C=O或COO置換，且一或多個H原子可由F置換。並非烷基之兩個或更多個鄰近基團R1至R10可經連結以形成可未經取代或經一或多個取代基(視情況一或多個C1-20烷基)取代之芳族或非芳族環，視情況苯基。更佳地，並非取代基X之基團R1-R10為H。
較佳地，式(I)之錯合物具有至少3：1之縱橫比a：b，其中a為錯合物在平行於錯合物之躍遷偶極矩的方向中之尺寸，且b為錯合物在垂直於錯合物之躍遷偶極矩的任何方向中之尺寸。視情況，a：b比率為至少4：1或至少5：1。取代基X具有式-(Ar)p，其中p至少為2，視情況為3，且各Ar獨立地為未經取代或經取代之芳基或雜芳基。尺寸可藉由如本文所描述之分子模型化予以判定。
倘若取代基X具有比發射器核心高之T1，則p可為1至10。
較佳地，各Ar獨立地選自C6-20芳基，視情況苯基，或C與N原子之6元雜芳基，視情況三嗪。
各Ar獨立地未經取代或經一或多個取代基取代。例示性取代基為C1-20烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由O、S、C=O或COO置換，且一或多個H原子可由F置換。
視情況，以此類取代基取代Ar基團鄰近於L1與X之間的鍵之位置，以在L1與X之間產生扭轉。
視情況，至少一個Ar基團由C1-20烷基取代，以加強式(I)化合物 在如本文所描述之溶劑中的可溶性。
式-(Ar)p之基團可為直鏈或支鏈Ar基團。-(Ar)p基團之支鏈可形成樹突。
樹突可具有視情況經取代之式(III)
其中BP表示用於附接至核心之分支點，且G1表示第一代分支基團。
樹突可為第一、第二、第三或更高代樹突。G1可經兩個或更多個第二代分支基團G2取代，以此類推，如同視情況經取代之式(IIIa)：
其中u為0或1；若u為0，則v為0；或若u為1，則v可為0或1；BP表示用於附接至核心之分支點，且G1、G2及G3表示第一、第二及第三代樹突分支基團。在一個較佳實施例中，BP及G1、G2...Gn中之每一者為苯基，且各苯基BP、G1、G2...Gn-1為3,5連結苯基。
例示性基團X包括以下各者，其中之每一者可未經取代或經一或多個取代基取代：
其中*為至L1之附接點。
例示性配位體L2為：N,N-螯合配位體，視情況吡啶甲醯胺、吡啶基吡唑特、吡啶基三唑特、醯胺化物；N,O-螯合配位體，視情況吡啶甲酸鹽或亞氨苯酚；及O,O-螯合配位體，視情況二酮；或乙酸酯。
例示性二酮具有式：
其中R20及R22各自獨立地為取代基；R21為H或取代基；且其中R20與R21或R21與R22可經連結以形成環。較佳地，R20及R22各自獨立地為C1-10烷基。較佳地，R21為H或C1-10烷基。R20與R21可經連結以形成可未經取代或經一或多個取代基，視情況選自C1-20烴基之一或多個取代基取代之6至10元芳香族或雜芳環。
例示性二酮為acac，且：
N,O--螯合配位體包括式(V)之配位體：
其中Ar2為雜芳基，較佳地可未經取代或經一或多個取代基，視情況一或多個C1-10烷基取代之C及N原子的5至10元雜芳基。
例示性N,N-螯合配位體具有式(IV)：
其中Ar20獨立地在每次出現時為5至10元雜芳基，視情況含有N及C原子之5元雜芳基，視情況為吡唑或三唑。
式(IV)之配位體可未經取代或經一或多個取代基取代。例示性取代基為C6-10芳基或5至10元雜芳基，視情況可未經取代或經一或多個取代基取代之苯基，及C1-10烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由O、S、C=O，或COO置換，H原子可由F置換。
式(IV)之例示性配位體為：
可使用可購自Gaussian,Inc.之Gaussian09軟體而根據以下步驟來藉由量子化學模型化判定式(I)之化合物之S1躍遷偶極矩向量：
(i)在使用B3LYP/6-31g(d)之過程中使用DFT計算最佳化分子之基態幾何形狀。
(ii)使用此幾何形狀，使用時間相依性密度泛函理論以計算分子之激發態。連同單重激發態之能量計算S1躍遷偶極矩，且取得最低三重激發態之躍遷偶極矩以匹配最低單重激發態之躍遷偶極矩。「1an12dz」係用於磷光發光重複單位，特定而言，銥發光重複單位。
可自此模型判定鍵長度及鍵向量。
主體
與式(I)之金屬錯合物配合使用的主體可為小分子，樹狀體或聚合材料。較佳地，主體為聚合物。
式(I)之金屬錯合物與主體之組合物的薄膜之各向異性因數α值可受主體之結構影響。
較佳地，主體材料具有0.85，較佳地小於0.50或0.40的如本文描述所量測的α吸收值。
高分子主體可具有棒狀主鏈。
視情況，主體聚合物為包含伸芳基或伸雜芳基重複單位之共軛聚合物。
聚合物可包含式(VI)之共同重複單位：
其中Ar為可未經取代或經一或多個取代基取代之伸芳基或伸雜芳基，更佳地C6-20芳基，且角度θ為140°至180°。
式(VI)之例示性伸芳基重複單位包括(但不限於)1,4-連結伸苯基重複單位；2,7-連結茀重複單位；2-8-連結菲重複單位；2,8-連結二氫菲重複單位；及2,7-連結聯伸三苯重複單位，該等單位中之每一者可未經取代或經一或多個取代基取代。
視情況，角度θ為160°至180°，視情況170°至180°。視情況，聚合物之1至100mol%，視情況10至95mol%或20至80mol%之重複單位可為式(VI)之重複單位。
1,4-伸苯基重複單位可具有式(VII)
其中w在每次出現時獨立地為0、1、2、3或4，視情況1或2；且R7在每次出現時獨立地為取代基。
在存在之情況下，各R7可獨立地選自由以下各者組成之群：烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由視情況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子可由F置換；可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基及雜芳基，較佳地經一或多個C1-20烷基取代之苯基；及-(Ar1)c，其中各Ar1獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取 代之芳基或雜芳基，且c至少為1，視情況1、2或3。
Ar1在每次出現時較佳地為C6-20芳基，更佳地苯基。基團-(Ar1)c在c至少為2之情況下可形成直鏈或支鏈的芳基或雜芳基。Ar1之較佳取代基為C1-20烷基。
經取代之N(在存在之情況下)可為-NR2-，其中R2為C1-20烷基；未經取代之苯基；或由一或多個C1-20烷基取代之苯基。
較佳地，各R7獨立地選自C1-40烴基，且更佳地選自C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基；及直鏈或支鏈苯基，其中各苯基可未經取代或經一或多個取代基取代。
式(VII)之取代基R7(若存在)係鄰近於重複單位之連結位置，此舉可在式(VII)之重複單位與鄰近重複單位之間產生位阻，從而引起式(VII)之重複單位相對於一個或兩個鄰近重複單位而在平面外扭轉。
式(VII)之尤其較佳重複單位具有式(VIIa)：
2,7-連結茀重複單位可具有式(IX)：
其中R8在每次出現時相同或不同且為取代基，其中兩個基團R8可經連結以形成環；R7為如上文所描述之取代基；且d為0、1、2或3。
各R8可獨立地選自由以下各者組成之群：- 烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由視情 況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子可由F置換；- 可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基及雜芳基，較佳地經一或多個C1-20烷基取代之苯基；及- 直鏈或支鏈芳基或雜芳基，該等基團中之每一者可獨立地經取代，例如，式-(Ar7)d之基團，其中各Ar7獨立地為芳基或雜芳基且d至少為2，視情況2或3，較佳地為苯基之支鏈或直鏈，苯基中之每一者可未經取代或經一或多個C1-20烷基取代。
較佳地，各R8獨立地為C1-40烴基。
不同基團R8揭示於WO 2012/104579中，其內容以全文引用之方式併入。
經取代之N(在存在之情況下)可為-NR2-，其中R2如上文所描述。
例示性取代基R7為烷基，例如，C1-20烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由O、S、C=O及-COO-，視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、氟、氰基及芳基烷基置換。尤其較佳取代基包括C1-20烷基及經取代或未經取代之芳基，例如，苯基。芳基之可選取代基包括一或多個C1-20烷基。
可藉由在鄰近於連結位置之一或多個位置中以一或多個取代基R8取代重複單位來控制式(IX)之重複單位對聚合物主鏈中鄰近重複單位之芳基或雜芳基的共軛程度，以便產生與一或多個鄰近重複單位的扭轉，例如，在3-及6-位置中之一者或兩者中攜載C1-20烷基取代基的2,7-連結茀。
式(VI)之重複單位可具有式(X)或(XI)：
其中R7、R8及d如參考上文之式(VII)及(IX)所描述。
式(X)及(XI)的R7基團中之任一者可連結至R7基團中之任何其他者以形成環。如此形成之環可未經取代或經一或多個取代基，視情況一或多個C1-20烷基取代。
式(XI)的R8基團中之任一者可連結至R8基團中之任何其他者以形成環。如此形成之環可經未取代或經一或多個取代基，視情況一或多個C1-20烷基取代。
主體聚合物可含有式(X)之重複單位：
其中Ar8、Ar9及Ar10各自獨立地未經取代或經一或多個，視情況1個、2個、3個或4個取代基取代，z在每次出現時獨立地為至少1，視情況1、2或3，較佳為1，且Y為N或CR14，其中R14為H或取代基，較佳地H或C1-10烷基，且其限制條件為至少一個Y為N。較佳地，式(X)之Ar8、Ar9及Ar10為各苯基，各苯基視情況且獨立地由一或多個C1-20烷基取代。
Ar8、Ar9及Ar10之取代基可選自經取代或未經取代之烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由視情況經取代之芳基或雜芳基(較佳地苯基)、O、S、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子 可由F置換。
Ar8、Ar9及Ar10之較佳取代基(若存在)為C1-40烴基，較佳地C1-20烷基或烴基交聯基。
在一個較佳實施例中，所有3個基團Y為N。
式(X)之Ar10較佳地為苯基，且視情況由一或多個C1-20烷基或可交聯單位取代。可交聯單位可直接鍵結至Ar10或由間隔基團自Ar10間隔開。
較佳地，z為1且Ar8、Ar9及Ar10中之每一者為未經取代之苯基或以一或多個C1-20烷基取代之苯基。
式(X)之尤其較佳重複單位具有式(Xa)，其可未經取代或經一或多個取代基R5，較佳地一或多個C1-20烷基取代：
可以0.1至40wt%之範圍內的量將式(I)之金屬錯合物提供於包含主體與式(I)之金屬錯合物的組合物中。
主體材料之最低三重激發態能量位準至少相同於或高於金屬錯合物之三重激發態能量位準。可自藉由低溫磷光光譜法(Y.V.Romaovskii等人Physical Review Letters,2000,85(5),p1027，A.van Dijken等人Journal of the American Chemical Society,2004,126,p7718)而量測之磷光光譜的能量起效來量測三重能量位準。
金屬錯合物可與主體摻合或可共價鍵結至主體。在主體聚合物之情況下，可將金屬錯合物作為聚合物主鏈之側基或端基或作為聚合物主鏈中之重複單位而提供。
發光聚合物
包含式(XIIIa)或(XIIIb)之發光重複單位的發光聚合物較佳地具有不大於0.8，較佳地不大於0.7，更佳地不大於0.5之各向異性因數α。各向異性因數之值α可受發光重複單位及/或共同重複單位之結構及/或莫耳百分比影響。可選擇共同重複單位以結合對準發光重複單位給出聚合物之所需各向異性因數α。
適合之共同重複單位包括電子傳輸共同重複單位、電洞傳輸共同重複單位；及發光共同重複單位，其中發光共同重複單位之躍遷偶極矩並不與聚合物主鏈對準。
共同重複單位可形成棒狀主鏈。
較佳地，發光聚合物可包含式(VI)之共同重複單位。式(VI)之共同重複單位如上文相對於主體所描述。
包含式(XIIIa)或(XIIIb)之發光重複單位的發光聚合物視情況具有藉由凝膠滲透層析法量測之在約1×103至1×108，且較佳地1×103至5×106之範圍內的聚苯乙烯-等效數量平均分子量(Mn)。本文中所描述之聚合物的聚苯乙烯-等效重量平均分子量(Mw)可為1×103至1×108，且較佳地1×104至1×107。
聚合方法
可藉由金屬催化之聚合，諸如如WO 00/53656、WO 03/091355及EP1245659中所揭示之Yamamoto聚合及Suzuki聚合形成如本文所描述之共軛聚合物，該等申請案之內容以引用之方式併入本文中。
較佳地，藉由聚合單體而形成聚合物，單體包含在單體聚合之後脫離的脫離基。較佳地，藉由聚合單體而形成聚合物，單體包含鍵結至單體之芳族碳原子的硼酸及酯基，其中單體包含選自鹵素、磺酸或磺酸酯之脫離基，較佳地在鈀(0)或鈀(II)觸媒及鹼存在的情況下鍵結至單體之芳族碳原子的溴或碘。
例示性硼酸酯具有式(XII)：
其中R6在每次出現時獨立地為C1-20烷基，*表示硼酸酯至單體之芳環的附接點，且兩個基團R6可經連結以形成環。
溶液處理
可藉由沈積式(I)之化合物之溶液、主體與(若存在)溶解於溶劑或溶劑混合物中之發光層的任何其他組份來形成如本文所描述之發光層。
例示性溶劑為經選自C1-10烷基、C1-10烷氧基及氯，例如，甲苯、二甲苯及甲基苯甲醚之一或多個取代基取代的苯。
例示性溶液沈積技術包括印刷及塗佈技術，諸如旋轉塗佈、浸塗、彈性凸版印刷、噴墨印刷、狹縫型擠壓式塗佈及網版印刷。旋轉塗佈及噴墨印刷尤其較佳。
旋轉塗佈尤其適合於發光層之圖案化不必要的裝置，例如適合於照明應用或簡單單色分段式顯示器。
在沈積之後可對發光層進行退火。較佳地，退火低於聚合物之玻璃態化溫度。
噴墨印刷尤其適合於高資訊內容顯示器，特定而言全色顯示器。可藉由將圖案化層提供於第一電極上方及界定用於印刷一個色彩(在單色裝置之情況下)或多個色彩(在多色，特定來說全色裝置之情況下)之井來對裝置進行噴墨印刷。圖案化層通常為經圖案化以界定如(例如)EP 0880303中所描述之井的光阻層。
作為井之替代方案，可將油墨印刷至界定於圖案化層內之通道中。特定言之，光阻可經圖案化以形成通道，不同於井，通道延伸於 複數個像素上方且可在通道末端處關閉或打開。
OLED之陽極與陰極之間的額外層(在存在之情況下)可藉由如本文所描述之溶液沈積方法而予以形成。
電洞注入層
導電電洞注入層(其可自導電有機或無機材料形成)可提供於OLED之陽極與一或多個發光層之間，以改良自陽極至半導電聚合物之一或多層中的電洞注入。摻雜有機電洞注入材料之實例包括視情況經取代之摻雜聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，特定言之摻雜有電荷平衡多元酸之PEDT，諸如如EP 0901176及EP 0947123中所揭示之聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如，Nafion®；如US 5723873及US 5798170中所揭示之聚苯胺；及視情況經取代之聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導電無機材料之實例包括過渡金屬氧化物，諸如VOx、MoOx及RuOx，如Journal of Physics D：Applied Physics(1996)，29(11)，2750-2753中所揭示。
在電洞傳輸層存在之情況下，電洞注入層可提供於陽極與電洞傳輸層之間。
電荷傳輸層及電荷阻擋層
電洞傳輸層可提供於陽極與一或多個發光層之間。電子傳輸層可提供於陰極與一或多個發光層之間。
電子阻擋層可提供於陽極與發光層之間，且電洞阻擋層可提供於陰極與發光層之間。可組合使用傳輸層與阻擋層。取決於其HOMO及LUMO位準，單層可傳輸電洞及電子中之一者並阻擋電洞及電子中之另一者。
電洞傳輸層較佳地具有低於或等於5.5eV，更佳地約4.8至5.5eV之HOMO位準，如藉由循環伏安法所量測。電洞傳輸層之HOMO位準可經選擇以便在鄰近層(諸如發光層)之0.2eV內，視情況在0.1eV 內，以便向此等層之間的電洞傳輸提供小障壁。電洞傳輸層可為包含如上文所描述的式(I)之重複單位的聚合物。
位於發光層與陰極之間的電子傳輸層較佳地具有約2.5至3.5eV之LUMO位準，如藉由循環伏安法所量測。舉例而言，一氧化矽或二氧化矽之層或具有在0.2至2nm範圍內之厚度的其他薄介電層可提供於最接近陰極之發光層與陰極之間。可使用循環伏安法量測HOMO及LUMO位準。
電洞傳輸聚合物可為包含式(VIII)之重複單位的均聚物或共聚物：
其中Ar8、Ar9及Ar10在每次出現時獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g為0、1或2，較佳地0或1，R13獨立地在每次出現時為H或取代基，較佳為取代基，且c、d及e各自獨立地為1、2或3。
R13(當g為1或2時在每次出現時可相同或不同)較佳選自由以下各者組成之群：烷基，例如，C1-20烷基、Ar11、Ar11基團之支鏈或直鏈，或直接鍵結至式(VIII)之N原子或藉由間隔基團自其間隔開的可交聯單位，其中Ar11在每次出現時獨立地為視情況經取代之芳基或雜芳基。例示性間隔基團為C1-20烷基、苯基及苯基-C1-20烷基。
選自直接鍵結至相同N原子之Ar8、Ar9及(若存在)Ar10及Ar11的任何兩個芳香族或雜芳香族基團可藉由直接鍵或二價連結原子或基團連結至Ar8、Ar9、Ar10及Ar11中之另一基團。較佳二價連結原子及基團包括O、S；經取代之N；及經取代之C。
Ar8及Ar10較佳地為可未經取代或經一或多個取代基取代之C6-20烷基，更佳地苯基。
在g=0之情況下，Ar9較佳地為可未經取代或經一或多個取代基取代之C6-20芳基，更佳地苯基。
在g=1之情況下，Ar9較佳地為可未經取代或經一或多個取代基取代之C6-20芳基，更佳地苯基或多環芳族基，例如，萘、苝、蒽或茀。
R13較佳地為Ar11或Ar11基團之支鏈或直鏈。Ar11在每次出現時較佳地為可未經取代或經一或多個取代基取代之苯基。
例示性基團R13包括以下各者，其中之每一者可未經取代或經一或多個取代基取代，且其中*表示至N之附接點：
c、d及e較佳地各自為1。
Ar8、Ar9及(若存在)Ar10及Ar11各自獨立地未經取代或經一或多個，視情況1個、2個、3個或4個取代基取代。例示性取代基可選自：- 經取代或未經取代之烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個不相鄰C原子可由視情況經取代之芳基或雜芳基(較佳地苯基)、O、S、C=O或-COO-置換，且一或多個H原子可由F置換；及- 直接附接至或形成Ar8、Ar9、Ar10或Ar11之部分、或藉由間隔基團自其間隔開的可交聯基團，例如，包含雙鍵之基團，諸如乙烯基或丙烯酸酯基、或苯并環丁烷基。
Ar8、Ar9及(若存在)Ar10及Ar11之較佳取代基為C1-40烴基，較佳地C1-20烷基或烴基交聯基。
式(VIII)之較佳重複單位包括式1至3之單位：
較佳地，式1之重複單位的Ar8、Ar10及Ar11為苯基，且Ar9為苯基或多環芳族基。
較佳地，式2及3之重複單位的Ar8、Ar9及Ar11為苯基。
較佳地，式3之重複單位的Ar8及Ar9為苯基且R11為苯基或苯基之支鏈或直鏈。
包含式(VIII)之重複單位的聚合物可為含有式(VIII)之重複單位及一或多個共同重複單位的均聚物或共聚物。
在共聚物之情況下，可以約1至99mol%，視情況約1至50mol%之範圍內的莫耳量提供式(VIII)之重複單位。
例示性共同重複單位包括伸芳基重複單位，視情況如上文所描述之伸芳基單位。
電子傳輸層可含有包含視情況經取代之伸芳基重複單位鏈，諸如茀重複單位鏈之聚合物。
陰極
陰極係選自具有允許將電子注入至發光層中之功函數的材料。其他因素影響陰極之選擇，諸如陰極與發光材料間之不利相互作用的可能性。陰極可由單種材料組成，諸如鋁層。替代性地，其可包含複數個導電材料，例如，複數個導電金屬，諸如如WO 98/10621中所揭示之低功函數材料與高功函數材料，諸如鈣與鋁之雙層。陰極可包含元素鋇層，(例如)如WO 98/57381、Appl.Phys.Lett.2002，81(4)， 634及WO 02/84759中所揭示。陰極可在有機半導電層與一或多個導電陰極層之間包含金屬化合物之薄層(例如，1至5nm)，特定言之鹼或鹼土金屬之氧化物或氟化物，以輔助電子注入，例如，氟化鋰，(例如)如WO 00/48258中所揭示；氟化鋇，(例如)如Appl.Phys.Lett.2001，79(5)，2001中所揭示；及氧化鋇。為了提供電子有效率地注入至裝置中，陰極較佳地具有小於3.5eV，更佳地小於3.2eV，最佳地小於3eV之功函數。金屬之功函數可發現於(例如)Michaelson,J之Appl.Phys.48(11)，4729，1977中。
陰極可為不透明或透明的。透明陰極尤其有利於主動矩陣裝置，此係因為穿過此等裝置中之透明陽極的發射至少部分地由定位於發光像素下部之驅動電路系統阻擋。透明陰極包含充分地薄以透明之電子注入材料層。通常，此層之橫向導電性由於其薄度而較低。在此情況下，電子注入材料層與諸如氧化銦錫之透明導電材料的較厚層組合使用。
應瞭解，(當然，除非需要完全透明裝置，否則)透明陰極裝置不必具有透明陽極，且因此用於底部發射裝置的透明陽極可置換為或補充有反射材料層，諸如鋁層。舉例而言，在GB 2348316中揭示了透明陰極裝置之實例。
囊封
有機光電裝置傾向於對濕氣及氧氣敏感。因此，基板較佳地具有良好障壁特性以用於防止濕氣及氧氣進入裝置中。基板通常為玻璃，然而，特定言之在裝置需要可撓性之情況下可使用替代性基板。舉例而言，基板可包含一或多個塑膠層，(例如)交替塑膠及介電障壁層之基板，或薄玻璃與塑膠之層壓物。
可藉由囊封劑(未展示)囊封裝置以防止濕氣及氧氣進入。適合之囊封劑包括玻璃薄片，具有適合之障壁特性的薄膜，諸如二氧化矽、 一氧化矽、氮化矽或聚合物與介電質之交替堆疊，或氣密容器。在透明陰極裝置之情況下，諸如一氧化矽或二氧化矽之透明囊封層可沈積至微米位準之厚度，但在一個較佳實施例中，此類層之厚度係在20至300nm之範圍內。可將用於吸收可滲透過基板或囊封劑之任何大氣濕氣及/或氧氣的集氣劑材料安置在基板與囊封劑之間。
量測
使用如M Flämmich等人Organic Electronics 12,2011,p.1663-1668中所描述之發射光譜法來量測各向異性因數α，其內容以引用之方式併入本文中。平均偶極定向可由向量(x，y，z)表示，其中z方向正交於薄膜之平面。此可進一步參數化為平行與垂直分量之比率p∥：p⊥=(x+y)：z，如Flämmich等人所使用，或替代性地參數化為各向異性因數α=z/x=z/y，如貫穿本文件所使用。以此方式，各向同性定向可表示為(1,1,1)，其中p∥：p⊥=2：1且α=1。此外，各向異性定向之一實例可表示為(0.3571,0.3571,0.2858)，其中p∥：p⊥=2.5：1且α=0.8。
藉由使用Ramsdale等人Advanced Materials vol.14(3),p212(2002)中所描述之橢圓偏振光譜法分析最低能量吸收峰值來量測吸收各向異性。
除非另外陳述，否則本文所提供之α值如藉由如上文所述之發射光譜法來量測。
可藉由線性地相對於時間使工作電極電位漸升來執行如在本文中任何位置所描述之方波循環伏安法。當方波循環伏安法達到設定電位時，工作電極之電位斜坡反轉。此反轉可在單個實驗期間發生多次。相對於所施加電壓標繪工作電極處之電流，以給出循環伏安圖跡線。
用以藉由CV量測HOMO或LUMO能量位準之設備可包含含有第三丁基銨過氯酸鹽/或第三丁基銨六氟磷酸根乙腈溶液之單元、樣本 塗覆為薄膜之玻璃碳工作電極、鉑對立電極(電子之供體或受體)、及無滲漏Ag/AgCl參比玻璃電極。在實驗結束時出於計算目的而將二茂鐵添加於單元中。
Ag/AgCl/二茂鐵與樣本/二茂鐵之間的電位差量測。
方法及設定：3mm直徑的玻璃碳工作電極
Ag/AgCl/無滲漏參比電極
Pt電線輔助電極
0.1M乙腈四丁基銨六氟磷酸根
LUMO=4.8-二茂鐵(峰值至峰值最大平均值)+起效
樣本：1滴5mg/mL甲苯按3000rpm LUMO(還原)量測旋轉：對於在200mV/s及-2.5V之切換電位下量測之厚薄膜，通常觀測到良好可反轉還原事件。應量測還原事件且歷時10固週期進行比較，通常在第3週期取得量測結果。在還原事件之最陡部分處的最佳擬合線與基線之交叉處取得起效。可在環境溫度下量測HOMO及LUMO值。
實例 化合物實例1
根據以下反應方案進行步驟1至4：
步驟1：合成中間物2
設備設定：
5L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、熱插座、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1)將THF(2000mL)中之4-溴吡啶氫氯化物(80g，0.4113mol)的懸浮液取用於燒瓶中。
2)將反應混合物冷卻至-78℃，且歷時維持-75℃至-70℃之間的內溫度之1小時經由額外漏斗添加1M苯基溴化鎂(917mL，0.9172mol)。
3)將反應混合物維持在-78℃下30分鐘。
4)在-78℃下將氯甲酸苯酯(54.2mL，0.4319mol)逐滴添加至反應混合物。
5)使反應混合物緩慢升溫至室溫且在室溫下維持16小時。
6)將20%氯化銨溶液(1000mL)添加至反應混合物。
7)用乙酸乙酯(2×1000mL)萃取反應混合物。
8)對合併之有機層進行Na2SO4乾燥且濃縮以給出呈淡棕色黏稠油之180g粗中間物2。
9)使用己烷中之2%乙酸乙酯作為溶離劑藉由對矽膠(230至400網目)之急驟管柱層析純化粗物質，以獲得具有78.1% HPLC純度呈淡黃色黏稠油之112g中間物2(產率=76.5%)。
步驟2：
設備設定：
5L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1.將中間物2(112g，0.3144mol)取用於具有甲苯(2000mL)之5L反應瓶中。
2.在室溫下在30分鐘期間將乙酸(1500mL)之o-四氯醌(85g，0.3458mol)溶液添加至反應混合物。
3.在室溫下攪拌反應混合物16小時。
4.接著在冰浴中將混合物冷卻至0℃。
5.將20%含水NaOH溶液(5L)緩慢添加至反應混合物以將pH範圍調整於10至11之間。
6.用甲基第三丁基乙醚(2000mL×3)萃取溶液。
7.用水(2000mL)、鹵水溶液(1500mL)洗滌，經Na2SO4乾燥及 濃縮合併之有機層，以獲得呈淡棕色黏稠油之108g粗產物。
8.藉由格雷斯管柱層析法使用己烷中之2% EtOAc作為溶離劑以3批(每批36g)純化粗產物，以獲得呈淡黃色黏稠油之具有97.8% HPLC純度的58.8g產物。其含有呈雜質的產物之1.88%氯衍生物(產率=80%)。
1 H-NMR(400MHz,CDCl 3 )：δ[ppm]7.43(dd,J=1.76,5.28Hz,1H),7.47-7.53(m,3H),7.93(d,J=1.72Hz,1H),7.98-8.00(m,2H),8.53(d,J=5.28Hz,1H).
步驟3：合成中間物3
設備設定：
3L 4頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、冷凝器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1.將二噁烷(1090mL)中之步驟2產物(58.8g，0.2511mol)取用於R.B.燒瓶中。
2.將雙(頻哪醇根基)二硼(95.67g，0.3768mol)及乙酸鉀(74g，0.7533mol)添加至混合物。
3.用N2氣體脫氣混合物1小時。
4.將PdCl2(dppf)(4.1g，0.005mol)添加至混合物。
5.將反應混合物加熱至90℃，且維持3小時。
6.將反應混合物冷卻至室溫，且用正己烷(2L)稀釋且攪拌40分鐘，且經由矽藻土床過濾。
7.濃縮濾過物以獲得呈粗產物之108g中間物3。
8.使用中性Al2O3及己烷中之5%乙酸乙酯作為溶離劑藉由管柱層析純化粗物質，以獲得具有95.93% HPLC純度之68g中間物3(產率=96.3%)。
步驟4
設備設定：
5L 4頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、冷凝器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1.將中間物3(65g，0.2313mol)及5-溴-2-碘甲苯(4)(68.67g，0.2313mol)取用於甲苯/乙醇(3：1)混合物(1360mL)中。
2.用N2氣體脫氣混合物40分鐘。
3.添加碳酸鈉(73.55g，0.6939mol)，繼之以添加水(340mL)且以N2氣體淨化30分鐘。
4.添加Pd(PPh3)4(5.34g，0.0046mol)且以N2氣體再淨化30分鐘。
5.將反應混合物加熱至80℃，且維持20小時。
6.將反應混合物冷卻至室溫且添加水(1.5L)。
7.分離有機層，且用EtOAc(1000mL×3)萃取含水層。
8.用水(1.5L)、鹵水(1.5L)洗滌，經Na2SO4乾燥及濃縮合併之有機層，以獲得呈淡棕色黏稠油之80g粗產物。
9.使用矽膠(230至400網目)及己烷中之6%乙醚作為溶離劑藉由反覆管柱層析純化粗物質，得到呈淡橙色固體之30g具有99.78% HPLC純度的產物(產率=40%)。
1 H-NMR(400MHz,CDCl 3 )：δ[ppm]2.31(s,3H),7.14-7.19(m,2H),7.43-7.52(m,5H),7.67(s,1H),8.03(d,J=7.60Hz,2H),8.75(d,J=5.20Hz,1H).
步驟5
將5g(15.4mmol)2-苯基-4-(2-甲基-4-溴苯基)吡啶及4'-正辛基聯二苯-4-硼酸四甲基乙二醇酯(1.2當量)溶解於甲苯(50mL)中且用氮氣 鼓泡1小時。添加Pd2(dba)3(0.01當量)及SPhos(0.02當量)，且將混合物用氮氣鼓泡另外10分鐘。藉由氮氣鼓泡脫氣Et4NOH(20%含水溶液；4當量)，且將其添加至反應物，且在115℃下攪拌並加熱混合物20小時。
冷卻至室溫後，分離有機部分且用水洗滌，且接著移除溶劑而給出灰色固體。藉由自二氯甲烷溶液沈澱至乙腈中，繼之以甲醇研磨而純化此有機部分。最後，使材料溶解於乙酸乙酯中，且藉由過濾移除殘留未溶解材料。自濾過物移除溶劑得到5.7g白色固體(73%產率)。
步驟6
將5.7g之起始材料(11.18mmol)及氯化銥(III)(0.4當量)置放在燒瓶中且懸浮於2-乙氧基乙醇與水之混合物(76mL 3：1混合)中。用氮氣鼓泡同時攪拌混合物1小時，且接著將其加熱至120℃ 17小時。冷卻至室溫後，添加200mL水且攪拌混合物30分鐘。藉由過濾採集黃色沈澱物。藉由自二氯甲烷沈澱至庚烷中，繼之以自甲苯沈澱至甲醇中純化產物。此得到3.27g黃色固體(85%產率)。
步驟7
將3.27g之起始材料(1.31mmol)、碳酸鈉(5當量)、2,2,6,6-四甲基庚-3,5-二酮(5當量)及2-乙氧基乙醇(65mL)置放在燒瓶中，且用氮氣鼓泡1小時。接著攪拌反應物並在120℃下將其加熱20小時。冷卻至室溫後，將200mL水添加至燒瓶，且接著將混合物倒入含有400mL水之燒杯。在布赫納漏斗中採集所得沈澱物且用甲醇洗滌。藉由在二氯甲烷與庚烷之混合物中再結晶純化所得黃色固體，給出1.85g產物(51%產率)。
在圖2中說明產物。
1H NMR(600MHz，三氯甲烷-d)δ=8.46(2H,d,J2,2',3,3'=5.8Hz,H-2,2'),7.84(2H,s,H-5,5'),7.74-7.77(4H,m,H-21"',21',21,21"),7.70-7.73(4H,m,H-22"',22',22,22"),7.65(2H,s,H-17,17'),7.63(2H,d,J=7.8Hz,H-15,15'),7.61(1H,s,H-9',9),7.60(5H,d,J=7.8Hz,H-25"',25',25,25"),7.48(2H,d,J14,14',12,12'=7.7Hz,H-14,14'),7.26-7.32(4H,m,H-26"',26',26,26"),7.11(2H,dd,J3,3',2,2'=5.8Hz,J=1.8Hz,H-3,3'),6.85(2H,t,J10,10',11,11'=7.3Hz,H-10,10'),6.76(2H,t,J11,11',10,10'=7.4Hz,H-11,11'),6.57(2H,d,J12,12',14,14'=8.1Hz,H-12,12'),5.55(1H,s,H-38),2.68(4H,t,J28',28,29',29=7.8Hz,H-28',28),2.49(6H,s,H-19',19),1.68(4H,quin,J29',29,28',28=7.6Hz,H-29',29),1.30-1.41(12H,m,H-32',32,31',31,30',30),1.26-1.31(5H,m,H-33',33),1.25-1.42(4H,m,H-34',34),0.95(18H,s,H-43',43,43"',41',41,41"),0.87-0.93(6H,m,H-35',35)
化合物實例2
步驟1：合成中間物3
設備設定：
2L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、冷凝器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1)在室溫下以小份向含於DMSO(800mL)中之4第三丁基-苯甲腈(1)(100g，0.6289mol)、尿素(9.45g，0.1572mol)之溶液中緩慢添加氫化鈉(13g，0.3145mol)，且攪拌16小時。
2)完成反應混合物後，添加含於水(2L)中之5%乙酸且攪拌一小時。
3)過濾所形成白色固體，用水(1000mL)、石油醚(200mL)洗滌，且在真空下乾燥，得到73g呈白色固體之4,6-雙-(4-第三-丁基-苯基)-[1,3,5]三嗪-2-醇(3)。
4)其在下一步驟中原樣使用。
步驟2：合成中間物4
設備設定：
2L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器及冷凝器。
實驗程序：
1)在90℃下加熱中間物(3)(73g，0.2019mol)與POCl3(730mL)之混合物3小時。
2)反應完成後，在高真空下餾出POCl3。
3)謹慎地將因此獲得之殘餘物添加至冰冷之水(1000mL)且攪拌30分鐘。
4)過濾因此所形成之固體，用水洗滌、在真空下乾燥，得到呈白色固體之中間物(4)(兩個步驟得到33g，13.8%)。
1 H-NMR(400MHz,DMSO-d 6 )：δ[ppm]8.47(d,J=7.88Hz,4H),7.68(d,J=7.92Hz,4H),1.36(s,18H).
步驟3：合成中間物6
設備設定：
2L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、冷凝器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1)將THF(700mL)中之4-溴-2-吡啶氫氯化物溶液(45g，0.2314mol)取用於燒瓶中。
2)將反應混合物冷卻至-78℃，且在維持-75℃至-70℃之1小時期間經由額外漏斗添加2M苯基溴化鎂(281mL，0.5622mol)。
3)將反應物質維持在-78℃下一小時。
4)在-78℃下將THF(200mL)中之苯基氯甲酸鹽溶液(42.02g，0.2684mol)添加至反應物質。
5)使反應物質緩慢升溫至室溫且在室溫下維持16小時。
6)將20%氯化銨溶液(400mL)添加至反應物質。
7)將反應物質用乙酸乙酯(2×500mL)萃取。
8)對合併之有機層進行Na2SO4乾燥且餾出以給出72g之粗物質
9)因而粗物質未經純化即用於下一步驟。
步驟4：合成中間物7
設備設定：
2L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、冷凝器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1.粗物質(45g)與甲苯(900mL)取用於2L反應燒瓶中。
2.在室溫下在30分鐘期間將乙酸(520mL)中之o-四氯醌溶液(69.97g，0.2846mol)添加至反應物質。
3.在室溫下攪拌反應物質16小時。
4.將10% NaOH含水溶液緩慢添加至反應物質，以將pH範圍調整為自10至11。
5.經由celite床過濾反應物質。
6.將濃鹽酸(100mL)添加至甲苯層且攪拌10分鐘。
7.藉由將pH範圍調整為自10至11來分離有機層且以10% NaOH溶液清洗兩次。
8.用甲基第三丁基乙醚(200mL×3)萃取有機層。
9.用Na2SO4乾燥及餾出合併之有機層，以給出40g具有90.7% HPLC純度之中間物(7)。
10.使用中性Al2O3及己烷中之2%乙酸乙酯作為溶離劑藉由管柱層析純化粗物質，得到34g具有97.2% HPLC純度之(7)。
步驟5：合成中間物8
設備設定：
2L 4頸圓底燒瓶，裝備有機械頂置式攪拌器、冷凝器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1.將中間物(7)(34g，0.1452mol)、雙(頻哪醇根基)二硼(55.32g，0.2179mol)及乙酸鉀(42.77g，0.4357mol)取用於二噁烷(550mL)中。
2.以N2氣體脫氣上述混合物30分鐘。
3.添加PdCl2(dppf)(5.93g，0.0073mol)。
4.將反應混合物加熱至100℃，且維持2小時。
5.冷卻反應混合物至室溫且經由矽藻土床過濾。
6.濃縮濾過物以獲得作為粗產物的58g之8。
7.使用中性Al2O3及己烷中之2%乙酸乙酯作為溶離劑來藉由管柱層析純化粗物質，得到45g具有96.4% HPLC純度之(8)。
步驟6
設備設定：
2L 3頸圓底燒瓶，裝備有機械攪拌器、氮氣進氣口及排氣口。
實驗程序：
1)中間物4(49g，0.1290mol)、中間物8(39.88g，0.1419mol)及碳酸鈉(34.18g，0.3225mol)、甲苯(800mL)及蒸餾水(200mL)在氮氣氛圍下。
2)將上述反應混合物脫氣且以氬氣淨化30分鐘。
3)添加Pd(PPh3)4(7.45g，0.0064mol)且在100℃下加熱反應物質16小時。
4)將深褐色粗物質冷卻至室溫，經由celite床過濾且用乙酸乙酯(500mL)洗滌。
5)將水(500mL)添加至濾過物。
6)分離有機相，用鹵水(500mL)洗滌、經硫酸鈉乾燥、過濾且濃縮以得到約61g作為粗產物之深褐色油。
7)將乙腈(400mL)添加至粗物質且在室溫下攪拌2小時。
8)過濾出固體且用乙腈(2×100mL)洗滌。
9)使用矽膠(230至400網目)及己烷中之5%乙酸乙酯作為溶離劑藉由管柱層析純化粗物質，得到38g具有98.9% HPLC純度之產物。
10)將化合物(38g)溶解於乙腈(560mL)與乙酸乙酯(240mL)之混合物中且冷卻至室溫。
11)過濾出固體，且在真空下乾燥以得到具有99.67% HPLC純度之31g(產率：48.2%)。
1 H-NMR(400MHz,CDCl 3 )：δ[ppm]9.03(s,1H),8.97(d,J=5.04 Hz,1H),8.72(d,J=8.36Hz,4H),8.53(d,J=5.04Hz,1H),8.20(d,J=7.16Hz,2H),7.65(d,J=8.36Hz,4H),7.57-7.61(m,2H),7.52-7.53(m,1H),1.44(s,18H).
13 C-NMR(100MHz,CDCl 3 )：δ[ppm]172.00,170.06,158.39,156.56,150.42,144.87,139.20,133.11,129.26,128.93,28.86,127.16,125.76,120.80,119.23,35.16,31.22
步驟7
將6.45g氯化銥(III)水合物(18.2mmol)及起始材料(2.2當量)置放在燒瓶中且懸浮於2-乙氧基乙醇/水之3：1混合物(360mL)中。脫氣混合物1小時，隨後在125℃下攪拌14小時。使容器避光歷時反應之持續時間。冷卻至室溫後，添加200mL水且攪拌混合物15分鐘。藉由過濾採集所沈澱固體且用200mL水繼之以300mL乙醇及500mL甲醇洗滌。不經進一步純化即使用產物-18.98g(85%產率)。
步驟8
將3g(1.23mmol)之起始材料及碳酸鈉(10.0當量)置放在燒瓶中且 懸浮於80mL 2-乙氧基乙醇中。在滴液漏斗中，將2,2,6,6-四甲基-3,5-二酮(4.0當量)溶解於20mL 2-乙氧基乙醇中。兩個溶液用氮氣鼓泡40分鐘。攪拌反應燒瓶並將其加熱至60℃，接著自滴液漏斗添加溶液。將溫度增大至130℃且攪拌反應物18小時。冷卻至室溫後，將100mL水添加至燒瓶且攪拌20分鐘。藉由過濾採集沈澱之產物，且用水洗滌。藉由管柱層析，繼之以來自甲苯/乙腈之再結晶純化所得深紅色固體。
在圖3中說明產物。
1H NMR(600MHz，三氯甲烷-d)δ=9.17(2H,s,H-5,5'),8.75(8H,d,J=8.5Hz,H-18",18""',18"""',18',18,18"",18"',18"""),8.71(2H,d,J=5.9Hz,H-2,2'),8.37(2H,dd,J=5.9Hz,J=1.5Hz,H-3,3'),7.85-7.90(2H,m,J=7.6Hz,H-12,12'),7.66(8H,d,J=8.5Hz,H-19",19""',19"""',19',19,19"",19"',19"""),6.92-6.97(1H,m,M02),6.94(2H,t,J=7.3Hz,H-11,11'),6.76(2H,t,J=7.3Hz,H-10,10'),6.46-6.50(2H,m,J=7.6Hz,H-9,9'),5.58(1H,s,H-25),1.44(37H,s,H-22",22""',22*,22',22"""',22"""",22*',22,22"",22"',22""",22""""'),0.98(15H,s,H-28",28,28',30,30",30')
組合物實例1
藉由旋轉塗佈形成化合物實例2(5wt%)與主體聚合物1(95wt%)之組合物的薄膜，且藉由如本文所描述之發射光譜法量測各向異性因數α。
主體聚合物1為藉由如WO 00/53656中所描述之Suzuki聚合形成的聚合物，且包含如上文所描述之式VIIa(50mol%)、XI(40mol%)及X(10mol%)的重複單位。
α值為0.79。
比較性組合物1
如對於組合物實例1所述製備薄膜，惟替代化合物實例2使用下文所說明之比較性化合物1除外。
α值為1.09。
組合物實例2
藉由旋轉塗佈形成化合物實例1(5wt%)與主體聚合物2(95wt%)之組合物的薄膜，且藉由如本文所描述之發射光譜法量測各向異性因數α。
主體聚合物2為藉由如WO 00/53656中所描述之Suzuki聚合形成的聚合物，且包含如上文所描述之式VIIa(50mol%)及XI(50mol%)的重複單位。
α值為0.33。
比較性裝置1
製備了具有以下結構之有機發光裝置：ITO/HIL/HTL/LEL/陰極
其中ITO為氧化銦錫陽極；HIL為包含電洞注入材料之電洞注入層，HTL為電洞傳輸層且LEL為發光層。
使用UV/臭氧清潔攜載ITO之基板(45nm)。藉由旋轉塗佈電洞注入材料之調配物來將電洞注入層形成至約65nm之厚度。藉由旋轉塗佈包含式(VII)之伸苯基重複單位、式(VIII-1)之胺重複單位及式(IXa)之可交聯重複單位的電洞傳輸聚合物及藉由加熱交聯聚合物來將電洞傳輸層形成至約22nm之厚度。藉由旋轉塗佈主體聚合物3：比較性化 合物2(70wt%：30wt%)之混合物將發光層形成至約83nm之厚度。在具有約2nm厚度氟化鈉之第一層、約100nm厚度之鋁層及約100nm厚度之銀層的發光層上形成陰極。
主體聚合物3為藉由如WO 00/53656中所描述之Suzuki聚合形成的嵌段聚合物，嵌段聚合物具有藉由第1組單體之聚合形成之第一嵌段及藉由第2組單體之聚合形成之第二嵌段。
第1組：
第2組：
比較性化合物2具有以下結構：
裝置實例1
如對於比較性裝置1所述而製備裝置，惟比較性化合物1之5wt%由化合物實例1之5wt%置換除外。
裝置實例1之效率為約97cd/A，而比較性裝置1之效率為約76cd/A。
參考圖4，裝置實例1(實線)之外部量子效率顯著高於比較性裝置1(虛線)之外部量子效率。
儘管已就特定例示性實施例而言描述了本發明，但應瞭解，本文所揭示之特徵的各種修改、變更及/或組合將在不脫離如以下申請專利範圍中所闡述之本發明範疇的情況下對於熟習此項技術者顯而易見。
100‧‧‧有機發光二極體(OLED)
101‧‧‧陽極
103‧‧‧發光層
105‧‧‧陰極
107‧‧‧基板

Claims (21)

  1. 一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)其中：M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；各L1為式(IIa)或(IIb)之基團： 其中R1至R10各自獨立地為H或取代基，其限制條件為至少一個L1的R3、R5及R9中之至少一者為式-(Ar)p之基團，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2。
  2. 如請求項1之金屬錯合物，其中x為2。
  3. 如請求項2之金屬錯合物，其中該式(I)之化合物具有式(Ia)；
  4. 如請求項2或3之金屬錯合物，其中各配位體L1經至少一個式-(Ar)p之取代基取代。
  5. 如請求項4之金屬錯合物，其中該兩個配位體L1相同。
  6. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中僅至少一個配位體L1之R3為取代基-(Ar)p。
  7. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中y為1。
  8. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中該或各L2獨立地為雙牙配位體。
  9. 如請求項8之金屬錯合物，其中該或各L2獨立地選自由以下各者組成之群：N,N-螯合配位體；N,O-螯合配位體；及O,O-螯合配位體。
  10. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中M為銥。
  11. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中各Ar獨立地為未經取代或經取代之苯基，或未經取代或經取代之碳與氮原子之雜芳基。
  12. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中該或各配位體L1之僅有的一或多個取代基為式-(Ar)p之取代基。
  13. 如請求項1至3中任一項之金屬錯合物，其中Ar為未經取代或經一或多個取代基取代之苯基。
  14. 如請求項13之金屬錯合物，其中-(Ar)p為下式之基團： 其中各苯基獨立地為未經取代或經一或多個取代基取代，且R12為H或取代基。
  15. 一種組合物，其包含如請求項1至14中任一項之金屬錯合物及主 體。
  16. 如請求項15之組合物，其中該主體為聚合物。
  17. 一種調配物，其包含如請求項15或16之組合物及至少一種溶劑。
  18. 一種有機發光裝置，其包含陽極、陰極及該陽極與該陰極之間的發光層，該發光層包含如請求項15或16之組合物。
  19. 一種形成如請求項18之裝置的方法，該方法包含如下步驟：將如請求項17之調配物沈積於該陽極及該陰極中之一者上方，及蒸發該至少一種溶劑以形成該發光層，及在該發光層上方形成該陽極及該陰極中之另一者。
  20. 一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)其中：M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；且至少一個L1經至少一個式-(Ar)p之基團取代，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2，且該金屬錯合物之躍遷偶極矩向量與至少一個L1-(Ar)p鍵的鍵向量之間的角度小於15°。
  21. 一種式(I)之金屬錯合物：M(L1)x(L2)y (I)其中： M為第二或第三列過渡金屬；L1在每次出現時獨立地為發光配位體；L2為輔助配位體；x至少為1；y至少為1；至少一個L1經至少一個式-(Ar)p之基團取代，其中Ar在每次出現時獨立地為可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基，且p至少為2，使得該金屬錯合物之a：b比率至少為3：1，其中a為該錯合物在平行於該錯合物之躍遷偶極矩的方向中之尺寸，且b為該錯合物在垂直於該錯合物之該躍遷偶極矩的任何方向中之尺寸。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
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US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
GB201511300D0 (en) * 2015-06-26 2015-08-12 Cambridge Display Tech Ltd Metal complex and organic light-emitting device
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
US10236456B2 (en) * 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018140765A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Jian Li Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
WO2019079505A1 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li HOLES LOCKING MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODES
US11594688B2 (en) * 2017-10-17 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Display and lighting devices comprising phosphorescent excimers with preferred molecular orientation as monochromatic emitters
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes
KR102563288B1 (ko) * 2020-08-12 2023-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
CN113234032A (zh) * 2021-04-30 2021-08-10 安徽秀朗新材料科技有限公司 一种双芳基取代的氯代三嗪类oled中间体的制备方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004292423A (ja) * 2002-08-30 2004-10-21 Dainippon Ink & Chem Inc イリジウム（ｉｉｉ）錯体、及びそれを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4655454B2 (ja) * 2003-05-28 2011-03-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置
JP4952247B2 (ja) * 2004-02-26 2012-06-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP4478555B2 (ja) * 2004-11-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 金属錯体、発光素子及び画像表示装置
JP5030798B2 (ja) * 2005-03-01 2012-09-19 エージェンシー フォー サイエンス、テクノロジー アンド リサーチ 溶液加工した有機金属錯体および電界発光素子における溶液加工した有機金属錯体の使用
JP2006290781A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Takasago Internatl Corp 良溶解性イリジウム錯体
US7993763B2 (en) * 2007-05-10 2011-08-09 Universal Display Corporation Organometallic compounds having host and dopant functionalities
KR100933225B1 (ko) * 2007-11-27 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기발광소자
EP2275494A4 (en) * 2008-04-24 2011-12-21 Sharp Kk PYRIDINE METAL COMPLEX, PHOTO ELECTRODE WITH THE METAL COMPLEX AND COLOR-SENSITIVITY SOLAR CELL WITH THE PHOTO ELECTRODE
JP5556063B2 (ja) * 2008-06-23 2014-07-23 住友化学株式会社 組成物及び該組成物を用いてなる発光素子
JP5609022B2 (ja) * 2008-06-23 2014-10-22 住友化学株式会社 金属錯体の残基を含む高分子化合物及びそれを用いた素子
WO2010027583A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
KR20100047466A (ko) * 2008-10-29 2010-05-10 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
JP5714379B2 (ja) * 2010-03-31 2015-05-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子用材料、並びにそれを用いた有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法
ITMI20101400A1 (it) * 2010-07-28 2012-01-29 Fond Cassa Di Risparmio Delle Provincie Lombarde Nuovi complessi ciclometallati per celle solari
JP5707818B2 (ja) * 2010-09-28 2015-04-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示素子、照明装置及び金属錯体化合物
JP5852855B2 (ja) * 2010-11-24 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、照明装置、及び電子機器
JP5128728B1 (ja) * 2011-03-10 2013-01-23 国立大学法人九州大学 リン光発光材料、リン光発光材料の製造方法、及びリン光発光素子
GB201107917D0 (en) * 2011-05-12 2011-06-22 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting material and device
US9793497B2 (en) * 2012-03-23 2017-10-17 E I Du Pont De Nemours And Company Green luminescent materials
KR20130110934A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 에스에프씨 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP5880274B2 (ja) * 2012-05-21 2016-03-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
KR20140032823A (ko) * 2012-09-07 2014-03-17 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
US9917281B2 (en) * 2012-09-07 2018-03-13 Nitto Denko Corporation Top-emitting white organic light-emitting diodes having improved efficiency and stability
KR20140140417A (ko) * 2013-05-29 2014-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2015000548A1 (de) * 2013-07-02 2015-01-08 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
US20160233444A1 (en) * 2013-09-17 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Polycyclic phenylpyridine iridium complexes and derivatives thereof for oleds
JP2015173199A (ja) * 2014-03-12 2015-10-01 キヤノン株式会社 有機発光素子
GB201511300D0 (en) * 2015-06-26 2015-08-12 Cambridge Display Tech Ltd Metal complex and organic light-emitting device
CN107614510B (zh) * 2015-05-29 2021-04-20 三菱化学株式会社 铱络合化合物、含有该化合物的有机电致发光元件、显示装置和照明装置
US10862054B2 (en) * 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) * 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

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